CN110494990B - 用于生产光电元件的方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种用于生产具有发光部件(1)的光电元件的方法，其中至少在发光部件(1)的发光侧的一部分上方布置牺牲层(9)，其中至少在牺牲层(9)的外表面的一部分中形成倒置光学结构，其中牺牲层(9)的外表面被光透明层(13)覆盖，其中倒置光学结构被转移到光透明层(13)的内侧形成光学结构(18)，其中去除牺牲层(9)并且在发光部件(1)与光透明层(13)之间形成间隙，并且其中光透明层(13)在其内侧包括光学结构(18)。

Description

用于生产光电元件的方法

技术领域

本发明涉及一种用于生产具有发光部件的光电元件的方法并且涉及一种光电元件。

该专利申请要求国际专利申请PCT/EP2017/051108的优先权，该申请通过引用并入本文。

背景技术

在现有技术中，已知生产具有发光部件的光电元件，其中发光部件被透明层覆盖，其中透明层在内侧包括光学结构。提供光学结构以引导由发光部件在预定方向上发射的光。

在现有技术中，已知使用牺牲层在LED和透镜之间产生气隙，这来自US 7052821B1或文章：“使用基于聚合物的气隙的低成本MEMS封装(Low-cost MEMS packaging usingpolymer-based air-gaps)”，E.Uzunlar等人，ECS会报，61“3”第237-242页(2014)，电气学会。

发明内容

所提出的申请的目的是提供一种用于生产具有发光部件的光电元件的方法。

这些目的是通过独立权利要求实现的。从属权利要求描述了所提出的方法或所提出的光电元件的其它实施例。

提出了一种用于生产具有发光部件的光电元件的方法，其中至少在部件的发光侧的一部分上方布置牺牲层，其中至少在牺牲层的外表面的一部分中形成倒置(反转，inverted)光学结构，其中牺牲层的外表面被光透明层覆盖，其中倒置光学结构被转移到透明层的内侧，其中去除牺牲层并且在部件与光透明层之间形成间隙，其中光透明层在内侧包括光学结构。

所提出的用于生产发光元件的方法的优点在于，光透明层相对于发光部件精确地布置。此外，通过所提出的方法可以容易地生产光电元件。

在实施例中，牺牲层包含聚合物，并且在将倒置光学结构转移到透明层的光学结构之后，通过将牺牲层至少加热到第一温度，蒸发牺牲层，形成间隙。

在实施例中，聚合物是选自聚碳酸亚丙酯、聚碳酸亚乙酯、聚环己烷碳酸酯、聚环己烷丙烯碳酸酯、聚降冰片烯碳酸酯及其组合的聚碳酸酯。该材料中的每种都可用于形成牺牲层。

在实施例中，牺牲层包括例如由三羟甲基乙烷制成的塑料晶体。

在实施例中，牺牲层由聚碳酸酯或三羟甲基乙烷制成，其中在将倒置光学结构转移到透明层的光学结构之后，通过将牺牲层加热到至少第一温度，蒸发牺牲层，形成间隙。聚碳酸酯或三羟甲基乙烷可以容易地加工。倒置光学结构可以在聚碳酸酯或三羟甲基乙烷中精确地形成，例如通过使用具有掩模和蚀刻工艺的光刻方法。此外，聚碳酸酯和三羟甲基乙烷可以在适中的温度下容易地蒸发。取决于所使用的牺牲层材料，100℃与200℃之间的温度足以去除牺牲层。

在实施例中，光学结构包括菲涅耳结构或透镜形状。其他形状也可以形成为光学结构。

在实施例中，在光透明层中形成隧道，其中牺牲层的蒸发材料经由隧道从间隙中排出去。该方法快速并且允许在短时间内形成大的气隙。

提出一种具有发光部件的光电元件，其中至少在部件的发光侧的一部分上方布置光透明层，其中光学结构布置在光透明层的内侧，其中内侧指向部件，并且其中元件根据前述权利要求中任一项所述的方法生产。

