CN102023488A - 监测光刻工艺曝光机的能量偏移的方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种监测光刻工艺曝光机的能量偏移的方法。该方法首先得到曝光机能量正常的情况下曝光能量所对应的曝光并显影后光刻胶膜的厚度；然后在对曝光机的能量进行监测时，以低于曝光阈值的能量对晶圆上形成的光刻胶膜进行曝光，显影，然后测量显影后光刻胶膜的厚度；将显影后光刻胶膜的厚度与曝光机能量正常的情况下该低于曝光阈值的能量所对应的曝光并显影后光刻胶膜的厚度进行比较；然后，根据比较结果判断当前曝光机的能量是否出现偏移。由于曝光并显影后光刻胶膜的厚度对所使用的曝光能量很敏感，因此该方法显著提高了对曝光机能量监测的灵敏度和准确度。

Description

监测光刻工艺曝光机的能量偏移的方法

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，具体涉及一种监测光刻工艺曝光机的能量偏移的方法。

背景技术

光刻工艺是通过一系列生产步骤将晶圆表面薄膜的特定部分除去的工艺。在此之后，晶圆表面会留下带有微图形结构的薄膜。

在晶圆的制造过程中，晶体三极管、二极管、电容、电阻和金属层等的各种物理部件在晶圆表面或表层内构成。这些部件是每次在一个掩膜层上生成的，并且结合生成薄膜及通过光刻工艺过程去除特定部分，最终在晶圆上保留特征图形的部分。光刻工艺的目标是根据电路设计的要求，在晶圆表面的正确位置生成尺寸精确且与其它部件正确关联的特征图形。

光刻工艺是所有半导体制造基本工艺中最关键的工艺步骤。光刻工艺决定了器件制造工艺中所有工艺步骤所能形成的最小尺寸，即关键尺寸，例如金属氧化物半导体(MOS)器件中的栅宽。

一般的光刻工艺要经历在晶圆表面涂底胶、旋涂光刻胶、软烘、对准、曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。其中旋涂光刻胶的目的是在晶圆表面建立薄、均匀并且没有缺陷的光刻胶膜。曝光是通过曝光灯或者其它辐射源将图形转移到光刻胶膜上。除了光刻工艺所包括的上述各个工序会影响关键尺寸之外，光刻中用于实现各个工艺步骤的设备参数也会影响整个工艺的关键尺寸，例如用于曝光的曝光机的聚焦和能量。曝光机的能量不同决定关键尺寸也不同，从而使得利用相同工艺参数制作完成的半导体器件的电学性能不均匀。

现有技术中一种监测曝光机能量的方法是利用关键尺寸的变化。但是由于影响关键尺寸变化的因素较多，而要排除其它影响关键尺寸变化的因素很难，因此利用关键尺寸的变化监测曝光机能量的方式准确度也很低，并且实验发现曝光能量的偏移对关键尺寸的影响较小，因此通过关键尺寸对曝光机能量偏移进行监测的灵敏度较低。

另一种监测方案中，通常曝光机包括一个称为能量传感器的模块，从光源发出的光的一部分会进入该模块，该模块对光源发出的光的强度进行连续监测，并根据监测结果控制淘汰发出的光的强度。

即使是这样，在实际的工艺过程中，还是能观察到关键尺寸的变化，并且该变化可以通过对用于曝光的能量进行调节而得到补偿。可见，以上所述的通过能量传感器对曝光能量进行监测的方式准确度低。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种监测光刻工艺曝光机的能量偏移的方法，提高对光刻曝光机能量偏移的监测灵敏度。首先得到曝光机能量正常的情况下曝光能量所对应的曝光并显影后光刻胶膜的厚度，然后在监测曝光机的能量偏移时，该方法包括：在晶圆上形成光刻胶膜；以低于曝光阈值的能量对所述光刻胶膜进行曝光，并显影；测量显影后光刻胶膜的厚度；将显影后光刻胶膜的厚度与曝光机能量正常的情况下该低于曝光阈值的能量所对应的曝光并显影后光刻胶膜的厚度进行比较；根据比较结果判断曝光机的能量是否出现偏移。

优选地，得到曝光机能量正常的情况下曝光能量所对应的曝光并显影后光刻胶膜的厚度包括：在曝光机能量正常的情况下，以多个曝光能量对形成光刻胶膜的晶圆的多个位置进行曝光，并显影；和通过测量所述曝光并显影后光刻胶膜的多个位置的厚度，得到多个曝光能量所对应的曝光并显影后光刻胶膜的厚度。

