CN101874310A - 半导体发光器件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

半导体发光器件和相应的制造方法，其中，半导体发光器件包括发光结构、第二电极层、绝缘层和突出部。发光结构包括第二导电半导体层、在第二导电半导体层下的有源层和在有源层下的第一导电半导体层。第二电极层在发光结构上形成。绝缘层沿着发光结构的顶表面的外周来形成。突出部从绝缘层的下表面突出到第一导电半导体层的上部分。

Description

半导体发光器件及其制造方法
技术领域
本公开涉及半导体发光器件及其制造方法。
背景技术
III-V族氮化物半导体已经被广泛应用于包括蓝色和绿色发光二极管(LED)的光学器件、高速开关器件(比如金属半导体场效应晶体管(MOSFET)和异质结场效应晶体管(HEMT)等)以及光源(比如照明或显示器件等)。
特别地，使用III族氮化物半导体的发光器件具有与可见光和紫外光之间的范围对应的直接跃迁带隙，实现了高效发光。
氮化物半导体主要用于LED或激光二极管(LD)。对改进制造工艺和光学效率的方法的研究正在进行中。
发明内容
技术问题
实施例提供了包括在发光结构的外侧的绝缘层的半导体发光器件及其制造方法。
实施例提供了包括沿着发光结构的外周的非有源区域的半导体发光器件及其制造方法。
实施例提供了包括用于将有源层划分为有源区域和非有源区域的绝缘层突出部的半导体发光器件及其制造方法。
实施例提供了包括在发光结构的非有源区域的外壁上的反射层的半导体发光器件及其制造方法。
实施例提供了包括沿着第一导电半导体层被暴露出的表面的金属环的半导体发光器件及其制造方法。
技术方案
一种实施例提供了半导体发光器件，其包括：包括第二导电半导体层、在第二导电半导体层下的有源层和在有源层下的第一导电半导体层的发光结构；具有在发光结构上的第一部分的电极层；以及沿着发光结构的顶表面的外周并在电极层的第二部分下的绝缘层，其中，绝缘层包括从绝缘层的下表面通过第二导电半导体层和有源层突出到所述第一导电半导体层的上部分中的突出部。
一种实施例提供了半导体发光器件，其包括：包括至少两个导电半导体层和在所述至少两个导电半导体层之间的有源层的发光结构；沿着发光结构的上部分的外周的、在有源层下暴露出所述至少两个导电半导体层之一的槽；在发光结构的靠外部分上并具有沿着发光结构的顶表面的外周被布置在所述槽内的突出部的绝缘层；在发光结构和绝缘层上的电极层；以及在电极层上的导电支持构件。
一种实施例提供了制造半导体发光器件的方法，其包括：形成包括第一导电半导体层、在第一导电半导体层上的有源层和在有源层上的第二导电半导体层的发光结构；沿着第二导电半导体层的顶表面的外周的形成暴露出第一导电半导体层的上部分的蚀刻槽；在蚀刻槽中、在第二导电半导体层的外侧形成绝缘层；以及在第二导电半导体层上形成第二电极层。
在附图和以下描述中将说明一个或多个实施例的细节。根据描述和附图，以及根据权利要求，其它特征也显而易见。
有益效果
上述实施例中的一个或多个可提供耐潮的LED。
所述实施例中的一个或多个可通过形成沿着发光结构的外周并在槽中的绝缘层来增强半导体层和电极层之间的粘合强度。
所述实施例中的一个或多个不需要在发光结构的整个外壁上形成绝缘。
所述实施例中的一个或多个可通过在发光结构的外侧布置非有源区域来改进电可靠性。
所述实施例中的一个或多个可通过发光结构的外壁上的反射层来改进外部量子效率。
所述实施例中的一个或多个可通过在发光结构外周的周围布置金属环来改进电流分布。
所述实施例中的一个或多个可改进发光器件的可靠性。
附图说明
图1是说明根据第一实施例的半导体发光器件的截面图。
图2至图12是说明制造图1中的半导体发光的过程的视图。
图13是说明根据第二实施例的半导体发光器件的截面图。
图14是说明根据第三实施例的半导体发光器件的截面图。
图15至图22是说明制造图14中的半导体发光器件的过程的视图。
图23是说明根据第四实施例的半导体发光器件的截面图。
图24是说明根据第五实施例的半导体发光器件的截面图。
图25至图34是说明制造图24中的半导体发光器件的过程的视图。
图35是说明根据第六实施例的半导体发光器件的截面图。
图36是说明根据第七实施例的半导体发光器件的截面图。
图37是说明根据实施例的发光结构的另一示例的视图。
具体实施方式
现在将详细描述本公开的实施例，在附图中说明了本公开的实例。在对实施例的描述中，应理解，当称层在另一层“上”或“下”时，对于各层的“上”和“下”的指称是基于附图进行的。在对实施例的描述中，应理解，当称层(或膜)、区域、图案或结构在另一层(或膜)、区域、垫或图案“上”或“下”时，术语“上”和“下”包括“直接地”和“间接地”两个意思。此外，对于各层的“上”和“下”的指称是基于附图进行的。
<第一实施例>
图1是说明根据第一实施例的半导体发光器件的截面图。
参照图1，半导体发光器件100包括发光结构135、绝缘层140、第二电极层150和导电支持构件160。
半导体发光器件100可用包括化合物半导体(例如III-V族元素化合物半导体)的发光二极管(LED)来实现。LED可以是发出比如蓝色、绿色或红色等光的彩色LED，或者可以是紫外光(UV)LED，但不限于此。
发光结构135包括第一导电半导体层110、有源层120和第二导电半导体层130。
第一导电半导体层110可从掺杂有第一导电掺杂剂的III-V族元素化合物半导体(例如GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsPAlGaInP)中选择。当第一导电半导体是N型半导体时，第一导电掺杂剂包括N型掺杂剂比如硅、锗、锡、硒和碲等。第一导电半导体层110可以单层或多层来形成，但不限于此。
第一电极171可布置在第一导电半导体层110下。第一电极171可以特定图案来形成，但不限于此。可以在第一导电半导体层110的下表面上形成粗糙图案，以提高光提取效率。
有源层120在第一导电半导体层110上以单量子阱或多量子阱结构来形成。有源层120可包括使用III-V族元素化合物半导体材料来周期性层叠的例如InGaN阱层/GaN势垒层或者InGaN阱层/AlGaN势垒层。
导电镀层(clad layer)可布置在有源层120上和/或下。导电镀层可由基于AlGaN的半导体来形成。
