CN101853779B - 基板处理装置和排气方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种基板处理装置和排气方法，该排气方法能够防止由于从处理室容器(腔室)排出的排出气体中所含的带电的颗粒向排气流路的内壁面附着而造成的排气流路的堵塞。该排气方法是将基板处理装置的腔室(50)的容器内气体排出的排气方法，其中，该基板处理装置包括：收容处理对象的晶片(W)的腔室(50)；将腔室(50)的容器内气体排出的排气流路(51)；和沿着气体流通方向依次设置在排气流路(51)中的干式泵(52)以及收集排出气体中的有害成分的除害装置(53)，从与干式泵(52)的上游侧的排气流路(51)连接的离子化气体供给管(55)向在排气流路(51)中流动的排出气体中供给离子化气体，对排出气体中所含的带电的颗粒进行除电，与排出气体一起向***外排出。

Description

基板处理装置和排气方法

技术领域

本发明涉及基板处理装置和排气方法，特别涉及从基板处理装置的处理室容器排出容器内气体的排气方法。 

背景技术

近年来，半导体设备的小型化在逐步发展中，出现更为精细地形成半导体设备用基板的表面的电路图案的需求。伴随着这样的形成在基板表面的电路图案的精细化，需要将一直以来不成为问题的小粒径的颗粒，例如可能会在半导体设备中产生断线、损害元件特征的数十nm级别尺寸(例如30nm～80nm)的颗粒作为异物进行处理、控制。 

作为异物的颗粒吸附在作为其它部件的例如基板上的吸附力，随着粒径的减小，静电力成为支配因素。因此，在将被处理基板吸附、固定在静电卡盘(ESC)上进行等离子体蚀刻的基板处理装置中，避免带电的颗粒附着在被处理基板等其它部件的颗粒附着变得至关重要。 

图7是表示颗粒的尺寸(颗粒径)与其吸附力的关系的图。在图7中，纵轴表示吸附力(Deposition Velocity：沉积速度)(cm/s)，横轴表示粒径(nm)。由此可知，随着颗粒尺寸变小，静电力成为吸附力中的支配因素。因此，为了防止颗粒向被处理基板等吸附，不使基板带电，即消除基板处理装置内的静电积蓄的方法是有效的。 

另外，静电不只是颗粒向被处理基板等吸附的原因，有时还成为导致电子部件故障的原因。即，半导体设备有时会因1000V左右的静电而发生故障或损坏，在为了固定被处理基板而采用静电卡盘(ESC)的基板处理装置中，有时带电的被处理基板会在向其它零件放出电荷时受到损伤、残留放电弧坑，从而导致成品率降低。 

图8是用于说明基板处理装置中的静电影响的图。在图8中，该基板处理装置主要包括：对被处理基板(以下简称为“晶片”)实施规定处理的处理模块81；作为搬送晶片的搬送室的装载模块82；安装在 装载模块82上的用于收纳晶片的前开式一体盒83；连结装载模块82与处理模块81的负载锁定模块84。在处理模块81的处理室容器(以下称“腔室”)中，设置有排出容器内气体的排气流路85和干式泵86。 

在这样的基板处理装置中，积蓄在装置内的静电是产生以下问题的原因。即，积蓄在前开式一体盒83内的静电使浮游在前开式一体盒83内的颗粒带电，成为颗粒附着在晶片上的原因；在前开式一体盒83和收容在该前开式一体盒83中的晶片之间产生放电，成为在晶片W上产生放电弧坑的原因。另外，积蓄在装载模块82内的静电成为颗粒附着在晶片上的颗粒污染的原因。 

在负载锁定模块84中，因为反复进行大气压与真空之间加压和减压，所以静电容易积蓄。积蓄的静电成为颗粒向晶片等附着的原因。另外在处理模块81，照射等离子体时或晶片W从静电卡盘(ESC)脱附时晶片带电，成为颗粒向晶片附着。 

并且，在排出处理模块81的腔室内气体的排气流路85中，有时由处理气体的化学蚀刻反应等生成的反应生成物和未反应残留物，由于与排气流路85的内壁面的摩擦产生的静电而带电，在内壁面附着、堆积，堆积量逐渐增大，最终导致排气流路的堵塞。 

