WO2019208614A1 - 樹脂組成物、積層体、樹脂組成物層付き半導体ウェハ、樹脂組成物層付き半導体搭載用基板、及び半導体装置 - Google Patents

樹脂組成物、積層体、樹脂組成物層付き半導体ウェハ、樹脂組成物層付き半導体搭載用基板、及び半導体装置 Download PDF

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正志 岡庭
武紀 瀧口
鉱平 東口
剛 木田
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三菱瓦斯化学株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a resin composition, a laminate using the resin composition, a semiconductor wafer with a resin composition layer, a semiconductor mounting substrate with a resin composition layer, and a semiconductor device. Specifically, the present invention relates to a resin composition useful as an underfill material.
  • a semiconductor chip (hereinafter sometimes abbreviated as “chip”) is mounted on a semiconductor mounting substrate (hereinafter sometimes abbreviated as “substrate”).
  • substrate a semiconductor mounting substrate
  • flip chip mounting has attracted attention.
  • flip-chip mounting a method of bonding a chip and a substrate, filling an underfill material in a gap between the chip and the substrate, and curing is generally used.
  • the pitch of electrodes arranged on a chip and the gap between electrodes have progressed, and the workability has deteriorated due to the long filling time of the underfill material.
  • a flux component derived from carboxylic acid or the like may be added to the pre-applied underfill material.
  • Patent Document 1 describes a pre-applied underfill material using an epoxy compound.
  • Patent Document 2 also describes a pre-applied underfill material using an epoxy compound.
  • Patent Document 3 describes a pre-applied underfill material using an epoxy compound and a flux component.
  • Patent Document 4 describes an underfill material using an acrylic monomer.
  • Patent Document 5 describes a pre-applied underfill material using a radical polymerizable monomer.
  • Patent Document 6 includes a film having a copper ion adsorption layer containing a resin having a skeleton capable of complexing with copper ions, wherein the resin having a skeleton capable of complexing with copper ions is a phenol resin having a triazine skeleton There is a description of the adhesive.
  • JP 2008-133423 A JP 2016-027174 A JP 2013-112730 A Japanese Patent Laying-Open No. 2015-172145 Special table 2015-503220 gazette JP 2011-52109 A
  • Patent Document 3 a specific carboxyl group-containing compound is used as a flux component.
  • the carboxyl group-containing compound has a drawback that it reacts slightly with the epoxy compound even at room temperature and the flux activity decreases with time during storage, so that the bonding stability is low and the mass productivity is poor.
  • Patent Document 4 since the flux component is intentionally not included, the oxide film at the joint cannot be removed before the metal joining.
  • Patent Document 5 a thermal radical initiator is used as a polymerization initiator for a radical polymerizable monomer.
  • a thermal radical initiator is used as a polymerization initiator for a radical polymerizable monomer.
  • Patent Document 5 although a polymer containing a carboxyl group is used, since the molecular weight is large, the mobility of the carboxyl group is low, and sufficient flux activity cannot be expected.
  • Patent Document 6 describes a film adhesive containing a phenol resin having a triazine skeleton that is a skeleton capable of complexing with copper ions.
  • this adhesive has a problem that since a phenol component having a triazine skeleton is incorporated in the resin skeleton, the mobility is low, and the metal oxide film removability at the joint is extremely low.
  • the present invention has been made in view of such problems, and has excellent flux activity, flexibility, and storage stability, and is suitable for an underfill material, a laminate, and a resin composition.
  • the object is to provide a semiconductor wafer with a physical layer, a semiconductor mounting substrate with a resin composition layer, and a semiconductor device.
  • the present inventors contain a compound (A) having a phenolic hydroxyl group, a metal ion scavenger (B), and a radical polymerizable compound (C).
  • A a compound having a phenolic hydroxyl group
  • B a metal ion scavenger
  • C a radical polymerizable compound
  • a resin composition comprising a compound (A) having a phenolic hydroxyl group, a metal ion scavenger (B), and a radical polymerizable compound (C).
  • the metal ion scavenger (B) is 2,4-diamino-6-methyl-1,3,5-triazine, 2,2′-bipyridine, 1,3-diphenyl-1,3-propanedione 1- (2-mesitylene) -1,3-butanedione, 1,3-bis (4-methoxyphenyl) -1,3-propanedione, 1- (4-tert-butylphenyl) -3- (4- Selected from the group consisting of methoxyphenyl) -1,3-propanedione, and (E, E) -1,7-bis (4-hydroxy-3-methoxyphenyl) -1,6-heptadiene-3,5-dione
  • the resin composition according to any one of [1] to [6], which contains at least one selected from the above.
  • the metal ion scavenger (B) is 1- (4-tert-butylphenyl) -3- (4-methoxyphenyl) -1,3-propanedione, and (E, E) -1,7 Any one of [1] to [8], comprising at least one selected from the group consisting of -bis (4-hydroxy-3-methoxyphenyl) -1,6-heptadiene-3,5-dione
  • radical polymerizable compound (C) contains at least one selected from the group consisting of a (meth) acrylate compound, a maleimide compound, and a propenyl compound.
  • the radical polymerizable compound (C) is 2,2′-bis ⁇ 4- (4-maleimidophenoxy) phenyl ⁇ propane, 1,2-bis (maleimide) ethane, 1,4-bis (maleimide). Butane, 1,6-bis (maleimido) hexane, N, N′-1,3-phenylenedimaleimide, N, N′-1,4-phenylenedimaleimide, N-phenylmaleimide, represented by the following formula (1)
  • the resin according to [10] comprising at least one selected from the group consisting of a maleimide compound represented by the following formula (2) and a maleimide compound represented by the following formula (3): Composition.
  • each R 1 independently represents a hydrogen atom or a methyl group, and n 1 represents an integer of 1 or more.
  • n 2 1 to 30.
  • each R 2 independently represents a hydrogen atom, a methyl group or an ethyl group
  • each R 3 independently represents a hydrogen atom or a methyl group
  • the radical polymerizable compound (C) is 2,2′-bis ⁇ 4- (4-maleimidophenoxy) phenyl ⁇ propane, a maleimide compound represented by the formula (1), and the formula (2).
  • the content of the compound (A) having the phenolic hydroxyl group in the resin composition is 5 masses with respect to 100 mass parts of the total amount of the radical polymerizable compound (C) in the resin composition.
  • the content of the metal ion scavenger (B) in the resin composition is 5 parts by mass or more with respect to 100 parts by mass of the total amount of the radical polymerizable compound (C) in the resin composition.
  • the inorganic filler (D) contains at least one selected from the group consisting of silica, aluminum hydroxide, alumina, boehmite, boron nitride, aluminum nitride, magnesium oxide, and magnesium hydroxide.
  • the resin composition according to any one of [17].
  • the content of the inorganic filler (D) in the resin composition is 300 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the total amount of the radical polymerizable compound (C).
  • the flexibility-imparting component (E) contains a thermoplastic polymer compound, and the polymer compound has a mass average molecular weight of 1,000 or more and 1,000,000 or less.
  • a laminate comprising a supporting substrate and a layer containing the resin composition according to any one of [1] to [23] laminated on the supporting substrate.
  • a semiconductor with a resin composition layer comprising: a semiconductor wafer; and the laminate according to [24] laminated on the semiconductor wafer, wherein the layer containing the resin composition is laminated on the semiconductor wafer. Wafer.
  • a semiconductor device comprising the semiconductor wafer with a resin composition layer according to [25] and / or the semiconductor mounting substrate with a resin composition layer according to [26].
  • a resin composition, a laminate, a semiconductor wafer with a resin composition layer, and a resin composition layer that have excellent flux activity, flexibility, and storage stability and are suitable for underfill materials A semiconductor mounting substrate and a semiconductor device can be provided.
  • (meth) acrylo means both “acrylo” and the corresponding “methacrylo”.
  • (Meth) acryl means both “acryl” and the corresponding “methacryl”.
  • (Meth) acrylate” means both “acrylate” and the corresponding “methacrylate”.
  • the resin composition of one embodiment of the present embodiment contains a compound (A) having a phenolic hydroxyl group, a metal ion scavenger (B), and a radical polymerizable compound (C).
  • the resin composition of this embodiment is preferable for the use of an underfill material, and is preferably used for the use of a pre-applied underfill material.
  • the resin composition of another aspect of the present embodiment further contains an inorganic filler (D) in each of the components.
  • the resin composition according to another aspect of the present embodiment further contains a flexibility imparting component (E) in addition to the components described above.
  • Another aspect of this embodiment is a laminate (hereinafter, also referred to as “resin laminate”) obtained using the resin composition according to this embodiment, and a semiconductor with a resin composition layer produced using the laminate.
  • resin laminate a laminate obtained using the resin composition according to this embodiment, and a semiconductor with a resin composition layer produced using the laminate.
  • a semiconductor mounting substrate with a resin composition layer produced using a wafer, a laminate, and a semiconductor device produced using the resin composition of the present embodiment are also provided.
  • the resin composition of the present embodiment is preferably a resin composition used as an underfill material used for flip chip mounting of a chip.
  • This resin composition contains a compound (A) having a phenolic hydroxyl group, a metal ion scavenger (B), and a radical polymerizable compound (C).
  • the resin composition of this embodiment may further contain an inorganic filler (D) and / or a flexibility imparting component (E).
  • the compound (A) having a phenolic hydroxyl group is a component mainly contributing to the flux activity of the resin composition.
  • the compound (A) having a phenolic hydroxyl group is not particularly limited as long as it is a compound having one or more phenolic hydroxyl groups in the molecule.
  • the compound (A) may be a phenol resin.
  • the compound (A) having a phenolic hydroxyl group is volatilized before the flux activity is manifested during flip-chip mounting, that is, the compound (A) having a phenolic hydroxyl group is removed before removing the oxide film at the junction. It is preferable to prevent volatilization.
  • the molecular weight of the compound (A) having a phenolic hydroxyl group is not particularly limited as long as the effect of the present embodiment is exerted, but is preferably 200 or more, and is a viewpoint of reducing the volatile content during thermosetting. Therefore, it is more preferably 250 or more, and further preferably 300 or more from the viewpoint of reducing the volatile content in flip chip bonding.
  • the molecular weight of the compound (A) having a phenolic hydroxyl group is preferably 10,000 or less from the viewpoint of having mobility as an acid and obtaining more sufficient flux activity, and from the viewpoint of solvent solubility. Is preferably 8,000 or less, and more preferably 6,000 or less from the viewpoint of ensuring mobility for efficiently reaching the metal oxide film at the joint in flip chip bonding.
  • the molecular weight represents the molecular weight of the compound when it is a compound, and represents the mass average molecular weight (Mw) when it is a resin.
  • the mass average molecular weight can be determined using polystyrene as a standard substance by GPC (gel permeation chromatogram) method.
  • the melting point of the compound (A) having a phenolic hydroxyl group is not particularly limited as long as the effect of the present embodiment is exhibited, but is preferably 300 ° C. or lower, and melts below the melting point of general solder and acts on the metal oxide film. From the viewpoint of melting, it is more preferably 0 to 260 ° C., and from the viewpoint of melting at or below the melting point of the solder used for the flip chip bonding while ensuring storage stability at room temperature, More preferably, it is 240 degreeC.
  • the 5% mass reduction temperature of the compound (A) having a phenolic hydroxyl group is not particularly limited as long as the effect of the present embodiment is exhibited, but is preferably 250 ° C. or higher, and suppresses volatile matter during heating in the semiconductor device manufacturing process.
  • the temperature is more preferably 260 ° C. or higher, and further preferably 270 ° C. or higher for the reason of suppressing volatile components during flip chip bonding. If the 5% mass reduction temperature is less than 250 ° C., a large amount of volatile components are generated during flip chip bonding, which may cause voids in the cured product and process contamination.
  • the 5% mass reduction temperature of the compound (A) having a phenolic hydroxyl group can be measured using thermal mass spectrometry (TGA). The measurement method will be specifically described. A predetermined amount of the compound is charged into TGA and heated from room temperature to 500 ° C. at 10 ° C./min. A temperature at which the mass is reduced by 5% from the obtained mass reduction curve is defined as a 5% mass reduction temperature.
  • Examples of the compound (A) having a phenolic hydroxyl group include 9,9′-bis- (4-hydroxy-3-methylphenyl) fluorene, biscresol fluorene, bisphenol fluorene, 2,4,6-tris (3, 5-di-tert-butyl-4-hydroxybenzyl) mesitylene, hesperidin, ⁇ , ⁇ ′, ⁇ ′′ -tris (4-hydroxyphenyl) -1-ethyl-4-isopropylbenzene, ⁇ , ⁇ ′-bis ( 4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl) -1,4-diisopropylbenzene, 4,4′-methylenebis (2,6-di-tert-butylphenol), 1,1 ′, 3-tris (2,5- Dimethyl-4-hydroxyphenyl) -3-phenylpropane, 4,4 ′-[1- [4- [1- [4-hydroxyphenyl] -1-methylethyl]
  • phenol resin which is the compound (A) having a phenolic hydroxyl group examples include, for example, bisphenol A type phenol resin, bisphenol E type phenol resin, bisphenol F type phenol resin, bisphenol S type phenol resin, phenol novolac resin, and bisphenol A.
  • Novolac type phenol resin Novolac type phenol resin, glycidyl ester type phenol resin, aralkyl novolac type phenol resin, biphenyl aralkyl type phenol resin, cresol novolac type phenol resin, polyfunctional phenol resin, naphthol resin, naphthol novolak resin, polyfunctional naphthol resin, anthracene type phenol resin , Naphthalene skeleton modified novolak type phenol resin, phenol aralkyl type phenol resin, naphthol aralkyl type phenol resin Resin, dicyclopentadiene type phenol resin, biphenyl type phenol resin, alicyclic phenol resin, polyol type phenol resin, phosphorus containing phenol resin, hydroxyl group containing silicone resins, propenyl phenol resin, allyl phenol resin, propenyl biphenylene resin Can be mentioned.
  • the compound (A) having a phenolic hydroxyl group a commercially available product may be used.
  • PHENOLITE registered trademark
  • KA-1163 manufactured by DIC Corporation
  • TBIS registered trademark
  • -MP manufactured by Taoka Chemical Industry Co., Ltd.
  • SN-495V manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd.
  • LVA01 manufactured by Gunei Chemical Industry Co., Ltd.
  • BPN01 manufactured by Gunei Chemical Industry Co., Ltd.
  • the content of the compound (A) having a phenolic hydroxyl group in the resin composition is not particularly limited as long as the effect of the present embodiment is achieved, but the total amount of the following radical polymerizable compounds (C) in the resin composition is 100. It is preferably 5 parts by mass or more and 50 parts by mass or less with respect to parts by mass, and more preferably 10 parts by mass or more and 45 parts by mass or less from the viewpoint of ensuring sufficient flux activity and solvent solubility. From the viewpoint of ensuring the flux activity, solvent solubility, and flexibility of the resin composition, it is more preferably 15 parts by mass or more and 40 parts by mass or less.
  • the metal ion scavenger (B) is not particularly limited as long as it is a compound that can capture metal ions.
  • the metal ion to be trapped is not particularly limited, but copper ion is preferable.
  • the metal ion scavenger (B) is not particularly limited as long as the effect of the present embodiment is exhibited, but at least one selected from nitrogen and oxygen as a coordination atom can be suitably captured metal ions, particularly copper ions. It is preferable to contain these elements.
  • the metal ion scavenger containing nitrogen as a coordination atom is not particularly limited, and examples thereof include amines and amine derivatives.
  • the metal scavenger containing oxygen as a coordination atom is not particularly limited, and examples thereof include ether derivatives and ketone derivatives.
  • Examples of amine derivatives include imidazole derivatives, triazole derivatives, pyrazole derivatives, triazine derivatives, pyridine derivatives, terpyridine derivatives, bipyridine derivatives, phenanthroline derivatives, pyrimidine derivatives, pyrazine derivatives, pyridazine derivatives, quinazoline derivatives, porphyrin derivatives, phthalocyanine derivatives, and A cyclen derivative is mentioned.
  • Examples of the ether derivative include a crown ether derivative.
  • Examples of the ketone derivative include a diketone derivative.
  • amines examples include 1,3-phenylenediamine, 2,6-diaminotoluene, 1,3-diaminopyrene, 2,4-diaminotoluene, 2,4,6-trimethyl-1,3-phenylenediamine, 2,4-diaminodiphenylamine, 3-acetamidoaniline, 1,2-diamino-4-nitrobenzene, 4-nitro-1,3-phenylenediamine, 2-methyl-5-nitroaniline, 3,5-diaminobenzoic acid, 2-amino-1-methylamino-4-nitrobenzene, 3-acetamido-4-methylaniline, N- (tert-butoxycarbonyl) -1,3-phenylenediamine, 3′-amino-4′-methoxyacetanilide, 3 -(4-Methyl-1-piperazinyl) aniline is mentioned.
  • imidazole derivatives examples include imidazole, N-acetylimidazole, 1- ( ⁇ , 4-diphenylbenzyl) imidazole, 2,2 ′-(2,6-pyridinediyl) bis (benzimidazole), 4- (4, 5-diphenyl-1H-imidazol-2-yl) benzoic acid, 2- (4-hydroxyphenyl) -4,5-diphenylimidazole, 5-chloro-1- [1- [3- (2-oxo-1- Benzimidazolyl) propyl] -4-piperidyl] benzimidazol-2-one, methyl [5- (4-fluorobenzoyl) benzimidazol-2-yl] carbamate, 2- (4-fluorophenyl) -4,5-diphenyl Imidazole, 2-heptadecylimidazole, 2-[[[3-methyl-4- (2,2,2-trifluoro Roethoxy) -2-pyri
  • triazole derivatives examples include 1-aminobenzotriazole, 2-aminobenzotriazole, 4-amino-3-hydrazino-5-mercapto-1,2,4-triazole, and 3-amino-5-mercapto-1,2.
  • pyrazole derivative examples include pyrazole, 1-allyl-3,5-dimethylpyrazole, 3-amino-5-tert-butylpyrazole, 5-amino-1,3-diphenylpyrazole, 5-amino-1- (2 -Hydroxyethyl) pyrazole, 3-amino-5-hydroxypyrazole, 5-amino-3- (4-methoxyphenyl) -1-phenylpyrazole, 3-amino-5- (4-methoxyphenyl) pyrazole, 5-amino -3-Methyl-1-phenylpyrazole, 4-amino-1-methyl-3-propylpyrazole-5-carboxamide, 3-amino-1-methylpyrazole, 3-amino-5-methylpyrazole, 5-amino-3 -Methyl-1-p-tolylpyrazole, 3-amino-5-phenylpyrazole, 5-amino-1 Phenylpyrazole, 3-amino-1
  • triazine derivatives include 3-amino-5,6-dimethyl-1,2,4-triazine, 2-amino-4-methoxy-6-methyl-1,3,5-triazine, and 6-amino-1 , 3,5-triazine-2,4-diol, 2,4-diamino-6-hydroxy-1,3,5-triazine, 2-amino-4-hydroxy-1,3,5-triazine, 2,4 -Diamino-6-phenyl-1,3,5-triazine, 2- (tert-butylamino) -4- (cyclopropylamino) -6- (methylthio) -1,3,5-triazine, 2,4- Diamino-6- (cyclopropylamino) -1,3,5-triazine, 2,4-diamino-6-butylamino-1,3,5-triazine, 2,4-diamino-6-diallylamino-1, 3,5-tria 2,4-d
  • Examples of the pyridine derivative include 5-bromopyridine-3-carboxamide, 4- (4-aminophenoxy) -N-methyl-2-pyridinecarboxamide, 2,6-bis [(2R, 4S, 5S) -1- Benzyl-4,5-diphenylimidazolidin-2-yl] pyridine, 2,6-bis [3- (9H-carbazol-9-yl) phenyl] pyridine, 2,6-bis [(2S, 5S) -4 , 4-Diphenyl-1-aza-3-oxabicyclo [3.3.0] octan-2-yl] pyridine, 2,6-bis [(2S, 4S) -4-methyl-5,5-diphenyloxazolidine -2-yl] pyridine, 2,6-bis (9H-carbazol-9-yl) pyridine, 3,5-di (1-pyrenyl) pyridine, 2,6-bis (2-benzimidazolyl) pi Gin, (R, R
  • Examples of the terpyridine derivative include 4 ′-(4-bromophenyl) -2,2 ′: 6 ′, 2 ′′ -terpyridine, 4′-bromo-2,2 ′: 6 ′, 2 ′′ -terpyridine, 2,2 ′: 6 ′, 2 ′′ -terpyridine-4′-diethyl phosphonate, 1,4-di [[2,2 ′: 6 ′, 2 ′′ -terpyridine] -4′-yl] benzene, 4 ′-(methoxycarbonyl) -2,2 ′: 6 ′, 2 ′′ -terpyridine, 2,2 ′: 6 ′, 2 ′′ -terpyridine, 2,2 ′: 6 ′, 2 ′′ -terpyridine— Examples include trimethyl 4,4 ′, 4 ′′ -tricarboxylate.
  • bipyridine derivative examples include 2,2′-bipyridine-6-carbonitrile, 2,2′-bipyridine-3,3′-dicarboxylic acid, 2,2′-bipyridine-4,4′-dicarboxylic acid, 2 2,2'-bipyridine-5,5'-dicarboxylic acid, 2,2'-bipyridine-6,6'-dicarboxylic acid, 2,2'-bipyridine-3,3'-diol, 2,2'-bipyridine- 6,6'-diol, 2,2'-bipyridine, 2,4'-bipyridine, 3,3'-bipyridine, 4,4'-bipyridine, 6,6'-bis (chloromethyl) -2,2 ' -Bipyridine, 4,4'-bis (5-hexyl-2-thienyl) -2,2'-bipyridine, 4,4'-bis (hydroxymethyl) -2,2'-bipyridine, 1,2-bis ( 4'--
  • phenanthroline derivatives examples include 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline, 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline, 2-bromo-1,10-phenanthroline, and 3-bromo.
  • pyrimidine derivatives examples include pyrimidine, 4-methylpyrimidine, 5-aminopyrimidine, 2-aminopyrimidine, 4-aminopyrimidine, 4 (3H) -pyrimidinone, 2-chloropyrimidine, 2-mercaptopyrimidine, 2-cyanopyrimidine.
  • pyrazine derivatives include pyrazine, 2-acetyl-3-ethylpyrazine, 2-acetyl-3-methylpyrazine, 2-acetylpyrazine, 2-amino-5-bromo-3-methoxypyrazine, 2-amino-5.
  • pyridazine derivatives include pyridazine, 3-amino-6-chloropyridazine, 3-aminopyridazine, 3-bromoimidazo “1,2-b” pyridazine, 6-chloroimidazo “1,2-b” pyridazine, 3 -Chloro-6-methoxypyridazine, 3-chloro-6-methylpyridazine, 3-chloro-6-phenylpyridazine, 6-chloro-3 (2H) -pyridazinone, 3,6-dibromopyridazine, 3,6-dichloro- 4-methylpyridazine, 3,5-dichloropyridazine, 3,6-dichloropyridazine, 4,5-dichloro-3 (2H) -pyridazinone, 6-hydroxypyridazine-3-carboxylic acid, imidazo “1,2-b” Pyrid
  • quinazoline derivatives examples include quinazoline, 6-acetoxy-7-methoxy-3H-quinazolin-4-one, 4-amino-2-chloro-6,7-dimethoxyquinazoline, 7-benzyloxy-6-methoxy-3H.
  • porphyrin derivatives include porphyrin, 5,15-diphenylporphyrin, 2,3,7,8,12,13,17,18-octaethylporphyrin, 2,3,7,8,12,13,17, 18-octafluoro-5,10,15,20-tetrakis (pentafluorophenyl) porphyrin, meso-tetraphenylchlorin, tetraphenylporphyrin, 5,10,15,20-tetrakis (4-methoxyphenyl) porphyrin, 5, 10,15,20-tetrakis (2,6-dichlorophenyl) porphyrin, 5,10,15,20-tetrakis (4-carboxymethyloxyphenyl) porphyrin, 5,10,15,20-tetrakis (4-hydroxyphenyl) Porphyrin, 5,10,15,20- Trakis (2,4,6-trimethylphenyl
  • phthalocyanine derivative examples include phthalocyanine, naphthalocyanine, and azurenocyanine.
