CN105355802A - 顶发光器件及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种顶发光器件及其制备方法。该顶发光器件包括具有晶相和非晶相共存的双相结构的耦合输出层。该制备方法包括步骤：通过冷却装置，降低基板的温度；在所述基板上形成耦合输出层，所述耦合输出层的材料部分结晶，使得所述耦合输出层具有晶相和非晶相共存的双相结构。上述顶发光器件及其制备方法，提高顶发光器件的视角特性，优化视角。

Description

顶发光器件及其制备方法
技术领域
本发明涉及有机发光二极管技术领域，特别是涉及一种顶发光器件及其制备方法。
背景技术
有机发光二极管(OLED)包括顶发光型和底发光型，对于顶发光型OLED，其具有微腔效应，可以提升OLED的发光效率与色纯度，因而顶发光型OLED得到广泛的应用。
但是，微腔效应提升了OLED的出光指向性，导致垂直于出光发光面的光强度强，色纯度高，而与发光面成一定角度时，发光较弱，且色纯度也下降，从而导致器件的视角变差。
发明内容
基于此，有必要针对如何提高器件的视角特性的问题，提供一种顶发光器件及其制备方法。
一种顶发光器件，包括依次层叠的基板、阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、阴极层及耦合输出层，其中，所述耦合输出层具有晶相和非晶相共存的双相结构。
在其中一个实施例中，所述耦合输出层覆盖在所述阴极层上。
在其中一个实施例中，所述耦合输出层中晶相的质量含量大于50％。
在其中一个实施例中，所述耦合输出层的材料的玻璃化转变温度低于100℃或所述耦合输出层的材料的分子结构为平面结构。
在其中一个实施例中，所述耦合输出层的材料包括联苯二胺类空穴传输材料。
在其中一个实施例中，所述联苯二胺类空穴传输材料选自N,N-双(α-萘基-苯基)-4,4-联苯二胺、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺及9,10-二(2-萘基)蒽。
在其中一个实施例中，所述分子构型为平面构型的材料的结构式为:
其中，Ar为亚萘基、联亚萘基、亚蒽基、亚苝基、亚芘基、亚喹啉基、联亚喹啉基、或二苯并；X和Y分别为氢基、卤原子、脂肪基、芳香基、氰基、硝基、甲酰基、乙酰基、苯甲酰基、酰胺基、苯乙烯基、乙炔基、喹啉基、喹唑啉基、菲啰啉基、2,2’-联喹啉基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的芳基氨基、取代或未取代的烷基氨基、取代或未取代的芳烷基氨基或者取代或未取代的杂环基。
一种顶发光器件的制备方法，包括步骤：
对基板进行冷却；及
在所述基板上形成耦合输出层，所述耦合输出层的材料部分结晶，使得所述耦合输出层具有晶相和非晶相共存的双相结构。
在其中一个实施例中，所述在基板上形成耦合输出层，对所述基板进行冷却，所述耦合输出层的材料部分结晶，使得所述耦合输出层具有晶相和非晶相共存的双相结构的步骤包括：
在所述基板上涂布一层阳极层；
将所述带有所述阳极层的所述基板放置在真空室中，并在所述阳极层上依次蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层以及电子传输层；
在所述电子传输层上蒸镀镁银合金，形成所述阴极层；
通过冷却装置，降低所述基板的温度；
在所述阴极层上蒸镀所述耦合输出层的材料，所述耦合输出层的材料部分结晶。
在其中一个实施例中，在所述步骤通过冷却装置，降低所述基板的温度中，通过冷却装置，将所述基板的温度降低至小于等于10℃。
上述顶发光器件及其制备方法，通过设置耦合输出层为晶相-非晶相混合膜层，由于晶相的折射率比非晶相的折射率更高，从而整个耦合输出层呈现不均相的状态，从而使得光在耦合输出层中产生一定程度的散射，进而提高顶发光器件的视角特性。
附图说明
图1为一实施例的顶发光器件的结构示意图；
图2为一实施例的顶发光器件的制备方法的流程示意图。
具体实施方式
如图1所示，一实施方式的顶发光器件100包括依次层叠的基板110、阳极层120、空穴注入层130、空穴传输层140、发光层150、空穴阻挡层160、电子传输层170、阴极层180以及耦合输出层190。
