JP2008034488A - 発光装置 - Google Patents

Abstract

【課題】薄型化および小型化が可能で且つ信頼性が高い発光装置を提供する。
【解決手段】ＬＥＤチップ１と、ＬＥＤチップ１が搭載されるベース基板部たるＬＥＤ搭載用基板２０およびＬＥＤチップ１を囲む形でＬＥＤ搭載用基板２０から突設された壁部２ｂを有する実装基板２とを備え、ＬＥＤチップ１の両電極１２ａ，１２ｂのうちの一方の電極１２ａがＬＥＤチップ１におけるＬＥＤ搭載用基板２０側とは反対の一表面側に設けられている。実装基板２は、壁部２ｂの先端部から内方へＬＥＤチップ１の上記一表面側に設けられた電極１２ａであるパッドと重なる位置まで張り出した梁状片２ｃを有し、当該梁状片２ｃにパッド１２ａと接合されて電気的に接続される配線４５が設けられている。
【選択図】図１

Description

本発明は、発光装置に関するものである。

従来から、表面実装型の発光装置として、１ないし複数のＬＥＤチップを収納する収納凹所が一表面に設けられＬＥＤチップが収納凹所の内底面に実装された実装基板と、収納凹所内でＬＥＤチップおよびＬＥＤチップに接続されたボンディングワイヤを封止した封止樹脂からなる封止部とを備えた発光装置が各所で研究開発されている（例えば、特許文献１，２，３）。

ここにおいて、上記特許文献１に開示された発光装置では、ＬＥＤチップから放射される光と封止部に添加されている蛍光体から放射される光の混色光として白色光を得ることができる。また、上記特許文献２，３に開示された発光装置では、発光色の互いに異なる複数のＬＥＤチップを備えているので、各発光色のＬＥＤチップから放射される光の混色光あるいは各ＬＥＤチップから放射される光と封止部に添加されている蛍光体から放射される光との混色光として白色光を得ることができる。

また、従来から、互いに発光色の異なる複数のＬＥＤチップを備えた発光装置において、各発光色ごとのＬＥＤチップの温度特性や寿命特性の違いによらず所望の光色や色温度の混色光（例えば、白色光）を得る目的で、各ＬＥＤチップからの光の一部を光電変換する光センサを実装基板の適宜位置に配置した構成のものも提案されている（例えば、特許文献４参照）。
特開２００３−２４９６９１号公報 特開２００５−３１７８７３号公報 特開２００５−１２３４８４号公報 特開平１０−４９０７４号公報

ところで、上記特許文献１〜３に開示された発光装置は、実装基板が、ＬＥＤチップが実装されるベース基板部およびＬＥＤチップを囲む形でベース基板部から突設された壁部を有しているが、ＬＥＤチップのパッドと実装基板の配線とがボンディングワイヤを介して電気的に接続され封止部により封止されているので、壁部の高さ寸法がボンディングワイヤに起因して大きくなり、実装基板の薄型化が難しかった。また、上記特許文献１〜３に開示された発光装置では、ベース基板部上（つまり、収納凹所の内底面上）にボンディングワイヤが接続される配線を設ける必要があり、実装基板の平面サイズが比較的大きくなってしまい、プリント基板などの回路基板への実装面積が大きくなるので、より一層の小型化が望まれていた。また、上記特許文献１〜３に開示された発光装置では、実装基板の配線とＬＥＤチップのパッドとを電気的に接続しているボンディングワイヤが外部からの衝撃や応力に起因して断線してしまう恐れがあった。

本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、薄型化および小型化が可能で且つ信頼性が高い発光装置を提供することにある。

請求項１の発明は、ＬＥＤチップと、ＬＥＤチップが搭載されるベース基板部およびＬＥＤチップを囲む形でベース基板部から突設された壁部を有する実装基板とを備え、ＬＥＤチップの両電極のうちの少なくとも一方の電極がＬＥＤチップにおけるベース基板部側とは反対の一表面側に設けられた発光装置であって、実装基板は、壁部の先端部から内方へ少なくともＬＥＤチップの前記一表面側に設けられた電極であるパッドと重なる位置まで張り出した梁状片を有し、当該梁状片にパッドと接合されて電気的に接続される配線が設けられてなることを特徴とする。