第二导电半导体层130在有源层120上形成。第二导电半导体层130可从掺杂有第二导电掺杂剂的III-V族元素化合物半导体中选择，所述III-V族元素化合物半导体可包括例如GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP。当第二导电半导体是P型半导体时，第二导电掺杂剂包括P型掺杂剂比如镁和Ze等。第二导电半导体层130可以单层或多层来形成，但不限于此。
发光结构135中可以包括在第二导电半导体层120上的N型半导体层或P型半导体层。此外，第一导电半导体层110可以以P型半导体层来实现，而第二导电半导体层130可以以N型半导体层来实现。因此，发光结构135可包括N-P结、P-N结、N-P-N结和P-N-P结结构中的至少一种。
绝缘层140和第二电极层150在第二导电半导体层130或第三导电半导体层上形成。绝缘层140的内侧在第二导电半导体层130的上表面的外侧上形成。绝缘层140的外侧延伸到外部以暴露出来。可沿着第二导电半导体层130的顶表面的外侧的外周以环状、圈状或框状形状来形成绝缘层140。绝缘层140可以封闭环形式来形成。
绝缘层140可由绝缘材料(例如SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3、或TiO2)来形成。绝缘层140可以使发光结构135的各层110、120和130的外壁与第二电极层150隔离。
突出部145在绝缘层140的内侧下方形成。突出部145在发光结构135中的槽115中形成。因而，可以改进绝缘层140和发光结构135之间的粘合强度。绝缘层140可以以约0.1μm至约2μm的厚度来形成，但不限于此。
绝缘140的突出部145和发光结构135的槽115可以以具有环状或圈状形状的封闭环形式来形成。
绝缘140的突出部145与发光结构135的外壁以预定的距离D间隔开。距离D的范围可以是从约1μm至约5μm，并随着发光结构135的尺寸而变化。
突出部145的宽度W、突出部145的下端的宽度可以从约1μm至约10μm。宽度W的关键标准是在两个区域A1和A2的有源层之间没有电干扰。突出部145可以包括不均匀的图案、之字形图案或者粗糙的表面。
此处，突出部145的截面形状可以是半圆形、半椭圆形、喇叭形、圆形或多边形(例如方形、菱形和不规则四边形)，但不限于此。
发光结构135的槽115的深度的范围可以是从第二导电半导体层130至第一导电半导体层110的上部分。绝缘层140的突出部145将第一区域A1的半导体层130和120与第二区域A2的半导体层130和120电隔离。
因为被具有封闭环形状的绝缘层140的突出部145电隔离，所以第二区域A2的第二导电半导体层130和有源层120是不发光区域(或非有源区域)。即，即使在半导体发光器件100通电时也不激活第二区域A2的有源层120。
绝缘层140的突出部145的厚度T可以超过第二导电半导体层130和有源层120的厚度，或者可以延伸到第一导电半导体层110的上部分。绝缘层140的突出部145可以以单个或多个来形成。
第二电极层150可以在第二导电半导体层130的表面的内侧上形成。第二电极层150的外侧可以在绝缘层140上形成。第二电极层150布置在第一区域A1的第一导电半导体层130上。
第二电极层150可以由银、镍、铝、铑、钯、铱、钌、镁、锌、铂、金、铪或者它们的组合来形成。此外，可以在第二电极层150和第二导电半导体层130之间布置欧姆接触层(未示出)。欧姆接触层可以以层图案或多图案来形成。欧姆接触层可以包括以下至少一种：铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)、铝锌氧化物(AZO)、锑锡氧化物(ATO)、镓锌氧化物(GZO)、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、(Ni/IrOx/Au)和Ni/IrOx/Au/ITO。
导电支持构件160布置在第二电极层150上。用作基底的导电支持构件160可以由铜、金、镍、钼、Cu-W以及载体晶片(例如硅、锗、GaAs、ZnO和Sic)来形成。导电支持构件160可以通过电解电镀法或者以板状来形成，但不限于此。
在发光结构135中，第一区域A1的有源层120被激活而发光，但是因为第二区域A2与第一区域A1电隔离，所以第二区域A2未被激活。因为第二区域A2(发光结构135的靠外区域)是电断开的，所以可以防止由于潮湿渗入发光结构135的外壁而导致的短路，从而保护第一区域A1。
此外，不需要在发光结构135的整个外壁上形成单独的绝缘层。
图2至图12是说明制造根据第一实施例的半导体发光的工艺的视图。
参照图2和图3，衬底101被装载到生长设备。可以在衬底101上以层或图案来形成II-VI族元素化合物半导体。
生长设备可以由电子束蒸发器或双联型热蒸发器来形成，但不限于此。生长可以通过物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、等离子体激光沉积(PLD)、溅射和金属有机化学气相沉积来进行，但不限于此。
衬底101可以从蓝宝石衬底(Al2O3)、GaN、SiC、ZnO、硅、GaP、InP、Ga2O3、GaAs和导电衬底中选择。可以在衬底101上形成不平的图案。可以在衬底101上形成II-VI族元素化合物半导体的层或图案，例如ZnO层(未示出)、缓冲层(未示出)和未掺杂的半导体层(未示出)中的至少一种。
缓冲层(未示出)或未掺杂的半导体层(未示出)可使用III-V族元素化合物半导体来形成。缓冲层(未示出)可以减小衬底101和化合物半导体之间的晶格常数的差异。未掺杂的半导体层(未示出)可以由未掺杂的基于GaN的半导体来形成。
第一导电半导体层110在衬底101上形成。有源层120在第一导电半导体层110上形成。第二导电半导体层130在有源层120上形成。
第一导电半导体层110可以从掺杂有第一导电掺杂剂的III-V族元素化合物半导体(例如GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP)中选择。当第一导电半导体是N型半导体时，第一导电掺杂剂包括N型掺杂剂比如硅、锗、锡、硒和碲等。第一导电半导体层110可以以单层或多层来形成，但不限于此。