具体地，在本实施例中，空穴注入层130的材料可以为三苯胺类，比如4,4′,4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)，空穴注入层130的厚度可以为5-200nm。空穴传输层140的材料可以为联苯二胺类，比如N,N-双(α-萘基-苯基)-4,4-联苯二胺(NPB)，空穴传输层140的厚度可以为10-50nm。发光层150的材料具有高量子效率的荧光特性，荧光光谱主要分布在400-700nm的可见光区域内，比如4,4′-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1′-联苯(DPVBi)，发光层150的厚度可以为10-60nm。
空穴阻挡层160的材料也具有高量子效率的荧光特性，荧光光谱主要分布在400-700nm的可见光区域内，空穴阻挡层160的厚度可以为5-10nm。电子传输层170的材料可以为喹啉类或邻菲罗啉类，电子传输层的厚度可以为10-40nm。
耦合输出层190具有晶相-非晶相共存的双相结构，通过采用玻璃化转变温度低于100℃的材料或分子构型为平面构型的材料作为耦合输出层190的材料，在将玻璃化转变温度低于100℃的材料或分子构型为平面构型的材料蒸镀在阴极层180上时，通过冷却装置控制基板110背面的温度，使得玻璃化转变温度低于100℃的材料或分子构型为平面构型的材料在阴极层180上沉积时，产生不同程度的结晶，从而使得形成的耦合输出层190具有同一种材料构成的晶相-非晶相共存的双相结构。
耦合输出层190具有同一种材料构成的晶相-非晶相共存的双相结构，由于晶相的折射率比非晶相的折射率高，所以当发光层150的光通过耦合输出层190时，会产生一定程度的散射，从而提高顶发光器件100的视角特性。
由于在蒸镀过程中，构成耦合输出层190的材料的温度高于100℃，当其沉积时，基板的温度较低，从而玻璃化转变温度低于100℃的材料或分子构型为平面构型的材料部分结晶，又蒸镀过程中，阴极层180上每一个位置的温度是不相同的，从而使得耦合输出层190中的晶相的结晶程度也是不相同的。在本实施例中，优选地，耦合输出层190中的晶相的质量含量大于等于50％。根据实际情况，通过调节基板110的温度，控制耦合输出层190中晶相的含量。
在本实施例中，玻璃化转变温度低于100℃的材料包括联苯二胺类空穴传输材料，比如N,N-双(α-萘基-苯基)-4,4-联苯二胺(N,N-Bis(α-naphthylphenyl)-4,4'-Biphenyldiamine,NPB)，N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)benzidine,TPD)或9,10-二(2-萘基)蒽(ADN)。
分子构型为平面构型的材料包括吡啶类电子传输材料或邻菲罗啉类电子传输材料，吡啶类电子传输材料具有式(I)或式(II)的结构，邻菲罗啉类电子传输材料具有式(III)或式(IV)的结构，式(I)、式(II)、式(III)以及式(IV)的结构如下：
其中，Ar为亚萘基、联亚萘基、亚蒽基、亚苝基、亚芘基、亚喹啉基、联亚喹啉基、或二苯并；X和Y分别为氢基、卤原子、脂肪基、芳香基、氰基、硝基、甲酰基、乙酰基、苯甲酰基、酰胺基、苯乙烯基、乙炔基、喹啉基、喹唑啉基、菲啰啉基、2,2’-联喹啉基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的芳基氨基、取代或未取代的烷基氨基、取代或未取代的芳烷基氨基或者取代或未取代的杂环基。
优选地，分子构型为平面构型的材料选自以下的一种：
如图2所示，一实施例的顶发光器件100的制备方法包括步骤：
S1：在基板110上涂布一层阳极层120。
在本实施例中，将Ag/ITO涂布在玻璃基板110上，将涂布有Ag/ITO的玻璃基板110在清洁剂，如醇中进行超声处理，并利用去离子水进行冲洗，初步完成对玻璃基板110的清洗。然后，将初步清洗后的玻璃基板110放置在丙酮和乙醇的混合溶液中进行超声处理，以去除玻璃基板110上的油。将清洗完成后的玻璃基板110放置在洁净环境下烘干，然后利用紫外光和臭氧进行清洗，并以低能阳离子束轰击涂布有Ag/ITO的玻璃基板110的表面，从而使得在玻璃基板110的表面上形成阳极层120。
