TWI384592B - 半導體元件固定用薄膜狀接著劑、使用該接著劑之半導體裝置及該半導體裝置之製造方法 - Google Patents

半導體元件固定用薄膜狀接著劑、使用該接著劑之半導體裝置及該半導體裝置之製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI384592B
TWI384592B TW095130217A TW95130217A TWI384592B TW I384592 B TWI384592 B TW I384592B TW 095130217 A TW095130217 A TW 095130217A TW 95130217 A TW95130217 A TW 95130217A TW I384592 B TWI384592 B TW I384592B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
adhesive
semiconductor element
film
fixing
substrate
Prior art date
Application number
TW095130217A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200711073A (en
Inventor
Takeshi Aoyama
Masaru Anzai
Original Assignee
Nippon Steel Chemical Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Steel Chemical Co filed Critical Nippon Steel Chemical Co
Publication of TW200711073A publication Critical patent/TW200711073A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI384592B publication Critical patent/TWI384592B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/06—Containers; Seals characterised by the material of the container or its electrical properties
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/831—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
    • H01L2224/83101—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus as prepeg comprising a layer connector, e.g. provided in an insulating plate member
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83191—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8338—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/83385—Shape, e.g. interlocking features
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
    • H01L2224/9222—Sequential connecting processes
    • H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
    • H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)

Description

半導體元件固定用薄膜狀接著劑、使用該接著劑之半導體裝置及該半導體裝置之製造方法
本發明係關於一種半導體元件固定用薄膜狀接著劑、使用該接著劑之半導體裝置及該半導體裝置之製造方法。
近年來，電子機器之高功能化或輕薄短小化進步，而用於電子機器之各式各樣的零件被要求高密度積體化或高密度安裝化。而且，在使用於該種電子機器之半導體裝置中，正推動其小型化或多接腳化。又，就安裝用於該種半導體裝置之半導體元件的基板而言，亦正在推展其小型化或細配線化，例如，為了提高對電子機器之半導體裝置的收容性，已使用將硬質基板與軟質基板疊層並一體化之可折彎的軟硬基板。
在該種狀況下，由於使用如習知引線架之半導體裝置在小型化方面有其極限，所以已經提案有一種採用將半導體元件安裝在基板上之所謂BGA(球閘陣列，Ball Grid Array)或CSP(晶片尺寸封裝，Chip Scale Package)的區域安裝型之搭載方式的半導體裝置。而，作為電性連接使用於該種半導體裝置的半導體元件之電極、及基板之電極的方法，為人周知者有一種打線接合方式或FC(覆晶，Flip Chip)連接方式，近年來，有揭示一種採用有利於更小型化之FC連接方式、及BGA或CSP搭載方式而所得的半導體裝置。
然而，在採用該種搭載方式之習知半導體裝置中，由於只能對一個半導體裝置收容一個半導體元件所以半導體裝置之小型化有其極限。又，在採用該種習知搭載方式之半導體裝置中，由於半導體元件動作所需之被動元件等電子零件被配置在半導體裝置之外部，所以使用此的電子機器之小型化亦有其極限，更且由於配線長度變長所以在處理高速信號之情況其設計上之限制會變大。
因此，已經研究、揭示一些可將被動元件等電子零件備置於半導體裝置之內部的半導體裝置。作為該種半導體裝置，可列舉例如將半導體元件與電容器(電子零件)一體成型於日本專利特開平8－162608號公報(專利文獻1)所記載之基板上的半導體裝置，或具備日本專利特開2005－12199號公報(專利文獻2)所記載之基板、安裝於上述基板上之被動元件、及疊層於上述被動元件表面之半導體元件的半導體裝置等。在該種半導體裝置中，為了將半導體元件接著在基板上而使用半導體元件固定用接著劑。而且，在該種半導體元件固定用接著劑之領域中，為了謀求所獲得的半導體裝置之小型化，亦已研究、揭示各式各樣的半導體元件固定用接著劑。