有源层120在第一导电半导体层110上形成。有源层120可以以单量子阱或多量子阱结构来形成。有源层120可以包括使用III-V族元素化合物半导体材料来周期性地层叠的例如InGaN阱层/GaN势垒层或者InGaN阱层/AlGaN势垒层。
导电镀层可以布置在有源层120上和/或下。导电镀层可以由基于AlGaN的半导体来形成。
第二导电半导体层130在有源层120上形成。第二导电半导体层130可以从掺杂有第二导电掺杂剂的III-V族元素化合物半导体中选择，所述III-V族元素化合物半导体可以包括例如GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP。当第二导电半导体是P型半导体时，第二导电掺杂剂包括P型掺杂剂比如镁和Ze等。第二导电半导体层130可以以单层或多层来形成，但不限于此。
可将第一导电半导体层110、有源层120和第二导电半导体层130定义为发光结构。可以在第二导电半导体层130上形成第三导电半导体层(例如N型导电半导体层或P型导电半导体层)。因此，发光结构135可以包括N-P结、P-N结、N-P-N结和P-N-P结结构中的至少一种。
具有特定深度的槽115在个体芯片边界区域的内侧中形成。可以通过使用掩模图案沿着个体芯片的内侧的外周以具有圈状或环形形状的封闭环来形成槽115。槽115的深度T从第二导电半导体层130起延伸以暴露出第一导电半导体层110的上部分。
此处，槽115的截面形状可以是半圆形、半椭圆形、喇叭形、圆形或多边形(例如方形、菱形和不规则四边形)，但不限于此。可以形成多个槽115。槽115可以使用不均匀的图案、之字形图案或者粗糙的图案来形成，这些图案可以增强层之间的粘合强度。
槽115可以通过湿蚀刻或干蚀刻工艺来形成，但不限于此。
图4是说明图3中的槽的示例的视图。
参照图3和图4，在第二导电半导体层130的上部分中以矩形环图案形成槽115。第一导电半导体层110在环的中心处暴露出来。
槽115与第一芯片边界以第一距离D1间隔开，并与第二芯片边界以第二距离D2间隔开。第一距离D1和第二距离D2可彼此相同或不同。暴露出第一导电半导体层110的槽115的底部的宽度W以约1μm至约10μm来形成。
槽115的形状可以是圆形或者多边形(比如三角形或正方形)，但不限于此。槽115可以以之字形图案来形成。槽115可以以单个或多个来形成，以改进层之间的粘合强度。
图5是说明图3中的槽的另一示例的视图。
参照图5，槽115A和115B在与其平行的芯片边界区域中形成，并将芯片边界区域划分为第一区域A1和第二区域A2。
如图4和图5中描绘的，槽115的形状可以随蚀刻而变化。
参照图6和图7，绝缘层140在芯片上形成。绝缘层140在第二导电半导体层130的表面上形成。绝缘层140可以使用掩模图案在所期望的区域中形成。
绝缘层140的突出部145在槽115中形成。
绝缘层140的突出部145划分第一区域A1和第二区域A2的第二导电半导体层130和有源层120。
通过突出部145，第一区域A1成为发光结构135的内部区域或有源区域，而第二区域A2成为外部区域或非有源区域。
参照图8和图9，第二电极层150在第二导电半导体层130上形成。第二电极层150可还在绝缘层140上形成。
第二电极层150可以由包括银、镍、铝、铑、钯、铱、钌、镁、锌、铂、金、铪及这些元素的组合的材料来形成。
第二电极层150被用作用于第二极性供电的路径。
此处，欧姆接触层(未示出)可以在第二电极层150和第二导电半导体层130之间形成。欧姆接触层可以包括以下至少一种：铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)、铝锌氧化物(AZO)、锑锡氧化物(ATO)、镓锌氧化物(GZO)、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au和Ni/IrOx/Au/ITO。
导电支持构件160在第二电极层150上形成。用作基底的导电支撑构件160可以由铜、金、镍、钼、Cu-W以及载体晶片(例如硅、锗、GaAs、ZnO和Sic)来形成。导电支持构件160可以通过电解电镀法或者以板状形状来形成，但不限于此。
第二电极层150和导电支持构件160可以由例如单层的反射电极支持构件来形成。
参照图9和图10，在基础上安置导电支持构件160之后移除衬底101。衬底101可以通过激光剥离(Laser Lift Off，LLO)工艺来移除，LLO工艺是通过向衬底101上照射具有预定波长的激光来分离衬底101的方法。此处，当在衬底101和第一导电半导体层110之间布置有其他半导体层(例如缓冲层)时，衬底101可以通过使用湿蚀刻剂移除缓冲层来分离。
移除了衬底101的第一导电半导体层110的表面可以通过感应耦合等离子体/反应离子蚀刻工艺来抛光。
参照图11和图12，发光结构135的芯片和芯片边界区域(即沟道区域)可以通过台面蚀刻(mesa etching)来移除。可将台面蚀刻区域105移除以暴露出芯片边界区域处的绝缘层140，但不限于此。
参照图12和图13，沿着芯片边界区域105将半导体发光器件100划分为多个个体芯片。在这种情况下，半导体发光器件100可以通过激光或折断工艺来划分。
第一电极171在第一导电半导体层110下以特定图案来形成。还可以在第一导电半导体层110的下表面上形成糙面(未示出)。
在半导体发光器件100中，因为第一区域A1的第二导电半导体层130和有源层120与第二区域A2的第二导电半导体层130和有源层120电隔离，所以从第一区域A1的有源层120发出光。
此外，尽管发光结构135的外壁暴露在潮湿中，但是可以防止短路事件且不影响第一区域A1。绝缘层140的突出部145可以保护LED免于受潮。
因为在激光划片时激光透过绝缘层140，所以防止了激光引起的金属材料的碎裂。因此，可以防止在发光结构135的侧壁上的层之间的短路。
<第二实施例>
图13是说明根据第二实施例的半导体发光器件的截面图。在下文中，将省略对与第一实施例中描述的部分相同的部分的描述。
参照图13，半导体发光器件100A包括在第二导电半导体层130和第二电极层150之间的绝缘层140。绝缘层140在第二导电半导体层130的外侧周围形成。
