JP2021173973A - 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク - Google Patents
反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021173973A JP2021173973A JP2020080520A JP2020080520A JP2021173973A JP 2021173973 A JP2021173973 A JP 2021173973A JP 2020080520 A JP2020080520 A JP 2020080520A JP 2020080520 A JP2020080520 A JP 2020080520A JP 2021173973 A JP2021173973 A JP 2021173973A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- absorption layer
- layer
- reflective
- absorption
- reflective photomask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 145
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 49
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 49
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 47
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 40
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 40
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 39
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 27
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 22
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- YZCKVEUIGOORGS-IGMARMGPSA-N Protium Chemical compound [1H] YZCKVEUIGOORGS-IGMARMGPSA-N 0.000 abstract description 21
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 12
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 177
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 29
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 12
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 10
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 8
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 7
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 6
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 4
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 description 4
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N azanylidynechromium Chemical compound [Cr]#N CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000013405 beer Nutrition 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
- G03F1/24—Reflection masks; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
このように、EUVリソグラフィではミラーを介し光軸を傾斜することから、EUVマスクに入射するEUV光がEUVマスクのマスクパターン(パターン化された光吸収層)の影をつくる、いわゆる「射影効果」と呼ばれる問題が発生することがある。
しかしながら、特許文献2に記載の反射型フォトマスクブランクでは、光吸収層が水素ラジカルに対する耐性(水素ラジカル耐性)を有することについては検討されていない。そのため、EUV露光装置への導入によって光吸収層に形成された転写パターン(マスクパターン)を安定的に維持できず、結果として転写性が悪化する可能性がある。
また、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクは、基板と、前記基板に形成された多層膜を含む反射層と、前記反射層の上に形成され、インジウム(In)と酸素(O)とを合計で50原子%以上保有し、且つインジウム(In)に対する酸素(O)の原子数比(O/In)が1.5を超える材料を含有し、パターンが形成されている吸収パターン層と、を有し、前記吸収パターン層の膜厚は、17nm以上45nm以下の範囲内であることを特徴とする。
図1は、本発明の実施形態に係る反射型フォトマスクブランク10の構造を示す概略断面図である。また、図2は、本発明の実施形態に係る反射型フォトマスク20の構造を示す概略断面図である。ここで、図2に示す本発明の実施形態に係る反射型フォトマスク20は、図1に示す本発明の実施形態に係る反射型フォトマスクブランク10の吸収層4をパターニングして形成したものである。