为了将基板处理装置各部位的由于静电引起的问题防患于未然，可以列举公开了现有技术的作为公知文献的专利文献1。专利文献1中公开了在锁气室内设置有除电器的方案，该锁气室是将作为被处理基板的晶片在处理室与外部之间搬入搬出的通路。除电器在锁气室内放出离子流，对离子性颗粒进行除电(除去静电)。之后，锁气室内的气体被抽真空，由此，将颗粒从锁气室排出、除去。 

另外，在专利文献1中，也记载了在排出、除去附着在锁气室的内壁的颗粒之后，将晶片搬入锁气室，对设置在晶片上方的电极施加考虑了晶片的带电状态的电压，由此使附着在晶片上的带电颗粒吸附在电极上。 

专利文献1：日本特开2003-353086号公报 

但是，在上述现有技术完全没有涉及避免由于从对被处理基板实施规定处理的腔室排出的排出气体中的带电的颗粒所引起的排气流路的堵塞的内容。 

另外，上述现有技术没有规定设置在搬送腔室内的除电器的具体的离子产生方法，但暗示了使用电晕放电作为均衡性良好地产生阳离子和阴离子的方法。但是，在使用通过电晕放电产生离子的方法的情况下，可能由于放电而产生颗粒，产生的颗粒附着在晶片上而成为新的污染源。 

发明内容

本发明的目的在于提供一种基板处理装置和排气方法，能够防止由于从基板处理装置的腔室排出的排出气体中所含的带电的颗粒向排气流路的内壁面附着而造成的排气流路堵塞。 

为实现上述目的，本发明第一方面的基板处理装置的特征在于，包括：收容被处理基板的处理室容器；将该处理室容器内的气体排出的排气流路；和设置在该排气流路中的一个或多个排气泵以及收集排出气体中的有害成分的除害装置，并且，在上述排气流路中设置有供给离子化气体的离子化气体供给部，该离子化气体用于对在该排气流路中流动的排出气体中所含的带电的颗粒进行除电。 

本发明第二方面的基板处理装置的特征在于，在上述第一方面所述的基板处理装置中，上述离子化气体供给部设置在至少一个上述排气泵、或者上述排气流路中的至少一个上述排气泵的正上方或正下方。 

本发明第三方面的基板处理装置的特征在于，在本发明第一或第二方面所述的基板处理装置中，上述离子化气体是包含阳离子和阴离子的气体。 

为了达成上述目的，本发明第四方面的基板处理装置的特征在于，包括：收容被处理基板的处理室容器；将该处理室容器内的气体排出的排气流路；和设置在该排气流路中的一个或多个排气泵以及收集排出气体中的有害成分的除害装置，并且，在上述排气流路中设置有气体离子化装置，其用于使在该排气流路中流动的排出气体离子化，对上述排出气体中所含的带电的颗粒进行除电。 

本发明第五方面的基板处理装置的特征在于，在本发明第四方面上述的基板处理装置中，上述气体离子化装置设置在至少一个上述排气泵的下游侧。 

本发明第六方面的基板处理装置的特征在于，在本发明的第四或第五方面所述的基板处理装置中，上述气体离子化装置是软X射线离子发生器、电晕放电离子发生器、局部等离子体、UV光照射型离子发生器中的任一个或多个。 

为了达成上述目的，本发明第七方面提供一种排气方法，其用于将基板处理装置所包括的收容被处理基板的处理室容器内的气体排出，其特征在于，上述基板处理装置还包括：将该处理室容器内的气体排出的排气流路；和设置在该排气流路中的一个或多个排气泵以及收集排出气体中的有害成分的除害装置，该排气方法包括离子化气体供给步骤，其用于向在上述排气流路中流动的排出气体供给离子化气体，对上述排出气体中所含的带电的颗粒进行除电。 

本发明第八方面的排气方法的特征在于，在本发明第七方面所述的排气方法中，向至少一个上述排气泵内或者上述排气流路中的至少一个上述排气泵的正上方或正下方供给上述离子化气体。 