S2：将带有阳极的基板110置于真空室中，并在阳极层120上依次蒸镀空穴注入层130、空穴传输层140、发光层150、空穴阻挡层160以及电子传输层170。
在本实施例中，空穴注入层130的材料可以为三苯胺类，比如4,4′,4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)，空穴注入层130的厚度可以为5-200nm。空穴传输层140的材料可以为联苯二胺类，比如N,N-双(α-萘基-苯基)-4,4-联苯二胺(NPB)，空穴传输层140的厚度可以为10-50nm。发光层150的材料具有高量子效率的荧光特性，荧光光谱主要分布在400-700nm的可见光区域内，比如4,4′-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1′-联苯(DPVBi)，发光层150的厚度可以为10-60nm。
空穴阻挡层160的材料也具有高量子效率的荧光特性，荧光光谱主要分布在400-700nm的可见光区域内，空穴阻挡层160的厚度可以为5-10nm。电子传输层170的材料可以为喹啉类或邻菲罗啉类，电子传输层的厚度可以为10-40nm。
S3：在电子传输层上蒸镀镁/银合金，形成阴极层180。
在本实施例中，镁/银合金中镁和银的质量含量比为10:1-8:1。
S4：通过冷却装置，降低基板110的温度。
在本实施例中，在本实施例中，通过冷却装置，使得基板110的温度降至10℃以下。优选地，基板110的温度为-5-5℃。
S5：在阴极层180上蒸镀耦合输出层190的材料，耦合输出层190的材料部分结晶。
在本实施例中，在阴极层180上蒸镀玻璃化转变温度低于100℃的材料或分子构型为平面构型的材料，形成耦合输出层190。
具体地，玻璃化转变温度低于100℃的材料包括联苯二胺类空穴传输材料，比如N,N-双(α-萘基-苯基)-4,4-联苯二胺(N,N-Bis(α-naphthylphenyl)-4,4'-Biphenyldiamine,NPB)，N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二(N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)benzidine,TPD)或9,10-二(2-萘基)蒽(ADN)。
分子构型为平面构型的材料包括吡啶类电子传输材料或邻菲罗啉类电子传输材料，吡啶类电子传输材料具有式(I)或式(II)的结构，邻菲罗啉类电子传输材料具有式(III)或式(IV)的结构，式(I)、式(II)、式(III)以及式(IV)的结构如下：
其中，Ar为亚萘基、联亚萘基、亚蒽基、亚苝基、亚芘基、亚喹啉基、联亚喹啉基、或二苯并；X和Y分别可以为氢基、卤原子、脂肪基、芳香基、氰基、硝基、甲酰基、乙酰基、苯甲酰基、酰胺基、苯乙烯基、乙炔基、喹啉基、喹唑啉基、菲啰啉基、2,2’-联喹啉基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的芳基氨基、取代或未取代的烷基氨基、取代或未取代的芳烷基氨基或者取代或未取代的杂环基。
由于耦合输出层190的材料在蒸发时温度高于100℃，而由S4可知，基板110的温度在10℃以下，从而当耦合输出层190的材料蒸镀在阴极层180上时，耦合输出层190的材料部分结晶，从而使得耦合输出层190具有晶相和非晶相共存的双相结构。
具体地，通过冷却装置使得基板110背面的内部冷却水的温度，虽然基板110和阴极层180之间有很多膜层，但是，各个膜层的厚度都很小，因此，基板110和阴极层180之间的热传导比较快，从而通过对基板110的降温，使得玻璃化转变温度低于100℃的材料或分子构型为平面构型的材料在蒸镀在阴极层180上时，璃化转变温度低于100℃的材料或分子构型为平面构型的材料部分结晶，形成同一材料的晶相-非晶相共存的双相结构的耦合输出层190。
