CN102208509A - 发光器件、用于制造发光器件的方法以及发光器件封装 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种发光器件、用于制造发光器件的方法以及发光器件封装。该发光器件包括：第一导电类型半导体层，该第一导电类型半导体层具有第一顶表面和在第一顶表面下面的第二顶表面；在第一导电类型半导体层的第一顶表面上的有源层；在有源层上的第二导电类型半导体层；在第一导电类型半导体层的第二顶表面上的第一电极；在第一导电类型半导体层的第二顶表面上的中间折射层；以及第二电极，该第二电极连接到第二导电类型半导体层。

Description

发光器件、用于制造发光器件的方法以及发光器件封装
相关申请的交叉引用
本申请要求(2010年3月29日提交的)韩国专利申请No.10-2010-0027773的优先权，其内容通过引用整体合并于此。
技术领域
本发明涉及一种发光器件、用于制造发光器件的方法以及发光器件封装。
背景技术
发光二极管(LED)是将电流转化为光的半导体发光器件。随着最近LED的亮度增加，LED用作用于显示器、车辆以及照明的光源。而且，通过使用荧光物质或者组合具有各种颜色的LED可以实现高效地发射白光的LED。
为了提高LED的亮度和性能，可以尝试诸如改进光提取结构的方法、改进有源层的结构的方法、改进电流扩展的方法、改进电极结构的方法以及改进发光二极管封装的结构的方法的各种方法。
发明内容
实施例提供具有新结构的发光器件、用于制造发光器件的方法以及发光器件封装。
实施例还提供具有提高的光提取效率的发光器件和用于制造发光器件的方法。
在一个实施例中，发光器件包括：第一导电类型半导体层，该第一导电类型半导体层具有第一顶表面和在第一顶表面下面的第二顶表面；在第一导电类型半导体层的第一顶表面上的有源层；在有源层上的第二导电类型半导体层；在第一导电类型半导体层的第二顶表面上的第一电极；在第一导电类型半导体层的第二顶表面上的中间折射层；以及第二电极，该第二电极连接到第二导电类型半导体层，其中中间折射层由导电材料形成并且与第二电极隔开。
在另一实施例中，一种用于制造发光器件的方法，该方法包括：顺序地堆叠第一导电类型半导体层、有源层、以及第二导电类型半导体层以形成发光结构；对发光结构执行台面蚀刻工艺以暴露第一导电类型半导体层的顶表面的一部分；在第一导电类型半导体层的暴露的顶表面上形成中间折射层；以及在第一导电类型半导体层的暴露的顶表面上形成第一电极，其中在第一导电类型半导体层的暴露的顶表面内，第一电极与中间折射层隔开。
在又一实施例中，一种发光器件封装包括：主体；在主体上的第一和第二电极层；在主体上的发光器件，该发光器件电连接到第一和第二电极层；以及成型构件，该成型构件覆盖发光器件，其中发光器件包括：第一导电类型半导体层，该第一导电类型半导体层具有第一顶表面和在第一顶表面下面的第二顶表面；在第一导电类型半导体层的第一顶表面上的有源层；在有源层上的第二导电类型半导体层；在第一导电类型半导体层的第二顶表面上的第一电极；在第一导电类型半导体层的第二顶表面上的中间折射层；以及第二电极，该第二电极连接到第二导电类型半导体层，其中中间折射层具有在第一导电类型半导体层的折射率与成型构件的折射率之间的折射率。
在附图和下面的描述中阐述一个或者多个实施例的细节。根据描述和附图，以及根据权利要求书，其它的特征将会是显而易见的。
附图说明
图1是根据实施例的发光器件的侧截面图。
图2是示出图1的发光器件的顶视图。
图3和图4是示出将根据实施例的发光器件的光透射率与根据比较示例的发光器件的光透射率进行比较的结果的图。
图5至图8是用于解释制造根据实施例的发光器件的工艺的视图。
图9是根据实施例的包括发光器件的发光器件封装的侧截面图。
图10和图11是使用根据实施例的发光器件的照明单元的视图。
具体实施方式
在实施例的描述中，将理解的是，当层(或膜)、区域、图案或结构被称为在衬底、层(或者膜)、区域、焊盘、或图案“上”时，它能够直接在另一层或者衬底上，或者也可以存在中间层。此外，将会理解的是，当层被称为在另一层“下”时，它能够直接在另一层下面，并且也可以存在一个或者多个中间层。此外，将会基于附图给出关于在每层“上”和“下”的参考。
在附图中，为了描述的方便和清楚起见，每层的厚度或者尺寸被夸大、省略、或示意性绘制。而且，每个元件的尺寸没有完全反映真实尺寸。
在下文中，将会参考附图描述根据实施例的发光器件、用于制造发光器件的方法、发光器件封装、以及照明单元。