在实施例中，发光部件的上侧和侧面覆盖有牺牲层。

在实施例中，至少一个发光部件布置在载体上，其中牺牲层形成在发光部件的上侧上并且至少形成在发光部件的两个相对的侧面上，其中牺牲层还在载体上在发光部件的相对侧面旁边形成具有较小高度的隧道节段，其中在牺牲层中形成倒置光学结构之后并且在通过光透明层覆盖牺牲层之后，其中将倒置光学结构转移到透明层的内侧，首先去除牺牲层的至少一个隧道节段，并然后去除牺牲层并在发光部件与光透明层之间经由至少一个隧道节段形成间隙。所提出的方法通过使用隧道节段(其使用牺牲层制成)简化了牺牲层的去除。

在实施例中，多个发光部件布置在载体上，其中牺牲层被形成在发光部件的上侧上并且至少形成在发光部件的两个相对侧面上，其中牺牲层还在载体上两个发光部件之间的发光部件的相对侧面旁边形成具有较小高度的隧道节段，其中一个共同的牺牲层一体地形成用于发光部件，其中在牺牲层中形成倒置光学结构部之后并且在通过光透明层覆盖牺牲层之后，其中将倒置光学结构转移到透明层的内侧，首先去除与光透明层的侧面邻接的牺牲层的至少两个隧道节段，并然后去除牺牲层并在发光部件与光透明层之间经由两个隧道节段形成间隙。所提出的方法通过使用隧道节段(其使用牺牲层制成)简化了用于若干发光部件的共用牺牲层的去除。

取决于所使用的实施例，发光部件的每个块区域经由牺牲层的平坦区域与行和/或列方向上的相邻发光部件的块节段连接。

取决于所使用的实施例，剥离带可以覆盖载体，并且发光部件布置在剥离带上。

在其它实施例中，在沉积牺牲层之前，在载体上的发光部件旁边沉积基础层。取决于所使用的实施例，基础层邻接至少一个发光部件的侧面。

在其它实施例中，例如通过蚀刻工艺、压模、压缩模制或激光结构化，在沉积牺牲层之后形成隧道节段。

在实施例中，透明层由模塑材料例如聚合物制成。模塑材料可用于通过简单方法形成光学结构。

在实施例中，透明层由硅树脂制成。硅树脂可以很容易地加工以形成光学结构。

在实施例中，光学结构包括菲涅耳结构。菲涅耳结构提供了有利的光学结构以用于引导发射的光。

在实施例中，光学结构包括透镜的形状。因此，实现了光的精确引导。

在实施例中，透明层的内顶侧具有光学结构。该实施例提供了足够引导光的多个应用。例如，如果发光部件是顶部发光部件，则在透明层的内顶侧处的光学结构是足够的。

在实施例中，透明层的至少一个或所有内侧面具有光学结构。如果发光部件是体积发射部件，这是有利的。

在实施例中，光透明层的内侧面被布置为远离发光部件的侧面。因此，在光透明层的内侧面与发光部件的侧面之间布置气隙。

在实施例中，光透明层的内侧面被布置在发光部件的侧面。因此，在光透明层的内侧面与发光部件的侧面之间没有布置气隙。由此，获得了更小的发光单元。

在实施例中，隧道被布置在光透明层与基础层之间，其中隧道优选地从气隙引导到透明层的外侧。隧道可以填充有材料或不含材料。

所提出的光电元件可以用于光源或闪光灯应用，例如用作用于相机的闪光灯或用于具有相机的移动电话的闪光灯。此外，所提出的光电元件可以用作用于虹膜扫描应用的光源。例如，发光部件可以被实施为发射电磁辐射，例如红外电磁辐射。此外，光电子部件可以用作用于投影仪的光源，尤其是用于投影仪。

