KR20230015672A - 잔해 차폐 막 및 그 제조방법 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000012528 membrane Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 44
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims abstract description 42
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 23
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 11
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 9
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 6
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 6
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 3
- 230000035699 permeability Effects 0.000 abstract description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 7
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 3
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 3
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 carbon (DLC) Chemical compound 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910001423 beryllium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 125000000896 monocarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/7015—Details of optical elements
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
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Abstract
본 발명은 극자외선 광을 생성하는 광원에 사용되는 잔해 차폐 막 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 a) 기판의 제1 면에 이온 주입용 마스크 층을 형성하는 단계와, b) 상기 이온 주입용 마스크 층을 패터닝하여 메시(mesh) 형태의 개구가 형성된 이온 주입용 마스크 패턴 층을 형성하는 단계와, c) 상기 이온 주입용 마스크 패턴 층을 마스크로 이온 주입 공정을 진행하여 상기 기판의 제1 면 측에 메시 형태의 식각 저지 영역을 형성하는 단계와, d) 상기 이온 주입용 마스크 패턴 층을 제거하는 단계와, e) 상기 식각 저지 영역이 형성된 상기 기판의 제1 면에 잔해 차폐 막 층을 형성하는 단계와, f) 상기 기판의 제1 면의 반대 면인 제2 면에 식각용 마스크 층을 형성하는 단계와, g) 상기 식각용 마스크 층을 패터닝하여 윈도우 영역이 개방된 식각용 마스크 패턴 층을 형성하는 단계와, h) 상기 식각용 마스크 패턴 층을 식각 마스크로, 상기 잔해 차폐 막 층이 노출될 때까지 상기 기판을 식각하여, 상기 식각 저지 영역에 의해서 지지되는 잔해 차폐 막 층을 노출시키는 식각 단계를 포함하는 잔해 차폐 막의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따른 잔해 차폐 막의 제조방법은 높은 투과도를 유지하면서도 강도를 확보할 수 있으므로, 수명이 늘어난다. 따라서 잔해 차폐 막의 제조방법의 교체에 의한 노광 장비의 이용 불가 시간이 줄어든다는 장점이 있다.
Description
본 발명은 극자외선 광을 생성하는 광원에 사용되는 잔해 차폐 막 및 그 제조방법에 관한 것이다.
반도체 소자의 고집적화에 따라 반도체 제조용 노광 장치의 요구 해상도는 높아져 가고 있고, 그 해상도를 실현하기 위해서 광원의 파장이 점점 더 짧아지고 있다. 구체적으로, UV 광원은 자외광 g선(436㎚), I선(365㎚), KrF 엑시머 레이저(248㎚), ArF 엑시머 레이저(193㎚)에서 극자외선(EUV, extreme Ultraviolet, 13.5㎚)으로 점점 파장이 짧아지고 있다.
이러한 극자외선을 이용한 노광 기술을 실현하기 위해서는 새로운 광원, 레지스트, 마스크, 펠리클의 개발이 불가결하다.
광원에서 극자외선 광을 만들어 내는 과정은 EUV 범위 내의 방출 라인을 갖는 재료, 예를 들어 크세논, 리튬 또는 주석을 플라스마 상태로 전환하는 단계를 포함한다.
플라스마 상태로 전환하는 방법으로는 액적, 스트림 또는 클러스터와 같은 타겟 재료에 레이저 빔을 조사함으로써 플라스마를 생성하는 레이저 생성 플라스마(Laser Produced Plasma, LPP) 방법, 한 쌍의 전극들 사이의 전기 방전을 통해 플라스마를 생성하는 전기 방전 생성 플라스마(Discharge Produced Plasma, DPP) 방법 등이 있다.
이러한 플라스마 상태로 전환하는 단계에서는 다량의 부산물이 발생하는 데 이를 통상 잔해(Debris)라 부른다. 잔해는 예를 들어, 플라스마 공정에서 완전히 이온화되지 않는 소스 재료의 파면 및 덩어리들을 포함할 수 있다.
잔해는 광원의 다양한 광학 요소들을 오염시킨다. 특히, 반사경 등에 부착되어 반사효율을 감소시킨다.