この発明によれば、実装基板が、壁部の先端部から内方へ少なくともＬＥＤチップの前記一表面側に設けられた電極であるパッドと重なる位置まで張り出した梁状片を有し、当該梁状片にパッドと接合されて電気的に接続される配線が設けられているので、ＬＥＤチップのパッドと実装基板の配線とをボンディングワイヤを介して電気的に接続する場合に比べて、薄型化および小型化が可能となり、且つ、信頼性を高めることが可能となる。

請求項２の発明は、請求項１の発明において、前記配線と前記パッドとがバンプを介して接合されてなることを特徴とする。

この発明によれば、前記配線と前記パッドとの接続信頼性を高めることができる。

請求項３の発明は、請求項１または請求項２の発明において、前記梁状片における前記ベース基板部側に前記ＬＥＤチップから放射された光の一部を光電変換する光センサが設けられてなることを特徴とする。

この発明によれば、光センサを配置するためのスペースを前記梁状片とは別に確保する必要がないので、光センサを設けたことによる外部への光取出し効率の低下を防止することができる。

請求項１の発明では、ＬＥＤチップのパッドと実装基板の配線とをボンディングワイヤを介して電気的に接続する場合に比べて、薄型化および小型化が可能となり、且つ、信頼性を高めることが可能となるという効果がある。

以下、本実施形態の発光装置について図１〜図８を参照しながら説明する。

本実施形態の発光装置は、可視光（例えば、赤色光、緑色光、青色光など）を放射する１つのＬＥＤチップ１と、ＬＥＤチップ１を収納する収納凹所２ａ（図３参照）が一表面に形成され収納凹所２ａの内底面にＬＥＤチップ１が実装された実装基板２と、実装基板２の上記一表面側において収納凹所２ａを閉塞する形で実装基板２に固着された透光性部材３と、実装基板２の収納凹所２ａに充填された透光性の封止樹脂（例えば、シリコーン樹脂、アクリル樹脂など）からなりＬＥＤチップ１を封止した封止部５と備えており、実装基板２と透光性部材３とでパッケージを構成している。なお、透光性部材３は、必ずしも設けなくてもよく、必要に応じて適宜設ければよい。

実装基板２は、図１〜図３に示すように、ＬＥＤチップ１が一表面側に搭載される矩形板状のＬＥＤ搭載用基板２０と、ＬＥＤ搭載用基板２０の上記一表面側に対向配置され円形状の光取出窓４１が形成された配線用基板４０と、ＬＥＤ搭載用基板２０と配線用基板４０との間に介在し光取出窓４１に連通する矩形状の開口窓３１が形成された中間層基板３０とで構成されており、ＬＥＤ搭載用基板２０と中間層基板３０と配線用基板４０とで囲まれた空間が上記収納凹所２ａを構成している。ここにおいて、ＬＥＤ搭載用基板２０および中間層基板３０および配線用基板４０の外周形状は矩形状であり、中間層基板３０および配線用基板４０はＬＥＤ搭載用基板２０と同じ外形寸法に形成されている。

本実施形態では、ＬＥＤ搭載用基板２０が、ＬＥＤチップ１が搭載されるベース基板部を構成し、中間層基板３０と配線用基板４０とで、ＬＥＤチップ１を囲む形でベース基板部から突設された壁部２ｂを構成している。また、配線用基板４０において光取出窓４１の内側面から内方へＬＥＤチップ１の一表面側に設けられた電極（パッド）１２ａと重なる位置まで張り出した張出部４４が、壁部２ｂの先端部から内方へ張り出した梁状片２ｃを構成しており、当該梁状片２ｃに、ＬＥＤチップ１の電極１２ａと電気的に接続される配線４５およびＬＥＤチップ１から放射された光の一部を光電変換する光センサ４が設けられている。ここにおいて、配線用基板４０は、梁状片２ｃが厚み方向に弾性を有するように薄型化されており、中間層基板３０に比べて薄くなっている。

上述のＬＥＤ搭載用基板２０、中間層基板３０、配線用基板４０は、それぞれ、導電形がｎ形で主表面が（１００）面のシリコン基板２０ａ，３０ａ，４０ａを用いて形成してあり、中間層基板３０の内側面が、アルカリ系溶液（例えば、ＴＭＡＨ溶液、ＫＯＨ溶液など）を用いた異方性エッチングにより形成された（１１１）面により構成されており、ＬＥＤチップ１から放射された光を前方へ反射するミラー２ｄを構成している。要するに、本実施形態では、中間層基板３０がＬＥＤチップ１から側方へ放射された光を前方へ反射させる枠状のリフレクタを兼ねている。

