CN101840986A

CN101840986A - 半导体发光器件及其制造方法

Info

Publication number: CN101840986A
Application number: CN201010135750.1A
Authority: CN
Inventors: 小岛章弘; 杉崎吉昭
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2009-03-18
Filing date: 2010-03-10
Publication date: 2010-09-22
Also published as: JP2010219377A; TW201037869A; US8174027B2; US20100237368A1; US20120178192A1

Abstract

本发明涉及半导体发光器件及其制造方法。一种半导体发光器件包括：衬底，其包括第一主表面和第二主表面，所述第一主表面包括凹陷和凸起，所述第二主表面形成在与所述第一主表面相反的一侧上；第一电极，其设置在所述第一主表面上；半导体发光元件，其设置在所述第一电极上并电连接到所述第一电极；第二电极，其设置在所述第二主表面上；以及贯通电极，其被设置为穿过在所述凹陷处的所述衬底并电连接所述第一电极和所述第二电极。

Description

半导体发光器件及其制造方法

相关申请的交叉引用

本申请基于在2009年3月18日提交的在先的日本专利申请No.2009-065646并要求其优先权，并通过引用将其全部内容并入到这里。

技术领域

本发明涉及半导体发光器件及其制造方法。

背景技术

虽然用于照明的半导体发光器件在一些情况下需要单色光发射，但是基本上仍需要接近太阳光的白光。白光半导体光源包括基色(RGB)器件阵列、使用通过蓝光发光器件与由在蓝光发光器件的衬底缺陷处的自激励光发射所产生的黄光而实现的颜色混合的赝白光源、使用紫外发光器件的基色荧光材料激励光源等等(例如，JP-A 2007-243054(KoKai)，JP-A2008-112867(KoKai)以及JP-A 2006-339060(KoKai))。

对于这样的半导体发光器件，已知去除在晶体生长期间使用的发光器件衬底的技术，例如JP-A 2004-284831(KoKai)、Pioneer R&D，2000，Vol.12，No.3，p.77等等。用于密封晶片形式的功能器件的已知技术包括Electronic Components & Technology Conference，2008，p.824等等。

在利用半导体发光器件替代白炽灯泡和荧光灯作为照明的情况下，需要相对高的光输出。因此，半导体发光器件的不充分散热易于造成不希望地劣化用于保护半导体发光器件的密封树脂。

半导体发光器件本身的寿命比白炽灯泡的寿命长得多。半导体发光器件变得不稳定的主要原因包括电极部分的金属的氧化、劣化和过热、由振动导致的内部金线短路等等。产品寿命是指透光能力由于密封树脂劣化而下降并且发光量下降到恒定值之下时的点。具体而言，在使用发射蓝到紫外光的发光器件的荧光材料激励型的部件中的树脂易于由于来自激励器件和紫外线的热而劣化；因此难以实现高输出和长寿命。

在其中发光器件被安装在硅衬底等等上的封装结构中，由于需要良好的散热性和柔韧性等等，因此希望衬底较薄。然而，从易于处理、可靠性等等的方面考虑，当使衬底的整个表面变得更薄时会遇到一些限制。

发明内容

根据本发明的一方面，提供一种半导体发光器件，其包括：衬底，其包括第一主表面和第二主表面，所述第一主表面包括凹陷和凸起，所述第二主表面形成在与所述第一主表面相反的一侧上；第一电极，其设置在所述第一主表面上；半导体发光元件，其设置在所述第一电极上并电连接到所述第一电极；第二电极，其设置在所述第二主表面上；以及贯通电极，其被设置为穿过在所述凹陷处的所述衬底并电连接所述第一电极和所述第二电极。

根据本发明的另一方面，提供一种制造半导体发光器件的方法，包括以下步骤：在包括第一主表面和第二主表面的衬底的所述第一主表面上形成第一电极，所述第一主表面包括凹陷和凸起，所述第二主表面形成在与所述第一主表面相反的一侧上；在所述凹陷处的所述衬底中形成连接孔以在所述第一主表面与所述第二主表面之间连通；在所述连接孔中和所述第二主表面上形成第二电极；电连接所述第一电极和所述第二电极；以及在所述第一电极上安装半导体发光元件。