이러한 문제점을 해결하기 위해서, 극자외선 소스와 반사경 사이에 잔해 차폐물(Debris Shield)을 위치시켜 잔해의 비산을 방지하는 방법이 개발 및 사용되고 있다.
예를 들어, 한국등록특허 제10-1591686호에는 플라스마 소스를 포함하는 리소그래피 장치로서, 플라스마 소스는 플라스마 형성 위치를 둘러싸는 용기와, 용기로 광학 방사선을 전달하도록 구성된 광학 디바이스와, 플라스마 형성 위치와 광학 디바이스 사이에 배치된 차폐물(Shield)과, 반사기를 포함하는 리소그래피 장치가 개시되어 있다.
또한, 한국공개특허 제10-2019-0131815호에는 플라스마 형성 공간을 가지는 챔버와, 상기 챔버 내에 배치된 광학 소자와, 상기 챔버 내에서 상기 광학 소자와 상기 플라스마 형성 공간 사이에 배치된 파편 차단 조립체(debris shielding assembly)를 포함하는 광 발생 장치가 개시되어 있다.
여기서 파편 차단 조립체는 광 경로를 포함하는 보호 공간을 사이에 두고 상기 광학 소자로부터 이격된 위치에서 상기 광학 소자를 덮는 보호막과, 상기 보호막을 지지하도록 구성되고 상기 보호 공간을 상기 플라스마 형성 공간으로부터 차폐시키는 보호 프레임을 포함한다.
보호막은 탄소 나노튜브(Carbon Nanotube), 다이아몬드, 흑연, 그래핀, 풀러렌(Fullerene), 또는 이들의 조합으로 이루어질 수 있다.
그런데 이러한 보호막은 극자외선 투과도를 확보하기 위해서 두께가 매우 얇아서 충분한 강도가 확보되지 않아 수명이 수일에 불과하다는 문제가 있다.
본 발명은 상술한 문제점을 개선하기 위한 것으로서, 높은 투과도를 유지하면서도 강도를 확보할 수 있는 새로운 잔해 차폐 막 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상술한 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은 a) 기판의 제1 면에 이온 주입용 마스크 층을 형성하는 단계와, b) 상기 이온 주입용 마스크 층을 패터닝하여 메시(mesh) 형태의 개구가 형성된 이온 주입용 마스크 패턴 층을 형성하는 단계와, c) 상기 이온 주입용 마스크 패턴 층을 마스크로 이온 주입 공정을 진행하여 상기 기판의 제1 면 측에 메시 형태의 식각 저지 영역을 형성하는 단계와, d) 상기 이온 주입용 마스크 패턴 층을 제거하는 단계와, e) 상기 식각 저지 영역이 형성된 상기 기판의 제1 면에 잔해 차폐 막 층을 형성하는 단계와, f) 상기 기판의 제1 면의 반대 면인 제2 면에 식각용 마스크 층을 형성하는 단계와, g) 상기 식각용 마스크 층을 패터닝하여 윈도우 영역이 개방된 식각용 마스크 패턴 층을 형성하는 단계와, h) 상기 식각용 마스크 패턴 층을 식각 마스크로, 상기 잔해 차폐 막 층이 노출될 때까지 상기 기판을 식각하여, 상기 식각 저지 영역에 의해서 지지되는 잔해 차폐 막 층을 노출시키는 식각 단계를 포함하는 잔해 차폐 막의 제조방법을 제공한다.
또한, 상기 이온 주입용 마스크 층은 이산화규소(SiO2) 층인 잔해 차폐 막의 제조방법을 제공한다.
또한, 상기 c) 단계는 보론(B), 인(P), 갈륨(Ga) 중에서 선택된 원소의 이온을 주입하는 단계인 잔해 차폐 막의 제조방법을 제공한다.
또한, 상기 c) 단계는 0.01 내지 3㎛의 깊이로 이온을 주입하는 단계인 잔해 차폐 막의 제조방법을 제공한다.
또한, 상기 c) 단계는 1018/㎤ 내지 1022/㎤의 농도로 이온을 주입하는 단계인 잔해 차폐 막의 제조방법을 제공한다.
또한, 상기 식각용 마스크 층은 질화규소(SixNy, x와 y는 정수이며, x/y = 0.7~1.5) 층, 산화 규소 층, 탄화 규소 층 중에서 선택된 층인 잔해 차폐 막의 제조방법을 제공한다.