图1是根据实施例的发光器件100的侧截面图，并且图2是示出图1的发光器件100的顶视图。图1是沿着图2的线A-A’截取的截面图。
参考图1和图2，根据实施例的发光器件100可以包括：衬底105；在衬底105上的缓冲层111；在缓冲层111上的第一导电类型半导体层112；有源层114，该有源层114设置在第一导电类型半导体层112上以暴露第一导电类型半导体层112的顶表面的一部分；在有源层114上第二导电类型半导体层116；在暴露的第一导电类型半导体层112上的第一电极130；中间折射层120，其在设置在暴露的第一导电类型半导体层112上的第一电极130周围；在第二导电类型半导体层116上的第二电极150；以及透明电极层140。
第一导电类型半导体层112、有源层114以及第二导电类型半导体层116可以组成用于发射光的发光结构110。
例如，衬底105可以由蓝宝石(Al2O3)、SiC、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP以及Ge中的至少一个形成。
衬底110可以具有倾斜的顶表面或者图案可以设置在衬底105的顶表面上以平滑地生长发光结构110并且提高发光器件100的光提取效率。
缓冲层111、第一导电类型半导体层112、有源层114以及第二导电类型半导体层116可以被顺序地相互堆叠。然而，本公开不限于层。
发光结构可以由III-V族化合物半导体形成，例如，可以由AlInGaN基、GaAs基、GaAsP基以及GaP基化合物半导体材料中的一个形成。从第一和第二导电类型半导体层130和150提供的电子和空穴可以在有源层114中复合以产生光。
缓冲层111是用于减少衬底105和发光结构110之间的热膨胀系数差和晶格常数差的层。缓冲层111的热膨胀系数或者晶格常数可以在衬底105和发光结构110的热膨胀系数和/或晶格常数之间。缓冲层111可以具有单或者多层结构。而且，缓冲层111可以由化合物半导体材料形成，例如，可以由GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP以及AlGaInP中的一个形成。
第一导电类型半导体层112可以由掺杂有第一导电类型掺杂物的III-V族化合物半导体形成，例如，可以由GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP以及AlGaInP中的一个形成。当第一导电类型半导体层112是N型半导体层时，第一导电类型掺杂物可以包括诸如Si、Ge、Sn、Se或者Te的N型掺杂物。而且，第一导电类型半导体层112可以具有单或者多层结构。
有源层114可以设置在第一导电类型半导体层112上。在这里，有源层114可以设置在第一导电类型半导体层112上，以暴露第一导电类型半导体层112的顶表面的一部分。例如，可以通过在形成发光结构110之后对发光结构110执行台面蚀刻工艺形成此结构，但是不限于此。
有源层114是这样的层，其中通过第一导电类型半导体层112注入的电子与通过第二导电类型半导体层116注入的空穴彼此相遇以发射具有由化合物半导体层材料的适当的能量带确定的波长带的光。
有源层140可以具有单量子阱结构、多量子阱(MQW)结构、量子点结构、或者量子线结构。
例如，当有源层114具有量子阱结构时，有源层114可以具有包括具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的阱层和具有InaAlbGa1-a-bN(0≤a≤1，0≤b≤1，0≤a+b≤1)的组成式的势垒层的单或者多量子阱结构。阱层可以由具有小于势垒的能带隙的能带隙的材料形成。
有源层114可以使用在其中从第一和第二导电类型半导体层112和116提供的电子和空穴相互复合的工艺中产生的能量来产生光。
而且，导电类型包覆层可以设置在有源层114上或/和下面。导电类型包覆层可以由AlGaN基半导体形成。
第二导电类型半导体层116可以设置在有源层114上。第二导电类型半导体层116可以由掺杂有第二导电类型掺杂物的III-V族化合物半导体形成，例如，可以由GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP以及AlGaInP中的一个形成。当第二导电类型半导体层116是P型半导体层时，第二导电类型掺杂物可以包括诸如Mg或者Zn的P型掺杂物。而且，第二导电类型半导体层116可以具有单或者多层结构。
第一电极130可以设置在暴露的第一导电类型半导体层112的顶表面上，并且中间折射层120可以设置在设置在第一导电类型半导体层112的顶表面上的第一电极130的周围。