例如，在日本專利特開2005－60417號公報(專利文獻3)中，揭示一種網版印刷用接著劑清漆，其包含(A)由四羧酸二酐組成之酸二酐成份、及含有以特定之矽氧二胺與特定之芳香族二胺作為主成份之二胺成份所聚合的聚醯亞胺樹脂100重量份、(B)環氧樹脂5至200重量份、(C)環氧樹脂硬化劑0.1至100重量份、(D)無機填充劑0至300重量份及(E)有機溶劑100至500重量份。然而，在使用專利文獻3所記載之習知液體型半導體元件固定用接著劑時，由於其接著劑中包含有機溶劑所以很難乾燥，且在加厚膜厚時會在所形成的接著劑層之膜產生空隙。因此，在該種液體型半導體元件固定用接著劑中，無法將乾燥後之接著劑層的厚度形成200 μ m以上，且無法利用該半導體元件固定用接著劑填埋因設置於基板上之電子零件的厚度而在基板與半導體元件之間所產生的空間。又，在該種習知液體型半導體元件固定用接著劑中，由於因利用網版印刷而使該接著劑附著所以在生產成本方面亦有問題。
又，在日本專利特開平10－259364號公報(專利文獻4)中，揭示一種電子零件用接著帶，其包含接著劑薄膜(a)、形成第2接著劑層之接著劑薄膜(b)、及塗敷、乾燥有機溶劑可溶性接著劑組成之塗敷液而形成的接著劑薄膜(c)。然而，在專利文獻4所記載之習知半導體元件固定用接著劑中，接著劑層之數量所需的塗佈步驟在塗佈設備、生產成本方面有很大的問題。更且，在使有機溶劑可溶性接著劑層乾燥時很難使有機溶劑蒸發，同時亦有在使之乾燥所得的有機溶劑可溶性接著劑層中發生空隙的問題。因此，在如專利文獻4所記載之半導體元件固定用接著劑中，無法將其厚度形成200 μ m以上，且無法利用該半導體元件固定用接著劑填埋因設置於基板上之電子零件的厚度而在基板與半導體元件之間所產生的空間。
更且，在日本專利特開2001－49220號公報(專利文獻5)中，揭示一種將(A)氧化矽(silica)、(B)苯氧基樹脂、(C)縮水甘油醚型環氧樹脂、及(D)環氧樹脂硬化劑當作必須成份，而組成物中之氧化矽含量為50至80質量%，且(B)苯氧基樹脂/(C)縮水甘油醚型環氧樹脂之重量比為0.02至1之範圍的薄膜狀接著劑用組成物。然而，在專利文獻5所記載之薄膜狀半導體元件固定用接著劑中，設置於基板上的電子零件之厚度較厚時，並無法利用該半導體元件固定用接著劑充分地填埋在基板與半導體元件之間所產生的空間。
(專利文獻1)日本專利特開平8－162608號公報(專利文獻2)日本專利特開2005－12199號公報(專利文獻3)日本專利特開2005－60417號公報(專利文獻4)日本專利特開平10－259364號公報(專利文獻5)日本專利特開2001－49220號公報
本發明係有鑒於上述先前技術所具有之課題而開發完成者，其目的在於提供一種半導體元件固定用薄膜狀接著劑、使用該接著劑之半導體裝置及該半導體裝置之製造方法，僅管其為半導體元件固定用薄膜狀接著劑，亦可一面將其厚度作得比設於基板上之電子零件的厚度還厚而一面充分地防止空隙(void)之發生，而且可利用該半導體元件固定用薄膜狀接著劑充分地填埋因設置於基板上之電子零件的厚度而在基板與半導體元件之間產生的空間，可既有效率且確實地將半導體元件接著在具有凹凸之基板。
本發明人等為了達成上述目的而反覆精心致力研究結果，發現藉著由在140℃之熔融黏度為50Pa．s以下之材料所構成的接著劑用薄膜疊層複數片，即可獲得具有比基板上之電子零件之厚度還厚的半導體元件固定用薄膜狀接著劑，且藉此可充分地防止空隙之發生，同時利用半導體元件固定用薄膜狀接著劑將因設置於基板上之電子零件的厚度而在基板與半導體元件之間產生的空間充分地填埋，可既有效率且確實地將半導體元件接著在基板，以致完成本發明。
亦即，本發明之半導體元件固定用薄膜狀接著劑，其特徵在：由在140℃之熔融黏度為50Pa．s以下之材料所構成的接著劑用薄膜疊層複數片而成者，且厚度為200 μ m至2000 μ m。
在此，說明本發明之材料的熔融黏度之測定方法。亦即，本發明之材料的熔融黏度之測定方法，係使用流動測試機(flow tester)(島津製作所製作，商品名「CFT－500A」)作為測試裝置，且將試驗片之樹脂事先加熱至預定溫度，從該熔融物通過細管時之黏性阻力測定的方法。
又，作為上述本發明之半導體元件固定用薄膜狀接著劑，其中上述材料，較佳係為含有(A)氧化矽、(B)苯氧基樹脂、(C)縮水甘油醚型環氧樹脂、及(D)環氧樹脂硬化劑，而(A)氧化矽之含量為50至80質量%，且(B)苯氧基樹脂與(C)縮水甘油醚型環氧樹脂之重量比((B)苯氧基樹脂/(C)縮水甘油醚型環氧樹脂)為0.02至1之範圍的接著劑用組成物。
更且，作為上述本發明之半導體元件固定用薄膜狀接著劑，較佳係於上述材料之熔融黏度在30000Pa．s以下之溫度以上且為上述材料之熱硬化開始溫度以下之溫度範圍內的溫度中，疊層上述複數片接著劑用薄膜者。
又，本發明之半導體裝置之製造方法，其特徵在：使用上述本發明之半導體元件固定用薄膜狀接著劑，將半導體元件黏接在基板上。
更且，本發明之半導體裝置，其特徵在具備：半導體元件、基板、及用以接著上述半導體元件與基板的上述本發明之半導體元件固定用薄膜狀接著劑。
依據本發明，可提供一種半導體元件固定用薄膜狀接著劑、使用該接著劑之半導體裝置及該半導體裝置之製造方法，僅管其為半導體元件固定用薄膜狀接著劑，亦可將其厚度作得比設於基板上之電子零件的厚度還厚，同時充分地防止空隙之發生，而且可利用該半導體元件固定用薄膜狀接著劑將因設置於基板上之電子零件的厚度而在基板與半導體元件之間產生的空間充分地填埋，可極有效率且確實地將半導體元件接著在具有凹凸之基板上。
以下，就其較佳實施方式詳細說明本發明。
(半導體元件固定用薄膜狀接著劑)
首先，就本發明之半導體元件固定用薄膜狀接著劑加以說明。亦即，本發明之半導體元件固定用薄膜狀接著劑，其特徵係由在140℃之熔融黏度為50Pa．s以下之材料所構成的接著劑用薄膜疊層複數片而成者，且厚度為200 μ m至2000 μ m。該種半導體元件固定用薄膜狀接著劑，一面可適合於接著使用習知半導體元件固定用接著劑之半導體元件與基板的方法，而一面在安裝於半導體元件之溫度中顯示低熔融黏性，上述半導體元件固定用薄膜狀接著劑可一面藉此追隨基板上之凹凸，並利用該半導體元件固定用薄膜狀接著劑填埋在基板與半導體元件之間所產生之空間，而一面既有效率且確實地將半導體元件固定在基板上。
有關本發明之材料，係採用上述本發明之材料的熔融黏度之測定方法所測定的在140℃之熔融黏度為50Pa．s以下之材料。當該種熔融黏度超過50Pa．s，而使用所獲得的半導體元件固定用薄膜狀接著劑來黏接半導體元件與基板時，就無法使上述半導體元件固定用薄膜狀接著劑追隨因設置於基板上之電子零件的厚度而產生的基板上之凹凸，而會在基板與半導體元件之間產生空間。
作為該種材料在140℃之熔融黏度，更佳為1Pa．s至50Pa．s。當該種熔融黏度未滿上述下限，則所獲得的半導體元件固定用薄膜狀接著劑就會變得過軟，而有使在基板上接著半導體元件時之操作性降低的傾向。