또한, 상기 h) 단계는 상기 식각 저지 영역과 상기 기판 중에서 상기 기판만 선택적으로 식각하는 습식 식각 단계인 잔해 차폐 막의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명은, 잔해 차폐 막 층과, 상기 잔해 차폐 막 층을 지지하는 메시 형태의 지지 패턴 층을 포함하며, 상기 지지 패턴 층은 이온이 주입된 실리콘으로 이루어진 잔해 차폐 막을 제공한다.
또한, 상기 지지 패턴 층에 주입된 이온은 보론(B), 인(P), 갈륨(Ga) 중에서 선택된 원소의 이온인 잔해 차폐 막을 제공한다.
또한, 상기 잔해 차폐 막 층의 둘레부에 결합하는 프레임을 더 포함하는 잔해 차폐 막을 제공한다.
또한, 상기 프레임은 실리콘으로 이루어진 잔해 차폐 막을 제공한다.
본 발명에 따른 잔해 차폐 막은 높은 투과도를 유지하면서도 강도를 확보할 수 있으므로, 수명이 늘어난다. 따라서 잔해 차폐 막의 교체에 의한 노광 장비의 이용 불가 시간이 줄어든다는 장점이 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 잔해 차폐 막을 나타낸 도면이다.
도 2는 지지 패턴의 평면 형상들을 나타낸 도면이다.
도 3은 도 1에 도시된 잔해 차폐 막의 제조방법의 순서도이다.
도 4는 잔해 차폐 막의 제조방법의 각 단계를 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 지지 패턴의 평면 형상들을 나타낸 도면이다.
도 3은 도 1에 도시된 잔해 차폐 막의 제조방법의 순서도이다.
도 4는 잔해 차폐 막의 제조방법의 각 단계를 설명하기 위한 도면이다.
이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예에 대해서 상세하게 설명한다. 다음에 소개되는 실시예는 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서 본 발명은 이하 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 잔해 차폐 막을 나타낸 도면이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 잔해 차폐 막(1)은, 잔해 차폐 막 층(10)과, 잔해 차폐 막 층(10)을 지지하는 메시 형태의 지지 패턴 층(20)을 포함한다.
잔해 차폐 막 층(10)의 평면 형상은 원형일 수 있다. 잔해 차폐 막 층(10)은 극자외선(EUV)에 대한 높은 투과율이 요구된다. 또한, 필요한 경우에는 극자외선 생성을 위한 플라스마 생성에 사용되는 레이저에 대한 높은 투과율이 요구될 수도 있다. 잔해 차폐 막 층(10)은 예를 들어, 탄소 나노튜브, 다이아몬드, 흑연, 그래핀(graphene), 플러렌(fullerene), DLC(diamond like carbon), 지르코늄(Zr), 실리콘(Si) 등 또는 이들의 조합으로 이루어질 수 있다. 잔해 차폐 막 층(10)은 복수의 서브 층들을 포함할 수 있다.
지지 패턴 층(20)은 이온이 주입된 실리콘으로 이루어질 수 있다. 지지 패턴 층(20)은 잔해 차폐 막 층(10)을 보강하는 역할을 한다. 지지 패턴 층(20)에 주입된 이온은 보론(B), 인(P), 갈륨(Ga) 중에서 선택된 원소의 이온일 수 있다.
지지 패턴 층(20)은 메시 형태를 가진다. 좀 더 상세하게는 판에 구멍을 뚫어서 제작하는 메시 플레이트(mesh plate) 형태를 가진다.
도 2는 지지 패턴 층의 평면 형상들을 나타낸 도면이다. 도 2의 (a)에 도시된 바와 같이, 지지 패턴 층(20)은 육각형의 개구를 구비하는 허니컴 구조일 수 있다. 또한, 도 2의 (b) 내지 (d)에 도시된 바와 같이, 지지 패턴 층(20)은 사각형, 삼각형과 같은 다각형이나 원형 개구를 구비할 수도 있다. 지지 패턴 층(20)에서 개구가 차지하는 비율이나, 개구의 형태를 조절하는 방법으로 잔해 차폐 막(1)의 강도를 조절할 수 있다.