第一电极130可以包括结合到布线的电极焊盘130a和从电极焊盘130a分支以扩展电流的电极翼130b。
例如，第一电极130可以由包含Cu、Cr、Au、Al、Ag、Sn、Ni、Pt以及Pd中的至少一个的金属合金或者金属形成。而且，第一电极130可以具有单或者多层结构。
中间折射层120可以设置在第一导电类型半导体层112上的第一电极130周围。中间折射层120可以与第一电极130物理地分离或者与第一电极130部分地接触，但是不限于此。
因为中间折射层120具有小于第一导电类型半导体层112的台阶部分的厚度的厚度，因此中间折射层没有接触有源层114和在有源层上的第二导电类型半导体层116。
中间折射层120可以由具有在第一导电类型半导体层112的折射率和包围发光器件100的材料的折射率之间的折射率的材料形成，例如，该材料的折射率可以在空气(折射率：大约1.0)或者硅和树脂材料(折射率：大约1.4至大约1.5)的折射率之间。
中间折射层120可以由透光导电材料形成，例如，可以由ITO和具有与ITO的折射率类似的折射率的透光导电材料中的至少一个形成，其中具有与ITO的折射率类似的折射率的透光导电材料是诸如铟锌氧化物(IZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)、铝锌氧化物(AZO)、锑锡氧化物(ATO)和镓锌氧化物(GZO)。
因为中间折射层120具有在第一导电类型半导体层112的折射率和包围发光器件100的材料的折射率之间的折射率，因此可以增加被提取到发光结构110的外部的光量。
详细地，随着相互不同的材料之间的折射率差逐渐地增加，通过界面全反射的光量增加。因此，由于根据实施例的发光器件100包括在第一导电类型半导体层112和包围发光器件100的材料之间的中间折射层，所以通过减少界面之间的折射率差来增加通过全反射限制在发光结构110内的光量。
参考图2，中间折射层120可以几乎覆盖除了其中设置有第一电极130的区域之外的暴露的第一导电类型半导体层112的顶表面上的所有区域。然而，图2中所示的发光器件的构造可以被视为示例，并且因此，本公开不限于此。
沿着第一导电类型半导体层112的暴露的顶表面可以设置中间折射层120。第一导电类型半导体层112的暴露的顶表面可以具有回路形状，例如，连续的回路形状或者不连续的回路形状，但是不限于此。第一导电类型半导体层112的暴露的顶表面可以是部分地不平的或者倾斜的，但是不是平坦的。然而，本公开不限于此。
当中间折射层120由与第一导电类型半导体层112形成欧姆接触的材料形成时，中间折射层120可以将电流扩展到第一导电类型半导体层112中。
第二电极150和透明电极层140可以设置在第二导电类型半导体层116上。
透明电极层140可以由与第二导电类型半导体层116进行欧姆接触的透光材料形成。例如，透光电极层140可以由铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)、铝锌氧化物(AZO)、锑锡氧化物(ATO)、镓锌氧化物(GZO)、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni、Ag、Ni/IrOx/Au以及Ni/IrOx/Au/ITO中的至少一个形成。而且，透明电极层140可以具有单或者多层结构。
透明电极层140可以由与中间折射层120的材料相同的材料形成，但是不限于此。在这样的情况下，因为可以同时通过一个工艺形成透明电极层140和中间折射层120，所以可以有效地执行制造工艺。
第二电极150可以设置在透明电极层140或者第二导电类型半导体层116和透明电极层140上使得第二电极150的底表面的一部分直接地接触第二导电类型半导体层116，但是不限于此。
例如，第二电极150可以由包含Cu、Cr、Au、Al、Ag、Sn、Ni、Pt以及Pd中的至少一个的金属合金或者金属形成。
第一和第二电极130和150可以电连接到外部电源，以将电力提供到根据实施例的发光器件100。
中间折射层120可以具有大约5μm至大约100μm的宽度。此范围可以根据芯片尺寸而变化。
在这里，第一导电类型半导体层112的暴露的顶表面可以具有大于中间折射层120的顶表面的面积和第一电极130的顶表面的面积的总和的面积。而且，中间折射层120的顶表面可以具有大于第一电极130的顶表面的面积的面积。
