CN102064109A - 薄膜晶体管及其制造方法 - Google Patents

Abstract

一种薄膜晶体管的制造方法，包括：于基板上形成栅极；于基板上形成栅绝缘层以覆盖栅极；于栅绝缘层上形成氧化物半导体层；于氧化物半导体层的部分区域上形成半透光层；以此半透光层为掩模，进行光学退火工艺以使氧化物半导体层转化为一氧化物沟道层以及两个欧姆接触层，其中氧化物沟道层位于半透光层下方，而欧姆接触层位于氧化物沟道层两侧并与氧化物沟道层连接；以及于栅绝缘层与欧姆接触层上形成彼此电性绝缘的源极与漏极。本发明的薄膜晶体管具有稳定的电气特性，且本发明的工艺较为简单，有利于薄膜晶体管的量产。

Description

薄膜晶体管及其制造方法

技术领域

本发明涉及一种薄膜晶体管及其制造方法，且特别涉及一种具有氧化物沟道层的薄膜晶体管及其制造方法。

背景技术

近来环保意识抬头，具有低消耗功率、空间利用效率佳、无辐射、高画质等优越特性的平面显示面板(flat display panels)已成为市场主流。常见的平面显示器包括液晶显示器(liquid crystal displays)、等离子体显示器(plasma displays)、有机电激发光显示器(electroluminescent displays)等。以目前最为普及的液晶显示器为例，其主要是由薄膜晶体管阵列基板、彩色滤光基板以及夹于二者之间的液晶层所构成。在公知的薄膜晶体管阵列基板上，多采用非晶硅(a-Si)薄膜晶体管或低温多晶硅薄膜晶体管作为各个子像素的切换元件。近年来，已有研究指出氧化物半导体(oxide semiconductor)薄膜晶体管相较于非晶硅薄膜晶体管，具有较高的载子移动率(mobility)，而氧化物半导体薄膜晶体管相较于低温多晶硅薄膜晶体管，则具有较佳的临界电压(threat hold voltage，Vth)均匀性。因此，氧化物半导体薄膜晶体管有潜力成为下一代平面显示器的关键元件。

图1A至图1D为公知氧化物半导体薄膜晶体管的制造流程剖面示意图。请依序参考图1A至图1D，首先于基板100上形成缓冲层101，再于缓冲层101上的部分区域形成栅极102，然后于基板100上全面性地形成栅绝缘层104以覆盖栅极102，如图1A所示。接着，于栅绝缘层104上形成氧化物半导体层106，如图1B所示。然后，以光掩模M为掩模，进行准分子激光退火(exaimer laser annealing)工艺，使得氧化物半导体层106中未被光掩模M所遮蔽的部分转化为两个欧姆接触层106b，而氧化物半导体层106中被光掩模M所遮蔽的部分则维持半导体的特性而形成氧化物沟道层106a。欧姆接触层106b位于氧化物沟道层106a两侧并与此氧化物沟道层106a连接，如图1B以及图1C所示。最后，于栅绝缘层104与欧姆接触层106b上分别形成彼此电性绝缘的源极S与漏极D。如此一来，便完成公知氧化物半导体薄膜晶体管的制作。

然而，以上述的工艺所制作的氧化物半导体薄膜晶体管其电气特性(漏极电流与栅极电压的关系)较为不稳定。因此，在公知技术中，为了使上述的氧化物半导体薄膜晶体管的电气特性维持稳定，常于完成上述工艺之后，对氧化物沟道层106a进行退火处理，如高温退火工艺(thermal annealing)或准分子激光退火(excimer laser annealing)工艺，以使氧化物半导体薄膜晶体管的电气特性趋于稳定。然而，此工艺却会使得公知的氧化物半导体薄膜晶体管的工艺变得较为繁复。承上述，如何改善氧化物半导体薄膜晶体管的电气特性但不增加工艺的复杂度，实为研发者关注的问题之一。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术中的缺陷。

本发明提供一种薄膜晶体管，其具有稳定的电气特性。

本发明提供一种薄膜晶体管的制造方法，其有助于薄膜晶体管的量产。

本发明提供一种薄膜晶体管的制造方法，其包括：于基板上形成栅极。接着，于基板上形成栅绝缘层以覆盖栅极。然后，于栅绝缘层上形成氧化物半导体层。之后，于氧化物半导体层的部分区域上形成半透光层。接着，以半透光层为掩模，进行光学退火工艺以使氧化物半导体层转化为一氧化物沟道层以及两个欧姆接触层，其中氧化物沟道层位于半透光层下方，而欧姆接触层位于氧化物沟道层两侧并与氧化物沟道层连接。最后，于栅绝缘层与欧姆接触层上形成彼此电性绝缘的源极与漏极。