또한, 잔해 차폐 막(1)은 잔해 차폐 막 층(10)의 둘레부에 결합하는 프레임(30)을 더 포함한다. 프레임(30)은 실리콘으로 이루어질 수 있다. 프레임(30)은 지지 패턴 층(20)과 연결된다.
이하, 도 1에 도시된 잔해 차폐 막의 제조방법을 설명한다.
도 3은 도 1에 도시된 잔해 차폐 막의 제조방법의 순서도이며, 도 4는 잔해 차폐 막의 제조방법의 각 단계를 설명하기 위한 도면이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 잔해 차폐 막의 제조방법은 기판의 제1 면에 이온 주입용 마스크 층을 형성하는 단계(S1)와, 이온 주입용 마스크 패턴 층을 형성하는 단계(S2)와, 기판의 제1 면 측에 메시 형태의 식각 저지 영역을 형성하는 단계(S3)와, 이온 주입용 마스크 패턴 층을 제거하는 단계(S4)와, 식각 저지 영역이 형성된 기판의 제1 면에 잔해 차폐 막 층을 형성하는 단계(S5)와, 기판의 제2 면에 식각용 마스크 층을 형성하는 단계(S6)와, 윈도우 영역이 개방된 식각용 마스크 패턴 층을 형성하는 단계(S7)와, 윈도우 영역에 식각 저지 영역에 의해서 지지되는 잔해 차폐 막 층을 노출시키는 식각 단계(S8)를 포함한다.
이하, 도 3과 4를 참고하여, 각각의 단계에 대해서 설명한다.
먼저, 기판(35)의 제1 면(36)에 이온 주입용 마스크 층(40)을 형성하는 단계(S1)에 대해서 설명한다. 도 4의 (a)는 이온 주입용 마스크 층(40)이 형성된 기판(35)을 나타낸다.
본 단계에서 기판(35)으로는, 예를 들어, 실리콘 기판이 사용될 수 있다. 기판(35)은 제1 면(36)과 제1 면(36)과 나란한 제2 면(38)을 구비한다.
이온 주입용 마스크 층(40)으로는, 예를 들어, 이산화규소(SiO2) 층을 사용할 수 있다. 이온 주입용 마스크 층(40)은 PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition) 등의 종래의 증착 공정으로 형성할 수 있다. 이산화규소 층을 사용하는 경우에는 기판(35)을 열 산화시키는 방법으로 형성할 수도 있다.
이때, 도 4의 (a)에 도시된 바와 같이, 기판(35)의 제2 면(42)에도 이산화규소 층을 함께 형성할 수 있다.
다음, 이온 주입용 마스크 패턴 층(45)을 형성하는 단계(S2)에 대해서 설명한다.
본 단계는 기판(35)의 제1 면(36) 위에 형성된 이온 주입용 마스크 층(40)을 패터닝하여 메시 형태의 개구(46)가 형성된 구조의 이온 주입용 마스크 패턴 층(45)을 형성하는 단계이다.
본 단계는 이온 주입용 마스크 층(40) 위에 포토레지스트 층을 도포한 후에 포토레지스트 층을 노광 및 현상하여 포토레지스트 패턴 층을 형성하고 포토레지스트 패턴 층을 마스크로 이온 주입용 마스크 층(40)을 식각하는 방법으로 진행할 수 있다.
도 4의 (b)는 이온 주입용 마스크 패턴 층(45)이 형성된 기판(35)을 나타낸다. 이온 주입용 마스크 패턴 층(45)에는 메시 형태의 개구(46)가 형성된다.
다음, 기판(35)의 제1 면(36) 측에 메시 형태의 식각 저지 영역(25)을 형성하는 단계(S3)에 대해서 설명한다.
본 단계는 이온 주입용 마스크 패턴 층(45)을 마스크로 이온 주입 공정을 진행하는 단계이다. 본 단계는 이온을 고에너지 상태로 가속시킨 후, 이온 주입용 마스크 패턴 층(45)이 형성된 기판(35)에 충돌시킨 후 열처리하는 방법으로 진행할 수 있다.
본 단계는 보론(B), 인(P), 갈륨(Ga) 중에서 선택된 원소의 이온을 주입하는 단계일 수 있다. 이온이 주입되는 깊이는 0.01 내지 3㎛일 수 있다. 도핑 농도는 1018/㎤ ~ 1022/㎤ 일 수 있다.
