CN102097153A - 导电浆料和太阳能电池 - Google Patents
导电浆料和太阳能电池 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102097153A CN102097153A CN201010544709XA CN201010544709A CN102097153A CN 102097153 A CN102097153 A CN 102097153A CN 201010544709X A CN201010544709X A CN 201010544709XA CN 201010544709 A CN201010544709 A CN 201010544709A CN 102097153 A CN102097153 A CN 102097153A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- metal glass
- solar cell
- electrocondution slurry
- electrode
- conducting material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 64
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 132
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 116
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 113
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 113
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 77
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 44
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 41
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 41
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 35
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 claims description 30
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 27
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 27
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 22
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 22
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 22
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 19
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 17
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 17
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 13
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 230000009466 transformation Effects 0.000 claims description 12
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 11
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims description 10
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims description 10
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 9
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 8
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 8
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 6
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 5
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 5
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000011133 lead Substances 0.000 claims description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 5
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 5
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 5
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 4
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims 2
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910001093 Zr alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 3
- 239000005300 metallic glass Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 53
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 7
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 7
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000374 eutectic mixture Substances 0.000 description 6
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FRNOGLGSGLTDKL-UHFFFAOYSA-N thulium atom Chemical compound [Tm] FRNOGLGSGLTDKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005551 mechanical alloying Methods 0.000 description 2
- 238000002074 melt spinning Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical compound FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007472 ZnO—B2O3—SiO2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- IJKVHSBPTUYDLN-UHFFFAOYSA-N dihydroxy(oxo)silane Chemical compound O[Si](O)=O IJKVHSBPTUYDLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 238000009689 gas atomisation Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000001394 metastastic effect Effects 0.000 description 1
- 206010061289 metastatic neoplasm Diseases 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N phosphinic chloride Chemical compound ClP=O RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
- H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/14—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material
- H01B1/16—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material the conductive material comprising metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/85—Thermoelectric active materials
