CN102185090B - 一种采用cob封装的发光器件及其制造方法 - Google Patents

一种采用cob封装的发光器件及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102185090B
CN102185090B CN2011100764609A CN201110076460A CN102185090B CN 102185090 B CN102185090 B CN 102185090B CN 2011100764609 A CN2011100764609 A CN 2011100764609A CN 201110076460 A CN201110076460 A CN 201110076460A CN 102185090 B CN102185090 B CN 102185090B
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
led chip
circuit board
cavity
conductive layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN2011100764609A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102185090A (zh
Inventor
赖燃兴
王瑞珍
曹健兴
周玉刚
肖国伟
曾照明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Guangdong APT Electronics Ltd
Original Assignee
APT (GUANGZHOU) ELECTRONICS Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by APT (GUANGZHOU) ELECTRONICS Ltd filed Critical APT (GUANGZHOU) ELECTRONICS Ltd
Priority to CN2011100764609A priority Critical patent/CN102185090B/zh
Publication of CN102185090A publication Critical patent/CN102185090A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102185090B publication Critical patent/CN102185090B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16135—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/16145—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

一种采用COB封装的发光器件，其包括至少一LED芯片、至少一衬底和一电路板。该LED芯片具有一N极和一P极，在该N极和P极的表面覆盖一电极层。每一个衬底的上表面设置了二衬底焊垫，用以分别与该LED芯片的N极和P极电连接。该电路板包括一基板、一导电层和一绝缘层，该基板具有至少一空腔，该导电层覆盖在该基板的上表面并部分延伸至空腔上方，该绝缘层覆盖在该导电层的上表面。该LED芯片倒装在该衬底上，该LED芯片的N极和P极表面的电极层分别与该衬底的二衬底焊垫连接；该衬底设置在该电路板的空腔内，且该衬底的二衬底焊垫分别通过一金属焊球与该电路板在空腔内的导电层连接。本发明的发光器件成本低，良率及可靠性高。