본 단계를 거치면, 도 4의 (c)에 도시된 바와 같이, 기판(35)의 제1 면(36) 측에 이온이 도핑된 메시 구조의 식각 저지 영역(25)이 형성된다.
다음, 이온 주입용 마스크 패턴 층(45)을 제거하는 단계(S4)에 대해서 설명한다.
본 단계는 불산(HF), 인산(H3PO4) BOE(buffered oxide etchant) 등으로 이온 주입용 마스크 패턴 층(45)을 녹여서 제거하는 단계일 수 있다. 본 단계에서는 S1 단계에서 형성된 기판(35)의 제2 면(38)의 이산화규소 층(42)도 함께 제거할 수 있다.
도 4의 (d)는 이온 주입용 마스크 패턴 층(45)이 제거된 기판(35)을 나타낸다.
다음, 도 4의 (e)에 도시된 바와 같이, 식각 저지 영역(25)이 형성된 기판(35)의 제1 면(36)에 잔해 차폐 막 층(10)을 형성한다(S5).
잔해 차폐 막 층(10)은 극자외선(EUV)에 대한 높은 투과율이 요구된다. 또한, 극자외선 생성을 위한 플라스마 생성에 사용되는 레이저에 대한 높은 투과율이 요구될 수도 있다.
잔해 차폐 막 층(10)은 예를 들어, 탄소 나노튜브, 다이아몬드, 흑연, 그래핀(graphene), 플러렌(fullerene), DLC(diamond like carbon), 지르코늄(Zr), 실리콘(Si) 등 또는 이들의 조합으로 이루어질 수 있다. 잔해 차폐 막 층(10)은 복수의 서브 층들을 포함할 수 있다.
잔해 차폐 막 층(10)은 CVD나 PVD 공정, 예를 들어, 저압 화학 증착(LPCVD) 공정이나, 원자층 증착(Atomic layer doposition, ALD) 공정, 스퍼터링 공정을 통해서 증착하는 방법 등으로 형성할 수 있다.
다음, 도 4의 (f)에 도시된 바와 같이, 기판(35)의 제2 면(38)에 식각용 마스크 층(50)을 형성한다(S6).
식각용 마스크 층(50)은 질화규소(SixNy, x와 y는 정수이며, x/y = 0.7~1.5) 층, 산화 규소 층 또는 탄화 규소 층일 수 있다. 식각용 마스크 층(50)은 CVD나 PVD 공정으로 형성할 수 있다.
다음, 도 4의 (g)에 도시된 바와 같이, 중심부의 윈도우 영역(56)이 개방된 식각용 마스크 패턴 층(55)을 형성한다(S7).
다음, 식각 저지 영역(25)에 의해서 지지되는 잔해 차폐 막 층(10)을 노출시키는 식각 단계(S8)에 대해서 설명한다.
본 단계에서는 식각용 마스크 패턴 층(55)을 식각 마스크로 기판(35)을 식각한다. 본 단계는 습식 식각으로 진행될 수 있으며, 수산화칼륨(KOH), 수산화 나트륨(NaOH), HNA(HF, HNO3, CH3COOH 혼합용액), 에틸렌디아민-피로카테콜(EDP) 또는 수산화 테트라메틸암모늄(TMAH, Tetramethylammonium hydroxide) 등을 에칭액으로 사용할 수 있다. 에칭액은 식각 저지 영역(25)과 기판(35) 중에서 기판(35)만 선택적으로 제거한다.
본 단계를 거치면 도 1에 도시된 잔해 차폐 막(1)이 제작된다.
도 1에 도시된 바와 같이, 식각 저지 영역(25)은 에칭액에 의해서 식각되지 않고, 남아있다. 그리고 남아있는 식각 저지 영역(25)이 메시 형태의 지지 패턴 층(20)을 구성하게 된다. 지지 패턴 층(20)은 잔해 차폐 막 층(10)을 보강하는 역할을 한다. 그리고 식각 후에 남아 있는 기판(35)의 외곽부가 잔해 차폐 막 층(10)을 지지하는 프레임(30)이 된다.