其中，以多个曝光能量对形成光刻胶膜的晶圆的多个位置进行曝光包括：以步进增加的曝光能量对形成光刻胶膜的晶圆的多个位置进行曝光。

优选地，得到曝光机能量正常的情况下曝光能量所对应的曝光并显影后光刻胶膜的厚度包括：在曝光机能量正常的情况下，以多个曝光能量对形成有相同厚度的光刻胶膜的多个晶圆进行曝光，并显影；和通过测量所述曝光并显影后多个晶圆的光刻胶膜的厚度，得到多个曝光能量所对应的曝光并显影后光刻胶膜的厚度。

其中，以多个曝光能量对形成有相同厚度的光刻胶膜的多个晶圆进行曝光包括：以步进增加的曝光能量对所述多个晶圆进行曝光。

优选地，该方法进一步包括：得到曝光机能量正常的情况下曝光能量与曝光并显影后光刻胶膜的厚度之间的关系；并且在将显影后光刻胶膜的厚度与曝光机能量正常的情况下该低于曝光阈值的能量所对应的曝光并显影后光刻胶膜的厚度进行比较之前，该方法进一步包括：根据曝光机能量正常的情况下曝光能量与曝光并显影后光刻胶膜的厚度之间的关系，得到该低于曝光阈值的能量所对应的曝光并显影后光刻胶膜的厚度。

其中，曝光机能量正常的情况下曝光能量与曝光并显影后光刻胶膜的厚度之间的关系是线性关系。

优选地，该方法进一步包括：得到曝光机能量正常的情况下曝光能量所对应的、光刻胶膜在曝光并显影之后与曝光之前的厚度差；并且将显影后光刻胶膜的厚度与曝光机能量正常的情况下该低于曝光阈值的能量所对应的曝光并显影后光刻胶膜的厚度进行比较是：将光刻胶膜在曝光并显影之后和曝光之前的厚度差与曝光机能量正常的情况下该低于曝光阈值的能量所对应的、光刻胶膜在曝光并显影之后与曝光之前的厚度差进行比较。

其中该方法进一步包括：得到曝光机能量正常的情况下曝光能量与光刻胶膜在曝光并显影之后和曝光之前的厚度差之间的关系；并且在将光刻胶膜在曝光并显影之后和曝光之前的厚度差与曝光机能量正常的情况下该低于曝光阈值的能量所对应的、光刻胶膜在曝光并显影之后与曝光之前的厚度差进行比较之前，该方法进一步包括：根据曝光机能量正常的情况下曝光能量与光刻胶膜在曝光并显影之后和曝光之前的厚度差之间的关系，得到该低于曝光阈值的能量所对应的、光刻胶膜在曝光并显影之后与曝光之前的厚度差。

其中，曝光机能量正常的情况下曝光能量与光刻胶膜在曝光并显影之后和曝光之前的厚度差之间的关系是线性关系。

优选，在晶圆上形成的光刻胶膜的厚度等于在曝光机能量正常的情况下得到曝光能量所对应的曝光并显影后光刻胶膜的厚度时该光刻胶膜在曝光之前的厚度。

与现有技术相比，本发明所提供的技术方案，首先得到曝光机能量正常的情况下曝光能量所对应的曝光并显影后光刻胶膜的厚度；然后在对曝光机的能量进行监测时，以低于曝光阈值的能量对晶圆上形成的光刻胶膜进行曝光，显影，然后测量显影后光刻胶膜的厚度；将显影后光刻胶膜的厚度与曝光机能量正常的情况下该低于曝光阈值的能量所对应的曝光并显影后光刻胶膜的厚度进行比较；然后，根据比较结果判断当前曝光机的能量是否出现偏移。由于曝光并显影后光刻胶膜的厚度对所使用的曝光能量很敏感，因此该方法显著提高了对曝光机能量监测的灵敏度。

附图说明

图1为本发明中监测光刻工艺曝光机的能量偏移的方法流程图；

图2为本发明优选实施例中以多个曝光能量对一个晶圆的多个位置进行曝光的示意图；

图3为本发明优选实施例中多个曝光能量与曝光并显影后光刻胶膜的厚度之间的线性关系；

图4为本发明中低于曝光阈值的能量与曝光并显影后光刻胶膜的厚度之间的线性关系。

具体实施方式

下面结合附图及具体实施例对本发明进行详细说明。

本发明提供的监测光刻工艺曝光机的能量偏移的方法，首先得到曝光机能量正常的情况下曝光能量所对应的曝光并显影后光刻胶膜的厚度，然后在实际对曝光机的能量进行监测时，比较曝光并显影后光刻胶膜的厚度与曝光机能量正常的情况下该低于曝光阈值的能量所对应的曝光并显影后光刻胶膜的厚度，并根据比较结果判断曝光机的能量是否出现偏移。该方法利用低于曝光阈值的能量与曝光并显影后光刻胶膜厚度之间的关系来检测曝光机的能量偏移，提高了曝光机能量监测的灵敏度。

第一实施例：

图1为本发明中监测光刻工艺曝光机的能量偏移的方法流程图。如图1所示，该方法包括以下步骤：

步骤100：得到曝光机能量正常的情况下曝光能量所对应的曝光并显影后光刻胶膜的厚度。

具体来说，本步骤可以包括，在曝光机能量正常的情况下，首先在多个晶圆上形成厚度相同的光刻胶膜，以多个曝光能量形成光刻胶膜的多个晶圆进行曝光并显影，例如可以步进增加的曝光能量对多个晶圆进行曝光；然后，通过测量曝光并显影后多个晶圆的光刻胶膜的厚度，得到多个曝光能量所对应的曝光并显影后光刻胶膜的厚度。

或者，本步骤可以包括，在一个晶圆上形成一定厚度的光刻胶膜，在曝光机能量正常的情况下，以多个曝光能量对该晶圆的多个位置进行曝光并显影；然后，通过测量曝光并显影后光刻胶膜的多个位置的厚度，得到多个曝光能量所对应的曝光并显影后光刻胶膜的厚度。例如可以沿图2所示箭头的方向以步进增加的曝光能量对该晶圆的多个位置进行曝光，并沿该箭头的方向测量曝光并显影后光刻胶膜的厚度。

例如，在上述两种方式中步进增加曝光能量的步长可以是0.1mj。

本步骤中，曝光机能量正常是指在特定的工艺条件下能够得到所需的关键尺寸。

当需要对曝光机的能量偏移进行监测时，即需要判断曝光机的能量是否出现偏移使得在相同的工艺条件下无法得到所需的关键尺寸时，执行以下步骤：

步骤101～步骤103：在晶圆上形成光刻胶膜，以低于曝光阈值的能量对光刻胶膜进行曝光，并显影，然后测量显影后光刻胶膜的厚度。

步骤104：将显影后光刻胶膜的厚度与曝光机能量正常的情况下该低于曝光阈值的能量所对应的曝光并显影后光刻胶膜的厚度进行比较。

步骤105：根据比较结果判断曝光机的能量是否出现偏移。

如果显影后光刻胶膜的厚度与曝光机能量正常的情况下该低于曝光阈值的能量所对应的曝光并显影后光刻胶膜的厚度相同，则确定曝光机的能量没有出现偏移，否则确定曝光机的能量出现偏移。

在上述方案中，可以得到一个曝光能量所对应的曝光并显影后光刻胶膜的厚度，在对曝光机的能量偏移进行监测时，只使用该曝光能量进行监测。也可以得到多个曝光能量所对应的曝光并显影后光刻胶膜的厚度，在对曝光机的能量偏移进行监测时，使用其中的一个曝光能量。此时，可以根据当前曝光并显影后光刻胶膜的厚度，以及该曝光能量所对应的曝光并显影后光刻胶膜的厚度，确定曝光机的能量是否出现偏移；然后，根据其它曝光能量所对应的曝光并显影后光刻胶膜的厚度，大致确定当前曝光机能量的偏移量，从而根据该偏移量对曝光机的能量进行调控。

在该实施例中，实际应用中对曝光机的能量进行监测时在晶圆上形成的光刻胶膜的厚度，即步骤101中形成的光刻胶膜的厚度，与步骤100中获得曝光机能量正常的情况下曝光能量所对应的曝光并显影后光刻胶膜的厚度时所形成的光刻胶膜的厚度可以相同，也可以不同。在厚度不同的情况下，判断是否出现偏移时，需要排除光刻胶本身的厚度差。

第二实施例：

在该实施例中，得到曝光机能量正常的情况下曝光能量所对应的曝光并显影后光刻胶膜的厚度之后，还可以得到曝光能量与曝光并显影后光刻胶膜的厚度之间的关系。图3为本发明优选实施例中多个曝光能量与曝光并显影后光刻胶膜的厚度之间的关系，其中光刻胶的种类是Acetal或ESCAP，曝光前光刻胶膜的厚度为

如图3所示，从多个曝光能量与曝光并显影后光刻胶膜的厚度之间的关系，可以看出这种光刻胶的曝光阈值为大约2.8mj，并且在曝光能量小于曝光阀值的范围内，曝光能量与光刻胶膜的厚度基本为线性关系。在曝光能量小于大约2.6mj时，曝光能量每增加0.1mj，光刻胶膜的厚度就减小约

在曝光能量大于2.6mj并且小于曝光阈值时，光刻胶膜的厚度随曝光能量的增加急剧减小，曝光能量达到阀值时，光刻胶在以该能量曝光之后能够被全部显影。

本实施例中，选取曝光能量在1至2.6mj之间的范围。当然，也可以选取2.6mj至曝光阈值之间的曝光能量。

图4为本发明优选实施例中低于曝光阈值的能量与曝光并显影后光刻胶膜的厚度之间的线性关系。如图3所示，横轴x为曝光能量，单位为mj，纵轴为曝光并显影后光刻胶膜的厚度。从图3可以看出，在1至2.6mj的范围内，多个曝光能量与曝光并显影后光刻胶膜的厚度之间的线性关系可以拟合为：

y＝-300.52x+1975.9。

经计算得出，该拟合的线性关系与实验数据的相似度为0.9951，即R²＝0.9951。可见，上述线性关系与实验数据的相似度很高，基本上可以表示低于阈值的曝光能量与光刻胶膜厚度的实际关系。

在该实施例中，执行步骤104时，首先根据该关系计算出低于曝光阈值的能量所对应的曝光并显影后光刻胶膜的厚度，然后再将显影后光刻胶膜的厚度与计算得到的厚度进行比较。

本实施例的优点在于，在确定曝光机的能量出现偏移的情况下，还可以根据曝光并显影后光刻胶膜的厚度，以及曝光能量与曝光并显影后光刻胶膜的厚度之间的关系，得到曝光机能量的偏移量，并根据该偏移量校准曝光机的能量，从而提高曝光机能量监控的准确度。由上述R²的值可以看出，根据上述线性关系计算得到的曝光机能量的偏移量基本上可以代表曝光机能量实际出现的偏移量，从而使得本发明可以提高曝光机能量监控的准确度。

例如，如果在对曝光机的能量偏移进行监测时，当前所使用的低于曝光阈值的能量是1.7mj，而测量得到的曝光并显影后光刻胶膜的厚度为

根据曝光机能量正常的情况下得到的曝光能量与曝光并显影后光刻胶膜的厚度之间的关系，可以计算出曝光能量为1.7mj时的光刻胶膜的厚度应当是

以上计算得到的两个厚度不相等，因此可以确定曝光机的能量出现偏移。并且得到这两个厚度之间的差值为

因此可以确定曝光机的能量偏小0.1mj。这里就可以根据该偏移值，将曝光机的能量调大0.1mj，从而准确地控制曝光机的能量。

第三实施例：

在本发明的第三优选实施例中，得到曝光机能量正常的情况下曝光能量所对应的曝光并显影后光刻胶膜的厚度之后，计算得到该曝光能量所对应的、光刻胶膜在曝光并显影之后与曝光之前的厚度差。

例如，可以在曝光机能量正常的情况下，在晶圆上形成光刻胶膜，测量得到该光刻胶膜的厚度，即曝光前的光刻胶膜的厚度，然后对该光刻胶膜进行曝光，并显影，测量得到曝光并显影后光刻胶膜的厚度，计算得到曝光能量所对应的、光刻胶膜在曝光并显影之后与曝光之前的厚度差。

或者也可以在曝光机能量正常的情况下，在两个晶圆上形成厚度相同的光刻胶膜，对其中一个晶圆进行曝光并显影，并同时测量另一个晶圆的厚度，得到光刻胶膜在曝光之前的厚度，并测量光刻胶膜在曝光并显影之后的厚度，从而得到曝光能量所对应的、光刻胶膜在曝光并显影之后与曝光之前的厚度差。

在该实施例中，执行步骤104时，首先计算得到光刻胶膜在曝光并显影之后与曝光之前的厚度差，再将该差值与曝光机能量正常的情况下该低于曝光阈值的能量所对应的、光刻胶膜在曝光并显影之后与曝光之前的厚度差进行比较。然后，在步骤105中根据比较结果，判断曝光机的能量是否出现偏移。

第四实施例：

在该实施例中，还可以在第三实施例的基础上，进一步包括得到曝光机能量正常的情况下曝光能量与光刻胶膜在曝光并显影之后和曝光之前的厚度差之间的关系。

例如，可以在一个晶圆上形成光刻胶膜，测量得到该光刻胶膜的厚度，即光刻胶膜在曝光之前的厚度，然后以多个曝光能量对同一个晶圆进行曝光，测量得到不同曝光能量所对应的光刻胶膜的厚度，从而得到多个曝光能量与光刻胶膜在曝光并显影之后和曝光之前的厚度差之间的关系。

或者也可以在曝光机能量正常的情况下，在两个晶圆上形成厚度相同的光刻胶膜，以多个曝光能量对其中一个晶圆进行曝光，并同时测量另一个晶圆的厚度，得到光刻胶膜在曝光之前的厚度，并测量以多个曝光能量曝光的光刻胶膜的厚度，从而得到多个曝光能量与光刻胶膜在曝光并显影之后和曝光之前的厚度差之间的关系。

在该实施例中，执行步骤104时，首先计算得到光刻胶膜在曝光并显影之后和曝光之前的厚度差，并根据多个曝光能量与光刻胶膜在曝光并显影之后和曝光之前的厚度差之间的关系，计算出该低于阈值的能量所对应的光刻胶膜在曝光并显影之后和曝光之前的厚度差，再将以上两个厚度差进行比较。然后，在步骤105中，根据比较结果判断曝光机的能量是否出现偏移。

本实施例的优点在于，在确定曝光机的能量出现偏移的情况下，还可以根据曝光并显影后光刻胶膜的厚度，以及曝光能量与曝光并显影后光刻胶膜的厚度之间的关系，得到曝光机能量的偏移量，并根据该偏移量校准曝光机的能量。

在第三和第四实施例中，由于是利用光刻胶膜在曝光之前与曝光之后的厚度差与曝光机能量正常的情况下同一曝光能量对应的该差值进行比较，因此可以排除涂胶机造成的光刻胶膜涂敷厚度在每次工艺之间不均匀而对监测结果造成的影响，从而进一步提高了曝光机能量监测的准确度。

由以上所述可以看出，本发明所提供的技术方案，首先得到曝光机能量正常的情况下曝光能量所对应的曝光并显影后光刻胶膜的厚度；然后在对曝光机的能量进行监测时，以低于曝光阈值的能量对晶圆上形成的光刻胶膜进行曝光，显影，然后测量显影后光刻胶膜的厚度；将显影后光刻胶膜的厚度与曝光机能量正常的情况下该低于曝光阈值的能量所对应的曝光并显影后光刻胶膜的厚度进行比较，最后根据比较结果判断当前曝光机的能量是否出现偏移。由于曝光并显影后光刻胶膜的厚度对所使用的曝光能量很敏感，因此该方法显著提高了对曝光机能量监测的灵敏度和准确度。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并非用于限定本发明的保护范围。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (13)

1.一种监测光刻工艺曝光机的能量偏移的方法，得到曝光机能量正常的情况下曝光能量所对应的曝光并显影后光刻胶膜的厚度；该方法包括：

在晶圆上形成光刻胶膜；

以低于曝光阈值的能量对所述光刻胶膜进行曝光，并显影；

测量显影后光刻胶膜的厚度；

将显影后光刻胶膜的厚度与曝光机能量正常的情况下该低于曝光阈值的能量所对应的曝光并显影后光刻胶膜的厚度进行比较；

根据比较结果判断曝光机的能量是否出现偏移。

2.如权利要求1所述的监测光刻工艺曝光机的能量偏移的方法，其特征在于，得到曝光机能量正常的情况下曝光能量所对应的曝光并显影后光刻胶膜的厚度包括：

在曝光机能量正常的情况下，以多个曝光能量对形成光刻胶膜的晶圆的多个位置进行曝光，并显影；和

通过测量所述曝光并显影后光刻胶膜的多个位置的厚度，得到多个曝光能量所对应的曝光并显影后光刻胶膜的厚度。

3.如权利要求2所述的监测光刻工艺曝光机的能量偏移的方法，其特征在于，以多个曝光能量对形成光刻胶膜的晶圆的多个位置进行曝光包括：以步进增加的曝光能量对形成光刻胶膜的晶圆的多个位置进行曝光。