本发明提供一种薄膜晶体管的制造方法，其包括：于基板上形成栅极。接着，于基板上形成栅绝缘层以覆盖栅极。然后，于栅绝缘层上形成彼此电性绝缘的源极与漏极。之后，于栅绝缘层、源极以及漏极上形成氧化物半导体层。接着，于氧化物半导体层的部分区域上形成半透光层。最后，以半透光层为掩模，进行一光学退火工艺以使氧化物半导体层转化为一氧化物沟道层以及两个欧姆接触层，其中氧化物沟道层位于半透光层下方，而欧姆接触层位于氧化物沟道层两侧并与氧化物沟道层连接。

本发明提供一种薄膜晶体管，其包括栅极、栅绝缘层、氧化物半导体层、半透光层、源极以及漏极。栅绝缘层覆盖栅极。氧化物半导体层配置于栅绝缘层上且位于栅极上方。氧化物半导体层包括氧化物沟道层以及两个欧姆接触层，其中欧姆接触层位于氧化物沟道层两侧并与氧化物沟道层连接。半透光层位于氧化物沟道层上方。源极与漏极位于栅绝缘层与欧姆接触层上，且源极与漏极彼此电性绝缘。

本发明提供一种薄膜晶体管，其包括栅极、栅绝缘层、源极、漏极、氧化物半导体层以及半透光层。栅绝缘层覆盖栅极。源极与漏极配置于栅绝缘层上且彼此电性绝缘。氧化物半导体层配置于栅绝缘层、源极以及漏极上。氧化物半导体层包括氧化物沟道层以及两个欧姆接触层，其中欧姆接触层位于氧化物沟道层两侧并与氧化物沟道层连接。半透光层位于氧化物沟道层上方。

在本发明的一实施例中，前述的氧化物半导体层的材质包括氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓(IGO)、氧化锡(ZnO)、氧化镉·氧化锗(2CdO·GeO₂)或氧化镍钴(NiCo₂O₄)。

在本发明的一实施例中，前述的半透光层的材质包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氧化钛(TiOx)、三氧化二铟(In2O3)、InGaO3、InGaZnO、SnO2、ZnO、Zn2In2O5、银(Ag)、ZnSnO3、Zn2SnO4或非晶硅(a-Si)。

在本发明的一实施例中，前述的光学退火工艺利用激光照射半透光层以及氧化物半导体层。

在本发明的一实施例中，于前述的光学退火工艺中，激光经过半透光层之后，激光的能量衰减为10％至90％之间。

在本发明的一实施例中，前述的半透光层包括一半透光遮蔽层或一半透光吸收层。

在本发明的一实施例中，前述的欧姆接触层的片电阻为Rs1(Ω/□)，而氧化物沟道层的片电阻为Rs2(Ω/□)，且Rs2/Rs1约为10⁸。

在本发明的一实施例中，前述的欧姆接触层的片电阻Rs1约为10⁴Ω/□，而氧化物沟道层的片电阻Rs2约为10¹²Ω/□。

在本发明的一实施例中，于前述的薄膜晶体管的制造方法中，在形成半透光层之前，还包括于半透光层与氧化物半导体层之间形成一介电层。

本发明的薄膜晶体管具有稳定的电气特性，且本发明的工艺较为简单，有利于薄膜晶体管的量产。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1A至图1D为公知的氧化物半导体薄膜晶体管制造流程剖面示意图。

