CN101983355B - 有源矩阵基板和具备其的液晶显示面板以及有源矩阵基板的制造方法 - Google Patents
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Abstract
一种有源矩阵基板,其具备:多个第1配线(1a),其设置为相互平行地延伸;多个第2配线(1b),其设置为在各第1配线(1a)之间相互平行地延伸;以及第3配线(3c),其设置为隔着绝缘膜与各第1配线(1a)交叉,通过在绝缘膜中所形成的接触孔(11a)与各第2配线(1b)连接,其宽度宽于各第2配线(1b),在各第1配线(1a)中,在与第3配线(3c)重叠的部分,设有相互连接的复线部(Wa)和单线部(Wb),在各第1配线(1a)中所设置的复线部(Wa)和单线部(Wb)彼此相邻地配置,在第3配线(3c)中与复线部(Wa)交叉地设有狭缝(Sa),接触孔(11a)设置在相邻的单线部(Wb)之间。
Description
技术领域
本发明涉及有源矩阵基板和具备其的液晶显示面板以及有源矩阵基板的制造方法,特别是涉及有源矩阵基板和具备其的液晶显示面板的缺陷修正技术。
背景技术
具备有源矩阵基板的液晶显示面板在图像的最小单位即像素中分别设有例如薄膜晶体管(下面,称为“TFT”),通过各TFT使各像素可靠地点亮、熄灭,由此可以进行精细的动态图像显示,因此被广泛应用。
另外,在液晶显示面板中,随着像素的高精细化,在有源矩阵基板上所设置的栅极线、源极线以及电容线等各配线的间隔变得较窄,因此,例如,当制造有源矩阵基板时,在基板表面附着被称为颗粒物的异物,由此各配线发生短路,TFT的特性变得不良,在像素中发生缺陷的可能性变得较高。因此,以往提出了在液晶显示面板中修正发生了缺陷的像素的方法(例如,参照专利文献1~4)。
专利文献1:特开2003-114448号公报
专利文献2:特开2003-156763号公报
专利文献3:特开2003-248439号公报
专利文献4:特开2004-347891号公报
发明内容
发明要解决的问题
图9是部分地示出与专利文献1所公开的液晶显示装置的阵列基板相类似的现有的有源矩阵基板120a的非显示区域的平面图,图10是修正了短路缺陷的有源矩阵基板120a的平面图。
在该有源矩阵基板120a中,在显示图像的矩形显示区域(未图 示)中,交替地设置栅极线101aa和电容线101b,使得它们分别作为第1配线和第2配线相互平行地延伸,在上述显示区域外侧的非显示区域中,如图9所示,沿着上述显示区域的一边设有电容干线103c,使其作为宽度较宽的第3配线而延伸。在此,各电容线101b如图9所示,以其端部的接触部C通过在栅极绝缘膜中所形成的接触孔111a连接到电容干线103c,所述栅极绝缘膜设置为覆盖栅极线101aa和电容线101b。另外,电容干线103c如图9所示,具有相互平行地延伸的多个狭缝S,多个狭缝S与各栅极线101aa正交。
并且,在有源矩阵基板120a中,在电容干线103c和栅极线101aa因为颗粒物P发生短路、产生短路缺陷X的情况下,如图10所示,对一对区域L照射激光,使得与短路缺陷X相邻配置的一对狭缝S的两端部相互连接,由此可以将短路缺陷X部分从电容干线103c分离来修正栅极线101aa(第1配线)和电容干线103c(第3配线)之间的短路缺陷X。但是,在有源矩阵基板120a中,各狭缝S的间隔例如是45μm左右(30μm~50μm),比较宽,因此,通过照射激光来切断的距离变得较长。这样的话,切断需要时间,发生修正错误的可能性变得较高,因此,修正缺陷的节拍时间变得较长。
因此,如图11和图12所示,可以考虑使栅极线101ab(第1配线)在与电容干线103c(第3配线)重叠的部分中实现复线化,在栅极线101ab的复线部的一方配线部中产生短路缺陷X的情况下,对该一方配线部中的电容干线103c的外侧(一对区域L)照射激光,由此从栅极线101ab分离产生了短路缺陷X的配线部,来修正栅极线101ab(第1配线)与电容干线103c(第3配线)之间的短路缺陷X。在此,图11是部分地示出该现有的有源矩阵基板120b的非显示区域的平面图,图12是修正了短路缺陷的有源矩阵基板120b的平面图。