ＬＥＤ搭載用基板２０は、図４および図５に示すように、シリコン基板２０ａの一表面側（図４（ｃ）における左面側）に、ＬＥＤチップ１の他表面側の電極１２ｂと電気的に接続される導体パターン２５ｂが形成されるとともに、中間層基板３０に形成された貫通孔配線３４ａを介して上記配線４５と電気的に接続される導体パターン２５ａ、中間層基板３０に形成された別の２つの貫通孔配線３４ｃ，３４ｃを介して光センサ４と電気的に接続される２つの導体パターン２５ｃ，２５ｃが形成されており、各導体パターン２５ａ，２５ｂ，２５ｃ，２５ｃとシリコン基板２０ａの他表面側（図４（ｃ）における右面側）に形成された４つの外部接続用電極２７ａ，２７ｂ，２７ｃ，２７ｃとがそれぞれ貫通孔配線２４を介して電気的に接続されている。ここにおいて、ＬＥＤ搭載用基板２０の上記一表面側においてＬＥＤチップ１の電極１２ｂと電気的に接続される導体パターン２５ｂは、ＬＥＤチップ１がダイボンディングされる矩形状のダイパッド部２５ｂａと、ダイパッド部２５ｂａに連続一体に形成され貫通孔配線２４との接続部位となる引き出し配線部２５ｂｂとで構成してある。また、ＬＥＤ搭載用基板２０は、シリコン基板２０ａの上記一表面側に、中間層基板３０と接合するための接合用金属層２９も形成されている。

また、ＬＥＤ搭載用基板２０は、シリコン基板２０ａの上記他表面側に、シリコン基板２０ａよりも熱伝導率の高い金属材料からなる矩形状の放熱用パッド部２８が形成され、ダイパッド部２５ｂａと放熱用パッド部２８とがシリコン基板２０ａよりも熱伝導率の高い金属材料（例えば、Ｃｕなど）からなる複数（本実施形態では、９つ）の円柱状のサーマルビア２６を介して熱的に結合されており、ＬＥＤチップ１で発生した熱が各サーマルビア２６および放熱用パッド部２８を介して放熱されるようになっている。

ところで、ＬＥＤ搭載用基板２０は、シリコン基板２０ａに、上述の４つの貫通孔配線２４それぞれが内側に形成される４つの貫通孔２２ａと、上述の９つのサーマルビア２６それぞれが内側に形成される９つの貫通孔２２ｂとが厚み方向に貫設され、シリコン基板２０ａの上記一表面および上記他表面と各貫通孔２２ａ，２２ｂの内面とに跨って熱酸化膜（シリコン酸化膜）からなる絶縁膜２３が形成されており、各導体パターン２５ａ，２５ｂ，２５ｃ，２５ｃ、接合用金属層２９、各外部接続用電極２７ａ，２７ｂ，２７ｃ，２７ｃ、放熱用パッド部２８、各貫通孔配線２４および各サーマルビア２６がシリコン基板２０ａと電気的に絶縁されている。

ここにおいて、各導体パターン２５ａ，２５ｂ，２５ｃ，２５ｃ、接合用金属層２９、各外部接続用電極２７ａ，２７ｂ，２７ｃ，２７ｃ、放熱用パッド部２８は、絶縁膜２３上に形成されたＴｉ膜と当該Ｔｉ膜上に形成されたＡｕ膜との積層膜により構成されており、同時に形成してある。なお、本実施形態では、絶縁膜２３上のＴｉ膜の膜厚を１５〜５０ｎｍ、Ｔｉ膜上のＡｕ膜の膜厚を５００ｎｍに設定してあるが、これらの数値は一例であって特に限定するものではない。また、各Ａｕ膜の材料は、純金に限らず不純物を添加したものでもよい。また、各Ａｕ膜と絶縁膜２３との間に密着性改善用の密着層としてＴｉ膜を介在させてあるが、密着層の材料はＴｉに限らず、例えば、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｚｒ、ＴｉＮ、ＴａＮなどでもよい。また、貫通孔配線２４およびサーマルビア２６の材料としては、Ｃｕを採用しているが、Ｃｕに限らず、例えば、Ｎｉなどを採用してもよい。