本发明第九方面的排气方法的特征在于，在本发明第七或第八方面所述的排气方法中，上述离子化气体是包含阳离子和阴离子的气体。 

为了达成上述目的，本发明的第十方面提供一种排气方法，其用于将基板处理装置所包括的收容被处理基板的处理室容器内的气体排出，其特征在于，上述基板处理还装置包括：将该处理室容器内的气体排出的排气流路；和设置在该排气流路中的一个或多个排气泵以及收集排出气体中的有害成分的除害装置，该排气方法包括排出气体离子化步骤，其用于使在上述排气流路中流动的排出气体离子化，对该排出气体中所含的带电的颗粒进行除电。 

本发明第十一方面的排气方法的特征在于，在本发明第十方面所述的排气方法中，利用设置在至少一个上述排气泵的下游侧的气体离子化装置，将上述排出气体离子化。 

本发明第十二方面的排气方法的特征在于，在本发明第十一方面所述的排气方法中，上述气体离子化装置是软X射线离子发生器、电晕放电离子发生器、局部等离子体、UV光照射型离子发生器中的任一个或多个。 

发明效果 

根据本发明的第一方面的基板处理装置，在将处理室容器内的气体排出的排气流路中设置有供给离子化气体的离子化气体供给部，该离子化气体用于对在排气流路中流动的排出气体中所含的带电的颗粒进行除电，因此，能够用离子化气体对从腔室排出的排出气体中所含的带电的颗粒和排气流路内壁面进行除电，防止由于颗粒向排气流路的内壁面附着而导致排气流路堵塞。 

根据本发明的第二方面的基板处理装置，离子化气体供给部设置在至少一个排气泵或者排气流路中的至少一个排气泵的正上方或正下方，因此，能够迅速地对容易在从减压状态过渡为大气压状态的排气泵的下游侧的排出气体中生成的颗粒进行除电，防止向排气流路的内壁面附着。 

根据本发明的第三方面的基板处理装置和第九方面的排气方法，由于离子化气体是包含阳离子和阴离子的气体，所以阴离子与带正电的颗粒结合，阳离子与带负电的颗粒结合。在配管内壁面，由于气体分子与配管内壁面的摩擦而带电。对于配管内的带电，也能够通过导入离子化气体而除电。由此，能够对带电的颗粒进行除电，防止颗粒向排气流路内壁面附着。 

根据本发明的第四方面的基板处理装置，在将处理室容器内的气体排出的排气流路中设置有气体离子化装置，其用于使在排气流路中流动的排出气体离子化，对排出气体中所含的带电的颗粒进行除电，因此，能够利用离子化的排出气体对排出气体中所含的带电的颗粒进行除电，由此，能够防止由于颗粒向排气流路的内壁面附着而造成的排气流路的堵塞。 

根据本发明的第五方面的基板处理装置，因为气体离子化装置设置在排气泵的至少一个的下游侧，因此，能够迅速地对容易在从减压状态过渡为大气压状态的排气泵的下游侧的排出气体中生成的颗粒进行除电，防止颗粒向排气流路的内壁面附着以及排气流路的堵塞。 

根据本发明的第六方面的基板处理装置和第十二方面的排气方法，因为气体离子化装置为软X射线离子发生器、电晕放电离子发生器、局部等离子体、UV光照射型离子发生器中的任一个或多个，所以不会产生增加泵的负荷那样的过剩的颗粒，即使在大气压状态下，也 能够生成离子化气体，对带电的颗粒进行除电。 

根据本发明的第七方面的排气方法，向在排出处理容器内的气体的排气流路中流动的排出气体供给离子化气体，对排出气体中所含的带电的颗粒进行除电，因此，能够抑制颗粒向排气流路的内壁面附着，防止排气流路的堵塞。 

根据本发明的第八方面的排气方法，向至少一个排气泵内或者排气流路中的至少一个排气泵的正上方或正下方供给离子化气体，因此，能够迅速地对容易在从减压状态过渡为大气压状态的排气泵的下游侧的排出气体中生成的颗粒进行除电，防止颗粒向排气流路的内壁面附着以及排气流路的堵塞。 

根据本发明的第十方面的排气方法，使在排气流路中流动的排出气体离子化，利用离子化后的排出气体对排出气体中所含的带电的颗粒进行除电，因此能够防止颗粒向排气流路内壁面附着。 

根据本发明的第十一方面的排气方法，利用设置在至少一个排气泵的下游侧的气体离子化装置，将排出气体离子化，因此，能够迅速地对容易在从减压状态过渡为大气压状态的排气泵的下游侧的排出气体中生成的颗粒进行除电，防止颗粒向排气流路的内壁面附着。 