绝缘层140由绝缘材料来形成，并在其外侧下方包括突出部145A。绝缘材料可以由SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3或TiO2来形成，但不限于此。
绝缘层140的突出部145A沿着发光结构135的外周来形成，并具有延伸到第一导电半导体层110的上部分的厚度。因而，绝缘层140的突出部145A将发光结构135的外壁与第二电极层150隔离。
尽管发光结构135的外壁暴露在潮湿中，但是可以防止发光区域。通过绝缘层140的突出部145A，可以比第一实施例中更有效地防止发光结构135的有源区域。
<第三实施例>
图14是说明根据第三实施例的半导体发光器件的截面图。
参照图14，半导体发光器件200包括发光结构235、绝缘层240、第二电极层250、导电支持构件260和反射层280。
发光结构235包括第一导电半导体层210、有源层220和第二导电半导体层230。在发光结构235中，可以在第二导电半导体层230上布置N型半导体层或P型半导体层。关于发光结构235将参照第一实施例。
第一电极271可以在第一导电半导体层210的下表面上以特定图案来形成。
绝缘层240和第二电极层250在绝缘层240和第二电极层250上形成。
绝缘层240在第二导电半导体层230的顶表面的外侧上形成。第二电极层250在第二导电半导体层230的顶表面的内侧上形成。第二电极层250延伸至绝缘层240的表面。
绝缘层240可以由包括例如SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3和TiO2的绝缘材料来形成。
绝缘层240可以改进粘合强度第二导电半导体层230和第二电极层250。绝缘层240的厚度的范围可以是从约0.1μm至约μm，但不限于此。
突出部245在绝缘层240的内侧下方形成。突出部245可以在发光结构235中的第一区域A1和第二区域A2之间形成。突出部245可以以具有圈状或环状形状的封闭环来形成，从而维持第二区域A2非有源或处于电状态。
在下文中，通过参照第一实施例，将省略对从反射层280开始的距离D和对突出部245的厚度T的详细描述。
一个或多个突出部245可以以之字形图案来形成，但不限于此。
突出部245的宽度、突出部245的下端的宽度的范围可以是从约1μm至约10μm。宽度W的关键标准是两个区域A1和A2的有源层之间的使得两个区域A1和A2的有源层之间没有电干扰的最小间隔。
在下文中，将通过参照第一实施例省略对第二电极层250和导电支持构件260的详细描述。
光是从发光结构235的第一区域A1发出的。第二区域A2因为是电断开的所以未被激活。因为外部区域是电断开的，所以可以保护第一区域A1免受由于潮湿而导致的短路。此外，不需要在发光结构235的外壁上形成单独的绝缘层。
外部突出部265通过激光划片工艺在导电支持构件260的外侧的下方形成。外部突出部265可以在发光结构235外壁的外周的周围形成，并由形成导电支持构件260的材料比如铜等来形成。
导电支持构件260的外部突出部265可以吸收从发光结构235向侧壁发出的光。因此，在发光结构235的侧壁上形成反射层280。
反射层280可以包括高反射材料，例如铝和银等。反射层280的一端282延伸到第一导电半导体层210的下表面的外侧，而另一端281延伸到绝缘层240的下表面。因而，通过覆盖发光结构235的整个外壁，向发光结构235的侧壁传播的光可以被反射层280反射，从而改进外部量子效率。
反射层280可以在发光结构235的侧壁上形成，或者可以在导电支持构件260的外部突出部265内形成，但不限于此。
图15至图22是说明制造图14中的半导体发光器件的示例性过程的视图。
在下文中，将通过参照第一实施例省略重复的描述。
参照图15，第一导电半导体层210在衬底201上形成。有源层220在第一导电半导体层210上形成。第二导电半导体层230在有源层220上形成。
可将第一导电半导体层210、有源层220和第二导电半导体层230定义为发光结构235。发光结构235可以包括N-P结、P-N结、N-P-N结和P-N-P结结构中的至少一种。
参照图16，具有特定深度的槽215在个体芯片的边界区域中形成。槽215从第二导电半导体层230延伸到第一导电半导体层210的上部分。
如图4和图5中描绘的，槽215可以沿着第二导电半导体层210的顶表面的外周以具有环状或圈状形状的封闭环来形成。槽215被形成为具有使第一导电半导体层210的一部分暴露出来的深度T。
此处，槽215的环状形状可以被修改。槽215的截面形状可以是半圆形、半椭圆形、倒喇叭形、圆形或多边形(例如方形、菱形和不规则四边形)，但不限于此。一个或更多槽215可以以直线或之字形图案来形成，但不限于此。
槽215可以使用掩模图案通过湿蚀刻和/或干蚀刻工艺来形成，但不限于此。
槽215与每个芯片的边界以特定距离D1(例如从约1μm至约5μm)间隔开。槽215的底部的宽度W的范围可以是从约1μm至约10μm，在槽215中暴露出第一导电半导体层。
槽215的形状可以是圆形、椭圆形、多边形(比如三角形和正方形等)，但不限于此。槽215的内部区域A1可是实际发光区域。
参照图17，绝缘240在第二导电半导体层230的顶表面的外侧上形成。在这种情况下，绝缘层240的突出部245在槽215中形成。
绝缘层240的突出部245将第一区域A1的第二导电半导体层230和有源层220与第二区域A1的第二导电半导体层230和有源层220电隔离。
通过突出部245，第一区域A1 235成为发光结构的有源区域，而第二区域A2成为发光结构235的非有源区域。
参照图18和图19，第二电极层250在第二导电半导体层230和绝缘层240上形成。导电支持构件260在第二电极层250上形成。在下文中，将省略对第二电极层250和导电支持构件260的详细描述。
可以在第二电极层250和第二导电半导体层230之间以层或多图案来形成欧姆接触层，但不限于此。
再次参照图18和图19，在基础上安置导电支持构件260之后移除衬底201。衬底201可以通过物理和/或化学方法(例如LLO工艺或湿蚀刻法)来移除，但不限于此。