  • cyclen derivative examples include 1,4,7,10-tetraazacyclododecane, 1,4,7,10-tetraazacyclododecane-1,4,7,10-tetraacetic acid, 1,4,7, 10-tetraazacyclododecane-1,4,7-triacetic acid tri-tert-butyl, 1,4,7,10-tetraazacyclododecane-1,4,7,10-tetraacetic acid tri-tert-butyl, 1,4,7,10-tetrabenzyl-1,4,7,10-tetraazacyclododecane.
  • crown ether derivatives include 12-crown 4-ether, 2- (hydroxymethyl) -12-crown 4-ether, benzo-12-crown 4-ether, 15-crown 5-ether, 2- (hydroxymethyl) ) -15-crown 5-ether, benzo-15-crown 5-ether, dibenzo-15-crown 5-ether, 4′-bromobenzo-15-crown 5-ether, 4′-aminobenzo-15-crown 5-ether 4'-formylbenzo-15-crown 5-ether, 4'-acetylbenzo-15-crown 5-ether, 4'-carboxybenzo-15-crown 5-ether, 4'-nitrobenzo-15-crown 5-ether Ether, 18-crown 6-ether, 2- (hydroxymethyl)- 8-crown 6-ether, dicyclohexano-18-crown 6-ether, benzo-18-crown 6-ether, dibenzo-18-crown 6-ether, 4′-bromobenzo-18-crown 6-ether, 4
  • Examples of the diketone derivative include 1,3-diphenyl-1,3-propanedione, 1- (2-mesitylene) -1,3-butanedione, and 1,3-bis, from the viewpoint of forming a complex with a metal ion.
  • the metal ion scavenger (B) is preferably, for example, a triazine derivative, a bipyridine derivative, or a diketone derivative from the viewpoint of ensuring good storage stability of the varnish of the resin composition, and 2,4-diamino-6-methyl.
  • metal ion scavengers (B) can be used singly or in combination of two or more.
  • the content of the metal ion scavenger (B) in the resin composition is not particularly limited as long as the effect of the present embodiment is achieved, but the total amount of the following radical polymerizable compound (C) in the resin composition is 100 parts by mass. Is preferably 5 parts by weight or more and 50 parts by weight or less, more preferably 10 parts by weight or more and 45 parts by weight or less from the viewpoint of ensuring solvent solubility and sufficient flux activity. From the viewpoint of ensuring the activity and flexibility of the resin composition, it is more preferably 15 parts by mass or more and 40 parts by mass or less.
  • Examples of (meth) acrylate compounds include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, isobutyl (meth) acrylate, ethylene glycol di (meth) acrylate, diethylene glycol di (meth) acrylate, tri Methylolpropane tri (meth) acrylate, tetramethylolmethanetetra (meth) acrylate, 2-hydroxy-1,3-di (meth) acryloxypropane, 2,2-bis [4-((meth) acryloxymethoxy) phenyl ] Propane, 2,2-bis [4-((meth) acryloxypolyethoxy) phenyl] propane, dicyclopentenyl (meth) acrylate, tricyclodecanyl (meth) acrylate, tris ((meth) acryloyloxye Le) isocyanurate, and a
  • the maleimide compound is not particularly limited as long as it is a compound having one or more maleimide groups in the molecule.
  • each R 1 independently represents a hydrogen atom or a methyl group, and is preferably a hydrogen atom from the viewpoint of more effectively and reliably achieving the effects of the present embodiment.
  • n 1 represents an integer of 1 or more, and the upper limit value of n 1 is usually 10, and is preferably 1 to 3 from the viewpoint of solubility in an organic solvent.
  • the average value of n 2 is in the range of 1 to 30. From the viewpoint of more effectively and surely achieving the operational effects of the present embodiment, n 2 is preferably 7 or more and 30 or less, and more preferably 7 or more and 18 or less, as an average value.
  • each R 2 independently represents a hydrogen atom, a methyl group or an ethyl group.
  • each R 3 independently represents a hydrogen atom or a methyl group.
  • the maleimide compound includes a maleimide compound represented by the above formula (1) from the viewpoint of solubility in an organic solvent and flexibility, together with 2,2-bis ⁇ 4- (4-maleimide). More preferably, it contains at least one maleimide compound selected from the group consisting of phenoxy) phenyl ⁇ propane, a maleimide compound represented by the formula (2), and a maleimide compound represented by the formula (3). .
  • the maleimide compound is represented by the formula (1) with respect to 100 parts by mass of the total amount of the maleimide compound, from the viewpoint of having a good balance of excellent flux activity, excellent flexibility, and low thermal expansion coefficient. 5 parts by mass or more and 50 parts by mass or less is preferable, and the maleimide compound represented by the formula (2) is preferably contained by 5 parts by mass or more and 70 parts by mass or less, and is represented by the formula (3).
  • the maleimide compound is preferably contained in an amount of 5 to 50 parts by mass, and 2,2-bis ⁇ 4- (4-maleimidophenoxy) phenyl ⁇ propane is preferably contained in an amount of 5 to 50 parts by mass.
  • the maleimide compound can also be contained in the resin composition in the form of a prepolymer obtained by polymerizing a maleimide compound or a prepolymer obtained by polymerizing a maleimide compound with another compound such as an amine compound.
  • a commercially available maleimide compound may be used.
  • BMI-2300 manufactured by Daiwa Kasei Kogyo Co., Ltd.
  • BMI-2300 manufactured by Daiwa Kasei Kogyo Co., Ltd.
  • propenyl compounds include propenylbenzene, propenylnaphthalene, propenylanthracene, propenylphenol, monofunctional propenyl compounds of o-propenylphenoxybenzene; bispropenylphenyl ether, 2,2-bis [4- (o-propenylphenoxy) phenyl ] Propane, bis [4- (o-propenylphenoxy) phenyl] ether, bis [4- (o-propenylphenoxy) phenyl] sulfone, 4,4′-bis (o-propenylphenoxy) benzophenone, 2,2-bis [4- (o-propenylphenoxy) phenyl] nonane, 2,2-bis [3-tertiarybutyl-4- (o-propenylphenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [3-secondarybutyl-4- (O-propenyl fe Noxy) phenyl] propane
  • radical polymerizable compounds (C) can be used alone or in combination of two or more.
  • the resin composition of this embodiment can contain an inorganic filler (D) for improving the flame resistance, improving the thermal conductivity, and reducing the thermal expansion coefficient.
  • an inorganic filler By using an inorganic filler, the flame resistance and thermal conductivity of the resin composition and the like can be improved, and the thermal expansion coefficient can be reduced.
  • the inorganic filler (D) has electrical insulation
  • the resin composition of this embodiment is used as a material for an underfill material, preferably a pre-applied underfill material, electrical insulation between the electrodes of the chip. Is preferable from the viewpoint of securing a sufficient amount.
  • “electrical insulation” means that the volume resistivity at room temperature is 10 12 ⁇ ⁇ cm or more.
  • inorganic filler For example, Silica, such as a fused silica; Aluminum compounds, such as boehmite, aluminum hydroxide, an alumina, and aluminum nitride; Magnesium oxide, Magnesium hydroxide, etc. Compounds: Calcium compounds such as calcium carbonate and calcium sulfate; molybdenum compounds such as molybdenum oxide and zinc molybdate; boron nitride; barium sulfate; talc such as natural talc and calcined talc; mica; short fiber glass, spherical glass And glass such as fine powder glass (for example, E glass, T glass, D glass).
  • Silica such as a fused silica
  • Aluminum compounds such as boehmite, aluminum hydroxide, an alumina, and aluminum nitride
  • Magnesium oxide Magnesium hydroxide, etc.
  • Compounds Calcium compounds such as calcium carbonate and calcium sulfate; moly
  • the inorganic filler (D) includes silica, aluminum hydroxide, alumina, boehmite, boron nitride, aluminum nitride, magnesium oxide, And magnesium hydroxide are preferable, and silica is more preferable.
  • fused silica is more preferable from the viewpoints of enhancing the filling property, fluidity of the underfill material into a fine space, and low thermal expansion.
  • fused silica examples include SFP-120MC and SFP-130MC manufactured by DENKA CORPORATION, SC1050-MLQ, SC2050-MNU, SC2050-MTX, SE2053-SQ, YA050C-MJF, and YA050C manufactured by ADMATEX. -MJA.
  • the average particle diameter of the inorganic filler (D) is not limited, but when the resin composition of the present invention is used as an underfill material, preferably as a pre-applied underfill material, the pitch of electrodes arranged on a chip is reduced. And from the viewpoint of reducing the gap between the electrodes, it is preferably 3 ⁇ m or less, more preferably 1 ⁇ m or less.
  • the lower limit of the average particle diameter is not particularly limited, but may be 10 nm, for example.
  • the “average particle diameter” of the inorganic filler (D) means the median diameter of the inorganic filler (D).
  • the median diameter refers to the volume of particles on the larger particle diameter side and the volume of particles on the smaller particle diameter side when the particle size distribution of the powder is divided into two on the basis of a certain particle diameter. Means a particle size that occupies 50% of the total powder.
  • the average particle diameter (median diameter) of the inorganic filler (D) is measured by a wet laser diffraction / scattering method.
  • the content in the resin composition is such that the underfill material, preferably the pre-applied underfill material, can be bonded while improving the flame resistance of the resin composition and reducing the coefficient of thermal expansion. From the viewpoint of ensuring fluidity at the time, it is preferably 300 parts by mass or less and preferably 200 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the total amount of the radical polymerizable compound (C) in the resin composition. More preferred. Moreover, it is preferable that content of an inorganic filler (D) shall be 10 mass parts or more with respect to 100 mass parts of total amounts of the radically polymerizable compound (C) in a resin composition, and shall be 20 mass parts or more. More preferably, it is more preferably 50 parts by mass or more. In addition, when using together 2 or more types of inorganic fillers (D), it is preferable that these total amount satisfy
  • the flexibility imparting component (E) in the resin composition of the present embodiment is not particularly limited as long as it is a component that can impart flexibility to the layer containing the resin composition.
  • polyimide Polyamideimide
  • polystyrene polyolefin
  • styrene-butadiene rubber SBR
  • isoprene rubber IR
  • butadiene rubber BR
  • acrylonitrile butadiene rubber NBR
  • polyurethane polypropylene
  • (meth) acryl oligomer acrylonitrile butadiene rubber
  • thermoplastic polymer compounds such as silicone resins.
  • imparting flexibility Component (E) is preferably at least one selected from the group consisting of (meth) acrylic oligomers and (meth) acrylic polymers.
  • Examples of (meth) acrylic oligomers and (meth) acrylic polymers include “ARUFON (registered trademark)” series from Toagosei Co., Ltd., “Act Flow (registered trademark)” series from Soken Chemical Co., Ltd., Negami Kogyo ( "PARACRON (registered trademark)” series of Co., Ltd., and “KURARITY (registered trademark)” series of Kuraray Co., Ltd. are listed.
  • the molecular weight of the flexibility-imparting component (E) is not limited, but from the viewpoint of imparting flexibility to the resin composition, the mass average molecular weight is preferably 1,000 or more. From the viewpoint of imparting good toughness, it is more preferably 2,000 or more.
  • the resin composition is used as an underfill material, preferably as a pre-applied underfill material, there is no bite of the resin composition in the metal joint portion, and in order to obtain a better and stable shape joint It is preferable to control the melt viscosity of the resin composition to be low and to ensure the fluidity of the resin composition during bonding.
  • the mass average molecular weight of the flexibility-imparting component (E) is preferably 1,000,000 or less, more preferably 800,000 or less, still more preferably 100,000 or less, and solvent solubility. In view of the above, 10,000 or less is even more preferable.
  • the flexibility-imparting component (E) having a mass average molecular weight in this preferred range the flexibility of the resin composition and bonding when used as an underfill material, preferably a pre-applied underfill material The properties can be balanced with a better balance.
  • the content in the resin composition is 100 parts by mass of the total amount of the radical polymerizable compound (C) in the resin composition from the viewpoint of controllability of the melt viscosity. On the other hand, it is preferably 100 parts by mass or less, more preferably 50 parts by mass or less, and still more preferably 30 parts by mass or less.
  • the content of the flexibility-imparting component (E) in the resin composition is such that the radicals in the resin composition are more effective and reliable from the viewpoint of the effects obtained by using the flexibility-imparting component (E).
  • the resin composition of the present embodiment includes a compound (A) having a phenolic hydroxyl group, a metal ion scavenger (B), and a radical polymerizable compound (C), and if necessary, an inorganic filler (D). And the flexibility provision component (E) and 1 type (s) or 2 or more types of other components may further be included.
  • the resin composition of this embodiment may contain a silane coupling agent for the purpose of improving moisture absorption heat resistance and improving the adhesion between the chip and the resin composition.
  • the silane coupling agent is not limited as long as it is a silane coupling agent that is generally used for surface treatment of inorganic substances and has low reactivity with the compound (A) having a phenolic hydroxyl group.
  • Specific examples thereof include vinylsilane silane coupling agents (eg, vinyltrimethoxysilane, ⁇ - (meth) acryloxypropyltrimethoxysilane), phenylaminosilane silane coupling agents (eg, N-phenyl-3-amino). Propyltrimethoxysilane), phenylsilane-based silane coupling agents, and imidazolesilane-based silane coupling agents. These silane coupling agents can be used alone or in combination of two or more.
  • the content in the resin composition is not limited. However, from the viewpoint of improving the moisture absorption heat resistance and reducing the volatilization amount during flip-chip mounting, the content is 0 with respect to 100 parts by mass of the total amount of the radical polymerizable compound (C) in the resin composition. It is preferable that they are 0.05 mass part or more and 20 mass parts or less, and it is more preferable that they are 0.1 mass part or more and 15 mass parts or less. In addition, when using 2 or more types of silane coupling agents together, it is preferable that these total amount exists in the range of the said content.
  • the resin composition of the present embodiment may contain a wetting dispersant for the purpose of improving the productivity of the laminate and improving the dispersibility of the inorganic filler (D).
  • the wetting and dispersing agent is not limited as long as it is a wetting and dispersing agent generally used in paints. Examples include Disperbyk-110, -111, -180, -161, BYK-W996, -W9010, and -W903 (above product names) manufactured by Big Chemie Japan Co., Ltd. These wet dispersing agents can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
  • the wetting and dispersing agent When the wetting and dispersing agent is used, its content in the resin composition is not limited, but from the viewpoint of improving the productivity of the laminate, it is 0.1 parts by mass or more with respect to 100 parts by mass of the inorganic filler (D). It is preferably 5 parts by mass or less, and more preferably 0.5 parts by mass or more and 3 parts by mass or less.
  • the wetting and dispersing agent When the wetting and dispersing agent is used, its content in the resin composition is not limited, but from the viewpoint of improving the productivity of the laminate, the total amount of the radical polymerizable compound (C) in the resin composition is 100 parts by mass. On the other hand, it is preferably 0.1 parts by mass or more and 5 parts by mass or less, and more preferably 0.5 parts by mass or more and 3 parts by mass. In addition, when using 2 or more types of wet dispersing agents together, it is preferable that these total amount exists in the range of the said content.
  • the resin composition of the present embodiment may contain a curing accelerator for the purpose of adjusting the curing speed.
  • the curing accelerator is not particularly limited as long as it is known as a curing accelerator for maleimide compounds and is generally used.
  • Specific examples of the curing accelerator include imidazoles and derivatives thereof (for example, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 2,4,5-trimethyl).
  • Phenylimidazole tertiary amines (eg, triethylamine, tributylamine), and various organic peroxides (eg, dicumyl peroxide, di (2-tert-butylperoxyisopropyl) benzene as thermal radical polymerization initiators , P-menthane hydroperoxide, diisopropylbenzene hydroperoxide, cumene hydroperoxide).
  • tertiary amines eg, triethylamine, tributylamine
  • organic peroxides eg, dicumyl peroxide, di (2-tert-butylperoxyisopropyl) benzene as thermal radical polymerization initiators , P-menthane hydroperoxide, diisopropylbenzene hydroperoxide, cumene hydroperoxide.
  • the content in the resin composition is not particularly limited, but from the viewpoint of adjusting the curing rate, the total amount of the radical polymerizable compound (C) in the resin composition. It is preferably 0.001 to 3 parts by mass, more preferably 0.005 to 2 parts by mass, more preferably 0.01 to 1 part by mass with respect to 100 parts by mass. More preferably. In addition, when using together 2 or more types of hardening accelerators, it is preferable that these total amount exists in the range of the said content.
  • the resin composition of the present embodiment may contain various additives for various purposes within a range where the intended characteristics are not impaired.
  • additives include ultraviolet absorbers, antioxidants, photopolymerization initiators, fluorescent brighteners, photosensitizers, dyes, pigments, thickeners, lubricants, antifoaming agents, leveling agents, brighteners, And flame retardants. These additives can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
  • the content of the other additives is not particularly limited, but is usually 0.00% relative to 100 parts by mass of the total amount of the radical polymerizable compound (C) in the resin composition. 1 part by mass or more and 10 parts by mass or less.
  • the resin composition of this embodiment is prepared from a compound (A) having a phenolic hydroxyl group, a metal ion scavenger (B), and a radical polymerizable compound (C), and if necessary, an inorganic filler ( It is prepared by further mixing D), the flexibility-imparting component (E), and other components. As needed, it is good also as a form of the varnish which melt
  • the varnish of the resin composition of the present embodiment can be suitably used as a varnish for producing the laminate of the present embodiment described below.
  • the organic solvent is not limited as long as it can suitably dissolve or disperse the above components and does not impair the desired effect of the resin composition of the present embodiment.
  • organic solvent examples include alcohols such as methanol, ethanol, and propanol; ketones such as acetone, methyl ethyl ketone (hereinafter sometimes abbreviated as “MEK”), and methyl isobutyl ketone; dimethylacetamide, dimethylformamide, and the like. Amides; aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene. These organic solvents can be used alone or in combination of two or more.
  • the resin composition of this embodiment is excellent in flux activity, flexibility, and storage stability. Moreover, the laminated body which has a resin layer excellent in flux activity can be provided by apply
  • the resin composition of the present embodiment is used as a pre-applied underfill material used in the form of a laminate, it has excellent flux activity, flexibility, and storage stability, and in addition, bondability, moisture absorption heat resistance, and Other suitable effects such as excellent adhesion to the chip can also be exhibited.
  • the resin composition of the present embodiment has various excellent characteristics, and in particular, can satisfy both flux activity, flexibility, and storage stability at a high level. It is extremely useful as a pre-applied underfill material.
  • a compound having a phenolic hydroxyl group and a metal ion scavenger were used in combination in a solder ball wetting and spreading test, which is an index for evaluating flux activity by the method described in the following examples.
  • solder ball wetting and spreading test which is an index for evaluating flux activity by the method described in the following examples.
  • a compound having a phenolic hydroxyl group and a metal ion scavenger were sprayed on the glossy surface of the electrolytic copper foil, a solder ball was placed thereon, heated on a hot plate, and the solder was melted on the copper foil. Then, it was cooled at room temperature.
  • the flux activity was evaluated by measuring the contact angle of the solder balls with respect to the wetting and spreading of the solder balls to the copper foil.
  • the contact angle of the solder ball was determined by obtaining the radius (a) of the solder ball that melted and spread on the copper foil and the height (b) of the solder ball, and calculated the contact angle from the following formula.
  • Solder ball contact angle 2 arctan ⁇ (b) / (a) ⁇
  • the laminated body of this embodiment is equipped with a support base material and the layer containing the resin composition of this embodiment laminated
  • the above-described resin composition of the present embodiment is attached to a support substrate.
  • the support substrate is not particularly limited, but a polymer film can be used.
  • Examples of the material of the polymer film include polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polybutene, polybutadiene, polyurethane, ethylene-vinyl oxide copolymer, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, and polybutylene terephthalate polyester, polyethylene, polypropylene,
  • Examples include a film containing at least one resin selected from the group consisting of ethylene-propylene copolymer, polymethylpentene, polyimide, and polyamide, and a release film in which a release agent is applied to the surface of these films. It is done.
  • polyester, polyimide, and polyamide are particularly preferable, and among them, polyethylene terephthalate, which is a kind of polyester, is more preferable.
  • the thickness of the support base material of this embodiment is not limited, From the viewpoint of the manufacturability of the laminate, for example, the stability of the coating thickness when the resin composition is applied to the support base material, the thickness is 10 ⁇ m or more and 100 ⁇ m or less. It is preferable. Moreover, it is preferable that the thickness is 10 micrometers or more and 100 micrometers or less also from a viewpoint of the transportability of a resin laminated body.
  • the lower limit of the thickness is more preferably 12 ⁇ m or more, still more preferably 25 ⁇ m or more, and even more preferably 30 ⁇ m or more, from the viewpoint of securing the yield when manufacturing a laminate.
  • the upper limit of the thickness is 80 ⁇ m or less from the viewpoint of the manufacturing cost of the laminated body because the support base material does not finally exist as a constituent member of the semiconductor device and is peeled off during the process. It is more preferable that
  • a method for producing a layered product of the present embodiment by forming a layer containing the resin composition of the present embodiment (hereinafter also simply referred to as “resin composition layer”) on the support substrate, It is not limited.
  • a varnish obtained by dissolving or dispersing the resin composition of the present embodiment in an organic solvent is applied to the surface of the support substrate, and dried under heating and / or reduced pressure, And a method of solidifying the resin composition of the present embodiment to form a resin composition layer.
  • the drying conditions are not particularly limited, but the content ratio of the organic solvent to the resin composition layer is usually 10% by mass or less, preferably 5% by mass or less with respect to the total amount (100% by mass) of the resin composition layer. Let dry.
  • Conditions for achieving such drying also vary depending on the type and blending amount of the organic solvent in the varnish. For example, 30 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total amount in the resin composition containing the compound (A) having a phenolic hydroxyl group, the metal ion scavenger (B), and the radical polymerizable compound (C).
  • a varnish containing MEK in an amount of 60 parts by mass or less, drying for about 1 minute or more and 10 minutes or less under a heating condition of 90 ° C. or more and 160 ° C. or less under 1 atmosphere becomes a standard.
  • the thickness of the resin composition layer in the laminate of the present embodiment is not limited, the viewpoint of better removing light volatile components during drying of the resin composition layer and the function as the laminate are more effectively and reliably achieved. From the viewpoint, a range of 5 ⁇ m to 500 ⁇ m is preferable, and a range of 10 ⁇ m to 100 ⁇ m is more preferable.
  • a semiconductor wafer with a resin composition layer according to the present embodiment includes a semiconductor wafer and the resin composition layer in the laminate laminated on the semiconductor wafer, and is formed from the laminate and the semiconductor wafer according to the embodiment described above. Is done.
  • the semiconductor mounting substrate with a resin composition layer according to the present embodiment includes a semiconductor mounting substrate and the resin composition layer in the stacked body stacked on the substrate, and the stacked body and the substrate according to the above described embodiment. Formed from.
  • the method for producing the semiconductor wafer with the resin composition layer of the present embodiment is not limited, but for example, the surface of the semiconductor wafer with the electrode formed thereon, that is, the surface to be bonded to the substrate, the laminate of the present embodiment It is obtained by pasting together so that the resin composition layers face each other.
  • the method for producing the substrate with the resin composition layer of the present embodiment is not limited.
  • the substrate is mounted so that the resin composition layer of the laminate of the present embodiment faces the surface on the chip mounting side of the substrate. It is obtained with.
  • a vacuum pressurization type laminator can be used conveniently.
  • a method in which the laminate of the present embodiment is pressed through an elastic body such as rubber and bonded is preferable.
  • the lamination conditions are not particularly limited as long as conditions that are commonly used in the art, for example, 50 ° C. or higher 140 ° C. temperature below, 1 kgf / cm 2 or more 11 kgf / cm 2 or less in the range of the contact pressure, and 20hPa
  • the following atmosphere is performed under reduced pressure.
  • the laminated body may be smoothed by hot pressing with a metal plate.
  • the laminating step and the smoothing step can be continuously performed by a commercially available vacuum pressurizing laminator. In any case, the laminate attached to the semiconductor wafer or the substrate is removed before the flip chip mounting of the chip.
  • the semiconductor device of the present embodiment includes, for example, the semiconductor wafer with the resin composition layer of the present embodiment and / or the substrate with the resin composition layer of the present embodiment, and the resin composition layer, chip, and Consists of a substrate.