附图说明

图1是表示应用本发明实施方式的排气方法的基板处理装置的示意结构的平面图。 

图2是表示与图1的处理模块的处理室容器(腔室)连结的排气流路的示意结构的图。 

图3是表示排气流路内的静电的产生和颗粒附着的状况的说明图。 

图4是表示本发明的第一实施方式的基板处理装置及其变形例的主要部分的示意结构的图。 

图5是表示被导入排气流路内的离子化气体和排出气体中的颗粒的行为的说明图。 

图6是表示本发明的第二实施方式的基板处理装置及其变形例的主要部分的示意结构的图。 

图7是表示颗粒的尺寸与其吸附力的关系的图。 

图8是用于说明基板处理装置的静电的影响的图。 

符号说明 

10：基板处理装置；25：处理模块；40、50、60：处理室容器(腔室)；41、51、61：排气流路；42、52、62：干式泵；43、53、63：除害装置；44、54、64：活性炭吸附层；55：离子化气体供给管；66：软X射线离子发生器。 

具体实施方式

以下，参照附图详细说明本发明的实施方式。 

图1是表示应用本发明的实施方式的排气方法的基板处理装置的示意结构的平面图。 

在图1中，基板处理装置10具备：对作为被处理基板的晶片W实施RIE处理的两个处理舟11、分别连接两个处理舟11的矩形的作用共用搬送室的大气搬送室(以下称为“装载模块”)13。 

在装载模块13上除了连接有上述处理舟11之外，还连接有：三个前开式一体盒载置台15，用于分别载置收容例如25片晶片W的作为基板收纳容器的前开式一体盒14；对从前开式一体盒14搬出的晶片W的位置进行预定位的***16；和对已实施RIE处理后的晶片W进行后处理的后处理室(After Treatment Chamber)17。 

两个处理舟11按照与装载模块13的长度方向的侧壁连接并且夹着装载模块13与三个前开式一体盒载置台15相对向的方式配置，***16配置在装载模块13的长度方向的一端，后处理室17配置在装载模块13的长度方向的另一端。 

装载模块13具有：配置在内部、作为搬送晶片W的基板搬送单元的关节型双臂式的搬送臂机构19；作为三个前开式一体盒连接口的装载口20，其是按照与各前开式一体盒载置台15对应的方式配置在侧壁的晶片W的投入口。在装载口20，分别设置有开关门。搬送臂机构19，从载置在前开式一体盒载置台15上的前开式一体盒14经由装载口20取出晶片W，将该取出的晶片W向处理舟11、***16和后处理室17搬入搬出。 

处理舟11具有：具备对晶片W实施RIE处理的处理室容器(腔 室)的处理模块25；和内置有链型单片拾取式的搬送臂26的负载锁定模块27，该搬送臂26用于向该处理模块25交接晶片W。 

处理模块25具有圆筒状的腔室、以及配置在该腔室内的上部电极和下部电极，该上部电极与下部电极之间的距离设定为用于对晶片W实施RIE处理的合适的间隔。另外，下部电极在其顶部具有利用库仑力等卡住晶片W的ESC28。 

在处理模块25中，向腔室内部导入处理气体，例如溴化氢气体或氯气，通过在上部电极和下部电极间产生电场而使导入的处理气体等离子体化，从而产生离子和自由基，利用该离子和自由基对晶片W实施RIE处理，对晶片W上的例如多晶硅层进行蚀刻。 

在处理舟11中，装载模块13的内部的压力被维持在大气压，而另一方面，处理模块25的内部压力被维持为真空。因此，负载锁定模块27在与处理模块25的连结部具备真空闸阀29，并且在与装载模块13的连结部具备大气闸阀30，由此，构成为能够调节其内部压力的真空预备搬送室。 

在负载锁定模块27的内部，在大致中央部设置有搬送臂26，在比该搬送臂26更靠处理模块25一侧设置有第一缓冲器31，在比搬送臂26更靠装载模块13一侧设置有第二缓冲器32。第一缓冲器31和第二缓冲器32配置在支承部(拾取器)33移动的轨道上，该支承部配置在搬送臂26的前端部、用于支承晶片W，通过使已实施RIE处理后的晶片W暂时在支承部33的轨道的上方避让，能够在处理模块25中顺利地更换未进行RIE处理的晶片W和已完成RIE处理的晶片W。 