在该有源矩阵基板120b中,如图11和图12所示,通过对一对区域L照射激光,可以容易地切断栅极线101ab的复线部,因此可以修正栅极线101ab(第1配线)与电容干线103c(第3配线)之间的短路缺陷X,并且可以抑制照射激光所造成的二次短路缺陷的产生,但是各栅极线101ab的复线化使得各栅极线101ab的复线部与各电容线101b(第2配线)的接触部C的间隔变得较窄,因此,例如因为附着在基板面板上的颗粒物,各栅极线101ab(第1配线)与各电容线101b(第2配线)有可能发生短路。
本发明是鉴于上述问题而完成的,其目的在于抑制第1配线与第2配线之间的短路,修正第1配线与第3配线之间的短路缺陷。
用于解决问题的方案
为了达到上述目的,本发明方案如下:各第1配线在与第3配线重叠的部分具有相互连接的复线部和单线部,在第3配线中与复线部交叉地设有狭缝,在相邻的单线部之间设有用于连接第2配线与第3配线的接触孔。
具体地说,本发明所涉及的有源矩阵基板,具备:多个第1配线,其设置为相互平行地延伸;多个第2配线,其设置为在上述各第1配线之间相互平行地延伸;以及第3配线,其设置为隔着绝缘膜与上述各第1配线交叉,通过在上述绝缘膜中所形成的接触孔与上述各第2配线连接,其宽度宽于该各第2配线,所述有源矩阵基板的特征在于:在上述各第1配线中,在与上述第3配线重叠的部分,设有相互连接的复线部和单线部,在上述各第1配线中所设置的复线部和单线部彼此相邻地配置,在上述第3配线中与上述复线部交叉地设有狭缝,上述接触孔设置在上述相邻的单线部之间,上述各第1配线是栅极线,上述各第2配线是电容线,上述第3配线是电容干线,在上述电容干线中与上述单线部交叉地形成有多个狭缝。
根据上述结构,在各第1配线中,在与第3配线重叠的部分,设有相互连接的复线部和单线部,在各第1配线中所设置的复线部和单线部彼此相邻地配置,因此,相邻的单线部的间隔宽于相邻的复线部的间隔。并且,为了连接第2配线与第3配线而在绝缘膜中形成的接触孔设置在第1配线的相邻的单线部之间,因此,能抑制第1配线与第2配线之间的短路。并且,在第1配线的复线部与第3配线因为颗粒物等发生短路、产生短路缺陷的情况下,通过在第3配线中所设置的狭缝对第1配线的复线部照射激光,由此将复线部的短路缺陷部分从第1配线分离,因此,能修正第1配线与第3配线之间的短路缺陷。因此,可以抑制第1配线与第2配线之间的短路,可以修正第1配线与第3配线之间的短路缺陷。
上述各第1配线可以是栅极线,上述各第2配线可以是电容线, 上述第3配线可以是电容干线。
根据上述结构,各第1配线是栅极线,各第2配线是电容线,第3配线是电容干线,因此,本发明的作用效果可以具体地实现。即,在各栅极线中,在与电容干线重叠的部分,设有相互连接的复线部和单线部,在各栅极线中所设置的复线部和单线部彼此相邻地配置,因此,相邻的单线部的间隔宽于相邻的复线部的间隔。并且,为了连接电容线与电容干线而在绝缘膜中形成的接触孔设置在栅极线的相邻的单线部之间,因此,能抑制栅极线与电容线之间的短路。并且,在栅极线的复线部与电容干线因为颗粒物等发生短路、产生短路缺陷的情况下,通过在电容干线中所设置的狭缝对栅极线的复线部照射激光,由此将复线部的短路缺陷部分从栅极线分离,因此,能修正栅极线与电容干线之间的短路缺陷。因此,可以抑制栅极线与电容线之间的短路,可以修正栅极线与电容干线之间的短路缺陷。
上述复线部的一方端部也可以从上述电容干线露出。
根据上述结构,复线部的一方端部从电容干线露出,因此,能抑制误照射激光等造成的电容干线破损,通过照射激光切断复线部的一方端部。
也可以在上述电容干线中与上述单线部交叉地形成多个狭缝。
根据上述结构,在电容干线中与单线部交叉地形成有多个狭缝,因此,在电容干线与栅极线的单线部因为颗粒物等发生短路、产生短路缺陷的情况下,照射激光,使得与在电容干线中所设置的的单线部交叉的多个狭缝中与短路缺陷相邻配置的一对狭缝的两端部相互连接,由此将短路缺陷部分从电容干线分离。
也可以规定进行图像显示的显示区域以及在该显示区域外侧的非显示区域,上述电容干线设置在上述非显示区域,上述接触孔设置在上述显示区域侧。