附图说明

结合以下结合附图更详细说明的示例性实施例的描述，本发明的上述性质、特征和优点以及实现它们的方式将变得更清楚和更清晰理解。

图1示出具有发光部件的第一工艺步骤。

图2示出其它工艺步骤，其中转换层附接在发光部件上。

图3示出其它工艺步骤，其中沉积浇铸层。

图4示出图3的发光部件的顶视图。

图5示出在发光部件上沉积和形成牺牲层之后的其它工艺步骤。

图6示出图5的发光部件上的顶视图。

图7示出在沉积光透明层之后的发光部件。

图8示出在去除牺牲层之后的图7的布置。

图9示出在将发光部件切单之后图8的布置的横截面图。

图10示出切单的发光元件的第一横截面图。

图11示出图10的发光元件的第二横截面图。

图12示出其它光电发光元件的横截面图。

图13示出图12的发光元件的其它横截面图。

图14示出其它发光元件的横截面图。

图15示出图14的发光元件的其它横截面图。

图16示出具有如图7所示的布置的其它实施例的横截面图。

图17示出具有如图7所示的布置的其它实施例的横截面图。

图18示出发光元件的其它示例的示意性横截面图。

具体实施方式

图1示出用于生产发光元件的第一工艺步骤。提供例如由不锈钢制成的载体2。载体2在上侧上包括剥离带3。剥离带3被实施为在将剥离带3加热到预定温度之后固定和剥离。在剥离带3上，光电发光部件1布置有下侧。光电发光部件例如实施为蓝宝石倒装芯片。蓝宝石倒装芯片例如实施为经由顶侧4发射电磁辐射。发光部件可以实施为发光二极管或激光二极管。发光部件1包括例如外延半导体层，该外延半导体层包括有源区，其具有形成pn-界面的正掺杂半导体层和负掺杂半导体层，该pn-界面实施为发射电磁辐射。

在所示实施例中，部件1在与顶侧4相对的下侧包括电触点5、6。电磁辐射可包括可见光、红外光和/或紫外光。部件1可以包括具有有源区的半导体结构，该有源区被实施为产生电磁辐射。半导体结构可以被布置在基板上。基板可以实施为光透明材料，例如蓝宝石。

图2示出在将转换层7沉积到部件1的顶侧4之后的工艺步骤。转换层7实施为吸收部件1的光的至少一部分并且发射具有不同波长的光。例如，转换层7可以实施为将蓝光转换为红光或将蓝光转换为绿光。此外，转换层7还可以实施为将蓝光转换为红光和绿光。在该实施例中，具有转换层7的部件1被实施为发射白光。

在其它实施例中，基础层8被沉积在剥离带3上。基础层8可以具有高达部件1半高的高度，如图3所示。基础层8可以包括反射颗粒，例如氧化钛。基础层8可以具有包含硅树脂的基质材料或者由硅树脂制成。

图4以转换层7上的顶视图示出图3的布置的一部分。

图5示出在沉积牺牲层9之后和在构造牺牲层9之后，在载体2上的部件1的布置。牺牲层包含例如聚合物或由聚合物构成。聚合物可以是选自聚碳酸亚丙酯、聚碳酸亚乙酯、聚环己烷碳酸酯、聚环己烷丙烯碳酸酯、聚降冰片烯碳酸酯及其组合的聚碳酸酯。此外，牺牲层可包含三羟甲基乙烷或可由三羟甲基乙烷构成。

牺牲层9被构造为，使得至少在部件1的顶侧4上方布置牺牲层9。在该实施例中，牺牲层9被布置在转换层7上。取决于所使用的实施例，部件1的侧面20、21也可以被牺牲层9覆盖。在所示实施例中，部件1被嵌入在牺牲层9中，覆盖转换层7和部件1的侧面20、21。如果没有转换层7，则牺牲层9被直接布置在部件1的顶侧4上。取决于所使用的实施例，在部件1与牺牲层9之间可以存在其它层。此外，在转换层7与牺牲层9之间可以存在其它层。牺牲层9的外表面形成有结构化表面12。外表面例如是发光部件1的上侧上方的牺牲层9的侧面或顶面。在所示实施例中，牺牲层9在发光部件1的侧面21、22处沉积在发光部件1的转换层7上，并沉积在布置于发光部件1之间的基础层8上。如果没有转换层7，则牺牲层9被直接沉积在发光部件1的上侧上。如果没有基础层8，则牺牲层9被沉积在剥离带3上的发光部件1之间。如果没有剥离带3，则牺牲层9被沉积在载体2上的发光部件1之间。在发光部件1之间，牺牲层9在平坦区域10中沿z方向被实施具有更小的高度。取决于所使用的实施例，牺牲层9可以在y-x平面中被沉积为具有平面上表面的层，其覆盖部件1并且填充部件1之间的区域。然后，牺牲层9被构造，例如，利用光刻工艺和蚀刻工艺在部件1上方形成块区域11，以及在块区域11之间在z方向上具有更小高度的平坦区域10。