图2A至图2E为本发明的第一实施例的薄膜晶体管制造流程剖面示意图。

图2F至图2H为本发明的第一实施例的薄膜晶体管部分制造流程剖面示意图。

图2E、图2H为本发明的第一实施例的薄膜晶体管剖面示意图。

图2I为本发明的一实施例的薄膜晶体管剖面示意图。

图3A至图3E为本发明的第二实施例的薄膜晶体管制造流程剖面示意图。

图3G至图3H为本发明的第二实施例的薄膜晶体管部分制造流程剖面示意图。

图3E、图3H为本发明的第二实施例的薄膜晶体管剖面示意图。

图3F为本发明的一实施例的薄膜晶体管剖面示意图。

其中，附图标记说明如下：

100、200：基板

101：缓冲层

102、202：栅极

104、204：栅绝缘层

106、206：氧化物半导体层

106a、206a：氧化物沟道层

106b、206b：欧姆接触层

207：介电层

208：半透光层

S、S’：源极

D、D’：漏极

M：掩模

L：激光

TFT：薄膜晶体管

具体实施方式

【第一实施例】

图2A至图2E为本实施例的薄膜晶体管制造流程剖面示意图。首先，请参照图2A，于基板200上形栅极202。接着，于基板200上全面性地形成栅绝缘层204以覆盖栅极202。在本实施例中，基板200的材质例如为玻璃、石英、有机聚合物、不透光/反射材料(如导电材料、晶片、陶瓷等)或是其它合适的材料。

在本实施例中，栅极202的材料一般是金属材料。但，本发明不限于此，在其他实施例中，栅极202的材料也可以使用其他导电材料，如合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物或是金属材料与其它导材料的堆叠层。此外，本实施例的栅绝缘层204的材质例如为无机介电材料(如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或上述至少二种材料的堆叠层)、有机介电材料或上述有机与无机介电材料的组合，但本发明不限于此。

接着请参照图2B，于栅绝缘层204上的部分区域形成氧化物半导体层206。在本实施例中，氧化物半导体层206的材质例如为非晶硅的氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓(IGO)、氧化锡(ZnO)、氧化镉、氧化锗(2CdO·GeO₂)、氧化镍钴(NiCo₂O₄)或其他合适的材料。

接着请参照图2C，于氧化物半导体层206的部分区域上形成半透光层208。在本实施例中，半透光层例如为半透光遮蔽层，以遮蔽部分入射光。但，本发明不限于此，在其他实施例中，半透光层亦可为半透光吸收层，以吸收部分入射光。在本实施例中，半透光层208的材质例如为氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氧化钛(TiOx)、三氧化二铟(In2O3)、InGaO3、InGaZnO、SnO2、ZnO、Zn2In2O5、银(Ag)、ZnSnO3、Zn2SnO4或非晶硅(a-Si)，但本发明不限于此。

接着请参照图2C以及图2D，以上述的半透光层208为掩模，进行光学退火工艺以使氧化物半导体层206转化为氧化物沟道层206a以及两个欧姆接触层206b，如图2C以及图2D所示。更详细地说，本实施例的光学退火工艺例如是利用激光L照射半透光层208以及氧化物半导体层206，其中被未半透光层208遮蔽的部分氧化物半导体层206其可接收的激光L能量较大(约等于原入射的激光L能量)，而被半透光层208遮蔽的氧化物半导体层206，其可接收到的激光L能量较小。举例而言，被半透光层208所遮蔽的氧化物半导体层206，其可接收到的激光L能量为原入射激光L能量的10％至90％之间。

在本实施例中，接收能量较大的激光L的部分氧化物半导体层206可转化为阻值较低的欧姆接触层206b，而部分被能量较小的激光L照射的氧化物半导体层206则为电气特性稳定的氧化物沟道层206a，如图2D所示。更进一步地说，若本实施例的欧姆接触层206b的片电阻为Rs1(Ω/□)，而氧化物沟道层206a的片电阻为Rs2(Ω/□)，则氧化物沟道层206a的片电阻Rs2与欧姆接触层206b的片电阻为Rs1(Ω/□)的比值(Rs2/Rs1)约为10⁸。更详细地说，在本实施例中，欧姆接触层206b的片电阻Rs1例如约为10⁴Ω/□，而氧化物沟道层206a的片电阻Rs2例如约为10¹²Ω/□。

值得注意的是，在本实施例中，可通过部分氧化物半导体层206上的半透光层208，使得被半透光层208遮蔽的氧化物半导体层206与未被半透光层208遮蔽的氧化物半导体层206可同时接收到不同能量的激光L。因此，本实施例可同时形成电气特性良好的氧化物沟道层206a以及低阻值的欧姆接触层206b。此外，本实施例的半透光层208的厚度或组成可被适当地调整以改变其令激光L能量衰减的能力，进而使得氧化物沟道层206a的电气特性可被最佳化(optimized)。

接着请参照图2E，于部分栅绝缘层204与欧姆接触层206b上分别形成彼此电性绝缘源极S’与漏极D’。在本实施例中，彼此电性绝缘的源极S’与漏极D’可分别通过位于其下的欧姆接触层206b与氧化物沟道层206a形成一良好的欧姆接触(ohmic contact)。在本实施例中，源极S’与漏极D’的材料一般是金属材料。但，本发明不限于此，在其他实施例中，源极S’与漏极D’的材料也可以使用其他导电材料，如合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物或是金属材料与其它导材料的堆叠层。