Description

一种采用COB封装的发光器件及其制造方法
技术领域
本发明属于发光器件的制造领域，涉及一种发光二极管器件及其制造方法，尤其涉及一种采用COB芯片封装技术的发光二极管器件及其制造方法。
背景技术
发光二极管(LED)是一种具有节能和环保特性的照明光源，集高光效、低能耗、低维护成本等优良性能于一身。理论上预计，LED照明灯的发光效率可以达到甚至超过白炽灯的10倍、日光灯的2倍。目前LED已广泛应用于手机背光、LCD显示屏背光、建筑景观、指示、特殊照明等，并日益向普通照明、汽车照明等领域拓展。随着LED照明产品功率与发光效率的提高，结构和材料的选择对LED的性能及使用寿命将有决定性影响。LED的其中一种结构是以倒装焊方式将LED芯片倒装焊接在衬底上，其优点在于其可靠性及散热能力较传统的正装芯片结构更佳。然而，受制于传统封装技术的局限，大功率倒装焊LED的优势还不能够很好的体现出来。
请参阅图1，其为现有的一种基于金属线路板的功率型LED器件。该LED器件包括一LED芯片10、一衬底20和一金属线路板30。该金属线路板30包括基板31、覆盖在基板31上表面的绝缘层32、以及覆盖在该绝缘层32表面的金属层33，该金属层33上设置有导电线路。该LED芯片10倒装在该衬底20上，该衬底20设置在该金属线路板30上，该衬底20通过金属线40与金属层33电连接。采用环氧树脂50将LED芯片10、衬底20及金属线40包于其内完成整个封装结构。但是对于这种封装结构封装时灌环氧树脂50作为封胶时的热应力容易使金属线40变形，甚至折断，从而使降低产品的良品率和可靠性。同时，为了实现多芯片集成，通过金属线互连同样使生产良品率、可靠性都会降低，且金属线的使用还增加了封装成本，并使工序繁琐。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术中的缺点与不足，提供一种工艺简单、良率及可靠性高的发光器件。
同时，本发明还提供了所述发光器件的制造方法。
本发明是通过以下技术方案实现的：一种采用COB封装的发光器件，其包括至少一LED芯片、至少一衬底和一电路板。该LED芯片具有一N极和一P极，在该N极和P极的表面覆盖一电极层。每一个衬底的上表面设置了二衬底焊垫，用以分别与该LED芯片的N极和P极电连接。该电路板包括一基板、一导电层和一绝缘层，该基板具有至少一空腔，该导电层覆盖在该基板的上表面并部分延伸至空腔上方，该绝缘层覆盖在该导电层的上表面。该LED芯片倒装在该衬底上，该LED芯片的N极和P极表面的电极层分别与该衬底的二衬底焊垫连接；该衬底设置在该电路板的空腔内，且该衬底的二衬底焊垫分别通过一金属焊球与该电路板在空腔内的导电层连接。
进一步，还包括一热沉，该热沉设置在该基板的下表面，且该衬底的下表面通过导热胶固定在该热沉上。
进一步，还包括一反光杯，该反光杯的收容空间的内壁表面设置有反光层，该反射杯设置在该电路板的绝缘层的上表面，该LED芯片位于该反射杯的收容空间内。
进一步，包括一封装透镜，其设置在该反射杯的上方将该LED芯片密封在反射杯的收容空间内。
进一步，该LED芯片还包括凸点焊球，其覆盖在N极和P极的电极层的表面，该LED芯片的N极和P极分别通过电极层和凸点焊球与衬底的衬底焊垫连接。
进一步，该电路板还包括一金属焊垫，该金属焊垫设置在该金属焊球与该电路板在空腔内的导电层之间。
一种发光器件的制造方法，其特征在于：包括如下步骤
步骤S1：制造LED芯片：在蓝宝石衬底上生长有多层氮化镓的外延圆片，经过光刻、刻蚀、金属层沉积和钝化层保护系列工艺步骤，在LED芯片上形成P极和N极，然后在P极和N极的表面依序形成电极层和凸点焊球；
步骤S2：制造衬底，并通过光刻、淀积、镀膜的半导体制造工艺在该衬底上形成衬底焊垫；
步骤S3：将LED芯片倒装焊接在衬底上，使LED芯片的凸点焊球与衬底的衬底焊垫连接；
步骤S4：制造电路板：在一基板的上表面依序形成一导电层和一绝缘层，然后在该基板的下表面通过过孔技术形成一空腔，该空腔的深度控制在刚好露出导电层；
步骤S5：将倒装有LED芯片的衬底通过金属焊球焊接在空腔内电路板的导电层的下表面。
进一步，还包括步骤S6：将电路板设置在一热沉上，同时该衬底通过一导热胶与固定在该热沉上。
进一步，还包括步骤S7：将反射杯设置在电路板的绝缘层上表面，并使LED芯片位于反射杯的收容空间的中心位置，然后在该反射杯上方点胶形成封装透镜。
进一步，在步骤S4与S5之间还包括步骤：在该空腔内外露的导电层的表面形成金属焊垫，步骤S5替换为：将倒装有LED芯片的衬底通过金属焊球焊接在空腔内电路板的金属焊垫的下表面。
相对于现有技术，本发明的发光器件中的LED芯片的P、N电极以倒装焊接的方式分别与衬底焊垫相连，该衬底设置在电路板的空腔内，同时衬底焊垫通过金属焊球焊接到电路板的导电层上，电路板上导电层与外接电极相连，不需要打金线，从而节约了支架以及金线所需要的材料，降低成本，同时也可以避免金线在封装时受热应力影响而变形，甚至折断，从而降低产品的良品率和可靠性。
为了能更清晰的理解本发明，以下将结合附图说明阐述本发明的具体实施方式。
附图说明
图1是现有的一种基于金属线路板的功率型LED器件。
图2是本发明实施例1的采用COB封装的发光器件剖面结构示意图。
图3是本发明实施例2的采用COB封装的发光器件剖面结构示意图。
图4是本发明实施例3的采用COB封装的发光器件剖面结构示意图。
具体实施方式
实施例1：
请参阅图2，其是本发明实施例1的采用COB封装的发光器件剖面结构示意图。该发光器件包括一LED芯片100、一衬底200、一电路板300、一反射杯400和一封装透镜500和一热沉600。
该LED芯片100具有一N极和一P极。一电极层102分别覆盖在该N极和P极的表面。凸点焊球104分别设置在该电极层102的表面。