이상에서 설명된 실시예는 본 발명의 바람직한 실시예를 설명한 것에 불과하고, 본 발명의 권리범위는 설명된 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 기술적 사상과 특허청구범위 내에서 이 분야의 당업자에 의하여 다양한 변경, 변형 또는 치환이 가능할 것이며, 그와 같은 실시예들은 본 발명의 범위에 속하는 것으로 이해되어야 한다.
1: 잔해 차폐 막
10: 잔해 차폐 막 층
20: 지지 패턴 층
25: 식각 저지 영역
30: 프레임
35: 기판
40: 이온 주입용 마스크 층
45: 이온 주입용 마스크 패턴 층
50: 식각용 마스크 층
55: 식각용 마스크 패턴 층
10: 잔해 차폐 막 층
20: 지지 패턴 층
25: 식각 저지 영역
30: 프레임
35: 기판
40: 이온 주입용 마스크 층
45: 이온 주입용 마스크 패턴 층
50: 식각용 마스크 층
55: 식각용 마스크 패턴 층
Claims (11)
- a) 기판의 제1 면에 이온 주입용 마스크 층을 형성하는 단계와,
b) 상기 이온 주입용 마스크 층을 패터닝하여 메시(mesh) 형태의 개구가 형성된 이온 주입용 마스크 패턴 층을 형성하는 단계와,
c) 상기 이온 주입용 마스크 패턴 층을 마스크로 이온 주입 공정을 진행하여 상기 기판의 제1 면 측에 메시 형태의 식각 저지 영역을 형성하는 단계와,
d) 상기 이온 주입용 마스크 패턴 층을 제거하는 단계와,
e) 상기 식각 저지 영역이 형성된 상기 기판의 제1 면에 잔해 차폐 막 층을 형성하는 단계와,
f) 상기 기판의 제1 면의 반대 면인 제2 면에 식각용 마스크 층을 형성하는 단계와,
g) 상기 식각용 마스크 층을 패터닝하여 윈도우 영역이 개방된 식각용 마스크 패턴 층을 형성하는 단계와,
h) 상기 식각용 마스크 패턴 층을 식각 마스크로, 상기 잔해 차폐 막 층이 노출될 때까지 상기 기판을 식각하여, 상기 식각 저지 영역에 의해서 지지되는 잔해 차폐 막 층을 노출시키는 식각 단계를 포함하는 잔해 차폐 막의 제조방법. - 제1항에 있어서,
상기 이온 주입용 마스크 층은 이산화규소(SiO2) 층인 잔해 차폐 막의 제조방법 - 제1항에 있어서,
상기 c) 단계는 보론(B), 인(P), 갈륨(Ga) 중에서 선택된 원소의 이온을 주입하는 단계인 잔해 차폐 막의 제조방법. - 제3항에 있어서,
상기 c) 단계는 0.01 내지 3㎛의 깊이로 이온을 주입하는 단계인 잔해 차폐 막의 제조방법. - 제3항에 있어서,
상기 c) 단계는 1018/㎤ 내지 1022/㎤의 농도로 이온을 주입하는 단계인 잔해 차폐 막의 제조방법. - 제1항에 있어서,
상기 식각용 마스크 층은 질화규소(SixNy, x와 y는 정수이며, x/y = 0.7~1.5) 층, 산화 규소 층, 탄화 규소 층 중에서 선택된 층인 잔해 차폐 막의 제조방법. - 제1항에 있어서,
상기 h) 단계는 상기 식각 저지 영역과 상기 기판 중에서 상기 기판만 선택적으로 식각하는 습식 식각 단계인 잔해 차폐 막의 제조방법. - 잔해 차폐 막 층과,
상기 잔해 차폐 막 층을 지지하는 메시 형태의 지지 패턴 층을 포함하며,
상기 지지 패턴 층은 이온이 주입된 실리콘으로 이루어진 잔해 차폐 막. - 제8항에 있어서,
상기 지지 패턴 층에 주입된 이온은 보론(B), 인(P), 갈륨(Ga) 중에서 선택된 원소의 이온인 잔해 차폐 막. - 제8항에 있어서,
상기 잔해 차폐 막 층의 둘레부에 결합하는 프레임을 더 포함하는 잔해 차폐 막. - 제10에 있어서,
상기 프레임은 실리콘으로 이루어진 잔해 차폐 막.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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