另外，基板处理装置10包括：对处理舟11、装载模块13、***16和后处理室17(以下总称为“各构成要素”)的动作进行控制的***控制器(未图示)；和配置在装载模块13的长度方向的一端的操作控制器21。 

***控制器，根据作为与RIE处理或晶片W的搬送处理相对应的程序的方案，控制各构成要素的动作。操作控制器21具有例如由LCD(Liquid Crystal Display：液晶显示器)构成的状态显示部，该状态显示部显示各构成要素的动作状态。 

图2是表示与图1的处理模块25的处理室容器(腔室)连结的排 气流路的示意结构的图。 

在图2中，设置于处理模块25内的腔室40的排气流路41主要包括作为排气泵的干式泵42，和收集、除去排出气体中的有害成分的除害装置43。 

在腔室40中，有时使用对环境或人体有毒的气体作为处理气体，还有时因化学蚀刻反应而生成有害物质。因此，在排出腔室40的容器内气体的排气流路41中，设置有除害装置43。在除害装置43的内部，例如设置有活性炭吸附层44，利用活性炭吸附层44吸附排出气体中所含的有害物质。有害物质被吸附、除去而得到的无害化的排出气体，例如向大气放出。 

不过，腔室内为接近真空的减压状态，而与其相比，干式泵42的后游侧接近大气压，因此排出气体温度降低，且在腔室40内生成的反应生成物、反应残渣等的浓度上升，在排出气体中凝集成为颗粒状物(颗粒)。之后，生成的颗粒由于与在排气流路内流动的排出气体之间的摩擦而带静电，由于静电力与其它的颗粒附着，堆积在排气流路的内壁面。另外，从腔室40排出的颗粒，与接地的排气流路的内壁面接触而被除电，但当在与其它的颗粒的结合中，与静电力相比分子间力作为支配因素的情况下，在由于排出气体流而流至下游之前，例如由于自重而在排气流路的内壁面附着、堆积。堆积物的表面由于与排出气体的摩擦而带电，吸引排出气体中的气体成分，因而堆积量增大。 

图3(A)、(B)是表示排气流路内的静电的产生和颗粒附着的状况的说明图。在图3(A)中可知，越靠近排气流路41的内壁面的部分摩擦越大，越容易产生摩擦引起的静电。另外，气体的流速最快的是配管的中心部，越靠近壁面流动越慢。因此，颗粒容易在配管内残留。另外，在图3(B)中，虽然排气流路41与地面连接，但由于附着在排气流路41的内壁面的颗粒P与排出气体的摩擦，颗粒P带电，其它的颗粒P进一步在其上面附着、堆积，堆积量增加，最终出现使排气流路堵塞的问题。 

为了避免将基板处理装置的腔室内气体排出的排气流路的由于颗粒的堆积而造成的堵塞，本发明的发明人进行了各种实验，发现：通过对排气流路内进行除电，即向排气流路内导入离子化气体，或者通 过使在排气流路中流通的排出气体离子化，能够对带电的颗粒进行除电，由此能够抑制颗粒向排气流路内壁面附着，防止排气流路的堵塞，从而实现本发明。 

以下对本发明的第一实施方式的基板处理装置进行说明。 

图4(A)是表示本发明的第一实施方式的基板处理装置的主要部分的示意结构的图，图4(B)是表示其变形例的图。在图4(A)中，该基板处理装置的结构主要包括：在用于对被处理基板晶片W实施规定的蚀刻处理的处理模块25内设置的腔室50；腔室50的排气流路51；沿着气体流通方向在排气流路51依次设置的干式泵52和除害装置53；和与干式泵52的上游侧的排气流路51a连接的作为离子化气体供给部的离子化气体供给管55。在除害装置53内设置有活性炭吸附层54。 

在这样结构的基板处理装置中，当将腔室50的容器内气体排出时，利用干式泵52吸引腔室50的容器内气体，在排气流路51a和51b中流通并被排出。这时，从与干式泵52的上游侧连接的离子化气体供给管55，导入离子化气体(离子化气体供给步骤)。离子化气体是指：包含阳离子和与阳离子等量的阴离子的气体，该阳离子通过从例如软X射线离子发生器向氮气等不活泼性气体照射软X射线，电子从氮原子飞出而产生。 