参照图19和图20，发光结构235的芯片和芯片边界区域(即沟道区域)可以通过台面蚀刻(例如使用感应耦合等离子体设备)来移除。将台面蚀刻区域205移除以暴露出芯片边界区域处的绝缘层240，但不限于此。
在芯片边界区域205时，在发光结构235的外壁上形成反射层280。反射层280可以在发光结构235的至少一个侧壁上。此处，因为半导体层210、220和230在发光结构235的外壁处是电断开的，所以不需要考虑层之间的短路。因此，反射层280反射向发光结构235的侧壁传播的光。
反射层280的一端282延伸到第一导电半导体层210的下表面的外侧，而另一端281延伸到绝缘层240的下表面，从而增强了层之间的粘合强度。
参照图21，沿着芯片边界区域205将半导体发光器件200划分为多个个体芯片。在这种情况下，半导体发光器件100可以通过激光或折断工艺来划分。当在芯片划分中使用激光时，激光集中处的导电支持构件260外侧可以向下突出，以形成具有特定高度的突出部265。突出部265可以由形成导电支持构件260的材料比如铜等来形成，从而吸收光。反射层280反射从发光结构235向外壁传播的光。因此，可以防止光被导电支持构件260的突出部265吸收。
导电支持构件260的突出部265的形状和尺寸可以随实施例而不同。反射层280可不在发光结构235的侧壁上形成，而是可在突出部265的内侧上形成。
第一电极271可以在第一导电半导体层210的下表面上形成。第一电极271可以以特定图案来形成。
在半导体发光器件200中，第一区域A1的第二导电半导体层230和有源层220与第二区域A2的第二导电半导体层230和有源层220电隔离。因此，尽管发光结构235的外壁暴露在潮湿中，但是可以防止短路事件且不影响第一区域A1。绝缘层140的突出部145可以保护LED免于受潮。
向发光结构235的外壁发出的光被反射层280反射，从而改进了外部量子效率。因为发光结构235的外壁处于非有源区域，所以可以通过具有可以通过台面蚀刻形成的不平表面的反射层来改进外部量子效率。
<第四实施例>
图23说明根据第四实施例的半导体发光器件的截面图。在下文中，将省略对与第三实施例中的部分相同的部分的重复描述。
参照图23，半导体发光器件200A包括在发光结构235和第二电极层250之间形成的绝缘层240。
绝缘层240由绝缘材料来形成，并包括在其外侧上向下形成的突出部245A。突出部245A在第二导电半导体层230、有源层230和第一导电半导体层210的外侧处形成。因为绝缘层240的突出部245A在发光结构235的侧壁和外表面上形成，所以可以防止由于潮湿而导致的半导体110、120和130之间的短路。
<第五实施例>
图24是说明根据第五实施例的半导体发光器件的截面图。在下文中，将省略对与第一实施例中的部分相同的部分的重复描述。
参照图24，半导体发光器件300包括第一导电半导体层310、有源层320、第二导电半导体层330、绝缘层340、金属环345、第二电极层350、导电支持构件360和第一电极315。
有源层320在第一导电半导体层310上形成。第二导电半导体层330可以在有源层320上形成。
第一导电半导体层310、有源层320和第二导电半导体层330可以包括至少一种III-V族元素化合物半导体，例如GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP。
具有特定图案的第一电极315在第一导电半导体层315的下表面上形成。
有源层320可以以单量子阱或多量子阱结构来形成。可以在有源层320的表面和/或下表面上形成镀层。
可将第一导电半导体层310、有源层320和第二导电半导体层330定义为发光结构335。发光结构335可以包括N-P结、P-N结、N-P-N结和P-N-P结结构中的至少一种。
第二电极层350在第二导电半导体层330或第三导电半导体的顶表面的内侧上形成。第二电极层350的特征和材料与第一实施例中描述的一样。第二电极层350可以在绝缘层340上形成。
可以在第二电极层350与第二导电半导体层330或第三导电半导体层之间形成欧姆接触层。欧姆接触层可以使用比如在第一实施例中描述的ITO等材料以层或多图案来形成。
绝缘层340在发光结构335的顶表面的外侧上形成。绝缘层340的内侧布置在发光结构335上，而绝缘层340的外侧暴露在发光结构335的外侧的外部。
绝缘层340可以将发光结构335与第二电极层350或导电支持构件360隔离。
绝缘层340可以以具有圈状、环状或框状形状的封闭环来形成。
绝缘层340可以由具有透过性(permeability)和/或绝缘属性的材料(例如SiO2、Si3N4、Al2O3、TiO2和SiOx中之一)来形成。因为在激光划片时激光透过绝缘层340，所以可以防止由于激光导致的金属材料的碎裂。因此，可以防止在发光结构335的侧壁上的层之间的短路。
槽332在发光结构335的外侧上形成。槽332具有从第二导电半导体层330延伸到第一导电半导体层310的特定深度，以暴露出第一导电半导体层310的一部分。槽332沿着发光结构335的外周来形成。绝缘层340的突出部341在槽332中形成。突出部341将发光结构335划分为有源区域A1和非有源区域A2。
绝缘层340的突出部341沿着槽332来形成。突出部341沿着发光结构335的外周以具有圈状形状的封闭环来形成。
金属环345可以在暴露于槽332中的第一导电半导体层310上形成。当暴露出来的第一导电半导体层310例如是基于GaN的半导体层时，镓面区域可相对地暴露得多很多。金属环345的下表面接触第一导电半导体层310。
金属环345沿着槽332在第一导电半导体层310上来形成。金属环345可以具有规则或不规则宽度的直线或曲线形式，但不限于此。金属环345与有源层320和/或第二导电半导体层330间隔开。
金属环345接触绝缘层340的突出部341。此处，将金属环345用突出部341和突出部341的分支端343围住，以防止金属环345和有源层320之间接触。
金属环345可以由金属材料比如铬、镍、钛、铝和它们的合金等来形成。金属环345布置在第一导电半导体层310的镓面区域上，以进行电流扩散。
导电支持构件360可以在第二电极层350上形成。导电支持构件360的结构和材料与第一实施例中描述的一样。