中間層基板３０は、図６および図７に示すように、シリコン基板３０ａの一表面側（図６（ｃ）における右面側）に、ＬＥＤ搭載用基板２０の３つの導体パターン２５ａ，２５ｃ，２５ｃと接合されて電気的に接続される３つの導体パターン３５ａ，３５ｃ，３５ｃが形成されるとともに、ＬＥＤ搭載用基板２０の接合用金属層２９と接合される接合用金属層３６が形成されている。また、中間層基板３０は、シリコン基板３０ａの他表面側（図６（ｃ）における左面側）に、各導体パターン３５ａ，３５ｃ，３５ｃと貫通孔配線３４ａ，３４ｃ，３４ｃを介して電気的に接続される導体パターン３７ａ，３７ｃ，３７ｃが形成されるとともに、配線用基板４０と接合するための接合用金属層３８が形成されている。

また、中間層基板３０は、シリコン基板３０ａに、上述の３つの貫通孔配線３４ａ，３４ｃ，３４ｃが内側に形成される３つの貫通孔３２が厚み方向に貫設され、シリコン基板３０ａの上記一表面および上記他表面と各貫通孔３２の内面とに跨って熱酸化膜（シリコン酸化膜）からなる絶縁膜３３が形成されており、各導体パターン３５ａ，３５ｃ，３５ｃ，３７ａ，３７ｃ，３７ｃおよび各接合用金属層３６，３８および各貫通孔配線３４ａ，３４ｃ，３４ｃがシリコン基板３０ａと電気的に絶縁されている。ここにおいて、各導体パターン３５ａ，３５ｃ，３５ｃ，３７ａ，３７ｃ，３７ｃおよび各接合用金属層３６，３８は、絶縁膜３３上に形成されたＴｉ膜と当該Ｔｉ膜上に形成されたＡｕ膜との積層膜により構成されており、同時に形成してある。なお、本実施形態では、絶縁膜３３上のＴｉ膜の膜厚を１５〜５０ｎｍ、Ｔｉ膜上のＡｕ膜の膜厚を５００ｎｍに設定してあるが、これらの数値は一例であって特に限定するものではない。ここにおいて、各Ａｕ膜の材料は、純金に限らず不純物を添加したものでもよい。また、各Ａｕ膜と絶縁膜３３との間に密着性改善用の密着層としてＴｉ膜を介在させてあるが、密着層の材料はＴｉに限らず、例えば、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｚｒ、ＴｉＮ、ＴａＮなどでもよい。また、各貫通孔配線３４ａ，３４ｃ，３４ｃの材料としては、Ｃｕを採用しているが、Ｃｕに限らず、例えば、Ｎｉなどを採用してもよい。

配線用基板４０は、図８に示すように、シリコン基板４０ａの一表面側（図８（ｂ）における下面側）に、中間層基板３０の導体パターン３７ａ，３７ｃ，３７ｃと接合されて電気的に接続される３つの導体パターン４７ａ，４７ｃ，４７ｃ、上記配線４５が形成されるとともに、中間層基板３０の接合用金属層３８と接合される接合用金属層４８が形成されている。ここにおいて、上記配線４５は導体パターン４７ａと電気的に接続されている。また、配線用基板４０に形成された光センサ４は、フォトダイオードであり、当該フォトダイオードのｐ形領域４ａおよびｎ形領域４ｂ（本実施形態では、シリコン基板４０ａ）それぞれと導体パターン４７ｃ，４７ｃとが電気的に接続されている。

また、配線用基板４０は、シリコン基板４０ａの上記一表面側にシリコン酸化膜からなる絶縁膜４３が形成されており、当該絶縁膜４３がフォトダイオードの反射防止膜を兼ねている。また、各導体パターン４７ａ，４７ｃ，４７ｃおよび配線４５および接合用金属層４８は、絶縁膜４３上に形成されたＴｉ膜と当該Ｔｉ膜上に形成されたＡｕ膜との積層膜により構成されており、同時に形成してある。なお、本実施形態では、絶縁膜４３上のＴｉ膜の膜厚を１５〜５０ｎｍ、Ｔｉ膜上のＡｕ膜の膜厚を５００ｎｍに設定してあるが、これらの数値は一例であって特に限定するものではない。ここにおいて、各Ａｕ膜の材料は、純金に限らず不純物を添加したものでもよい。また、各Ａｕ膜と絶縁膜４３との間に密着性改善用の密着層としてＴｉ膜を介在させてあるが、密着層の材料はＴｉに限らず、例えば、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｚｒ、ＴｉＮ、ＴａＮなどでもよい。