根据本发明的又一方面，提供一种制造半导体发光器件的方法，包括以下步骤：在衬底的第一主表面上形成第一电极；在所述衬底中形成连接孔以从所述第一主表面连通到第二主表面，所述第二主表面位于与所述第一主表面相反的一侧上；在所述连接孔中和所述第二主表面上形成第二电极；电连接所述第一电极和所述第二电极；在所述第一电极上安装半导体发光元件；形成牺牲层以覆盖所述半导体发光元件；在所述牺牲层上形成加强膜；通过在所述加强膜中形成的开口去除所述牺牲层，以在所述半导体发光元件与所述加强膜之间形成间隙；在所述加强膜上形成荧光材料；以及进行热处理以改造(reform)所述荧光材料。

附图说明

图1是根据实施例的半导体发光器件的示意性截面视图；

图2是示出了半导体发光器件的主要部件的平面布局的示意性视图；以及

图3A到6C是示出了用于制造根据该实施例的半导体发光器件的方法的示意性视图。

具体实施方式

下面将参考附图描述本发明的实施例。虽然在这里描述了作为实例的几个特定的配置，但本发明并不局限于下文中描述的实施例；并且使用具有相似功能的配置同样可以实施本发明。

图1是根据实施例的半导体发光器件的示意性截面视图。图2示例了在图1中示例的主要部件的平面布局实例。图1对应于沿图2的线A-A’截取的截面。

根据该实施例的半导体发光器件具有这样的结构，其中具有芯片构造的半导体发光元件20被安装在衬底3上。

衬底3是导热性的，并且为例如硅衬底。还可以使用蓝宝石、SiC等等作为衬底3。硅衬底相对廉价并非常易于加工。

衬底3具有第一主表面和形成在与第一主表面相反的一侧上的第二主表面。如下所述，使用掩模(例如，氧化硅膜)8选择性地蚀刻第一主表面以形成凹陷和凸起。

半导体发光元件20包括n型半导体1和p型半导体2。在n型半导体1与p型半导体2之间的pn结形成发光部分。一个实例包括在这样的结构中在n型半导体1与p型半导体2之间使用具有相对大的带隙的半导体(例如，GaN)，在所述结构中，将具有相对小的带隙的半导体(例如，InGaN)***到n型半导体1与p型半导体2之间作为激活层。注入的载流子(少数载流子)被有效地限制在激活层中，并且通过少数载流子复合时的有效光发射获得高发光效率。半导体发光元件20不局限于发光二极管，还可以包括LD(激光二极管)。

电介质膜9覆盖其中形成有凹陷和凸起的衬底3的第一主表面。从而，半导体发光元件20与衬底3电绝缘。在电介质膜9上形成n侧互连电极4和p侧互连电极5以形成第一电极。n侧互连电极4和p侧互连电极5被分离地设置在凸起3a上且彼此绝缘分离。

通过n侧接合金属6和p侧接合金属7在n侧互连电极4和p侧互连电极5上安装半导体发光元件20。在半导体发光元件20中，通过n侧接合金属6使n型半导体1电连接到n侧互连电极4；并且通过p侧接合金属7使p型半导体2电连接到p侧互连电极5。半导体发光元件20安装在衬底3的第一主表面的凸起3a上。

例如，n侧接合金属6和p侧接合金属7由诸如焊料、银膏、金凸起等等的导电材料制成，并通过热熔、热固化、超声接合等将具有芯片构造的半导体发光元件20接合到n侧接合金属6和p侧接合金属7。

在n侧互连电极4和p侧互连电极5上设置加强膜15。还通过间隙30以穹顶结构将加强膜15设置在半导体发光元件20上方。在加强膜15上设置荧光材料10。半导体发光元件20的光提取表面通过间隙30和加强膜而与荧光材料10相对。