在将正向电流施加到半导体发光器件300的第一电极315和导电支持构件360时，施加到导电支持构件360的电流均匀地分布到整个底表面，而供应到第一电极315的电流在垂直方向流动。在这种情况下，通过第一电极315注入第一导电半导体层310的电流的一部分以水平方向扩散。
因为金属环345与第一导电半导体层310的外周接触，所以金属环345可以相对于第一电极315的中心向外分散流入有源层320的电流。
可以均匀地施加从第一导电半导体层310供应到有源层320的电流。在第一导电半导体层310中的电流扩散可以防止电流被集中，从而改进芯片的内部量子效率和可靠性。
图25至图34是说明制造图24中的半导体发光器件的过程的视图。
参照图25，第一导电半导体层310在衬底301上形成。有源层320在第一导电半导体层310上形成。第二导电半导体层330在有源层320上形成。
在下文中，将通过参照第一实施例省略对衬底301、第一导电半导体层310、有源层320和第二导电半导体层330的详细描述。
可将第一导电半导体层310、有源层320和第二导电半导体层330定义为发光结构335。发光结构335可以包括N-P结、P-N结、N-P-N结和P-N-P结结构中的至少一种。
槽332在发光结构335的芯片边界区域中形成。槽332可以沿着发光结构335的外侧以环状或框状形状来形成，并可以被形成为具有使第一导电半导体层310的一部分暴露出来的深度。
当暴露出来的第一导电半导体层310是基于GaN的半导体时，镓面区域中暴露出来的比氮面区域更多，但实施例不限于此。
参照图26和图27，金属环345在形成在发光结构335上的槽332中来形成。金属环345与暴露出来的第一导电半导体层310接触。金属环345可以由金属材料比如铬、镍、钛、铝和它们的合金等来形成。
金属环345被形成为具有小于槽332的宽度的宽度。金属环345与有源层320和第二导电半导体层330间隔开。
参照图26和图28，在个体芯片中绝缘层340沿着发光结构335的外周来形成。绝缘层340的突出部341在布置在发光结构335的外侧的槽332中形成。绝缘层340的突出部341和两端343围住金属环345，以保护它避免与其它半导体层(例如有源层320)接触。
绝缘层340可以由具有透过性和/或绝缘属性的材料(例如SiO2、Si3N4、Al2O3、TiO2和SiOx中之一)来形成。因为在激光划片时激光透过绝缘层340，所以可以防止由于激光导致的金属材料的碎裂。因此，可以防止在发光结构335的侧壁上的层之间的短路。
参照图29和图30，第二电极层350在第二导电半导体层330和绝缘层340上形成。导电支持构件360在第二电极层350上形成。第二电极层350和导电支持构件360的材料和结构与第一实施例中描述的一样。
参照图30和图31，在导电支持构件360形成时，将衬底301通过物理和/或化学移除方法来移除。衬底301可以通过LLP工艺或湿蚀刻剂来移除，但不限于此。
参照图31和图32，在芯片和芯片边界区域(即沟道区域)上进行蚀刻(例如台面蚀刻)，直到绝缘层340暴露出来为止。将发光结构335的芯片边界区域移除以形成芯片分隔槽337。具有特定图案的第一电极315在第一导电半导体层310的下表面上形成。第一电极315在芯片的中心形成。在这种情况下，第一电极315可以通过金属环345来分散电流。因此，可以不需要其它图案。
参照图33和图34，半导体发光器件300被划分为多个个体芯片。此处，第一电极370的形成过程可在台面蚀刻之前/之后进行，或者在芯片划分之后进行，但不限于此。
在将正向电流施加到半导体发光器件300的第一电极315和导电支持构件360时，施加到导电支持构件360的电流被均匀地供应到整个底表面。通过第一电极315的电流可以通过金属环345来改进垂直电流流动。
发光结构335的有源区域A1是电驱动的。通过第一电极315注入第一导电半导体层310的电流的一部分通过金属环345来水平扩散。
因为金属环345沿着第一导电半导体层310的外周以圈状图案来形成，所以可以在水平方向上向外诱导注入第一电极315的电流的一部分。
从第一导电半导体层310供应到有源层320的电流可以被均匀地施加。在第一导电半导体层310中扩散电流可以防止电流被集中，从而改进芯片的内部量子效率和可靠性。
图35是说明根据第六实施例的半导体发光器件的截面图。在下文中，将通过参照第五实施例省略对与第五实施例中的部分相同的部分的详细描述。
参照图35，半导体发光器件300A具有包括槽332A和绝缘层341的突出部341A(槽332A和突出部341A布置在发光结构335的外壁上)的结构。与第五实施例相比，这种结构可以增强有源层320的区域。
因此，绝缘层340的突出部341A暴露于发光结构335的外端。此处，绝缘层的突出部341A的宽度可以增大。因此，金属环345A的宽度也可以增大。
因为绝缘层340的突出部341A布置在发光结构335的外端处，所以可以保护发光结构335的侧壁免于受潮，并且可以通过金属环345A来引起电流扩散。
图36是说明根据第七实施例的半导体发光器件的截面图。
参照图36，半导体发光器件300B具有可使金属环345B的厚度变薄或者使槽332的深度加深的结构。在这种情况下，金属环345B可以以与槽332的宽度相同的宽度来形成。因此，金属环345B的两个侧表面都与在槽332中暴露出来的第一导电半导体层310接触。此处，槽332可以被形成为具有使金属环345B可接触不到有源层320的深度。
绝缘层340的突出部341布置在槽340中。突出部341布置在金属环345B上。因为金属环345B的下表面和侧表面与第一导电半导体层310接触，所以电接触面积增加，从而改进了电流扩散。
图37是说明根据实施例的发光结构的另一示例的视图。
参照图37，上述实施例中的一个或多个包括III-V族元素化合物半导体，所述III-V族元素化合物半导体可以包括例如GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP。
发光结构135A可以包括第一导电半导体层110、有源层120、第二导电半导体层130和第三导电半导体层132。
当第一导电半导体层110和第三导电半导体层132是N型半导体时，第二导电半导体层130是P型导电半导体。当第一导电半导体层110和第三导电半导体层132是P型半导体时，第二导电半导体层130是N型导电半导体。在发光结构135A中可以包括N-P-N结和P-N-P结结构中的一种。