对于具有双相结构的耦合输出层190，由于晶相的折射率比非晶相的折射率高，所以当发光层150的光通过耦合输出层190时，会产生一定程度的散射，从而提高顶发光器件100的视角特性。
基板110的温度不同会导致耦合输出层190中晶相的含量不同，优选地，在本实施例中，耦合输出层190中的晶相含量大于50％。
需要说明的是，在步骤S2中，也可以直接在阳极层120蒸镀发光层150。
实施例1：
将Ag/ITO涂布在玻璃基板110上，将涂布有Ag/ITO的玻璃基板110在清洁剂，如醇中进行超声处理，并利用去离子水进行冲洗，初步完成对玻璃基板110的清洗，然后，将初步清洗后的玻璃基板110放置在丙酮和乙醇的混合溶液中进行超声处理，以去除玻璃基板110上的油，将清洗完成后的玻璃基板110放置在洁净环境下烘干，然后利用紫外光和臭氧进行清洗，并以低能阳离子束轰击涂布有Ag/ITO的玻璃基板110的表面，从而使得在玻璃基板110的表面上形成阳极层120；
对该真空室进行抽真空至1×10－5Pa，并在阳极层120上真空蒸镀4,4′,4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)作为空穴注入层130，其中，蒸镀速率为0.15nm/s，空穴注入层130的膜厚为170nm；
在空穴注入层130上蒸镀N,N-双(α-萘基-苯基)-4,4-联苯二胺(NPB)作为空穴传输层140，其中，蒸镀速率为0.15nm/s，空穴传输层140的膜厚为15nm；
在空穴传输层140上真空蒸镀发光层150，该发光层150为蓝光发光层，该蓝光发光层掺杂有4,4′-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1′-联苯(DPVBi)的2-甲基-9,10-双(1-萘基)蒽(MADN)，蒸镀速率为0.1nm/s，发光层150的膜厚为45nm；
在发光层150上依次蒸镀DPVBi，形成空穴阻挡层160，该空穴阻挡层160的厚度为5nm；
在空穴阻挡层160上蒸镀八羟基喹啉铝，形成电子传输层170，其中，电子传输层170的蒸镀速率为0.1nm/s，其膜厚为25nm；
在电子传输层170上真空蒸镀Mg/Ag合金，其中，Mg和Ag的质量比为8:1，形成阴极层180，该阴极层180的厚度为15nm；
通过设置在基板110的背面的冷却装置对基板110进行降温，使得基板110的温度为10℃；
在阴极层180上蒸镀AND，AND部分结晶，形成耦合输出层190，使得耦合输出层190具有晶相和非晶相共存的双相结构。室温下，采用X射线衍射(X-raydiffraction，XRD)进行测量，偏转角度从0-100度，测得该耦合输出层190中的晶相的质量含量35％。
室温下，在恒流1A下，采用PR705光谱扫描辐射度计进行亮度和光谱的测量，测得该制备得到的顶发光器件100在视角为60度下，亮度衰减约为0.2。
实施例2：
将Ag/ITO涂布在玻璃基板110上，将涂布有Ag/ITO的玻璃基板110在清洁剂，如醇中进行超声处理，并利用去离子水进行冲洗，初步完成对玻璃基板110的清洗，然后，将初步清洗后的玻璃基板110放置在丙酮和乙醇的混合溶液中进行超声处理，以去除玻璃基板110上的油，将清洗完成后的玻璃基板110放置在洁净环境下烘干，然后利用紫外光和臭氧进行清洗，并以低能阳离子束轰击涂布有Ag/ITO的玻璃基板110的表面，从而使得在玻璃基板110的表面上形成阳极层120；
对该真空室进行抽真空至1×10－5Pa，并在阳极层120上真空蒸镀4,4′,4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)作为空穴注入层130，其中，蒸镀速率为0.15nm/s，空穴注入层130的膜厚为170nm；
在空穴注入层130上蒸镀N,N-双(α-萘基-苯基)-4,4-联苯二胺(NPB)作为空穴传输层140，其中，蒸镀速率为0.15nm/s，空穴传输层140的膜厚为15nm；