- H10N10/851—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
本发明涉及一种导电浆料和一种使用该导电浆料的太阳能电池,该导电浆料包括导电粉末、金属玻璃和有机媒介物。
Description
技术领域
本公开涉及导电浆料和太阳能电池。
背景技术
太阳能电池是将太阳能转化为电能的光电转换装置,其作为无限的但无污染的下一代能源已经吸引了诸多关注。
太阳能电池包括p型半导体和n型半导体,并且当在半导体内部的光敏(photoactive)层中吸收的太阳光能产生电子-空穴对(EHP)时,通过分别转移电子和空穴到n型半导体和p型半导体以及然后收集每个电极中的电子和空穴来产生电能。
此外,需要太阳能电池具有尽可能高的由太阳能产生电能的效率。为了改善此效率,需要能够以极小的损失有效地吸收光从而可以产生尽可能多的电子-空穴对,以及然后没有损失地收集所产生的电荷。
此外,太阳能电池的电极可以采用导电浆料通过丝网印刷而制得。
发明内容
本发明的一个方面提供了一种导电浆料,该导电浆料可以减小电荷损失并改善太阳能电池的效率。
本发明的另一方面提供了一种使用导电浆料的太阳能电池。
根据一个方面,提供了包括导电粉末、金属玻璃和有机媒介物的导电浆料。
金属玻璃可以包括铜(Cu)、钛(Ti)、镍(Ni)、锆(Zr)、铁(Fe)、镁(Mg)、钙(Ca)、钴(Co)、钯(Pd)、铂(Pt)、金(Au)、铈(Ce)、镧(La)、钇(Y)、钆(Gd)、铍(Be)、钽(Ta)、镓(Ga)、铝(Al)、铪(Hf)、铌(Nb)、铅(Pb)、银(Ag)、磷(P)、硼(B)、硅(Si)、碳(C)、锡(Sn)、锌(Zn)、钼(Mo)、钨(W)、锰(Mn)、铒(Er)、铬(Cr)、镨(Pr)、铥(Tm)或其组合物中的至少一种。
金属玻璃可以包括铜(Cu)、锆(Zr)、镍(Ni)、铁(Fe)、钛(Ti)、镁(Mg)或其组合物的合金。
金属玻璃的玻璃转变温度(Tg)可以低于硅和导电粉末的共熔温度。
导电粉末和金属玻璃的共熔温度可以低于硅和导电粉末的共熔温度。
硅和金属玻璃的共熔温度可以低于硅和导电粉末的共熔温度。
金属玻璃在导电粉末的烧结温度可以以固体、过冷液体或液体的形式存在。
导电粉末可以包括银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)、镍(Ni)或其组合物。
导电浆料可以包括基于导电浆料总量的约50wt%至约90wt%的导电粉末、约1wt%至约20wt%的金属玻璃和余量的有机媒介物。
导电浆料可以进一步包括玻璃料。
导电浆料可以包括基于导电浆料总量的约50wt%至约90wt%的导电粉末、约1wt%至约20wt%的金属玻璃、约1wt%至约10wt%的玻璃料和余量的有机媒介物。
根据另一实施方式,太阳能电池可以包括:半导体层,包括半导体材料;电极,包括导电材料并电连接到半导体层;和缓冲层,包括金属玻璃并与半导体层和电极接触。
缓冲层可以设置在半导体层与电极之间。
金属玻璃的玻璃转变温度可以低于半导体材料和导电材料的共熔温度。
导电材料和金属玻璃的共熔温度可以低于半导体材料和导电材料的共熔温度。
半导体材料和金属玻璃的共熔温度可以低于半导体材料和导电材料的共熔温度。
缓冲层可以进一步包括玻璃料。
半导体材料可以包括硅。
太阳能电池还包括第一共熔层,该第一共熔层设置在电极与缓冲层之间,且在该第一共熔层处导电材料和金属玻璃经历共熔化。
太阳能电池可以进一步包括第二共熔层,该第二共熔层设置在半导体层与缓冲层之间,并且在该第二共熔层处半导体材料和金属玻璃经历共熔化。
第二共熔层可以是半导体材料、金属玻璃和玻璃料经历共熔化的地方。
金属玻璃可以是包括铜(Cu)、钛(Ti)、镍(Ni)、锆(Zr)、铁(Fe)、镁(Mg)、钙(Ca)、钴(Co)、钯(Pd)、铂(Pt)、金(Au)、铈(Ce)、镧(La)、钇(Y)、钆(Gd)、铍(Be)、钽(Ta)、镓(Ga)、铝(Al)、铪(Hf)、铌(Nb)、铅(Pb)、银(Ag)、磷(P)、硼(B)、硅(Si)、碳(C)、锡(Sn)、锌(Zn)、钼(Mo)、钨(W)、锰(Mn)、铒(Er)、铬(Cr)、镨(Pr)、铥(Tm)或其组合物中的至少之一的合金。
导电材料可以包括银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)、镍(Ni)或其组合物。
半导体层可以包括掺杂有p型杂质的p型层和掺杂有n型杂质的n型层,电极可以包括与p型层电连接的第一电极以及与n型层电连接的第二电极,以及缓冲层可以设置在p型层与第一电极之间和n型层与第二电极之间中的至少之一处。
附图说明
图1和图2为示出根据一个实施方式施加在太阳能电池中的半导体基板上的导电粉末的实施方式的示意图;
图3A至图3E为示出在增大温度的同时在施加有导电浆料的半导体基板上设置缓冲层的过程的示意图;
图4为根据一个实施方式的太阳能电池的截面图;
图5为根据另一实施方式的太阳能电池的截面图;
图6为根据又一实施方式的太阳能电池的截面图。
具体实施方式
下文将详细描述示范性实施方式,具有本领域公知常识的技术人员可以容易地实施该示范性实施方式。然而,这些示范性实施方式仅是示例性的,且本发明不限于此。
首先,将解释根据一个实施方式的导电浆料。
根据一个实施方式,导电浆料包括导电粉末、金属玻璃和有机媒介物(vehicle)。
导电粉末包括铝或诸如铝合金的含铝(Al)金属、银或诸如银合金的含银(Ag)金属、铜(Cu)或诸如铜合金的含铜(Cu)金属、镍(Ni)或诸如镍合金的含镍(Ni)金属、或者其组合物。除上述金属之外,导电粉末可以包括其它金属,且可以包括不同的添加剂。导电粉末可具有约0.1μm至约50μm的尺寸。
金属玻璃包括包含两种或多种金属且具有无序原子结构的合金,也被称为无定形金属。由于金属玻璃具有不同于常规玻璃诸如硅酸盐的低电阻,所以金属玻璃可以具有导电性。
金属玻璃可以是过渡元素、贵金属、稀土元素金属、碱土金属、半金属及其组合物的合金,该合金可以包括铜(Cu)、钛(Ti)、镍(Ni)、锆(Zr)、铁(Fe)、镁(Mg)、钙(Ca)、钴(Co)、钯(Pd)、铂(Pt)、金(Au)、铈(Ce)、镧(La)、钇(Y)、钆(Gd)、铍(Be)、钽(Ta)、镓(Ga)、铝(Al)、铪(Hf)、铌(Nb)、铅(Pb)、银(Ag)、磷(P)、硼(B)、硅(Si)、碳(C)、锡(Sn)、锌(Zn)、钼(Mo)、钨(W)、锰(Mn)、铒(Er)、铬(Cr)、镨(Pr)、铥(Tm)或其组合物中的至少一种。
金属玻璃可以包括选自铜(Cu)、锆(Zr)、镍(Ni)、铁(Fe)、钛(Ti)、镁(Mg)及其组合物的至少一种。
金属玻璃可以包括Cu50Zr50、Cu30Ag30Zr30Ti10、Cu43Zr43Al7Ag7、Cu46Zr46Al8、Cu58.1Zr35.9Al6、Ti50Ni15Cu32Sn3、Ti45Ni15Cu25Sn3Be7Zr5、Ni60Nb30Ta10、Ni61Zr20Nb7Al4Ta8、Ni57.5Zr35Al7.5、Zr41.2Ti13.8Ni10Cu12.5Be22.5、Mg65Y10Cu15Ag5Pd5、Mn55Al25Ni20、La55Al25Ni10Cu10、Mg65Cu7.5Ni7.5Ag5Zn5Gd10、Mg65Cu15Ag10Y6Gd4、Fe77Nb6B17、Fe67Mo13B17Y3、Ca65Mg15Zn20、Ca66.4Al33.6或其组合物,但不限于此。
金属玻璃可以在玻璃转变温度(Tg)或更高温度软化,与常规玻璃类似。
这里,金属玻璃的玻璃转变温度(Tg)可以低于半导体材料诸如硅和导电粉末的共熔温度。因此,在半导体材料和导电粉末共熔化之前,金属玻璃可以被软化。
导电粉末和金属玻璃的共熔温度可以低于半导体材料和导电粉末的共熔温度。因此,在半导体材料和导电粉末共熔化之前,导电粉末和金属玻璃可以共熔化。
同样,半导体材料和金属玻璃的共熔温度可以低于半导体材料和导电粉末的共熔温度。因此,在导电粉末和半导体材料共熔化之前,半导体材料和金属玻璃可以共熔化。
在导电粉末的烧结温度,金属玻璃可以以固体、过冷液体或者液体的形式存在。
简而言之,当导电浆料被施加在由半导体材料制成的半导体层上且温度升高时,金属玻璃首先被软化,且被软化的金属玻璃通过扩大半导体基板与导电粉末之间的接触面积而使得半导体材料与导电材料之间的电荷转移通道变宽。然后,可以执行金属玻璃和导电粉末的共熔化、金属玻璃和半导体材料的共熔化以及半导体材料和导电粉末的共熔化。
有机媒介物可以包括与导电粉末和金属玻璃混合的有机复合物(compound)以及溶解这些组分的溶剂,该有机复合物增加粘性。
有机复合物可以包括甲基丙烯酸酯树脂、纤维素树脂诸如乙基纤维素、酚醛树脂、醇树脂、四氟乙烯(TEFLON)及其组合物中的至少一种,此外,有机复合物可以包括添加剂,诸如表面活性剂、增稠剂和稳定剂。
溶剂可以包括任意种类的溶剂,只要它可以溶解这些组分。
导电浆料可以包括基于导电浆料总量的约50wt%至约90wt%的导电粉末、约1wt%至约20wt%的金属玻璃和余量的有机媒介物。
导电浆料可以进一步包括玻璃料。
玻璃料具有蚀刻绝缘层(诸如太阳能电池中的抗反射层)从而穿透绝缘层的蚀刻性能。因此,包括玻璃料的导电浆料可以用在设置有抗反射层的太阳能电池中。
同样,玻璃料可以具有对下层的优良粘着性,从而改善由导电浆料制成的电极与下层之间的粘着性。
玻璃料可以例如包括PbO-SiO2、PbO-SiO2-B2O3、PbO-SiO2-B2O3-ZnO、PbO-SiO2-B2O3-BaO、PbO-SiO2-ZnO-BaO、ZnO-SiO2、ZnO-B2O3-SiO2、ZnO-K2O-B2O3-SiO2-BaO、Bi2O3-SiO2,Bi2O3-B2O3-SiO2、Bi2O3-B2O3-SiO2-BaO、ZnO-BaO-B2O3-P2O5-Na2O、Bi2O3-B2O3-SiO2-BaO-ZnO或其组合物。
