CN104821366A - 一种led封装结构及其封装材料 - Google Patents
一种led封装结构及其封装材料 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104821366A CN104821366A CN201510166078.5A CN201510166078A CN104821366A CN 104821366 A CN104821366 A CN 104821366A CN 201510166078 A CN201510166078 A CN 201510166078A CN 104821366 A CN104821366 A CN 104821366A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- mass ratio
- surface layer
- matte surface
- led encapsulation
- pole pin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title abstract description 5
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 title abstract 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims abstract description 42
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 33
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 33
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 26
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N phosphine group Chemical group P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 15
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 claims description 11
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 claims description 10
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 claims description 10
- 230000031709 bromination Effects 0.000 claims description 10
- 238000005893 bromination reaction Methods 0.000 claims description 10
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 10
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 9
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 9
- VWDWKYIASSYTQR-UHFFFAOYSA-N sodium nitrate Chemical compound [Na+].[O-][N+]([O-])=O VWDWKYIASSYTQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims description 7
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims description 7
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 6
- 239000000539 dimer Substances 0.000 claims description 6
- VYKXQOYUCMREIS-UHFFFAOYSA-N methylhexahydrophthalic anhydride Chemical compound C1CCCC2C(=O)OC(=O)C21C VYKXQOYUCMREIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000004513 sizing Methods 0.000 claims description 6
- 239000012286 potassium permanganate Substances 0.000 claims description 5