图6示出图5的布置的一个部件1的顶视图，其中基础层8和孔部件1被牺牲层9覆盖。虚线描绘部件1在牺牲层9内的布置。牺牲层9包括覆盖部件1的平坦区域10和块区域11。牺牲层9的块区域11可以具有与部件1类似的形状，因为块区域11覆盖部件1的顶侧4和部件1的侧面。优选地，平坦区域10仅覆盖两个部件1的两个块区域11之间的基础层8的小条纹。平坦区域10可以具有在y方向上的宽度，该宽度小于块区域11在y方向上的宽度。然而，在y方向上的平坦区域的宽度可以变化，并且也可以大于块区域11的宽度。平坦区域10在x方向上从块区域11引导到下一个部件1的块区域11。

此外，块区域11在上侧包括结构化表面12。结构化表面12通过光刻工艺和蚀刻工艺形成。结构化表面12是倒置光学结构，以预定方式或方向引导光。结构化表面12可以实施为例如倒置菲涅耳结构或倒置透镜结构。

牺牲层9可以沉积为流体材料，例如作为聚合物模制品。在沉积流体聚合物模制品之后，将该布置加热到预定的第一温度。因此，预烘烤牺牲层9以稳定牺牲层9。在牺牲层9的预烘烤之后，图案掩模和光刻工艺与蚀刻工艺组合使用以至少在牺牲层9的块区域11的上侧上形成结构化表面12。在其它实施例中，仅块区域11的侧面或块区域11的附加侧面可以形成有倒置光学结构化表面12。此外，光刻工艺与蚀刻工艺组合用于形成块区域11以及块区域11之间的小平坦区域10，如图5和图6所示。

在图7所示的其它工艺步骤中，由透光材料制成的第二层13沉积在该布置上。第二层13覆盖牺牲层9。牺牲层9的倒置光学结构12被转移到第二层13的内侧，形成光学结构18。光学结构18可以具有光学元件的形状，例如菲涅耳透镜或另一种光学透镜。

第二层13可以例如由模塑材料制成。作为模塑材料，可以使用硅树脂。在沉积流体模塑材料之后，将第二层13加热至第二温度。第二温度可以低于第一温度。第二温度减少了第二层13凝固的时间。

取决于所使用的实施例，每个块区域11可以连接到隧道14，该隧道14被引导到第二层13的外侧。在所示实施例中，块区域11通过牺牲层9的平坦区域10连接。此外，第一和最后的平坦区域15被引导到第二层13的相对侧面。

在其它工艺步骤中，将该布置加热至第三温度。第三温度足够高以分解牺牲层9。由于平坦区域15被引导到第二层13的侧面，所以形成了隧道14。隧道14将牺牲层9的块区域11与环境连接。牺牲层9的分解的材料可以通过连接到隧道14的真空***蒸发和吸出。第三温度高于第一温度，其中第一温度高于第二温度。

由此，在每个部件1上方生成气隙16。此外，第二层13在内顶侧17包括光学结构18。光学结构18由牺牲层9的倒置光学结构化表面12形成。光学结构18可具有菲涅耳结构的形状和/或透镜结构的形状。光学结构18可以具有微光学结构。

在图9所示的其它工艺步骤中，使用锯切工艺或蚀刻工艺分离具有发光部件1和光透明层13的发光元件19。此后，可以使用加热工艺从剥离带3剥离发光元件19。

图10示出沿z-x平面穿过发光元件19的横截面图。在发光部件1的侧面与透明层13的内侧面之间布置有气隙。透明层13的内侧面相对于发光部件1的侧面远离布置。在透明层13的四个内侧面和发光部件1的四个侧面之间存在气隙16。