  • the method for manufacturing the semiconductor device of the present embodiment is not limited.
  • the semiconductor wafer with the resin composition layer of the present embodiment is thinned by a grinding means and separated into pieces by a dicing saw, and the resin composition layer is formed.
  • a chip is attached and mounted on a substrate.
  • a flip chip bonder compatible with the thermocompression bonding method can be preferably used.
  • the case where the chip is flip-chip mounted on the substrate is described for convenience, but the target to which the resin composition of the present embodiment is applied is other than the substrate while the chip is flip-chip mounted.
  • the resin composition of the present embodiment is a chip laminated body that performs chip-to-chip connection via a junction between a semiconductor wafer and a chip when a chip is mounted on a semiconductor wafer, or TSV (Through Silicon Via).
  • the present invention can be used for a joint portion between chips, and in any case, the advantages of the present invention can be obtained.
  • Mass average molecular weight (Mw) Using LC-20AD (trade name, manufactured by Shimadzu Corporation), the mass average molecular weight (Mw) was measured as a standard polystyrene equivalent molecular weight by gel permeation chromatography (GPC).
  • the flux activity was evaluated by measuring the contact angle of the solder balls with respect to the wetting and spreading of the solder balls to the copper foil.
  • the contact angle of the solder ball was determined by using a digital microscope (KH-7700 (trade name), manufactured by Hilox Co., Ltd.), the radius (a) of the solder ball that melted and spread on the copper foil, and the solder ball
  • the contact angle was calculated from the following formula.
  • Solder ball contact angle 2 arctan ⁇ (b) / (a) ⁇
  • a solder ball contact angle of less than 1.60 radians is indicated as A
  • a solder ball contact angle of 1.60 radians or more and less than 2.00 radians is indicated as B
  • a solder ball contact angle of 2.00 radians or more is indicated as C.
  • the contact angle of the solder ball was determined by using a digital microscope (KH-7700 (trade name), manufactured by Hilox Co., Ltd.), the radius (a) of the solder ball that melted and spread on the copper foil, and the solder ball The contact angle was calculated from the following formula.
  • Solder ball contact angle 2 arctan ⁇ (b) / (a) ⁇
  • a solder ball having a contact angle of less than 1.60 radians is indicated as A, a solder ball having a contact angle of 1.60 radians or more and less than 2.00 radians as B, and a solder ball having a contact angle of 2.00 radians or more as C.
  • the flux activity was evaluated by measuring the contact angle of the solder balls with respect to the wetting and spreading of the solder balls to the copper foil.
  • the contact angle of the solder ball was determined by using a digital microscope (KH-7700 (trade name), manufactured by Hilox Co., Ltd.), the radius (a) of the solder ball that melted and spread on the copper foil, and the solder ball. The contact angle was calculated from the following formula.
  • Solder ball contact angle 2 arctan ⁇ (b) / (a) ⁇
  • a solder ball having a contact angle of less than 1.60 radians is described as AA, a solder ball having a contact angle of 1.60 radians or more and less than 2.00 radians, and A having a contact angle of 2.00 radians or more.
  • Example 1 As a compound (A) having a phenolic hydroxyl group, PHENOLITE (registered trademark) KA-1163 (trade name, mass average molecular weight (Mw): 4600, softening point: 105 to 115 ° C., 5% mass reduction temperature: 298 ° C., cresol 60 parts by mass (non-volatile content: 50% by mass) of MEK solution of novolac type phenolic resin (manufactured by DIC Corporation) (30 mass parts in terms of non-volatile content), 1- (4-tert--) as the metal ion scavenger (B) 30 parts by mass of butylphenyl) -3- (4-methoxyphenyl) -1,3-propanedione (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.), R 1 in the above formula (1) as radically polymerizable compound (C) all hydrogen atom, a maleimide compound n 1 is 1
  • Example 2 As the compound (A) having a phenolic hydroxyl group, TBIS (registered trademark) -MP (trade name, 9,9′-bis- (4-hydroxy-3-methylphenyl) fluorene, molecular weight: 378, melting point: 225 ° C., 5% mass reduction temperature: 313 ° C., manufactured by Taoka Chemical Industry Co., Ltd.) Same as Example 1 except that the MEK solution (non-volatile content 50 mass%) was changed to 60 mass parts (30 mass parts in terms of non-volatile content). A varnish was prepared to obtain a resin laminate.
  • TBIS registered trademark
  • -MP trade name, 9,9′-bis- (4-hydroxy-3-methylphenyl) fluorene, molecular weight: 378, melting point: 225 ° C., 5% mass reduction temperature: 313 ° C., manufactured by Taoka Chemical Industry Co., Ltd.
  • Example 3 As a metal ion scavenger (B), (E, E ′)-1,7-bis (4-hydroxy-3-methoxyphenyl) -1,6-heptadiene-3,5-dione (Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) Manufactured) A varnish was prepared in the same manner as in Example 1 except that the amount was changed to 30 parts by mass to obtain a resin laminate.
  • Example 4 As the compound (A) having a phenolic hydroxyl group, TBIS (registered trademark) -MP (trade name, 9,9′-bis- (4-hydroxy-3-methylphenyl) fluorene, molecular weight: 378, Taoka Chemical Co., Ltd.
  • Example 5 Example 1 except that the compound (A) having a phenolic hydroxyl group was changed to 100 parts by mass (50 parts by mass in terms of nonvolatile content) of a MEK solution of PHENOLITE (registered trademark) KA-1163 (nonvolatile content 50% by mass). A varnish was prepared in the same manner as described above to obtain a resin laminate.
  • Example 6 Example 1 was repeated except that the metal ion scavenger (B) was changed to 50 parts by mass of 1- (4-tert-butylphenyl) -3- (4-methoxyphenyl) -1,3-propanedione. A varnish was prepared to obtain a resin laminate.
  • Example 7 Except that the metal ion scavenger (B) was changed to 30 parts by mass of 2,4-diamino-6-methyl-1,3,5-triazine (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.), the same as in Example 1. A varnish was prepared to obtain a resin laminate.
  • Example 8 A varnish was prepared in the same manner as in Example 1 except that the metal ion scavenger (B) was changed to 30 parts by mass of 2,2′-bipyridine (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) to obtain a resin laminate. It was.
  • Example 2 A varnish was prepared in the same manner as in Example 1 except that the metal ion scavenger (B) was not used to obtain a resin laminate.
  • Example 3 A varnish was prepared in the same manner as in Example 1 except that the compound (A) having a phenolic hydroxyl group and the metal ion scavenger (B) were not used to obtain a resin laminate.
  • Examples 1 to 8 using the resin composition of the present embodiment showed better results in the mounting test than Comparative Examples 1 to 3.
  • the resin compositions described in Examples 5 and 6 have no practical problem, but from the results of Examples 5 and 6, in the present embodiment, a resin composition having both excellent flux activity and flexibility is obtained. In order to obtain it, it was shown that the compounding quantity of the compound which has a phenolic hydroxyl group, and a metal ion scavenger needs optimization.
  • the resin compositions described in Examples 7 and 8 have no practical problem, but the metal ion scavenger (B) used in Examples 7 and 8 is a maleimide compound formulated as a radical polymerizable compound (C). It was also shown that there was concern about storage stability due to the reactivity. On the other hand, it was also shown that when a diketone derivative was blended as the metal ion scavenger (B), it showed no reactivity with the maleimide compound blended as the radical polymerizable compound (C), and good storage stability was obtained.
  • the metal ion scavenger (B) used in Examples 7 and 8 is a maleimide compound formulated as a radical polymerizable compound (C). It was also shown that there was concern about storage stability due to the reactivity. On the other hand, it was also shown that when a diketone derivative was blended as the metal ion scavenger (B), it showed no reactivity with the maleimide compound blended as the radical polymerizable compound
  • the resin composition of the present invention is excellent in flux activity, flexibility, and storage stability, and exhibits various effects. Therefore, it is useful as a resin composition, particularly as a pre-applied underfill material. . Since the resin composition of the present invention is excellent in flux activity, when bonding between a semiconductor chip and a substrate, bonding between a semiconductor chip and a semiconductor wafer, and further bonding between a semiconductor chip and a semiconductor chip, good bonding is performed. It is very useful because the state is obtained.

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Abstract

優れたフラックス活性、可撓性、及び保存安定性を有するプリアプライドアンダーフィル材用に好適な樹脂組成物を提供する。本発明の樹脂組成物は、フェノール性水酸基を有する化合物（Ａ）と、金属イオン捕捉剤（Ｂ）と、ラジカル重合性化合物（Ｃ）と、を含有する。

Description

樹脂組成物、積層体、樹脂組成物層付き半導体ウェハ、樹脂組成物層付き半導体搭載用基板、及び半導体装置
　本発明は、樹脂組成物、樹脂組成物を用いた積層体、樹脂組成物層付き半導体ウェハ、樹脂組成物層付き半導体搭載用基板、及び半導体装置に関する。詳しくは、本発明は、アンダーフィル材として有用な樹脂組成物に関する。
　近年、半導体装置の小型化及び高性能化に伴い、半導体チップ（以下、「チップ」と略す場合がある。）を半導体搭載用基板（以下、「基板」と略す場合がある。）に搭載する方法として、フリップチップ実装が注目されている。フリップチップ実装においては、チップと基板を接合した後、チップと基板の間隙にアンダーフィル材を充填し、硬化させる工法が一般的である。しかし、半導体装置の小型化及び高性能化に伴い、チップに配列される電極の狭ピッチ化及び電極間の狭ギャップ化が進み、アンダーフィル材の充填の長時間化による作業性の悪化及び未充填などの充填不良の発生が問題となっている。これに対し、チップ又は基板にプリアプライドアンダーフィル材を供給した後、チップと基板との接合と、アンダーフィル材の充填とを同時に行う工法が検討されている。
　チップと基板とを、酸化されやすい金属、例えば、はんだや銅を介して接合する場合、接合の阻害要因となる金属酸化膜を接合部から除去し、良好な金属接合を得ることを目的として、プリアプライドアンダーフィル材にカルボン酸等に由来するフラックス成分を添加することがある。
　特許文献１には、エポキシ化合物を使用するプリアプライドアンダーフィル材が記載されている。また、特許文献２にも、エポキシ化合物を使用するプリアプライドアンダーフィル材が記載されている。
　特許文献３には、エポキシ化合物及びフラックス成分を使用するプリアプライドアンダーフィル材が記載されている。また、特許文献４には、アクリルモノマーを使用するアンダーフィル材が記載されている。そして、特許文献５には、ラジカル重合性モノマーを使用したプリアプライドアンダーフィル材が記載されている。
　特許文献６には、銅イオンと錯形成し得る骨格を有する樹脂を含有する銅イオン吸着層を備え、銅イオンと錯形成し得る骨格を有する樹脂が、トリアジン骨格を有するフェノール樹脂である、フィルム状接着剤についての記載がある。
特開２００８－１３３４２３号公報 特開２０１６－０２７１７４号公報 特開２０１３－１１２７３０号公報 特開２０１５－１７２１４５号公報 特表２０１５－５０３２２０号公報 特開２０１１－５２１０９号公報
　特許文献１及び２に記載のようなエポキシ化合物を使用するプリアプライドアンダーフィル材の場合、エポキシ化合物は様々な材料との接着性が高く、電気絶縁性に優れるという利点がある。しかし、このようなプリアプライドアンダーフィル材は、意図的にフラックス成分を含まない。よって、特許文献１及び２に記載のプリアプライドアンダーフィル材では、接合部の酸化膜を除去することは困難である。
　また、特許文献３では、フラックス成分として特定のカルボキシル基含有化合物が使用されている。しかし、カルボキシル基含有化合物は、エポキシ化合物と室温でもわずかに反応が進行し、保管中にフラックス活性が経時的に低下するため、接合安定性が低く、量産性に乏しいという欠点がある。
　特許文献４でも、意図的にフラックス成分を含まないため、接合部の酸化膜を金属接合前に除去することはできない。
　特許文献５では、ラジカル重合性モノマーの重合開始剤として、熱ラジカル開始剤が使用されている。しかし、特許文献５では、カルボキシル基を含有するポリマーを用いているが、分子量が大きいため、カルボキシル基の運動性が低く、十分なフラックス活性は期待できない。
　また、銅は腐食しやすい特性を持つところ、腐食により発生した銅イオンは、半導体チップ内に浸透しトランジスタに作用することで誤動作を起こし、チップの電極間でマイグレーションによる短絡を引き起こしやすい傾向にある。そこで、特許文献６では、銅イオンと錯形成し得る骨格であるトリアジン骨格を有するフェノール樹脂を含有するフィルム状接着剤についての記載がある。しかし、この接着剤では、トリアジン骨格を有するフェノール成分が樹脂骨格中に組み込まれているので運動性が低く、接合部の金属酸化膜除去性が極めて低いとの問題を有する。
　本発明は、このような課題に鑑みてなされたものであり、優れたフラックス活性、可撓性、及び保存安定性を有し、アンダーフィル材用に好適な樹脂組成物、積層体、樹脂組成物層付き半導体ウェハ、樹脂組成物層付き半導体搭載用基板、及び半導体装置を提供することにある。