在完成源极S’与漏极D’的制作之后，便初步完成了本实施例的薄膜晶体管TFT的制作。

由图2E可清楚得知，本实施例的薄膜晶体管TFT包括栅极202、栅绝缘层204、氧化物半导体层206、半透光层208、源极S’以及漏极D’。栅绝缘层204覆盖栅极202。氧化物半导体层206包括氧化物沟道层206a以及两个欧姆接触层206b，其中欧姆接触层206b位于氧化物沟道层206a两侧并与氧化物沟道层206a连接。氧化物半导体层206配置于栅绝缘层204上且氧化物沟道层206a位于栅极202上方。半透光层208位于氧化物沟道层206a上方。源极S’与漏极D’，位于栅绝缘层204与欧姆接触层206b上，且源极S’与漏极D’彼此电性绝缘。

另外，本实施例可在形成半透光层208之前，于半透光层208与氧化物半导体层206之间形成介电层207，如图2F所示。在本实施例中，介电层207的材质可为一透明的介电材料，例如为氧化硅(SiOx)，但本发明不限于此。

接着，以上述的半透光层208为掩模进行光学退火工艺，以使氧化物半导体层206转化为氧化物沟道层206a以及两个欧姆接触层206b，如图2F以及图2G所示。

接着请参考图2H，本实施例亦可于部分栅绝缘层204上的欧姆接触层206b上分别形成彼此电性绝缘的源极S’与漏极D’。当然，在其他实施例中，亦可在完成源极S’与漏极D’的制作后，选择性地将半透光层208去除，而形成如图2I所示的薄膜晶体管TFT。

由图2H可清楚得知，本实施例的薄膜晶体管TFT亦可包括栅极202、栅绝缘层204、氧化物半导体层206、介电层207、半透光层208、源极S’以及漏极D’。栅绝缘层204覆盖栅极202。氧化物半导体层206包括氧化物沟道层206a以及两个欧姆接触层206b，其中欧姆接触层206b位于氧化物沟道层206a两侧并与氧化物沟道层206a连接。氧化物半导体层206配置于栅绝缘层204上且氧化物沟道层206a位于栅极202上方。介电层207位于氧化物沟道层206a之上，而半透光层208位于氧化物沟道层206a与介电层207上方。此外，源极S’与漏极D’位于部分栅绝缘层204之上的欧姆接触层206b之上，并与介电层207连接，且源极S’与漏极D’彼此电性绝缘。

【第二实施例】

图3A至图3E为本实施例的薄膜晶体管制造流程剖面示意图。本实施例的薄膜晶体管其各组成可使用的材料与第一实施例相同，以下就不再重述。

首先，请参照图3A，于基板200上形一栅极202。接着，于基板200上全面性地形成栅绝缘层204以覆盖栅极202。

接着请参照图3B，于栅绝缘层204上的部分区域形成彼此电性绝缘的源极S’与漏极D’。

接着请参照图3C，于栅绝缘层204、源极S’以及漏极D’上形成氧化物半导体层206。换句话说，本实施例的氧化物半导体层206覆盖栅极202上方的部分栅绝缘层204、部分的源极S’以及部分的漏极D’。

接着请参照图3D，于氧化物半导体层206的部分区域上形成半透光层208。

接着请参照图3D以及图3E，以上述的半透光层208为掩模，进行光学退火工艺以使氧化物半导体层206转化为氧化物沟道层206a以及两个欧姆接触层206b，如图3D以及图3E所示。更详细地说，本实施例的光学退火工艺例如是利用激光L照射半透光层208以及氧化物半导体层206。其中，被未半透光层208遮蔽的部分氧化物半导体层206，其可接收的激光L能量较大(约等于原入射的激光L能量)，而被半透光层208遮蔽的氧化物半导体层206，其可接收到的激光L能量较小。举例而言，被半透光层208所遮蔽的氧化物半导体层206，其可接收到的激光L能量为原入射激光L能量的10％至90％之间。