图11示出在z-y平面中穿过图10的发光元件19的第二横截面图。图10和图11所示的发光元件19包括仅在顶侧4上覆盖有转换层7的部件1。取决于所使用的实施例，部件1的侧面20、21也可以如图12所示由转换层7覆盖。

图12和图13示出具有发光部件1的发光元件19的实施例的横截面图，该发光部件1可以实施为体积发光部件1，其中硅树脂透镜13在内顶侧17处具有微光学结构18，并且在内侧面处具有微光学结构18。

图12示出在z-x平面中穿过发光元件19的横截面图。所示的发光元件19根据参考图1至图9说明的方法进行处理。发光元件19具有与图10和图11的实施例基本相同的结构。然而，在该实施例中不仅顶部部件1的侧面4而且部件1的四个侧面20、21覆盖有转换层7。如果部件1是体积发光部件1，则这是有利的。气隙16类似于图10和图11的实施例的气隙16。然而，与图10和图11的实施例相反，在所示实施例中，不仅上内侧17而且第二层的四个内侧面22、23包括如上所述的光学结构18。这意味着牺牲层9的块区域11在侧面也具有倒置光学结构。第二层13实施为在顶部内侧17和四个内侧面22、23处具有微光学结构的透镜。第二层可以由硅树脂制成。

图13示出图12的发光元件19在z-y平面中的其它横截面图。可以看出，其他内侧面24、25也包括光学结构18。取决于所使用的实施例，第二层13的内侧面的仅一部分可以包括光学结构18。

图14和图15示出具有发光部件1的发光元件19的实施例的横截面图，该发光部件1可以实施为顶部发光部件1，其中硅树脂透镜13在内顶侧17处具有微光学结构18。

图14示出其它发光元件19在z-x平面中的横截面图。所示发光元件19根据参考图1至图9说明的方法进行处理。发光元件19被类似于图10和图11的实施例实施。然而，与图10和图11的实施例相比，气隙16仅布置在部件1的顶侧4上方，这意味着在转换层7上方。部件1的面20、21与第二层13接触。在所示实施例中，仅第二层13的上内侧17包括如上所述的光学结构18。第二层13被实施为在顶部内侧17处具有微光学结构的透镜。第二层13可以由硅树脂制成。发光部件1可以实施为顶部发光部件1。

图15示出图14的发光元件19在z-y平面中的横截面图。可以看出，发光元件1的其他侧面26、27也被第二层13覆盖。取决于所使用的实施例，图14和图15的实施例也可包括具有内侧面的第二层13，该内侧面包括如图12和图13的实施例所示的光学结构18。

在所示实施例中，块区域11实施为矩形形状。取决于所使用的实施例，块区域11也可以实施为球形，例如具有光学结构18的半球形。由于牺牲层和牺牲材料可以形成为不同的形状，第二层13的内侧也可以具有不同的形状，取决于所使用的实施例。

所提出的方法和所提出的发光元件提供一种方法和一种发光元件，该方法和发光元件可用于直接在发光元件上产生具有微光学结构的直接模制透镜的气隙。因此，可以经由在发光部件1上方具有光学结构18的直接模制气腔来生产较小的发光元件。由于牺牲层9直接模制在部件1上，所以可以相对于部件1精确地形成光学结构18，并且所使用的光刻工艺和蚀刻工艺具有以下优点：相对于发光部件1精确地形成具有结构化表面12的块区域11。取决于所使用的实施例，也可以使用其他技术用于图案化具有倒置光学结构12的牺牲层9，例如压模、压缩模制或激光结构化。