- NWZSZGALRFJKBT-KNIFDHDWSA-N (2s)-2,6-diaminohexanoic acid;(2s)-2-hydroxybutanedioic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O.NCCCC[C@H](N)C(O)=O NWZSZGALRFJKBT-KNIFDHDWSA-N 0.000 claims description 4
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 claims description 4
- IKDUDTNKRLTJSI-UHFFFAOYSA-N hydrazine monohydrate Substances O.NN IKDUDTNKRLTJSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 claims description 4
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 claims description 4
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 claims description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 4
- 235000010344 sodium nitrate Nutrition 0.000 claims description 4
- 239000004317 sodium nitrate Substances 0.000 claims description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N sulfuric acid Substances OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000003553 thiiranes Chemical class 0.000 claims description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 3
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 claims description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 abstract description 3
- 239000012945 sealing adhesive Substances 0.000 abstract 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 10
- 239000000047 product Substances 0.000 description 9
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 2
- 230000004087 circulation Effects 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000238370 Sepia Species 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- SZVJSHCCFOBDDC-UHFFFAOYSA-N ferrosoferric oxide Chemical compound O=[Fe]O[Fe]O[Fe]=O SZVJSHCCFOBDDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000012065 filter cake Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 1
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明公开了一种LED封装结构及其LED封装材料，所述容置空间内由下至上依次填充有封胶层和磨砂表面层，磨砂表面层包括以下组分：质量比为99.5％～99.9％的胶料、以及质量比为0.1％～0.5％的石墨烯或质量比为0.1％～0.5％的纳米材料。本发明中容置空间内由下至上依次填充有封胶层和磨砂表面层，在不影响屏幕亮度的同时，提高透光率和对比度。
Description
技术领域
本发明涉及一种LED封装结构及其封装材料。
背景技术
目前，LED显示器件主要采用透明或浅色封装材料进行封装，这样做出来的屏幕表面发白，导致屏幕的对比度差，图像缺乏层次感。
现有技术中，为了解决上述问题，就必须把屏幕做黑，所以需要黑色封装胶。然而，通过向封装材料中添加传统的黑色颜料或填料，包括炭黑、铁黑等材料，会导致LED的亮度大幅下降。
美国专利US7986050公开了一种用丁基取代环氧树脂作为LED封装材料，经过260℃回流焊和-40～100℃冷热冲击后，器件良好率100％。但改环氧树脂分子量大，室温为固体，限制了LED的灌装使用。
韩国专利KR2010117978公开了一种通过加入炭黑提高LCD显示对比度的方法，但并不适用LED显示。日本专利JP11142640同样通过黑色颜料提高对比度，但也不适用于LED显示。