根据上述结构,用于连接电容线和电容干线的接触孔设置在显示区域侧,因此,各电容线的长度变得较短。
与上述复线部交叉的狭缝也可以是按构成上述复线部的各个配线部而分开设置的。
根据上述结构,狭缝按各个配线部分开设置,因此,狭缝在电容干线中的占有面积变得较小,能抑制电容干线的电阻的增加。
与上述复线部交叉的狭缝和与上述单线部交叉的多个狭缝也 可以是沿着上述电容干线的延伸方向设置的。
根据上述结构,狭缝沿着电容干线的延伸方向设置,因此,可以抑制配置狭缝所造成的电容干线的电阻的增加。
上述结构的有源矩阵基板在液晶显示面板中特别有效,所述液晶显示面板包括上述结构的有源矩阵基板、与其相对配置的相对基板以及在基板间所设置的液晶层。
另外,本发明所涉及的有源矩阵基板的制造方法是制造如下有源矩阵基板的方法,所述有源矩阵基板具备:多个第1配线,其设置为相互平行地延伸;多个第2配线,其设置为在上述各第1配线之间相互平行地延伸;以及第3配线,其设置为隔着绝缘膜与上述第1配线交叉,通过在上述绝缘膜中所形成的接触孔与上述各第2配线连接,其宽度宽于该各第2配线,在上述各第1配线中,在与上述第3配线重叠的部分,设有相互连接的复线部和单线部,在上述各第1配线中所设置的复线部和单线部彼此相邻地配置,在上述第3配线中与上述复线部交叉地设有狭缝,上述接触孔设置在上述相邻的单线部之间,上述各第1配线是栅极线,上述各第2配线是电容线,上述第3配线是电容干线,在上述电容干线中与上述单线部交叉地形成有多个狭缝,所述有源矩阵基板的制造方法的特征在于:具备检查工序,其检测上述第3配线与复线部以及单线部发生短路的短路缺陷;以及修正工序,其对由上述检查工序检测出短路缺陷的构成复线部的配线部,通过在上述电容干线中与上述复线部交叉的上述狭缝照射激光,由此从该复线部分离该配线部,并对在上述电容干线中与上述单线部交叉的上述多个狭缝照射激光,使在上述电容干线中与上述单线部交叉的上述多个狭缝中与上述短路缺陷相邻配置的一对狭缝的两端部相互连接,由此从上述电容干线分离上述短路缺陷。
根据上述方法,在各第1配线中,在与第3配线重叠的部分,设有相互连接的复线部和单线部,在各第1配线中所设置的复线部和单线部彼此相邻地配置,因此,相邻的单线部的间隔宽于相邻的复线部的间隔。并且,为了连接第2配线和第3配线而在绝缘膜中形成的接触孔设置在第1配线的相邻的单线部之间,因此,能抑制第1配线与第2配线之间的短路。并且,在检查工序中,检测出第1配线的复线部与第3配线因为颗粒物等发生短路所产生的短路缺陷的情况下,在修正工序中,通过在第3配线中设置的狭缝,对第1配线的复线部照射激光,由此将复线部的短路缺陷部分从第1配线分离,因此,能修正第1配线与第3配线之间的短路缺陷。由此,可以抑制第1配线与第2配线之间的短路,可以修正第1配线与第3配线之间的短路缺陷。
发明效果
根据本发明,各第1配线在与第3配线重叠的部分具有相互连接的复线部和单线部,在第3配线中设有与复线部交叉的狭缝,用于连接第2配线与第3配线的接触孔设置在相邻的单线部之间,因此,可以抑制第1配线与第2配线之间的短路,可以修正第1配线与第3配线之间的短路缺陷。
附图说明
图1是实施方式1的液晶显示面板50的平面图。
图2是示出构成液晶显示面板50的有源矩阵基板20a的一个像素的平面图。
图3是沿着图2中的Ⅲ-Ⅲ线的有源矩阵基板20a和具备其的液晶显示面板50的截面图。
图4是将图1中的区域A放大后的有源矩阵基板20a的平面图。
图5是修正缺陷后的有源矩阵基板20a的与图4对应的平面图。
图6是实施方式2的有源矩阵基板20b的与图4对应的平面图。
图7是实施方式3的有源矩阵基板20c的与图4对应的平面图。
图8是实施方式4的有源矩阵基板20d的与图4对应的平面图。
图9是部分地示出现有的有源矩阵基板120a的非显示区域的平面图。
图10是修正了短路缺陷的有源矩阵基板120a的平面图。
图11是部分地示出现有的有源矩阵基板120b的非显示区域的平面图。
图12是修正了短路缺陷的有源矩阵基板120b的平面图。
附图标记说明:
D:显示区域;N:非显示区域;S a、Sb:狭缝;W:配线部;Wa:复线部;Wb:单线部;X:短路缺陷;1a:栅极线(第1配线);1b:电容线(第2配线);3c:电容干线(第3配线);11:栅极绝缘膜;11a:接触孔;20a~20d:有源矩阵基板;30:相对基板;40:液晶层(显示介质层);50:液晶显示面板。
具体实施方式
下面,根据附图详细地说明本发明的实施方式。此外,本发明不限于下面的实施方式。
《发明的实施方式1》
图1~图5示出了本发明的有源矩阵基板和具备其的液晶显示面板以及有源矩阵基板的制造方法的实施方式1。
具体地说,图1是本实施方式的液晶显示面板50的平面图,图2是示出构成液晶显示面板50的有源矩阵基板20a的一个像素的平面图。并且,图3是沿着图2中的Ⅲ-Ⅲ线的有源矩阵基板20a和具备其的液晶显示面板50的截面图,图4是将图1中的区域A放大后的有源矩阵基板20a的平面图。
液晶显示面板50如图1和图3所示,具备:彼此相对配置的有源矩阵基板20a和相对基板30;在有源矩阵基板20a和相对基板30之间作为显示介质层而设置的液晶层40;以及用于将有源矩阵基板20a和相对基板30相互粘接并且封入液晶层40的密封材料(未图示)。
另外,在液晶显示面板50中,如图1所示,分别规定了:显示区域D,其在有源矩阵基板20a和相对基板30重叠的区域进行图像显示;以及非显示区域N,其在显示区域D的外侧,即有源矩阵基板20a从相对基板30露出的区域。在此,显示区域D由后述的各像素电极6所对应的图像的最小单位即像素按矩阵状排列多个而构成。另外,在非显示区域N中,如图1所示,设有栅极驱动器21和源极驱动器22。
有源矩阵基板20a如图2和图3所示,在显示区域D中具备:多个栅极线1a,其被设置为第1配线,在绝缘基板10a上相互平行地延 伸;多个电容线1b,其被设置为第2配线,在各栅极线1a之间相互平行地延伸;栅极绝缘膜11,其被设置为覆盖各栅极线1a和各电容线1b;多个源极线3a,其被设置为在栅极绝缘膜11上,在与各栅极线1a正交的方向上相互平行地延伸;多个TFT5,其分别被设置在各栅极线1a与各源极线3a的交叉部;层间绝缘膜12,其被设置为覆盖各TFT5和各源极线3a;多个像素电极6,其在层间绝缘膜12上被设置为矩阵状;以及取向膜(未图示),其被设置为覆盖各像素电极6。
TFT5如图2和图3所示,具备:向各栅极线1a的侧方突出的部分即栅极电极G、覆盖栅极电极G而设置的栅极绝缘膜11、在栅极绝缘膜11上与栅极电极G对应的位置岛状地设置的半导体层2以及在半导体层2上相互对着设置的源极电极3aa和漏极电极3b。在此,源极电极3aa如图2所示,是向各源极线3a的侧方突出的部分。另外,漏极电极3b如图2所示,延伸到与电容线1b重叠的区域,由此构成辅助电容,并且在电容线1b上通过在层间绝缘膜12中所形成的接触孔12a连接到像素电极6。
另外,在有源矩阵基板20a中,如图1所示,在非显示区域N中,各栅极线1a延伸而与栅极驱动器21连接,各源极线3a延伸而与源极驱动器22连接。并且,在有源矩阵基板20a的非显示区域N中,如图1所示,设置电容干线3c作为第3配线,使其从源极驱动器22开始沿着显示区域D的右边延伸。
如图4所示,各电容线1b的接触部C通过在栅极绝缘膜(未图示)中所形成的接触孔11a连接于电容干线3c。此外,在各电容线1b的各端部设有宽度较宽的接触部C(例如,100μm×200μm左右)。另外,电容干线3c的线宽例如是500μm×700μm左右。在此,栅极线1a的线宽,例如在后述的复线部Wa中是15μm左右,在后述的单线部Wb中是30μm左右,另外,电容线1b的线宽例如是20μm左右。
在各栅极线1a中,如(图1和)图4所示,在与电容干线3c重叠的部分,设有相互连接的复线部Wa和单线部Wb。此外,在各复线部Wa中,栅极线1a的间隔是50μm左右。并且,在各栅极线1a中所设置的复线部Wa和单线部Wb如图4所示,相互相邻地配置。在此,用于连接电容干线3c与各电容线1b的接触孔11a和接触部C如图4所示,设置在显示区域D侧的相邻的单线部Wb之间。此外,相邻的单线部Wb的间隔例如是300μm左右,宽于相邻的复线部Wa的间隔(例如,220μm左右)。并且,复线部Wa的一方(未与单线部Wb连接一侧)的端部如图4所示,从电容干线3c露出。