　本発明者らは、前記問題点を解決のため鋭意検討した結果、フェノール性水酸基を有する化合物（Ａ）と、金属イオン捕捉剤（Ｂ）と、ラジカル重合性化合物（Ｃ）と、を含有する樹脂組成物が、前記課題を解決できることを見出し、本発明に到達した。
　すなわち、本発明は以下の内容を含む。
　［１］フェノール性水酸基を有する化合物（Ａ）と、金属イオン捕捉剤（Ｂ）と、ラジカル重合性化合物（Ｃ）と、を含有する、樹脂組成物。
　［２］前記フェノール性水酸基を有する化合物（Ａ）の分子量が、２００以上で、かつ、融点が、３００℃以下である、［１］に記載の樹脂組成物。
　［３］前記フェノール性水酸基を有する化合物（Ａ）における５％質量減少温度が、２５０℃以上である、［１］又は［２］に記載の樹脂組成物。
　［４］前記金属イオン捕捉剤（Ｂ）が、配位原子として窒素及び酸素から選択される少なくとも１種の元素を含有する、［１］～［３］のいずれかに記載の樹脂組成物。
　［５］前記金属イオン捕捉剤（Ｂ）が、アミン類、アミン誘導体、エーテル誘導体、及びケトン誘導体からなる群より選択される少なくとも１種を含有する、［１］～［４］のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
　［６］前記金属イオン捕捉剤（Ｂ）が、トリアジン誘導体、ビピリジン誘導体、及びジケトン誘導体からなる群より選択される少なくとも１種を含有する、［１］～［５］のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
　［７］前記金属イオン捕捉剤（Ｂ）が、１，３－ジケトンを含有する、［１］～［６］のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
　［８］前記金属イオン捕捉剤（Ｂ）が、２，４－ジアミノ－６－メチル－１，３，５－トリアジン、２，２’－ビピリジン、１，３－ジフェニル－１，３－プロパンジオン、１－（２－メシチレン）－１，３－ブタンジオン、１，３－ビス（４－メトキシフェニル）－１，３－プロパンジオン、１－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－３－（４－メトキシフェニル）－１，３－プロパンジオン、及び（Ｅ，Ｅ）－１，７－ビス（４－ヒドロキシ－３－メトキシフェニル）－１，６－ヘプタジエン－３，５－ジオンからなる群より選択される少なくとも１種を含有する、［１］～［６］のいずれかに記載の樹脂組成物。
　［９］前記金属イオン捕捉剤（Ｂ）が、１－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－３－（４－メトキシフェニル）－１，３－プロパンジオン、及び（Ｅ，Ｅ）－１，７－ビス（４－ヒドロキシ－３－メトキシフェニル）－１，６－ヘプタジエン－３，５－ジオンからなる群より選択される少なくとも１種を含有する、［１］～［８］のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
　［１０］前記ラジカル重合性化合物（Ｃ）が、（メタ）アクリレート化合物、マレイミド化合物、及びプロペニル化合物からなる群より選択される少なくとも１種を含有する、［１］～［９］のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
　［１１］前記ラジカル重合性化合物（Ｃ）が、２，２’－ビス｛４－（４－マレイミドフェノキシ）フェニル｝プロパン、１，２－ビス（マレイミド）エタン、１，４－ビス（マレイミド）ブタン、１，６－ビス（マレイミド）ヘキサン、Ｎ，Ｎ’－１，３－フェニレンジマレイミド、Ｎ，Ｎ’－１，４－フェニレンジマレイミド、Ｎ－フェニルマレイミド、下記式（１）で表されるマレイミド化合物、下記式（２）で表されるマレイミド化合物、及び下記式（３）で表されるマレイミド化合物からなる群より選択される少なくとも１種を含有する、［１０］に記載の樹脂組成物。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
　（式（１）中、Ｒ１は、各々独立に、水素原子又はメチル基を示し、ｎ１は１以上の整数を示す。）。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
　（式（２）中、ｎ２の平均値は、１以上３０以下である。）。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
　（式（３）中、Ｒ２は各々独立に、水素原子、メチル基又はエチル基を示し、Ｒ３は各々独立に、水素原子又はメチル基を示す。）。
　［１２］前記ラジカル重合性化合物（Ｃ）が、２，２’－ビス｛４－（４－マレイミドフェノキシ）フェニル｝プロパン、前記式（１）で表されるマレイミド化合物、前記式（２）で表されるマレイミド化合物、及び前記式（３）で表されるマレイミド化合物からなる群より選択される少なくとも１種のマレイミド化合物を含有する、［１１］に記載の樹脂組成物。
　［１３］前記樹脂組成物中における前記フェノール性水酸基を有する化合物（Ａ）の含有量が、前記樹脂組成物中における前記ラジカル重合性化合物（Ｃ）の合計量１００質量部に対して、５質量部以上５０質量部以下である、［１］～［１２］のいずれかに記載の樹脂組成物。
　［１４］前記樹脂組成物中における前記金属イオン捕捉剤（Ｂ）の含有量が、前記樹脂組成物中における前記ラジカル重合性化合物（Ｃ）の合計量１００質量部に対して、５質量部以上５０質量部以下である、［１］～［１３］のいずれかに記載の樹脂組成物。
　［１５］無機充填材（Ｄ）を更に含有する、［１］～［１４］のいずれかに記載の樹脂組成物。
　［１６］前記無機充填材（Ｄ）が、電気絶縁性を有する、［１５］に記載の樹脂組成物。
　［１７］前記無機充填材（Ｄ）の平均粒子径が、３μｍ以下である、［１５］又は［１６］に記載の樹脂組成物。
　［１８］前記無機充填材（Ｄ）が、シリカ、水酸化アルミニウム、アルミナ、ベーマイト、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、酸化マグネシウム、及び水酸化マグネシウムからなる群より選択される少なくとも１種を含有する、［１５］～［１７］のいずれかに記載の樹脂組成物。
　［１９］前記樹脂組成物中における前記無機充填材（Ｄ）の含有量が、前記ラジカル重合性化合物（Ｃ）の合計量１００質量部に対して、３００質量部以下である、［１５］～［１８］のいずれかに記載の樹脂組成物。
　［２０］可撓性付与成分（Ｅ）を更に含有する、［１］～［１９］のいずれかに記載の樹脂組成物。
　［２１］前記可撓性付与成分（Ｅ）が、熱可塑性の高分子化合物を含有し、前記高分子化合物の質量平均分子量が、１,０００以上１,０００,０００以下である、［２０］に記載の樹脂組成物。
　［２２］前記可撓性付与成分（Ｅ）が、（メタ）アクリルオリゴマー及び（メタ）アクリルポリマーからなる群より選択される少なくとも１種を含有する、［２０］又は［２１］に記載の樹脂組成物。
　［２３］プリアプライドアンダーフィル材用である、［１］～［２２］のいずれかに記載の樹脂組成物。
　［２４］支持基材と、前記支持基材上に積層された［１］～［２３］のいずれかに記載の樹脂組成物を含む層と、を備える、積層体。
　［２５］半導体ウェハと、前記半導体ウェハに積層された［２４］に記載の積層体と、を備え、前記樹脂組成物を含有する層が前記半導体ウェハに積層された、樹脂組成物層付き半導体ウェハ。
　［２６］半導体搭載用基板と、前記半導体搭載用基板に積層された［２４］に記載の積層体と、を備え、前記樹脂組成物を含有する層が、前記半導体搭載用基板に積層された、樹脂組成物層付き半導体搭載用基板。
　［２７］［２５］に記載の樹脂組成物層付き半導体ウェハ、及び／又は、［２６］に記載の樹脂組成物層付き半導体搭載用基板を備える、半導体装置。
　本発明によれば、優れたフラックス活性、可撓性、及び保存安定性を有し、アンダーフィル材用に好適な樹脂組成物、積層体、樹脂組成物層付き半導体ウェハ、樹脂組成物層付き半導体搭載用基板、及び半導体装置を提供することができる。
　以下、本発明を実施するための形態（以下、単に「本実施形態」という。）について、詳細に説明する。なお、以下の本実施形態は、本発明を説明するための例示であり、本発明は本実施形態のみに限定されない。
　本明細書における「（メタ）アクリロ」とは「アクリロ」及びそれに対応する「メタクリロ」の両方を意味する。「（メタ）アクリル」とは「アクリル」及びそれに対応する「メタクリル」の両方を意味する。「（メタ）アクリレート」とは「アクリレート」及びそれに対応する「メタクリレート」の両方を意味する。
　本実施形態の一態様の樹脂組成物は、フェノール性水酸基を有する化合物（Ａ）と、金属イオン捕捉剤（Ｂ）と、ラジカル重合性化合物（Ｃ）と、を含有する。本実施形態の樹脂組成物は、アンダーフィル材の用途に好ましく、プリアプライドアンダーフィル材の用途により好ましく用いられる。
　本実施形態の別の態様の樹脂組成物は、前記各成分に、無機充填材（Ｄ）を更に含有する。
　本実施形態の別の態様の樹脂組成物は、前記各成分に加え、可撓性付与成分（Ｅ）を更に含有する。
　本実施形態の別の態様は、本実施形態による樹脂組成物を用いて得られる積層体（以下、「樹脂積層体」ともいう。）、積層体を用いて作製される樹脂組成物層付き半導体ウェハ、積層体を用いて作製される樹脂組成物層付き半導体搭載用基板、及び本実施形態の樹脂組成物を用いて作製した半導体装置も提供される。
　〔Ｉ．樹脂組成物〕
　本実施形態の樹脂組成物は、好適にはチップのフリップチップ実装に使用されるアンダーフィル材として用いられる樹脂組成物である。この樹脂組成物は、フェノール性水酸基を有する化合物（Ａ）と、金属イオン捕捉剤（Ｂ）と、ラジカル重合性化合物（Ｃ）とを含有する。本実施形態の樹脂組成物は、無機充填材（Ｄ）及び／又は可撓性付与成分（Ｅ）を更に含んでもよい。
　〔Ｉ－１．フェノール性水酸基を有する化合物（Ａ）〕
　フェノール性水酸基を有する化合物（Ａ）は、主に樹脂組成物のフラックス活性に寄与する成分である。
　フェノール性水酸基を有する化合物（Ａ）としては、分子中に１個以上のフェノール性の水酸基を有する化合物であれば、特に限定されない。化合物（Ａ）としては、フェノール樹脂であってもよい。
　フェノール性水酸基を有する化合物（Ａ）は、フリップチップ実装中においてフラックス活性が発現する前に揮発してしまうこと、すなわち接合部の酸化膜を除去する前にフェノール性水酸基を有する化合物（Ａ）が揮発してしまうことを防ぐことが好ましい。このような観点から、フェノール性水酸基を有する化合物（Ａ）の分子量は、本実施形態の効果を奏する限り特に限定されないが、２００以上であることが好ましく、熱硬化時の揮発分を低減する観点から、２５０以上であることがより好ましく、フリップチップ接合における揮発分を低減する観点から、３００以上であることが更に好ましい。一方、酸としての運動性を有し、より十分なフラックス活性を得る観点から、フェノール性水酸基を有する化合物（Ａ）の分子量は、１０,０００以下であることが好ましく、溶剤溶解性の観点から、８,０００以下であることがより好ましく、フリップチップ接合において接合部の金属酸化膜に効率よく到達するための運動性を確保する観点から、６,０００以下であることが更に好ましい。
　なお、本実施形態において、分子量は、化合物である場合には、その化合物の分子量を表し、樹脂である場合には、質量平均分子量（Ｍｗ）を表す。質量平均分子量は、ＧＰＣ（ゲルパーミエイションクロマトグラム）法によりポリスチレンを標準物質として求めることができる。
　フェノール性水酸基を有する化合物（Ａ）の融点は、本実施形態の効果を奏する限り特に限定されないが、３００℃以下であることが好ましく、一般的なはんだの融点以下で溶融し金属酸化膜に作用させる観点から、０～２６０℃であることがより好ましく、室温での保存安定性を確保しつつ、フリップチップ接合の際に接合に用いるはんだの融点以下で溶融する必要がある観点から、４０～２４０℃であることが更に好ましい。
　フェノール性水酸基を有する化合物（Ａ）の５％質量減少温度は、本実施形態の効果を奏する限り特に限定されないが、２５０℃以上であることが好ましく、半導体装置製造プロセスにおける加熱時の揮発分抑制の観点から、２６０℃以上であることがより好ましく、フリップチップ接合の際の揮発分抑制の理由から、２７０℃以上であることが更に好ましい。５％質量減少温度は、２５０℃未満であると、フリップチップ接合の際の揮発分が多量に発生し、硬化物中のボイドや工程汚染の原因となるおそれがある。
　フェノール性水酸基を有する化合物（Ａ）の５％質量減少温度は、熱質量分析（ＴＧＡ）を用いて測定することができる。測定方法を具体的に説明する。所定量の化合物をＴＧＡに仕込み、室温から１０℃／分で５００℃まで昇温する。得られた質量減少曲線の中から質量が５％減少する温度を５％質量減少温度とする。
　フェノール性水酸基を有する化合物（Ａ）としては、例えば、９，９’－ビス－（４－ヒドロキシ－３－メチルフェニル）フルオレン、ビスクレゾールフルオレン、ビスフェノールフルオレン、２，４，６－トリス（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシベンジル)メシチレン、ヘスペリジン、α,α’,α’’－トリス(４－ヒドロキシフェニル)－１－エチル－４－イソプロピルベンゼン、α,α’－ビス(４－ヒドロキシ－３,５－ジメチルフェニル)－１,４－ジイソプロピルベンゼン、４,４’－メチレンビス(２,６－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェノール)、１，１’，３－トリス（２，５－ジメチル－４－ヒドロキシフェニル）－３－フェニルプロパン、４，４’－［１－［４－［１－［４－ヒドロキシフェニル］－１－メチルエチル］フェニル］エチリデン］ビスフェノール、２，３，４－トリヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，４’－テトラヒドロキシベンゾフェノン、２－ビス（４－ヒドロキシフェニル）プロパン、トリス（４－ヒドロキシフェニル）メタン、１，１’，１’’－トリス（４－ヒドロキシ－３－メチルフェニル）エタン、１，１’，２，２’－テトラキス（４－ヒドロキシフェニル）エタン、４，４’－ブチリデンビス（６－ｔｅｒｔ－ブチル－ｍ－クレゾール）、ペンタエリトリトールテトラキス［３－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオナート］が挙げられる。
　また、フェノール性水酸基を有する化合物（Ａ）であるフェノール樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型フェノール樹脂、ビスフェノールＥ型フェノール樹脂、ビスフェノールＦ型フェノール樹脂、ビスフェノールＳ型フェノール樹脂、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック型フェノール樹脂、グリシジルエステル型フェノール樹脂、アラルキルノボラック型フェノール樹脂、ビフェニルアラルキル型フェノール樹脂、クレゾールノボラック型フェノール樹脂、多官能フェノール樹脂、ナフトール樹脂、ナフトールノボラック樹脂、多官能ナフトール樹脂、アントラセン型フェノール樹脂、ナフタレン骨格変性ノボラック型フェノール樹脂、フェノールアラルキル型フェノール樹脂、ナフトールアラルキル型フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、ビフェニル型フェノール樹脂、脂環式フェノール樹脂、ポリオール型フェノール樹脂、リン含有フェノール樹脂、水酸基含有シリコーン樹脂類、プロペニルフェノール樹脂、アリルフェノール樹脂、プロペニルビフェニレン樹脂も挙げられる。
　フェノール性水酸基を有する化合物（Ａ）は市販のものを用いてもよく、例えば、ＤＩＣ（株）製ＰＨＥＮＯＬＩＴＥ（登録商標）ＫＡ－１１６３、田岡化学工業（株）製ＴＢＩＳ（登録商標）－ＭＰ、新日鐵化学（株）製ＳＮ－４９５Ｖ、群栄化学工業（株）製ＬＶＡ０１、群栄化学工業（株）製ＢＰＮ０１、群栄化学工業（株）製ＴＰＭＰ０１、群栄化学工業（株）製ＰＰＮ－８０、群栄化学工業（株）製ＥＬＰＣ７５、フドー（株）製ＧＰ－１００、日本化薬（株）製ＧＰＨ１０３が挙げられる。
　これらのフェノール性水酸基を有する化合物（Ａ）の中では、９，９’－ビス－（４－ヒドロキシ－３－メチルフェニル）フルオレン、クレゾールノボラック型フェノール樹脂、ナフトールアラルキル型フェノール樹脂、プロペニルフェノール樹脂、プロペニルビフェニレン樹脂、アリルフェノール樹脂が、本実施形態の樹脂組成物をアンダーフィル材、好ましくはプリアプライドアンダーフィル材として用いた半導体装置において、揮発分の抑制及び分子の運動性の観点から好ましい。これらのフェノール性水酸基を有する化合物（Ａ）は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
　樹脂組成物中におけるフェノール性水酸基を有する化合物（Ａ）の含有量は、本実施形態の効果を奏する限り特に限定されないが、樹脂組成物中における下記のラジカル重合性化合物（Ｃ）の合計量１００質量部に対して、５質量部以上５０質量部以下であることが好ましく、十分なフラックス活性及び溶剤溶解性を確保する観点から、１０質量部以上４５質量部以下であることがより好ましく、十分なフラックス活性、溶剤溶解性、及び樹脂組成物の可撓性を確保する観点から、１５質量部以上４０質量部以下であることが更に好ましい。
　〔Ｉ－２．金属イオン捕捉剤（Ｂ）〕
　金属イオン捕捉剤（Ｂ）としては、金属イオンを捕捉できる化合物であれば特に限定されない。捕捉される金属イオンとしては、特に限定されないが、銅イオンが好ましい。
　アンダーフィル材におけるフラックス成分として、カルボキシル基含有化合物などの比較的強い酸を用いると、硬化後も、電極部、チップ又は基板の銅配線を腐食させる作用が残存するために、チップの誤動作又は絶縁不良を引き起こすという問題を有する。この問題について、本発明者らは、酸によって、銅などの金属が腐食し、イオン化した金属が硬化物を介して接続端子間を移動し、析出して端子間を短絡する、いわゆるマイグレーションを引き起こすことにより絶縁性不良が生じると推定している。そこで、フラックス成分として、カルボキシル基含有化合物よりも弱酸性であるフェノール性水酸基を有する化合物を用いて金属酸化膜の除去を行うべく、鋭意検討を行った。フラックス成分としてフェノール類を単独で用いるとすると、酸乖離定数の大きいフェノールでは、金属酸化膜に作用するプロトン濃度が低いため、金属酸化膜から溶解して生成される金属イオンの濃度は小さいままとなり、十分な金属酸化膜除去が行われない。一方、この反応場に金属イオン捕捉剤を添加し、反応場から金属イオンを除去すると、系の平衡を保つ働きから、金属イオンの生成、すなわち酸化膜の分解が加速され、結果として酸化膜の除去量が増え、金属酸化膜の除去が可能となることを見出した。
　金属イオン捕捉剤（Ｂ）としては、本実施形態の効果を奏する限り特に限定されないが、金属イオン、特に銅イオンを好適に捕捉できることから、配位原子として窒素及び酸素から選択される少なくとも１種の元素を含有することが好ましい。配位原子として窒素を含有する金属イオン捕捉剤としては、特に限定されず、例えば、アミン類及びアミン誘導体が挙げられる。配位原子として酸素を含有する金属捕捉剤としては、特に限定されず、例えば、エーテル誘導体及びケトン誘導体が挙げられる。
　アミン誘導体としては、例えば、イミダゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ピラゾール誘導体、トリアジン誘導体、ピリジン誘導体、ターピリジン誘導体、ビピリジン誘導体、フェナントロリン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリダジン誘導体、キナゾリン誘導体、ポルフィリン誘導体、フタロシアニン誘導体、及びサイクレン誘導体が挙げられる。エーテル誘導体としては、例えば、クラウンエーテル誘導体が挙げられる。ケトン誘導体としては、例えば、ジケトン誘導体が挙げられる。
　アミン類としては、例えば、１，３－フェニレンジアミン、２，６－ジアミノトルエン、１，３－ジアミノピレン、２，４－ジアミノトルエン、２，４，６－トリメチル－１，３－フェニレンジアミン、２，４－ジアミノジフェニルアミン、３－アセトアミドアニリン、１，２－ジアミノ－４－ニトロベンゼン、４－ニトロ－１，３－フェニレンジアミン、２－メチル－５－ニトロアニリン、３，５－ジアミノ安息香酸、２－アミノ－１－メチルアミノ－４－ニトロベンゼン、３－アセトアミド－４－メチルアニリン、Ｎ－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－１，３－フェニレンジアミン、３’－アミノ－４’－メトキシアセトアニリド、３－（４－メチル－１－ピペラジニル）アニリンが挙げられる。
　イミダゾール誘導体としては、例えば、イミダゾール、Ｎ－アセチルイミダゾール、１－（α，４－ジフェニルベンジル）イミダゾール、２，２’－（２，６－ピリジンジイル）ビス（ベンゾイミダゾール）、４－（４，５－ジフェニル－１Ｈ－イミダゾール－２－イル）安息香酸、２－（４－ヒドロキシフェニル）－４，５－ジフェニルイミダゾール、５－クロロ－１－［１－［３－（２－オキソ－１－ベンゾイミダゾリル）プロピル］－４－ピペリジル］ベンゾイミダゾール－２－オン、［５－（４－フルオロベンゾイル）ベンゾイミダゾール－２－イル］カルバミン酸メチル、２－（４－フルオロフェニル）－４，５－ジフェニルイミダゾール、２－ヘプタデシルイミダゾール、２－［［［３－メチル－４－（２，２，２－トリフルオロエトキシ）－２－ピリジル］メチル］スルフィニル］ベンゾイミダゾール、５－メトキシ－２－［［（４－メトキシ－３，５－ジメチル－２－ピリジル）メチル］チオ］ベンゾイミダゾール、［５－（フェニルスルフィニル）ベンゾイミダゾール－２－イル］カルバミン酸メチル、５－（ジフルオロメトキシ）－２－［［（３，４－ジメトキシ－２－ピリジル）メチル］チオ］ベンゾイミダゾール、４－（４－フルオロフェニル）－２－（４－ニトロフェニル）－５－（４－ピリジル）－１Ｈ－イミダゾール、９－フェニル－３，６－ビス［４－（１－フェニルベンゾイミダゾール－２－イル）フェニル］カルバゾール、１－フェニル－２－［３－（４，４，５，５－テトラメチル－１，３，２－ジオキサボロラン－２－イル）フェニル］－１Ｈ－ベンゾイミダゾール、４’－［［４－メチル－６－（１－メチル－１Ｈ－ベンゾイミダゾール－２－イル）－２－プロピル－１Ｈ－ベンゾイミダゾール－１－イル］メチル］ビフェニル－２－カルボン酸、４－ホルミル－１－トリチルイミダゾール、［５－（プロピルチオ）ベンゾイミダゾール－２－イル］カルバミン酸メチル、１－アリルイミダゾール、５－アミノ－２－（４－アミノフェニル）ベンゾイミダゾール、２－アミノベンゾイミダゾール、５－アミノベンゾイミダゾール、２－アミノ－４，５－ジシアノ－１Ｈ－イミダゾール、４（５）－アミノ－５（４）－シアノイミダゾール、５－アミノ－２－メルカプトベンゾイミダゾール、１－（３－アミノプロピル）イミダゾール、６－（１－メチル－４－ニトロイミダゾール－５－イル）チオプリン、ベンゾイミダゾール、５－カルボキシベンゾイミダゾール、２－（４－アミノフェニル）ベンゾイミダゾール、１－ベンジルイミダゾール、１－ベンジル－２－メチルイミダゾール、２，２’－ビイミダゾール、４，５－ビス（ヒドロキシメチル）イミダゾール、４，５－ビス（ヒドロキシメチル）－２－フェニルイミダゾール、１，４－ビス［（１Ｈ－イミダゾール－１－イル）メチル］ベンゼン、Ｎ－ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニルイミダゾール、１－（ジメチルスルファモイル）－２－（ｔｅｒｔ－ブチルジメチルシリル）－１Ｈ－イミダゾール、１－（ｔｅｒｔ－ブチルジメチルシリル）イミダゾール、１－ｔｅｒｔ－ブチルイミダゾール、１－ブチルイミダゾール、２－ブチルイミダゾール、２－ブチル－４－ホルミルイミダゾール、１，１’－カルボニルジイミダゾール、１－（２－シアノエチル）－２－メチルイミダゾール、１－（２－シアノエチル）－２－フェニルイミダゾール、１－（２－シアノエチル）－２－ウンデシルイミダゾール、４（５）－シアノメチルイミダゾール、１－（４-シアノフェニル）イミダゾール、５－（３，３－ジメチルトリアゼノ）イミダゾール－４－カルボキシアミド、５，６－ジアミノ－２-ヒドロキシベンゾイミダゾール、２－プロピル－１Ｈ－イミダゾール－４，５－ジカルボン酸ジエチル、１－（２，６－ジイソプロピルフェニル）イミダゾール、１，２－ジメチルベンゾイミダゾール、５，６－ジメチルベンゾイミダゾール、１－（ジメチルエチルシリル）イミダゾール、１，２－ジメチルイミダゾール、１Ｈ－イミダゾール－４，５－ジカルボン酸ジメチル、１－（ジメチルイソプロピルシリル）イミダゾール、１，２－ジメチル－５－ニトロイミダゾール、４，５－ジフェニルイミダゾール、４－（２－ヒドロキシ－２－プロピル）－２－プロピル－１Ｈ－イミダゾール－５－カルボン酸エチル、１－エチルイミダゾール、２－エチルイミダゾール、４（５）－エチルイミダゾール、２－イミダゾールカルボン酸エチル、４－イミダゾールカルボン酸エチル、２－エチル－４－メチルイミダゾール、１－メチルイミダゾール－２－カルボン酸エチル、テトラヒドロイミダゾ［４，５－ｄ］イミダゾール－２，５（１Ｈ，３Ｈ）－ジオン、２－ヒドロキシベンゾイミダゾール、１－（１０－ヒドロキシデシル）イミダゾール、２－（１－ヒドロキシエチル）ベンゾイミダゾール、２－（ヒドロキシメチル）ベンゾイミダゾール、２－ヒドロキシメチル－１－メチルイミダゾール、４－ヒドロキシメチル－５－メチルイミダゾール、２－ヒドロキシメチル－１－メチル－５－ニトロイミダゾール、２－（３－ヒドロキシプロピル）ベンゾイミダゾール、１－イミダゾール酢酸、２－ホルミルイミダゾール、４－ホルミルイミダゾール、２－イミダゾールカルボン酸、４－イミダゾールカルボン酸、イミダゾール－４，５－ジカルボキサミド、１Ｈ－イミダゾール－４，５－ジカルボン酸、１－（シアノメチル）イミダゾール、１－（４－ホルミルフェニル）イミダゾール、１－イソプロピルイミダゾール、２－イソプロピルイミダゾール、［５－（ベンゾイル）ベンゾイミダゾール－２－イル］カルバミン酸メチル、１－メチルベンゾイミダゾール、２－メチルベンゾイミダゾール、５－メチルベンゾイミダゾール、ベンゾイミダゾール－５－カルボン酸メチル、５－（ヒドロキシメチル）－１Ｈ－イミダゾール－４－カルボン酸メチル、１－メチルイミダゾール、２－メチルイミダゾール、４－メチルイミダゾール、２－ホルミル－１－メチルイミダゾール、１Ｈ－イミダゾール－５－カルボン酸メチル、１－メチル－４－イミダゾールカルボン酸、４，５－ジカルボキシ－１－メチル－１Ｈ－イミダゾール、２－メチル－５－ニトロイミダゾール－１－エタノール、４－メチル－２－フェニルイミダゾール、６－カルボキシ－４－メチル－２－プロピルベンズイミダゾール、２－メチル－１－ビニルイミダゾール、５－ニトロベンゾイミダゾール、２－ニトロイミダゾール、４－ニトロイミダゾール、２－ノニルベンゾイミダゾール、１，１’－オキサリルジイミダゾール、１－（フェニルエチル）イミダゾール、２－フェニルベンゾイミダゾール、１－フェニルイミダゾール、２－フェニルイミダゾール、４－フェニルイミダゾール、２－（４-ピペリジニル）ベンゾイミダゾール、１－プロピルイミダゾール、２－プロピルイミダゾール、２－（２-ピリジル）ベンゾイミダゾール、２－（４－ピリジル）ベンゾイミダゾール、２，４，５－トリフェニルイミダゾールが挙げられる。