上述の実装基板２の形成にあたっては、光センサ４、各導体パターン４７ａ，４７ｃ，４７ｃ、上記配線４５および接合用金属層４８が形成されたシリコン基板４０ａと中間層基板３０とを低温での直接接合が可能な常温接合法などにより接合する第１の接合工程を行った後、シリコン基板４０ａを所望の厚みまで研磨する研磨工程を行い、その後、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）型のドライエッチング装置などを用いてシリコン基板４０ａに光取出窓４１および梁状片２ｃを形成する光取出窓形成工程を行うことで配線用基板４０を完成させてから、ＬＥＤチップ１が搭載されＬＥＤチップ１の電極１２ａ上にバンプ１４が形成されたＬＥＤ搭載用基板２０と中間層基板３０とを常温接合法などにより接合するのと同時に配線用基板４０の上記配線４５とバンプ１４とを接合する第２の接合工程を行うようにすればよい。なお、常温接合法では、接合前に互いの接合表面へアルゴンのプラズマ若しくはイオンビーム若しくは原子ビームを真空中で照射して各接合表面の清浄化・活性化を行ってから、接合表面同士を接触させ、常温下で直接接合する。

上述の第１の接合工程では、シリコン基板４０ａの接合用金属層４８と中間層基板３０の接合用金属層３８とが接合されるとともに、シリコン基板４０ａの導体パターン４７ａ，４７ｃ，４７ｃと中間層基板３０の導体パターン３７ａ，３７ｃ，３７ｃとが接合され電気的に接続される。ここで、導体パターン４７ａ，４７ｃ，４７ｃと導体パターン３７ａ３７ｃ，３７ｃとの接合部位は、貫通孔配線３４ａ，３４ｃ，３４ｃに重なる領域からずらしてあるので、導体パターン４７ａ，４７ｃ，４７ｃと導体パターン３７ａ，３７ｃ，３７ｃとの互いの接合面の平坦度を高めることができ、接合歩留まりを高めることができるとともに接合信頼性を高めることができる。また、第２の接合工程では、ＬＥＤ搭載用基板２０の接合用金属層２９と中間層基板３０の接合用金属層３６とが接合されるとともに、ＬＥＤ搭載用基板２０の導体パターン２５ａ，２５ｃ，２５ｃと中間層基板３０の導体パターン３５ａ，３５ｃ，３５ｃとが接合され電気的に接続され、また、ＬＥＤチップ１の電極１２ａと梁状片２ｃに設けられている配線４５とがバンプ１４を介して接合されて電気的に接続される。ここで、導体パターン２５ａ，２５ｃ，２５ｃと導体パターン３５ａ，３５ｃ，３５ｃとの接合部位は、貫通孔配線２４，２４，２４に重なる領域および貫通孔配線３４ａ，３４ｃ，３４ｃに重なる領域からずらしてあるので、導体パターン２５ａ，２５ｃ，２５ｃと導体パターン３５ａ，３５ｃ，３５ｃとの互いの接合面の平坦度を高めることができ、接合歩留まりを高めることができるとともに接合信頼性を高めることができる。

また、上述の透光性部材３は、透光性材料（例えば、シリコーン、アクリル樹脂、ガラスなど）からなる透光性基板を用いて形成してある。ここで、透光性部材３は、実装基板２と同じ外周形状の矩形板状に形成されており、実装基板２側とは反対の光取り出し面に、ＬＥＤチップ１から放射された光の全反射を抑制する微細凹凸構造が形成されている。ここにおいて、透光性部材３の光取り出し面に形成する微細凹凸構造は、多数の微細な凹部が２次元周期構造を有するように形成されている。なお、上述の微細凹凸構造は、例えば、レーザ加工技術やエッチング技術やインプリントリソグラフィ技術などを利用して形成すればよい。また、微細凹凸構造の周期は、ＬＥＤチップ１の発光ピーク波長の１／４〜１００倍程度の範囲で適宜設定すればよい。