又，作為該種材料若係在140℃之熔融黏度為50Pa．s以下之材料的話則未特別被限制，可適當地使用公知接著劑用之組成物等。而且，從在該種材料之中，可更充分地防止空隙之發生，並可更有效率地將半導體元件接著在具有凹凸之基板的觀點來看，較佳為使用含有(A)氧化矽、(B)苯氧基樹脂、(C)縮水甘油醚型環氧樹脂、及(D)環氧樹脂硬化劑，而(A)氧化矽之含量為50至80質量%，且(B)苯氧基樹脂與(C)縮水甘油醚型環氧樹脂之重量比((B)苯氧基樹脂/(C)縮水甘油醚型環氧樹脂)為0.02至1之範圍的接著劑用組成物。
作為用於可適當地用作本發明之材料的上述接著劑用組成物之(A)氧化矽並未特別被限定，可列舉破碎狀或球狀之熔融氧化矽粉末。該種(A)氧化矽之中更佳者亦可使用平均粒徑為5至40 μ m之球狀氧化矽與平均粒徑為0.1至5 μ m之微粒子球狀氧化矽的混合物。在使用該種(A)氧化矽時，較佳為總球狀氧化矽中所佔之微粒子球狀氧化矽的比例為50質量%以下，更佳為5至50質量%之範圍。當上述微粒子球狀氧化矽之比例超過50質量%時，會有組成物之熔融黏度增大並使暫時壓接特性降低的傾向，另一方面，當微粒子球狀氧化矽之比例未滿5質量%時會有形成接著劑用薄膜時之薄膜表面狀態的穩定性降低，或薄膜本身變脆之傾向。如此，在上述微粒子球狀氧化矽比率在5至50質量%之範圍時，由於會變成較寬廣之粒子大小(粒度)分佈所以可顯示穩定的薄膜表面性狀及薄膜流動性。
又，上述接著劑用組成物中之(A)氧化矽的含量，較佳為50至80質量%之範圍。從本發明之接著劑用薄膜之線膨脹率減低的觀點來看雖然較佳係使含有更多的(A)氧化矽，但是當該種接著劑用組成物中之(A)氧化矽的含量超過80質量%時，因當作黏合劑(binder)使用之樹脂成份不足而使上述接著劑用組成物之黏度上升，有接著劑用組成物所組成之接著劑用薄膜變脆使暫時壓接性能顯著降低的傾向。又，在上述接著劑用組成物中之(A)氧化矽的含量未滿50質量%時，由於無法充分地減低所獲得的半導體元件固定用薄膜狀接著劑之線膨脹率，所以有半導體元件、與電子零件及基板間之應力變大的傾向，例如，在組裝半導體裝置(封裝)後之溫度循環試驗(－65至150℃)時會發生無法承受半導體裝置所產生之應力的情形。
更且，作為上述接著劑用組成物中之(A)氧化矽的含量，從更確實地將上述接著劑用組成物在140℃之熔融黏度設為50Pa．s以下的觀點來看，更佳為50至70質量%。
又，用於上述接著劑用組成物之(B)苯氧基樹脂並未特別被限制，可使用公知之苯氧基樹脂。作為(B)苯氧基樹脂，例如可列舉從如雙酚A(bisphenol)之雙酚與環氧氯丙烷(epichlorohydrin)所得之分子量成為10000以上的熱塑性樹脂。作為該種苯氧基樹脂，從更確實地將上述接著劑用組成物在140℃之熔融黏度設為50Pa．s以下的觀點來看，較佳者係分子量為10000至35000者。又，該種苯氧基樹脂，由於構造與環氧樹脂類似，所以具有與(C)縮水甘油醚型環氧樹脂之相溶性佳，更且接著性亦佳的特徵。作為(B)苯氧基樹脂，雖然可適合地使用主骨骼為雙酚A型者，但是其他亦可適合地使用雙酚A/F混合型苯氧基樹脂或溴化苯氧基樹脂等市售的苯氧基樹脂。
又，作為用於上述接著劑用組成物之(C)縮水甘油醚型環氧樹脂，可列舉酚醛清漆縮水甘油醚型、鄰－甲酚酚醛清漆縮水甘油醚型、芴雙酚縮水甘油醚型、三縮水甘油醚型、萘酚縮水甘油醚型、萘二酚縮水甘油醚型、三苯基縮水甘油醚型、四苯基縮水甘油醚型、雙酚A縮水甘油醚型、雙酚F縮水甘油醚型、雙酚AD縮水甘油醚型、雙酚S縮水甘油醚型、三羥甲基甲烷縮水甘油醚型等為例。即使在該種(C)縮水甘油醚型環氧樹脂之中，較佳為分子內具有2個以上之縮水甘油醚基者。又，作為該種(C)縮水甘油醚型環氧樹脂，可單獨使用1種或混合2種以上者來使用。
以(B)苯氧基樹脂/(C)縮水甘油醚型環氧樹脂所計算的重量比較佳為0.02至1之範圍，更佳為0.1至0.7之範圍。上述重量比未滿0.02時則有無法將所獲得的上述接著劑用組成物形成薄膜形狀之傾向，另一方面，當上述重量比超過1時，則有所獲得的薄膜變脆之傾向。又，以(B)苯氧基樹脂/(C)縮水甘油醚型環氧樹脂所計算的重量比，從更確實地將上述接著劑用組成物在140℃之熔融黏度設為50Pa．s以下的觀點來看，特佳為0.3至0.5之範圍。
更且，在用於上述接著劑用組成物之(D)環氧樹脂硬化劑中，雖然可使用胺類、酸酐類、多價苯酚類等公知的硬化劑，但是較佳為以常溫以上之預定溫度，例如由(B)苯氧基樹脂、(C)縮水甘油醚型環氧樹脂、及依其他必要而添加的樹脂(但是，(D)環氧樹脂硬化劑除外)所組成之樹脂成份顯示必要黏著性的溫度以上發揮硬化性，而且發揮速硬化性的潛在性硬化劑。作為該種潛在性硬化劑，亦可使用雙氰胺、咪唑、醯肼、三氟化硼－胺錯合物、胺醯亞胺、多胺鹽及該等之改質物、更亦可使用微膠囊型者。該等，可單獨使用1種或混合2種以上來使用。藉由使用該種潛在性硬化劑即可提供一種可在室溫下長期保存且保存穩定性高的薄膜接著劑用組成物。作為該種環氧樹脂硬化劑之含量相對於(C)縮水甘油醚型環氧樹脂，通常為0.5至50質量%之範圍。
又，上述接著劑用組成物中，除了(A)至(D)成份以外，亦可在不損本發明之效果的範圍內含有少量的其他樹脂。作為該種其他樹脂並未特別被限制，例如，可列舉矽烷偶合材料、表面改質材料。
以下，將由上述接著劑用組成物中所含有的(B)苯氧基樹脂、(C)縮水甘油醚型環氧樹脂、及依必要而添加的其他樹脂(但是，(D)環氧樹脂硬化劑除外)所組成之成份稱為樹脂成份，將該種樹脂成份形成均勻之組成物時的軟化點稱為樹脂成份之軟化點。
(B)苯氧基樹脂、與(C)縮水甘油醚型環氧樹脂之混合比率，雖係依其成份之組合而改變，但是從顯示所獲得的半導體元件固定用薄膜狀接著劑更優越之暫時壓著性的觀點來看，係以上述樹脂成份之混合物的軟化點，較佳為100℃以下，更佳為50至100℃，最佳為65至90℃之範圍的方式，來混合(B)苯氧基樹脂、與(C)縮水甘油醚型環氧樹脂為佳。在上述樹脂成份之軟化點超過100℃時，會有所獲得的半導體元件固定用薄膜狀接著劑之薄片變硬、變脆，同時暫時壓著變得困難的傾向，又，在軟化點未滿50℃時，會有在所獲得的半導體元件固定用薄膜狀接著劑之表面發現黏著(tack)性強而處理性顯著降低，同時常溫保存時上述半導體元件固定用薄膜狀接著劑流動的傾向。
又，作為上述接著劑用組成物中之上述樹脂成份中所佔的(B)苯氧基樹脂之比例，較佳為50質量%以下。藉由將(B)苯氧基樹脂之比例設為50質量%以下，則有容易使上述半導體元件固定用薄膜狀接著劑之薄片具有支撐性的傾向。又，作為上述樹脂成份中所佔的(B)苯氧基樹脂之比例，更佳為10至50質量%。在(B)苯氧基樹脂之比例未滿10質量%時，會有因所獲得的上述半導體元件固定用薄膜狀接著劑之薄片變脆、樹脂成份之軟化點亦變低而不易發現上述薄片單獨之支撐性的傾向，另一方面，當超過50質量%時，會有上述薄片變硬、上述薄片單獨時容易破裂的傾向。更且，作為上述接著劑用組成物中之上述樹脂成份中所佔的(B)苯氧基樹脂之比例，從更確實地將上述接著劑用組成物在140℃之熔融黏度設為50Pa．s以下的觀點來看，特佳為10至30質量%。