因此，亟需一种既不影响屏幕亮度又提高屏幕对比度的LED封装结构及其封装材料。
发明内容
为了解决上述技术问题，本发明提供了一种LED封装结构及其封装材料。
为了达到上述目的，本发明的技术方案如下：
本发明提供一种LED封装结构，包括基座、正极引脚、负极引脚和LED芯片，基座内部设有容置空间，正极引脚和负极引脚分别设置于基座的两侧，正极引脚、负极引脚的一端设置于基座外侧且另一端穿过基座下部设置于容置空间内，容置空间内由下至上依次填充有封胶层和磨砂表面层。
本发明中容置空间内由下至上依次填充有封胶层和磨砂表面层，在不影响屏幕亮度的同时，提高透光率和对比度。
本发明中上述的磨砂表面层为黑色磨砂表面层或灰色磨砂表面层。另外，封胶层为一层或多层设置，磨砂表面层为一层或多层设置，具体根据需求选择。
本发明还提供一种LED封装材料，磨砂表面层包括以下组分：质量比为99.5％～99.9％的胶料、以及质量比为0.1％～0.5％的石墨烯或质量比为0.1％～0.5％的纳米材料。
本发明中上述的胶料包括质量比为35％～40％的双环氧官能团脂环族树脂、质量比为8％～10％的二聚酸改性环氧、质量比为45％～55％的甲基六氢苯酐、质量比为0.3％～1％的溴化季鏻、质量比为0.1％～0.5％的受阻酚型抗氧剂和质量比为0.1％～0.3％的硅烷偶联剂。其中，上述的石墨烯由质量比为55∶44∶1的氧化石墨、聚乙烯吡咯烷酮和水合肼组成，所述氧化石墨由质量比0.15∶0.075∶0.006∶0.46∶0.3的石墨粉、硝酸钠、浓硫酸、高锰酸钾和双氧水组成。
作为优选的方案，上述的磨砂表面层包括质量比为99.9∶0.1的加成型有机硅和石墨烯。
作为优选的方案，上述的磨砂表面层包括质量比为99.5∶0.5的加成型有机硅和纳米粉末。
作为优选的方案，上述的磨砂表面层包括质量比为35％～40％的双环氧官能团脂环族树脂、质量比为8％～10％的二聚酸改性环氧、质量比为45％～55％的甲基六氢苯酐、质量比为0.3％～1％的溴化季鏻、质量比为0.1％～0.5％的受阻酚型抗氧剂和质量比为0.1％～0.5％的碳纳米管。
作为优选的方案，上述的磨砂表面层包括质量比为50％～55％的环硫树脂、质量比为42％～45％的酸酐、质量比为0.3％～0.5％的溴化季膦、质量比为0.2％～0.5％的受阻酚型抗氧剂、质量比为0.2％～0.5％的环氧基硅烷偶联剂和质量比为0.1％～0.5％的碳纳米管。
附图说明
图1为本发明一种实施方式的结构示意图。
其中，1.基座，2.负极引脚，3.正极引脚，4.封胶层，5.磨砂表面层。
具体实施方式
下面结合附图详细说明本发明的优选实施方式。
为了达到本发明的目的，如图1所示，在本发明的其中一种实施方式中提供一种LED封装结构，包括基座1、正极引脚3、负极引脚2和LED芯片，基座1内部设有容置空间，正极引脚3和负极引脚2分别设置于基座1的两侧，正极引脚3、负极引脚2的一端设置于基座1外侧且另一端穿过基座1下部设置于容置空间内，容置空间内由下至上依次填充有封胶层4和磨砂表面层5。
本实施方式中容置空间内由下至上依次填充有封胶层4和磨砂表面层5，在不影响屏幕亮度的同时，提高透光率和对比度。
本实施方式中上述的磨砂表面层5为黑色磨砂表面层或灰色磨砂表面层。另外，封胶层4为一层或多层设置，磨砂表面层5为一层或多层设置，具体根据需求选择。
本实施方式还提供一种LED封装材料，磨砂表面层包括以下组分：质量比为99.5％～99.9％的胶料、以及质量比为0.1％～0.5％的石墨烯或质量比为0.1％～0.5％的纳米材料。
本实施方式中上述的胶料包括质量比为35％～40％的双环氧官能团脂环族树脂、质量比为8％～10％的二聚酸改性环氧、质量比为45％～55％的甲基六氢苯酐、质量比为0.3％～1％的溴化季鏻、质量比为0.1％～0.5％的受阻酚型抗氧剂和质量比为0.1％～0.3％的硅烷偶联剂。其中，上述的石墨烯由质量比为55∶44∶1的氧化石墨、聚乙烯吡咯烷酮和水合肼组成，所述氧化石墨由质量比0.15∶0.075∶0.006∶0.46∶0.3的石墨粉、硝酸钠、浓硫酸、高锰酸钾和双氧水组成。
在本发明的另一种实施方式中，上述的磨砂表面层包括质量比为99.9∶0.1的加成型有机硅和石墨烯。
在本发明的另一种实施方式中，上述的磨砂表面层包括质量比为99.5∶0.5的加成型有机硅和纳米粉末。
在本发明的另一种实施方式中，上述的磨砂表面层包括质量比为35％～40％的双环氧官能团脂环族树脂、质量比为8％～10％的二聚酸改性环氧、质量比为45％～55％的甲基六氢苯酐、质量比为0.3％～1％的溴化季鏻、质量比为0.1％～0.5％的受阻酚型抗氧剂和质量比为0.1％～0.5％的碳纳米管。
在本发明的另一种实施方式中，上述的磨砂表面层包括质量比为50％～55％的环硫树脂、质量比为42％～45％的酸酐、质量比为0.3％～0.5％的溴化季膦、质量比为0.2％～0.5％的受阻酚型抗氧剂、质量比为0.2％～0.5％的环氧基硅烷偶联剂和质量比为0.1％～0.5％的碳纳米管。
实施例1
根据上述的各个组分的质量比，磨砂表面层选取组分如下：
上述表格中的石墨烯的制备方法如下：
第一，将110mg氧化石墨及88mg聚乙烯吡咯烷酮分散于100g水溶液中，得到棕黄色的悬浮液，再在超声条件下分散1h，得到稳定的分散液；
第二，将分散液移入四口烧瓶中，升温至80℃后滴加2mL的水合肼，在上述条件下反应24h后过来；