本実施形態の発光装置の製造にあたっては、上述の各シリコン基板２０ａ，３０ａ，４０ａとして、それぞれＬＥＤ搭載用基板２０、中間層基板３０、配線用基板４０を多数形成可能なシリコンウェハを用いるとともに、上述の透光性基板として透光性部材３を多数形成可能なウェハ状のもの（透光性ウェハ）を用い、上述の第１の接合工程、研磨工程、第２の接合工程、光取出窓形成工程、第２の接合工程、実装基板２の収納凹所２ａに封止樹脂を充填して封止部５を形成する封止部形成工程、封止部形成工程の後で実装基板２と透光性部材３とを接合する第３の接合工程などの各工程をウェハレベルで行うことでウェハレベルパッケージ構造体を形成してから、ダイシング工程により実装基板２のサイズに分割するようにすれば、ＬＥＤ搭載用基板２０と中間層基板３０と配線用基板４０と透光性部材３とが同じ外形サイズとなり、小型のパッケージを実現できるとともに、製造が容易になる。

以上説明した本実施形態の発光装置では、実装基板２が、壁部２ｂの先端部から内方へ少なくともＬＥＤチップ１の上記一表面側に設けられた電極１２ａと重なる位置まで張り出した梁状片２ｃを有し、当該梁状片２ｃに電極１２ａと接合されて電気的に接続される配線４５が設けられているので、従来のようにＬＥＤチップの電極と実装基板の配線とをボンディングワイヤを介して電気的に接続する場合に比べて、薄型化および小型化が可能となり、且つ、信頼性を高めることが可能となる。また、本実施形態では、配線４５と電極１２ａとがバンプ１４を介して接合されているので、配線４５と電極１２ａとの接信頼性を高めることができる。また、本実施形態では、梁状片２ｃにおけるＬＥＤ搭載用基板２０側にＬＥＤチップ１ら放射された光の一部を光電変換する光センサ４が設けられているので、光センサ４を配置するためのスペースを梁状片２ｃとは別に確保する必要がなく、光センサ４を設けたことによる外部への光取出し効率の低下を防止することができる。また、光センサ４をパッケージの外側に配置する場合に比べて光センサ４の受光効率が高くなるので、光センサ４の受光面積を小さくすることができる。

なお、本実施形態の発光装置では、梁状片２ｃが片持ち梁構造となっているが、梁状片２ｃは、図９に示すような両持ち梁構造としてもよいし、図１０に示すようにＬ字状梁構造としてもよく、図９や図１０の梁状片２ｃでは、ＬＥＤチップ１の電極１２ａに接続される配線４５と光センサ４に接続される配線（図示せず）とを並行して配設する必要がないので、梁状片２ｃの幅寸法をより狭くすることが可能になる。

また、本実施形態の発光装置では、透光性部材３の光取り出し面に、ＬＥＤチップ１から放射された光の全反射を抑制する微細凹凸構造が形成されているので、透光性部材３における実装基板２側とは反対に存在する媒質（空気）と透光性部材３との屈折率差に起因した光の全反射を抑制することができ、光取り出し効率を高めることができる。

また、本実施形態では、実装基板２の形成にあたって上述の各接合工程において、低温での直接接合が可能な常温接合法を採用しているので、各接合工程でＬＥＤチップ１のジャンクション温度が最大ジャンクション温度を超えるのを防止することができる。

なお、上述の実施形態では、ＬＥＤチップ１の一表面側にパッドとなる電極１２ａが形成され他表面側に電極１２ｂが形成されているが、ＬＥＤチップ１の一表面側にそれぞれパッドとなる電極１２ａ，１２ｂが形成されたものを採用してもよい。

また、上述の実施形態の構成において、中間層基板３０の内側面に、ＬＥＤチップ１から放射された光を反射する金属材料（例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ａｌ−Ｓｉなど）からなる金属膜を形成するようにすれば、当該金属膜の材料をＬＥＤチップ１の発光波長に応じて適宜選択する（つまり、ＬＥＤチップ１の発光波長域における反射率の高い材料を選択する）ことにより反射効率を高めることができるので、光センサ４への集光効率を高めることができ、光センサ４の出力のＳ／Ｎ比を更に高めることができる。