荧光材料10被半导体发光器件20所发射的光激励而发射具有不同于半导体发光元件20的波长的光。荧光材料10的实例包括例如用于红光的Y₂O₂S:Eu、YVO₄:Eu等；用于绿光的ZnS:(Cu，Al)、(Ba，Mg)Al₁₀O₁₇:(Eu，Mn)等；用于蓝光的(Ba，Mn)Al₁₀O₁₇:Eu、(Sr，Ca，Ba，Mg)₁₀(PO₄)₆C₁₂:Eu等。

加强膜15具有在间隙30之上稳定并保持荧光材料10以及密封间隙30的作用。加强膜15为电介质，以防止与n侧互连电极4和p侧互连电极5短路。加强膜15对于半导体发光元件20的光发射波长是透明的并具有透射半导体发光元件20所发射的光的能力。例如，可以使用氧化硅膜作为加强膜15来实现这样的功能。

透镜16被设置在荧光材料10上并具有漫射(diffuse)和扩展(spread)由半导体发光元件20和荧光材料10所发射的光的功能。例如，通过将树脂涂敷到荧光材料10上，随后使用模板将树脂压印(imprint)为凹入结构，来形成透镜16。

虽然在该实施例中主要从n型半导体1的顶面提取用于激励荧光材料10的光，但半导体材料通常具有高折射率，因此大量的反射发生在与空气(或真空)的界面处。例如，在其中光发射波长为380nm的GaN n型半导体1的情况下，当从n型半导体1输出时，会不希望地反射约20％的光。

因此，希望通过在安装半导体发光元件20之前或之后在半导体发光元件20的顶面(光提取表面)上形成抗反射涂层(下文中称为“AR涂层”)40来提高效率。在该情况下，当从n型半导体1输出时，提供具有1.6的折射率和59nm的厚度的氮化物膜和氧化物膜作为AR涂层40可以将反射减小到0.004％或更小。通过提供65nm的SiO₂膜，可以将反射抑制到约0.9％。还可以通过在n型半导体1的光提取表面上提供小于光发射波长的凹陷和凸起来抗反射。

在衬底3的第二主表面上设置n侧底面接合电极11和p侧底面接合电极12作为第二电极。通过形成在第二主表面上的电介质膜(例如由诸如聚酰亚胺的树脂材料制成)13使n侧底面接合电极11和p侧底面接合电极12与衬底3绝缘。同样通过电介质膜13使n侧底面接合电极11和p侧底面接合电极12彼此绝缘隔离。

在衬底3中形成从凹陷3b的底表面到第二主表面的通孔。在每一个通孔的内部设置贯通电极(through-electrode)18。贯通电极18穿过在凹陷3b的底面上的n侧互连电极4下方形成的电介质膜9，以便电连接n侧互连电极4和n侧底面接合电极11。相似地，贯通电极18穿过在凹陷3b的底面上的p侧互连电极5下方形成的电介质膜9，以便电连接p侧互连电极5和p侧底面接合电极12。还在通孔侧壁上设置电介质膜13，以使贯通电极18与衬底3绝缘。

在第二主表面侧上在n侧底面接合电极11的暴露部分上和p侧底面接合电极12的暴露部分上设置外部连接端子14，以连接到外部电路。例如，外部连接端子14可包括焊料球、金属凸起等等。

可以通过在衬底3上安装多个芯片(半导体发光元件20)来实现平面照明。通过使衬底3变薄以提供柔韧性，可以实现具有曲面构造的照明光源，以便能够应用于宽范围的应用。例如，可以用作可弯曲的液晶显示器的背光。

然而，在为了提供柔韧性而均匀减薄衬底3的整个表面的情况下，衬底3的强度也容易减小。因此，在该实施例中，通过在衬底3的第一主表面侧上形成凹陷和凸起，同时研磨第二主表面的整个表面以均匀减薄(如下所述)，可以在确保强度的同时减小厚度。

在凹陷3b下方的薄的部分中形成连接孔和贯通电极18，以提供从设置在安装有半导体发光元件20的第一主表面侧上设置的n侧互连电极4和p侧互连电极5到第二主表面侧的引出(draw-out)。换言之，因为连接孔和贯通电极18形成在具有相对小的纵横比(深度与孔直径的比率)的部分中，因此工艺更容易；贯通电极18的可填充性更好；防止出现贯通电极18的未填充部分；并且可以改善可靠性。