又，上述接著劑用組成物中，作為其他添加劑，例如亦可含有丁二烯系橡膠或矽氧橡膠等作為偶合劑、氧化防止劑、難燃劑、著色劑、應力緩和劑。從在該種添加劑之中亦補強與氧化矽之界面使之發現較高的破壞強度，同時提高黏著力的觀點來看，較佳為上述偶合劑。又，作為該種偶合劑，更佳為使用含有胺基、環氧基者。
本發明之接著劑用薄膜，係將上述材料薄膜化所得者。如此，將上述材料薄膜化所得的本發明之接著劑用薄膜，會有在常溫下黏著性小作業性優的傾向。
又，作為該種薄膜化之方法並未特別被限制，可適當地採用公知的方法。以下，說明將適合的上述接著劑用組成物薄膜化作為本發明之材料的適合方法。
作為上述接著劑用組成物薄膜化之適合方法，例如可列舉使上述接著劑用組成物溶解於甲苯、二甲苯等芳香族碳化氫、MIBK或MEK等酮系、單甘二甲醚(monoglyme)、二甘二甲醚(diglyme)等醚系之單獨或混合的有機溶媒中，且將所獲得的清漆塗佈在經離模處理過之PP、PE、PET等基材(保護薄膜)，且施予上述接著劑用組成物之硬化開始溫度以下的熱處理，再予以乾燥的方法。又，該種上述接著劑用組成物所形成的接著劑用薄膜之厚度，從防止空隙之發生的觀點來看，較佳為10至150 μ m之範圍。
以下，一面參照圖式而一面就本發明之半導體元件固定用薄膜狀接著劑的較佳實施方式加以詳細說明。另外，以下之說明及圖式中，在相同或相當之要素附記相同之元件符號，且省略其重複之說明。
第1圖係顯示本發明之半導體元件固定用薄膜狀接著劑10構成較佳之一實施方式的概略縱剖面圖。第1圖所示的本發明之半導體元件固定用薄膜狀接著劑10具備複數片之接著劑用薄膜20。如此，本發明之半導體元件固定用薄膜狀接著劑10係層疊複數片之接著劑用薄膜20所成，且厚度L為200 μ m至2000 μ m者。
該種半導體元件固定用薄膜狀接著劑之厚度若未滿200 μ m，則由於半導體元件固定用薄膜狀接著劑之厚度變得比設置在使接著半導體元件之基板上的電子零件之厚度還薄，所以無法利用上述半導體元件固定用薄膜狀接著劑來填埋因上述電子零件而在基板與半導體元件之間所產生的空間。另一方面，當該種半導體元件固定用薄膜狀接著劑之厚度L超過2000 μ m時則使用時無法在厚度方向傳遞足夠的熱。
又，作為該種半導體元件固定用薄膜狀接著劑之厚度，較佳為250 μ m至1800 μ m，更佳為300 μ m至1500 μ m。在上述半導體元件固定用薄膜狀接著劑之厚度L未滿上述下限時，會有無法利用上述半導體元件固定用薄膜狀接著劑充分地填埋在基板與半導體元件之間所產生的空間之傾向，另一方面，當超過上述上限時則有使用時很難在厚度方向傳遞足夠的熱之傾向。
又，作為本發明之半導體元件固定用薄膜狀接著劑10，較佳為在上述材料之熔融黏度在30000Pa．s以下之溫度以上且為上述材料之熱硬化開始溫度以下之溫度範圍內的溫度中，疊層上述複數片接著劑用薄膜20者。在上述材料之熔融黏度在30000Pa．s以下之溫度以上且為上述材料之熱硬化開始溫度以下之溫度範圍內的溫度中，疊層上述複數片接著劑用薄膜20時，在所獲得的半導體元件固定用薄膜狀接著劑中會有上述接著劑用薄膜20之界面21變無的傾向。因而，滿足該種條件的本發明之半導體元件固定用薄膜狀接著劑10，看起來宛如由1片之接著劑用薄片所構成般。
本發明之半導體元件固定用薄膜狀接著劑10的硬化物之線膨脹率，常溫(23℃)較佳為30ppm以下。當上述線膨脹率之值高於30ppm時，由於與電子零件或基板等之線膨脹率的差會變大，所以無法利用半導體元件固定用薄膜狀接著劑10充分抑制對電子零件或基板的應力，且在使用所獲得的半導體裝置時會有一部分遭破壞的傾向。又，從配合電子零件或基板之線膨脹率的觀點來看，作為該種半導體元件固定用薄膜狀接著劑10的硬化物之線膨脹率更佳為10至20ppm。
作為層疊複數片之接著劑用薄膜20的方法並未特別被限制，亦可如前面所述般地在事先調製複數片之接著劑用薄膜20之後，依序疊層該等，或是如前面所述般地在將含有本發明之材料的清漆塗佈在保護薄膜上，且使之乾燥並調製接著劑用薄膜20之後，對所獲得的接著劑用薄膜20之表面再次塗佈上述清漆，且使之乾燥並依序疊層接著劑用薄膜20。又，疊層複數片之該種接著劑用薄膜20的步驟，亦可在對半導體元件供給上述半導體元件固定用薄膜狀接著劑10時同時進行。
作為層疊複數片之該種接著劑用薄膜的方法，較佳為採用在從上述材料之熔融黏度變成30000Pa．s以下之溫度以上且為上述材料之熱硬化開始溫度以下之溫度範圍內的溫度中，疊層上述複數片接著劑用薄膜20的方法。在上述材料之熔融黏度未滿30000Pa．s以下之溫度疊層上述接著劑用薄膜時，在所獲得的半導體元件固定用薄膜狀接著劑10中會有殘留接著劑用薄膜20之界面21的傾向，另一方面，在超出上述材料之熱硬化開始溫度的溫度中疊層上述接著劑用薄膜時，由於接著劑用薄膜20中之材料硬化，所以有所獲得的半導體元件固定用薄膜狀接著劑10不具作為接著劑之功能的傾向。
(半導體裝置之製造方法)
其次，就本發明之半導體裝置之製造方法加以說明。亦即，本發明之半導體裝置之製造方法，係以使用上述本發明之半導體元件固定用薄膜狀接著劑，將半導體元件接著在基板為其特徵的方法。
以下，一面參照圖式而一面就本發明之半導體裝置之製造方法的較佳之一實施方式加以詳細說明。另外，在以下之說明及圖式中，相同或相當之要素附記相同之元件符號，且省略其重複之說明。
第2圖係顯示用於本發明之基板較佳之一實施方式的概略縱剖面圖。在第2圖所示之基板30中，係在基板30上搭載有電子零件40。
作為基板30雖未特別被限制，但是可適當地使用形成有電路之基板，例如可使用印刷電路基板(PCB)。又，作為搭載於基板30上之電子零件40雖未特別被限制，但是可列舉例如電阻元件、電容器等的被動零件。
又，在形成有電路之基板30上搭載電子零件40的方法亦未特別被限制，可適當地採用使用銲錫之習知表面搭載技術、或使用導電糊之方法、使用金球凸塊(stud bump)之方法等的習知公知方法。
其次，說明使用該種基板30的本發明之半導體裝置之製造方法的較佳方法。該種本發明之半導體裝置之製造方法的較佳方法，基本上，該方法包含有：步驟(i)，其對半導體元件供給上述本發明之半導體元件固定用薄膜狀接著劑；步驟(ii)，其以在搭載有電子零件之基板表面疊層上述半導體元件固定用薄膜狀接著劑之表面的方式將上述半導體元件接著在基板上；步驟(iii)，其介以搭接線來連接上述半導體元件與基板；及步驟(iv)，其利用密封樹脂來密封基板與半導體元件以獲得半導體裝置。
