KR101007092B1 - 반도체 발광소자 및 그 제조방법 - Google Patents
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- 전극층;상기 전극층 위에 제2도전형 반도체층, 상기 제2도전형 반도체층 위에 활성층 및 상기 활성층 위에 제1도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물;상기 전극층과 상기 발광 구조물 사이의 둘레를 따라 배치되며 상기 활성층의 내측 영역과 외측 영역을 전기적으로 분리시켜 주는 보호층; 및상기 발광 구조물의 외측에 형성된 반사막을 포함하는 반도체 발광소자.
- 제1항에 있어서,상기 보호층은 절연 재질로 형성되며, 상기 발광 구조물의 제2도전형 반도체층부터 상기 제1도전형 반도체층의 하부까지 연장되어, 상기 활성층의 내측 영역과 외측 영역을 분리해 주는 돌기를 포함하는 반도체 발광소자.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 보호층 및 상기 보호층의 돌기는 폐 루프 형태를 포함하는 반도체 발광소자.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 활성층의 내측 영역은 발광 영역이며,상기 활성층의 외측 영역은 비 활성 영역인 반도체 발광소자.
- 제2항에 있어서,상기 활성층의 외측 영역은 상기 보호층의 돌기와 상기 반사막 사이에 배치되는 반도체 발광소자.
- 제1항에 있어서,상기 반사막은 금속 물질을 포함하며, 상기 발광 구조물의 적어도 한 측면에 형성되는 반도체 발광소자.
- 제 2항에 있어서,상기 보호층의 돌기는 하부 폭이 상부 폭보다 좁은 반도체 발광소자.
- 제2항에 있어서,상기 보호층의 돌기는 상기 발광 구조물의 외측을 기준으로 5㎛ 이내에 배치되는 반도체 발광소자.
- 제2항에 있어서,상기 보호층의 돌기는 상기 제1도전형 반도체층의 하부에 1~10㎛의 폭으로 접촉되는 반도체 발광소자.
- 제2항에 있어서,상기 보호층은 SiO2, SiOx, SiOxNy,Si3N4, Al2O3, 또는 TiO2 중 적어도 하나를 포함하는 반도체 발광소자.
- 제2항에 있어서,상기 보호층의 돌기의 단면 형상은 반구 형상, 반 타원형상, 다각형 형상, 역 뿔 형상, 기둥 형상 중 어느 한 형상을 포함하는 반도체 발광소자.
- 제6항에 있어서,상기 반사막은 상기 발광 구조물의 모든 측면부터 상면 둘레까지 연장되는 반도체 발광소자.
- 제1항에 있어서,상기 전극층 아래에 형성된 전도성 지지부재를 포함하는 반도체 발광소자.
- 전도성 지지부재;상기 전도성 지지부재 위에 전극층;상기 전극층 위에 제2도전형 반도체층, 상기 제2도전형 반도체층 위에 활성층 및 상기 활성층 위에 제1도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물;상기 전극층과 상기 제2도전형 반도체층 사이의 둘레에 형성된 보호층; 및상기 발광 구조물의 외측에 형성된 반사막을 포함하며,상기 보호층에는 상기 제2도전형 반도체층부터 상기 제1도전형 반도체층의 하부까지 돌출된 적어도 하나의 돌기를 포함하는 반도체 발광소자.
- 제14항에 있어서,상기 보호층 및 돌기는 절연 재질이며,상기 반사막은 Al 또는 Ag 중 적어도 하나를 포함하는 금속 재질을 포함하는 반도체 발광소자.
- 제14항에 있어서,상기 보호층의 돌기는 상기 제1도전형 반도체층의 하부부터 상기 반사막까지 연장되는 반도체 발광소자.
- 제14항에 있어서,상기 반사막은 상기 발광 구조물의 제1도전형 반도체층의 측면에 형성되는 반도체 발광소자.
- 제17항에 있어서,상기 반사막은 상기 제1도전형 반도체층의 상면 둘레까지 연장되는 반도체 발광소자.
- 제1항 또는 제14항에 있어서,상기 제1도전형 반도체층에 전기적으로 연결된 전극을 포함하는 반도체 발광소자.
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---|---|---|---|---|
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