另外,在电容干线3c中,如图4所示,与复线部Wa(构成其的各配线部W)正交地设有狭缝Sa,与单线部Wb(构成其的配线部W)正交地设有多个狭缝Sb。即,狭缝Sa和狭缝Sb沿着电容干线3c延伸的方向设置。在此,狭缝Sa的大小例如是8μm×100μm左右,狭缝Sb的大小例如是8μm×50μm左右。另外,狭缝Sb的间隔例如是45μm左右。
相对基板30如图3所示,具备:绝缘基板10b;黑矩阵16,其在绝缘基板10b上设置为格子状;滤色器17,其包括在黑矩阵16的各格子之间分别设置的红色层、绿色层以及蓝色层;公共电极18,其设置为覆盖黑矩阵16和滤色器17;光间隔物(未图示),其在公共电极18上设置为柱状;以及取向膜(未图示),其设置为覆盖公共电极18。
液晶层40包括具有电光特性的向列相液晶材料等。
在上述结构的液晶显示面板50的各像素中,当栅极信号从栅极驱动器21通过栅极线1a送到栅极电极G,TFT5成为导通状态时,源极信号从源极驱动器22通过源极线3a送到源极电极3aa,通过半导体层2和漏极电极3b向像素电极6写入规定的电荷。此时,在有源矩阵矩阵基板20a的各像素电极6与相对基板30的公共电极18之间产生电位差,对液晶层40施加规定的电压。并且,在液晶显示面板50中,根据对液晶层40所施加的电压的大小来改变液晶层40的取向状态,由此调整液晶层40的光透射率来显示图像。
下面,举出一个例子来说明本实施方式的有源矩阵基板20a和液晶显示面板50的制造方法以及修正方法。本实施方式的制造方法具备:有源矩阵基板制作工序、相对基板制作工序、密封材料描涂工序、液晶滴下工序、贴合工序、检查工序以及修正工序。
<有源矩阵基板制作工序>
接着,在形成有栅极线1a、栅极电极G以及电容线1b的整个基板中,通过等离子CVD(Chemical Vapor Deposition:化学气相沉积)法,使氮化硅膜等成膜,按厚度4000 左右形成栅极绝缘膜11。
并且,在形成有栅极绝缘膜11的整个基板中,通过等离子CVD法,使本征非晶硅膜以及掺杂了磷的n+非晶硅膜连续成膜,之后,通过光刻法在栅极电极G上岛状地进行图案化,形成半导体形成层,所述半导体形成层层叠了厚度为2000 左右的本征非晶硅层以及厚度为500 左右的n+非晶硅层。
接着,将源极电极3aa和漏极电极3b作为掩模来蚀刻上述半导体形成层的n+非晶硅层,由此将沟道部进行图案化,形成半导体层2以及具备其的TFT5。
并且,在形成有TFT5的整个基板中,通过旋涂法,例如涂敷丙烯酸类感光性树脂,将该涂敷的感光性树脂通过光致掩模进行曝光后,进行显影,由此在漏极电极3b上按厚度2μm~3μm程度形成将接触孔12a图案化的层间绝缘膜12。
如上进行,能够制作有源矩阵基板20a。
<相对基板制作工序>
首先,在玻璃基板等绝缘基板10b的整个基板中,通过旋涂法, 例如,涂敷分散了碳等微粒的向列相丙烯酸类感光性树脂,将该涂敷的感光性树脂通过掩模进行曝光后,进行显影,由此按厚度1.5μm左右形成黑矩阵16。
接着,在形成有黑矩阵16的基板上,例如涂敷着色为红色、绿色或者蓝色的向列相丙烯酸类感光性树脂,将该涂敷的感光性树脂通过掩模进行曝光后,进行显影,由此进行图案化,按厚度2.0μm左右形成所选颜色的着色层(例如,红色层)。并且,其它2种颜色也重复相同的工序,按厚度2.0μm左右形成其它2种颜色的着色层(例如,绿色层和蓝色层),形成滤色器17。
之后,在形成有公共电极18的整个基板中,通过旋涂法,涂敷正型苯酚酚醛清漆类感光性树脂,将该涂敷的感光性树脂通过掩模曝光后,进行显影,由此按厚度4μm左右形成光间隔物。
如上进行,能够制作相对基板30。
<密封材料描涂工序>
例如,使用分注器在由上述相对基板制作工序所制作的相对基板30中,将由紫外线固化和热固化兼用型树脂等构成的密封材料描涂为框状。
<液晶滴下工序>
在通过上述密封描涂工序描涂了密封材料的相对基板30的密封材料内侧区域中,滴下液晶材料。
<贴合工序>
首先,将通过上述液晶滴下工序滴下了液晶材料的相对基板30与通过上述有源矩阵基板制作工序所制作的有源矩阵基板20a在减压下进行贴合后,将该贴合的贴合体放置于大气压下,由此对贴合体的表面加压。