一种实施例提供了包括发光结构的半导体发光器件，该发光结构包括：在多个化合物半导体层的外侧的非有源区域；包括在该发光结构的有源区域和非有源区域之间的突出部，并沿着该发光结构的顶表面的外周来布置的绝缘层；在该发光结构的顶表面的内侧的第二电极层；以及在该发光结构下方的第一电极。
尽管已经参考其多个说明性实施例对多种实施例进行了详细描述，但是应当理解，本领域技术人员可以设计出落在本公开的原理的精神和范围内的许多其它改型和实施例。更具体地，在本公开、附图和所附权利要求的范围内，可在主题组合方案的部件部分和/或布置中进行各种变化和修改。除在部件部分和/或布置中的变化和修改之外，其它的用途对于本领域技术人员而言也显而易见。
工业实用性
实施例可以改进垂直半导体发光器件的可靠性。
实施例可以提供类似LED的半导体发光器件。
实施例可以改进半导体发光器件的电可靠性。
实施例可以改进发光器件的可靠性。
实施例可以改进垂直半导体发光器件的光效率。
实施例可以将包括了封装的半导体发光器件的光源应用到照明领域、指示领域和显示领域。

Claims (15)

1.一种半导体发光器件，包括：
包括第二导电半导体层、在所述第二导电半导体层下的有源层和在所述有源层下的第一导电半导体层的发光结构；
具有在所述发光结构上的第一部分的电极层；以及
沿着所述发光结构的顶表面的外周并在所述电极层的第二部分下的绝缘层，其中
所述绝缘层包括从所述绝缘层的下表面通过所述第二导电半导体层和所述有源层突出到所述第一导电半导体层的上部分内的突出部。
2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述突出部被配置为将所述有源层划分为由非有源区域限定范围并与非有源区域电隔离的有源区域。
3.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述突出部限定所述发光结构的上部分的范围。
4.根据权利要求2所述的半导体发光器件，其中，所述突出部包括多个突出部。
5.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述电极层的第二部分与位于所述突出部的外侧的所述发光结构的半导体层电隔离。
6.根据权利要求2所述的半导体发光器件，其中，所述第二导电半导体层的第一部分和所述有源层的第一部分位于所述突出部的内侧，并与位于所述突出部的外侧的所述第二导电半导体层的第二部分和所述有源层的第二部分电隔离。
7.根据权利要求2所述的半导体发光器件，还包括以下至少一种：
在所述发光结构的至少一个外壁上的反射层；以及
嵌入所述突出部的下表面中并与所述第一导电半导体层接触的金属环。
8.根据权利要求1所述的半导体发光器件，还包括：
在所述电极层上的导电支持构件。
9.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述发光结构包括：
在所述第二导电半导体层上的N型半导体层或P型半导体层。
10.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述绝缘层和所述突出部形成为具有圆形或多边形形状的封闭环。
11.一种半导体发光器件，包括：
包括至少两个导电半导体层和在所述至少两个导电半导体层之间的有源层的发光结构；
沿着所述发光结构的上部分的外周的、在所述有源层下暴露出所述至少两个导电半导体层之一的槽；
在所述发光结构的靠外部分上并具有沿着所述发光结构的顶表面的外周被布置在所述槽内的突出部的绝缘层；
在所述发光结构和所述绝缘层上的电极层；以及
在所述电极层上的导电支持构件。
12.根据权利要求11所述的半导体发光器件，其中，所述电极层包括：
反射电极层。
13.根据权利要求11所述的半导体发光器件，还包括：
具有层或多图案并位于所述电极层和所述发光结构之间的欧姆接触层。
14.根据权利要求11所述的半导体发光器件，还包括以下至少一种：
在所述槽中的所述绝缘层突出部和所述绝缘层下的所述半导体层之间的金属环；以及
在所述发光结构的外壁上的反射层。
15.一种制造半导体发光器件的方法，所述方法包括：
形成包括第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层上的有源层和在所述有源层上的第二导电半导体层的发光结构；
沿着所述第二导电半导体层的顶表面的外周形成暴露出所述第一导电半导体层的上部分的蚀刻槽；
在所述蚀刻槽中、在所述第二导电半导体层的外侧形成绝缘层；以及在所述第二导电半导体层上形成第二电极层。
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010038976A2 (en) * 2008-09-30 2010-04-08 Lg Innotek Co., Ltd Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same
KR100962898B1 (ko) 2008-11-14 2010-06-10 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
USRE48774E1 (en) 2008-11-14 2021-10-12 Suzhou Lekin Semiconductor Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
KR101064049B1 (ko) * 2010-02-18 2011-09-08 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법, 발광소자 패키지
KR101034144B1 (ko) * 2010-04-28 2011-05-13 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템
KR20120042500A (ko) * 2010-10-25 2012-05-03 삼성엘이디 주식회사 반도체 발광 소자 및 그 제조방법