在本实施例中，接收能量较大的激光L的部分氧化物半导体层206可转化为阻值较低的欧姆接触层206b，而接收能量较小的激光L的部分氧化物半导体层206则为电气特性稳定的氧化物沟道层206a，如图3E所示。更进一步地说，若本实施例的欧姆接触层206b的片电阻为Rs1(Ω/□)，而氧化物沟道层206a的片电阻为Rs2(Ω/□)，则氧化物沟道层206a的片电阻Rs2与欧姆接触层206b的片电阻为Rs1(Ω/□)的比值(Rs2/Rs1)约为10⁸。更详细地说，在本实施例中，欧姆接触层206b的片电阻Rs1例如约为10⁴Ω/□，而氧化物沟道层206a的片电阻Rs2例如约为10¹²Ω/□。

值得注意的是，在本实施例中，亦可通过部分氧化物半导体层206上的半透光层208，使得被半透光层208遮蔽的氧化物半导体层206与未被半透光层208遮蔽的氧化物半导体层206可同时接收到不同能量的激光L。因此，本实施例可同时形成电气特性良好的氧化物沟道层206a以及低阻值的欧姆接触层206b。此外，本实施例的半透光层208的厚度或组成亦可被适当得调整以改变其令激光L能量衰减的能力，进而使得氧化物沟道层206a的电气特性可被最佳化(optimized)。

在完成氧化物沟道层206a与欧姆接触层206b的制作之后，便初步完成了本实施例的薄膜晶体管TFT的制作。当然，在其他实施例中，亦可在完成氧化物沟道层206a与欧姆接触层206b的制作后，选择性地将光阻层208去除，而形成如图3F所示的薄膜晶体管TFT。

由图3E可清楚得知，本实施例的薄膜晶体管TFT可包括栅极202、栅绝缘层204、氧化物半导体层206、半透光层208、源极S以及漏极D。栅绝缘层204覆盖栅极202。源极S’与漏极D’配置于部分栅绝缘层204上且彼此电性绝缘。氧化物半导体层206配置于栅绝缘层204、源极S’以及漏极D’上。氧化物半导体层206包括一氧化物沟道层206a以及两个欧姆接触层206b。其中，欧姆接触层206b位于氧化物沟道层206a两侧并与氧化物沟道层206连接。并且，两欧姆接触层206b分别与源极S’以及漏极D’连接。半透光层208位于氧化物沟道层206上方。

另外，在本实施例亦可在形成半透光层208之前，于半透光层208与氧化物半导体层206之间形成介电层207，如图3G所示。接着，以上述的半透光层208为掩模并通过介电层207，进行光学退火工艺亦可使氧化物半导体层206转化为氧化物沟道层206a以及两个欧姆接触层206b，如图3G以及图3H所示。

由图3H可清楚得知，本实施例的薄膜晶体管TFT亦可包括栅极202、栅绝缘层204、氧化物半导体层206、介电层207、半透光层208、源极S’以及漏极D’。栅绝缘层204覆盖栅极202。源极S’与漏极D’配置于栅绝缘层204上且彼此电性绝缘。氧化物半导体层206配置于栅绝缘层204、源极S’以及漏极D’上。氧化物半导体层206包括一氧化物沟道层206a以及两个欧姆接触层206b。其中，欧姆接触层206b位于氧化物沟道层206a两侧并与氧化物沟道层206连接。并且，两欧姆接触层206b分别与源极S’以及漏极D’连接。介电层207位于氧化物沟道层206a、欧姆接触层206b、源极S’、漏极D’以及部分栅绝缘层204之上。半透光层208位于介电层207与氧化物沟道层206a的部分区域上方。

综上所述，本发明通过一半透光层，可同时形成电气特性良好的氧化物沟道层以及低阻值的欧姆接触层。因此，本发明的薄膜晶体管的电气特性以及量产性可被兼顾。

虽然本发明已以实施例公开如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中的技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围当视随附的权利要求所界定的保护范围为准。

Claims (20)

1.一种薄膜晶体管的制造方法，包括：

于一基板上形成一栅极；

于该基板上形成一栅绝缘层以覆盖该栅极；

于该栅绝缘层上形成一氧化物半导体层；

于该氧化物半导体层的部分区域上形成一半透光层；

以该半透光层为掩模，进行一光学退火工艺以使该氧化物半导体层转化为一氧化物沟道层以及两个欧姆接触层，其中该氧化物沟道层位于该半透光层下方，而所述两个欧姆接触层位于该氧化物沟道层两侧并与该氧化物沟道层连接；以及