　トリアゾール誘導体としては、例えば、１－アミノベンゾトリアゾール、２－アミノベンゾトリアゾール、４－アミノ－３－ヒドラジノ－５－メルカプト－１，２，４－トリアゾール、３－アミノ－５－メルカプト－１，２，４－トリアゾール、３－アミノ－５－メチルチオ－１Ｈ－１，２，４－トリアゾール、Ｎ－（２－アミノフェニル）－４－［１－［２－（３－チエニル）エチル］－１Ｈ－１，２，３－トリアゾール－４－イル］ベンズアミド、３－アミノ－１，２，４－トリアゾール、４－アミノ－１，２，４－トリアゾール、１，２，３－ベンゾトリアゾール、１－ホルミル－１Ｈ－ベンゾトリアゾール、５－カルボキシベンゾトリアゾール、１－（ヒドロキシメチル）－１Ｈ－ベンゾトリアゾール、２－（２Ｈ－ベンゾトリアゾール－２－イル）－４，６－ビス（１－メチル－１－フェニルエチル）フェノール、９－（１Ｈ－ベンゾトリアゾール－１－イルメチル）－９Ｈ－カルバゾール、１－ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル－１，２，４－トリアゾール、２－（５－ｔｅｒｔ－ブチル－２－ヒドロキシフェニル）ベンゾトリアゾール、１，１’－カルボニルジ（１，２，４－トリアゾール）、５－クロロベンゾトリアゾール、２－（２－ヒドロキシ－３－ｔｅｒｔ－ブチル－５－メチルフェニル）－５－クロロベンゾトリアゾール、１－（クロロメチル）－１Ｈ－ベンゾトリアゾール、３－（クロロメチル）－１，２，４－トリアゾリン－５－オン、３－クロロ－１，２，４－トリアゾール、３，５－ジアミノ－１，２，４－トリアゾール、２－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－アミル－２－ヒドロキシフェニル）ベンゾトリアゾール、４，７－ジブロモ－２－（６－ブロモヘキシル）ベンゾトリアゾール、３，５－ジブロモ－１，２，４－トリアゾール、２－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－２－ヒドロキシフェニル）－５－クロロベンゾトリアゾール、３，５－ジメチル－１，２，４－トリアゾール、２，６－ジ（２Ｈ－１，２，３－トリアゾール－４－イル）ピリジン、１－ヒドロキシ－１Ｈ－１，２，３－トリアゾール－４－カルボン酸エチル、１－［（９Ｈ－フルオレン－９－イルメトキシ）カルボニルオキシ］ベンゾトリアゾール、１－（ホルムアミドメチル）－１Ｈ－ベンゾトリアゾール、２－［２－ヒドロキシ－５－［２－（メタクリロイルオキシ）エチル］フェニル］－２Ｈ－ベンゾトリアゾール、２－（２－ヒドロキシ－５－メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２－（２－ヒドロキシ－５－ｔｅｒｔ－オクチルフェニル）ベンゾトリアゾール、１－ヒドロキシ－６－（トリフルオロメチル）ベンゾトリアゾール、１－（イソシアノメチル）－１Ｈ－ベンゾトリアゾール、１－ビス（４－シアノフェニル）メチル－１，２，４－トリアゾール、３－メルカプト－４－メチル－４Ｈ－１，２，４－トリアゾール、３－メルカプト－１，２，４－トリアゾール、１－（メトキシメチル）－１Ｈ－ベンゾトリアゾール、１－メチル－１Ｈ－ベンゾトリアゾール、５－メチル－１Ｈ－ベンゾトリアゾール、２，２’－メチレンビス［６－（ベンゾトリアゾール－２－イル）－４－ｔｅｒｔ－オクチルフェノール］、１，２，４－トリアゾール－３－カルボン酸メチル、５－メチル－２－（２Ｈ－１，２，３－トリアゾール－２－イル）安息香酸、１－（４－ニトロベンジル）－１，２，４－トリアゾール、１，４－ジフェニル－エンドアニリノ－ジヒドロトリアゾール、３－ニトロ－１，２，４－トリアゾール、２－ｎ－オクチルベンゾトリアゾール、１－（４－クロロフェニル）－４，４－ジメチル－３－（１Ｈ－１，２，４－トリアゾール－１－イルメチル）－３－ペンタノール、１，２，４－トリアゾール、１Ｈ－１，２，３－トリアゾール、１，２，４－トリアゾール－３－カルボキサミド、４－アザベンゾトリアゾール、１－ヒドロキシ－７－アザベンゾトリアゾール、１－（４－アミノフェニル）－１，２，４－トリアゾール、１－（４－ホルミルフェニル）－１，２，４－トリアゾール、１－（２，４－ジフルオロベンゾイルメチル）－１Ｈ－１，２，４－トリアゾール、１－（４－アミノベンジル）－１，２，４－トリアゾール、３－（２－ピリジル）－１，２，４－トリアゾール、１－（トリフルオロメタンスルホニル）－１Ｈ－ベンゾトリアゾール、３－（トリフルオロメチル）－５－（２－ピリジル）－１，２，４－トリアゾール、１－（２，４，６－トリイソプロピルフェニルスルホニル）－１，２，４－トリアゾール、１－（トリメチルシリル）－１Ｈ－ベンゾトリアゾール、１－［２－（トリメチルシリル）エトキシカルボニルオキシ］ベンゾトリアゾール、３－ニトロ－１－［２－（トリメチルシリル）エトキシカルボニル］－１Ｈ－１，２，４－トリアゾール、トリス（１Ｈ－ベンゾトリアゾール－１－イル）メタン、トリス（３－ヒドロキシプロピルトリアゾリルメチル）アミンが挙げられる。
　ピラゾール誘導体としては、例えば、ピラゾール、１－アリル－３，５－ジメチルピラゾール、３－アミノ－５－ｔｅｒｔ－ブチルピラゾール、５－アミノ－１，３－ジフェニルピラゾール、５－アミノ－１－（２－ヒドロキシエチル）ピラゾール、３－アミノ－５－ヒドロキシピラゾール、５－アミノ－３－（４－メトキシフェニル）－１－フェニルピラゾール、３－アミノ－５－（４－メトキシフェニル）ピラゾール、５－アミノ－３－メチル－１－フェニルピラゾール、４－アミノ－１－メチル－３－プロピルピラゾール－５－カルボキサミド、３－アミノ－１－メチルピラゾール、３－アミノ－５－メチルピラゾール、５－アミノ－３－メチル－１－ｐ－トリルピラゾール、３－アミノ－５－フェニルピラゾール、５－アミノ－１－フェニルピラゾール、３－アミノピラゾール、アントラ［１，９－ｃｄ］ピラゾール－６（２Ｈ）－オン、１－ベンジル－１Ｈ－ピラゾール－４－カルボキシアルデヒド、Ｎ－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－１Ｈ－ピラゾール－１－カルボキサミジン、Ｎ－（カルボベンゾキシ）－１Ｈ－ピラゾール－１－カルボキサミジン、ピラゾール－３，５－ジカルボン酸ジエチル、３，５－ジイソプロピルピラゾール、３，５－ジメチル－１－ヒドロキシメチルピラゾール、３，５－ジメチル－１－フェニルピラゾール、１，３－ジメチルピラゾール、１，５－ジメチルピラゾール、３，５－ジメチルピラゾール、１－カルバモイル－３，５－ジメチルピラゾール、１，３－ジメチル－１Ｈ－ピラゾール－５－カルボン酸、２，４－ジヒドロ－２，５－ジメチル－３Ｈ－ピラゾール－３－オン、３，５－ジフェニルピラゾール、３，５－ジ（２－ピリジル）ピラゾール、５－アミノ－１－メチルピラゾール－４－カルボン酸エチル、５－アミノ－１－フェニルピラゾール－４－カルボン酸エチル、３－アミノピラゾール－４－カルボン酸エチル、１，３－ジメチルピラゾール－５－カルボン酸エチル、１，５－ジメチルピラゾール－３－カルボン酸エチル、３－メチルピラゾール－５－カルボン酸エチル、１－エチル－３－メチルピラゾール－５－カルボン酸、１－エチルピラゾール、ピラゾール－３－カルボン酸エチル、４－ピラゾールカルボン酸エチル、５－ホルムアミド－１－［２－（ホルミルオキシ）エチル］ピラゾール、１，２－ベンゾピラゾール、１－イソプロピルピラゾール、１，５－ジメチルピラゾール－３－カルボン酸メチル、５－メチルピラゾール－３－カルボン酸メチル、５－カルバモイル－１－メチル－４－ニトロ－３－プロピルピラゾール、３－メチル－４－ニトロピラゾール、３－メチル－１－フェニルピラゾール、５－メチル－１－フェニルピラゾール－４－カルボン酸、１－メチルピラゾール、３－メチルピラゾール、４－メチルピラゾール、４－ホルミル－１－メチルピラゾール、５－ホルミル－１－メチルピラゾール、４－ホルミル－３－メチルピラゾール、ピラゾール－３－カルボン酸メチル、１－メチルピラゾール－３－カルボン酸、１－メチルピラゾール－４－カルボン酸、１－メチルピラゾール－５－カルボン酸、５－（ヒドロキシメチル）－１－メチルピラゾール、１－ニトロピラゾール、３－ニトロピラゾール、４－ニトロピラゾール、１－フェニルピラゾール、３－フェニルピラゾール、４－アミノピラゾール、３－ホルミルピラゾール、ピラゾール－３－カルボン酸、ピラゾール－４－カルボン酸、２，４－ジヒドロ－３Ｈ－ピラゾール－３－オン、５－（２－アミノフェニル）ピラゾール、４－（１Ｈ－ピラゾール－１－イル）安息香酸、３－（２－ヒドロキシフェニル）ピラゾール、３－（２－ピリジル）ピラゾール、１－（テトラヒドロ－２Ｈ－ピラン－２－イル）－１Ｈ－ピラゾール、１，３，５－トリメチルピラゾールが挙げられる。
　トリアジン誘導体としては、例えば、３－アミノ－５，６－ジメチル－１，２，４－トリアジン、２－アミノ－４－メトキシ－６－メチル－１，３，５－トリアジン、６－アミノ－１，３，５－トリアジン－２，４－ジオール、２，４－ジアミノ－６－ヒドロキシ－１，３，５－トリアジン、２－アミノ－４－ヒドロキシ－１，３，５－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－フェニル－１，３，５－トリアジン、２－（ｔｅｒｔ－ブチルアミノ）－４－（シクロプロピルアミノ）－６－（メチルチオ）－１，３，５－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－（シクロプロピルアミノ）－１，３，５－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－ブチルアミノ－１，３，５－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－ジアリルアミノ－１，３，５－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－ジエチルアミノ－１，３，５－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－ジメチルアミノ－１，３，５－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－イソプロポキシ－１，３，５－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－メトキシ－１，３，５－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２－（２－メチル－１－イミダゾリル）エチル］－１，３，５－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－メチル－１，３，５－トリアジン、２，４－ジアミノ－１，３，５－トリアジン、３－（ジエトキシホスホリルオキシ）－１，２，３－ベンゾトリアジン－４（３Ｈ）－オン、３，４－ジヒドロ－３－ヒドロキシ－４－オキソ－１，２，３－ベンゾトリアジン、３，４－ジヒドロ－４－オキソ－１，２，３－ベンゾトリアジン、２，４－ジメトキシ－１，３，５－トリアジン、２，４，６－トリアミノ－１，３，５－トリアジン、４－アミノ－３－メチル－６－フェニル－１，２，４－トリアジン－５－オン、２－メトキシ－４－メチル－６－（メチルアミノ）－１，３，５－トリアジン、１，３，５－トリ（メタ）アクリロイルヘキサヒドロ－１，３，５－トリアジン、１，３，５－トリアジン、１，３，５－トリメチルヘキサヒドロ－１，３，５－トリアジン、２－ビニル－４，６－ジアミノ－１，３，５－トリアジンが挙げられる。
　ピリジン誘導体としては、例えば、５－ブロモピリジン－３－カルボキサミド、４－（４－アミノフェノキシ）－Ｎ－メチル－２－ピリジンカルボキサミド、２，６－ビス［（２Ｒ，４Ｓ，５Ｓ）－１－ベンジル－４，５－ジフェニルイミダゾリジン－２－イル］ピリジン、２，６－ビス［３－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］ピリジン、２，６－ビス［（２Ｓ，５Ｓ）－４，４－ジフェニル－１－アザ－３－オキサビシクロ［３．３．０］オクタン－２－イル］ピリジン、２，６－ビス［（２Ｓ，４Ｓ）－４－メチル－５，５－ジフェニルオキサゾリジン－２－イル］ピリジン、２，６－ビス（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）ピリジン、３，５－ジ（１－ピレニル）ピリジン、２，６－ビス（２－ベンゾイミダゾリル）ピリジン、（Ｒ，Ｒ）－２，６－ビス（４－イソプロピル－２－オキサゾリン－２－イル）ピリジン、（Ｓ，Ｓ）－２，６－ビス（４－イソプロピル－２－オキサゾリン－２－イル）ピリジン、（Ｒ，Ｒ）－２，６－ビス（４－フェニル－２－オキサゾリン－２－イル）ピリジン、（Ｓ，Ｓ）－２，６－ビス（４－フェニル－２－オキサゾリン－２－イル）ピリジン、２，２’－ジチオビス（５－ニトロピリジン）、６，６’－ジチオビス（３－ピリジンカルボン酸）、２－［Ｎ，Ｎ－ビス（トリフルオロメチルスルホニル）アミノ］ピリジン、２－（トリブロモメタンスルホニル）ピリジン、Ｎ－（イソプロピルカルバモイル）－４－（ｍ－トリルアミノ）ピリジン－３－スルホンアミド、４－メトキシ－２－（トリブチルスタンニル）ピリジン、２－（トリブチルスタンニル）ピリジン、２，４，６－トリフェニルピリジン、２－アセトアミド－５－ヨードピリジン、２－アミノ－５－ブロモ－３－ヨードピリジン、２－アミノ－５－クロロ－３－ヨードピリジン、２－アミノ－３，５－ジブロモ－６－メチルピリジン、２－アミノ－３，５－ジブロモピリジン、３－アミノ－２，５－ジブロモピリジン、３－アミノ－２，６－ジブロモピリジン、４－アミノ－３，５－ジブロモピリジン、４－（４－アミノ－３－フルオロフェノキシ）－Ｎ－メチル－２－ピリジンカルボキサミド、３－アミノ－２－メトキシ－５－（４，４，５，５－テトラメチル－１，３，２－ジオキサボロラン－２－イル）ピリジン、２－アミノ－７－イソプロピル－５－オキソクロメノ［２，３－ｂ］ピリジン－３－カルボン酸、３－ベンジルオキシ－５－ブロモピリジン、２，６－ビス（ブロモメチル）ピリジン、２－ブロモ－６－ベンジルオキシピリジン、２－ブロモ－３－クロロ－５－（トリフルオロメチル）ピリジン、２－ブロモ－５－ヨード－３－メチルピリジン、２－ブロモ－３－（４，４，５，５－テトラメチル－１，３，２－ジオキサボロラン－２－イル）ピリジン、２－ブロモ－６－（４，４，５，５－テトラメチル－１，３，２－ジオキサボロラン－２－イル）ピリジン、４－［（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニルアミノ）メチル］ピリジン－２－カルボン酸、２－クロロ－Ｎ－（２－クロロ－４－メチルピリジン－３－イル）ピリジン－３－カルボキサミド、３，５－ジブロモ－４－ホルミルピリジン、４，７－ジブロモ［１，２，５］チアジアゾロ［３，４－ｃ］ピリジン、４－（４－ジエチルアミノフェニルアゾ）ピリジン、２－（２，４－ジニトロベンジル）ピリジン、４－（２，４－ジニトロベンジル）ピリジン、３－クロロ－５－（トリフルオロメチル）ピリジン－２－カルボン酸エチル、５－エチル－２－［２－（４－ニトロフェノキシ）エチル］ピリジン、５－ブロモ－２－クロロ－３－ピリジンカルボン酸メチル、２，２’－［メチレンビス（ジメチルシリレン）］ビスピリジン、２－（Ｎ－Ｌ－フェニルアラニノール）－５－ニトロピリジン、２－フェニル－５－（４，４，５，５－テトラメチル－１，３，２－ジオキサボロラン－２－イル）ピリジン、３－［３－（４，４，５，５－テトラメチル－１，３，２－ジオキサボロラン－２－イル）フェニル］ピリジン、４－［３－（４，４，５，５－テトラメチル－１，３，２－ジオキサボロラン－２－イル）フェニル］ピリジン、４－［４－（４，４，５，５－テトラメチル－１，３，２－ジオキサボロラン－２－イル）フェニル］ピリジン、４－（ｍ－トリルアミノ）－３－スルファモイルピリジン、５－（ｍ－トリル）－５Ｈ－ピロロ［３，２－ｃ：４，５－ｃ’］ジピリジン、３－（３，４－ジメトキシフェニル）－２－（ピリジン－３－イル）（メタ）アクリロニトリル、３－（３，５－ジクロロフェニル）－２－（ピリジン－３－イル）（メタ）アクリロニトリル、２－アセトアミド－５－ブロモ－４－メチルピリジン、２－アセトアミド－５－ブロモピリジン、２－アセチル－６－ブロモピリジン、３－アセチル－５－ブロモピリジン、５－アセチル－２－ブロモピリジン、２－アミノ－３－ベンジルオキシピリジン、２－アミノ－３－ブロモ－５－クロロピリジン、３－アミノ－２－ブロモ－５－クロロピリジン、３－アミノ－５－ブロモ－２－クロロピリジン、３－アミノ－６－ブロモ－２－クロロピリジン、５－アミノ－３－ブロモ－２－クロロピリジン、２－アミノ－３－ブロモ－５，６－ジメチルピリジン、２－アミノ－５－ブロモ－４－メチル－３－ニトロピリジン、２－アミノ－５－ブロモ－３－ニトロピリジン、２－アミノ－６－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニルアミノ）ピリジン、２－アミノ－５－ヨード－３-メチルピリジン、２－アミノ－５－ヨード－４－メチルピリジン、２－アミノ－３－ヨードピリジンが挙げられる。
　ターピリジン誘導体としては、例えば、４’－（４－ブロモフェニル）－２，２’：６’，２''－ターピリジン、４’－ブロモ－２，２’：６’，２''－ターピリジン、２，２’：６’，２''－ターピリジン－４’－ホスホン酸ジエチル、１，４－ジ［［２，２’：６’，２''－ターピリジン］－４’－イル］ベンゼン、４’－（メトキシカルボニル）－２，２’：６’，２''－ターピリジン、２，２’：６’，２''－ターピリジン、２，２’：６’，２''－ターピリジン－４，４’，４''－トリカルボン酸トリメチルが挙げられる。
　ビピリジン誘導体としては、例えば、２，２’－ビピリジン－６－カルボニトリル、２，２’－ビピリジン－３，３’－ジカルボン酸、２，２’－ビピリジン－４，４’－ジカルボン酸、２，２’－ビピリジン－５，５’－ジカルボン酸、２，２’－ビピリジン－６，６’－ジカルボン酸、２，２’－ビピリジン－３，３’－ジオール、２，２’－ビピリジン－６，６’－ジオール、２，２’－ビピリジン、２，４’－ビピリジン、３，３’－ビピリジン、４，４’－ビピリジン、６，６’－ビス（クロロメチル）－２，２’－ビピリジン、４，４’－ビス（５－ヘキシル－２－チエニル）－２，２’－ビピリジン、４，４’－ビス（ヒドロキシメチル）－２，２’－ビピリジン、１，２－ビス（４’－メチル－２，２－ビピリジン－４－イル）エタン、５，５’－ビス（トリフルオロメチル）－２，２’－ビピリジン、６－ブロモ－２，２’－ビピリジン、６－ブロモ－４，４’－ジメチル－２，２’－ビピリジン、４－（ブロモメチル）－４’－メチル－２，２’－ビピリジン、４－（クロロメチル）－４’－メチル－２，２’－ビピリジン、４，４’－ジアミノ－２，２’－ビピリジン、２，２’－ビピリジン－６，６’－ジアミン、４，４’－ジブロモ－２，２’－ビピリジン、５，５’－ジブロモ－２，２’－ビピリジン、６，６’－ジブロモ－２，２’－ビピリジン、４，４’－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－２，２’－ビピリジン、２，２’－ビピリジン－６，６’－ジカルボニトリル、４，４’－ジメトキシカルボニル－２，２’－ビピリジン、６，６’－ジメトキシカルボニル－２，２’－ビピリジン、４，４’－ジメチル－（２，２’－ビピリジン）－３－オール、４－ヒドロキシメチル－４’－メチル－２，２’－ビピリジン、６’－メトキシ－２，３’－ビピリジンが挙げられる。
　フェナントロリン誘導体としては、例えば、２，９－ジメチル－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン、４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン、２－ブロモ－１，１０－フェナントロリン、３－ブロモ－１，１０－フェナントロリン、５－ブロモ－１，１０－フェナントロリン、２－クロロ－１，１０－フェナントロリン、５－クロロ－１，１０－フェナントロリン、３，８－ジブロモ－１，１０－フェナントロリン、２，９－ジブチル－１，１０－フェナントロリン、２，９－ジブチル－５－ピクリルアミノ－１，１０－フェナントロリン、２，９－ジクロロ－１，１０－フェナントロリン、４，７－ジヒドロキシ－１，１０－フェナントロリン、４，７－ジメチル－１，１０－フェナントロリン、５，６－ジメチル－１，１０－フェナントロリン、２，９－ジメチル－５－ピクリルアミノ－１，１０－フェナントロリン、２，９－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン、２－メチル－１，１０－フェナントロリン、５－ニトロ－１，１０－フェナントロリン、１，１０－フェナントロリン－５，６－ジオン、（１Ｓ）－３－（１，１０－フェナントロリン－２－イル）－２’－フェニル－［１，１’－ビナフタレン］－２－オール、３，５，６，８－テトラブロモ－１，１０－フェナントロリン、３，４，７，８－テトラメチル－１，１０－フェナントロリンが挙げられる。