在空穴传输层140上真空蒸镀发光层150，该发光层150为蓝光发光层，该蓝光发光层掺杂有4,4′-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1′-联苯(DPVBi)的2-甲基-9,10-双(1-萘基)蒽(MADN)，蒸镀速率为0.1nm/s，发光层150的膜厚为45nm；
在发光层150上依次蒸镀DPVBi，形成空穴阻挡层160，该空穴阻挡层160的厚度为5nm；
在空穴阻挡层160上蒸镀八羟基喹啉铝，形成电子传输层170，其中，电子传输层170的蒸镀速率为0.1nm/s，其膜厚为25nm；
在电子传输层170上真空蒸镀Mg/Ag合金，其中，Mg和Ag的质量比为8:1，形成阴极层180，该阴极层180的厚度为15nm；
通过设置在基板110的背面的冷却装置对基板110进行降温，使得基板110的温度为5℃；
在阴极层180上蒸镀ADN，ADN部分结晶，形成耦合输出层190，使得耦合输出层190具有晶相和非晶相共存的双相结构，室温下，采用XRD进行测量，偏转角度从0-100度，测得该耦合输出层190中的晶相的质量含量为51.2％。
室温下，在恒流1A下，采用PR705光谱扫描辐射度计进行亮度和光谱的测量，测得该制备得到的顶发光器件100在视角为60度下，亮度衰减约为0.28。
实施例3：
将Ag/ITO涂布在玻璃基板110上，将涂布有Ag/ITO的玻璃基板110在清洁剂，如醇中进行超声处理，并利用去离子水进行冲洗，初步完成对玻璃基板110的清洗，然后，将初步清洗后的玻璃基板110放置在丙酮和乙醇的混合溶液中进行超声处理，以去除玻璃基板110上的油，将清洗完成后的玻璃基板110放置在洁净环境下烘干，然后利用紫外光和臭氧进行清洗，并以低能阳离子束轰击涂布有Ag/ITO的玻璃基板110的表面，从而使得在玻璃基板110的表面上形成阳极层120；
对该真空室进行抽真空至1×10－5Pa，并在阳极层120上真空蒸镀4,4′,4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)作为空穴注入层130，其中，蒸镀速率为0.15nm/s，空穴注入层130的膜厚为170nm；
在空穴注入层130上蒸镀N,N-双(α-萘基-苯基)-4,4-联苯二胺(NPB)作为空穴传输层140，其中，蒸镀速率为0.15nm/s，空穴传输层140的膜厚为15nm；
在空穴传输层140上真空蒸镀发光层150，该发光层150为蓝光发光层，该蓝光发光层掺杂有4,4′-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1′-联苯(DPVBi)的2-甲基-9,10-双(1-萘基)蒽(MADN)，蒸镀速率为0.1nm/s，发光层150的膜厚为45nm；
在发光层150上依次蒸镀DPVBi，形成空穴阻挡层160，该空穴阻挡层160的厚度为5nm；
在空穴阻挡层160上蒸镀八羟基喹啉铝，形成电子传输层170，其中，电子传输层170的蒸镀速率为0.1nm/s，其膜厚为25nm；
在电子传输层170上真空蒸镀Mg/Ag合金，其中，Mg和Ag的质量比为8:1，形成阴极层180，该阴极层180的厚度为15nm；
通过设置在基板110的背面的冷却装置对基板110进行降温，使得基板110的温度为0℃；
在阴极层180上蒸镀ADN，ADN部分结晶，形成耦合输出层190，使得耦合输出层190具有晶相和非晶相共存的双相结构，室温下，采用XRD进行测量，偏转角度从0-100度，测得该耦合输出层190中的晶相的质量含量为63.4％。
室温下，在恒流1A下，采用PR705光谱扫描辐射度计进行亮度和光谱的测量，测得该制备得到的顶发光器件100在视角为60度下，亮度衰减约为0.3。
实施例4：
将Ag/ITO涂布在玻璃基板110上，将涂布有Ag/ITO的玻璃基板110在清洁剂，如醇中进行超声处理，并利用去离子水进行冲洗，初步完成对玻璃基板110的清洗，然后，将初步清洗后的玻璃基板110放置在丙酮和乙醇的混合溶液中进行超声处理，以去除玻璃基板110上的油，将清洗完成后的玻璃基板110放置在洁净环境下烘干，然后利用紫外光和臭氧进行清洗，并以低能阳离子束轰击涂布有Ag/ITO的玻璃基板110的表面，从而使得在玻璃基板110的表面上形成阳极层120；