图16示出具有如图7所示的布置的、其它实施例的y-x平面中的横截面图，其中在该实施例中，存在布置在载体2上的三行发光部件1。发光部件1可以具有如图7所示的转换层。发光部件1覆盖有牺牲层9。牺牲层9和载体2被第二层13覆盖。牺牲层9具有覆盖发光部件1的块区域11。一行块区域11通过牺牲层9的平坦区域10连接。一行的第一和最后的平坦区域构成隧道平坦区域15，其被引导到第二层13的侧面。通过使用一行的相对置的隧道平坦区域15可以去除牺牲层9以形成隧道14，如图8所示。

图17示出具有如图16所示的布置的其它实施例的y-x平面中的横截面图，其中在该实施例中，存在布置在载体2上的三行发光部件1。此外，存在三列发光部件1。发光部件1可以具有如图7所示的转换层。发光部件1覆盖有牺牲层9。牺牲层9和载体2被第二层13覆盖。牺牲层9具有覆盖发光部件1的块区域11。一行块区域11通过牺牲层9的平坦区域10连接。一行的第一和最后的平坦区域构成被引导到第二层13的侧面的隧道平坦区域15。一列块区域11通过牺牲层9的平坦区域10连接。列的第一和最后的平坦区域构成被引导到第二层13的侧面的隧道平坦区域15。通过使用行的隧道平坦区域15和列的隧道平坦区域15，可以去除牺牲层9以形成隧道14，如图8所示。

图16和图17的布置也可以在一行中具有少于或多于两个的发光单元，并且可以具有少于或多于三行，或者可以具有多于或少于三列的发光部件。

图18示出具有发光部件1的发光元件19的其它示例的示意性横截面，发光部件在部件1的顶部上具有转换层7。具有顶部内侧17的第二层13被布置在部件1上方。顶部内侧17包括根据上述方法生产的光学结构18。光学结构18具有透镜形状，尤其是菲涅耳结构。菲涅耳结构与中轴线28轴向对称。菲涅耳结构实施为聚焦部件1的光以生成有利的光束，例如闪光光束。取决于所使用的实施例，光学结构18可以具有内部区域30和外部区域31，该内部区域用虚线标记具有光学收集结构，该外部区域用虚线标记具有光学反射结构。光学反射结构31可包括作为结构垂直圆柱体。在第二层的上侧面处可以布置折射结构29以改善有利的光束。

所提出的方法减少了处理步骤，并且不必提供镜片安装器。此外，由于在部件的中心与微光学结构的中心之间具有更好的放置精度，因此获得了更好的亮度和颜色均匀性。所提出的发光元件可以例如用作发光元件，例如用作灯，特别是用作用于相机、投影仪、虹膜扫描设备移动电话或移动设备的闪光灯。

此外，任何所讨论的发光元件的间隙16可以不含材料或者可以填充有气体或材料。如果间隙16填充有气体，则隧道14必须用例如硅树脂或聚合物的材料封闭。

已经借助于优选的示例性实施例详细说明和描述了本发明。然而，本发明不限于所公开的示例。相反，在不脱离本发明的保护范围的情况下，本领域技术人员可以从中得出其它变体。

参考符号

1 部件

2 载体

3 剥离带

4 顶侧

5 第一电触点

6 第二电触点

7 转换层

8 基础层

9 牺牲层

10 平坦区域

11 块区域

12 结构化表面

13 第二层

14 隧道

15 隧道平坦区域

16 气隙

17 顶部内侧

18 光学结构

19 发光元件

20 第一侧面部件

21 第二侧面部件

22 第一内侧面

23 第二内侧面

24 第三内侧面

25 第四内侧面

26 第三侧面部件

27 第四侧面部件

28 中轴线

29 折射结构

30 内部区域

31 外部区域。

Claims (20)