　ピリミジン誘導体としては、例えば、ピリミジン、４－メチルピリミジン、５－アミノピリミジン、２－アミノピリミジン、４－アミノピリミジン、４（３Ｈ）－ピリミジノン、２－クロロピリミジン、２－メルカプトピリミジン、２－シアノピリミジン、４，６－ジクロロピリミジン、４，６－ジメチルピリミジン、２，５－ジクロロピリミジン、２，４－ジクロロピリミジン、２－クロロ－４－メチルピリミジン、４－メトキシピリミジン、２－クロロ－５－フルオロピリミジン、２－クロロ－５－メチルピリミジン、４－クロロ－２－メチルピリミジン、４，６－ジヒドロキシピリミジン、２－クロロ－４，６－ジメチルピリミジン、４，６－ジメトキシピリミジン、ピリミジン－５－カルボン酸、５－アミノ－４－クロロピリミジン、２－クロロ－５－エチルピリミジン、２－クロロ－５－メトキシピリミジン、４，６－ジアミノピリミジン、５－ピリミジルボロン酸、ピリミジン－２－カルボン酸、２－アミノ－４－メチルピリミジン、２－アミノ－５－クロロピリミジン、４，６－ジメチル－２－メルカプトピリミジン、ピリミジン－２－カルボン酸メチル、２，４－ジメトキシピリミジン、２－アミノ－４，６－ジメチルピリミジン、２，４－ジアミノピリミジン、４，６－ジメチル－２－ヒドロキシピリミジン、４－アミノ－２－クロロピリミジン、４－クロロ－６－ヒドロキシピリミジン、２－メチルチオ－４－ピリミジノール、４－クロロ－６－メトキシピリミジン、４，５－ジアミノピリミジン、４，６－ジヒドロキシ－２－メチルピリミジン、ピリミジン－４－カルボン酸、２，４，６－トリアミノピリミジン、２－アミノ－５－ニトロピリミジン、４－アミノ－６－クロロピリミジン、４－アミノピリミジン－５－カルボニトリル、４，６－ジヒドロキシ－２－メルカプトピリミジン、２－アミノ－４－クロロ－６－メチルピリミジン、２－アミノ－４，６－ジヒドロキシピリミジン、４，６－ジアミノ－２－メルカプトピリミジン、２，４－ジメチル－６－ヒドロキシピリミジン、２，４－ジヒドロキシ－５－メトキシピリミジン、４－アミノ－２，６－ジメチルピリミジン、４－アミノ－６－ヒドロキシピリミジン、２－アミノピリミジン－５－ボロン酸、６－クロロ－２，４－ジアミノピリミジン、２－アミノ－４－ヒドロキシ－６－メチルピリミジン、４－アミノ－２－クロロ－５－フルオロピリミジン、６－クロロピリミジン－４，５－ジアミン、２－アミノ－４－クロロ－６－ヒドロキシピリミジン、２－アミノ－４－メトキシ－６－メチルピリミジン、６－ヒドロキシ－４－ピリミジンカルボン酸、４－アミノ－５－フルオロ－２－メトキシピリミジン、２，４－ジアミノ－６－ヒドロキシピリミジン、４，５－ジアミノ－６－ヒドロキシピリミジン、２，４－ジアミノ－６－メトキシピリミジン、４－アミノ－２－メチル－５－ピリミジンメタノール、７Ｈ－ピロロ［２，３－ｄ］ピリミジン、８－アザアデニン、６－アミノプリン、４－ヒドロキシピラゾロ［３，４－ｄ］ピリミジン、４－アミノピラゾロ［３，４－ｄ］ピリミジン、２－アミノプリン、８－アザヒポキサンチン、４－アミノ－２－オキソ－１，２－ジヒドロピリミジン、５－ヒドロキシウラシル、２－アミノ－４（１Ｈ）－ピリミジノン、４－アミノ－５－フルオロ－２－ヒドロキシピリミジン、３，７－ジヒドロ－４Ｈ－ピロロ［２，３－ｄ］ピリミジン－４－オン、２－クロロ－５－フルオロ－４－ピリミジノン、５－フルオロ－２－メトキシ－４－ピリミジノン、ヒポキサンチン、５－ブロモピリミジン、２－ブロモピリミジン、５－ブロモ－２－フルオロピリミジン、５－ブロモ－２－クロロピリミジン、５－ブロモ－２－メチルピリミジン、２，４，６－トリクロロピリミジン、ピリミジン－２－スルホニルフルオリド、４，５，６－トリクロロピリミジン、２，２’－ビピリミジン、４－クロロ－２－（メチルチオ）ピリミジン、４，６－ジクロロ－２－メチルピリミジン、５－ブロモ－２－ヒドロキシピリミジン、４，６－ジクロロ－５－メチルピリミジン、５－アミノ－４，６－ジクロロピリミジン、２－アミノ－５－ブロモピリミジン、５－ブロモ－２－メトキシピリミジン、５－クロロ－２，４，６－トリフルオロピリミジン、４，６－ジクロロ－２－（メチルチオ）ピリミジン、２－アミノ－４，６－ジクロロピリミジン、２－アミノ－４，６－ジクロロピリミジン、２，４，５－トリクロロピリミジン、２，４－ジクロロ－５－フルオロピリミジン、２－クロロ－４－（トリフルオロメチル）ピリミジン、４，６－ジクロロ－５－メトキシピリミジン、２－クロロ－５－ニトロピリミジン、２，４－ジクロロ－５－メチルピリミジン、２，４－ジクロロ－６－メチルピリミジン、２，４，６－トリメトキシピリミジン、２，４－ジクロロ－５－メトキシピリミジン、２－クロロ－４，６－ジメトキシピリミジン、４，６－ジメチル－２－（メチルスルホニル）ピリミジン、５－アミノ－４，６－ジクロロ－２－メチルピリミジン、４，６－ジヒドロキシ－２－メチルチオピリミジン、２，５－ジアミノ－４，６－ジクロロピリミジン、２－アミノ－４，６－ジメトキシピリミジン、２－アミノ－４－（トリフルオロメチル）ピリミジン、４－クロロ－６－メチル－２－（メチルチオ）ピリミジン、２－ヒドロキシ－４－(トリフルオロメチル)ピリミジン、２－メトキシ－５－ピリミジルボロン酸、４－ヒドロキシ－６－トリフルオロメチルピリミジン、ピリミジン－４－カルボン酸エチル、２－フェニルピリミジン、４，６－ジヒドロキシ－５－ニトロピリミジン、２，４－ジクロロ－５－ニトロピリミジン、４－アミノ－２，６－ジクロロピリミジン、６－クロロ－２，４－ジメトキシピリミジン、４‐アミノ－５，６－ジクロロピリミジン、２，４，６－トリアミノ－５－ニトロソピリミジン、２－アミノ－４－クロロ－６－メトキシピリミジン、４－ヒドロキシ－２－メチル－６－（トリフルオロメチル）ピリミジン、４－アミノ－６－クロロ－２－（メチルチオ）ピリミジン、２－ヒドラジノ－４－（トリフルオロメチル）ピリミジン、６－アミノ－２，４－ジメトキシピリミジン、４－ヒドロキシ－２－メルカプト－６－（トリフルオロメチル）ピリミジン、４－アミノ－５－クロロ－２，６－ジメチルピリミジン、２－（１－ピペラジニル）ピリミジン、４－アミノ－２，６－ジヒドロキシ－５－ニトロソピリミジン、４－アミノ－２－ジメチルアミノ－６－ヒドロキシ－５－ニトロソピリミジン、１－（２－ピリミジニル）－１Ｈ－インドール、４－クロロ－７Ｈ－ピロロ［２，３－ｄ］ピリミジン、２，４－ジクロロ－７Ｈ－ピロロ［２，３－ｄ］ピリミジン、４，６－ジブロモピリミジン、２，５－ジブロモピリミジン、２－クロロ－５－ヨードピリミジン、５－ブロモ－２－ｔｅｒｔ－ブチルピリミジン、５－ブロモ－２，４－ジクロロピリミジン、２，４，５，６－テトラクロロピリミジン、５－ブロモ－４－クロロ－２－（メチルチオ）ピリミジン、４，６－ジクロロ－２－（メチルスルホニル）ピリミジン、５－ブロモピリミジン－２－カルボン酸メチル、５－ブロモ－２，４－ジメトキシピリミジン、２，４，６－トリクロロ－５－ホルミルピリミジン、２－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニルチオ）－４，６－ジメチルピリミジン、４,６－ジメトキシ－２－（メチルスルホニル）ピリミジン、２－アミノ－４，６－ジクロロ－５－ホルムアミドピリミジン、５－アミノ－４，６－ジクロロ－２－（プロピルチオ）ピリミジン、４，６－ジクロロ－２－フェニルピリミジン、２，４－ジクロロピリミジン－５－カルボン酸エチル、５－ブロモ－２－（メチルチオ）ピリミジン－４－カルボン酸、４－クロロ－２－（メチルチオ）ピリミジン－５－カルボン酸エチル、５－クロロ－２－（メチルチオ）ピリミジン－４－カルボン酸、２－クロロ－５－(４，４，５，５－テトラメチル－１，３，２－ジオキサボロラン－２－イル)ピリミジン、２－アミノ－４，６－ジフェニルピリミジン、２－アミノ－５－（４，４，５，５－テトラメチル－１，３，２－ジオキサボロラン－２－イル)ピリミジン、２－（４－モルホリノ）－４，６－ジクロロピリミジン、５－（４－クロロフェニル）－６－エチル－２，４－ピリミジンジアミン、２，４－ジクロロ－６－（４－モルホリノ）ピリミジン、４－クロロ－Ｎ－（４，５－ジヒドロ－１Ｈ－イミダゾール－２－イル）－６－メトキシ－２－メチル－５－ピリミジンアミン、２，４－ジクロロチエノ［３，２－ｄ］ピリミジン、４－クロロベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジンが挙げられる。
　ピラジン誘導体としては、例えば、ピラジン、２－アセチル－３－エチルピラジン、２－アセチル－３－メチルピラジン、２－アセチルピラジン、２－アミノ－５－ブロモ－３－メトキシピラジン、２－アミノ－５－ブロモピラジン、２－アミノ－３－クロロピラジン、２－アミノ－５－クロロピラジン、２－アミノ－６－クロロピラジン、２－アミノ－３，５－ジブロモピラジン、２－（アミノメチル）－５－メチルピラジン、２－アミノ－６－メチルピラジン、２－アミノ－５－フェニルピラジン、２－アミノピラジン、３－アミノピラジン－２－カルボン酸、２，２’－ビピラジン、２－ブロモ－５－ヒドロキシピラジン、２－ブロモピラジン、２－ｓｅｃ－ブチル－３－メトキシピラジン、２－ブチル－３－メチルピラジン、２－ｔｅｒｔ－ブチルピラジン、２－クロロ－３，５－ジメチルピラジン、３－クロロ－２，５－ジメチルピラジン、５－クロロ－２，３－ジフェニルピラジン、２－クロロ－６－メチルピラジン、クロロピラジン、３－クロロピラジン－２－カルボキサミド、５－クロロピラジン－２－カルボン酸、６－クロロピラジン－２－カルボン酸、６，８－ジブロモイミダゾ「１，２－ａ」ピラジン、２，５－ジブロモピラジン、２，６－ジブロモピラジン、２，３－ジクロロピラジン、２，６－ジクロロピラジン、シアノピラジン、５，６－ジアミノ－２，３－ジシアノピラジン、５，６－ジクロロ－２，３－ジシアノピラジン、２，３－ジシアノ－５－メチルピラジン、２，３－ジシアノピラジン、２，３－ジエチル－５－メチルピラジン、２，３－ジエチルピラジン、２，３－ジメチルピラジン、２，５－ジメチルピラジン、２，６－ジメチルピラジン、２－エトキシ－３－エチルピラジン、２－エトキシ－３－イソプロピルピラジン、２－エトキシ－３－メチルピラジン、２－エトキシピラジン、５－エチル－２，３－ジメチルピラジン、２－エチル－３－メチルピラジン、２－エチル－３－（メチルチオ）ピラジン、３－オキソ－３－（ピラジン－２－イル）プロピオン酸エチル、２－エチルピラジン、２－フルフリルチオ－３－メチルピラジン、Ｎ－「４－（３－シクロヘキシルウレイドスルホニル）フェネチル」－５－メチル－２－ピラジンカルボキサミド、２－ヒドロキシ－３－メチルピラジン、３－ヒドロキシピラジン－２－カルボキサミド、２－ヨードピラジン、２－イソブチル－３－メトキシピラジン、２－イソブチル－３－メチルピラジン、２－イソプロピル－３－メトキシピラジン、（２－メルカプトエチル）ピラジン、２－メトキシ－３－メチルピラジン、２－メトキシピラジン、３－アミノ－６－ブロモピラジン－２－カルボン酸メチル、３－アミノピラジン－２－カルボン酸メチル、３－クロロピラジン－２－カルボン酸メチル、３，５－ジアミノ－６－クロロピラジン－２－カルボン酸メチル、５Ｈ－５－メチル－６，７－ジヒドロシクロペンタピラジン、２－メチル－３－イソプロポキシピラジン、２－メチル－３－（メチルチオ）ピラジン、２－メチル－３－プロピルピラジン、２－メチルピラジン、２－ピラジンカルボン酸メチル、５－メチルピラジン－２－カルボン酸、２－カルボキシ－５－メチルピラジン４－オキシド、２－（メチルチオ）ピラジン、ベンゾ「ｄ」ピラジン－１（２Ｈ）オン、２－プロピルピラジン、ピラジンアミド、ピラジンカルボン酸、２，３－ピラジンジカルボン酸、ピラジン－２，３－ジカルボン酸モノアミド、２－ピラジンメタノール、４－アミノ－Ｎ－（３－メトキシピラジン－２－イル）ベンゼンスルホンアミド、１，４，５，６－テトラヒドロ－５，６－ジオキソ－２，３－ピラジンジカルボニトリル、２，３，５，６－テトラメチルピラジン、２，３，５－トリメチルピラジン、２－ビニルピラジンが挙げられる。
　ピリダジン誘導体としては、例えば、ピリダジン、３－アミノ－６－クロロピリダジン、３－アミノピリダジン、３－ブロモイミダゾ「１，２－ｂ」ピリダジン、６－クロロイミダゾ「１，２－ｂ」ピリダジン、３－クロロ－６－メトキシピリダジン、３－クロロ－６－メチルピリダジン、３－クロロ－６－フェニルピリダジン、６－クロロ－３（２Ｈ）－ピリダジノン、３，６－ジブロモピリダジン、３，６－ジクロロ－４－メチルピリダジン、３，５－ジクロロピリダジン、３，６－ジクロロピリダジン、４，５－ジクロロ－３（２Ｈ）－ピリダジノン、６－ヒドロキシピリダジン－３－カルボン酸、イミダゾ「１，２－ｂ」ピリダジン、マレイン酸ヒドラジド、３－メトキシピリダジン、メチルマレイン酸ヒドラジド、３－メチルピリダジン、４－メチルピリダジン、３－ヒドロキシ－６－メチルピリダジン、３－ヒドロキシ－６－フェニルピリダジン、ピリダジン－４－カルボン酸、４－アミノ－Ｎ－（６－メトキシ－３－ピラジニル）ベンゼンスルホンアミド、１，４，５，６－テトラヒドロ－６－オキソピリダジン－３－カルボン酸、３，４，６－トリクロロピリダジンが挙げられる。
　キナゾリン誘導体としては、例えば、キナゾリン、６－アセトキシ－７－メトキシ－３Ｈ－キナゾリン－４－オン、４－アミノ－２－クロロ－６，７－ジメトキシキナゾリン、７－ベンジルオキシ－６－メトキシ－３Ｈ－キナゾリン－４－オン、６，７－ビス（２－メトキシエトキシ）－３Ｈ－キナゾリン－４－オン、６－ブロモ－４－ヒドロキシキナゾリン、Ｎ－４－（３－ブロモフェニル）キナゾリン－４，６－ジアミン、４－クロロ－６，７－ジメトキシキナゾリン、４－「３－クロロ－４－（３－フルオロベンジルオキシ）フェニルアミノ」－６－ヨードキナゾリン、４－クロロ－６－ヨードキナゾリン、２－（クロロメチル）－４－メチルキナゾリン、７－クロロ－６－ニトロ－４－ヒドロキシキナゾリン、２－クロロ－４－フェニルキナゾリン、（Ｅ）－Ｎ－「４－「（３－クロロ－４－フルオロフェニル）アミノ」－７－メトキシキナゾリン－６－イル」－４－（ピペリジン－１－イル）ブタ－２－エンアミド、Ｎ，Ｎ’－ジベンジルキナゾリン－２，４－ジアミン、２，４－ジクロロ－６，７－ジメトキシキナゾリン、６，７－ジメトキシキナゾリン－２，４－ジオン、６，７－ジメトキシ－３Ｈ－キナゾリン－４－オン、７－フルオロ－４－ヒドロキシキナゾリン、７－フルオロ－６－ニトロキナゾリン－４（１Ｈ）－オン、４－ヒドロキシキナゾリン、６－ヨード－４－ヒドロキシキナゾリン、３－「２－「４－（４－フルオロベンゾイル）－１－ピペリジニル」エチル」－２，４（１Ｈ，３Ｈ）－キナゾリンジオン、８，１３－ジヒドロインドロ「２’，３’：３，４」ピリド「２，１－ｂ」キナゾリン－５（７Ｈ）－オン、Ｎ－（３－クロロフェニル）－６，７－ジメトキシ－４－キナゾリンアミンが挙げられる。
　ポルフィリン誘導体としては、例えば、ポルフィリン、５，１５－ジフェニルポルフィリン、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８－オクタエチルポルフィリン 、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８－オクタフルオロ－５，１０，１５，２０－テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ポルフィリン、ｍｅｓｏ－テトラフェニルクロリン、テトラフェニルポルフィリン、５，１０，１５，２０－テトラキス（４－メトキシフェニル）ポルフィリン、５，１０，１５，２０－テトラキス（２，６－ジクロロフェニル）ポルフィリン、５，１０，１５，２０－テトラキス（４－カルボキシメチルオキシフェニル）ポルフィリン、５，１０，１５，２０－テトラキス（４－ヒドロキシフェニル）ポルフィリン、５，１０，１５，２０－テトラキス（２，４，６－トリメチルフェニル）ポルフィリン、５，１０，１５，２０－テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ポルフィリン、５，１０，１５，２０－テトラキス（３，５－ジヒドロキシフェニル）ポルフィリン、５，１０，１５，２０－テトラキス（３，５－ジメトキシフェニル）ポルフィリン、５，１０，１５，２０－テトラ（４－ピリジル）ポルフィリン、５，１０，１５，２０－テトラキス（ｐ－トリル）ポルフィリンが挙げられる。
　フタロシアニン誘導体としては、例えば、フタロシアニン、ナフタロシアニン、アズレノシアニンが挙げられる。
　サイクレン誘導体としては、例えば、１，４，７，１０－テトラアザシクロドデカン、１，４，７，１０－テトラアザシクロドデカン－１，４，７，１０－四酢酸、１，４，７，１０－テトラアザシクロドデカン－１，４，７－三酢酸トリ－ｔｅｒｔ－ブチル、１，４，７，１０－テトラアザシクロドデカン－１，４，７，１０－四酢酸トリ－ｔｅｒｔ－ブチル、１，４，７，１０－テトラベンジル－１，４，７，１０－テトラアザシクロドデカンが挙げられる。
　クラウンエーテル誘導体としては、例えば、１２－クラウン４－エーテル、２－（ヒドロキシメチル）－１２－クラウン４－エーテル、ベンゾ－１２－クラウン４－エーテル、１５－クラウン５－エーテル、２－（ヒドロキシメチル）－１５－クラウン５－エーテル、ベンゾ－１５－クラウン５－エーテル、ジベンゾ－１５－クラウン５－エーテル、４’－ブロモベンゾ－１５－クラウン５－エーテル、４’－アミノベンゾ－１５－クラウン５－エーテル、４’－ホルミルベンゾ－１５－クラウン５－エーテル、４’－アセチルベンゾ－１５－クラウン５－エーテル、４’－カルボキシベンゾ－１５－クラウン５－エーテル、４’－ニトロベンゾ－１５－クラウン５－エーテル、１８－クラウン６－エーテル、２－（ヒドロキシメチル）－１８－クラウン６－エーテル、ジシクロヘキサノ－１８－クラウン６－エーテル、ベンゾ－１８－クラウン６－エーテル、ジベンゾ－１８－クラウン６－エーテル、４’－ブロモベンゾ－１８－クラウン６－エーテル、４’－アミノベンゾ－１８－クラウン６－エーテル、４’－ホルミルベンゾ－１８－クラウン６－エーテル、４’－アセチルベンゾ－１８－クラウン６－エーテル、４’－カルボキシベンゾ－１８－クラウン６－エーテル、４’－ニトロベンゾ－１８－クラウン６－エーテル、２１－クラウン－７－エーテル、ジベンゾ－２１－クラウン－７－エーテル、２４－クラウン－８－エーテル、ジベンゾ－２４－クラウン－８－エーテルが挙げられる。
　ジケトン誘導体としては、例えば、金属イオンと複合体を形成する観点から、１，３－ジフェニル－１，３－プロパンジオン、１－（２－メシチレン）－１，３－ブタンジオン、１，３－ビス（４－メトキシフェニル）－１，３－プロパンジオン、１－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－３－（４－メトキシフェニル）－１，３－プロパンジオン、及び（Ｅ，Ｅ）－１，７－ビス（４－ヒドロキシ－３－メトキシフェニル）－１，６－ヘプタジエン－３，５－ジオンの１，３－ジケトンが挙げられる
　金属イオン捕捉剤（Ｂ）としては、樹脂組成物のワニスの良好な保存安定性を確保する観点から、例えば、トリアジン誘導体、ビピリジン誘導体、及びジケトン誘導体が好ましく、２，４－ジアミノ－６－メチル－１，３，５－トリアジン、２，２’－ビピリジン、１，３－ジフェニル－１，３－プロパンジオン、１－（２－メシチレン）－１，３－ブタンジオン、１，３－ビス（４－メトキシフェニル）－１，３－プロパンジオン、１－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－３－（４－メトキシフェニル）－１，３－プロパンジオン、及び（Ｅ，Ｅ）－１，７－ビス（４－ヒドロキシ－３－メトキシフェニル）－１，６－ヘプタジエン－３，５－ジオンがより好ましく、溶剤溶解性及び分子の運動性を確保する観点から、１－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－３－（４－メトキシフェニル）－１，３－プロパンジオン及び（Ｅ，Ｅ）－１，７－ビス（４－ヒドロキシ－３－メトキシフェニル）－１，６－ヘプタジエン－３，５－ジオンであることが更に好ましい。
　これらの金属イオン捕捉剤（Ｂ）は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
　樹脂組成物中における金属イオン捕捉剤（Ｂ）の含有量は、本実施形態の効果を奏する限り特に限定されないが、樹脂組成物中における下記のラジカル重合性化合物（Ｃ）の合計量１００質量部に対して、５質量部以上５０質量部以下であることが好ましく、溶剤溶解性及び十分なフラックス活性を確保する観点から、１０質量部以上４５質量部以下であることがより好ましく、十分なフラックス活性及び樹脂組成物の可撓性を確保する観点から、１５質量部以上４０質量部以下であることが更に好ましい。
　〔Ｉ－３．ラジカル重合性化合物（Ｃ）〕
　ラジカル重合性化合物（Ｃ）としては、ラジカルにより重合する官能基を有する物質であれば特に限定されないが、例えば、（メタ）アクリレート化合物、マレイミド化合物及びプロペニル化合物が挙げられる。
　（メタ）アクリレート化合物としては、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシ－１，３－ジ（メタ）アクリロキシプロパン、２，２－ビス［４－（（メタ）アクリロキシメトキシ）フェニル］プロパン、２，２－ビス［４－（（メタ）アクリロキシポリエトキシ）フェニル］プロパン、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、トリシクロデカニル（メタ）アクリレート、トリス（（メタ）アクリロイロキシエチル）イソシアヌレート、及びウレタン（メタ）アクリレートが挙げられる。必要により、例えば、ハイドロキノン、メチルエーテルハイドロキノン類の重合禁止剤を適宜用いてもよい。
　マレイミド化合物としては、分子中に１個以上のマレイミド基を有する化合物であれば、特に限定されない。例えば、Ｎ－フェニルマレイミド、Ｎ－ヒドロキシフェニルマレイミド、ビス（４－マレイミドフェニル）メタン、４，４－ジフェニルメタンビスマレイミド、ビス（３，５－ジメチル－４－マレイミドフェニル）メタン、ビス（３－エチル－５－メチル－４－マレイミドフェニル）メタン、ビス（３，５－ジエチル－４－マレイミドフェニル）メタン、フェニルメタンマレイミド、ｏ－フェニレンビスマレイミド、ｍ－フェニレンビスマレイミド、ｐ－フェニレンビスマレイミド、ｏ－フェニレンビスシトラコンイミド、ｍ－フェニレンビスシトラコンイミド、ｐ－フェニレンビスシトラコンイミド、２，２－ビス（４－（４－マレイミドフェノキシ）－フェニル）プロパン、３，３－ジメチル－５，５－ジエチル－４，４－ジフェニルメタンビスマレイミド、４－メチル－１，３－フェニレンビスマレイミド、１，６－ビスマレイミド－（２，２，４－トリメチル）ヘキサン、４，４－ジフェニルエーテルビスマレイミド、４，４－ジフェニルスルフォンビスマレイミド、１，３－ビス（３－マレイミドフェノキシ）ベンゼン、１，３－ビス（４－マレイミドフェノキシ）ベンゼン、４，４－ジフェニルメタンビスシトラコンイミド、２，２－ビス［４－（４－シトラコンイミドフェノキシ）フェニル］プロパン、ビス（３，５－ジメチル－４－シトラコンイミドフェニル）メタン、ビス（３－エチル－５－メチル－４－シトラコンイミドフェニル）メタン、ビス（３，５－ジエチル－４－シトラコンイミドフェニル）メタン、ポリフェニルメタンマレイミド、ノボラック型マレイミド化合物、ビフェニルアラルキル型マレイミド化合物、２，２－ビス｛４－（４－マレイミドフェノキシ）フェニル｝プロパン、１，２－ビス（マレイミド）エタン、１，４－ビス（マレイミド）ブタン、１，６－ビス（マレイミド）ヘキサン、Ｎ，Ｎ’－１，３－フェニレンジマレイミド、Ｎ，Ｎ’－１，４－フェニレンジマレイミド、Ｎ－フェニルマレイミド、下記式（１）で表されるマレイミド化合物、下記式（２）で表されるマレイミド化合物、及び下記式（３）で表されるマレイミド化合物が挙げられる。
　その中でも、有機溶剤への溶解性の観点から、２，２－ビス｛４－（４－マレイミドフェノキシ）フェニル｝プロパン、１，２－ビス（マレイミド）エタン、１，４－ビス（マレイミド）ブタン、１，６－ビス（マレイミド）ヘキサン、Ｎ，Ｎ’－１，３－フェニレンジマレイミド、Ｎ，Ｎ’－１，４－フェニレンジマレイミド、Ｎ－フェニルマレイミド、下記式（１）で表されるマレイミド化合物、下記式（２）で表されるマレイミド化合物、及び下記式（３）で表されるマレイミド化合物が好ましく、２，２－ビス｛４－（４－マレイミドフェノキシ）フェニル｝プロパン、下記式（１）で表されるマレイミド化合物、下記式（２）で表されるマレイミド化合物、及び下記式（３）で表されるマレイミド化合物がより好ましい。下記式（３）で表されるマレイミド化合物としては、ビス－（３－エチル－５－メチル－４－マレイミドフェニル）メタンが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
　式（１）中、Ｒ１は各々独立に、水素原子又はメチル基を示し、本実施形態による作用効果をより有効かつ確実に奏する観点から、水素原子であることが好ましい。また、式（１）中、ｎ１は１以上の整数を示し、ｎ１の上限値は、通常は１０であり、有機溶剤への溶解性の観点から、１～３であることが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
　式（２）中、ｎ２の平均的な値は１以上３０以下の範囲である。本実施形態による作用効果をより有効かつ確実に奏する観点から、ｎ２は、平均的な値として、７以上３０以下であると好ましく、７以上１８以下であるとより好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
　式（３）中、Ｒ２は各々独立に、水素原子、メチル基又はエチル基を示す。
　式（３）中、Ｒ３は各々独立に、水素原子又はメチル基を示す。
　また、マレイミド化合物としては、有機溶剤への溶解性及び可撓性の観点から、前記式（１）で表されるマレイミド化合物を含み、それと共に、２，２－ビス｛４－（４－マレイミドフェノキシ）フェニル｝プロパン、前記式（２）で表されるマレイミド化合物、及び前記式（３）で表されるマレイミド化合物からなる群より選択される少なくとも１種のマレイミド化合物を含有することがより好ましい。
　マレイミド化合物は、優れたフラックス活性、優れた可撓性、及び低い熱膨張率をバランスよく有する観点から、マレイミド化合物の全体量１００質量部に対して、前記式（１）で表されるマレイミド化合物を５質量部以上５０質量部以下含有することが好ましく、前記式（２）で表されるマレイミド化合物を５質量部以上７０質量部以下含有することが好ましく、前記式（３）で表されるマレイミド化合物を５質量部以上５０質量部以下含有することが好ましく、２，２－ビス｛４－（４－マレイミドフェノキシ）フェニル｝プロパンを５質量部以上５０質量部以下含有することが好ましい。
　マレイミド化合物は、マレイミド化合物を重合して得られるプレポリマー、又は、マレイミド化合物をアミン化合物などの他の化合物と重合して得られるプレポリマーなどの形で、樹脂組成物に含ませることもできる。
　マレイミド化合物は市販のものを用いてもよく、例えば、大和化成工業（株）製ＢＭＩ－２３００、ケイ・アイ化成（株）製ＢＭＩ－７０、ＢＭＩ－８０、ＢＭＩ－１０００Ｐ、ＢＭＩ－６５０Ｐ、日本化薬(株)製ＭＩＲ３０００が挙げられる。