对该真空室进行抽真空至1×10－5Pa，并在阳极层120上真空蒸镀4,4′,4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)作为空穴注入层130，其中，蒸镀速率为0.15nm/s，空穴注入层130的膜厚为170nm；
在空穴注入层130上蒸镀N,N-双(α-萘基-苯基)-4,4-联苯二胺(NPB)作为空穴传输层140，其中，蒸镀速率为0.15nm/s，空穴传输层140的膜厚为15nm；
在空穴传输层140上真空蒸镀发光层150，该发光层150为蓝光发光层，该蓝光发光层掺杂有4,4′-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1′-联苯(DPVBi)的2-甲基-9,10-双(1-萘基)蒽(MADN)，蒸镀速率为0.1nm/s，发光层150的膜厚为45nm；
在发光层150上依次蒸镀DPVBi，形成空穴阻挡层160，该空穴阻挡层160的厚度为5nm；
在空穴阻挡层160上蒸镀八羟基喹啉铝，形成电子传输层170，其中，电子传输层170的蒸镀速率为0.1nm/s，其膜厚为25nm；
在电子传输层170上真空蒸镀Mg/Ag合金，其中，Mg和Ag的质量比为8:1，形成阴极层180，该阴极层180的厚度为15nm；
通过设置在基板110的背面的冷却装置对基板110进行降温，使得基板110的温度为-5℃；
在阴极层180上蒸镀AND，AND部分结晶，形成耦合输出层190，使得耦合输出层190具有晶相和非晶相共存的双相结构，室温下，采用XRD进行测量，偏转角度从0-100度，测得该耦合输出层190中的晶相的质量含量为70％。
室温下，在恒流1A下，采用PR705光谱扫描辐射度计进行亮度和光谱的测量，测得该制备得到的顶发光器件100在视角为60度下，亮度衰减约为0.31。
实施例5：
将Ag/ITO涂布在玻璃基板110上，将涂布有Ag/ITO的玻璃基板110在清洁剂，如醇中进行超声处理，并利用去离子水进行冲洗，初步完成对玻璃基板110的清洗，然后，将初步清洗后的玻璃基板110放置在丙酮和乙醇的混合溶液中进行超声处理，以去除玻璃基板110上的油，将清洗完成后的玻璃基板110放置在洁净环境下烘干，然后利用紫外光和臭氧进行清洗，并以低能阳离子束轰击涂布有Ag/ITO的玻璃基板110的表面，从而使得在玻璃基板110的表面上形成阳极层120；
对该真空室进行抽真空至1×10－5Pa，并在阳极层120上真空蒸镀4,4′,4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)作为空穴注入层130，其中，蒸镀速率为0.15nm/s，空穴注入层130的膜厚为170nm；
在空穴注入层130上蒸镀N,N-双(α-萘基-苯基)-4,4-联苯二胺(NPB)作为空穴传输层140，其中，蒸镀速率为0.15nm/s，空穴传输层140的膜厚为15nm；
在空穴传输层140上真空蒸镀发光层150，该发光层150为蓝光发光层，该蓝光发光层掺杂有4,4′-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1′-联苯(DPVBi)的2-甲基-9,10-双(1-萘基)蒽(MADN)，蒸镀速率为0.1nm/s，发光层150的膜厚为45nm；
在发光层150上依次蒸镀DPVBi，形成空穴阻挡层160，该空穴阻挡层160的厚度为5nm；
在空穴阻挡层160上蒸镀八羟基喹啉铝，形成电子传输层170，其中，电子传输层170的蒸镀速率为0.1nm/s，其膜厚为25nm；
在电子传输层170上真空蒸镀Mg/Ag合金，其中，Mg和Ag的质量比为8:1，形成阴极层180，该阴极层180的厚度为15nm；
通过设置在基板110的背面的冷却装置对基板110进行降温，使得基板110的温度为5℃；
在阴极层180上蒸镀TPD，TPD部分结晶，形成耦合输出层190，使得耦合输出层190具有晶相和非晶相共存的双相结构，室温下，采用XRD进行测量，偏转角度从0-100度，测得该耦合输出层190中的晶相的质量含量为55％。