第三，将得到的产物依次用甲醇和水冲洗，再在60℃的真空干燥箱中充分干燥，即可得到石墨烯。
其中，氧化石墨的制备方法如下：
第一，在冰浴中将10g石墨粉(质量分数＞99.85％)、5g硝酸钠与230mL浓硫酸混合均匀，搅拌条件下缓慢加入30g KMnO4；
第二，将上述混合溶液转移至35℃水浴中反应30min，然后逐步加入460mL去离子水，并升温至98℃继续反应40min，混合物由棕褐色变成亮黄色；
第三，继续向上述混合溶液中加水稀释并用质量分数30％的H2O2溶液处理，中和未反应的KMnO4，离心过滤并反复洗涤滤饼至中性，50℃真空干燥48h即得到氧化石墨。
实施例2
根据上述的各个组分的质量比，磨砂表面层还可选取组分如下：99.9g的加成型有机硅和1g的石墨烯。
实施例3
根据上述的各个组分的质量比，磨砂表面层还可选取组分如下：99.5g的加成型有机硅和5g的纳米粉末。
实施例4
根据上述的各个组分的质量比，磨砂表面层还可选取组分如下：
实施例5
根据上述的各个组分的质量比，磨砂表面层还可选取组分如下：
| 组分名称 | 质量1(g) | 质量2(g) | 质量3(g) |
| 环硫树脂 | 100 | 74 | 100 |
| 酸酐 | 84 | 86 | 90 |
| 溴化季膦 | 0.6 | 0.8 | 1 |
| 受阻酚型抗氧剂 | 0.4 | 0.6 | 1 |
| 碳纳米管 | 0.4 | 0.6 | 1 |
采用上述五种实施例的封装材料制成的磨砂表面层对LED产品进行封装，并对封装后的产品进行如下性能测试，以检测产品的性能。
测试项目及测试方法如下：
(1)耐热性
将封装材料注入LED封装件固化好后，将所得样品在恒温箱中在500度下保存168小时后，对各样品，每20个进行亮度测试，以下基准评价耐热性：
A：亮度衰减＜10％；
B：亮度衰减10％～20％；
C：亮度衰减30％～50％；
D：亮度衰减50％。
(2)耐光性
将封装材料注入LED封装件固化好后，将所得样品放入抗UV环境试验机内，条件：63度，50％湿度，光照强度0.5kw/平方米下500小时后，对各样品，每20个进行亮度测试，以下基准评价耐光性：
A：亮度衰减＜10％；
B：亮度衰减10％～20％；
C：亮度衰减30％～50％；
D：亮度衰减50％。
(3)吸湿和回流焊时的耐剥离性和耐裂纹性
将封装材料注入LED封装件固化好后，将所得样品在恒温恒湿箱中在85℃/85％RH下保存168小时后，使用台式回流焊装置进行3次MAX 260℃/10秒的回流焊工序。用超声波扫描仪观测回流焊处理后的封装件内封装材料与发光元器件及铅支架的剥离。对各样品，每20个进行同样观察，以下基准评价耐剥离性和耐裂纹性：
A：没有剥离；
B：剥离面积占总面积的10％～20％；
C：剥离面积占总面积的30％～50％；
D：剥离面积超过总面积的50％。
(4)耐冷热冲击性
使用冷热冲击试验装置，对上述评价用样品，以1℃/min的速度从-60℃升温到150℃，并从150℃冷却到-60℃，以此为1个循环，实施冷热冲击试验1000次循环。用超声波扫描仪观测回流焊处理后的封装件内封装材料与发光元器件及铅支架的剥离。对各样品，每20个进行同样观察，以下基准评价耐剥离性和耐裂纹性：
A：没有剥离；
B：剥离面积占总面积的10％～20％；
C：剥离面积占总面积的30％～50％；
D：剥离面积超过总面积的50％。
(5)对比度测试
将封装材料注入LED封装件固化好后，用0％和100％点亮测得亮度比值和现有技术产品进行比较：
A：亮度比值最大；
B：亮度比值略小于5％；
C：亮度比值小于5％～10％。
(6)亮度测试
将封装材料注入LED封装件固化好后，用20mA点亮测得亮度和现有技术产品进行比较：
A：和在亮度最亮那组的亮度相差＜5％；
B：和在亮度最亮那组的亮度相差5～10％；
C：和在亮度最亮那组的亮度相差＞10％。
五种实施例中的LED产品测试结果，以及该测试结果及与现有技术的对比情况见下表：
从上述实验结果可见，采用上述五种实施例中的封装结构和封装材料对LED产品进行封装，都可以使LED产品在不影响屏幕亮度的同时，提高屏幕的对比度，并且对屏幕的白平衡没有等影响，对耐UV和其他性能也不产生影响。
以上所述的仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种LED封装结构，包括基座、正极引脚、负极引脚和LED芯片，所述基座内部设有容置空间，所述正极引脚和负极引脚分别设置于所述基座的两侧，所述正极引脚、负极引脚的一端设置于所述基座外侧且另一端穿过所述基座下部设置于所述容置空间内，其特征在于，所述容置空间内由下至上依次填充有封胶层和磨砂表面层。
2.根据权利要求1所述的LED封装结构，其特征在于，所述磨砂表面层为黑色磨砂表面层或灰色磨砂表面层。
3.根据权利要求2所述的LED封装结构，其特征在于，所述封胶层为一层或多层设置，所述磨砂表面层为一层或多层设置。
4.一种LED封装材料，其特征在于，磨砂表面层包括以下组分：质量比为99.5％～99.9％的胶料、以及质量比为0.1％～0.5％的石墨烯或质量比为0.1％～0.5％的纳米材料。