当进一步包括玻璃料时,导电浆料可以包括基于导电浆料总量的约50wt%至约90wt%的导电粉末、约1wt%至约20wt%的金属玻璃、约1wt%至约10wt%的玻璃料和余量的有机媒介物。
当在各种电子器件中形成电极时,包括导电粉末、金属玻璃和有机媒介物的导电浆料可以通过例如丝网印刷来施加。电子器件可以包括太阳能电池。
当在太阳能电池中形成电极时,上述导电浆料可以施加在半导体基板诸如硅晶片上并被烧制(fired)以形成电极。
在下文,将参考图1和图2描述。
图1和图2为示出根据一个实施方式施加在太阳能电池中的半导体基板上的导电粉末的实施方式的示意图。
参考图1,当根据实施方式的导电浆料被施加在半导体基板110上时,包括在导电浆料中的导电粉末120a和金属玻璃115a可以分别呈现为颗粒。
如上所述,由于金属玻璃115a的玻璃转变温度(Tg)低于半导体材料诸如硅和导电粉末120a的共熔温度,所以当导电浆料被施加在半导体基板110上并在高于金属玻璃115a的玻璃转变温度(Tg)的温度下热处理时,金属玻璃115a可以被软化以填充多个导电粉末120a颗粒之间的间隙,从而形成软化的金属玻璃115b,如图1所示。
参考图2,软化的金属玻璃115b可以具有与导电粉末120a的接触部分C1和C2、与半导体基板110的接触部分C3以及与相邻的导电粉末120a的接触部分C4,从而增大紧密接触性能。软化的金属玻璃紧密地接触导电粉末120a和半导体基板110,由此可以提供用于转移电荷到导电粉末120a的路径,该电荷由半导体基板110产生。
软化的金属玻璃115b可以在半导体基板110上形成缓冲层。
在下文,将参考图3A至图3E详细描述。
图3A至图3E是示出在增大温度时在施加有导电浆料的半导体基板上设置缓冲层的过程的示意图。
参考图3A,包括导电粉末120a和金属玻璃115a的导电浆料(有机媒介物被省略)被施加在半导体基板110上。
参考图3B,温度增大为高于金属玻璃115a的玻璃转变温度(Tg)。当金属玻璃115a包括Cu50Zr40Al10时,玻璃转变温度(Tg)可以在从约450℃至约500℃的范围。在高于玻璃转变温度(Tg)的温度下被软化的金属玻璃115b可以具有润湿性以接触半导体基板110,并紧密接触半导体基板110。当软化的金属玻璃115b具有低粘度(viscosity)时,其可以具有高润湿性,并因此可以增大紧密接触性能。
参考图3C,温度增大到高于导电粉末120a的烧结温度(Ts)的温度。当导电粉末120a是银(Ag)时,烧结温度(Ts)可以在从约580℃至约700℃的范围。邻近的导电粉末120a可以在高于烧结温度(Tg)的温度下提供牢固固定且烧结的导电粉末120b。金属玻璃可以在导电粉末120a的烧结温度下以固体、过冷液体或液体的形式存在。
参考图3D,温度增大到高于烧结的导电粉末120b和软化的金属玻璃115b的共熔温度(T1)。当导电粉末120b是银(Ag)且金属玻璃115b是Cu50Zr40Al10时,共熔温度可以为约780℃。导电粉末120b和金属玻璃115b可以是具有增大的紧密接触性能的共熔混合物,第一共熔层117可以设置在导电粉末120b和金属玻璃115b之间。
参考图3E,温度增大到高于软化的金属玻璃115b和半导体基板110的共熔温度(T2)。当金属玻璃115b包括Cu50Zr40Al10且半导体基板110包括硅时,共熔温度可以是约802℃。金属玻璃115b和半导体基板110可以是具有增大的紧密接触性能的共熔混合物,第二共熔层118可以设置在金属玻璃115b和半导体基板110之间。
软化的金属玻璃115b可以通过在特定温度被结晶化来提供缓冲层115,缓冲层115可以防止导电粉末120b扩散到半导体基板110中。
在本实施方式中,半导体基板和电极利用导电的金属玻璃彼此电连接。由此,通过扩大用于转移电荷的路径来减小电荷的损失,包括金属玻璃的缓冲层可以防止电极的导电材料扩散到半导体基板中。
同时,如上所述,导电浆料可以进一步包括玻璃料。玻璃料可以表现出与金属玻璃相似的行为,从而构成缓冲层和共熔层的一部分。
参考图4,详细描述根据一个实施方式的太阳能电池。
图4为根据一个实施方式的太阳能电池的截面图。
在附图中,为了清楚,夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。在整个说明书中,相似的附图标记表示相似的元件。将理解当元件诸如层、膜、区域或基板被称为在另一元件“上”时,它能够直接在其它元件上或者也可以存在中间元件。相反,当元件被称为“直接在另一元件上”时,不存在中间元件。
在下文,为了更好的理解和易于描述,涉及半导体基板110的位置将被竖直地描述,但不限于此。此外,半导体基板110的太阳能入射侧被称为前侧,相反侧被称为后侧。
参考图4,根据实施方式的太阳能电池可以包括半导体基板110,该半导体基板110包括下半导体层110a和上半导体层110b。
半导体基板110可以由结晶硅或化合物半导体形成。结晶硅可以是例如硅晶片。下半导体层110a和上半导体层110b的其中之一可以是掺杂有p型杂质的半导体层,另一个可以是掺杂有n型杂质的半导体层。例如,下半导体层110a可以是掺杂有p型杂质的半导体层,上半导体层110b可以是掺杂有n型杂质的半导体层。这里,p型杂质可以是第III主族元素,诸如硼(B),n型杂质可以是第V主族元素,诸如磷(P)。
上半导体层110b的表面可以经历表面纹理化(texturing)。表面纹理化的上半导体层110b可以具有突起和凹陷,诸如可以为棱锥形状,或者可以具有多孔结构,诸如蜂巢状。表面纹理化的上半导体层110b可以具有扩大的表面面积以增强光吸收率并降低反射率,结果改善了太阳能电池的效率。
多个前电极120设置在半导体层110b的前侧上。前电极120沿平行于基板的方向布置,可以考虑屏蔽损耗(shadowing loss)和表面电阻(sheetresistance)而设计为栅格图案。
前电极120可以由导电材料形成,例如,低电阻导电材料,诸如银(Ag)。前电极120可以采用上述的导电浆料通过丝网印刷设置。如上所述,导电浆料包括导电粉末、金属玻璃和有机媒介物。
缓冲层115设置在上半导体层110b与前电极120之间。缓冲层115是通过在高于金属玻璃的玻璃转变温度(Tg)的温度下软化导电浆料中的金属玻璃而形成的层。由于缓冲层115因金属玻璃而具有导电性,并具有与电极120和上半导体层110b接触的部分,所以可以通过扩大在上半导体层110b与前电极120之间转移电荷的路径来降低电荷的损失。此外,缓冲层115可以防止前电极120的材料扩散到半导体基板110中。
第一共熔层117设置在前电极120与缓冲层115之间,第二共熔层118设置在缓冲层115与上半导体层110b之间。第一共熔层117包括导电材料和金属玻璃的共熔混合物,该导电材料包括在前电极120中,该金属玻璃包括在缓冲层115中;以及第二共熔层118包括金属玻璃和半导体材料的共熔混合物,该金属玻璃包括在缓冲层115中,该半导体材料包括在上半导体层110b中。
汇流条(bus bar)电极(未示出)可以设置在前电极120上。在多个太阳能电池的组装期间,汇流条电极连接邻近的太阳能电池。
电介质层130设置在半导体基板110下面。电介质层130可以通过防止电荷再复合及电流泄漏来增大太阳能电池的效率。电介质层130可以包括多个穿透部135,将被描述的半导体基板110和后电极140可以通过穿透部135接触。
后电极140设置在电介质层130下面。后电极140可以由导电材料形成,且它可以是不透明金属,诸如铝(Al)。后电极140可以以与前电极120相同的方式采用上述导电浆料通过丝网印刷而设置。
缓冲层(未示出)以与前电极120相同的方式被设置在后电极140和下半导体层110a之间。此外,以与前电极120相同的方式,第一共熔层(未示出)设置在后电极140与缓冲层之间,第二共熔层(未示出)设置在下半导体层110b与缓冲层之间。
在下文,将描述用于制造太阳能电池的导电浆料。
在下文,将参考图4描述使用导电浆料制造太阳能电池的方法。
首先,制备半导体基板110,诸如硅晶片。作为实例,半导体基板110可以掺杂有p型杂质。
然后,半导体基板110经历表面纹理化处理。通过采用强酸诸如硝酸和氢氟酸或者强碱诸如氢氧化钠的湿法,或者通过采用等离子体的干法,可以进行表面纹理化处理。
然后,作为实例,半导体基板110可以掺杂有n型杂质。通过在高温下扩散POCl3或H3PO4等可以掺杂n型杂质。半导体基板110包括掺杂有彼此不同的杂质的下半导体层110a和上半导体层110b。
然后,用于前电极的导电浆料被施加在上半导体层110b上。可以通过丝网印刷法提供用于前电极的导电浆料。丝网印刷法包括:在前电极被定位的位置上施加前电极导电浆料,并干燥该前电极导电浆料,其中该前电极导电浆料包括导电粉末诸如Ag、金属玻璃和有机媒介物。
如上所述,导电浆料可以包括金属玻璃,金属玻璃可以采用任意类型的方法诸如熔体纺丝(melt spinning)、渗流铸造(infiltration casting)、气体雾化、离子辐照或机械合金化(mechanical alloying)来制备。
然后,干燥用于前电极的导电浆料。
作为实例,可以通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)在半导体基板110的后侧上堆叠氧化铝(Al2O3)或氧化硅(SiO2)来提供电介质层130。
然后,通过利用激光可以在一部分电介质层130上设置多个穿透部135。
用于后电极的导电浆料通过丝网印刷依次施加在电介质层130的一侧上。
然后,干燥用于后电极的导电浆料。
接着,用于前电极的导电浆料和用于后电极的导电浆料被共同烧制。然而,用于前电极的导电浆料和用于后电极的导电浆料可以被分别烧制。
烧制可以在炉中以比导电金属的熔化温度更高的温度进行,例如,在从约400℃至约1000℃范围内的温度。
在下文,参考图5描述根据另一实施方式的太阳能电池。
图5为示出根据另一实施方式的太阳能电池的截面图。