室温下，在恒流1A下，采用PR705光谱扫描辐射度计进行亮度和光谱的测量，测得该制备得到的顶发光器件100在视角为60度下，亮度衰减约为0.1。
上述顶发光器件100及其制备方法，通过使得耦合输出层190为晶相-非晶相混合膜层，由于晶相的折射率比非晶相的折射率更高，从而整个耦合输出层190呈现不均相的状态，从而使得光在耦合输出层190中产生一定程度的散射，进而提高顶发光器件100的视角特性。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种顶发光器件，包括依次层叠的基板、阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、阴极层及耦合输出层，其特征在于，所述耦合输出层具有晶相和非晶相共存的双相结构。
2.根据权利要求1所述的顶发光器件，其特征在于，所述耦合输出层中晶相的质量含量大于50％。
3.根据权利要求1所述的顶发光器件，其特征在于，所述耦合输出层的材料为玻璃化转变温度低于100℃的材料或为分子结构为平面结构的材料。
4.根据权利要求3所述的顶发光器件，其特征在于，所述耦合输出层的材料包括联苯二胺类空穴传输材料。
5.根据权利要求4所述的顶发光器件，其特征在于，所述联苯二胺类空穴传输材料选自N,N-双(α-萘基-苯基)-4,4-联苯二胺、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺及9,10-二(2-萘基)蒽中的至少一种。
6.根据权利要求3所述的顶发光器件，其特征在于，所述耦合输出层的材料的结构式为:
其中，Ar为亚萘基、联亚萘基、亚蒽基、亚苝基、亚芘基、亚喹啉基、联亚喹啉基、或二苯并；X和Y分别为氢基、卤原子、脂肪基、芳香基、氰基、硝基、甲酰基、乙酰基、苯甲酰基、酰胺基、苯乙烯基、乙炔基、喹啉基、喹唑啉基、菲啰啉基、2,2’-联喹啉基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的芳基氨基、取代或未取代的烷基氨基、取代或未取代的芳烷基氨基或者取代或未取代的杂环基。
7.根据权利要求1所述的顶发光器件，其特征在于，所述耦合输出层覆盖在所述阴极层上。
8.一种顶发光器件的制备方法，其特征在于，包括步骤：
对基板进行冷却；及
在所述基板上形成耦合输出层，所述耦合输出层的材料部分结晶，使得所述耦合输出层具有晶相和非晶相共存的双相结构。
9.根据权利要求8所述的顶发光器件的制备方法，其特征在于，所述对基板进行冷却，使得在所述基板上形成耦合输出层时，所述耦合输出层的材料部分结晶，所述耦合输出层具有晶相和非晶相共存的双相结构的步骤包括：
在所述基板上涂布一层阳极层；
在所述阳极层上依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层以及电子传输层；
在所述电子传输层上蒸镀镁银合金，形成阴极层；
通过冷却装置，降低所述基板的温度；
在所述阴极层上蒸镀所述耦合输出层的材料，所述耦合输出层的材料部分结晶。
10.根据权利要求9所述的顶发光器件的制备方法，其特征在于，在所述步骤通过冷却装置，降低所述基板的温度中，通过冷却装置，将所述基板的温度降低至小于等于10℃。
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Denomination of invention: Top emitting device and its preparation method

Effective date of registration: 20201221

Granted publication date: 20180413

Pledgee: Xin Xin Finance Leasing Co.,Ltd.

Pledgor: KunShan Go-Visionox Opto-Electronics Co.,Ltd.

Registration number: Y2020980009652