接着,对上述贴合体所挟持的密封材料照射UV材料后,加热该贴合体,由此使密封材料固化。
如上进行,能够制造液晶显示面板50(检查前)。之后,对所制造的各液晶显示面板50进行下述检查工序,在检测出电容干线3c与栅极线1a发生短路的像素的情况下,进行下述修正工序,由此来修正缺陷。此外,之后,在通过下述检查工序未检测出短路缺陷等的正常的液晶显示面板以及通过下述修正工序修正了短路缺陷的液晶显示面板中,安装栅极驱动器21和源极驱动器22。在此,图5是修正缺陷后的有源矩阵基板20a的与图4对应的平面图。
<检查工序>
在上述制造的液晶显示面板50中,对各栅极线1a输入偏压电压为-10V、周期为16.7msec、脉冲宽度为50μsec的+15V的脉冲电压的栅极检查信号,使所有TFT5成为导通状态,并且对各源极线3a每隔16.7msec输入极性反转的±2V的电位的源极检查信号,由此通过各TFT5对像素电极6输入源极检查信号。并且,同时对公共电极18用直流输入电位为-1V的公共电极检查信号,由此对在各像素电极6与公共电极18之间的液晶层40施加电压,包括各像素电极6的像素成为点亮状态。此时,例如,在常黑模式(未施加电压时显示黑色)的液晶显示面板50中,显示画面从显示黑色成为显示白色。在此,在因为颗粒物P(参照图5)等,电容干线3c和栅极线1a发生短路的情况下,TFT5的导通/截止控制变得不起作用,在显示区域D中发生沿着栅极线的显示不均匀,因此,从基板侧通过显微镜等目测确认电容干线3c,由此检测出短路缺陷X。
<修正工序>
如图5所示,在构成检测出短路缺陷X的栅极线1a的复线部Wa的配线部W中,例如对区域La通过电容干线3c的狭缝Sa,以及对区域Lb,分别照射从YAG激光器发射的激光,由此,从栅极线1a分离复线部的短路缺陷X部分。由此,可以消除电容干线3c与栅极线1a之间的短路。
如上面说明的,根据本实施方式的有源矩阵基板20a和具备其 的液晶显示面板50以及它们的制造方法,在各栅极线1a中与电容干线3c重叠的部分,设有相互连接的复线部Wa和单线部Wb,在各栅极线1a中所设置的复线部Wa和单线部Wb彼此相邻地配置,因此,相邻的单线部Wb的间隔宽于相邻的复线部Wa的间隔。并且,为了连接电容线1b与电容干线3c而在栅极绝缘膜11中所形成的接触孔11a设置在栅极线1a的相邻的单线部Wb之间,因此,可以抑制栅极线1a与电容线1b之间的短路。并且,在检查工序中,在检测出电容干线3c与栅极线1a的复线部Wa因为颗粒物P等发生短路的短路缺陷X的情况下,在修正工序中,通过在电容干线3c中所设置的狭缝Sa对栅极线1a的复线部Wa照射激光,由此使复线部Wa的短路缺陷X部分从栅极线1a分离,因此,可以修正栅极线1a与电容干线3c之间的短路缺陷。因此,可以抑制栅极线与电容干线之间的短路,可以修正栅极线与电容干线之间的短路缺陷。
另外,根据本实施方式,复线部Wa的一方端部从电容干线3c露出,因此,可以抑制误照射激光等造成的电容干线3c的破损,可以将复线部Wa的一方端部通过照射激光来切断。
另外,根据本发明,在电容干线3c中与单线部Wb交叉地形成有多个狭缝Sb,因此,在电容干线3c与栅极线1a的单线部Wb因为颗粒物等发生短路、产生短路缺陷的情况下,照射激光,使得在电容干线3c中设有的多个狭缝Sb中的与短路缺陷相邻配置的一对狭缝Sb的两端部相互连接,由此可以从电容干线3c分离短路缺陷部分,可以消除电容干线3c与栅极线1a的单线部Wb之间的短路。
另外,根据本实施方式,用于连接电容线1b和电容干线3c的接触孔11a设置在显示区域D侧,因此,可以将各电容线1b的长度设计为较短。
另外,根据本实施方式,狭缝S a和Sb沿着电容干线3c延伸的方向设置,因此,可以抑制配置狭缝Sa和Sb所造成的电容干线3c的电阻的增加。
《发明的实施方式2》
图6是本实施方式的有源矩阵基板20b的与图4对应的平面图。 此外,在下面的实施方式中,对与图1~图5相同的部分附上相同的附图标记,省略其详细说明。
在上述实施方式1的有源矩阵基板20a中,如图4所示,用于切断栅极线1a的复线部Wa的狭缝Sa设置成与构成复线部Wa的各配线部W一体地交叉,在本实施方式的有源矩阵基板20b中,如图6所示,用于切断栅极线1a的复线部Wa的狭缝Sc是按构成复线部Wa的各个配线部W分开而与其交叉设置的。