从确保强度的方面考虑，希望在衬底3的第一主表面侧上凸起3a的上面的表面积大于凹陷3b的底面。通过将半导体发光元件20安装在具有相对大的表面积的凸起3a的上面上，可以增加一个衬底3的发光区域并实现较高的输出。

虽然在半导体发光器件被用于照明的情况下需要较高的输出，但是较高的输出却伴随着发光元件所发射的光和热的量的增加。因为该实施例具有这样的结构，其中荧光材料10不直接覆盖半导体发光元件20并且在半导体发光元件20与荧光材料10之间存在间隙30，因此可以减小来自半导体发光元件20的光和热对荧光材料10的树脂部件的影响，并可以抑制树脂部件的劣化。同样，可以将半导体发光元件20所发射的热通过导热性的衬底(例如，硅衬底)3而驱散到第二主表面侧。该驱散还减小了热对荧光材料10的影响。因此，根据该实施例的半导体器件在提供较高输出的同时还可以实现长寿命。

在间隙30中的气氛的压力为大气压力或更大并且例如半导体发光元件20所发射的光为紫外光的情况下，由于反射、漫射等等，向间隙30的外部上的荧光材料10光提取的效率容易降低。因此，希望使间隙30中的压力低于大气压力。间隙30中的较低压力还可以提高隔热效果，并可以更有效地抑制来自半导体发光元件20的热对荧光材料10的影响。

与荧光材料10直接限定间隙30的情况相比，通过在间隙30与荧光材料10之间设置加强膜15，可以抑制荧光材料10的劣化。

下面将参考图3A到图6C描述制造根据该实施例的半导体发光装置器件的方法。

首先，如图3A所示，在衬底3的第一主表面上选择性地形成掩模8。使用掩模8作为掩模，进行各向异性蚀刻以形成凹陷3b和凸起3a。例如，通过热氧化在硅衬底3的第一主表面的整个表面上形成具有约5μm厚度的氧化硅膜，然后使用抗蚀剂构图该氧化硅膜，由此形成掩模8。

在形成掩模8之后，使用例如用KOH的湿法蚀刻来各向异性蚀刻未形成掩模8的部分，由此形成凹陷3b。在掩模8下方的没有发生蚀刻的部分形成了具有梯形截面构造的凸起3a。凸起3a与凹陷3b之间的高度差(凹陷3b的深度)为例如约100μm。KOH的硅对氧化硅(SiO₂)的蚀刻选择比为约100∶1。氧化硅掩模8需要具有至少1μm的厚度。

然后，如图3B所示，将电介质膜9形成为覆盖第一主表面。然后，在电介质膜9上形成n侧互连电极4和p侧互连电极5。电介质膜9为例如通过CVD(化学气相沉积)形成的具有约2μm厚度的氧化硅膜。n侧互连电极4和p侧互连电极5为例如通过溅射形成的具有约1μm厚度的铝膜。将这些铝膜形成在电介质膜9的整个表面上，然后通过湿法蚀刻去除不需要的部分而被构图为希望的电极构造。

接着，研磨衬底3的与安装有半导体发光元件的面相反的面上的第二主表面(底面)的整个表面，以减薄衬底3。然后，如图3C所示，通过例如RIE(反应离子蚀刻)在第二主表面中形成连接孔22。在凹陷3b下方的部分中形成从第二主表面到电介质膜9的连接孔22。

然后，例如，在第二主表面上和连接孔22中涂敷光敏聚酰亚胺膜。然后，在聚酰亚胺膜的接触电介质膜9的部分中形成开口(图3D)。在开口处暴露的电介质膜9中形成连接孔23，如图4A中所示。连接孔23穿过形成在凹陷3b的底面上的电介质膜9并到达n侧互连电极4和p侧互连电极5。