从离子化气体供给管55导入的离子化气体，与在排气流路51b中流动的排出气体中的颗粒结合，对带电的颗粒进行除电。即，带正电荷的颗粒与离子化气体中的阴离子结合而失去电荷，带负电荷的颗粒与离子化气体中的阳离子结合而失去电荷。失去电荷后的颗粒不在排气流路51b的内壁面附着，而是随着排出气体流流入除害装置53，在此，被过滤器(未图示)等收集、分离。因此，颗粒向排气流路51b的内壁面的附着被抑制。颗粒已被分离的排出气体，在有害物质被活性炭吸附层54分离、回收之后，向大气放出。另外，也可以将被除电后的颗粒与排出气体一起向基板处理装置的体系外排出，之后回收颗粒。 

图5是表示被导入排气流路51a内的离子化气体和排出气体中的颗粒P的行为的说明图。在图5中，通过向排出气体中导入离子化气体，因摩擦而带正电荷的颗粒P与离子化气体中的阴离子结合而失去 电荷，带负电荷的颗粒P与离子化气体中的阳离子结合而失去电荷。由此，颗粒向排气流路内壁面的附着被抑制。 

根据本实施方式，由于将离子化气体供给管55连接在排出腔室50的容器内气体的排气流路51中的干式泵52的上游侧，所以能够利用离子化气体对在排气流路51b中流动的排出气体中所含的带电的颗粒进行除电，而形成电中性。因此，能够抑制颗粒向排气流路51b的内壁面附着，防止排气流路51b的堵塞。 

另外，一直以来，为了避免排气流路51的堵塞，在排气流路的大致全部区域设置用于防止排出气体的温度降低的加热器，但通过应用本实施方式，能够大幅削减加热器的设置台数或取消加热器。 

在本实施方式中，优选将离子化气体供给管55设置在干式泵52的紧邻上游部。这是因为，排气流路51中干式泵52的上游侧(排气流路51a)的压力为真空(减压)状态，下游侧(排气流路51b)的压力为大气压状态，颗粒容易在大气压状态的排出气体内生成。另外，因为利用离子化气体的除电距离例如为1000mm以下，为了对排出气体中的颗粒进行高效除电，优选将离子化气体导入认为颗粒浓度高的大气压状态的排出气体所流通的排气流路51b的紧邻上游侧。 

在本实施方式中，将离子化气体导入管55设置在干式泵52的上游侧，但离子化气体导入管55的连接位置并不限定于干式泵52的上游侧，也可以设置在下游侧。在这种情况下，优选将离子化气体供给管55设置在干式泵52的紧邻下游部。由此，能够确保长的在排气流路51b内流通的排出气体和被导入的离子化气体直至除害装置53的混合路径，能够促进带电的颗粒的除电，防止由于颗粒附着而造成的排气流路51b的堵塞的效果得到提高。 

另外，在具备除害装置53的排气流路51中，通常为了稀释有害成分，向干式泵52导入有害成分稀释用的不活泼性气体，例如氮气。因此，能够使该有害成分稀释用气体离子化，将离子化的有害成分稀释用气体直接导入干式泵52。由此，能够消除设置新的气体供给***的必要。 

在将离子化气体导入管55设置在干式泵52的下游侧的情况下，以及将离子化后的有害成分稀释用气体直接导入干式泵52的情况下， 都与上述实施方式同样，对排出气体中所含的带电的颗粒进行除电，从而抑制颗粒向排气流路51b的内壁面附着，由此能够防止排气流路51b的堵塞。 

在表示图4(A)的变形例的图4(B)中，该基板处理装置与图4(A)的基板处理装置的不同之处在于：作为排气泵，沿着排气流路51的气体流通方向依次设置涡轮泵57和干式泵52，在干式泵52的正上方连接离子化气体供给管55。在这样结构的基板处理装置中，也与上述实施方式同样，能够抑制颗粒向排气流路51c的内壁面附着，防止排气流路51c的堵塞。 