5.根据权利要求4所述的LED封装材料，其特征在于，所述胶料包括质量比为35％～40％的双环氧官能团脂环族树脂、质量比为8％～10％的二聚酸改性环氧、质量比为45％～55％的甲基六氢苯酐、质量比为0.3％～1％的溴化季鏻、质量比为0.1％～0.5％的受阻酚型抗氧剂和质量比为0.1％～0.3％的硅烷偶联剂。
6.根据权利要求4所述的LED封装材料，其特征在于，磨砂表面层包括质量比为99.9∶0.1的加成型有机硅和石墨烯。
7.根据权利要求5或6所述的LED封装材料，其特征在于，所述石墨烯由质量比为55∶44∶1的氧化石墨、聚乙烯吡咯烷酮和水合肼组成，所述氧化石墨由质量比0.15∶0.075∶0.006∶0.46∶0.3的石墨粉、硝酸钠、浓硫酸、高锰酸钾和双氧水组成。
8.根据权利要求4所述的LED封装材料，其特征在于，磨砂表面层包括质量比为99.5∶0.5的加成型有机硅和纳米粉末。
9.根据权利要求4所述的LED封装材料，其特征在于，磨砂表面层包括质量比为35％～40％的双环氧官能团脂环族树脂、质量比为8％～10％的二聚酸改性环氧、质量比为45％～55％的甲基六氢苯酐、质量比为0.3％～1％的溴化季鏻、质量比为0.1％～0.5％的受阻酚型抗氧剂和质量比为0.1％～0.5％的碳纳米管。
10.根据权利要求4所述的LED封装材料，其特征在于，磨砂表面层包括质量比为50％～55％的环硫树脂、质量比为42％～45％的酸酐、质量比为0.3％～0.5％的溴化季膦、质量比为0.2％～0.5％的受阻酚型抗氧剂、质量比为0.2％～0.5％的环氧基硅烷偶联剂和质量比为0.1％～0.5％的碳纳米管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510166078.5A CN104821366A (zh) | 2015-04-09 | 2015-04-09 | 一种led封装结构及其封装材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510166078.5A CN104821366A (zh) | 2015-04-09 | 2015-04-09 | 一种led封装结构及其封装材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104821366A true CN104821366A (zh) | 2015-08-05 |
Family
ID=53731604
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510166078.5A Pending CN104821366A (zh) | 2015-04-09 | 2015-04-09 | 一种led封装结构及其封装材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104821366A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115376420A (zh) * | 2021-05-18 | 2022-11-22 | 西安青松光电技术有限公司 | 一种灯板及灯板的制作方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7986050B2 (en) * | 2008-07-28 | 2011-07-26 | Nitto Denko Corporation | Epoxy resin composition for optical semiconductor element encapsulation and optical semiconductor device using the same |
| CN102194957A (zh) * | 2010-03-19 | 2011-09-21 | 富士康(昆山)电脑接插件有限公司 | 发光二极管芯片承载座 |
| KR20120059061A (ko) * | 2010-11-30 | 2012-06-08 | 삼성엘이디 주식회사 | 발광소자 패키지 및 그 제조방법 |
| CN203733846U (zh) * | 2014-02-25 | 2014-07-23 | 深圳市晶台股份有限公司 | 一种具有浅黑色封装胶体的表面装贴型led |
| CN203774324U (zh) * | 2014-02-25 | 2014-08-13 | 深圳市晶台股份有限公司 | 一种磨砂表面装贴型led |
| CN203979961U (zh) * | 2014-07-16 | 2014-12-03 | 惠州市隆和光电有限公司 | 一种高散热高光效低光衰的大功率led |
-
2015
- 2015-04-09 CN CN201510166078.5A patent/CN104821366A/zh active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7986050B2 (en) * | 2008-07-28 | 2011-07-26 | Nitto Denko Corporation | Epoxy resin composition for optical semiconductor element encapsulation and optical semiconductor device using the same |