参考图5,与上述实施方式一样,根据本实施方式的太阳能电池包括:半导体基板110,包括下半导体层110a和上半导体层110b;多个前电极120;缓冲层115,位于上半导体层110b和前电极120之间;第一共熔层117,位于前电极120与缓冲层115之间;第二共熔层118,位于上半导体层110b与缓冲层115之间;电介质层130,位于半导体基板110下面;以及后电极140,位于电介质层130下面。
然而,与上述实施方式不同,根据本实施方式的太阳能电池包括在半导体基板110的整个表面上的绝缘层112。
绝缘层112可以由吸收很少光的绝缘材料制成,例如,硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiO2)、钛氧化物(TiO2)、铝氧化物(Al2O3)、镁氧化物(MgO)、铈氧化物(CeO2)等,或其组合物。绝缘层112可以是单层或包括多个层。
绝缘层112可以在太阳能电池的前侧上减小光的反射率并增加对特定波长或特定范围的波长的选择性,从而起抗反射涂层(ARC)的作用。绝缘层112可以由能有效地提高其与半导体基板110表面中的硅的接触性能的材料制成,由此增大太阳能电池的效率。
前电极120可以穿透绝缘层112以接触上半导体层110b。绝缘层112的与前电极120和上半导体层110b的接触部分相应的部分可以通过蚀刻去除,该蚀刻通过利用导电浆料来实施,该导电浆料还包括与导电粉末、金属玻璃和有机媒介物一起的玻璃料。玻璃料可以具有对绝缘层112的蚀刻性能。
玻璃料可以起金属玻璃的作用,通过进一步包括与金属玻璃一起的玻璃料,可以提高对下层的粘着性。
在下文,参考图6描述根据又一实施方式的太阳能电池。
图6为示出根据又一实施方式的太阳能电池的截面图。
根据实施方式的太阳能电池可以包括掺杂有p型杂质或n型杂质的半导体基板110。半导体基板110可以包括设置在后侧上并掺杂有彼此不同的杂质的多个第一掺杂区111a和第二掺杂区111b。例如,第一掺杂区111a可以掺杂有n型杂质,第二掺杂区111b可以掺杂有p型杂质。第一掺杂区111a和第二掺杂区111b可以交替设置在半导体基板110的后侧。
半导体基板110的前侧可以被表面纹理化,因此可以提高光吸收率并降低反射率,结果改善了太阳能电池的效率。绝缘层112设置在半导体基板110的前侧上。
包括多个穿透部的电介质层150可以设置在半导体基板110的后侧上。
与第一掺杂区111a连接的第一电极121和与第二掺杂区111b连接的第二电极141分别设置在半导体基板110的后侧。第一电极121和第一掺杂区111a可以通过穿透部接触,第二电极141和第二掺杂区111b可以通过穿透部接触。第一电极121和第二电极141可以交替地设置。
如以上实施方式所述,第一电极121和第二电极141可以采用包括导电粉末、金属玻璃、有机媒介物和可选的玻璃料的导电浆料设置,与以上所述地相同。
缓冲层115设置在第一掺杂区111a与第一电极121之间,或者在第二掺杂区111b与第二电极141之间。缓冲层115可以因金属玻璃而具有导电性。由于缓冲层115包括与第一电极121或第二电极141接触的部分以及与第一掺杂区111a或第二掺杂区111b接触的部分,所以通过扩大在第一掺杂区111a与第一电极121之间或在第二掺杂区111b与第二电极141之间转移电荷的路径,可以减少电荷损失。此外,缓冲层115可以防止第一电极121或第二电极141的材料扩散到第一掺杂区111a或第二掺杂区111b中。
第一共熔层117,包括第一电极121或第二电极141的导电材料与缓冲层115的金属玻璃的共熔混合物,设置在第一电极121或第二电极141与缓冲层115之间。第二共熔层118,包括半导体材料与金属玻璃的共熔混合物,设置在第一掺杂区111a或第二掺杂区111b与缓冲层115之间。
根据实施方式的太阳能电池,其中该太阳能电池包括在太阳能电池的后侧上的第一电极121和第二电极141两者,可以减小在前侧上设置金属的区域。这可以减小遮蔽损耗并增大太阳能电池效率。
在下文,将描述太阳能电池的制造方法。
首先,制备掺杂有例如n型杂质的半导体基板。然后,半导体基板110被表面纹理化,绝缘层112和电介质层150分别设置在半导体基板110的前侧和后侧。作为实例,绝缘层112和电介质层150可以通过化学气相沉积(CVD)提供。
然后,通过例如使用激光去除一部分电介质层150,从而形成多个开口。
第一掺杂区111a和第二掺杂区111b可以通过在半导体基板110后侧的开口中以高浓度依次掺杂p型杂质和n型杂质而设置。
然后,用于第一电极121的导电浆料被施加在电介质层150的与第一掺杂区111a相应的一侧上,用于第二电极的导电浆料被施加在与第二掺杂区111b相应的另一侧上。用于第一电极的导电浆料和用于第二电极的导电浆料通过丝网印刷来设置,可以分别使用包括导电粉末、金属玻璃、有机媒介物和可选的玻璃料的导电浆料。
接着,用于前电极的导电浆料和用于后电极的导电浆料可以一起烧制或分别烧制。可以在炉中在高于导电金属的熔化温度的温度进行烧制。
本发明不限于在太阳能电池内使用导电浆料,还可以应用到其它电子器件,诸如PDP电极或OLED栅格电极(grid electrode)。
虽然已经结合目前所认为的实际的示范性实施方式描述了本公开,但是可以理解本发明不限于所公开的实施方式,而是,相反,本发明旨在涵盖包括在所附权利要求的精神和范围内的不同变化和等效布置。
Claims (25)
1.一种导电浆料,包括导电粉末、金属玻璃和有机媒介物。
2.根据权利要求1所述的导电浆料,其中所述金属玻璃包括铜、钛、镍、锆、铁、镁、钙、钴、钯、铂、金、铈、镧、钇、钆、铍、钽、镓、铝、铪、铌、铅、银、磷、硼、硅、碳、锡、锌、钼、钨、锰、铒、铬、镨、铥或其组合物中的至少一种。
3.根据权利要求2所述的导电浆料,其中所述金属玻璃包括铜、锆、镍、铁、钛、镁或其组合物的合金。
4.根据权利要求1所述的导电浆料,其中所述金属玻璃的玻璃转变温度低于硅和所述导电粉末的共熔温度。
5.根据权利要求4所述的导电浆料,其中所述导电粉末和所述金属玻璃的共熔温度低于所述硅和所述导电粉末的共熔温度。
6.根据权利要求4所述的导电浆料,其中所述硅和所述金属玻璃的共熔温度低于所述硅和所述导电粉末的共熔温度。
7.根据权利要求1所述的导电浆料,其中所述金属玻璃在所述导电粉末的烧结温度以固体、过冷液体或液体的形式存在。
8.根据权利要求1所述的导电浆料,其中所述导电粉末包括银、铝、铜、镍或其组合物。
9.根据权利要求1所述的导电浆料,其中所述导电浆料包括基于所述导电浆料的总量的50wt%至90wt%的所述导电粉末、1wt%至20wt%的所述金属玻璃和余量的所述有机媒介物。
10.根据权利要求1所述的导电浆料,还包括玻璃料。
11.根据权利要求10所述的导电浆料,其中所述导电浆料包括基于所述导电浆料的总量的50wt%至90wt%的所述导电粉末、1wt%至20wt%的所述金属玻璃、1wt%至10wt%的所述玻璃料和余量的有机媒介物。
12.一种太阳能电池,包括:
半导体层,包括半导体材料;
电极,包括导电材料并电连接到所述半导体层;和
缓冲层,包括金属玻璃并与所述半导体层和所述电极接触。
13.根据权利要求12所述的太阳能电池,其中所述缓冲层设置在所述半导体层与所述电极之间。
14.根据权利要求12所述的太阳能电池,其中所述金属玻璃的玻璃转变温度低于所述半导体材料和所述导电材料的共熔温度。
15.根据权利要求12所述的太阳能电池,其中所述导电材料和所述金属玻璃的共熔温度低于所述半导体材料和所述导电材料的共熔温度。
16.根据权利要求12所述的太阳能电池,其中所述半导体材料和所述金属玻璃的共熔温度低于所述半导体材料和所述导电材料的共熔温度。
17.根据权利要求12所述的太阳能电池,其中所述缓冲层还包括玻璃料。
18.根据权利要求12所述的太阳能电池,其中所述半导体材料包括硅。
19.根据权利要求12所述的太阳能电池,其中所述太阳能电池还包括第一共熔层,该第一共熔层设置在所述电极与所述缓冲层之间,且在该第一共熔层处所述导电材料和所述金属玻璃经历共熔化。
20.根据权利要求12所述的太阳能电池,其中所述太阳能电池还包括第二共熔层,该第二共熔层设置在所述半导体层与所述缓冲层之间,且在该第二共熔层处所述半导体材料和所述金属玻璃经历共熔化。
21.根据权利要求20所述的太阳能电池,其中所述第二共熔层是所述半导体材料、所述金属玻璃和玻璃料经历共熔化的位置。
22.根据权利要求12所述的太阳能电池,其中所述金属玻璃是包括铜、钛、镍、锆、铁、镁、钙、钴、钯、铂、金、铈、镧、钇、钆、铍、钽、镓、铝、铪、铌、铅、银、磷、硼、硅、碳、锡、锌、钼、钨、锰、铒、铬、镨、铥或其组合物中的至少之一的合金。
23.根据权利要求12所述的太阳能电池,其中所述导电材料包括银、铝、铜、镍或其组合物。
24.根据权利要求12所述的太阳能电池,其中所述半导体层包括掺杂有p型杂质的p型层和掺杂有n型杂质的n型层,
所述电极包括与所述p型层电连接的第一电极和与所述n型层电连接的第二电极,以及
所述缓冲层设置在所述p型层与所述第一电极之间和所述n型层与所述第二电极之间中的至少之一处。
25.一种电子器件,该电子器件包括使用根据权利要求1至11任意之一的导电浆料形成的电极。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20090108674 | 2009-11-11 | ||
KR108674/09 | 2009-11-11 | ||
KR96382/10 | 2010-10-04 | ||
KR1020100096382A KR102071006B1 (ko) | 2009-11-11 | 2010-10-04 | 도전성 페이스트 및 태양 전지 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102097153A true CN102097153A (zh) | 2011-06-15 |
Family
ID=43629384