図1に示すように、本発明の実施形態に係る反射型フォトマスクブランク10は、基板1と、基板1上に形成された反射層2と、反射層2の上に形成されたキャッピング層3と、キャッピング層3の上に形成された吸収層4と、を備えている。
(基板)
本発明の実施形態に係る基板1には、例えば、平坦なSi基板や合成石英基板等を用いることができる。また、基板1には、チタンを添加した低熱膨張ガラスを用いることができるが、熱膨張率の小さい材料であれば、本発明はこれらに限定されるものではない。
本発明の実施形態に係る反射層2は、露光光であるEUV光(極端紫外光)を反射するものであればよく、EUV光に対する屈折率の大きく異なる材料の組み合わせによる多層反射膜であってもよい。多層反射膜を含む反射層2は、例えば、Mo(モリブデン)とSi(シリコン)、またはMo(モリブデン)とBe(ベリリウム)といった組み合わせの層を40周期程度繰り返し積層することにより形成したものであってもよい。
本発明の実施形態に係るキャッピング層3は、吸収層4に転写パターン(マスクパターン)を形成する際に行われるドライエッチングに対して耐性を有する材質で形成されており、吸収層4をエッチングする際に、反射層2へのダメージを防ぐエッチングストッパとして機能するものである。キャッピング層3は、例えば、Ru(ルテニウム)で形成されている。ここで、反射層2の材質やエッチング条件により、キャッピング層3は形成されていなくてもかまわない。また、図示しないが、基板1の反射層2を形成していない面に裏面導電膜を形成することができる。裏面導電膜は、反射型フォトマスク20を露光機に設置するときに静電チャックの原理を利用して固定するための膜である。
図2に示すように、反射型フォトマスクブランク10の吸収層4の一部を除去することにより、即ち吸収層4をパターニングすることにより、反射型フォトマスク20の吸収パターン(吸収パターン層)41が形成される。EUVリソグラフィにおいて、EUV光は斜めに入射し、反射層2で反射されるが、吸収パターン41が光路の妨げとなる射影効果により、ウェハ(半導体基板)上への転写性能が悪化することがある。この転写性能の悪化は、EUV光を吸収する吸収層4の厚さを薄くすることで低減される。吸収層4の厚さを薄くするためには、従来の材料よりEUV光に対する吸収性の高い材料、つまり波長13.5nmに対する消衰係数kの高い材料を適用することが好ましい。
また、反射型フォトマスク20は、水素ラジカル環境下に曝されるため、水素ラジカル耐性の高い光吸収材料でなければ、反射型フォトマスク20は長期の使用に耐えられない。本発明の実施形態においては、マイクロ波プラズマを使って、電力1kWで水素圧力が0.36ミリバール(mbar)以下の水素ラジカル環境下で、膜減り速さが0.1nm/s以下の材料を、水素ラジカル耐性の高い材料とする。
また、上記原子数比(O/In比)は、膜厚1μmに成膜された材料をEDX(エネルギー分散型X線分析)で測定した結果である。
なお、インジウム(In)と酸素(O)との原子数比が1:2.5を超えるとEUV光吸収性の低下が進行するため、原子数比は1:3以下であることが好ましく、1:2.5以下であることがより好ましい。
なお、図1及び図2には単層の吸収層4を示したが、本発明の実施形態に係る吸収層4はこれに限定されるものではない。本発明の実施形態に係る吸収層4は、例えば、1層以上の吸収層、即ち複層の吸収層であってもよい。
OD=−log(Ra/Rm) ・・・(式1)
また、上述した「主成分」とは、吸収層全体の原子数に対して50原子%以上含んでいる成分をいう。
以下、本発明に係る反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスクの実施例について説明する。
最初に、反射型フォトマスクブランク100の作製方法について図4を用いて説明する。
まず、図4に示すように、低熱膨張特性を有する合成石英の基板11の上に、シリコン(Si)とモリブデン(Mo)とを一対とする積層膜が40枚積層されて形成された反射層12を形成する。反射層12の膜厚は280nmとした。
次に、反射層12上に、中間膜としてルテニウム(Ru)で形成されたキャッピング層13を、膜厚が3.5nmになるように成膜した。
次に、キャッピング層13の上に、インジウム(In)と酸素(O)とを含む吸収層14を膜厚が26nmになるように成膜した。インジウム(In)と酸素(O)との原子数比率は、EDX(エネルギー分散型X線分析)で測定したところ、1:2であった。また、吸収層14の結晶性をXRD(X線回析装置)で測定したところ、僅かに結晶性が見られるものの、アモルファスであった。
基板11上へのそれぞれの膜の成膜(層の形成)は、多元スパッタリング装置を用いた。各々の膜の膜厚は、スパッタリング時間で制御した。吸収層14は、反応性スパッタリング法により、スパッタリング中にチャンバーに導入する酸素の量を制御することで、O/In比が2になるように成膜した。
まず、図5に示すように、反射型フォトマスクブランク100の吸収層14の上に、ポジ型化学増幅型レジスト(SEBP9012:信越化学社製)を120nmの膜厚にスピンコートで塗布し、110℃で10分ベークし、レジスト膜16を形成した。
次に、電子線描画機(JBX3030:日本電子社製)によってレジスト膜16に所定のパターンを描画した。その後、110℃、10分のプリベーク処理を行い、次いでスプレー現像機(SFG3000:シグマメルテック社製)を用いて現像処理をした。これにより、図6に示すように、レジストパターン16aを形成した。
次に、レジストパターン16aをエッチングマスクとして、塩素系ガスを主体としたドライエッチングにより、吸収層14のパターニングを行った。これにより、図7に示すように、吸収層14に吸収パターン(吸収パターン層)141を形成した。
吸収層4のインジウム(In)と酸素(O)との原子数比率が1:2となるように、また、インジウム(In)と酸素(O)の合計含有量が吸収層4全体の70原子%となるように、また、残りの30原子%がTaとなるように、吸収層4を成膜した。また、吸収層4の膜厚が26nmになるように成膜した。なお、吸収層4の成膜以外は、実施例1と同様の方法で、実施例2の反射型フォトマスクブランク100及び反射型フォトマスク200を作製した。