1.一种用于生产具有发光部件的光电元件的方法，其中至少在所述部件的发光侧的一部分上方布置牺牲层，其中至少在所述牺牲层的外表面的一部分中形成倒置光学结构，其中所述牺牲层的外表面被光透明层覆盖，其中所述倒置光学结构被转移到透明层的内侧，其中去除所述牺牲层并且在所述部件与所述光透明层之间形成间隙，其中所述光透明层在所述内侧包括光学结构，其中至少一个发光部件布置在载体上，其中所述牺牲层形成在所述发光部件的上侧上并且至少形成在所述发光部件的两个相对的侧面上，其中所述牺牲层还在所述载体上在所述发光部件的侧面旁边形成具有更小高度的至少一个隧道节段，其中在所述牺牲层中形成所述倒置光学结构之后并且在通过所述光透明层覆盖所述牺牲层之后，其中将所述倒置光学结构转移到所述透明层的内侧，首先去除所述牺牲层的所述至少一个隧道节段，并然后经由所述至少一个隧道节段去除所述牺牲层并在所述发光部件与所述光透明层之间形成间隙。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述牺牲层包括聚合物，并且在将所述倒置光学结构转移到所述透明层的所述光学结构之后，通过将所述牺牲层至少加热到第一温度，蒸发所述牺牲层，形成所述间隙。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述聚合物是选自聚碳酸亚丙酯、聚碳酸亚乙酯、聚环己烷碳酸酯、聚环己烷丙烯碳酸酯、聚降冰片烯碳酸酯及其组合的聚碳酸酯。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述牺牲层包括三羟甲基乙烷。

5.根据权利要求1所述的方法，其中使用掩模在所述牺牲层中蚀刻所述倒置光学结构。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述光学结构包括菲涅耳结构。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述光学结构包括透镜形状。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述牺牲层的顶表面和/或侧表面形成有所述倒置光学结构。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述发光部件的上侧和侧面覆盖有所述牺牲层。

10.根据权利要求1所述的方法，其中在所述光透明层中形成隧道，并且其中所述牺牲层的蒸发的材料经由所述隧道从所述间隙排出去。

11.根据权利要求1所述的方法，其中多个发光部件布置在所述载体上，其中所述牺牲层形成在所述发光部件的上侧上并且至少形成在所述发光部件的两个相对侧面上，其中所述牺牲层还在所述载体上两个发光部件之间所述发光部件的相对侧面旁边形成具有更小高度的隧道节段，其中针对所述发光部件一体地形成一个共同的牺牲层，其中在所述牺牲层中形成所述倒置光学结构之后并且在通过所述光透明层覆盖所述牺牲层之后，其中将所述倒置光学结构转移到所述透明层的内侧，首先去除与所述光透明层的侧面邻接的所述牺牲层的至少两个隧道节段，并然后去除所述牺牲层并在所述发光部件与所述光透明层之间经由两个隧道节段形成间隙。

12.根据权利要求1所述的方法，其中通过蚀刻工艺、压模、压缩模制或激光结构化，在沉积所述牺牲层之后形成所述隧道节段。

13.根据权利要求1所述的方法，其中在沉积所述牺牲层之前，所述部件的发光侧由转换层覆盖。

14.一种具有发光部件(1)的光电元件(19)，其中至少在所述部件(1)的发光侧的一部分上方布置光透明层(13)，其中至少在所述光透明层(13)的内侧(17、22、23、24、25)的一部分处布置光学结构(18)，其中所述内侧(17、22、23、24、25)被导引到所述部件(1)，并且其中根据前述权利要求中任一项所述的方法生产所述元件(19)。

15.根据权利要求14所述的元件，其中所述透明层(13)包含模制材料。

16.根据权利要求15所述的元件，其中所述模制材料是聚合物硅树脂。

17.根据权利要求14所述的元件，其中所述光学结构(18)包括菲涅耳结构。

18.根据权利要求14所述的元件，其中所述透明层(13)的至少内顶侧(17)和/或所述透明层(13)的内侧面(21、22、23、24)具有光学结构(18)。

19.根据权利要求14所述的元件，所述光透明层(13)的内侧面(22、23、24、25)被布置为远离所述发光部件(1)的侧面，或其中所述光透明层(13)的内侧面(22、23、24、25)被布置在所述发光部件(1)的侧面(20、21)处。

20.根据权利要求14所述的元件，其中隧道(14)被布置在所述光透明层(13)与基础层(8)之间，其中所述隧道(14)从气隙(16)引导到所述透明层(13)的外侧。

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