第一导电类型半导体层112可以包括P型半导体层，并且第二导电类型半导体层116可以包括N型半导体层。而且，具有与第二导电类型半导体层116的极性相反的极性的第三导电类型半导体层(未示出)可以设置在第二导电类型半导体层116上。因此，发光器件100可以具有np结结构、pn结结构、npn结结构以及pnp结结构中的至少一个，但是不限于此。
图3和图4是示出将根据实施例B的发光器件100的光透射率与根据比较示例A的发光器件的光透射率进行比较的结果的图。在图3和图4中，x轴表示从有源层114发射的光的波长，并且y轴表示光透射率。
图3和图4的发光器件100具有彼此相同的结构，不同之外在于中间折射层120的厚度。在图3中，中间折射层120具有大约60nm的厚度。在图4中，中间折射层120具有大约100nm的厚度。
而且，根据比较示例A的发光器件与根据实施例B的发光器件的不同之处在于中间折射层120的存在或者不存在。而且，根据实施例B和比较示例A的发光器件发射具有大约460nm的主波长的基于蓝色的光。中间折射层120可以由具有大约2.0的折射率的ITO形成。
参考图3和图4，看到与根据比较示例A的发光器件的光透射率相比，包括中间折射层120的实施例B的发光器件100具有至少相同(参见图4)或者提高的光透射率(参见图3)。
而且，为了最大化由于中间折射层120引起的效果，可以适当地调整中间折射层的厚度。
例如，当中间折射层120具有与λ/4n(其中，λ：从有源层发射的光的波长，n：中间折射层的折射率)的整数倍相对应的厚度时可以使效果最大化。
因此，当光具有大约460nm的主波长并且中间折射层120由如实施例B中所示的ITO(大约2.0的折射率)形成时，当与其中中间折射层120具有大约
Figure BSA00000463057600101
的厚度相比较时，发光器件100的光透射率可以被提高。
在下文中，将会详细地描述制造根据实施例的发光器件100的工艺。然而，将会省略或者简单地描述与前述描述重复的描述。
图5至图8是用于解释制造根据实施例的发光器件100的工艺的视图。
参考图5，缓冲层111和发光结构110可以形成在衬底105上。
例如，可以使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺、化学气相沉积(CVD)工艺、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺、分子束外延(MBE)工艺以及氢化物气相外延(HVPE)工艺中的至少一个形成缓冲层111和发光结构110，但是不限于此。
参考图6，可以对发光结构110执行台面蚀刻工艺M以暴露第一导电类型半导体层112的顶表面的一部分。
例如，诸如电感耦合等离子体工艺的干法蚀刻工艺可以被用作台面蚀刻工艺，但是不限于此。
参考图7，中间折射层120可以形成在暴露的第一导电类型半导体层112上，并且透明电极层140可以形成在第二导电类型半导体层116上。
当中间折射层120和透明电极层140由彼此相同的材料形成时，可以同时通过一个工艺形成中间折射层120和透明电极层140。因此，可以有效地执行发光器件100的制造工艺。
例如，图案掩模可以形成在发光结构110上，并且然后，可以沿着图案掩模执行沉积工艺以形成中间折射层120和透明电极层140。例如，沉积工艺可以包括电子束沉积工艺、溅射工艺以及等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺，但是不限于此。
参考图8，第一电极130可以形成在暴露的第一导电类型半导体层112上的中间折射层120的周围，并且第二电极150可以形成在第二导电类型半导体层116上以实现根据实施例的发光器件100。
通过沉积或者镀工艺可以形成第一和第二电极130和150，但是不限于此。
图9是根据实施例的包括发光器件100的发光器件封装的侧截面图。
参考图9，发光器件封装包括：主体20；第一和第二电极层31和32，该第一和第二电极层31和32设置在主体20上；发光器件100，该发光器件100设置在主体20上并且电连接到第一和第二电极层31和32；以及成型构件40，该成型构件40包围发光器件100。
主体20可以由硅材料、合成树脂材料或者金属材料形成。倾斜表面可以设置在发光器件100周围。
第一电极层31和第二电极层32可以相互电分离，并且向发光器件100提供电力。而且，第一和第二电极层31和32可以反射在发光器件100中产生的光以提高光效率。另外，第一和第二电极层31和32可以将在发光器件100产生的热释放到外部。
发光器件100可以设置在主体20或者第一或者第二电极层31或者32上。