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201010544709XA Pending CN102097153A (zh) | 2009-11-11 | 2010-11-11 | 导电浆料和太阳能电池 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9984787B2 (zh) |
EP (1) | EP2325848B1 (zh) |
JP (1) | JP2011103301A (zh) |
CN (1) | CN102097153A (zh) |
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102426873A (zh) * | 2011-12-28 | 2012-04-25 | 彩虹集团公司 | 硅太阳能电池正银浆料及其制备方法 |
CN102456428A (zh) * | 2010-10-27 | 2012-05-16 | 三星电子株式会社 | 导电糊、及包括用其形成的电极的电子器件和太阳能电池 |
CN102891213A (zh) * | 2011-06-29 | 2013-01-23 | 屏东科技大学 | 以活性焊料制作的太阳能电池电极及其方法 |
CN103477396A (zh) * | 2011-11-11 | 2013-12-25 | 三星电子株式会社 | 导电膏和包括利用该导电膏形成的电极的电子器件和太阳能电池 |
CN103514975A (zh) * | 2012-06-27 | 2014-01-15 | 三星电子株式会社 | 导电糊、电极、电子装置和太阳能电池 |
CN104078092A (zh) * | 2013-03-27 | 2014-10-01 | 第一毛织株式会社 | 用于太阳能电池电极的组合物及使用其制作的电极 |
CN104321883A (zh) * | 2011-12-13 | 2015-01-28 | 道康宁公司 | 光伏电池及其形成方法 |
TWI489636B (zh) * | 2013-03-13 | 2015-06-21 | Neo Solar Power Corp | 具有金屬堆疊電極之太陽能電池及其製造方法 |
TWI493742B (zh) * | 2011-08-31 | 2015-07-21 | 韓華石油化學股份有限公司 | 利用單步摻雜製程之射極穿透式背電極太陽電池之製造方法 |
TWI594444B (zh) * | 2012-09-27 | 2017-08-01 | 太陽電子公司 | 太陽能電池及背接觸式太陽能電池 |
TWI603485B (zh) * | 2012-12-06 | 2017-10-21 | 太陽電子公司 | 用於太陽能電池導電接觸之晶種層 |
CN107438885A (zh) * | 2015-03-27 | 2017-12-05 | 贺利氏德国有限责任两合公司 | 包含有机金属氧化物的导电浆料 |
CN107623765A (zh) * | 2017-08-21 | 2018-01-23 | 东莞华晶粉末冶金有限公司 | 一种具有无线充电功能的电子产品陶瓷后盖及制造方法 |
CN107801298A (zh) * | 2017-12-01 | 2018-03-13 | 绵阳市奇帆科技有限公司 | Pcb线路板印刷铜浆 |
CN109273137A (zh) * | 2018-09-30 | 2019-01-25 | 东莞市银屏电子科技有限公司 | 一种太阳能hit电池用低温导电银浆及其制备方法 |
TWI720959B (zh) * | 2014-12-08 | 2021-03-11 | 美商太陽電子公司 | 太陽能電池及其製造方法、用以形成太陽能電池的非導電性區域的漿料 |
TWI721279B (zh) * | 2017-12-08 | 2021-03-11 | 南韓商三星Sdi股份有限公司 | 太陽能電池 |
CN112509727A (zh) * | 2020-11-10 | 2021-03-16 | 广东工业大学 | 一种用于低温共烧陶瓷的内电极铜浆及其制备方法和应用 |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2532365B1 (en) | 2010-02-04 | 2016-05-04 | Toray Industries, Inc. | Pharmaceutical composition for treatment and/or prevention of cancer |
KR101741683B1 (ko) | 2010-08-05 | 2017-05-31 | 삼성전자주식회사 | 도전성 페이스트, 상기 도전성 페이스트를 사용하여 형성된 전극을 포함하는 전자 소자 및 태양 전지 |
US20120037216A1 (en) * | 2010-08-13 | 2012-02-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Conductive paste and electronic device and solar cell including an electrode formed using the conductive paste |
US8668847B2 (en) | 2010-08-13 | 2014-03-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Conductive paste and electronic device and solar cell including an electrode formed using the conductive paste |
US8987586B2 (en) | 2010-08-13 | 2015-03-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Conductive paste and electronic device and solar cell including an electrode formed using the conductive paste |
KR101960465B1 (ko) * | 2010-10-27 | 2019-03-21 | 삼성전자주식회사 | 도전성 페이스트 및 태양 전지 |
US9105370B2 (en) | 2011-01-12 | 2015-08-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Conductive paste, and electronic device and solar cell including an electrode formed using the same |
US8940195B2 (en) * | 2011-01-13 | 2015-01-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Conductive paste, and electronic device and solar cell including an electrode formed using the same |
KR101814014B1 (ko) | 2011-03-25 | 2018-01-03 | 삼성전자주식회사 | 도전성 페이스트, 상기 도전성 페이스트를 사용하여 형성된 전극을 포함하는 전자 소자 및 태양 전지 |
KR101796658B1 (ko) * | 2011-03-28 | 2017-11-13 | 삼성전자주식회사 | 도전성 페이스트, 상기 도전성 페이스트를 사용하여 형성된 전극을 포함하는 전자 소자 및 태양 전지 |
JP5844091B2 (ja) * | 2011-08-26 | 2016-01-13 | 横浜ゴム株式会社 | 導電性組成物、太陽電池セルおよび太陽電池モジュール |
KR20130027784A (ko) * | 2011-09-08 | 2013-03-18 | 삼성전기주식회사 | 외부 전극용 도전성 페이스트, 이를 이용한 적층 세라믹 전자부품 및 이의 제조방법 |
JP6068474B2 (ja) * | 2011-09-09 | 2017-01-25 | ヘレウス プレシャス メタルズ ノース アメリカ コンショホーケン エルエルシー | 銀製の太陽電池接点 |
KR101985929B1 (ko) | 2011-12-09 | 2019-06-05 | 삼성전자주식회사 | 도전성 페이스트, 상기 도전성 페이스트를 사용하여 형성된 전극을 포함하는 전자 소자 및 태양 전지 |
US20140352778A1 (en) * | 2011-12-22 | 2014-12-04 | Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc | Solar cell pastes for low resistance contacts |
US20130160834A1 (en) * | 2011-12-27 | 2013-06-27 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Back-side electrode of p-type solar cell, and method for forming the same |
KR20140050390A (ko) * | 2012-10-19 | 2014-04-29 | 삼성전자주식회사 | 열전모듈, 이를 구비한 열전장치, 및 열전모듈의 제조방법 |
KR20150066133A (ko) * | 2013-12-06 | 2015-06-16 | 삼성전자주식회사 | 금속 유리의 분쇄 방법, 분쇄된 금속 유리, 도전성 페이스트 및 전자 소자 |