接下来，如图4B所示，将贯通电极18填充到连接孔22和23中，同时在第二主表面上形成n侧底面接合电极11和p侧底面接合电极12。例如，这些电极由通过镀敷形成的铜材料构成。从而，通过贯通电极18将在第一主表面上的n侧互连电极4连接到第二主表面上的n侧底面接合电极11；并且通过贯通电极18将在第一主表面上的p侧互连电极5连接到第二主表面上的p侧底面接合电极12。

然后，如图4C所示，在凸起3上的n侧互连电极4和p侧互连电极5上分别形成n侧接合金属6和p侧接合金属7。然后，通过倒装芯片接合将具有芯片构造的半导体发光元件20接合到n侧接合金属6和p侧接合金属7。例如，通过预先在n侧接合金属6和p侧接合金属7侧上形成Au并在半导体发光元件20侧上形成Sn，在其之间进行位置对准，并通过热熔形成共晶AuSn，来进行该接合。可替代地，通过预先在n侧接合金属6和p侧接合金属7侧或半导体发光元件20侧的任一者上进行镀敷来形成AuSn共晶焊料。或者，使用除共晶焊料之外的其他焊料材料。还可以使用诸如Ag膏的金属粉末树脂混合物。

与上述用于衬底3的工艺分离地，通过外延生长等等在发光元件衬底17上形成半导体发光元件20。为了能够在安装期间更易于处理，在每一个相对厚的发光元件衬底17上安装发光元件20。

虽然在图4C中为每一个发光元件20分离地安装发光元件衬底17，但可以形成发光元件衬底17而不使其分离，并且可以在发光元件衬底17上将多个发光元件20形成为岛状形状。

在安装之后，由于发光元件衬底17被设置在光提取表面侧的位置处，为了减小发光元件衬底17的光吸收并通过下面描述的工艺经由上述间隙30形成加强膜15和荧光材料10，执行去除发光元件衬底17的工艺(图5A)以将芯片厚度减小到最小的必要厚度。例如，可以通过抛光、蚀刻、通过间隔物剥离、激光剥离等等来去除发光元件衬底17。在去除发光元件衬底17之后，剩余的半导体发光器件20的厚度为约5到10μm。

在去除发光元件衬底17之后，在晶片的整个表面上形成AR涂层40。然后，去除在半导体发光元件20上的除了光提取表面之外的部分上的AR涂层40。AR涂层40为例如通过等离子体CVD(化学气相沉积)在250℃下形成的具有约65nm的厚度的SiO₂膜。在此时通过例如AuSn焊料接合半导体发光元件20，由此可以防止由于焊料熔化而使半导体发光元件20移动。

接着，如图5B所示，在衬底3的凸起3a上选择性地形成牺牲层21以覆盖半导体发光元件20。有机材料适于作为牺牲层21的材料；例如，可以使用聚酰亚胺。

考虑到随后形成的间隙30的高度，牺牲层21距离半导体发光元件20(n型半导体1)的顶面的厚度为约3到5μm。在晶片的整个表面上形成牺牲层21。然后，通过等离子处理进行的干法蚀刻、碱性显影剂等等进行构图以去除牺牲层21的不必要的部分，以仅仅留下用于限定间隙30的部分。

然后，如图5C所示，形成加强膜(例如，氧化硅膜)15，以覆盖牺牲层21、n侧互连电极4和p侧互连电极5。在牺牲层21上的加强膜15的一部分中形成用于去除牺牲层21的开口。例如，通过光刻和干法蚀刻以具有2μm的直径和10μm的间距的格子结构来形成多个开口。

通过所述开口从半导体发光元件20上方去除牺牲层21。例如，可以通过O₂等离子体灰化来去除由聚酰亚胺制成的牺牲层21。为了缩短灰化时间，引入到腔中的气体包括将若干个百分比的CF₄加入到O₂中得到的混合物或形成气体(其中H₂被N₂稀释到不大于3％的气体混合物)与O₂的混合物。然而，希望确保CF₄气体的混合比率不高到发生近干法蚀刻状态。换言之，希望将F对主要的O₂气体的流动速率比率保持为不大于3％，这是因为当F与形成n侧互连电极4和p侧互连电极5的Al键合时会劣化n侧互连电极4和p侧互连电极5的特性。