根据本实施方式的有源矩阵基板20b和具备其的液晶显示面板以及它们的制造方法,狭缝Sc是按各个配线部W分开设置的,因此,狭缝Sc在电容干线3c中的占有面积变得较小,可以抑制电容干线3c的电阻的增加,并且与上述实施方式1相同地,可以抑制栅极线与电容线之间的短路,可以修正栅极线与电容干线之间的短路缺陷。
《发明的实施方式3》
图7是本实施方式的有源矩阵基板20c的与图4对应的平面图。
在上述实施方式1的有源矩阵基板20a和实施方式2的有源矩阵基板20b中,如图4和图6分别示出的那样,在电容干线3c的显示区域D侧设置1个接触孔11a,但是在本实施方式的有源矩阵基板20c中,如图7所示,接触孔11a不仅设置在电容干线3c的显示区域D侧,还设置在电容干线3c的与显示区域D相反的一侧。
根据本实施方式的有源矩阵基板20c和具备其的液晶显示面板以及它们的制造方法,与上述实施方式1和2相同地,可以抑制栅极线与电容线之间的短路,可以修正栅极线与电容干线之间的短路缺陷。
《发明的实施方式4》
图8是本实施方式的有源矩阵基板20d的与图4对应的平面图。
在上述实施方式1的有源矩阵基板20a、实施方式2的有源矩阵基板20b以及实施方式3的有源矩阵基板20c中,分别如图4、图6以及图7所示,接触孔11a设置在电容干线3c的宽度方向的端部,但是在本实施方式的有源矩阵基板20d中,如图8所示,接触孔11a设置在电容干线3c的宽度方向的中央部。
根据本实施方式的有源矩阵基板20d和具备其的液晶显示面板以及它们的制造方法,与上述实施方式1、2以及3相同地,可以抑制栅极线与电容线之间的短路,可以修正栅极线与电容干线之间的短路缺陷。
此外,本发明如上述各实施方式那样,电容干线3c的接触孔11a的位置可以适当地变化,因此,可以设计有源矩阵基板上的接触孔11a的位置,使其不与在相对基板30中所设置的光间隔物的位置重叠。
另外,在上述各实施方式中,例示了对贴合了有源矩阵基板和相对基板的液晶显示面板,通过点亮检查进行检查工序后进行修正工序的制造方法,本发明也可以应用于在对有源矩阵基板进行导通检查等检查工序后进行修正工序的制造方法。
工业上的可利用性
如上面说明的,本发明可以抑制栅极线与电容线之间的短路,可以修正栅极线与电容干线之间的短路缺陷,因此,对于要求像素高精细化的有源矩阵基板以及具备其的液晶显示面板是有用的。
Claims (7)
1.一种有源矩阵基板,其具备:
多个第1配线,其设置为相互平行地延伸;
多个第2配线,其设置为在上述各第1配线之间相互平行地延伸;以及
第3配线,其设置为隔着绝缘膜与上述各第1配线交叉,通过在上述绝缘膜中所形成的接触孔与上述各第2配线连接,其宽度宽于该各第2配线,
所述有源矩阵基板的特征在于:
在上述各第1配线中,在与上述第3配线重叠的部分,设有相互连接的复线部和单线部,
在上述各第1配线中所设置的复线部和单线部彼此相邻地配置,
在上述第3配线中与上述复线部交叉地设有狭缝,
上述接触孔设置在上述相邻的单线部之间,
上述各第1配线是栅极线,
上述各第2配线是电容线,
上述第3配线是电容干线,
在上述电容干线中与上述单线部交叉地形成有多个狭缝。
2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板,其特征在于:
上述复线部的一方端部从上述电容干线露出。
3.根据权利要求1所述的有源矩阵基板,其特征在于:
规定了进行图像显示的显示区域以及在该显示区域外侧的非显示区域,
上述电容干线设置在上述非显示区域,
上述接触孔设置在上述显示区域侧。
4.根据权利要求1所述的有源矩阵基板,其特征在于:
与上述复线部交叉的狭缝是按构成上述复线部的各个配线部而分开设置的。
5.根据权利要求1所述的有源矩阵基板,其特征在于:
与上述复线部交叉的狭缝和与上述单线部交叉的多个狭缝是沿着上述电容干线延伸的方向设置的。
6.一种液晶显示面板,其特征在于:
具备
权利要求1所述的有源矩阵基板;
与上述有源矩阵基板相对配置的相对基板;以及
在上述有源矩阵基板和相对基板之间设置的液晶层。