该衬底200的表面设置了二衬底焊垫202，用以分别与该LED芯片100的N极和P极电连接。
该电路板300包括一基板304、一导电层306和一绝缘层308。该基板304设置在该热沉600的上表面，且该基板304具有一空腔310，用以放置该衬底200，该空腔310内热沉600外露。该导电层306覆盖在该基板304的上表面并部分延伸至空腔301上方。该绝缘层308覆盖在该导电层306的上表面。位于该空腔301上方的导电层306的下表面设置有一金属焊垫302。
该反射杯400具有一收容空间410，该收容空间410的内壁表面设置有一高反射率的反光层401。
该衬底200设置在该电路板300的空腔310内，且通过一导热胶206固定设置在外露的热沉600的表面；该衬底200的衬底焊垫202通过金属焊球208与该电路板300的金属焊垫302连接。该LED芯片100倒装设置在该衬底200上，且该LED芯片100的凸点焊球104与该衬底200的衬底焊垫202连接，从而该LED芯片100的P极和N极分别通过其对应的凸点焊球104、衬底焊垫202、金属焊球208及金属焊垫302与该电路板300的导电层306电连接。该反射杯400设置在该电路板300的绝缘层308的上表面，该LED芯片100位于该反射杯400的收容空间410内。该封装透镜500设置在该反射杯400的上方将该LED芯片100密封在该收容空间410内。
该反射杯400的反光层401的具体材料是银，或铝、镍高反射性金属、合金或者聚乙烯双苯二甲酸盐(PET)等高分子反光材料。
该电路板300的导电层306的具体材料是铜、或铝、镍等金属或有机聚合物等导电材料。
该电路板300的金属层309的材料为锡、或金、银、镍等金属。
该电路板300的基板304为铝基板。
该LED芯片100上的电极层102以及凸点焊球104的材料是铅、锡、金、银、镍或铜等单一金属材料、或由上述单一金属材料组成的多层材料或合金。
该电路板300形状可以是矩形、圆形、多边形等图形。
以下详细说明本发明实施例1的发光器件的具体制造方法：
步骤S1：制造LED芯片100。具体地，在蓝宝石衬底上生长有多层氮化镓的外延圆片，经过光刻、刻蚀、金属层沉积和钝化层保护等系列工艺步骤，在LED芯片上形成P极和N极，然后在P极和N极的表面依序形成电极层102和凸点焊球104。该圆片经研磨抛光后切割成单粒的该LED芯片100。
步骤S2：制造衬底200。具体地，通过光刻、淀积、镀膜等半导体制造工艺在该衬底200上形成衬底焊垫202。
步骤S3：将LED芯片100倒装焊接在衬底200上。通过自动化的倒装焊设备将一个个的LED芯片100倒装焊接在衬底200的表面上，倒装焊过程实际是LED芯片100的凸点焊球104同衬底焊垫202的键合过程，可以采用回流焊、波峰焊、热压焊接、超声波压焊法、热超声焊接的方式或是用加热后加超声波的邦定工艺。
步骤S4：在基板304的上表面依序形成一导电层306和一绝缘层308。然后在该基板304的下表面通过过孔技术形成一空腔310，该空腔310的深度控制在刚好露出导电层306。
步骤S5：在该空腔310内外露的导电层306的表面形成金属焊垫302。具体为通过表面沉金工艺实现，沉金的材料具体为金、银、镍等金属。
步骤S6：将倒装有LED芯片100的衬底200通过金属焊球208焊接在空腔310内电路板300的导电层306的下表面，具体方法可以使用，回流焊、波峰焊、热压焊接、超声波压焊法、热超声焊接的方式或是用加热后加超声波的邦定工艺。
步骤S7：将电路板300安放于热沉上，其方法具体可通过螺栓连接、导热胶连接或者其他粘合材料连接；同时该衬底200通过一导热胶206与固定在该热沉上。
步骤S8：将反射杯400安放于电路板300的绝缘层上表面，并使LED芯片100位于其收容空间410的中心位置。
步骤S9：在该反射杯400上方通过点胶方式形成封装透镜500。
相对于现有技术，本发明的发光器件中的LED芯片的P、N电极以倒装焊接的方式分别与衬底焊垫相连，该衬底设置在电路板的空腔内，同时衬底焊垫通过金属焊球焊接到电路板的导电层上，电路板上导电层与外接电极相连，不需要打金线，从而节约了支架以及金线所需要的材料，降低成本，同时也可以避免金线在封装时受热应力影响而变形，甚至折断，从而降低产品的良品率和可靠性。此外，LED芯片通过衬底及导热胶直接与热沉连接，该发光器件产生的热量能够通过LED的衬底直接传导到热沉上散热，缩短了散热通道，散热能力强，延长器件寿命，保证器件的高可靠性。反射杯安放于电路板上表面，且使LED芯片位于收容空间中心位置，反射杯的内表面光亮，具有很好的光学反射作用，能够提高LED器件的出射光强。电路板与其他电子元件相连的方式更加灵活。
实施例2：
请参阅图3，其是本发明实施例2的采用COB封装的发光器件剖面结构示意图。该实施例2与实施例1大致相同，其区别仅在于：在该电路板300的空腔310内设置了多个倒装在衬底200的LED芯片100。该多个LED芯片100通过该电路板300的导电层306的布线设计来实现串联、并联或混联。
实施例3：
请参阅图4，其是本发明实施例3的采用COB封装的发光器件剖面结构示意图。该实施例3与实施例1大致相同，其区别仅在于：在该电路板300上设置了多个空腔310，每个空腔310内设置了一个倒装在衬底200的LED芯片100。该多个空腔310内的LED芯片100通过该电路板300的导电层306的布线设计来实现串联、并联或混联。
上述实施例2和实施例3实现了多个LED芯片集成在一块电路板上的封装结构，其制造工艺与实施例1的发光器件相同，具有较高产率。
本发明并不局限于上述实施方式，如果对本发明的各种改动或变形不脱离本发明的精神和范围，倘若这些改动和变形属于本发明的权利要求和等同技术范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变形。