| CN102194957A (zh) * | 2010-03-19 | 2011-09-21 | 富士康(昆山)电脑接插件有限公司 | 发光二极管芯片承载座 |
| KR20120059061A (ko) * | 2010-11-30 | 2012-06-08 | 삼성엘이디 주식회사 | 발광소자 패키지 및 그 제조방법 |
| CN203733846U (zh) * | 2014-02-25 | 2014-07-23 | 深圳市晶台股份有限公司 | 一种具有浅黑色封装胶体的表面装贴型led |
| CN203774324U (zh) * | 2014-02-25 | 2014-08-13 | 深圳市晶台股份有限公司 | 一种磨砂表面装贴型led |
| CN203979961U (zh) * | 2014-07-16 | 2014-12-03 | 惠州市隆和光电有限公司 | 一种高散热高光效低光衰的大功率led |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115376420A (zh) * | 2021-05-18 | 2022-11-22 | 西安青松光电技术有限公司 | 一种灯板及灯板的制作方法 |
| CN115376420B (zh) * | 2021-05-18 | 2024-01-30 | 西安青松光电技术有限公司 | 一种灯板及灯板的制作方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104892939B (zh) | 一种苯基硅树脂的制备方法 | |
| CN104053818B (zh) | 银的表面处理剂及发光装置 | |
| CN106098952B (zh) | 一种有机硅功能化的红光碳量子点及其制备方法和应用 | |
| CN104530645B (zh) | 有机氟改性环氧/纳米SiO2LED复合封装材料及其制法 | |
| CN208284498U (zh) | 一种led器件、背光灯条和背光模组 | |
| CN104910819A (zh) | Uv固化粘合剂、量子点光转换膜及包含量子点光转换膜的白光发光器件 | |
| CN102181159A (zh) | 一种聚倍半硅氧烷补强的led封装有机硅橡胶及其制备方法 | |
| CN105017773B (zh) | 发光二极管封装用有机聚硅氧烷组合物 | |
| CN106972092B (zh) | 一种高发光效率的量子点白光led及其制备方法 | |
| KR20190019918A (ko) | 발광체, 그리고 그것을 사용한 광원 유닛, 디스플레이 및 조명 장치 | |
| CN106751893A (zh) | 一种高折光led封装用加成型液体硅橡胶及其制备方法 | |
| CN103865476A (zh) | 一种smt封装小功率led用有机硅固晶绝缘胶 | |
| CN107779150A (zh) | 一种led显示屏用环氧灌封胶及其制备方法 | |
| CN106700993A (zh) | 一种有机硅改性环氧树脂封装材料及led封装胶 | |
| CN104821366A (zh) | 一种led封装结构及其封装材料 | |
| CN106751346A (zh) | 含氟单体改性有机硅封装材料的合成方法 | |
| CN109384924A (zh) | 一种增沾剂的制备方法与应用 | |
| CN107001769B (zh) | 加热固化型硅氧组合物、该组合物构成的固晶材料及用该固晶材料的固化物的光半导体装置 | |
| CN108767085B (zh) | 一种白光led封装结构及封装方法 | |
| CN106281208A (zh) | 一种有机硅三防胶及其制备方法与应用 | |
| CN107123727B (zh) | 一种低工作温度的量子点白光led及其制备方法 | |
| CN101979427A (zh) | 一种led封装用甲基苯基乙烯基硅树脂的制备方法 | |
| Chao et al. | Facile room-temperature synthesis of highly air‐stable and moisture-resistant CsPbX3/SiO2 nanocomposites for tunable white light-emitting diodes | |
| CN104212408B (zh) | 一种苯基系高折射率led灌装胶及其制备方法 | |
| CN109735235A (zh) | 一种导热高折射率led透明环氧树脂灌封胶及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| EXSB | Decision made by sipo to initiate substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| AD01 | Patent right deemed abandoned | ||
| AD01 | Patent right deemed abandoned |
Effective date of abandoning: 20180403 |