KR101886156B1 (ko) * 2012-08-21 2018-09-11 엘지이노텍 주식회사 발광소자
CN102931314B (zh) * 2012-09-29 2015-02-11 安徽三安光电有限公司 一种防止金属迁移的半导体发光器件
KR20140098564A (ko) * 2013-01-31 2014-08-08 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
US8948222B1 (en) 2013-09-30 2015-02-03 Jds Uniphase Corporation Laser diode light source
KR102412409B1 (ko) 2015-10-26 2022-06-23 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
DE102015120323A1 (de) * 2015-11-24 2017-05-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenchip mit einer reflektierenden Schichtenfolge

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01123482A (ja) 1987-11-06 1989-05-16 Mitsubishi Electric Corp 半導体発光装置
JPH07176830A (ja) 1993-12-21 1995-07-14 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体発光素子の製造方法
JP4418114B2 (ja) * 1999-03-19 2010-02-17 パナソニック株式会社 光学的情報記録方法およびそれを用いた光学的情報記録装置
JP2002025060A (ja) 2000-07-05 2002-01-25 Sharp Corp 光記録再生装置およびテストライト方法
US6562648B1 (en) * 2000-08-23 2003-05-13 Xerox Corporation Structure and method for separation and transfer of semiconductor thin films onto dissimilar substrate materials
KR100446615B1 (ko) * 2001-10-09 2004-09-04 삼성전자주식회사 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법
KR20040037894A (ko) * 2002-10-30 2004-05-08 삼성전자주식회사 광 기록 매체의 자동 기록 최적화 방법 및 이를 수행하는광 기록/재생 장치
JP2005294772A (ja) 2004-04-06 2005-10-20 Renesas Technology Corp 半導体装置
JP3802911B2 (ja) * 2004-09-13 2006-08-02 ローム株式会社 半導体発光装置
JP4176069B2 (ja) 2004-10-13 2008-11-05 シャープ株式会社 光ディスク記録再生装置及びその記録再生方法
KR20060077801A (ko) * 2004-12-31 2006-07-05 엘지전자 주식회사 고출력 발광 다이오드 및 그의 제조 방법
KR100597166B1 (ko) 2005-05-03 2006-07-04 삼성전기주식회사 플립 칩 발광다이오드 및 그 제조방법
JP2007048412A (ja) 2005-08-12 2007-02-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 記録パルス調整方法、記録パルス調整プログラム、記録パルス調整装置、情報記録装置、情報記録媒体
JP5016808B2 (ja) 2005-11-08 2012-09-05 ローム株式会社 窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子製造方法
KR100673640B1 (ko) 2006-01-09 2007-01-24 삼성전기주식회사 수직구조 질화갈륨계 발광다이오드 소자
KR20060032167A (ko) 2006-02-28 2006-04-14 에피밸리 주식회사 질화갈륨계 반도체 발광소자
KR100752719B1 (ko) 2006-08-16 2007-08-29 삼성전기주식회사 플립칩용 질화물계 발광다이오드
JP2008060132A (ja) * 2006-08-29 2008-03-13 Rohm Co Ltd 半導体発光素子およびその製造方法
KR101308131B1 (ko) 2006-12-23 2013-09-12 서울옵토디바이스주식회사 투광성 물질 패턴을 갖는 수직형 발광 다이오드 및 그제조방법
KR100887139B1 (ko) * 2007-02-12 2009-03-04 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 제조방법
KR101239854B1 (ko) 2007-02-28 2013-03-06 서울옵토디바이스주식회사 수직형 발광 다이오드 및 그 제조방법
KR101382836B1 (ko) * 2007-11-23 2014-04-08 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
WO2010038976A2 (en) * 2008-09-30 2010-04-08 Lg Innotek Co., Ltd Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

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