Claims (4)

1.一种采用COB封装的发光器件的制造方法，其特征在于：包括如下步骤
步骤S1：制造LED芯片：在蓝宝石衬底上生长有多层氮化镓的外延圆片，经过光刻、刻蚀、金属层沉积和钝化层保护系列工艺步骤，在LED芯片上形成P极和N极，然后在P极和N极的表面依序形成电极层和凸点焊球；
步骤S2：制造衬底，并通过光刻、淀积、镀膜的半导体制造工艺在该衬底上形成衬底焊垫；
步骤S3：将LED芯片倒装焊接在衬底上，使LED芯片的凸点焊球与衬底的衬底焊垫连接；
步骤S4：制造电路板：在一基板的上表面依序形成一导电层和一绝缘层，然后在该基板的下表面通过过孔技术形成一空腔，该空腔的深度控制在刚好露出导电层；
步骤S5：将倒装有LED芯片的衬底通过金属焊球焊接在空腔内电路板的导电层的下表面。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：还包括步骤S6：将电路板设置在一热沉上，同时该衬底通过一导热胶固定在该热沉上。
3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于：还包括步骤S7：将反射杯设置在电路板的绝缘层上表面，并使LED芯片位于反射杯的收容空间的中心位置，然后在该反射杯上方点胶形成封装透镜。
4.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于：在步骤S4与S5之间还包括步骤：在该空腔内外露的导电层的表面形成金属焊垫，步骤S5替换为：将倒装有LED芯片的衬底通过金属焊球焊接在空腔内电路板的金属焊垫的下表面。
CN2011100764609A 2011-03-29 2011-03-29 一种采用cob封装的发光器件及其制造方法 Active CN102185090B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2011100764609A CN102185090B (zh) 2011-03-29 2011-03-29 一种采用cob封装的发光器件及其制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2011100764609A CN102185090B (zh) 2011-03-29 2011-03-29 一种采用cob封装的发光器件及其制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102185090A CN102185090A (zh) 2011-09-14
CN102185090B true CN102185090B (zh) 2013-08-21