US20160229552A1 (en) * | 2015-02-05 | 2016-08-11 | The Boeing Company | Intermetallic and composite metallic gap filler |
US20170226619A1 (en) * | 2016-02-09 | 2017-08-10 | California Institute Of Technology | Systems and Methods Implementing Layers of Devitrified Metallic Glass-Based Materials |
US20180226533A1 (en) * | 2017-02-08 | 2018-08-09 | Amberwave Inc. | Thin Film Solder Bond |
CN116799080A (zh) | 2021-04-26 | 2023-09-22 | 浙江晶科能源有限公司 | 光伏电池及其制作方法、光伏组件 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101055776A (zh) * | 2005-04-14 | 2007-10-17 | E.I.内穆尔杜邦公司 | 导电的厚膜组合物、电极和所形成的半导体设备 |
CN101186128A (zh) * | 2007-10-29 | 2008-05-28 | 福建师范大学 | 一种耐高温高光学反射的导电薄膜及其制备方法 |
US20080251164A1 (en) * | 2007-04-04 | 2008-10-16 | Boonrat Lohwongwatana | Process for joining materials using bulk metallic glasses |
CN101359564A (zh) * | 2008-09-16 | 2009-02-04 | 彩虹集团公司 | 抗Ag扩散感光性导电浆料及其制备方法 |
Family Cites Families (58)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4434084A (en) * | 1981-09-23 | 1984-02-28 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Base metal conductor cathode coating for tantalum capacitors |
JPS6262870A (ja) | 1985-09-12 | 1987-03-19 | Masami Kobayashi | 電磁波遮へい塗料 |
DE3905276C1 (zh) * | 1989-02-21 | 1990-05-03 | Demetron Gesellschaft Fuer Elektronik-Werkstoffe Mbh, 6450 Hanau, De | |
US5170930A (en) * | 1991-11-14 | 1992-12-15 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Liquid metal paste for thermal and electrical connections |
US5709958A (en) | 1992-08-27 | 1998-01-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electronic parts |
US5288344A (en) | 1993-04-07 | 1994-02-22 | California Institute Of Technology | Berylllium bearing amorphous metallic alloys formed by low cooling rates |
JP3592006B2 (ja) * | 1996-11-12 | 2004-11-24 | 松下電器産業株式会社 | ビアホール充填用導電性ペースト及びそれを用いたプリント配線板 |
US6027575A (en) * | 1997-10-27 | 2000-02-22 | Ford Motor Company | Metallic adhesive for forming electronic interconnects at low temperatures |
JP2000082461A (ja) * | 1998-07-06 | 2000-03-21 | Canon Inc | Mg系負極活物質、その製造法、水素吸蔵合金電極およびアルカリ二次電池 |
JP3620703B2 (ja) * | 1998-09-18 | 2005-02-16 | キヤノン株式会社 | 二次電池用負極電極材、電極構造体、二次電池、及びこれらの製造方法 |
TW508862B (en) | 1999-09-09 | 2002-11-01 | Canon Kk | Alkali rechargeable batteries and process for the production of said rechargeable batteries |
CA2287648C (en) | 1999-10-26 | 2007-06-19 | Donald W. Kirk | Amorphous metal/metallic glass electrodes for electrochemical processes |
JP3918450B2 (ja) | 2000-07-05 | 2007-05-23 | 株式会社村田製作所 | 導電粉末の製造方法、導電粉末、導電性ペーストおよび積層セラミック電子部品 |
AU2001293004A1 (en) | 2000-09-25 | 2002-04-08 | Johns Hopkins University | Alloy with metallic glass and quasi-crystalline properties |
JP3564089B2 (ja) | 2001-01-24 | 2004-09-08 | 株式会社ノリタケカンパニーリミテド | 導体ペースト及びその製造方法 |
JP3860445B2 (ja) | 2001-04-19 | 2006-12-20 | 独立行政法人科学技術振興機構 | Cu−Be基非晶質合金 |
JP2003013103A (ja) | 2001-06-26 | 2003-01-15 | Murata Mfg Co Ltd | 導電粉末の製造方法、導電粉末、導電性ペーストおよび積層セラミック電子部品 |
CN1316509C (zh) | 2001-09-06 | 2007-05-16 | 诺利塔克股份有限公司 | 导体组合物及其制造方法 |
CN1204570C (zh) | 2002-03-01 | 2005-06-01 | 北京科技大学 | 具有超大过冷区间的稀土铁基软磁金属玻璃 |
KR20040002317A (ko) | 2002-06-29 | 2004-01-07 | 풀무원건강생활 주식회사 | 전상온도유화 방식을 이용한 Pseudomicroemulsion의제조공정 및 조성물 |
JP3963802B2 (ja) | 2002-08-30 | 2007-08-22 | 独立行政法人科学技術振興機構 | Cu基非晶質合金 |
JP3913167B2 (ja) | 2002-12-25 | 2007-05-09 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 金属ガラスからなるバルク状のFe基焼結合金軟磁性材料およびその製造方法 |
WO2004111283A1 (en) * | 2003-06-11 | 2004-12-23 | University Of Virginia Patent Foundation | Thermally stable calcium-aluminum bulk amorphous metal with low mass density |
TWI319776B (en) | 2003-07-23 | 2010-01-21 | Silver alloy material, circuit substrate, electronic device, and method for manufacturing circuit substrate | |
JP4439213B2 (ja) | 2003-07-31 | 2010-03-24 | 京セラ株式会社 | 太陽電池素子およびその製造方法 |
JP4064340B2 (ja) | 2003-12-25 | 2008-03-19 | 昭和シェル石油株式会社 | 集積型薄膜太陽電池の製造方法 |
KR20050087249A (ko) | 2004-02-26 | 2005-08-31 | 삼성에스디아이 주식회사 | 나노입자의 페이스트를 이용하여 형성된 전극을 포함하는태양전지 및 그 제조방법 |
KR100583230B1 (ko) | 2004-03-29 | 2006-05-25 | 한국과학기술연구원 | 구리계 비정질 합금 조성물 |
US20050228097A1 (en) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | General Electric Company | Thermally conductive compositions and methods of making thereof |
US20060102228A1 (en) | 2004-11-12 | 2006-05-18 | Ferro Corporation | Method of making solar cell contacts |