7.一种制造有源矩阵基板的方法,所述有源矩阵基板具备:
多个第1配线,其设置为相互平行地延伸;
多个第2配线,其设置为在上述各第1配线之间相互平行地延伸;以及
第3配线,其设置为隔着绝缘膜与上述各第1配线交叉,通过在上述绝缘膜中所形成的接触孔与上述各第2配线连接,其宽度宽于该各第2配线,
在上述各第1配线中,在与上述第3配线重叠的部分,设有相互连接的复线部和单线部,
在上述各第1配线中所设置的复线部和单线部彼此相邻地配置,
在上述第3配线中与上述复线部交叉地设有狭缝,
上述接触孔设置在上述相邻的单线部之间,
上述各第1配线是栅极线,
上述各第2配线是电容线,
上述第3配线是电容干线,
在上述电容干线中与上述单线部交叉地形成有多个狭缝,
所述有源矩阵基板的制造方法的特征在于:
具备
检查工序,其检测上述第3配线与复线部以及单线部发生短路的短路缺陷;以及
修正工序,其对构成由上述检查工序检测出短路缺陷的复线部以及单线部的配线部,通过在上述电容干线中与上述复线部交叉的上述狭缝照射激光,由此从该复线部分离该配线部,并对在上述电容干线中与上述单线部交叉的上述多个狭缝照射激光,使在上述电容干线中与上述单线部交叉的上述多个狭缝中与上述短路缺陷相邻配置的一对狭缝的两端部相互连接,由此从上述电容干线分离上述短路缺陷。
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Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1621927A (zh) * | 2003-11-28 | 2005-06-01 | Nec液晶技术株式会社 | 液晶显示设备 |
CN1740852A (zh) * | 2004-08-06 | 2006-03-01 | 三星电子株式会社 | 用于显示板的基板及其制造方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0660980B2 (ja) * | 1985-08-13 | 1994-08-10 | セイコー電子工業株式会社 | マトリクス表示装置 |
KR100474003B1 (ko) * | 1998-11-27 | 2005-09-16 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치 |
JP4584387B2 (ja) * | 1999-11-19 | 2010-11-17 | シャープ株式会社 | 表示装置及びその欠陥修復方法 |
JP4831716B2 (ja) * | 2001-03-15 | 2011-12-07 | Nltテクノロジー株式会社 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
JP2003114448A (ja) * | 2001-10-04 | 2003-04-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置 |
JP3977061B2 (ja) * | 2001-11-21 | 2007-09-19 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置及びその欠陥修復方法 |
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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CN1740852A (zh) * | 2004-08-06 | 2006-03-01 | 三星电子株式会社 | 用于显示板的基板及其制造方法 |
Non-Patent Citations (4)
Title |
---|
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JP特开2003-222905A 2003.08.08 |
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