ところで、上述の実施形態の発光装置は、ＬＥＤチップ１から放射された光の一部を光電変換する光センサ４を備えているので、例えば、ＬＥＤチップ１として赤色光を放射する赤色ＬＥＤチップを用いた発光装置と、ＬＥＤチップ１として緑色光を放射する緑色ＬＥＤチップを用いた発光装置と、ＬＥＤチップ１として青色光を放射する青色ＬＥＤチップを用いた発光装置とを同一の回路基板上に実装するとともに、当該回路基板に各発光装置のＬＥＤチップ１へ駆動電流を供給する駆動回路部と、各光センサ４の出力が目標値に保たれるように駆動回路部から各発光装置へ供給する駆動電流を制御する制御回路部とを設けた照明装置を構成すれば、各発光色ごとのＬＥＤチップ１の温度特性や寿命特性の違いによらず所望の光色や色温度の白色光を得ることが可能となる。

また、上述の実施形態では、１つの実装基板２に１つのＬＥＤチップ１を実装してあるが、１つの実装基板２に発光色が同じ複数のＬＥＤチップ１を実装するようにしてもよい。また、１つの実装基板２に互いに発光色の異なる複数種のＬＥＤチップ１を実装するとともに、配線用基板４０に各発光色のＬＥＤチップ１それぞれからの光を光電変換する複数種の光センサ４を設けて各発光色のＬＥＤチップ１の光を同時かつ且つ各別に検出するようにし、各光センサ４それぞれの出力が目標値に近づくように制御回路部が駆動回路部を制御するようにしてもよい。この場合の光センサ４は、例えば、可視光域全域に分光感度を有するフォトダイオードとＬＥＤチップ１の発光色の波長域の光を選択的に透過させるフィルタとで構成するようにすればよい。なお、この種のフィルタとしては、例えば、屈折率が互いに異なる２種類の誘電体膜（例えば、ＴｉＯ_２膜とＳｉＯ_２膜）が周期的に積層された構造を採用すればよい。また、発光色が異なる複数種のＬＥＤチップ１に対して光センサ４を１つだけ設け、各発光色のＬＥＤチップ１をサイクリックに点灯するように制御回路部が駆動回路部を制御するようにすれば、発光色の異なる複数種のＬＥＤチップ１の光を１つの光センサ４により各別に検出することもできる。

実施形態１の発光装置の概略断面図である。 同上の発光装置の概略分解斜視図である。 同上における実装基板を示し、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’概略断面図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ’概略断面図である。 同上におけるＬＥＤ搭載用基板を示し、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’概略断面図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ’概略断面図である。 同上におけるＬＥＤ搭載用基板の概略下面図である。 同上における中間層基板を示し、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’概略断面図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ’概略断面図である。 同上における中間層基板の概略下面図である。 同上における配線用基板を示し、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’概略断面図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ’概略断面図である。 同上の他の構成例を示す要部概略平面図である。 同上の別の構成例を示す要部概略平面図である。

符号の説明

１ ＬＥＤチップ
２ 実装基板
２ｂ 壁部
２ｃ 梁状片
４ 光センサ
５ 封止部
１２ａ 電極（パッド）
１２ｂ 電極
１４ バンプ
２０ ＬＥＤ搭載用基板（ベース基板部）
３０ 中間層基板
４０ 配線用基板
４４ 張出部
４５ 配線

Claims (3)

1. ＬＥＤチップと、ＬＥＤチップが搭載されるベース基板部およびＬＥＤチップを囲む形でベース基板部から突設された壁部を有する実装基板とを備え、ＬＥＤチップの両電極のうちの少なくとも一方の電極がＬＥＤチップにおけるベース基板部側とは反対の一表面側に設けられた発光装置であって、実装基板は、壁部の先端部から内方へ少なくともＬＥＤチップの前記一表面側に設けられた電極であるパッドと重なる位置まで張り出した梁状片を有し、当該梁状片にパッドと接合されて電気的に接続される配線が設けられてなることを特徴とする発光装置。
2. 前記配線と前記パッドとがバンプを介して接合されてなることを特徴とする請求項１記載の発光装置。
3. 前記梁状片における前記ベース基板部側に前記ＬＥＤチップから放射された光の一部を光電変換する光センサが設けられてなることを特徴とする請求項１または請求項２記載の発光装置。
   

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