图6(A)是表示本发明的第二实施方式的基板处理装置的主要部分的示意结构的图，图6(B)是表示其变形例的图。在图6(A)中，该基板处理装置与图4(A)的基板处理装置的不同之处在于：代替连接在干式泵的上游的离子化气体导入管，在干式泵的下游侧设置软X射线离子发生器。即，该基板处理装置主要的结构包括：在对被处理基板晶片W实施规定的蚀刻处理的处理模块25内设置的腔室60；腔室60的排气流路61；沿着气体流通方向在排气流路61中依次设置的干式泵62和除害装置63；和在干式真空泵62的下游侧的排气流路61b设置的软X射线离子发生器66。在除害装置63中设置有活性炭吸附层64。 

在这样结构的基板处理装置中，在排出腔室60的容器内气体时，容器内气体被干式泵62吸引，在排气流路61内流通并被排气。此时，从设置在干式泵62的下游侧的软X射线离子发生器66向排出气体照射软X射线，电子从排出气体成分飞出，生成阳离子。另一方面，也生成与阳离子等量的阴离子。这样一来，排出气体成分被离子化，形成离子化气体(排出气体离子化步骤)。排出气体中的带正电荷的颗粒与离子化气体的阴离子结合而被除电。并且，带负电荷的颗粒与离子化气体的阳离子结合而被除电。这样一来，排出气体中的带电的颗粒被除电，由于静电造成的颗粒向排气流路61b的内壁面的附着被抑制。被除电后的颗粒，不在排气流路61b的内壁面附着，而是随着排出气体流流入除害装置63，在此，被过滤器(未图示)等收集、分离。颗粒被分离后的排出气体，利用活性炭吸附层64除去有害物质之后，向 大气放出。另外，也可以将被除电后的颗粒与排出气体一起向基板处理装置的***外排出，之后分离颗粒。 

根据本实施方式，因为在腔室60的容器内气体的排气流路61中的干式泵62的下游侧设置软X射线离子发生器66，所以通过从软X射线离子发生器66向在排气流路61b中流通的排出气体照射软X射线，电子从排出气体成分放出，形成阳离子，并形成与生成的阳离子等量的阴离子。并且，排出气体中的带正电荷的颗粒吸附离子化气体中的阴离子而失去电荷，带负电荷的颗粒吸附离子化气体中的阳离子而失去电荷。由此，颗粒向排气流路61b的内壁面的附着被抑制。 

根据本实施方式，软X射线离子发生器66优选配置在干式泵62的紧邻下游部。这是因为，排气流路61中的干式泵62的上游侧(排气流路61a)的压力为真空(减压)状态，下游侧(排气流路61b)的压力为大气压状态，颗粒容易在大气压状态的排出气体内生成。另外，由软X射线离子发生器生成的离子化气体的除电距离例如为1000mm以下。因此，为了确保有效除电距离，并有效地对排出气体中的带电颗粒进行除电，优选在认为颗粒浓度高的干式泵62下游的大气压状态的排出气体的上游部附近，生成离子化气体。其中，软X射线例如指波长较短的0.1～10nm、能量较小的0.1～2keV的X射线。 

在本实施方式中，应用软X射线离子发生器66作为气体离子化装置，但作为软X射线离子发生器之外的气体离子化装置，可以使用达到同样作用效果的例如UV光照射型离子发生器或局部等离子体、电晕放电离子发生器等。 

在表示图6(A)的变形例的图6(B)中，该基板处理装置与图6(A)的基板处理装置的不同之处在于：作为排气泵，沿着排气流路61的气体流通方向依次设置涡轮泵67和干式泵62，在干式泵52的正下方设置软X射线离子发生器66。在这样结构的基板处理装置中，也与上述实施方式同样，能够抑制颗粒向排气流路61c的内壁面附着，防止排气流路61c的堵塞。 

在上述各实施方式中，实施等离子体处理的基板并不限定于半导体设备用的晶片，也可以是包括LCD(Liquid Crystal Display：液晶显示器)等在内的FPD(Flat Panel Display：平板显示器)等所使用的各 种基板或光掩模、CD基板、印刷基板等。 

另外，通过向***或装置提供储存有实现上述各实施方式功能的软件的程序代码的存储介质，该***或装置的计算机(或者CPU或MPU等)读出并执行存储在存储介质中的程序代码，也能够达成本发明的目的。 