可以使用引线接合方法、倒装芯片方法以及贴片方法中的一个，将发光器件100电连接到第一和第二电极层31和32。
成型构件40可以包围发光器件100以保护发光器件100。而且，荧光体可以包含在成型构件40中，以改变从发光器件100发射的光的波长。
图10是根据实施例的使用发光器件的照明单元的视图。图10的背光单元是照明单元的示例，但是不限于此。
参考图10，背光单元可以包括底盖1400、设置在底盖1400中的导光构件1100以及设置在导光构件1100的底表面或者至少一个侧表面上的发光模块1000。而且，片1300可以设置在导光构件1100的下面。
底盖1400可以具有向上开口的盒形状，以容纳导光构件1100、发光模块1000以及片1300。而且，底盖1400可以由金属材料或者树脂材料形成，但是不限于此。
发光模块1000可以包括：基板和安装在基板上的多个发光器件封装。根据实施例的多个发光器件封装可以向导光构件1100提供光。
如图10中所示，可以将发光模块1000设置在底盖1400的内侧表面中的至少一个表面上，并且因此，发光模块1000可以朝着导光构件1100的至少一个侧表面提供光。
或者，发光模块1000可以设置在底盖1400的底表面上，以朝着导光构件1100的底表面提供光。由于可以根据背光单元的设计进行各种变化，所以本公开不限于上述结构。
导光构件1100可以设置在底盖1400内。导光构件1100可以接收从发光模块1000提供的光以产生平面光，然后将平面光导向显示面板(未示出)。
当发光模块1000设置在导光构件1100的侧表面上时，导光构件1100可以是导光面板(LGP)。
例如，导光面板(LGP)可以由诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的丙烯酸基材料、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)树脂、聚碳酸酯(PC)树脂、环烯烃共聚物(COC)树脂以及聚萘二甲酸乙二酯(PEN)树脂中的一个形成。
当发光模块1000设置在导光构件1100的底表面上时，导光构件1100可以包括导光面板或者光学片中的至少一个。
例如，光学片可以包括扩散片、聚光片、以及亮度增强片中至少一个。例如，可以顺序地堆叠扩散片、聚光片、以及亮度增强片以形成光学片。在这样的情况下，扩散片可以使从发光模块1000发射的光均匀地扩散，并且可以通过聚光片将扩散光聚集到显示面板(未示出)。在此，从聚光片发射的光是随机偏振的光。亮度增强片可以增强从聚光片发射的光的偏振度。例如，聚光片可以是水平和/或竖直棱镜片。而且，亮度增强片可以是双亮度增强膜。
片1300可以设置在导光构件1100下面。片1300可以将通过导光构件1100的底表面发射的光朝着导光构件1100的发光表面反射。
片1300可以由具有优异的反射率的材料形成，例如由PET树脂、PC树脂、或者PVC树脂形成，但是不限于此。
图11是根据实施例的使用发光器件200的照明单元1100的视图。图11的照明单元是照明单元的示例，但是不限于此。
参考图11，照明单元1100可以包括：壳体1110、设置在壳体1110上的发光模块1130以及设置在壳体1110上以接收来自于外部电源的电力的连接端子1120。
壳体1110可以由具有良好散热性的材料形成，例如，由金属材料或者树脂材料形成。
发光模块1130可以包括：板1132和安装在板1132上的至少一个发光器件封装200。
电路图案可以被印制在电介质上以形成板1132。例如，板1132可以包括印刷电路板(PCB)、金属芯PCB、柔性PCB、和陶瓷PCB。
而且，板1132可以由有效反射材料形成，或者其上具有从其表面有效地反射光的颜色，例如，白色或者银色。
至少一个发光器件封装200可以安装在板1132上。发光器件封装200可以包括至少一个发光二极管(LED)。LED可以包括分别发射具有红色、绿色、蓝色以及白色的光的有色LED，和发射紫外(UV)线的UV LED。
发光模块1130可以具有LED的各种组合以获得色感(color impression)和亮度。例如，可以彼此组合白光LED、红光LED和绿光LED，以确保高显色指数。
连接端子1120可以电连接至发光模块1130，以向发光模块1130提供电力。参考图11，连接端子1120以插座形式螺纹耦接到外部电源，但是不限于此。例如，连接端子1120可以具有插头形状，并且因此，可以被***到外部电源中。或者，连接端子1120可以通过布线连接到外部电源。