JP2007007648A (ja) | 2005-06-30 | 2007-01-18 | Samsung Electronics Co Ltd | 分散剤、それを含むペースト組成物、及びそれを使用して製造される無機素子、並びにそれを含むディスプレイ装置 |
US7628871B2 (en) * | 2005-08-12 | 2009-12-08 | Intel Corporation | Bulk metallic glass solder material |
KR101178053B1 (ko) | 2005-09-27 | 2012-08-30 | 삼성전자주식회사 | 카르복실 에스테르계 분산제 및 그를 포함하는 황화물계 형광체 페이스트 조성물 |
KR101146667B1 (ko) | 2005-11-07 | 2012-05-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 금속산화물 페이스트 조성물 및 그를 이용한 반도체 전극의제조방법 |
US8575474B2 (en) * | 2006-03-20 | 2013-11-05 | Heracus Precious Metals North America Conshohocken LLC | Solar cell contacts containing aluminum and at least one of boron, titanium, nickel, tin, silver, gallium, zinc, indium and copper |
KR100784914B1 (ko) | 2006-05-01 | 2007-12-11 | 학교법인연세대학교 | 다단계 변형이 가능한 이상분리 비정질 합금 |
JP2008010527A (ja) | 2006-06-28 | 2008-01-17 | Sharp Corp | 太陽電池電極用導電性ペースト |
KR101394704B1 (ko) | 2006-06-30 | 2014-05-16 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | 태양 전지의 전극 형성용 조성물 및 그 전극의 형성 방법, 그리고 그 형성 방법에 의해 얻어진 전극을 사용한 태양 전지 |
US20100096014A1 (en) | 2006-12-25 | 2010-04-22 | Hideyo Iida | Conductive paste for solar cell |
US20080196794A1 (en) | 2007-02-20 | 2008-08-21 | Centre National De La Recherche Scientifique Institut National Polytechnique De Grenoble | Bulk metallic glass/metal composites produced by codeformation |
US9580810B2 (en) | 2007-02-27 | 2017-02-28 | Mitsubishi Materials Corporation | Dispersion of metal nanoparticles, method for producing the same, and method for synthesizing metal nanoparticles |
US8309844B2 (en) * | 2007-08-29 | 2012-11-13 | Ferro Corporation | Thick film pastes for fire through applications in solar cells |
JP2009099371A (ja) | 2007-10-17 | 2009-05-07 | Sanyo Special Steel Co Ltd | 燃料電池用電極の製造方法 |
JP2009138266A (ja) | 2007-11-16 | 2009-06-25 | Sanyo Special Steel Co Ltd | 高密度かつ非晶質の金属ガラス粉末焼結体の製造方法およびその焼結体 |
JP5332624B2 (ja) | 2008-01-22 | 2013-11-06 | 三菱マテリアル株式会社 | 金属ナノ粒子分散液及びその製造方法 |
KR101448448B1 (ko) | 2008-02-20 | 2014-10-14 | 주성엔지니어링(주) | 박막형 태양전지 및 그 제조방법 |
US20090211626A1 (en) | 2008-02-26 | 2009-08-27 | Hideki Akimoto | Conductive paste and grid electrode for silicon solar cells |
EP2107136B1 (en) | 2008-03-31 | 2014-12-31 | Permelec Electrode Ltd. | Manufacturing process of electrodes for electrolysis |
US8158504B2 (en) | 2008-05-30 | 2012-04-17 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Conductive compositions and processes for use in the manufacture of semiconductor devices—organic medium components |
CN102292823B (zh) | 2008-06-09 | 2016-05-25 | Sdsu研究基金会 | 有机光伏电池和带三维装配电极阵列的发光二极管 |
JP5224514B2 (ja) | 2008-07-14 | 2013-07-03 | 国立大学法人東北大学 | ナノサイズ金属ガラス構造体 |
TWI423462B (zh) | 2008-10-22 | 2014-01-11 | Ind Tech Res Inst | 矽晶太陽電池之背面電極製造方法 |
JP2010133021A (ja) | 2008-10-31 | 2010-06-17 | Topy Ind Ltd | 溶射用粒子 |
JP5326647B2 (ja) | 2009-02-24 | 2013-10-30 | 三菱マテリアル株式会社 | 太陽電池の電極形成用組成物の製造方法 |
KR101741683B1 (ko) | 2010-08-05 | 2017-05-31 | 삼성전자주식회사 | 도전성 페이스트, 상기 도전성 페이스트를 사용하여 형성된 전극을 포함하는 전자 소자 및 태양 전지 |
US8668847B2 (en) | 2010-08-13 | 2014-03-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Conductive paste and electronic device and solar cell including an electrode formed using the conductive paste |
CN102376379B (zh) | 2010-08-13 | 2016-04-20 | 三星电子株式会社 | 导电糊料及包含用其形成的电极的电子器件和太阳能电池 |
EP2448003A3 (en) | 2010-10-27 | 2012-08-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Conductive paste comprising a conductive powder and a metallic glass for forming a solar cell electrode |
-
2010
- 2010-11-10 EP EP10190652.7A patent/EP2325848B1/en active Active
- 2010-11-10 US US12/943,732 patent/US9984787B2/en active Active
- 2010-11-11 JP JP2010252993A patent/JP2011103301A/ja active Pending
- 2010-11-11 CN CN201010544709XA patent/CN102097153A/zh active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101055776A (zh) * | 2005-04-14 | 2007-10-17 | E.I.内穆尔杜邦公司 | 导电的厚膜组合物、电极和所形成的半导体设备 |
US20080251164A1 (en) * | 2007-04-04 | 2008-10-16 | Boonrat Lohwongwatana | Process for joining materials using bulk metallic glasses |
CN101186128A (zh) * | 2007-10-29 | 2008-05-28 | 福建师范大学 | 一种耐高温高光学反射的导电薄膜及其制备方法 |
CN101359564A (zh) * | 2008-09-16 | 2009-02-04 | 彩虹集团公司 | 抗Ag扩散感光性导电浆料及其制备方法 |
Cited By (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102456428A (zh) * | 2010-10-27 | 2012-05-16 | 三星电子株式会社 | 导电糊、及包括用其形成的电极的电子器件和太阳能电池 |
