KR100999742B1 - 반도체 발광소자 및 그 제조방법 - Google Patents
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- 전극층;상기 전극층의 위에 제2도전형 반도체층, 상기 제2도전형 반도체층 위에 활성층 및 상기 활성층 위에 제1도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물;상기 전극층과 상기 발광 구조물의 사이의 둘레에 형성된 절연 재질의 보호층; 및상기 보호층으로부터 상기 제1도전형 반도체층의 내부까지 상기 발광 구조물의 둘레를 따라 연장되어, 상기 활성층의 내측 영역과 외측 영역을 분리시켜 주는 돌기를 포함하는 반도체 발광소자.
- 전극층;상기 전극층의 위에 제2도전형 반도체층, 상기 제2도전형 반도체층 위에 활성층 및 상기 활성층 위에 제1도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물;상기 전극층과 상기 발광 구조물의 둘레를 따라 형성되고 상기 활성층의 내측 영역과 외측 영역을 전기적으로 분리시켜 주는 보호층; 및상기 발광 구조물의 제1도전형 반도체층 위에 형성된 전극을 포함하는 반도체 발광소자.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 보호층은 연속적인 폐 루프 형태를 포함하는 반도체 발광소자.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 활성층의 내측 영역은 상기 전극층과 전기적으로 연결된 발광 영역이며,상기 활성층의 외측 영역은 상기 전극층과 전기적으로 오픈된 비 활성 영역으로 형성되는 반도체 발광소자.
- 제1항에 있어서,상기 보호층은 상기 발광 구조물의 아래 영역 중에서 내측 영역을 제외한 외측 영역을 커버하며,상기 전극층의 둘레 영역으로부터 연장된 돌기는 상기 발광 구조물의 외측으로부터 이격되어 형성되는 반도체 발광소자.
- 제1항에 있어서,상기 제1도전형 반도체층에 전기적으로 연결된 전극을 포함하며,상기 보호층으로부터 연장된 돌기는 폐 루프 형태를 포함하는 반도체 발광소자.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 전극층 아래에 형성된 전도성 지지부재를 포함하는 반도체 발광소자.
- 제 1항에 있어서,상기 보호층 및 돌기는 동일한 물질로 형성되며,상기 보호층으로부터 연장된 돌기는 하부의 폭이 상부의 폭보다 넓게 형성된 반도체 발광소자.
- 제1항에 있어서,상기 보호층으로부터 연장된 돌기는 상기 발광구조물의 외측면으로부터 5㎛ 이내로 형성되는 반도체 발광소자.
- 제1항에 있어서,상기 보호층으로부터 연장된 돌기는 상기 제1도전형 반도체층의 내부에 1~10㎛의 폭으로 접촉되는 반도체 발광소자.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 전극층의 폭은 상기 발광 구조물의 제2도전형 반도체층의 폭보다 크게 형성되며,상기 전극층의 외측은 상기 제2도전형 반도체층의 측면보다 외측으로 연장되며,상기 보호층은 상기 전극층과 상기 제2도전형 반도체층의 둘레부터 상기 전극층의 외측 상면까지 연장되어 형성된 반도체 발광소자.
- 제1항에 있어서,상기 보호층으로부터 연장된 돌기의 단면 형상은 반구 형상, 반 타원형상, 다각형 형상, 역 뿔 형상, 기둥 형상 중 어느 한 형상을 포함하는 반도체 발광소자.
- 전도성 지지부재;상기 전도성 지지부재 위에 전극층;상기 전극층 위에 제2도전형 반도체층, 상기 제2도전형 반도체층 위에 활성층 및 상기 활성층 위에 제1도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물;상기 제1도전형 반도체층에 전기적으로 연결된 전극; 및상기 전극층과 상기 제1도전형 반도체층 사이의 둘레에 형성된 절연 재질의 보호층을 포함하는 반도체 발광소자.
- 제13항에 있어서,상기 제1도전형 반도체층은 상기 활성층과 상기 보호층의 위에 배치되며,상기 보호층은 상기 활성층과 상기 제2도전형 반도체층의 외측 둘레를 따라 형성되는 반도체 발광소자.
- 제13항 또는 제14항에 있어서,상기 보호층은 연속적인 폐 루프 형태를 포함하는 반도체 발광소자.
- 제13항 또는 제14항에 있어서,상기 제1도전형 반도체층의 하면 폭은 상기 제1도전형 반도체층의 상면 폭보다 좁은 반도체 발광소자.
- 제13항 또는 제14항에 있어서,상기 보호층의 상면은 상기 제1도전형 반도체층의 하면과 제1폭으로 접촉되며,상기 보호층의 하면은 상기 전극층의 상면과 상기 제1폭보다 넓은 제2폭으로 접촉되는 반도체 발광소자.
- 제13항 또는 제14항에 있어서,상기 보호층의 내측은 상기 보호층의 외측 두께보다 얇은 두께로 형성되고 상기 제2도전형 반도체층과 상기 전극층 사이로 연장되는 반도체 발광소자.
- 제1항 또는 제2항 또는 제13항 중 어느 한 항에 있어서,상기 보호층은 SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3, TiO2 중 어느 하나를 포함하며,상기 전극층은 Al, Ag, Pd, Rh, Pt 중 적어도 하나를 포함하는 반도체 발광소자.
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