吸収層4のインジウム(In)と酸素(O)との原子数比率が1:2となるように、また、インジウム(In)と酸素(O)の合計含有量が吸収層4全体の70原子%となるように、また、残りの30原子%がSnとなるように、吸収層4を成膜した。また、吸収層4の膜厚が26nmになるように成膜した。なお、吸収層4の成膜以外は、実施例1と同様の方法で、実施例3の反射型フォトマスクブランク100及び反射型フォトマスク200を作製した。
吸収層4のインジウム(In)と酸素(O)との原子数比率が1:1となるように、また、吸収層4の膜厚が26nmになるように、吸収層4を成膜した。なお、吸収層4の成膜以外は、実施例1と同様の方法で、比較例1の反射型フォトマスクブランク100及び反射型フォトマスク200を作製した。
[比較例2]
吸収層4のインジウム(In)と酸素(O)との原子数比率が1:2となるように、また、吸収層4の膜厚が15nmになるように、吸収層4を成膜した。なお、吸収層4の成膜以外は、実施例1と同様の方法で、比較例2の反射型フォトマスクブランク100及び反射型フォトマスク200を作製した。
吸収層4のインジウム(In)と酸素(O)との原子数比率が1:2となるように、また、インジウム(In)と酸素(O)の合計含有量が吸収層4全体の30原子%となるように、また、残りの70原子%がSiOとなるように、吸収層4を成膜した。また、吸収層4の膜厚が26nmになるよう成膜した。なお、吸収層4の成膜以外は、実施例1と同様の方法で、比較例3の反射型フォトマスクブランク100及び反射型フォトマスク200を作製した。
前述の実施例及び比較例において、吸収層4の膜厚は、透過電子顕微鏡によって測定した。
(反射率)
前述の実施例及び比較例において、作製した反射型フォトマスク200の吸収パターン層141領域の反射率RaをEUV光による反射率測定装置で測定した。こうして、実施例及び比較例に係る反射型フォトマスク200のOD値を得た。
(水素ラジカル耐性)
マイクロ波プラズマを使って、電力1kWで水素圧力が0.36ミリバール(mbar)以下の水素ラジカル環境下に、実施例及び比較例で作製した反射型フォトマスク200を設置した。水素ラジカル処理後での吸収層4の膜厚変化を、原子間力顕微鏡(AFM)を用いて確認した。測定は線幅200nmLSパターンで行った。
EUV露光装置(NXE3300B:ASML社製)を用いて、EUVポジ型化学増幅型レジストを塗布した半導体ウェハ上に、実施例及び比較例で作製した反射型フォトマスク200の吸収パターン141を転写露光した。このとき、露光量は、図9に示すx方向のLSパターンが設計通りに転写するように調節した。具体的には、本露光試験では、図9に示すx方向のLSパターン(線幅64nm)が、半導体ウェハ上で16nmの線幅となるように露光した。電子線寸法測定機により転写されたレジストパターンの観察及び線幅測定を実施し、解像性の確認を行った。
これらの評価結果を、図10、表2及び表3に示した。
図10及び表2に示すように、従来の膜厚60nmのタンタル(Ta)系吸収層を備えた反射型フォトマスク200の反射率は、0.019(OD=1.54)であるのに対し、膜厚が26nmであり、InとOとを含有した材料で形成された吸収層4、即ち実施例1及び比較例1の吸収層4を備えた反射型フォトマスク200の反射率は、0.011(OD=1.77)であり、Taを30原子%含有した材料で形成された吸収層4、即ち実施例2の吸収層4を備えた反射型フォトマスク200の反射率は、0.018(OD=1.55)であり、Snを30原子%含有した材料で形成された吸収層4、即ち実施例3の吸収層4を備えた反射型フォトマスク200の反射率は、0.011(OD=1.76)と良好であった。
なお、本評価では、OD値が1以上であれば転写性能に問題はないとして、「合格」とした。
膜厚が26nmであって、InとOとを含んだ材料で形成された吸収層4、即ち実施例1及び比較例1の吸収層4を備えた反射型フォトマスク200、Taを30原子%含んだ材料で形成された吸収層4、即ち実施例2の吸収層4を備えた反射型フォトマスク200、Snを30原子%含んだ材料で形成された吸収層4、即ち実施例3の吸収層4を備えた反射型フォトマスク200では、y方向のパターン寸法が、従来のTa系吸収層を用いたy方向のパターン寸法8.7nmよりも良好であり、それぞれ11.8nm、12.4nm、11.8nmであった。
これにより、吸収層4に、化学量論的組成の酸化インジウムよりも酸素を多く含むインジウム(In)と酸素(O)の材料を用いたフォトマスクであれば、光学濃度、水素ラジカル耐性が共に良好であり、射影効果を低減でき、長寿命であり、且つ転写性能が高くなるという結果となった。
2…反射層
3…キャッピング層
4…吸収層
41…吸収パターン(吸収パターン層)
10…反射型フォトマスクブランク
20…反射型フォトマスク
11…基板
12…反射層
13…キャッピング層
14…吸収層
141…吸収パターン(吸収パターン層)
15…裏面導電膜
16…レジスト膜
16a…レジストパターン
17…反射部
100…反射型フォトマスクブランク
200…反射型フォトマスク
Claims (4)
- 極端紫外線を光源としたパターン転写用の反射型フォトマスクを作製するための反射型フォトマスクブランクであって、
基板と、
前記基板上に形成された多層膜を含む反射層と、
前記反射層の上に形成された吸収層と、を有し、
前記吸収層は、インジウム(In)と酸素(O)とを合計で50原子%以上含有する材料で形成され、
前記吸収層における、インジウム(In)に対する酸素(O)の原子数比(O/In)は、1.5を超え、
前記吸収層の膜厚は、17nm以上45nm以下の範囲内である、反射型フォトマスクブランク。 - 前記吸収層は、Ta、Pt、Te、Zr、Hf、Ti、W、Si、Cr、Mo、Sn、Pd、Ni、F、N、C、及びHからなる群から選択された1種以上の元素をさらに含有する請求項1に記載の反射型フォトマスクブランク。
- 基板と、
前記基板に形成された多層膜を含む反射層と、