实施例可以提供具有新结构的发光器件、用于制造发光器件的方法、发光器件封装以及照明单元。
实施例还可以提供具有提高的光提取效率的发光器件和用于制造发光器件的方法。
在本说明书中对于“一个实施例”、“实施例”、“示例性实施例”等的引用意味着结合实施例描述的特定特征、结构或特性被包括在本发明的至少一个实施例中。在说明书中，在各处出现的这类短语不必都表示相同的实施例。此外，当结合任何实施例描述特定特征、结构或特性时，都认为结合实施例中的其它实施例实现这样的特征、结构或特性也是本领域技术人员所能够想到的。
虽然已经参照本发明的多个示例性实施例描述了实施例，但是应该理解，本领域的技术人员可以想到许多落入本公开原理的精神和范围内的许多其它修改和实施例。更加具体地，在本公开、附图和所附权利要求书的范围内，主题组合布置的组成部件和/或布置方面的各种变化和修改都是可能的。除了组成部件和/或布置方面的变化和修改之外，对于本领域的技术人员来说，替代使用也将是显而易见的。

Claims (15)

1.一种发光器件，包括：
第一导电类型半导体层，所述第一导电类型半导体层具有第一顶表面和在所述第一顶表面下面的第二顶表面；
有源层，所述有源层在所述第一导电类型半导体层的第一顶表面上；
第二导电类型半导体层，所述第二导电类型半导体层在所述有源层上；
第一电极，所述第一电极在所述第一导电类型半导体层的第二顶表面上；
中间折射层，所述中间折射层在所述第一导电类型半导体层的第二顶表面上；以及
第二电极，所述第二电极连接到所述第二导电类型半导体层，
其中，所述中间折射层由导电材料形成并且与所述第二电极隔开。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述中间折射层具有在所述第一导电类型半导体层的折射率和树脂材料或者空气的折射率之间的折射率。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述中间折射层由从由铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)、铝锌氧化物(AZO)、锑锡氧化物(ATO)以及镓锌氧化物(GZO)组成的组中选择的至少一个形成。
4.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述中间折射层具有与λ/4n的整数倍相对应的厚度，
其中，λ是从所述有源层发射的光的波长，并且n是所述中间折射层的折射率。
5.根据权利要求4所述的发光器件，其中所述中间折射层具有大约60nm至大约100nm的厚度。
6.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述中间折射层具有大约5μm至大约100μm的宽度。
7.根据权利要求1所述的发光器件，其中在所述第一导电类型半导体层的第二顶表面内，所述第一电极与所述中间折射层隔开。
8.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述中间折射层部分地接触所述第一电极。
9.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述中间折射层与所述第一导电类型半导体层的第二顶表面进行欧姆接触。
10.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括在所述第二导电类型半导体层上的透明电极层，
其中所述第二电极设置在所述透明电极层上。
11.根据权利要求10所述的发光器件，其中所述中间折射层和所述透明电极层由彼此相同的材料形成。
12.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述中间折射层包括透光导体。
13.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述中间折射层具有小于所述第一电极的厚度的厚度。
14.一种发光器件封装，包括：
主体；
在所述主体上的第一和第二电极层；
在所述主体上的根据权利要求1至13中的任意一项所述的发光器件，所述发光器件电连接到所述第一和第二电极层；以及
成型构件，所述成型构件覆盖所述发光器件。
15.一种照明***，包括：
板；
根据权利要求14所述的发光器件封装，所述发光器件设置在所述板上。
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