Family

ID=44571220

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2011100764609A Active CN102185090B (zh) 2011-03-29 2011-03-29 一种采用cob封装的发光器件及其制造方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102185090B (zh)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101939333B1 (ko) * 2011-10-07 2019-01-16 서울바이오시스 주식회사 발광 다이오드 패키지
CN102395236B (zh) * 2011-11-30 2013-11-27 上海俪德照明科技股份有限公司 一种采用cob工艺的led灯板
CN102564627A (zh) * 2011-12-28 2012-07-11 上海新傲科技股份有限公司 半导体衬底的自热测量装置及其测试方法
CN103187404A (zh) * 2011-12-31 2013-07-03 刘胜 半导体芯片堆叠封装结构及其工艺
CN102856311B (zh) * 2012-03-22 2015-09-30 创维液晶器件(深圳)有限公司 Led封装模块及封装方法
CN105355758A (zh) * 2015-11-25 2016-02-24 海盐丽光电子科技有限公司 一种大功率led的cob封装
WO2018105448A1 (ja) * 2016-12-05 2018-06-14 シチズン電子株式会社 発光装置
JP7027129B2 (ja) * 2017-11-09 2022-03-01 シチズン電子株式会社 発光装置
CN110034076B (zh) * 2018-01-12 2021-07-27 中兴光电子技术有限公司 光电子器件及其封装结构
CN108777264B (zh) * 2018-05-29 2019-06-07 东莞市鸿日电子有限公司 一种半导体二极管芯片封装结构
CN113394170B (zh) * 2021-04-25 2022-10-18 福建天电光电有限公司 封装结构及其制造方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008034488A (ja) * 2006-07-26 2008-02-14 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0226530A (ja) * 1988-07-15 1990-01-29 Toshiba Corp 内視鏡スコープ格納庫
JPH0926530A (ja) * 1995-07-11 1997-01-28 Nec Corp 光モジュール
CN100568558C (zh) * 2006-12-29 2009-12-09 台达电子工业股份有限公司 电致发光模块
CN201243024Y (zh) * 2008-07-07 2009-05-20 何昆耀 发光二极管的无打线封装结构
CN101740707B (zh) * 2009-12-11 2013-11-06 晶科电子（广州）有限公司 预成型荧光粉贴片及其与发光二极管的封装方法
CN202058786U (zh) * 2011-03-29 2011-11-30 晶科电子（广州）有限公司 一种采用cob封装的发光器件

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008034488A (ja) * 2006-07-26 2008-02-14 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN102185090A (zh) 2011-09-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102185090B (zh) 一种采用cob封装的发光器件及其制造方法
CN102185091B (zh) 一种发光二极管器件及其制造方法
TWI528508B (zh) 高功率發光二極體陶瓷封裝之製造方法
JP5698496B2 (ja) 発光チップ、ｌｅｄパッケージ、液晶ディスプレイ用バックライト、液晶ディスプレイおよび照明
TWI334655B (en) Light emitting device and production method of light emitting device
TWI459581B (zh) 用於半導體發光裝置封裝之子基板及包含子基板之半導體發光裝置封裝
EP2093811B1 (en) Package structure of compound semiconductor device
CN101997074A (zh) 一种基于硅基板的led表面贴片式封装结构及其封装方法
CN201904369U (zh) 一种基于硅基板的led表面贴片式封装结构
CN101350321A (zh) 直接倒装于支架内的发光二极管的制造方法
CN101567411A (zh) 发光二极管倒装焊集成封装结构及制作方法
US20180226552A1 (en) Light-emitting element package
CN102610735B (zh) 一种具有电热分离结构的发光器件及其制造方法
WO2008047933A1 (en) Package assembly for upper/lower electrode light-emitting diodes and light-emitting device manufacturing method using same
TW201032317A (en) Light-emitting diode light source module
US20120043576A1 (en) Led package structure
US20120043886A1 (en) Integrated Heat Conductive Light Emitting Diode (LED) White Light Source Module
CN101532612A (zh) 一种集成led芯片光源的制造方法
JP2011035264A (ja) 発光素子用パッケージ及び発光素子の製造方法
CN201868429U (zh) 一种内嵌式发光二极管封装结构
CN201348169Y (zh) 基于cob技术封装的白光led集成阵列照明光源
EP2975658A1 (en) Light-emitting module
CN201904368U (zh) 一种硅基板集成有功能电路的led表面贴装结构
KR100665182B1 (ko) 고출력 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
KR100610275B1 (ko) 고출력 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C56 Change in the name or address of the patentee
CP03 Change of name, title or address

Address after: 511458 Nansha District, Guangzhou, South Ring Road, No. 33, No.

Patentee after: GUANGDONG APT ELECTRONICS LTD.

Address before: 511458 software building, Nansha Information Technology Park, Nansha District, Guangdong, Guangzhou 101, China

Patentee before: APT (Guangzhou) Electronics Ltd.