前記反射層の上に形成され、インジウム(In)と酸素(O)とを合計で50原子%以上保有し、且つインジウム(In)に対する酸素(O)の原子数比(O/In)が1.5を超える材料を含有し、パターンが形成されている吸収パターン層と、を有し、
前記吸収パターン層の膜厚は、17nm以上45nm以下の範囲内である、反射型フォトマスク。 - 前記吸収パターン層は、Ta、Pt、Te、Zr、Hf、Ti、W、Si、Cr、Mo、Sn、Pd、Ni、F、N、C、及びHからなる群から選択された1種以上の元素をさらに含有する請求項3に記載の反射型フォトマスク。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020080520A JP7421411B2 (ja) | 2020-04-30 | 2020-04-30 | 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク |
EP21795894.1A EP4145221A4 (en) | 2020-04-30 | 2021-04-28 | REFLECTIVE PHOTOMASK BLANK AND REFLECTIVE PHOTOMASK |
US17/920,386 US20230147988A1 (en) | 2020-04-30 | 2021-04-28 | Reflective photomask blank and reflective photomask |
CN202180029440.8A CN115443433A (zh) | 2020-04-30 | 2021-04-28 | 反射型光掩模坯和反射型光掩模 |
PCT/JP2021/017057 WO2021221124A1 (ja) | 2020-04-30 | 2021-04-28 | 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク |
KR1020227036333A KR20220157442A (ko) | 2020-04-30 | 2021-04-28 | 반사형 포토마스크 블랭크 및 반사형 포토마스크 |
TW110115484A TW202201114A (zh) | 2020-04-30 | 2021-04-29 | 反射型空白光罩及反射型光罩 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020080520A JP7421411B2 (ja) | 2020-04-30 | 2020-04-30 | 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021173973A true JP2021173973A (ja) | 2021-11-01 |
JP7421411B2 JP7421411B2 (ja) | 2024-01-24 |
Family
ID=78281741
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020080520A Active JP7421411B2 (ja) | 2020-04-30 | 2020-04-30 | 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230147988A1 (ja) |
EP (1) | EP4145221A4 (ja) |
JP (1) | JP7421411B2 (ja) |
KR (1) | KR20220157442A (ja) |
CN (1) | CN115443433A (ja) |
TW (1) | TW202201114A (ja) |
WO (1) | WO2021221124A1 (ja) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006190900A (ja) * | 2005-01-07 | 2006-07-20 | Toppan Printing Co Ltd | 反射型フォトマスクブランク、反射型フォトマスク、及びこれを用いた半導体装置の製造方法 |
JP2008041740A (ja) * | 2006-08-02 | 2008-02-21 | Toppan Printing Co Ltd | 反射型フォトマスクブランク、反射型フォトマスク及び極端紫外線の露光方法 |
JP2009519593A (ja) * | 2005-12-13 | 2009-05-14 | コミシリア ア レネルジ アトミック | 反射フォトリソグラフィーマスクおよびこのマスクの作製方法 |
JP2010103463A (ja) * | 2008-09-25 | 2010-05-06 | Toppan Printing Co Ltd | 反射型フォトマスクブランク、反射型フォトマスク、半導体装置製造方法 |
JP2019139085A (ja) * | 2018-02-13 | 2019-08-22 | 凸版印刷株式会社 | 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4926523B2 (ja) | 2006-03-31 | 2012-05-09 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランクス及び反射型マスク並びに半導体装置の製造方法 |
NL2003152A1 (nl) | 2008-08-14 | 2010-02-16 | Asml Netherlands Bv | Radiation source, lithographic apparatus and device manufacturing method. |
JP5418293B2 (ja) | 2010-02-25 | 2014-02-19 | 凸版印刷株式会社 | 反射型フォトマスクおよび反射型フォトマスクブランクならびにその製造方法 |
JP2019138971A (ja) * | 2018-02-07 | 2019-08-22 | 凸版印刷株式会社 | 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク |
-
2020