首先，就步驟(i)加以說明。亦即，步驟(i)，係對半導體元件供給上述本發明之半導體元件固定用薄膜狀接著劑的步驟。
第3圖係顯示半導體元件固定用薄膜狀接著劑疊層半導體元件較佳之一實施方式的概略縱剖面圖。亦即，第3圖係顯示在半導體元件50之背面50a疊層有半導體元件固定用薄膜狀接著劑10的狀態。半導體元件固定用薄膜狀接著劑10係疊層複數片之接著劑用薄膜20所成的前面所述本發明之半導體元件固定用薄膜狀接著劑。更且，作為該種半導體元件50並未特別被限制，可適當地使用公知之半導體元件。
作為將該種上述本發明之半導體元件固定用薄膜狀接著劑10供至半導體元件50之背面50a的方法並未特別被限制，可適當地採用能使半導體元件固定用薄膜狀接著劑10疊層於半導體元件50之背面50a的方法。作為將半導體元件固定用薄膜狀接著劑10供至半導體元件50之背面50a的方法，可列舉在將接著劑用薄膜20貼合於半導體元件50之背面50a之後，依序疊層接著劑用薄膜20並將半導體元件固定用薄膜狀接著劑10供至半導體元件50之背面50a直至所期望之厚度為止的方法、或將接著劑用薄膜20事先疊層成目的之厚度而所獲得的半導體元件固定用薄膜狀接著劑10貼合於半導體元件50之背面50a並將半導體元件固定用薄膜狀接著劑10供至半導體元件50之背面50a的方法等。
又，作為將該種上述本發明之半導體元件固定用薄膜狀接著劑10供至半導體元件50之背面50a時所用的裝置並未特別被限制，可適當地使用例如軋輥貼合機(roll laminator)等的公知裝置。
又，在將該種半導體元件固定用薄膜狀接著劑10貼合於半導體元件50之背面50a時，較佳為在構成接著劑用薄膜20的材料之熔融黏度在30000Pa．s以下之溫度以上且為上述材料之熱硬化開始溫度以下之溫度範圍內的溫度中貼合半導體元件固定用薄膜狀接著劑10。在該種溫度條件下藉由在半導體元件50貼合半導體元件固定用薄膜狀接著劑10，則在半導體元件固定用薄膜狀接著劑10中，有接著劑用薄膜20之界面變無的傾向。又，在該種溫度條件未滿上述材料之熔融黏度在30000Pa．s以下之溫度的情況，在半導體元件固定用薄膜狀接著劑10中會有殘留接著劑用薄膜20之界面的傾向，另一方面，當超出熱硬化開始溫度時，在將半導體元件固定用薄膜狀接著劑10貼合於半導體元件50之背面50a的階段中，半導體元件固定用薄膜狀接著劑10會硬化，而在將半導體元件接著在基板時會有對基板之接著性降低的傾向。
又，在將本發明之半導體元件固定用薄膜狀接著劑10供至半導體元件50之背面50之後，藉由在半導體元件固定用薄膜狀接著劑10面貼合切割薄膜(dicing film)，且利用切割機將半導體元件個片化，即可獲得對背面供給接著劑的半導體元件固定用薄膜狀接著劑疊層半導體元件。
該種切割薄膜並未特別被限制，可適當地使用公知之切割薄膜。更且，上述切割機並未特別被限制，可適當地使用公知之切割機。
其次，就步驟(ii)至(iv)加以說明。亦即，步驟(ii)係以在搭載有電子零件之基板表面疊層上述半導體元件固定用薄膜狀接著劑之表面的方式將上述半導體元件安裝在基板上的步驟；步驟(iii)係介以搭接線來連接上述半導體元件與基板的步驟；步驟(iv)係利用密封樹脂來密封基板與半導體元件以獲得半導體裝置的步驟。
第4圖(a)至(d)係顯示該種步驟(ii)至(iv)之較佳之一實施方式的概略圖。第4圖(a)係顯示搭載有電子零件40之基板30；第4圖(b)係顯示在搭載有電子零件40之基板30表面安裝有半導體元件50的狀態；第4圖(c)係顯示半導體元件50介以搭接線60而與基板30連接的狀態；第4圖(d)係顯示基板30與半導體元件50利用密封樹脂70而密封的半導體裝置80。另外，第4圖(a)及(b)係對應步驟(ii)，第4圖(c)係對應步驟(iii)，第4圖(d)係對應步驟(iv)。
在步驟(ii)中，首先，準備第4圖(a)所示之基板30。該種基板30，係與前面所述之第2圖所示的基板30同樣者，且如前面所述將電子零件40搭載在基板30所獲得者。然後，準備如前面所述之第3圖所示的半導體元件固定用薄膜狀接著劑10疊層半導體元件50。
其次，如第4圖(b)所示，以在搭載有電子零件40之基板30表面疊層半導體元件固定用薄膜狀接著劑10之表面的方式將半導體元件50安裝在基板30上(步驟(ii))。
作為將該種半導體元件50安裝在基板30上的方法並未特別被限制，可適當地採用能利用薄膜狀之半導體元件固定用接著劑將半導體元件接著在基板或電子零件的習知方法。作為該種安裝方法，可列舉採用一使用具有來自上部之加熱功能之覆晶黏合機的安裝技術之方法、採用具有來自下部之加熱功能之黏晶機的方法、使用貼合機之方法等習知公知之加熱、加壓方法。如此，藉由使用半導體元件固定用薄膜狀接著劑10將半導體元件50安裝在基板30上，即可一面使半導體元件固定用薄膜狀接著劑10追隨因電子零件40所產生的基板上之凹凸，而一面接著基板與半導體元件，如第4圖(b)所示，可全部利用半導體元件固定用薄膜狀接著劑覆蓋半導體元件與基板之間。亦即，藉由使用半導體元件固定用薄膜狀接著劑10，由於可利用半導體元件固定用薄膜狀接著劑10填埋於基板之凹凸，所以不會在基板與半導體元件之間產生空間而可將半導體元件固定在基板。
本發明之半導體裝置之製造方法中，將半導體元件50安裝在基板30上時之溫度條件較佳為以半導體元件固定用薄膜狀接著劑10之熔融黏度變成50Pa．s以下(更佳為1至50Pa．s之範圍)之溫度來安裝。在該種溫度條件下，藉由將半導體元件安裝在基板，即可利用半導體元件固定用薄膜狀接著劑一面更有效率地填埋基板上之凹凸而一面將半導體元件固定在基板。另外，滿足該種條件之具體的溫度範圍雖依製造半導體元件固定用薄膜狀接著劑10時所選擇的材料之種類而不同，但是例如在用於前面所述的本發明之半導體元件固定用薄膜狀接著劑之材料為上述接著劑組成物時則較佳為140至180℃左右。
又，將半導體元件50安裝在基板30上時之壓力條件雖會依製造所使用之半導體元件固定用薄膜狀接著劑10時所選擇的材料而不同，但是一般較佳為0.1至1kgf/cm2 左右。在上述壓力未滿上述下限時，則有為了要利用半導體元件固定用薄膜狀接著劑填埋因電子零件之凹凸所產生的基板上之凹凸而需要花時間，更且有無法充分地防止空隙之發生的傾向，另一方面，當超出上述上限時，則有無法控制接著劑溢出之傾向。
其次，在步驟(iii)中，如第4圖(c)所示，介以搭接線60來連接半導體元件50與基板30。作為介以搭接線60來連接該種半導體元件50與基板30的方法並未特別被限制，可適當地採用習知公知之方法，例如，打線接合方式之方法、TAB(捲帶式自動接合，Tape Automated Bonding)方式之方法等。