　プロペニル化合物としては、例えば、プロペニルベンゼン、プロペニルナフタレン、プロペニルアントラセン、プロペニルフェノール、ｏ－プロペニルフェノキシベンゼンの一官能プロペニル化合物；ビスプロペニルフェニルエーテル、２，２－ビス［４－（ｏ－プロペニルフェノキシ）フェニル］プロパン、ビス［４－（ｏ－プロペニルフェノキシ）フェニル］エーテル、ビス［４－（ｏ－プロペニルフェノキシ）フェニル］スルホン、４，４’－ビス（ｏ－プロペニルフェノキシ）ベンゾフェノン、２，２－ビス［４－（ｏ－プロペニルフェノキシ）フェニル］ノナン、２，２－ビス［３－ターシャリーブチル－４－（ｏ－プロペニルフェノキシ）フェニル］プロパン、２，２－ビス［３－セカンダリーブチル－４－（ｏ－プロペニルフェノキシ）フェニル］プロパン、１，１－ビス［４－（ｏ－プロペニルフェノキシ）フェニル］デカン、１，１－ビス［２－メチル－４－（ｏ－プロペニルフェノキシ）－５－ターシャリーブチルフェニル］－２－メチルプロパン、４，４’－シクロヘキシリデン－ビス［１－（ｏ－プロペニルフェノキシ）－２－（１,１－ジメチルエチル）ベンゼン］、４，４’－メチレン－ビス［１－（ｏ－プロペニルフェノキシ）－２，６－ビス（１，１－ジメチルエチル）ベンゼン］、４，４’－メチレン－ビス［１－（ｏ－プロペニルフェノキシ）－２，６－ジ－セカンダリーブチルベンゼン］、４，４’－シクロヘキシリデン－ビス［１－（ｏ－プロペニルフェノキシ）－２－シクロヘキシルベンゼン］、４，４’－メチレン－ビス［１－（ｏ－プノペニルフェノキシ）－２－ノニルベンゼン］、４，４’－（１－メチルエチリデン）－ビス［１－（ｏ－プロペニルフェノキシ）－２，６－ビス（１，１－ジメチルエチル）ベンゼン、４，４’－（２－エチルヘキシリデン）－ビス［１－（ｏ－プロペニルフェノキシ）－ベンゼン］、４，４’－（１－メチルヘプチリデン）－ビス［１－（ｏ－プロペニルフェノキシ）－ベンゼン］、４，４’－シクロヘキシリデン－ビス［１－（ｏ－プロペニルフェノキシ）－３－メチルベンゼン］、２，２－ビス［４－（ｏ－プロペニルフェノキシ）フェニル］－プロパン、２，２－ビス［４－（ｏ－プロペニルフェノキシ）フェニル］－ヘキサフルオロプロパン、２，２－ビス［３－メチル－４－（ｏ－プロペニルフェノキシ）フェニル］－プロパン、２，２－ビス［３－メチル－４－（ｏ－プロペニルフェノキシ）フェニル］－ヘキサフルオロプロパン、２，２－ビス［３,５－ジメチル－４－（ｏ－プロペニルフェノキシ）フェニル］－プロパン、２，２－ビス［３，５－ジメチル－４－（ｏ－プロペニルフェノキシ）フェニル］－ヘキサフルオロプロパン、２，２－ビス［３－エチル－４－（ｏ－プロペニルフェノキシ）フェニル］－プロパン、２，２－ビス［３－エチル－４－（ｏ－プロペニルフェノキシ）フェニル］－ヘキサフルオロプロパン、ビス［３－メチル－（ｏ－プロペニルフェノキシ）フェニル］－メタン、ビス［３,５－ジメチル－（ｏ－プロペニルフェノキシ）フェニル］－メタン、ビス［３－エチル－（ｏ－プロペニルフェノキシ）フェニル］－メタン、３，８－ビス［４－（ｏ－プロペニルフェノキシ）フェニル］－トリシクロ－［５，２，１，０２・６］デカン、４，８－ビス［４－（ｏ－プロペニルフェノキシ）フェニル］－トリシクロ－［５，２，１，０２・６］デカン、３，９－ビス［４－（ｏ－プロペニルフェノキシ）フェニル］－トリシクロ－［５，２，１，０２・６］デカン、４，９－ビス［４－（ｏ－プロペニルフェノキシ）フェニル］－トリシクロ－［５，２，１，０２・６］デカン、１，８－ビス［４－（ｏ－プロペニルフェノキシ）フェニル］－メタン、１，８－ビス［３－メチル－４－（ｏ－プロペニルフェノキシ）フェニル］－メタン、１，８－ビス［３,５－ジメチル－４－（ｏ－プロペニルフェノキシ）フェニル］－メタンが挙げられる。
　これらのラジカル重合性化合物（Ｃ）は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
　〔Ｉ－４．無機充填材（Ｄ）〕
　本実施形態の樹脂組成物は、耐燃性の向上、熱伝導率の向上、及び熱膨張率の低減のため、無機充填材（Ｄ）を含有することができる。無機充填材を使用することにより、樹脂組成物などの耐燃性及び熱伝導率を向上させ、熱膨張率を低減することができる。また、無機充填材（Ｄ）が電気絶縁性を有すると、本実施形態の樹脂組成物をアンダーフィル材、好ましくはプリアプライドアンダーフィル材の材料として用いた場合、チップの電極間の電気絶縁性をより十分に確保する観点から好ましい。ここで、「電気絶縁性」とは、常温での体積固有抵抗が１０１２Ω・ｃｍ以上であることを意味する。無機充填材（Ｄ）の種類としては、特に限定されないが、例えば、溶融シリカ等のシリカ；ベーマイト、水酸化アルミニウム、アルミナ、及び窒化アルミニウム等のアルミニウム化合物；酸化マグネシウム、及び水酸化マグネシウム等のマグネシウム化合物；炭酸カルシウム、及び硫酸カルシウム等のカルシウム化合物；酸化モリブデン、及びモリブデン酸亜鉛等のモリブデン化合物；窒化ホウ素；硫酸バリウム；天然タルク、及び焼成タルク等のタルク；マイカ；短繊維状ガラス、球状ガラス、及び微粉末ガラス（例えば、Ｅガラス、Ｔガラス、Ｄガラス）等のガラスが挙げられる。これらの無機充填材（Ｄ）は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
　これらの中でも、樹脂組成物の耐燃性の向上及び熱膨張率の低減の観点から、無機充填材（Ｄ）としては、シリカ、水酸化アルミニウム、アルミナ、ベーマイト、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、酸化マグネシウム、及び水酸化マグネシウムが好ましく、シリカがより好ましく、その中でも溶融シリカが充填性を高め、アンダーフィル材の微細空間への流動性、及び低熱膨張性の観点から更に好ましい。溶融シリカとしては、例えば、デンカ（株）製のＳＦＰ－１２０ＭＣ、ＳＦＰ－１３０ＭＣ、（株）アドマテックス製のＳＣ１０５０－ＭＬＱ、ＳＣ２０５０－ＭＮＵ、ＳＣ２０５０－ＭＴＸ、ＳＥ２０５３－ＳＱ、ＹＡ０５０Ｃ－ＭＪＦ、及びＹＡ０５０Ｃ－ＭＪＡが挙げられる。
　無機充填材（Ｄ）の平均粒子径は、限定されないが、本発明の樹脂組成物をアンダーフィル材として、好ましくはプリアプライドアンダーフィル材として使用する場合、チップに配列される電極の狭ピッチ化や電極間の狭ギャップ化に対応する観点からは、３μｍ以下が好ましく、１μｍ以下がより好ましい。その平均粒子径の下限値は、特に限定されないが、例えば、１０ｎｍであってもよい。なお、本明細書において無機充填材（Ｄ）の「平均粒子径」とは、無機充填材（Ｄ）のメジアン径を意味するものとする。ここでメジアン径とは、ある粒子径を基準として粉体の粒度分布を２つに分けた場合に、より粒子径が大きい側の粒子の体積と、より粒子径が小さい側の粒子の体積とが、全粉体の夫々５０％を占めるような粒子径を意味する。無機充填材（Ｄ）の平均粒子径（メジアン径）は、湿式レーザー回折・散乱法により測定される。
　無機充填材（Ｄ）を使用する場合の樹脂組成物における含有量は、樹脂組成物の耐燃性の向上及び熱膨張率の低減をしつつ、アンダーフィル材、好ましくはプリアプライドアンダーフィル材の接合時の流動性を確保する観点から、樹脂組成物中におけるラジカル重合性化合物（Ｃ）の合計量１００質量部に対して、３００質量部以下であることが好ましく、２００質量部以下であることがより好ましい。また、無機充填材（Ｄ）の含有量は、樹脂組成物中におけるラジカル重合性化合物（Ｃ）の合計量１００質量部に対し、１０質量部以上とすることが好ましく、２０質量部以上とすることがより好ましく、５０質量部以上とすることが更に好ましい。なお、２種以上の無機充填材（Ｄ）を併用する場合には、これらの合計量が前記含有量の範囲を満たすことが好ましい。
　〔Ｉ－５．可撓性付与成分（Ｅ）〕
　本実施形態の樹脂組成物における可撓性付与成分（Ｅ）は、樹脂組成物を含有する層に対して可撓性を付与できるような成分であれば、特に限定されないが、例えば、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリスチレン、ポリオレフィン、スチレン－ブタジエンゴム（ＳＢＲ）、イソプレンゴム（ＩＲ）、ブタジエンゴム（ＢＲ）、アクリロニトリルブタジエンゴム（ＮＢＲ）、ポリウレタン、ポリプロピレン、（メタ）アクリルオリゴマー、（メタ）アクリルポリマー、及びシリコーン樹脂のような熱可塑性の高分子化合物が挙げられる。これらの可撓性付与成分（Ｅ）は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
　これらの中でも、樹脂組成物を製造する際に用いる有機溶剤への溶解性、マレイミド化合物との相溶性、樹脂組成物の溶融粘度の制御性、及び可撓性付与の観点から、可撓性付与成分（Ｅ）としては、（メタ）アクリルオリゴマー及び（メタ）アクリルポリマーからなる群より選ばれる少なくとも１種が好ましい。（メタ）アクリルオリゴマー及び（メタ）アクリルポリマーとしては、例えば、東亞合成（株）の「ＡＲＵＦＯＮ（登録商標）」シリーズ、綜研化学（株）の「アクトフロー（登録商標）」シリーズ、根上工業（株）の「ＰＡＲＡＣＲＯＮ（登録商標）」シリーズ、（株）クラレの「ＫＵＲＡＲＩＴＹ（登録商標）」シリーズが挙げられる。
　可撓性付与成分（Ｅ）の分子量は、限定されないが、樹脂組成物に可撓性付与するという観点からは、質量平均分子量が１,０００以上であることが好ましく、硬化物における柔軟性及び良好な靭性を付与する観点から、２,０００以上であることがより好ましい。また、樹脂組成物をアンダーフィル材として、好適にはプリアプライドアンダーフィル材として使用する場合、金属接合部内に樹脂組成物の噛み込みがなく、より良好かつ安定した形状の接合を得るためには、樹脂組成物の溶融粘度を低く制御し、接合時の樹脂組成物の流動性を確保することが好ましい。そのような観点から、可撓性付与成分（Ｅ）の質量平均分子量が１,０００,０００以下であることが好ましく、８００,０００以下がより好ましく、１００,０００以下が更に好ましく、溶剤溶解性の観点から、１０,０００以下が更により好ましい。この好ましい範囲の質量平均分子量を有する可撓性付与成分（Ｅ）を使用することにより、樹脂組成物の可撓性と、アンダーフィル材、好適にはプリアプライドアンダーフィル材として使用する場合の接合性をより良好なバランスで両立することができる。
　可撓性付与成分（Ｅ）を使用する場合、その樹脂組成物における含有量は、溶融粘度の制御性の観点から、樹脂組成物中における前記ラジカル重合性化合物（Ｃ）の合計量１００質量部に対し、１００質量部以下とすることが好ましく、５０質量部以下とすることがより好ましく、３０質量部以下とすることが更に好ましい。また、可撓性付与成分（Ｅ）の樹脂組成物における含有量は、可撓性付与成分（Ｅ）を用いることによる作用効果をより有効かつ確実に奏する観点から、樹脂組成物中における前記ラジカル重合性化合物（Ｃ）の合計量１００質量部に対し、１質量部以上とすることが好ましく、５質量部以上とすることがより好ましい。なお、２種以上の可撓性付与成分（Ｅ）を併用する場合には、これらの合計量が前記含有量の範囲内であることが好ましい。
〔Ｉ－６．その他の成分〕
　本実施形態の樹脂組成物は、フェノール性水酸基を有する化合物（Ａ）と、金属イオン捕捉剤（Ｂ）と、ラジカル重合性化合物（Ｃ）と含み、必要に応じて、無機充填材（Ｄ）と、可撓性付与成分（Ｅ）と、その他の成分を１種又は２種以上とを更に含んでいてもよい。
　例えば、本実施形態の樹脂組成物は、吸湿耐熱性の向上及びチップと樹脂組成物との接着性の向上の目的で、シランカップリング剤を含んでいてもよい。シランカップリング剤としては、一般に無機物の表面処理に使用されているもので、かつフェノール性水酸基を有する化合物（Ａ）との反応性が低いシランカップリング剤であれば、限定されない。その具体例としては、ビニルシラン系シランカップリング剤（例えば、ビニルトリメトキシシラン、γ－（メタ）アクリロキシプロピルトリメトキシシラン）、フェニルアミノシラン系シランカップリング剤（例えば、Ｎ－フェニル－３－アミノプロピルトリメトキシシラン）、フェニルシラン系シランカップリング剤、及びイミダゾールシラン系シランカップリング剤が挙げられる。これらのシランカップリング剤は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
　シランカップリング剤を使用する場合、その樹脂組成物における含有量は限定されない。ただし、吸湿耐熱性の向上及びフリップチップ実装時の揮発量の低減の観点から、その含有量は、樹脂組成物中における前記ラジカル重合性化合物（Ｃ）の合計量１００質量部に対して、０．０５質量部以上２０質量部以下であることが好ましく、０．１質量部以上１５質量部以下であることがより好ましい。なお、２種以上のシランカップリング剤を併用する場合には、これらの合計量が前記含有量の範囲内であることが好ましい。
　本実施形態の樹脂組成物は、積層体の製造性向上及び無機充填材（Ｄ）の分散性向上などの目的で、湿潤分散剤を含有してもよい。湿潤分散剤としては、一般に塗料などに使用されている湿潤分散剤であれば、限定されない。例えば、ビッグケミー・ジャパン（株）製のＤｉｓｐｅｒｂｙｋ－１１０、同－１１１、同－１８０、同－１６１、ＢＹＫ－Ｗ９９６、同－Ｗ９０１０、同－Ｗ９０３（以上製品名）が挙げられる。これらの湿潤分散剤は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
　湿潤分散剤を使用する場合、樹脂組成物におけるその含有量は限定されないが、積層体の製造性向上の観点からは、無機充填材（Ｄ）１００質量部に対して、０．１質量部以上５質量部以下であることが好ましく、０．５質量部以上３質量部以下であることがより好ましい。
　湿潤分散剤を使用する場合、樹脂組成物におけるその含有量は限定されないが、積層体の製造性向上の観点からは、樹脂組成物中における前記ラジカル重合性化合物（Ｃ）の合計量１００質量部に対し、０．１質量部以上５質量部以下であることが好ましく、０．５質量部以上３質量部であることがより好ましい。
　なお、２種以上の湿潤分散剤を併用する場合には、これらの合計量が前記含有量の範囲内であることが好ましい。
　本実施形態の樹脂組成物は、硬化速度の調整などの目的で、硬化促進剤を含有してもよい。硬化促進剤としては、マレイミド化合物の硬化促進剤として公知であり、一般に使用されるものであれば、特に限定されない。硬化促進剤の具体例として、イミダゾール類及びその誘導体（例えば、２－エチル－４－メチルイミダゾール、２－フェニル－４－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－フェニルイミダゾール、２，４，５－トリフェニルイミダゾール）、第３級アミン（例えば、トリエチルアミン、トリブチルアミン）、また熱ラジカル重合開始剤として種々の有機過酸化物（例えば、ジクミルパーオキサイド、ジ（２－ｔｅｒｔ－ブチルパーオキシイソプロピル）ベンゼン、ｐ－メンタンハイドロパーオキサイド、ジイソプロピルベンゼンハイドロパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド）が挙げられる。これらの硬化促進剤は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
　硬化促進剤を使用する場合、樹脂組成物におけるその含有量は、特に限定されるものではないが、硬化速度の調整の観点から、樹脂組成物中における前記ラジカル重合性化合物（Ｃ）の合計量１００質量部に対して、０．００１質量部以上３質量部以下であることが好ましく、０．００５質量部以上２質量部以下であることがより好ましく、０．０１質量部以上１質量部以下であることが更に好ましい。なお、２種以上の硬化促進剤を併用する場合には、これらの合計量が前記含有量の範囲内であることが好ましい。
　本実施形態の樹脂組成物には、所期の特性が損なわれない範囲において、種々の目的により、各種の添加剤を含有していてもよい。添加剤としては、例えば、紫外線吸収剤、酸化防止剤、光重合開始剤、蛍光増白剤、光増感剤、染料、顔料、増粘剤、滑剤、消泡剤、レベリング剤、光沢剤、及び難燃剤が挙げられる。これらの添加剤は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。本実施形態の樹脂組成物において、その他の添加剤の含有量は、特に限定されないが、通常、樹脂組成物中における前記ラジカル重合性化合物（Ｃ）の合計量１００質量部に対し、それぞれ０．１質量部以上１０質量部以下である。
　本実施形態の樹脂組成物は、フェノール性水酸基を有する化合物（Ａ）と、金属イオン捕捉剤（Ｂ）と、ラジカル重合性化合物（Ｃ）とにより調製され、必要に応じて、無機充填材（Ｄ）と、可撓性付与成分（Ｅ）と、その他の成分とを更に混合することにより調製される。必要に応じて、これらの成分を有機溶剤に溶解又は分散させたワニスの形態としてもよい。本実施形態の樹脂組成物のワニスは、下記本実施形態の積層体を作製する際のワニスとして、好適に使用することができる。有機溶剤は、前記の成分を各々好適に溶解又は分散させることができ、かつ、本実施形態の樹脂組成物の所期の効果を損なわないものであれば限定されない。有機溶剤としては、例えば、メタノール、エタノール、及びプロパノール等のアルコール類；アセトン、メチルエチルケトン（以下、「ＭＥＫ」と略す場合がある）、及びメチルイソブチルケトン等のケトン類；ジメチルアセトアミド、及びジメチルホルムアミド等のアミド類；トルエン、及びキシレン等の芳香族炭化水素類が挙げられる。これらの有機溶剤は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
　本実施形態の樹脂組成物は、フラックス活性、可撓性、及び保存安定性に優れる。また、樹脂組成物を支持基材上に塗布することにより、フラックス活性に優れた樹脂層を有する積層体を提供することができる。本実施形態の樹脂組成物を積層体の形態で使用するプリアプライドアンダーフィル材として用いた場合、フラックス活性、可撓性、及び保存安定性に優れ、加えて、接合性、吸湿耐熱性、及びチップとの接着性にも優れるなど、その他の好適な効果も発揮し得る。このように、本実施形態の樹脂組成物は、各種の優れた特徴を有し、特にフラックス活性、可撓性、及び保存安定性を高い水準で両立させることができることから、アンダーフィル材、特にプリアプライドアンダーフィル材として極めて有用である。
　本実施形態の樹脂組成物は、下記の実施例に記載の方法によりフラックス活性を評価する際の指標であるはんだボールの濡れ広がり試験において、フェノール性水酸基を持つ化合物及び金属イオン捕捉剤を併用した際、銅箔上に溶融して濡れ広がったはんだボールの接触角が１．６０ラジアン未満のものを組み合わせることが、実装時の配線間の金属酸化膜を充分に除去させる観点から好ましい。例えば、フェノール性水酸基を有する化合物及び金属イオン捕捉剤を、電解銅箔の光沢面に散布し、その上にはんだボールを設置し、ホットプレート上で加熱し、銅箔上ではんだを溶融させた後、室温で冷却した。はんだボールの銅箔への濡れ広がりをはんだボールの接触角を測定することにより、フラックス活性を評価した。はんだボールの接触角は、銅箔上に溶融して濡れ広がったはんだボールの半径（ａ）及びはんだボールの高さ（ｂ）を求め、下記式より接触角を算出した。
　　　　　はんだボールの接触角＝２ａｒｃｔａｎ｛（ｂ）／（ａ）｝
　〔ＩＩ．積層体、積層体を用いて作製される樹脂組成物層付き半導体ウェハ、積層体を用いて作製される樹脂組成物層付き半導体搭載用基板及び半導体装置〕
　本実施形態の積層体、樹脂組成物層付き半導体ウェハ、樹脂組成物層付き半導体搭載用基板、及び半導体装置は、いずれも前記した本実施形態の樹脂組成物を用いて形成される。
　〔ＩＩ－１．積層体〕
　本実施形態の積層体は、支持基材と、前記支持基材上に積層された本実施形態の樹脂組成物を含有する層とを備える。このような積層体は、前記した本実施形態の樹脂組成物が、支持基材に添着される。支持基材としては、特に限定されないが、高分子フィルムを使用することができる。高分子フィルムの材質としては、例えば、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリウレタン、エチレン－酸化ビニル共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、及びポリブチレンテレフタレートのポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン－プロピレン共重合体、ポリメチルペンテン、ポリイミド、及びポリアミドからなる群より選ばれる少なくとも１種以上の樹脂を含有するフィルム、並びにこれらのフィルムの表面に離型剤を塗布した離型フィルムが挙げられる。これらの中でも、特にポリエステル、ポリイミド、及びポリアミドが好ましく、その中でもポリエステルの１種である、ポリエチレンテレフタレートがより好ましい。
　本実施形態の支持基材の厚さは限定されないが、積層体の製造性、例えば、支持基材に樹脂組成物を塗布する場合の塗布厚の安定性の観点から、１０μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。また、樹脂積層体の搬送性の観点からも、その厚さは１０μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。厚さの下限としては、積層体を製造する際の歩留り確保の点から、より好ましくは１２μｍ以上、更に好ましくは２５μｍ以上であり、３０μｍ以上であることが更により好ましい。また、その厚さの上限としては、支持基材が最終的には半導体装置の構成部材として存在することなく、工程の途中で剥離されることから、積層体の製造コストの観点から、８０μｍ以下であることがより好ましい。
　前記の支持基材上に、本実施形態の樹脂組成物を含有する層（以下、単に「樹脂組成物層」ともいう。）を形成して本実施形態の積層体を製造する方法としては、限定されない。そのような製造方法として、例えば、本実施形態の樹脂組成物を有機溶剤に溶解又は分散させたワニスを、前記の支持基材の表面に塗布し、加熱及び／又は減圧下で乾燥し、溶媒を除去して本実施形態の樹脂組成物を固化させ、樹脂組成物層を形成する手法が挙げられる。乾燥条件は特に限定されないが、樹脂組成物層に対する有機溶剤の含有比率が、樹脂組成物層の総量（１００質量％）に対して、通常１０質量％以下、好ましくは５質量％以下となるように乾燥させる。斯かる乾燥を達成する条件は、ワニス中の有機溶媒の種類と配合量によっても異なる。例えば、フェノール性水酸基を有する化合物（Ａ）と、金属イオン捕捉剤（Ｂ）と、ラジカル重合性化合物（Ｃ）とを含有する樹脂組成物におけるそれらの合計量１００質量部に対し、３０質量部以上６０質量部以下のＭＥＫを含有するワニスの場合、１気圧下で９０℃以上１６０℃以下の加熱条件下で１分以上１０分以下程度の乾燥が目安となる。本実施形態の積層体における樹脂組成物層の厚さは限定されないが、樹脂組成物層の乾燥時に軽揮発分をより良好に除去する観点、及び積層体としての機能をより有効かつ確実に奏する観点から、５μｍ以上５００μｍ以下の範囲が好ましく、１０μｍ以上１００μｍ以下の範囲がより好ましい。
　〔ＩＩ－２．積層体を用いて作製される樹脂組成物層付き半導体ウェハ、樹脂積層体を用いて作製される樹脂組成物層付き半導体搭載用基板〕
　本実施形態の樹脂組成物層付き半導体ウェハは、半導体ウェハと、その半導体ウェハに積層された前記の積層体における樹脂組成物層とを備え、前記した本実施形態の積層体と半導体ウェハから形成される。本実施形態の樹脂組成物層付き半導体搭載用基板は、半導体搭載用基板と、その基板に積層された前記の積層体における樹脂組成物層とを備え、前記した本実施形態の積層体と基板から形成される。
　本実施形態の樹脂組成物層付き半導体ウェハを作製する方法は限定されないが、例えば、半導体ウェハの電極が形成された面、すなわち基板との接合が行われる面に、本実施形態の積層体の樹脂組成物層が対向するよう貼り合わせることで得られる。また、本実施形態の樹脂組成物層付き基板を作製する方法は限定されないが、例えば、基板のチップ搭載側の面に、本実施形態の積層体の樹脂組成物層が対向するよう貼り合わせることで得られる。
　本実施形態の積層体を半導体ウェハ又は基板に貼り合わせる方法としては特に限定されないが、真空加圧式ラミネータを好適に使用することができる。この場合、本実施形態の積層体に対してゴムなどの弾性体を介して加圧し、貼り合わせる方法が好ましい。ラミネート条件としては、当業界で一般に使用されている条件であれば特に限定されないが、例えば５０℃以上１４０℃以下の温度、１ｋｇｆ／ｃｍ２以上１１ｋｇｆ／ｃｍ２以下の範囲の接触圧力、並びに２０ｈＰａ以下の雰囲気減圧下で行われる。ラミネート工程の後に、金属板による熱プレスにより、貼り合わされた積層体の平滑化を行ってもよい。前記ラミネート工程及び平滑化工程は、市販されている真空加圧式ラミネータによって連続的に行うことができる。半導体ウェハ又は基板に貼り付けられた積層体は、いずれの場合もチップのフリップチップ実装前までに支持基材の除去が行われる。
　〔ＩＩ－３．半導体装置〕