图6A示例了在去除牺牲层21之后的状态。去除牺牲层21留下了被半导体发光元件20的周围和上方的加强膜15所包围的间隙30。

例如，通过CVD形成氧化硅膜来塞填(plug)用于去除牺牲层21的开口。通过沉积氧化硅膜来塞填开口，以使其从开口的边缘伸出(overhang)。

虽然随后形成荧光材料，但是，通常地，通过将细小粉末分散在基体(matrix)树脂中以形成膏状；使用丝网印刷；然后通过诸如热处理、紫外固化等等的方法进行固化，来形成荧光材料。可以将诸如丙烯酸、聚酯、硅酮(silicone)、环氧树脂以及聚酰亚胺的各种树脂用作基体树脂。然而，由于树脂决定了产品的寿命，因此树脂的使用缩短了半导体发光元件自身的寿命。

然而，为了形成具有希望的荧光发射的荧光材料而不使用树脂，需要在约450℃的高温下进行热处理。因此，从器件性能劣化的方面考虑，不希望荧光材料以直接接触的方式覆盖半导体发光元件20。

因此，通过以下方法制备该实施例的荧光材料10。

例如，通过在Ar/O₂气体混合物气氛中溅射Ba、Mn、Al、Eu、Sr、Ca、Ba、Mg、P和C的多个靶，如图6B所示在加强膜15上形成荧光材料10。然后，需要加热荧光材料10以获得希望的荧光发光特性。然而，需要防止此时的加热造成的半导体发光元件20的特性的劣化。

因此，在该实施例中，如图6C所示，通过激光辐射从荧光材料10的顶面(与接触加强膜15的面相反的一侧上的面)侧仅仅局部加热荧光材料10；改造荧光材料10以改变其特性(结晶性、尺寸、表面形貌等等)；从而获得希望的荧光发射。

此时，由于在荧光材料10与半导体发光元件20之间的间隙30，荧光材料10的热不容易传导到半导体发光元件20。此外，激光辐射是从荧光材料10的顶面侧进行的，所以不会加热整个晶片。因此，可以抑制衬底3的温度增加，还可以防止由从衬底3传导到半导体发光元件20的热导致的在衬底3上安装的半导体发光元件20的温度增加。因此，抑制了在加热荧光材料10时半导体发光元件20的温度增加和特性劣化。

荧光材料10不直接限定间隙30，而是通过加强膜15而稳定并保持在间隙30上方。例如，加强膜15为氧化硅膜并且在激光加热荧光材料10期间的温度(约450到500℃)下不会熔化。因此，即使在荧光材料10由于激光加热而处于流体状态时，也可以稳定和保持间隙30。

考虑到在去除牺牲层21之后要塞填开口，需要使在覆盖牺牲层21的膜中形成的用于去除牺牲层21的开口是微细的。这里，在参考图5B描述的工艺之后将荧光材料直接形成在牺牲层21上而不形成加强膜15的情况下，需要在荧光材料中形成用于去除牺牲层21的微细的开口。然而，通常难以在荧光材料中制造微细的开口。相反地，可以容易地在由例如氧化硅膜形成的加强膜15中制造微细的开口。

在激光退火荧光材料10之后，在荧光材料10上形成图1所示的透镜16。例如，通过旋涂将甲基硅氧烷涂敷到荧光材料10上；使模板接触涂敷膜；然后构图凹陷结构。

此后，形成外部连接端子14，并进行切割等以从晶片形式分离希望的片，由此获得图1示出的结构。

可以以晶片形式共同地进行上述的形成各部件直到切割的工艺，从而能够进行低成本制造。

可以从第一主表面侧或从第二主表面侧形成从衬底的第一主表面连通到第二主表面的连接孔。

在上文中，参考特定的实例描述了本发明的示例性实施例。然而，本发明不局限于此，而是可以基于本发明的技术精神进行各种修改。换言之，在不背离本发明的主旨的情况下，与在上述示例性实施例中示例的情况不同的材料、尺寸、以及工艺条件也是可实施的。