其次，在步驟(iv)中，如第4圖(d)所示，利用密封樹脂70來密封基板30與半導體元件50以獲得半導體裝置80。作為密封樹脂70並未特別被限制，可適當地使用能用於半導體裝置之製造的公知樹脂。又，作為使用密封樹脂70之方法並未特別被限制，可適當地採用公知之方法。
依據該種本發明之半導體裝置之製造方法，由於因電子零件40而產生的基板30上之凹凸可利用半導體元件固定用薄膜狀接著劑10來填埋，所以不會在基板30與半導體元件50之間產生空間而可將半導體元件50固定在基板30，藉此，在抑制容積之狀態下可有效率地製造內藏電子零件40的半導體裝置80。
(半導體裝置)
其次，就本發明之半導體裝置加以說明。亦即，本發明之半導體裝置，其特徵為具備：半導體元件、基板、及接著上述半導體元件與基板的上述本發明之半導體元件固定用薄膜狀接著劑。
以下，一面參照圖式而一面就本發明之半導體裝置的較佳之一實施方式加以說明。另外，在以下之說明及圖式中，相同或相當之要素附記相同之元件符號，且省略其重複之說明。
第5圖係顯示本發明半導體裝置較佳之一實施方式的概略縱剖面圖。第5圖所示的本發明之半導體裝置80，基本上具備半導體元件50、基板30、及接著上述半導體元件與基板的上述本發明之半導體元件固定用薄膜狀接著劑10。又，在第5圖所示之半導體裝置中，在基板30上搭載有電子零件40。更且，基板30與半導體元件50介以搭接線60而連接著。又，在第5圖所示之半導體裝置中，半導體元件50、基板30、及接著上述半導體元件與基板的上述本發明之半導體元件固定用薄膜狀接著劑10，係由密封樹脂70所覆蓋。
有關用於該種半導體裝置之半導體元件固定用薄膜狀接著劑10、基板30、電子零件40、半導體元件50等係如同前面所述，可按照用途適當地選擇基板或電子零件等來配置。又，該種半導體裝置之製造方法亦如同前面所述。
該種半導體裝置，由於係使用上述本發明之半導體元件固定用薄膜狀接著劑，而可在抑制容積之狀態下有效率地內藏電子零件40，所以可特別適合地用在行動電話等被要求小型化之用途的電子機器等中。
(實施例)
以下，雖係根據實施例更具體地說明本發明，但是本發明並非被限定於以下之實施例。
(實施例1)
首先，使用軋輥貼合機，在厚度150 μ m之半導體功能面之背面，以溫度50℃、荷重0.3MPa之條件，配置厚度130 μ m之接著劑用薄膜(新日鐵化學製，商品名「NEX－130C」)。
其次，使用軋輥貼合機，在被配置於厚度150 μ m之半導體功能面之背面的上述接著劑用薄膜之表面，以溫度50℃、荷重0.3MPa之條件，更貼合厚度130 μ m之3片接著劑用薄膜(新日鐵化學製，商品名「NEX－130C」)。如此所獲得的半導體元件固定用薄膜狀接著劑之厚度為520 μ m。另外，用於溫度50℃之上述接著劑用薄膜的材料之熔融黏度係為17000Pa．s，且在所獲得的半導體元件固定用薄膜狀接著劑中，看不到接著劑用薄膜之界面。
之後，使用軋輥貼合機，在半導體元件固定用薄膜狀接著劑面貼合切割薄膜(琳得科(Lintec)製，商品名「D－11」)之後，利用切割機將半導體元件個片化，藉以獲得對背面供給有接著劑之半導體元件固定用薄膜狀接著劑疊層半導體元件。
其次，在使用FR－5基板(日立化成公司製之商品名「MCL－E－679F」)而製作成的印刷配線板上之預定端子印刷銲錫糊，且在與印刷完銲錫糊之端子對應的部位利用SMT糊暫時固定長邊600 μ m、短邊300 μ m之電阻元件(以下，稱為「電子零件」)30個之後，置入回銲爐中，使電子零件與印刷配線板電連接，以使電子零件搭載在基板上。此時之電子零件的高度，平均為230 μ m。
然後，一面將半導體元件固定用薄膜狀接著劑疊層半導體元件加熱至160℃而一面以荷重0.06MPa之條件，安裝在搭載有電子零件之基板上。此時，利用上述測定方法所測定的半導體元件固定用薄膜狀接著劑之熔融黏度為30Pa．s。如此獲得一種利用上述半導體元件固定用薄膜狀接著劑，將半導體元件固定在搭載有電子零件之基板上，且在搭載有電子零件之基板上安裝半導體元件的構造物。在對如此所獲得的構造物，進行IR觀察與剖面觀察時，可確認在所獲得的構造物中並無空隙。又，在該種構造物中，可確認因上述電子零件所產生的基板上之凹凸可利用上述半導體元件固定用薄膜狀接著劑來填埋。
其次，使用如此所獲得的構造物，介以搭接線來電連接半導體元件與上述印刷電路基板，且利用密封樹脂來密封。雖然已對如此所獲得的半導體裝置進行動作確認但是可確認並沒有問題。
從該種結果亦可明白，本發明之半導體元件固定用薄膜狀接著劑中，可形成習知半導體元件固定用接著劑中所無之厚度的薄膜狀接著劑，且可確認能一面利用上述半導體元件固定用薄膜狀接著劑填埋因上述電子零件所產生的基板上之凹凸而且一面無空隙地接著基板與半導體元件。
(產業上之可利用性)
如以上說明般，依據本發明，可提供一種半導體元件固定用薄膜狀接著劑、使用該接著劑之半導體裝置及該半導體裝置之製造方法，僅管其為半導體元件固定用薄膜狀接著劑，亦可一面將其厚度作得比設於基板上之電子零件的厚度還厚而一面充分地防止空隙(void)之發生，而且可利用該半導體元件固定用薄膜狀接著劑充分地填埋因設置於基板上之電子零件的厚度而在基板與半導體元件之間產生的空間，可既有效率且確實地將半導體元件接著在具有凹凸之基板上。
因而，本發明之半導體元件固定用薄膜狀接著劑，由於可一面防止空隙之發生而一面有效率地將半導體元件接著在具有凹凸之基板上，所以作為謀求半導體裝置之小型化的半導體元件固定用薄膜狀接著劑很有用。
10．．．半導體元件固定用薄膜狀接著劑
20．．．接著劑用薄膜
21．．．接著劑用薄膜之界面
30．．．基板
40．．．電子零件
50．．．半導體元件
50a．．．半導體元件之背面
60．．．搭接線
70．．．密封樹脂
80．．．半導體裝置
第1圖係顯示半導體元件固定用薄膜狀接著劑構成較佳之一實施方式的概略縱剖面圖。
第2圖係顯示用於本發明之基板較佳之一實施方式的概略縱剖面圖。
第3圖係顯示半導體元件固定用薄膜狀接著劑疊層半導體元件較佳之一實施方式的概略縱剖面圖。
第4圖(a)至(d)係顯示本發明半導體裝置之製造方法較佳之一實施方式的步驟概略圖。
第5圖係顯示本發明半導體裝置較佳之一實施方式的概略縱剖面圖。
10．．．半導體元件固定用薄膜狀接著劑
20．．．接著劑用薄膜
21．．．接著劑用薄膜之界面

Claims (4)

  1. 一種半導體元件固定用薄膜狀接著劑，其特徵在：係由在140℃之熔融黏度為50Pa˙s以下之材料所構成的接著劑用薄膜疊層複數片而成者，且厚度為200μm至2000μm；其中，上述材料係為含有(A)氧化矽、(B)苯氧基樹脂、(C)縮水甘油醚型環氧樹脂、及(D)環氧樹脂硬化劑，而(A)氧化矽之含量為50至80質量%，且(B)苯氧基樹脂與(C)縮水甘油醚型環氧樹脂之重量比((B)苯氧基樹脂/(C)縮水甘油醚型環氧樹脂)為0.02至1之範圍的接著劑用組成物。