　本実施形態の半導体装置は、例えば、本実施形態の樹脂組成物層付き半導体ウェハ、及び／又は本実施形態の樹脂組成物層付き基板を備え、本実施形態の樹脂組成物層、チップ、及び基板から構成される。本実施形態の半導体装置を製造する方法は、限定されないが、例えば、本実施形態の樹脂組成物層付き半導体ウェハを研削の手段で薄化及びダイシングソーによる個片化を行い、樹脂組成物層付きチップとし、これを基板に搭載する手法が挙げられる。また、本実施形態の樹脂組成物層付き基板に、チップを搭載してもよい。樹脂組成物層付きチップを基板に搭載する方法及び半導体チップを樹脂組成物層付き基板に搭載する方法では、熱圧着工法に対応したフリップチップボンダを好適に使用することができる。また、本実施形態ではチップを基板にフリップチップ実装する場合を便宜的に説明しているが、チップをフリップチップ実装しつつ、本実施形態の樹脂組成物を適用する対象は基板以外とすることも可能である。例えば、本実施形態の樹脂組成物は、半導体ウェハ上へチップを搭載する際の半導体ウェハとチップとの接合部や、ＴＳＶ（Ｔｈｒｏｕｇｈ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｖｉａ）を経由してチップ間接続を行うチップ積層体の、各チップ間の接合部に使用することも可能であり、いずれの場合も本発明による優位性を得ることができる。
　以下、実施例及び比較例を示し、本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例によりなんら限定されない。
　［１．測定方法及びフラックス活性評価］
　（１）質量平均分子量（Ｍｗ）
　ＬＣ－２０ＡＤ（商品名、(株)島津製作所製）を用いて、ゲルパーミエイションクロマトグラフ（ＧＰＣ）法により、標準ポリスチレン換算分子量として、質量平均分子量（Ｍｗ）を測定した。
　（２）５％質量減少温度
　フェノール性水酸基を有する化合物を約１０ｍｇ計量し、ＴＧ／ＤＴＡ６２００（商品名、セイコーインスツル（株）製）を用いて、室温から昇温速度１０℃／ｍｉｎの条件で５００℃まで昇温し、得られた質量減少曲線において、質量が５％減少する温度を５％質量減少温度とした。
　（３）フェノール性水酸基を有する化合物及び金属イオン捕捉剤のフラックス活性評価
　フェノール性水酸基を有する化合物単体、金属イオン捕捉剤単体、及びフェノール性水酸基を有する化合物と金属イオン捕捉剤を併用した際のフラックス活性を評価した。
　＜フェノール性水酸基を有する化合物＞
　（Ｉ）ＰＨＥＮＯＬＩＴＥ（登録商標）ＫＡ－１１６３（商品名、クレゾールノボラック型フェノール樹脂、ＤＩＣ（株）製）
　（II）ＴＢＩＳ（登録商標）－ＭＰ（商品名、ビスクレゾールフルオレン、田岡化学工業（株）製）
　（III）ＳＮ－４９５Ｖ（商品名、ナフトールアラルキル型フェノール樹脂、新日鐵化学（株）製）
　（IV）ＢＰＮ０１（商品名、プロペニルビフェニレン樹脂、群栄化学工業（株）製）
　（Ｖ）ＥＬＰＣ７５（商品名、フェノール樹脂、群栄化学工業（株）製）
　（VI）４，４’－メチレンビス（２，６－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェノール）（東京化成工業（株）製）
　＜金属イオン捕捉剤＞
　（ｉ）１－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－３－（４－メトキシフェニル）－１，３－プロパンジオン（東京化成工業（株）製）
　（ii）（Ｅ，Ｅ）－１，７－ビス（４－ヒドロキシ－３－メトキシフェニル）－１，６－ヘプタジエン－３，５－ジオン（東京化成工業（株）製）
　（iii）２，４－ジアミノ－６－メチル－１，３，５－トリアジン（東京化成工業（株）製）
　（iv）２，２’－ビピリジン（東京化成工業（株）製）
　（３－１）（Ｉ）～（VI）単体のフラックス活性評価
　（Ｉ）～（VI）のフェノール性水酸基を有する化合物を、厚さ１２μｍの電解銅箔（３ＥＣ－III、商品名、三井金属鉱業（株）製）の光沢面に散布し、直径０．５ｍｍのはんだボール（エコソルダー（登録商標）ボールＭ７０５（商品名）Ｓｎ－３．０Ａｇ－０．５Ｃｕ合金、千住金属工業（株）製）を置いた。これを、２３５℃に保たれたホットプレートの上で１分間加熱し、銅箔上ではんだを溶融させた後、室温で冷却した。はんだボールの銅箔への濡れ広がりをはんだボールの接触角を測定することにより、フラックス活性を評価した。はんだボールの接触角は、デジタルマイクロスコープ（ＫＨ－７７００（商品名）、（株）ハイロックス製）を用いて、銅箔上に溶融して濡れ広がったはんだボールの半径（ａ）及びはんだボールの高さ（ｂ）を求め、下記式より接触角を算出した。
　　　　　はんだボールの接触角＝２ａｒｃｔａｎ｛（ｂ）／（ａ）｝
　はんだボールの接触角が１．６０ラジアン未満のものをＡ、１．６０ラジアン以上２．００ラジアン未満のものをＢ、２．００ラジアン以上のものをＣとして記載した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000010
　（３－２）（ｉ）～（iv）単体のフラックス活性評価
　（ｉ）～（iv）の金属イオン捕捉剤を、厚さ１２μｍの電解銅箔（３ＥＣ－III、商品名、三井金属鉱業（株）製）の光沢面に散布し、直径０．５ｍｍのはんだボール（エコソルダー（登録商標）ボールＭ７０５（商品名）、Ｓｎ－３．０Ａｇ－０．５Ｃｕ合金、千住金属工業（株）製）を置いた。これを、２３５℃に保たれたホットプレートの上で１分間加熱し、銅箔上ではんだを溶融させた後、室温で冷却した。はんだボールの銅箔への濡れ広がりをはんだボールの接触角を測定することにより、フラックス活性を評価した。はんだボールの接触角は、デジタルマイクロスコープ（ＫＨ－７７００（商品名）、（株）ハイロックス製）を用いて、銅箔上に溶融して濡れ広がったはんだボールの半径（ａ）及びはんだボールの高さ（ｂ）を求め、下記式より接触角を算出した。
　　　　　はんだボールの接触角＝２ａｒｃｔａｎ｛（ｂ）／（ａ）｝
　はんだボールの接触角が１．６０ラジアン未満のものをＡ、１．６０ラジアン以上２．００ラジアン未満のものをＢ、２．００ラジアン以上のものをＣとして記載した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000011
　（３－３）フェノール性水酸基を有する化合物と金属イオン捕捉剤を併用した際のフラックス活性評価
　（Ｉ）～（VI）のフェノール性水酸基を有する化合物及び（ｉ）～（iv）の金属イオン捕捉剤を、厚さ１２μｍの電解銅箔（３ＥＣ－III、商品名、三井金属鉱業（株）製）の光沢面に散布し、直径０．５ｍｍのはんだボール（エコソルダー（登録商標）ボールＭ７０５（商品名）、Ｓｎ－３．０Ａｇ－０．５Ｃｕ合金、千住金属工業（株）製）を置いた。これを、２３５℃に保たれたホットプレートの上で１分間加熱し、銅箔上ではんだを溶融させた後、室温で冷却した。はんだボールの銅箔への濡れ広がりをはんだボールの接触角を測定することにより、フラックス活性を評価した。はんだボールの接触角は、デジタルマイクロスコープ（ＫＨ－７７００（商品名）、(株)ハイロックス製）を用いて、銅箔上に溶融して濡れ広がったはんだボールの半径（ａ）及びはんだボールの高さ（ｂ）を求め、下記式より接触角を算出した。
　　　　　はんだボールの接触角＝２ａｒｃｔａｎ｛（ｂ）／（ａ）｝
　はんだボールの接触角が１．６０ラジアン未満のものをＡＡ、１．６０ラジアン以上２．００ラジアン未満のものをＡ、２．００ラジアン以上のものをＣとして記載した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000012
　表１～３より、（Ｉ）～（VI）のフェノール性水酸基を有する化合物及び（ｉ）～（iv）の金属イオン捕捉剤それぞれ単独では、はんだボールが濡れ広がらない、即ち、良好なフラックス活性を確認できなかった。しかし、（Ｉ）～（Ｖ）のフェノール性水酸基を有する化合物及び（ｉ）～（iv）の金属イオン捕捉剤を併用した時、良好なフラックス活性を示すことが明らかとなった。
　［２．樹脂組成物及び樹脂積層体の作製］
　（実施例１）
　フェノール性水酸基を有する化合物（Ａ）として、ＰＨＥＮＯＬＩＴＥ（登録商標）ＫＡ－１１６３（商品名、質量平均分子量（Ｍｗ）：４６００、軟化点：１０５～１１５℃、５％質量減少温度：２９８℃、クレゾールノボラック型フェノール樹脂、ＤＩＣ（株）製）のＭＥＫ溶液（不揮発分５０質量％）６０質量部（不揮発分換算で３０質量部）、金属イオン捕捉剤（Ｂ）として、１－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－３－（４－メトキシフェニル）－１，３－プロパンジオン（東京化成工業（株）製）３０質量部、ラジカル重合性化合物（Ｃ）として、前記式（１）におけるＲ１がすべて水素原子であり、ｎ１が１～３であるマレイミド化合物（ＢＭＩ－２３００、大和化成工業（株）製）のＭＥＫ溶液（不揮発分５０質量％）４０質量部（不揮発分換算で２０質量部）、第２のラジカル重合性化合物（Ｃ）として、前記式（２）で表され、ｎ２が１４（平均値）であるマレイミド化合物（ＢＭＩ－１０００Ｐ、ケイ・アイ化成（株）製）のＭＥＫ溶液（不揮発分５０質量％）４０質量部（不揮発分換算で２０質量部）、第３のラジカル重合性化合物（Ｃ）として、ビス－（３－エチル－５－メチル－４－マレイミドフェニル）メタン（ＢＭＩ－７０、ケイ・アイ化成（株）製）のＭＥＫ溶液（不揮発分５０質量％）６０質量部（不揮発分換算で３０質量部）、更に第４のラジカル重合性化合物（Ｃ）として、２，２－ビス｛４－（４－マレイミドフェノキシ）フェニル｝プロパン（ＢＭＩ－８０、ケイ・アイ化成（株）製）のＭＥＫ溶液（不揮発分５０質量％）６０質量部（不揮発分換算で３０質量部）、無機充填材（Ｄ）として、スラリーシリカ（ＳＣ－１０５０ＭＬＱ、平均粒子径：０．３μｍ、不揮発分６０質量％、（株）アドマテックス製）１６６．７質量部（不揮発分換算で１００質量部）、可撓性付与成分（Ｅ）として、アクリルポリマー（質量平均分子量（Ｍｗ）：２９００、ＡＲＵＦＯＮ（登録商標）ＵＳ－６１７０、東亞合成（株）製）１５質量部、イミダゾール系硬化触媒として、１－ベンジル－２－メチルイミダゾール（東京化成工業（株）製）のＭＥＫ溶液（不揮発分２０質量％）０．５質量部（不揮発分換算で０．１質量部）を混合し、高速攪拌装置を用いて３０分間撹拌して、ワニスを得た。このワニスを、表面に離型剤をコートした厚さ３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（ＴＲ１－３８、ユニチカ（株）製）に塗布し、１２０℃で５分間加熱乾燥して、本発明の樹脂組成物層の厚さが３０μｍである樹脂積層体を得た。
　（実施例２）
　フェノール性水酸基を有する化合物（Ａ）として、ＴＢＩＳ（登録商標）－ＭＰ（商品名、９，９’－ビス－（４－ヒドロキシ－３－メチルフェニル）フルオレン、分子量：３７８、融点：２２５℃、５％質量減少温度：３１３℃、田岡化学工業(株)製）のＭＥＫ溶液（不揮発分５０質量％）６０質量部（不揮発分換算で３０質量部）に変更した以外は、実施例１と同様にしてワニスを調製し、樹脂積層体を得た。
　（実施例３）
　金属イオン捕捉剤（Ｂ）として、（Ｅ，Ｅ’）－１，７－ビス（４－ヒドロキシ－３－メトキシフェニル）－１，６－ヘプタジエン－３，５－ジオン（東京化成工業(株)製）３０質量部に変更した以外は、実施例１と同様にしてワニスを調製し、樹脂積層体を得た。
　（実施例４）
　フェノール性水酸基を有する化合物（Ａ）として、ＴＢＩＳ（登録商標）－ＭＰ（商品名、９，９’－ビス－（４－ヒドロキシ－３－メチルフェニル）フルオレン、分子量：３７８、田岡化学工業(株)製）のＭＥＫ溶液（不揮発分５０質量％）６０質量部（不揮発分換算で３０質量部）、金属イオン捕捉剤（Ｂ）として、（Ｅ，Ｅ）－１，７－ビス（４－ヒドロキシ－３－メトキシフェニル）－１，６－ヘプタジエン－３，５－ジオン（東京化成工業(株)製）３０質量部に変更した以外は、実施例１と同様にしてワニスを調製し、樹脂積層体を得た。
　（実施例５）
　フェノール性水酸基を有する化合物（Ａ）として、ＰＨＥＮＯＬＩＴＥ（登録商標）ＫＡ－１１６３のＭＥＫ溶液（不揮発分５０質量％）１００質量部（不揮発分換算で５０質量部）に変更した以外は、実施例１と同様にしてワニスを調製し、樹脂積層体を得た。
　（実施例６）
　金属イオン捕捉剤（Ｂ）として、１－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－３－（４－メトキシフェニル）－１，３－プロパンジオン５０質量部に変更した以外は実施例１と同様にしてワニスを調製し、樹脂積層体を得た。
　（実施例７）
　金属イオン捕捉剤（Ｂ）として、２，４－ジアミノ－６－メチル－１，３，５－トリアジン（東京化成工業(株)製）３０質量部に変更した以外は、実施例１と同様にしてワニスを調製し、樹脂積層体を得た。
　（実施例８）
　金属イオン捕捉剤（Ｂ）として、２，２’－ビピリジン（東京化成工業(株)製）３０質量部に変更した以外は、実施例１と同様にしてワニスを調製し、樹脂積層体を得た。
　（比較例１）
　フェノール性水酸基を有する化合物（Ａ）を使用しなかった以外は実施例１と同様にしてワニスを調製し、樹脂積層体を得た。
　（比較例２）
　金属イオン捕捉剤（Ｂ）を使用しなかった以外は実施例１と同様にしてワニスを調製し、樹脂積層体を得た。
　（比較例３）
　フェノール性水酸基を有する化合物（Ａ）及び金属イオン捕捉剤（Ｂ）を使用しなかった以外は実施例１と同様にしてワニスを調製し、樹脂積層体を得た。
　［２．樹脂積層体及びワニスの評価］
　（１）実装試験
　実施例１～８及び比較例１～３で得られた樹脂積層体を８ｍｍ×８ｍｍの正方形に切断し評価用基板上にラミネートした後、フリップチップボンダ（ＬＦＢ－２３０１（商品名）、（株）新川製）を用いて、ステージ温度７０℃、ボンドヘッド温度３００℃、荷重５０Ｎ、時間８秒の条件で、銅とはんだで構成されるＣｕピラーを電極に持つ半導体チップを圧着し実装試験を行った。実装試験サンプルの断面観察により、半導体チップ側のＣｕピラー上のはんだと、基板側の銅配線との接触部に、フラックス活性が発現し合金生成が確認されればＡＡ、フラックス活性が発現せず合金生成が確認されなければＣとして記載した。
　（２）可撓性
　実施例１～８及び比較例１～３で得られた樹脂積層体を５ｃｍ×１０ｃｍの短冊状に断裁した後、室温において支持基材のポリエチレンテレフタレートフィルムが内側になるように外径が３ｃｍの金属管に巻き付け、５秒間保持した後巻き戻した。この作業を１０回繰り返した後、樹脂組成物層のクラックの有無を目視で確認し、可撓性の評価を行った。クラックの発生が全く認められないものをＡＡ、クラックの発生がわずかに認められるが、実使用上は品質に影響を与えないと思われるレベルをＡ、クラックが発生し、実使用上許容されないものをＣとして記載した。
　（３）保存安定性
　実施例１～８及び比較例１～３で得られたワニスの粘度（ｃ）を、Ｂ型粘度計（東京計器（株）製）を用いて測定し、密閉容器内で２週間室温放置後の粘度（ｄ）を、Ｂ型粘度計を用いて再び測定した。下記式にて２週間経過後の粘度の変化率を算出して、変化率が２０％未満の場合はＡＡ、２週間経過後の粘度の変化率が２０％以上４０％未満の場合はＡ、２週間経過後の粘度の変化率が４０％以上の場合はＣとして記載した。
　　　　粘度の変化率＝｛｜（ｄ）－（ｃ）｜／（ｃ）｝×１００
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000013
　表４より、本実施形態の樹脂組成物を用いた実施例１～８は、比較例１～３と比べ、実装試験において良好な結果を示した。また、実施例５及び６に記載の樹脂組成物は実用上問題ないが、実施例５及び６の結果から、本実施形態において、より優れたフラックス活性及び可撓性を両立する樹脂組成物を得るためには、フェノール性水酸基を有する化合物及び金属イオン捕捉剤の配合量の最適化が必要となることが示された。
　また、実施例７及び８に記載の樹脂組成物は実用上問題ないが、実施例７及び８で用いた金属イオン捕捉剤（Ｂ）は、ラジカル重合性化合物（Ｃ）として配合したマレイミド化合物と反応性を示すため、保存安定性に懸念があることも示された。一方、金属イオン捕捉剤（Ｂ）としてジケトン誘導体を配合すると、ラジカル重合性化合物（Ｃ）として配合したマレイミド化合物と反応性を示さず、良好な保存安定性が得られることも示された。
　本出願は、２０１８年４月２６日出願の日本特許出願（特願２０１８－８５６５１）に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。
　本発明の樹脂組成物は、前記したように、フラックス活性、可撓性、及び保存安定性に優れ、各種の効果を発揮することから、樹脂組成物、特にプリアプライドアンダーフィル材料として有用である。本発明の樹脂組成物は、フラックス活性に優れることから、半導体チップと基板との接合や、半導体チップと半導体ウェハとの接合、更には半導体チップと半導体チップとの接合を行う際、良好な接合状態が得られるため、極めて有用である。

Claims (27)

  1. 　フェノール性水酸基を有する化合物（Ａ）と、
    　金属イオン捕捉剤（Ｂ）と、
    　ラジカル重合性化合物（Ｃ）と、
    を含有する、樹脂組成物。
  2. 　前記フェノール性水酸基を有する化合物（Ａ）の分子量が、２００以上で、かつ、融点が、３００℃以下である、請求項１に記載の樹脂組成物。
  3. 　前記フェノール性水酸基を有する化合物（Ａ）における５％質量減少温度が、２５０℃以上である、請求項１又は２に記載の樹脂組成物。
  4. 　前記金属イオン捕捉剤（Ｂ）が、配位原子として窒素及び酸素から選択される少なくとも１種の元素を含有する、請求項１～３のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
  5. 　前記金属イオン捕捉剤（Ｂ）が、アミン類、アミン誘導体、エーテル誘導体、及びケトン誘導体からなる群より選択される少なくとも１種を含有する、請求項１～４のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
  6. 　前記金属イオン捕捉剤（Ｂ）が、トリアジン誘導体、ビピリジン誘導体、及びジケトン誘導体からなる群より選択される少なくとも１種を含有する、請求項１～５のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
  7. 　前記金属イオン捕捉剤（Ｂ）が、１，３－ジケトンを含有する、請求項１～６のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
  8. 　前記金属イオン捕捉剤（Ｂ）が、２，４－ジアミノ－６－メチル－１，３，５－トリアジン、２，２’－ビピリジン、１，３－ジフェニル－１，３－プロパンジオン、１－（２－メシチレン）－１，３－ブタンジオン、１，３－ビス（４－メトキシフェニル）－１，３－プロパンジオン、１－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－３－（４－メトキシフェニル）－１，３－プロパンジオン、及び（Ｅ，Ｅ）－１，７－ビス（４－ヒドロキシ－３－メトキシフェニル）－１，６－ヘプタジエン－３，５－ジオンからなる群より選択される少なくとも１種を含有する、請求項１～６のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
  9. 　前記金属イオン捕捉剤（Ｂ）が、１－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－３－（４－メトキシフェニル）－１，３－プロパンジオン、及び（Ｅ，Ｅ）－１，７－ビス（４－ヒドロキシ－３－メトキシフェニル）－１，６－ヘプタジエン－３，５－ジオンからなる群より選択される少なくとも１種を含有する、請求項１～８のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
  10. 　前記ラジカル重合性化合物（Ｃ）が、（メタ）アクリレート化合物、マレイミド化合物、及びプロペニル化合物からなる群より選択される少なくとも１種を含有する、請求項１～９のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
  11. 　前記ラジカル重合性化合物（Ｃ）が、２，２’－ビス｛４－（４－マレイミドフェノキシ）フェニル｝プロパン、１，２－ビス（マレイミド）エタン、１，４－ビス（マレイミド）ブタン、１，６－ビス（マレイミド）ヘキサン、Ｎ，Ｎ’－１，３－フェニレンジマレイミド、Ｎ，Ｎ’－１，４－フェニレンジマレイミド、Ｎ－フェニルマレイミド、下記式（１）で表されるマレイミド化合物、下記式（２）で表されるマレイミド化合物、及び下記式（３）で表されるマレイミド化合物からなる群より選択される少なくとも１種を含有する、請求項１０に記載の樹脂組成物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
     　（式（１）中、Ｒ１は、各々独立に、水素原子又はメチル基を示し、ｎ１は１以上の整数を示す。）
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
     　（式（２）中、ｎ２の平均値は、１以上３０以下である。）
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
     　（式（３）中、Ｒ２は各々独立に、水素原子、メチル基又はエチル基を示し、Ｒ３は各々独立に、水素原子又はメチル基を示す。）
  12. 　前記ラジカル重合性化合物（Ｃ）が、２，２’－ビス｛４－（４－マレイミドフェノキシ）フェニル｝プロパン、前記式（１）で表されるマレイミド化合物、前記式（２）で表されるマレイミド化合物、及び前記式（３）で表されるマレイミド化合物からなる群より選択される少なくとも１種のマレイミド化合物を含有する、請求項１１に記載の樹脂組成物。
  13. 　前記樹脂組成物中における前記フェノール性水酸基を有する化合物（Ａ）の含有量が、前記樹脂組成物中における前記ラジカル重合性化合物（Ｃ）の合計量１００質量部に対して、５質量部以上５０質量部以下である、請求項１～１２のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
  14. 　前記樹脂組成物中における前記金属イオン捕捉剤（Ｂ）の含有量が、前記樹脂組成物中における前記ラジカル重合性化合物（Ｃ）の合計量１００質量部に対して、５質量部以上５０質量部以下である、請求項１～１３のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
  15. 　無機充填材（Ｄ）を更に含有する、請求項１～１４のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
  16. 　前記無機充填材（Ｄ）が、電気絶縁性を有する、請求項１５に記載の樹脂組成物。
  17. 　前記無機充填材（Ｄ）の平均粒子径が、３μｍ以下である、請求項１５又は１６に記載の樹脂組成物。
  18. 　前記無機充填材（Ｄ）が、シリカ、水酸化アルミニウム、アルミナ、ベーマイト、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、酸化マグネシウム、及び水酸化マグネシウムからなる群より選択される少なくとも１種を含有する、請求項１５～１７のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
  19. 　前記樹脂組成物中における前記無機充填材（Ｄ）の含有量が、前記ラジカル重合性化合物（Ｃ）の合計量１００質量部に対して、３００質量部以下である、請求項１５～１８のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
  20. 　可撓性付与成分（Ｅ）を更に含有する、請求項１～１９のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
  21. 　前記可撓性付与成分（Ｅ）が、熱可塑性の高分子化合物を含有し、前記高分子化合物の質量平均分子量が、１,０００以上１,０００,０００以下である、請求項２０に記載の樹脂組成物。
  22. 　前記可撓性付与成分（Ｅ）が、（メタ）アクリルオリゴマー及び（メタ）アクリルポリマーからなる群より選択される少なくとも１種を含有する、請求項２０又は２１に記載の樹脂組成物。
  23. 　プリアプライドアンダーフィル材用である、請求項１～２２のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
  24. 　支持基材と、
    　前記支持基材上に積層された請求項１～２３のいずれか一項に記載の樹脂組成物を含有する層と、
    を備える、積層体。
  25. 　半導体ウェハと、
    　前記半導体ウェハに積層された請求項２４に記載の積層体と、を備え、
    　前記樹脂組成物を含有する層が、前記半導体ウェハに積層された、
    樹脂組成物層付き半導体ウェハ。
  26. 　半導体搭載用基板と、
    　前記半導体搭載用基板に積層された請求項２４に記載の積層体と、を備え、
    　前記樹脂組成物を含有する層が、前記半導体搭載用基板に積層された、
    樹脂組成物層付き半導体搭載用基板。
  27. 　請求項２５に記載の樹脂組成物層付き半導体ウェハ、及び／又は、請求項２６に記載の樹脂組成物層付き半導体搭載用基板を備える、半導体装置。
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