CN102456428B (zh) * | 2010-10-27 | 2016-01-13 | 三星电子株式会社 | 导电糊、及包括用其形成的电极的电子器件和太阳能电池 |
CN102891213A (zh) * | 2011-06-29 | 2013-01-23 | 屏东科技大学 | 以活性焊料制作的太阳能电池电极及其方法 |
TWI493742B (zh) * | 2011-08-31 | 2015-07-21 | 韓華石油化學股份有限公司 | 利用單步摻雜製程之射極穿透式背電極太陽電池之製造方法 |
CN103477396A (zh) * | 2011-11-11 | 2013-12-25 | 三星电子株式会社 | 导电膏和包括利用该导电膏形成的电极的电子器件和太阳能电池 |
CN104321883A (zh) * | 2011-12-13 | 2015-01-28 | 道康宁公司 | 光伏电池及其形成方法 |
CN102426873A (zh) * | 2011-12-28 | 2012-04-25 | 彩虹集团公司 | 硅太阳能电池正银浆料及其制备方法 |
CN102426873B (zh) * | 2011-12-28 | 2014-12-10 | 彩虹集团公司 | 硅太阳能电池正银浆料及其制备方法 |
CN103514975A (zh) * | 2012-06-27 | 2014-01-15 | 三星电子株式会社 | 导电糊、电极、电子装置和太阳能电池 |
US10074752B2 (en) | 2012-06-27 | 2018-09-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Conductive paste and electronic device and solar cell |
US9978889B2 (en) | 2012-09-27 | 2018-05-22 | Sunpower Corporation | Conductive contact for solar cell |
TWI594444B (zh) * | 2012-09-27 | 2017-08-01 | 太陽電子公司 | 太陽能電池及背接觸式太陽能電池 |
TWI603485B (zh) * | 2012-12-06 | 2017-10-21 | 太陽電子公司 | 用於太陽能電池導電接觸之晶種層 |
TWI489636B (zh) * | 2013-03-13 | 2015-06-21 | Neo Solar Power Corp | 具有金屬堆疊電極之太陽能電池及其製造方法 |
CN104078092A (zh) * | 2013-03-27 | 2014-10-01 | 第一毛织株式会社 | 用于太阳能电池电极的组合物及使用其制作的电极 |
TWI720959B (zh) * | 2014-12-08 | 2021-03-11 | 美商太陽電子公司 | 太陽能電池及其製造方法、用以形成太陽能電池的非導電性區域的漿料 |
CN107438885A (zh) * | 2015-03-27 | 2017-12-05 | 贺利氏德国有限责任两合公司 | 包含有机金属氧化物的导电浆料 |
CN107623765A (zh) * | 2017-08-21 | 2018-01-23 | 东莞华晶粉末冶金有限公司 | 一种具有无线充电功能的电子产品陶瓷后盖及制造方法 |
CN107623765B (zh) * | 2017-08-21 | 2020-10-23 | 东莞华晶粉末冶金有限公司 | 一种具有无线充电功能的电子产品陶瓷后盖及制造方法 |
CN107801298A (zh) * | 2017-12-01 | 2018-03-13 | 绵阳市奇帆科技有限公司 | Pcb线路板印刷铜浆 |
TWI721279B (zh) * | 2017-12-08 | 2021-03-11 | 南韓商三星Sdi股份有限公司 | 太陽能電池 |
CN109273137A (zh) * | 2018-09-30 | 2019-01-25 | 东莞市银屏电子科技有限公司 | 一种太阳能hit电池用低温导电银浆及其制备方法 |
CN109273137B (zh) * | 2018-09-30 | 2021-11-19 | 东莞市银屏电子科技有限公司 | 一种太阳能hit电池用低温导电银浆及其制备方法 |
CN112509727A (zh) * | 2020-11-10 | 2021-03-16 | 广东工业大学 | 一种用于低温共烧陶瓷的内电极铜浆及其制备方法和应用 |
CN112509727B (zh) * | 2020-11-10 | 2022-08-12 | 广东工业大学 | 一种用于低温共烧陶瓷的内电极铜浆及其制备方法和应用 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9984787B2 (en) | 2018-05-29 |
EP2325848A2 (en) | 2011-05-25 |
JP2011103301A (ja) | 2011-05-26 |
EP2325848B1 (en) | 2017-07-19 |
EP2325848A3 (en) | 2011-09-07 |
US20110114170A1 (en) | 2011-05-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102097153A (zh) | 导电浆料和太阳能电池 | |
KR102035253B1 (ko) | 도전성 페이스트 및 태양 전지 | |
CN102376379B (zh) | 导电糊料及包含用其形成的电极的电子器件和太阳能电池 | |
US8715535B2 (en) | Conductive paste and electronic device and solar cell including an electrode formed using the conductive paste | |
US20120037216A1 (en) | Conductive paste and electronic device and solar cell including an electrode formed using the conductive paste | |
US8668847B2 (en) | Conductive paste and electronic device and solar cell including an electrode formed using the conductive paste | |
KR101999795B1 (ko) | 도전성 페이스트, 상기 도전성 페이스트를 사용하여 형성된 전극을 포함하는 전자 소자 및 태양 전지 | |
US9947809B2 (en) | Conductive paste and electronic device and solar cell including an electrode formed using the conductive paste | |
US20130104973A1 (en) | Conductive paste, and electronic device and solar cell including electrode formed using the conductive paste | |
US9039940B2 (en) | Conductive paste and electronic device, and solar cell including an electrode formed using the conductive paste | |
KR101741682B1 (ko) | 도전성 페이스트와 상기 도전성 페이스트를 사용하여 형성된 전극을 포함하는 전자 소자 및 태양 전지 | |
US9105370B2 (en) | Conductive paste, and electronic device and solar cell including an electrode formed using the same | |
US8987586B2 (en) | Conductive paste and electronic device and solar cell including an electrode formed using the conductive paste | |
US9039943B2 (en) | Conductive paste and electronic device and solar cell including an electrode formed using the conductive paste | |
KR101985929B1 (ko) | 도전성 페이스트, 상기 도전성 페이스트를 사용하여 형성된 전극을 포함하는 전자 소자 및 태양 전지 | |
KR20130065446A (ko) | 태양 전지 | |
KR20130065445A (ko) | 도전성 페이스트, 상기 도전성 페이스트를 사용하여 형성된 전극을 포함하는 전자 소자 및 태양 전지 | |
KR101960466B1 (ko) | 도전성 페이스트, 상기 도전성 페이스트를 사용하여 형성된 전극을 포함하는 전자 소자 및 태양 전지 | |
KR20120081920A (ko) | 도전성 페이스트, 상기 도전성 페이스트를 사용하여 형성된 전극을 포함하는 전자 소자 및 태양 전지 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20110615 |