在这种情况下，从存储介质中读出的程序代码自身实现上述各实施方式的功能，该程序代码以及存储该程序代码的存储介质构成本发明。 

另外，作为用于提供程序代码的存储介质，例如可以使用floppy(注册商标)盘、硬盘、磁光盘、CD-ROM、CD-R、CD-RW、DVD-ROM、DVD-RAM、DVD-RW、DVD+RW等光盘、磁带、非易失性存储卡、ROM等。另外，程序代码也可以通过网络下载。 

另外，不只有通过执行计算机读出的程序代码能够实现上述各实施方式的功能，还包括下述情况：基于该程序代码的指示，计算机上运行的OS(操作***)等执行实际处理的一部分或全部，利用该处理实现上述各实施方式的功能。 

并且，还包括下述情况：在从存储介质读出的程序代码被写入***在计算机中的功能扩展板或与计算机连接的功能扩展单元所具有的存储器中之后，基于该程序代码的指示，具备该扩展功能的扩展板或扩展单元所具有的CPU等执行实际处理的一部分或全部，通过该处理实现上述各实施方式的功能。 

Claims (12)

1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：

收容被处理基板的处理室容器；

将该处理室容器内的气体排出的排气流路；和

设置在该排气流路中的一个或多个的排气泵以及收集排出气体中的有害成分的除害装置，并且，

在所述排气流路中设置有供给离子化气体的离子化气体供给部，该离子化气体用于对在该排气流路中流动的排出气体中所含的带电的颗粒进行除电。

2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：

所述离子化气体供给部设置在至少一个所述排气泵，或者，所述离子化气体供给部设置在所述排气流路中的至少一个所述排气泵的紧邻上游部或紧邻下游部。

3.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于：

所述离子化气体是包含阳离子和阴离子的气体。

4.一种基板处理装置，其特征在于，包括：

收容被处理基板的处理室容器；

将该处理室容器内的气体排出的排气流路；和

设置在该排气流路中的一个或多个的排气泵以及收集排出气体中的有害成分的除害装置，并且，

在所述排气流路中设置有气体离子化装置，其用于使在该排气流路中流动的排出气体离子化，对所述排出气体中所含的带电的颗粒进行除电。

5.如权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于：

所述气体离子化装置设置在至少一个所述排气泵的下游侧。 

6.如权利要求4或5所述的基板处理装置，其特征在于：

所述气体离子化装置是软X射线离子发生器、电晕放电离子发生器、局部等离子体、UV光照射型离子发生器中的任一个或多个。

7.一种排气方法，其用于将基板处理装置所包括的收容被处理基板的处理室容器内的气体排出，其特征在于：

所述基板处理装置还包括：将该处理室容器内的气体排出的排气流路；和

设置在该排气流路中的一个或多个的排气泵以及收集排出气体中的有害成分的除害装置，

该排气方法包括离子化气体供给步骤，其用于向在所述排气流路中流动的排出气体供给离子化气体，对所述排出气体中所含的带电的颗粒进行除电。

8.如权利要求7所述的排气方法，其特征在于：

向至少一个所述排气泵内或者所述排气流路中的至少一个所述排气泵的紧邻上游部或紧邻下游部供给所述离子化气体。

9.如权利要求7或8所述的排气方法，其特征在于：

所述离子化气体是包含阳离子和阴离子的气体。

10.一种排气方法，其用于将基板处理装置所包括的收容被处理基板的处理室容器内的气体排出，其特征在于：

所述基板处理装置还包括：将该处理室容器内的气体排出的排气流路；和

设置在该排气流路中的一个或多个的排气泵以及收集排出气体中的有害成分的除害装置，

该排气方法包括排出气体离子化步骤，其用于使在所述排气流路中流动的排出气体离子化，对该排出气体中所含的带电的颗粒进行除电。 

11.如权利要求10所述的排气方法，其特征在于：

利用设置在至少一个所述排气泵的下游侧的气体离子化装置，将所述排出气体离子化。

12.如权利要求11所述的排气方法，其特征在于：

所述气体离子化装置是软X射线离子发生器、电晕放电离子发生器、局部等离子体、UV光照射型离子发生器中的任一个或多个。 

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