  2. 如申請專利範圍第1項之半導體元件固定用薄膜狀接著劑，其中，於上述材料之熔融黏度在30000Pa˙s以下之溫度以上且上述材料之熱硬化開始溫度以下之溫度範圍內的溫度中，疊層上述複數片接著劑用薄膜者。
  3. 一種半導體裝置之製造方法，其特徵在：使用申請專利範圍第1至2項中任一項之半導體元件固定用薄膜狀接著劑，將半導體元件接著在基板。
  4. 一種半導體裝置，其特徵在具備：半導體元件、基板、及用以接著上述半導體元件與基板的申請專利範圍第1至2項中任一項之半導體元件固定用薄膜狀接著劑。
TW095130217A 2005-08-29 2006-08-17 半導體元件固定用薄膜狀接著劑、使用該接著劑之半導體裝置及該半導體裝置之製造方法 TWI384592B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005248154A JP2007063333A (ja) 2005-08-29 2005-08-29 半導体素子固定用フィルム状接着剤、それを用いた半導体装置、及び、その半導体装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200711073A TW200711073A (en) 2007-03-16
TWI384592B true TWI384592B (zh) 2013-02-01

Family

ID=37925899

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW095130217A TWI384592B (zh) 2005-08-29 2006-08-17 半導體元件固定用薄膜狀接著劑、使用該接著劑之半導體裝置及該半導體裝置之製造方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2007063333A (zh)
KR (1) KR101253107B1 (zh)
TW (1) TWI384592B (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012116958A (ja) * 2010-12-01 2012-06-21 Furukawa Electric Co Ltd:The 接着フィルムおよび配線基板
JP2014216488A (ja) * 2013-04-25 2014-11-17 日東電工株式会社 接着フィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP5828881B2 (ja) * 2013-12-24 2015-12-09 日東電工株式会社 接着フィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP5901715B1 (ja) * 2014-09-05 2016-04-13 古河電気工業株式会社 フィルム状接着剤、フィルム状接着剤を用いた半導体パッケージ及びその製造方法
JP7127680B2 (ja) * 2018-03-06 2022-08-30 昭和電工マテリアルズ株式会社 半導体装置及びその製造方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5919329A (en) * 1997-10-14 1999-07-06 Gore Enterprise Holdings, Inc. Method for assembling an integrated circuit chip package having at least one semiconductor device
US6064111A (en) * 1996-07-31 2000-05-16 Hitachi Company, Ltd. Substrate for holding a chip of semi-conductor package, semi-conductor package, and fabrication process of semi-conductor package
JP2001049220A (ja) * 1999-08-05 2001-02-20 Nippon Steel Chem Co Ltd フィルム状接着剤用組成物
EP0827632B1 (en) * 1995-05-22 2002-01-09 Hitachi Chemical Co., Ltd. Semiconductor device having a semiconductor chip electrically connected to a wiring substrate
US20020074634A1 (en) * 2000-12-19 2002-06-20 Choi Yoon-Hwa Thin, small-sized power semiconductor package
US20030173665A1 (en) * 2000-06-08 2003-09-18 Grigg Ford B. Support ring for use with a contact pad and semiconductor device compoents including the same
US20040031977A1 (en) * 2002-04-12 2004-02-19 Brown Julia J. Protected organic electronic devices and methods for making the same
US6710454B1 (en) * 2000-02-16 2004-03-23 Micron Technology, Inc. Adhesive layer for an electronic apparatus having multiple semiconductor devices
TW200522232A (en) * 2003-12-19 2005-07-01 Nitto Denko Corp Manufacturing method of semiconductor equipment