- 2020-04-30 JP JP2020080520A patent/JP7421411B2/ja active Active
-
2021
- 2021-04-28 US US17/920,386 patent/US20230147988A1/en active Pending
- 2021-04-28 CN CN202180029440.8A patent/CN115443433A/zh active Pending
- 2021-04-28 EP EP21795894.1A patent/EP4145221A4/en active Pending
- 2021-04-28 WO PCT/JP2021/017057 patent/WO2021221124A1/ja unknown
- 2021-04-28 KR KR1020227036333A patent/KR20220157442A/ko unknown
- 2021-04-29 TW TW110115484A patent/TW202201114A/zh unknown
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006190900A (ja) * | 2005-01-07 | 2006-07-20 | Toppan Printing Co Ltd | 反射型フォトマスクブランク、反射型フォトマスク、及びこれを用いた半導体装置の製造方法 |
JP2009519593A (ja) * | 2005-12-13 | 2009-05-14 | コミシリア ア レネルジ アトミック | 反射フォトリソグラフィーマスクおよびこのマスクの作製方法 |
JP2008041740A (ja) * | 2006-08-02 | 2008-02-21 | Toppan Printing Co Ltd | 反射型フォトマスクブランク、反射型フォトマスク及び極端紫外線の露光方法 |
JP2010103463A (ja) * | 2008-09-25 | 2010-05-06 | Toppan Printing Co Ltd | 反射型フォトマスクブランク、反射型フォトマスク、半導体装置製造方法 |
JP2019139085A (ja) * | 2018-02-13 | 2019-08-22 | 凸版印刷株式会社 | 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20220157442A (ko) | 2022-11-29 |
US20230147988A1 (en) | 2023-05-11 |
EP4145221A1 (en) | 2023-03-08 |
WO2021221124A1 (ja) | 2021-11-04 |
EP4145221A4 (en) | 2024-07-03 |
CN115443433A (zh) | 2022-12-06 |
TW202201114A (zh) | 2022-01-01 |
JP7421411B2 (ja) | 2024-01-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI826587B (zh) | 反射型空白光罩及反射型光罩 | |
JP7346088B2 (ja) | 反射型フォトマスクブランクス及び反射型フォトマスク | |
WO2021085192A1 (ja) | 反射型マスク及び反射型マスクの製造方法 | |
WO2021106954A1 (ja) | 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク | |
WO2021221124A1 (ja) | 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク | |
WO2022065494A1 (ja) | 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク | |
WO2022153657A1 (ja) | 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク | |
WO2021221123A1 (ja) | 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク | |
JP7525354B2 (ja) | 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク | |
JP7117445B1 (ja) | 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク | |
TWI841741B (zh) | 反射型空白光罩及反射型光罩 | |
WO2022255458A1 (ja) | 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク | |
JP2021173977A (ja) | 反射型フォトマスクブランクス及び反射型フォトマスク | |
JP2022011843A (ja) | 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク | |
JP2022144633A (ja) | 反射型フォトマスク | |
JP2022123773A (ja) | 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20220527 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230427 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20231226 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240112 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7421411 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |