CN100428058C - 光刻机投影物镜奇像差原位检测方法 - Google Patents

Abstract

一种光刻机投影物镜奇像差原位检测方法，该方法根据不同离焦量下测量得到的成像位置偏移量，实现了对奇像差中波前倾斜、彗差、三波差的同时精确测量。与在先技术相比，本发明基于离焦量的改变来检测奇像差，避免了对光刻机投影物镜多种不同的数值孔径、部分相干因子的优化工作，检测过程简单。由于灵敏度系数的变化范围增大，本发明方法提高了所述奇像差的检测精度。

Description

光刻机投影物镜奇像差原位检测方法

技术领域

本发明涉及光刻机，特别是一种光刻机投影物镜奇像差原位检测方法，特别涉及光刻机投影物镜奇像差中波前倾斜、彗差、三波差的原位检测方法。

背景技术

在集成电路制造设备中，用于光学光刻的投影光刻机是公知的。在投影光刻机中，曝光光束照明刻有集成电路图形的掩模，掩模经过投影物镜成像在基板上，使涂覆在基板上的光刻胶被曝光。

随着半导体集成电路集成度的提高，对光刻分辨率与套刻精度的要求越来越高。投影物镜的像差是影响光刻分辨率与套刻精度的一个重要因素。投影物镜的像差通常使用波像差表示，波像差可分解为泽尼克多项式的形式。按照泽尼克多项式分解的波像差可分为偶像差与奇像差两类。奇像差包括波前倾斜、彗差与三波差等。随着光刻特征尺寸的不断减小，尤其是离轴照明等光刻分辨率增强技术的使用，投影物镜奇像差对光刻分辨率与套刻精度的影响变得越来越突出。因此高精度的光刻机投影物镜奇像差原位检测技术不可或缺。

DAMIS(Displacement At Multiple Illumination Settings)是一种基于设置投影物镜的数值孔径、部分相干因子的像差检测技术，可以原位检测光刻机投影物镜奇像差中的彗差(参见在先技术[1]，Joost Sytsma，Hans vander Laan，Marco Moers，Rob Willekers.“Improved Imaging Metrology Neededfor Advanced Lithography”.Semiconductor international 2001，4)。在先技术[1]中，首先设置不同的投影物镜的数值孔径、部分相干因子，将具有多个测试标记的掩模曝光在涂有光刻胶的基板上。掩模上任一测试标记的结构如图1所示。对基板进行后烘与显影后，基板上的光刻胶上形成掩模测试标记的图形。通过光刻机中的光学对准***对这些图形进行对准，得到掩模测试标记的成像位置(X，Y)，与理想位置相比后得到成像位置偏移量(ΔX，ΔY)。然后利用光刻仿真软件确定不同的数值孔径、部分相干因子下的灵敏度系数。根据不同数值孔径、部分相干因子下得到不同的成像位置偏移量及灵敏度系数，利用特定的数学模型与算法得到表征投影物镜彗差的泽尼克系数Z₇，Z₈，Z₁₄，Z₁₅。DAMIS利用光刻机固有的硬件与功能检测像差，无需增加额外硬件，实现了光刻机投影物镜彗差的原位检测，检测方法简单、直接。遗憾的是此方法检测前要对投影物镜的数值孔径、部分相干因子进行优化工作，检测过程中需要重复设置多种不同的数值孔径、部分相干因子，检测过程复杂；同时，随着光刻分辨率的提高，DAMIS逐渐无法满足投影物镜奇像差在检测精度与检测速度上的需要。

发明内容

针对在先技术[1]存在的上述不足，本发明提供一种高精度的光刻机投影物镜奇像差原位检测方法。

该方法基于成像平面离焦量的改变实现了对光刻机投影物镜奇像差中波前倾斜、彗差、三波差的同时高精度原位检测。解决了在先技术[1]中检测过程复杂、检测精度低且检测速度慢的问题。

本发明的技术解决方案如下：

一种光刻机投影物镜奇像差原位检测方法，该方法包括以下步骤：

①开启光刻机光源，调整光刻机工件台，使工件台承载的基板位于具有一定离焦量的位置处；

②所述光源发出的光束经过光刻机照明***调整后，照射在掩模上；该掩模上的测试标记经投影物镜成像在所述基板上，曝光后获得具有该离焦量的测试标记的潜影图像；

③改变基板的离焦量Δf，重复上述步骤②，在基板上获得具有一系列不同离焦量的测试标记的潜影图像；

④将曝光后的基板后烘显影后，利用光刻机的光学对准***测量基板上掩模测试标记图形的成像位置，与掩模测试标记图形的理论成像位置相比较，得到所述的基板在一系列离焦量的条件下掩模测试标记的成像位置的偏移量(ΔX_i，ΔY_i)；

⑤根据所述离焦位置的成像位置偏移量(ΔX_i，ΔY_i)确定奇像差的灵敏度系数S；

⑥利用所述成像位置偏移量(ΔX_i，ΔY_i)与灵敏度系数S，通过Z_k＝S^-1·ΔX_i计算出光刻机投影物镜奇像差Z_k，所述的i和k为大于或等于1的正整数。。

所述的确定奇像差的灵敏度系数S的过程，包括以下步骤：

①选定泽尼克系数中的一项泽尼克系数Z_k与相应该泽尼克系数的数值x，根据所选定的一系列离焦位置，利用光刻仿真软件进行仿真逐步获得该泽尼克系数Z_k下一系列成像位置仿真偏移量(Δx_i，Δy_i)；

②利用成像位置仿真偏移量(Δx_i，Δy_i)，根据S_i＝Δx_i/x计算出奇像差的灵敏度系数S_i，所述的i和k为大于或等于1的正整数。

所述的工件台承载的基板的一系列的离焦量为焦面附近选定的离焦范围以内，以一定离焦步进量为间隔的若干个离焦量，其个数应大于4。

所述的掩模测试标记包含一组水平密集线条与一组垂直密集线条，掩模测试标记的周期与所述光学对准***使用的对准标记周期相同。

所述的掩模测试标记的数量有5个或5个以上，且在曝光视场内均匀分布。

本发明具有以下优点：

1、与在先技术[1]相比，本发明采用的不同离焦量下成像位置偏移量相对于所述奇像差的灵敏度系数变化范围增大，提高了所述奇像差的检测精度。

2、与在先技术[1]相比，本发明采用的测试标记使用一组水平与垂直密集线条代替了在先技术[1]中两组水平与垂直密集线条，提高了利用对准***检测掩模测试标记的成像位置的速度，从而提高了奇像差的检测速度。

3、与在先技术[1]相比，本发明提出的投影物镜奇像差原位检测方法基于成像平面的离焦来原位检测投影物镜的奇像差，奇像差的检测精度不受投影物镜的数值孔径、部分相干因子设置的限制与影响。

4、与在先技术[1]相比，本发明避免了在检测之前对多种数值孔径、部分相干因子进行优化工作，检测时无需重复设置多种不同的数值孔径、部分相干因子，检测过程简单。

附图说明

图1在先技术[1]中所述测试标记的结构示意图；

图2投影光刻机结构示意图；

图3本发明提出的投影物镜奇像差检测技术的检测流程图；

图4本发明所述掩模上任一测试标记的结构示意图；

图5本发明不同离焦量下得到的灵敏度系数变化曲线；

具体实施方式

下面通过实施例对本发明作进一步说明。

本发明应用在如图2所示的投影光刻机中，该光刻机主要包括：产生曝光光束的光源1，用于调整光源1发出光束光强分布的照明***2，将掩模3上图形成像在基板7上的投影物镜5，承载掩模3并可精确定位的掩模台4，工件台8，用于承载基板7并可精确调整所述基板7的离焦量，用于测量基板7上光刻胶上图形的光学对准***6。

本发明投影物镜奇像差原位检测方法的检测过程如图3所示，经准备工作10后，进入成像位置偏移量获取过程100、灵敏度系数标定过程200与数据处理过程300。成像位置偏移量获取过程100、灵敏度系数确定过程200与数据处理过程300的具体操作步骤如下：

成像位置偏移量获取过程100：

(11)测试工艺条件的确定：指光刻胶类型、光刻胶厚度、后烘温度、后烘时间、显影时间等条件，与一般光刻情况相同；

(12)测试曝光：调整工件台8，使工件台8承载的基板7位于离焦量Δf₁下；光源1发出的光束经照明***2照射于掩模3，掩模3上的测试标记经投影物镜5成像在涂有光刻胶的基板7上；选择离焦步进量为Δf，在离焦量分别为Δf₁+Δf、Δf₁+2Δf、Δf₁+3Δf、Δf₁+4Δf下，将掩模测试标记曝光在处于一系列离焦位置的涂有光刻胶的基板7上；

(13)工艺处理：将上述步骤(12)中被曝光的基板7进行后烘或后烘后显影；

(14)光学对准测量：利用光学对准***6分别对上述步骤(13)中的基板7上光刻胶上的掩模测试标记的图形进行对准，得到掩模测试标记在不同离焦量下的成像位置，记为(X，Y)；

(15)成像位置偏移量计算：根据掩模3上任一测试标记在曝光视场中成像的理论位置也就是名义位置(X_m，Y_m)，并利用它与上述步骤(14)中得到的成像位置信息按(1)式计算掩模3上任一测试标记的成像位置偏移量(ΔX，ΔY)，

$\left\{\begin{array}{c}\mathrm{\ΔX}=X-X_m\\ \mathrm{\ΔY}=Y-Y_m\end{array}\right.---\left(1\right)$

由(1)式得到对应于离焦量Δf₁、Δf₁+Δf、Δf₁+2Δf、Δf₁+3Δf、Δf₁+4Δf的成像位置偏移量 $(\mathrm{\Δ}{X}_{\mathrm{\Δ}{f}_1},\mathrm{\Δ}{Y}_{\mathrm{\Δ}{f}_1}),(\mathrm{\Δ}{X}_{\mathrm{\Δ}{f}_1+\mathrm{\Δf}},\mathrm{\Δ}{Y}_{\mathrm{\Δ}{f}_1+\mathrm{\Δf}}),(\mathrm{\Δ}{X}_{\mathrm{\Δ}{f}_1+2\mathrm{\Δf}},$ $\mathrm{\Δ}{Y}_{\mathrm{\Δ}{f}_1+2\mathrm{\Δf}}),(\mathrm{\Δ}{X}_{\mathrm{\Δ}{f}_1+3\mathrm{\Δf}},\mathrm{\Δ}{Y}_{{\mathrm{\Δf}}_1+3\mathrm{\Δf}}),(\mathrm{\Δ}{X}_{\mathrm{\Δ}{f}_1+4\mathrm{\Δf}},\mathrm{\Δ}{Y}_{\mathrm{\Δ}{f}_1+4\mathrm{\Δf}}).$

灵敏度系数确定过程200：

(21)选择一项泽尼克系数Z_k与这一项泽尼克系数的数值x，利用光刻仿真软件进行仿真，获得相应的成像位置仿真偏移量；

(22)光刻仿真软件仿真：利用上述步骤(11)确定的工艺条件，利用光刻仿真软件仿真实际曝光、后烘、显影过程，得到不同离焦量下掩模测试标记的成像位置仿真偏移量Δx_k(Δf₁)或Δy_k(Δf₁)，

或或

或

或

(23)灵敏度系数确定：一定离焦量下，成像位置仿真偏移量与表征奇像差的泽尼克系数的大小成线性关系。利用上述步骤(22)得到的掩模测试标记的成像位置仿真偏移量Δx_k(Δf₁)或Δy_k(Δf₁)，成像位置偏移量在离焦量Δf₁下相对于泽尼克系数Z_k的灵敏度系数

按(2)式计算，

$S_{{\mathrm{\Δf}}_1,Z_k}=\frac{\∂{\mathrm{\Δx}}_k\left({\mathrm{\Δf}}_1\right)}{\∂Z_k}=\frac{{\mathrm{\Δx}}_k\left({\mathrm{\Δf}}_1\right)}{x}---\left(2\right)$

由(2)式可得对应于离焦量Δf₁+Δf、Δf₁+2Δf、Δf₁+3Δf、Δf₁+4Δf的灵敏度系数为 $S_{\mathrm{\Δ}{f}_1+\mathrm{\Δf},Z_k},S_{\mathrm{\Δ}{f}_1+2\mathrm{\Δf},Z_k},S_{\mathrm{\Δ}{f}_1+3\mathrm{\Δf},Z_k},S_{\mathrm{\Δ}{f}_1+4\mathrm{\Δf},Z_k};$

数据处理过程300：

(31)奇像差计算：由上述步骤(15)中得到对应于离焦量Δf₁、Δf₁+Δf、Δf₁+2Δf、Δf₁+3Δf、Δf₁+4Δf的掩模任一测试标记的成像位置偏移量 $(\mathrm{\Δ}{X}_{\mathrm{\Δ}{f}_1},\mathrm{\Δ}{Y}_{\mathrm{\Δ}{f}_1}),(\mathrm{\Δ}{X}_{\mathrm{\Δ}{f}_1+\mathrm{\Δf}},\mathrm{\Δ}{Y}_{\mathrm{\Δ}{f}_1+\mathrm{\Δf}}),(\mathrm{\Δ}{X}_{\mathrm{\Δ}{f}_1+2\mathrm{\Δf}},\mathrm{\Δ}{Y}_{\mathrm{\Δ}{f}_1+2\mathrm{\Δf}}),(\mathrm{\Δ}{X}_{\mathrm{\Δ}{f}_1+3\mathrm{\Δf}},$ $\mathrm{\Δ}{Y}_{\mathrm{\Δ}{f}_1+3\mathrm{\Δf}}),(\mathrm{\Δ}{X}_{\mathrm{\Δ}{f}_1+4\mathrm{\Δf}},\mathrm{\Δ}{Y}_{\mathrm{\Δ}{f}_1+4\mathrm{\Δf}}).$ 由上述步骤(23)得到在上述离焦量下成像位置偏移量相对于Z_k的灵敏度系数分别为 $S_{\mathrm{\Δ}{f}_1,Z_k},S_{\mathrm{\Δ}{f}_1+\mathrm{\Δf},Z_k},S_{\mathrm{\Δ}{f}_1+2\mathrm{\Δf},Z_k},$ $S_{\mathrm{\Δ}{f}_1+3\mathrm{\Δf},Z_k},S_{\mathrm{\Δ}{f}_1+4\mathrm{\Δf},Z_k},$ 其中k可分别取为2、3、7、8、10、11、14、15。投影物镜的奇像差按(3)式利用最小二乘法计算，

$\left[\begin{array}{c}{Z}_2\\ Z_3\\ Z_7\\ Z_8\\ Z_{10}\\ Z_{11}\\ Z_{14}\\ Z_{15}\end{array}\right]={\left[\begin{array}{cccccccc}{S}_{\mathrm{\Δ}{f}_1{,Z}_2}& 0& S_{\mathrm{\Δ}{f}_1{,Z}_7}& 0& S_{\mathrm{\Δ}{f}_1{,Z}_{10}}& 0& S_{\mathrm{\Δ}{f}_1{,Z}_{14}}& 0\\ 0& S_{\mathrm{\Δ}{f}_1{,Z}_3}& 0& S_{\mathrm{\Δ}{f}_1{,Z}_8}& 0& S_{\mathrm{\Δ}{f}_1{,Z}_{11}}& 0& S_{\mathrm{\Δ}{f}_1{,Z}_{15}}\\ S_{\mathrm{\Δ}{f}_1+\mathrm{\Δf}{,Z}_2}& 0& S_{\mathrm{\Δ}{f}_1+\mathrm{\Δf}{,Z}_7}& 0& S_{\mathrm{\Δ}{f}_1+\mathrm{\Δf}{,Z}_{10}}& 0& S_{\mathrm{\Δ}{f}_1+\mathrm{\Δf}{,Z}_{14}}& 0\\ 0& S_{\mathrm{\Δ}{f}_1+\mathrm{\Δf}{,Z}_3}& 0& S_{\mathrm{\Δ}{f}_1+\mathrm{\Δf}{,Z}_8}& 0& S_{\mathrm{\Δ}{f}_1+\mathrm{\Δf}{,Z}_{11}}& 0& S_{\mathrm{\Δ}{f}_1+\mathrm{\Δf}{,Z}_{15}}\\ S_{\mathrm{\Δ}{f}_1+2\mathrm{\Δf}{,Z}_2}& 0& S_{\mathrm{\Δ}{f}_1+2\mathrm{\Δf}{,Z}_7}& 0& S_{\mathrm{\Δ}{f}_1+2\mathrm{\Δf}{,Z}_{10}}& 0& S_{\mathrm{\Δ}{f}_1+2\mathrm{\Δf}{,Z}_{14}}& 0\\ 0& S_{\mathrm{\Δ}{f}_1+2\mathrm{\Δf}{,Z}_3}& 0& S_{\mathrm{\Δ}{f}_1+2\mathrm{\Δf}{,Z}_8}& 0& S_{\mathrm{\Δ}{f}_1+2\mathrm{\Δf}{,Z}_{11}}& 0& S_{\mathrm{\Δ}{f}_1+2\mathrm{\Δf}{,Z}_{15}}\\ S_{\mathrm{\Δ}{f}_1+3\mathrm{\Δf}{,Z}_2}& 0& S_{\mathrm{\Δ}{f}_1+3\mathrm{\Δf}{,Z}_7}& 0& S_{\mathrm{\Δ}{f}_1+3\mathrm{\Δf}{,Z}_{10}}& 0& S_{\mathrm{\Δ}{f}_1+3\mathrm{\Δf}{,Z}_{14}}& 0\\ 0& S_{\mathrm{\Δ}{f}_1+3\mathrm{\Δf}{,Z}_3}& 0& S_{\mathrm{\Δ}{f}_1+3\mathrm{\Δf}{,Z}_8}& 0& S_{\mathrm{\Δ}{f}_1+3\mathrm{\Δf},z_{11}}& 0& S_{\mathrm{\Δ}{f}_1+3\mathrm{\Δf}{,Z}_{15}}\\ S_{\mathrm{\Δ}{f}_1+4\mathrm{\Δf}{,Z}_2}& 0& S_{\mathrm{\Δ}{f}_1+4\mathrm{\Δf}{,Z}_7}& 0& S_{\mathrm{\Δ}{f}_1+4\mathrm{\Δf}{,Z}_{10}}& 0& S_{\mathrm{\Δ}{f}_1+4\mathrm{\Δf}{,Z}_{14}}& 0\\ 0& S_{\mathrm{\Δ}{f}_1+4\mathrm{\Δf}{,Z}_3}& 0& S_{\mathrm{\Δ}{f}_1+4\mathrm{\Δf}{,Z}_8}& 0& S_{\mathrm{\Δ}{f}_1+4\mathrm{\Δf}{,Z}_{11}}& 0& S_{\mathrm{\Δ}{f}_1+4\mathrm{\Δf}{,Z}_{15}}\end{array}\right]}^{-1}\left[\begin{array}{c}{\mathrm{\ΔX}}_{\mathrm{\Δ}{f}_1}\\ {\mathrm{\ΔY}}_{\mathrm{\Δ}{f}_1}\\ {\mathrm{\ΔX}}_{{\mathrm{\Δf}}_1+\mathrm{\Δf}}\\ {\mathrm{\ΔY}}_{{\mathrm{\Δf}}_1+\mathrm{\Δf}}\\ {\mathrm{\ΔX}}_{{\mathrm{\Δf}}_1+\mathrm{2\Δ}\mathrm{\Δf}}\\ {\mathrm{\ΔY}}_{{\mathrm{\Δf}}_1+\mathrm{2\Δ}\mathrm{\Δf}}\\ {\mathrm{\ΔX}}_{{\mathrm{\Δf}}_1+\mathrm{3\Δ}\mathrm{\Δf}}\\ {\mathrm{\ΔY}}_{{\mathrm{\Δf}}_1+3\mathrm{\Δf}}\\ {\mathrm{\ΔX}}_{{\mathrm{\Δf}}_1+\mathrm{4\Δ}\mathrm{\Δf}}\\ {\mathrm{\ΔY}}_{{\mathrm{\Δf}}_1+4\mathrm{\Δf}}\end{array}\right]$

(3)；

上述步骤(12)中光源1为汞灯或准分子激光器等紫外、深紫外等光源。

所述的掩模3上测试标记的数量与分布应保证至少有5个标记处在曝光视场内，且标记在视场中均匀分布。其中任一标记结构应包含一组水平密集线条与一组垂直密集线条两部分，如图4所示。

所述的测试标记周期与光刻机中光学对准***所使用的对准标记的周期相同。

所述的一系列离焦位置指在选定的离焦范围以内，以一定离焦步进量为间隔的若干个离焦位置，其个数应大于4个。

所述的基板7指具有一定晶格结构的半导体材料晶圆，如硅片等晶圆。

上述步骤(21)中光刻仿真软件指可精确仿真光刻过程及效果的软件，如PROLITH，SOLID-C等光刻仿真软件。

所述的泽尼克系数中的一项泽尼克系数指表征奇像差中波前倾斜、彗差、三波差的泽尼克系数中的一项泽尼克系数，即表1中的任何一项泽尼克系数。

表1泽尼克系数与其所对应的奇像差

Z<sub>2</sub>	X向波前倾斜
		Z<sub>3</sub>	Y向波前倾斜
Z<sub>7</sub>	X向三阶彗差
		Z<sub>8</sub>	Y向三阶彗差
Z<sub>10</sub>	X向三波差
		Z<sub>11</sub>	Y向三波差
Z<sub>14</sub>	X向五阶彗差
		Z<sub>15</sub>	Y向五阶彗差

图2为本实施例所用投影光刻机的结构示意图，其中，光源1采用深紫外准分子激光器。工件台9的离焦量范围为0.2um～1.6um，离焦步进量为0.2um。基板7使用硅片。工艺条件为：Sumitomo PAR710型光刻胶、胶厚为1000nm、后烘温度为95°、后烘时间为60s、显影时间为60s；测试标记周期为8um。泽尼克系数为Z₇，数值为9.65nm。使用KLA-Tencor公司的PROLITH光刻仿真软件进行仿真。

光源1发出的激光经照明***2后照射在掩模3上。在不同的离焦量下，掩模3上测试标记经投影物镜5成像在涂有光刻胶的基板7上。对基板7进行后烘、显影后，利用对准***6对基板7上光刻胶上掩模测试标记的图形进行对准，得到不同离焦量下掩模测试标记的成像位置。经光刻仿真软件仿真阶段22，得到不同离焦量下成像位置偏移量相对于表征彗差的泽尼克系数Z₇的灵敏度系数，如图5所示。

由图4可知，本发明采用的测试标记为DAMIS中的测试标记的一半，因而利用对准***检测标记的成像位置的时间缩短一半，所述奇像差的检测速度提高1倍。图5中，灵敏度系数的变化范围为2.1，在先技术[1]中灵敏度系数的变化范围为1.6。可见本发明中的灵敏度系数的变化范围与在先技术[1]相比增大了0.5，因此提高了投影物镜奇像差的检测精度。在成像位置偏移量检测精度一定的情况下，本发明投影物镜奇像差原位检测方法的检测精度与在先技术[1]相比提高了31.3％。

Claims (5)

1、一种光刻机投影物镜奇像差原位检测方法，其特征在于该方法包括以下步骤：

①开启光刻机光源(1)，调整光刻机工件台(8)，使工件台承载的基板(7)位于具有一定离焦量的位置处；

②所述光源(1)发出的光束经过光刻机照明***(2)调整后，照射在掩模(3)上；该掩模上的测试标记经投影物镜(5)成像在所述基板(7)上，曝光后获得具有该离焦量的测试标记的潜影图像；

③改变基板(7)的离焦量Δf，重复上述步骤②，在基板(7)上获得具有一系列不同离焦量的测试标记的潜影图像；

④将曝光后的基板(7)后烘显影后，利用光刻机的光学对准***(6)测量基板(7)上掩模测试标记图形的成像位置，与掩模测试标记图形的理论成像位置相比较，得到所述的基板(7)在一系列离焦量的条件下掩模测试标记的成像位置的偏移量(ΔX_i，ΔY_i)；

⑤根据所述离焦位置的成像位置偏移量(ΔX_i，ΔY_i)确定奇像差的灵敏度系数S；

⑥利用所述成像位置偏移量(ΔX_i，ΔY_i)与灵敏度系数S，通过Z_k＝S^-1·ΔX_i计算出光刻机投影物镜奇像差相应的泽尼克系数Z_k，所述的i和k为大于或等于1的正整数。

2、按照权利要求1所述的光刻机投影物镜奇像差原位检测方法，其特征在于所述的确定奇像差的灵敏度系数S的过程，包括以下步骤：

①选定泽尼克系数中的一项泽尼克系数Z_k与相应该泽尼克系数的数值x，根据所选定的一系列离焦位置，利用光刻仿真软件进行仿真逐步获得该泽尼克系数Z_k下一系列成像位置仿真偏移量(Δx_i，Δy_i)；

②利用成像位置仿真偏移量(Δx_i，Δy_i)，根据S_i＝Δx_i/x计算出奇像差的灵敏度系数S_i，所述的i和k为大于或等于1的正整数。

3、按照权利要求1所述的光刻机投影物镜奇像差原位检测方法，其特征在于所述的工件台(8)承载的基板(7)的一系列的离焦量为焦面附近选定的离焦范围以内，以一定离焦步进量为间隔的若干个离焦量，其个数应大于4。

4、按照权利要求1所述的光刻机投影物镜奇像差原位检测方法，其特征在于所述的掩模测试标记包含一组水平密集线条与一组垂直密集线条，掩模测试标记的周期与所述光学对准***使用的对准标记周期相同。

5、按照权利要求1所述的光刻机投影物镜奇像差原位检测方法，其特征在于所述的掩模测试标记的数量有5个或5个以上，且在曝光视场内均匀分布。

Images