4.如权利要求1所述的监测光刻工艺曝光机的能量偏移的方法，其特征在于，得到曝光机能量正常的情况下曝光能量所对应的曝光并显影后光刻胶膜的厚度包括：

在曝光机能量正常的情况下，以多个曝光能量对形成有相同厚度的光刻胶膜的多个晶圆进行曝光，并显影；和

通过测量所述曝光并显影后多个晶圆的光刻胶膜的厚度，得到多个曝光能量所对应的曝光并显影后光刻胶膜的厚度。

5.如权利要求4所述的监测光刻工艺曝光机的能量偏移的方法，其特征在于，以多个曝光能量对形成有相同厚度的光刻胶膜的多个晶圆进行曝光包括：以步进增加的曝光能量对所述多个晶圆进行曝光。

6.如权利要求1至5中任一项所述的监测光刻工艺曝光机的能量偏移的方法，其特征在于，该方法进一步包括：得到曝光机能量正常的情况下曝光能量与曝光并显影后光刻胶膜的厚度之间的关系；

在将显影后光刻胶膜的厚度与曝光机能量正常的情况下该低于曝光阈值的能量所对应的曝光并显影后光刻胶膜的厚度进行比较之前，该方法进一步包括：根据曝光机能量正常的情况下曝光能量与曝光并显影后光刻胶膜的厚度之间的关系，得到该低于曝光阈值的能量所对应的曝光并显影后光刻胶膜的厚度。

7.如权利要求6所述的监测光刻工艺曝光机的能量偏移的方法，其特征在于，曝光机能量正常的情况下曝光能量与曝光并显影后光刻胶膜的厚度之间的关系是线性关系。

8.如权利要求6所述的监测光刻工艺曝光机的能量偏移的方法，其特征在于，该方法进一步包括：

根据曝光并显影后光刻胶膜的厚度，以及曝光机能量正常的情况下曝光能量与曝光并显影后光刻胶膜的厚度之间的关系，得到曝光机能量的偏移量，并根据该偏移量校准曝光机的能量。

9.如权利要求1至5中任一项所述的监测光刻工艺曝光机的能量偏移的方法，其特征在于，

该方法进一步包括：得到曝光机能量正常的情况下曝光能量所对应的、光刻胶膜在曝光并显影之后与曝光之前的厚度差；

将显影后光刻胶膜的厚度与曝光机能量正常的情况下该低于曝光阈值的能量所对应的曝光并显影后光刻胶膜的厚度进行比较是：将光刻胶膜在曝光并显影之后和曝光之前的厚度差与曝光机能量正常的情况下该低于曝光阈值的能量所对应的、光刻胶膜在曝光并显影之后与曝光之前的厚度差进行比较。

10.如权利要求9所述的监测光刻工艺曝光机的能量偏移的方法，其特征在于，

该方法进一步包括：得到曝光机能量正常的情况下曝光能量与光刻胶膜在曝光并显影之后和曝光之前的厚度差之间的关系；

在将光刻胶膜在曝光并显影之后和曝光之前的厚度差与曝光机能量正常的情况下该低于曝光阈值的能量所对应的、光刻胶膜在曝光并显影之后与曝光之前的厚度差进行比较之前，该方法进一步包括：根据曝光机能量正常的情况下曝光能量与光刻胶膜在曝光并显影之后和曝光之前的厚度差之间的关系，得到该低于曝光阈值的能量所对应的、光刻胶膜在曝光并显影之后与曝光之前的厚度差。

11.如权利要求10所述的监测光刻工艺曝光机的能量偏移的方法，其特征在于，曝光机能量正常的情况下曝光能量与光刻胶膜在曝光并显影之后和曝光之前的厚度差之间的关系是线性关系。

12.如权利要求10所述的监测光刻工艺曝光机的能量偏移的方法，其特征在于，该方法进一步包括：

根据曝光并显影后光刻胶膜的厚度，以及曝光机能量正常的情况下曝光能量与光刻胶膜在曝光并显影之后和曝光之前的厚度差之间的关系，得到曝光机能量的偏移量，并根据该偏移量校准曝光机的能量。

13.如权利要求1所述的监测光刻工艺曝光机的能量偏移的方法，其特征在于，在晶圆上形成的光刻胶膜的厚度等于在曝光机能量正常的情况下得到曝光能量所对应的曝光并显影后光刻胶膜的厚度时该光刻胶膜在曝光之前的厚度。

Images