CN102194957A - 发光二极管芯片承载座 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种发光二极管芯片承载座，其包括引脚及包封引脚至少一部分的基座，该基座具有凹陷，在凹陷的内表面覆盖有含有紫外线散射剂的涂层。凹陷内表面的涂层含有紫外线散射剂，可有效散射紫外线，防止基座因紫外线照射而变黄劣化。
Description
【技术领域】
本发明涉及一种发光二极管芯片承载座，尤指一种基座的凹陷的内表面覆盖涂层的发光二极管芯片承载座。
【背景技术】
现有的发光二极管芯片承载座包括引脚及包封引脚至少一部分的基座，引脚用以耦接发光二极管芯片，基座用以承载发光二极管芯片。基座设有凹陷，凹陷的侧壁可反射发光二极管芯片发出的光线。为了提高反射效率以及防止光照引起的基座变黄劣化的现象，一般在凹陷的内表面涂覆涂层。例如日本特许公开第2005-136378号及特许公开第2005-136379号揭示的涂层，该等涂层是包含有机化合物及催化剂的固化组合物，可反射发光二极管芯片发出的光线。然而，对于发光二极管芯片发出的紫外线反射能力不强，紫外线对基座的塑料破坏性很大，易使基座变质。
所以，有必要设计一种发光二极管芯片承载座，以克服现有技术中的上述缺陷。
【发明内容】
本发明要解决的技术问题是：提供一种有效散射紫外线的发光二极管芯片承载座。
为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：一种发光二极管芯片承载座，其包括引脚及包封引脚至少一部分的基座，该基座具有凹陷，在凹陷的内表面覆盖有含有紫外线散射剂的涂层。
与现有技术相比，本发明基座的凹陷内表面的涂层含有紫外线散射剂，可有效散射紫外线，防止基座因紫外线照射而变黄劣化。
【附图说明】
图1是本发明发光二极管芯片承载座的立体组合图。
图2是沿图1的A-A线的剖视图。
【具体实施方式】
请参阅图1及图2，本发明发光二极管芯片承载座100包括引脚1及包封引脚1至少一部分的基座2。
引脚1用以耦接发光二极管芯片(未图示)，其包括分离设置的第一引脚11及第二引脚12，第一引脚11上安装发光二极管芯片(未图示)。基座2用以承载发光二极管芯片(未图示)，其结合引脚1且具有凹陷21。第一引脚11及第二引脚12的一端暴露于凹陷21的底面，另一端突伸于基座2外且沿基座2外侧壁弯折延伸，可焊接到印刷电路板(未图标)上。引脚1连接料带3，使用发光二极管芯片承载座100时分离料带3与引脚1。
在基座2的凹陷21的内表面覆盖含有紫外线散射剂23的涂层22。涂层22为树脂涂层，该树脂材料与封止凹陷21的透光树脂(未图示)的材料性质相近，可提供凹陷21的内表面、涂层22及透光树脂(未图示)之间良好的结合力，保证密封性，其中本实施方式中采用硅树脂材料。紫外线散射剂23分布于树脂涂层22内，其包含矿物微粒子。矿物微粒子包括氧化钛微粒子或氧化锌微粒子，氧化钛微粒子及氧化锌微粒子的粒径为0.05微米～0.1微米。紫外线散射剂23可有效散射发光二极管芯片(未图标)发出的紫外光，防止基座2因紫外光照射而变黄劣化。
综上所述，以上仅为本发明的较佳实施例而已，不应以此限制本发明的范围，即凡是依本发明权利要求书及发明说明书内容所作的简单的等效变化与修饰，皆应仍属本发明专利涵盖的范围内。
Claims (7)
1.一种发光二极管芯片承载座，其包括引脚及包封引脚至少一部分的基座，该基座具有凹陷，其特征在于：在凹陷的内表面覆盖有含有紫外线散射剂的涂层。
2.如权利要求1所述的发光二极管芯片承载座，其特征在于：所述紫外线散射剂包含矿物微粒子。
3.如权利要求2所述的发光二极管芯片承载座，其特征在于：所述矿物微粒子包括氧化钛微粒子或氧化锌微粒子。
4.如权利要求3所述的发光二极管芯片承载座，其特征在于：所述矿物微粒子的粒径为0.05微米～0.1微米。
5.如权利要求1所述的发光二极管芯片承载座，其特征在于：所述涂层为树脂涂层，紫外线散射剂分布于树脂涂层内。
6.如权利要求5所述的发光二极管芯片承载座，其特征在于：所述树脂涂层为硅树脂材料。
7.如权利要求1所述的发光二极管芯片承载座，其特征在于：所述引脚包括分离设置的两个引脚，各引脚的一端暴露于基座的凹陷的底面，各引脚的另一端突伸于基座外。
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2010
- 2010-10-23 CN CN2010105175127A patent/CN102194957A/zh active Pending
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| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20110921 |