Claims

1.一种半导体发光器件，包括：

衬底，其包括第一主表面和第二主表面，所述第一主表面包括凹陷和凸起，所述第二主表面形成在与所述第一主表面相反的一侧上；

第一电极，其设置在所述第一主表面上；

半导体发光元件，其设置在所述第一电极上并电连接到所述第一电极；

第二电极，其设置在所述第二主表面上；以及

贯通电极，其被设置为穿过在所述凹陷处的所述衬底并电连接所述第一电极和所述第二电极。

2.根据权利要求1的器件，还包括荧光材料，其通过间隙而设置在所述第一主表面上方和所述半导体发光元件上方。

3.根据权利要求2的器件，其中在所述间隙与所述荧光材料之间设置加强膜，所述加强膜为电介质且对于所述半导体发光元件所发射的光是透明的。

4.根据权利要求1的器件，其中所述半导体发光元件被安装在所述凸起的上表面上。

5.根据权利要求1的器件，其中所述衬底的所述凸起的上表面的表面积大于所述衬底的所述凹陷的底表面的表面积。

6.根据权利要求5的器件，其中所述半导体发光元件被安装在所述凸起的所述上表面上。

7.根据权利要求1的器件，其中在所述半导体发光元件的表面上设置抗反射涂层。

8.根据权利要求1的器件，其中在所述衬底与所述第一电极之间、以及所述衬底与所述第二电极之间设置电介质膜。

9.根据权利要求1的器件，还包括互连金属，其设置在所述凸起的侧表面上并被连接到所述第一电极和所述贯通电极。

10.一种制造半导体发光器件的方法，包括以下步骤：

在包括第一主表面和第二主表面的衬底的所述第一主表面上形成第一电极，所述第一主表面包括凹陷和凸起，所述第二主表面形成在与所述第一主表面相反的一侧上；

在所述凹陷处的所述衬底中形成连接孔以在所述第一主表面与所述第二主表面之间连通；

在所述连接孔中和所述第二主表面上形成第二电极；

电连接所述第一电极和所述第二电极；以及

在所述第一电极上安装半导体发光元件。

11.根据权利要求10的方法，还包括在形成所述连接孔之前研磨所述衬底的所述第二主表面以减薄所述衬底。

12.根据权利要求10的方法，其中所述半导体发光元件形成在发光元件衬底上，并且在所述发光元件衬底附着在所述发光元件上的条件下将所述半导体发光元件安装在所述第一电极上。

13.根据权利要求12的方法，其中在安装所述半导体发光元件之后去除所述发光元件衬底。

14.一种制造半导体发光器件的方法，包括以下步骤：

在衬底的第一主表面上形成第一电极；

在所述衬底中形成连接孔以从所述第一主表面连通到第二主表面，所述第二主表面位于与所述第一主表面相反的一侧上；

在所述连接孔中和所述第二主表面上形成第二电极；

电连接所述第一电极和所述第二电极；

在所述第一电极上安装半导体发光元件；

形成牺牲层以覆盖所述半导体发光元件；

在所述牺牲层上形成加强膜；

通过在所述加强膜中形成的开口去除所述牺牲层，以在所述半导体发光元件与所述加强膜之间形成间隙；

在所述加强膜上形成荧光材料；以及

进行热处理以改造所述荧光材料。

15.根据权利要求14的方法，其中所述热处理包括从所述荧光材料的顶表面侧激光辐射所述荧光材料。

16.根据权利要求14的方法，还包括在形成所述连接孔之前研磨所述衬底的所述第二主表面以减薄所述衬底。

17.根据权利要求14的方法，其中所述半导体发光元件形成在发光元件衬底上，并且在所述发光元件衬底附着在所述发光元件上的条件下将所述半导体发光元件安装在所述第一电极上。

18.根据权利要求17的方法，其中在安装所述半导体发光元件之后去除所述发光元件衬底。

19.根据权利要求14的方法，还包括在形成所述第一电极之前在所述衬底的所述第一主表面上形成凸起和凹陷，所述第一电极形成在所述凸起上。

20.根据权利要求19的方法，其中所述连接孔被形成为从所述衬底的所述第二主表面到达所述第一主表面的所述凹陷。