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000195584A (ja) * 1998-12-25 2000-07-14 Sony Corp 電気的接続装置と電気的接続方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0827632B1 (en) * 1995-05-22 2002-01-09 Hitachi Chemical Co., Ltd. Semiconductor device having a semiconductor chip electrically connected to a wiring substrate
US6064111A (en) * 1996-07-31 2000-05-16 Hitachi Company, Ltd. Substrate for holding a chip of semi-conductor package, semi-conductor package, and fabrication process of semi-conductor package
US5919329A (en) * 1997-10-14 1999-07-06 Gore Enterprise Holdings, Inc. Method for assembling an integrated circuit chip package having at least one semiconductor device
JP2001049220A (ja) * 1999-08-05 2001-02-20 Nippon Steel Chem Co Ltd フィルム状接着剤用組成物
US6710454B1 (en) * 2000-02-16 2004-03-23 Micron Technology, Inc. Adhesive layer for an electronic apparatus having multiple semiconductor devices
US20030173665A1 (en) * 2000-06-08 2003-09-18 Grigg Ford B. Support ring for use with a contact pad and semiconductor device compoents including the same
US20020074634A1 (en) * 2000-12-19 2002-06-20 Choi Yoon-Hwa Thin, small-sized power semiconductor package
US20040031977A1 (en) * 2002-04-12 2004-02-19 Brown Julia J. Protected organic electronic devices and methods for making the same
TW200522232A (en) * 2003-12-19 2005-07-01 Nitto Denko Corp Manufacturing method of semiconductor equipment

Also Published As

Publication number Publication date
JP2007063333A (ja) 2007-03-15
KR20070026057A (ko) 2007-03-08
TW200711073A (en) 2007-03-16
KR101253107B1 (ko) 2013-04-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5581576B2 (ja) フラックス活性剤、接着剤樹脂組成物、接着ペースト、接着フィルム、半導体装置の製造方法、及び半導体装置
TWI696681B (zh) 薄膜狀接著劑、使用薄膜狀接著劑之半導體封裝體之製造方法
KR100932045B1 (ko) 경화성 수지 조성물, 접착성 에폭시 수지 페이스트, 접착성에폭시 수지 시트, 도전 접속 페이스트, 도전 접속 시트및 전자 부품 접합체
CN106024654B (zh) 半导体装置
KR101856914B1 (ko) 필름상 접착제, 필름상 접착제를 사용한 반도체 패키지 및 그 제조 방법
JP2000003922A (ja) 半導体装置の製法
WO1998028788A1 (en) Manufacture of semiconductor device
WO2008010555A1 (fr) Adhésif pour composants électroniques, procédé de fabrication d'un laminé de puce semi-conductrice, et dispositif semi-conducteur
JP4449325B2 (ja) 半導体用接着フィルム、半導体装置、及び半導体装置の製造方法。
TWI783097B (zh) 安裝結構體之製造方法
US20120205820A1 (en) Encapsulating resin sheet and semiconductor device using the same, and manufacturing method for the semiconductor device
JP4994743B2 (ja) フィルム状接着剤及びそれを使用する半導体パッケージの製造方法
TWI384592B (zh) 半導體元件固定用薄膜狀接著劑、使用該接著劑之半導體裝置及該半導體裝置之製造方法
JP2007056070A (ja) フリップチップ型半導体装置用アンダーフィル材、並びにそれを用いたフリップチップ型半導体装置及びその製造方法
JP3999840B2 (ja) 封止用樹脂シート
KR101332437B1 (ko) 반도체용 접착 조성물, 이를 포함하는 접착 필름 및 이를 이용한 반도체 패키지
JP5493327B2 (ja) 封止充てん用樹脂組成物、並びに半導体装置及びその製造方法
KR101035873B1 (ko) 고온 속경화형 접착필름 조성물 및 이를 이용한 접착필름
JP3957244B2 (ja) 半導体装置の製法
JP7373073B2 (ja) 半導体パッケージ用アンダーフィルフィルム及びこれを用いた半導体パッケージの製造方法
JP7276105B2 (ja) アンダーフィル用のシート状樹脂組成物、及びそれを用いた半導体装置
JP2008189760A (ja) アンダーフィル剤、それを用いた半導体装置および半導体装置の製造方法
CN116195040A (zh) 制造半导体装置的方法及膜状黏合剂
JP4879073B2 (ja) 半導体装置の製造方法
KR100482673B1 (ko) 전자재료용 접착 부재 및 이를 이용한 반도체 장치