于该栅绝缘层与所述两个欧姆接触层上形成彼此电性绝缘的一源极与一漏极。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其中该氧化物半导体层的材质包括氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓(IGO)、氧化锡(ZnO)，氧化镉·氧化锗(2CdO·GeO₂)或氧化镍钴(NiCo₂O₄)。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其中该半透光层的材质包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氧化钛(TiOx)、三氧化二铟(In2O3)、InGaO3、InGaZnO、SnO2、ZnO、Zn2In2O5、银(Ag)、ZnSnO3、Zn2SnO4或非晶硅(a-Si)。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其中该光学退火工艺利用一激光照射该半透光层以及该氧化物半导体层。

5.如权利要求4所述的薄膜晶体管的制造方法，其中该激光经过该半透光层之后，该激光的能量衰减为10％至90％之间。

6.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其中该半透光层包括一半透光遮蔽层或一半透光吸收层。

7.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其中所述两个欧姆接触层的片电阻为Rs1，而氧化物沟道层的片电阻为Rs2，且Rs2/Rs1约为10⁸。

8.如权利要求7所述的薄膜晶体管的制造方法，其中Rs1约为10⁴Ω/□，而Rs2约为10¹²Ω/□。

9.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，在形成该半透光层之前，还包括于该半透光层与该氧化物半导体层之间形成一介电层。

10.一种薄膜晶体管的制造方法，包括：

于一基板上形成一栅极；

于该基板上形成一栅绝缘层以覆盖该栅极；

于该栅绝缘层上形成彼此电性绝缘的一源极与一漏极；

于该栅绝缘层、该源极以及该漏极上形成一氧化物半导体层；

于该氧化物半导体层的部分区域上形成一半透光层；以及

以该半透光层为掩模，进行一光学退火工艺以使该氧化物半导体层转化为一氧化物沟道层以及两个欧姆接触层，其中该氧化物沟道层位于该半透光层下方，而所述两个欧姆接触层位于该氧化物沟道层两侧并与该氧化物沟道层连接。

11.如权利要求10所述的薄膜晶体管的制造方法，其中该氧化物半导体层的材质包括氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓(IGO)、氧化锡(ZnO)，氧化镉·氧化锗(2CdO·GeO₂)或氧化镍钴(NiCo₂O₄)。

12.如权利要求10所述的薄膜晶体管的制造方法，其中该半透光层的材质包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氧化钛(TiOx)、三氧化二铟(In2O3)、InGaO3、InGaZnO、SnO2、ZnO、Zn2In2O5、银(Ag)、ZnSnO3、Zn2SnO4或非晶硅(a-Si)。

13.如权利要求10所述的薄膜晶体管的制造方法，其中该光学退火工艺利用一激光照射该半透光层以及该氧化物半导体层。

14.如权利要求13所述的薄膜晶体管的制造方法，其中该激光经过该半透光层之后，该激光的能量衰减为10％至90％之间。

15.如权利要求10所述的薄膜晶体管的制造方法，其中该半透光层包括一半透光遮蔽层或一半透光吸收层。

16.如权利要求10所述的薄膜晶体管的制造方法，其中所述两个欧姆接触层的片电阻为Rs1，而氧化物沟道层的片电阻为Rs2，且Rs2/Rs1约为10⁸。

17.如权利要求16所述的薄膜晶体管的制造方法，其中Rs1约为10⁴Ω/□，而Rs2约为10¹²Ω/□。

18.如权利要求10所述的薄膜晶体管的制造方法，在形成该半透光层之前，还包括于该半透光层与该氧化物半导体层之间形成一介电层。

19.一种薄膜晶体管，包括：

一栅极；

一栅绝缘层，覆盖该栅极；

一氧化物半导体层，配置于该栅绝缘层上且位于该栅极上方，该氧化物半导体层包括一氧化物沟道层以及两个欧姆接触层，所述两个欧姆接触层位于该氧化物沟道层两侧并与该氧化物沟道层连接；

一半透光层，位于该氧化物沟道层上方；以及

一源极与一漏极，位于该栅绝缘层与所述两个欧姆接触层上，且该源极与该漏极彼此电性绝缘。

20.一种薄膜晶体管，包括：

一栅极；

一栅绝缘层，覆盖该栅极；

一源极与一漏极，配置于该栅绝缘层上且彼此电性绝缘；

一氧化物半导体层，配置于该栅绝缘层、该源极以及该漏极上，该氧化物半导体层包括一氧化物沟道层以及两个欧姆接触层，所述两个欧姆接触层位于该氧化物沟道层两侧并与该氧化物沟道层连接；以及

一半透光层，位于该氧化物沟道层上方。

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