JP2002319710A - 発光装置とその製造方法 - Google Patents

発光装置とその製造方法

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JP2002319710A
JP2002319710A JP2001122445A JP2001122445A JP2002319710A JP 2002319710 A JP2002319710 A JP 2002319710A JP 2001122445 A JP2001122445 A JP 2001122445A JP 2001122445 A JP2001122445 A JP 2001122445A JP 2002319710 A JP2002319710 A JP 2002319710A
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cover
light emitting
emitting device
substrate
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JP2001122445A
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Junji Oishi
純司 大石
Takeochi Nagai
健生智 永井
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Panasonic Holdings Corp
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、発光装置とその製造方法に関する
もので、その小型化を図ることを目的とする。 【解決手段】 そしてこの目的を達成するために本発明
は、表面に発光素子２が実装された基板１と、この基板
１上において前記発光素子２を覆った透明、または半透
明のカバー６とを備え、前記基板１とカバー６はそれぞ
れガラス、または水晶製とし、この基板１の前記発光素
子２外周の上面部分に、それに対向するカバー６の下面
部分を、原子の共有結合により直接接合した。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は発光装置とその製造
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の発光装置は、基板表面上に実装さ
れた発光素子の保護を図るために、それを金属製のケー
ス内に収納している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来例で問題とな
るのはこの発光装置が大型化してしまうということであ
った。
【０００４】その理由は上述のごとく発光素子の保護を
図るために、これを実装した基板をケース内に収納さ
せ、つまり基板外周にケースを設けていたからである。
【０００５】そこで本発明は発光装置の小型化を図るこ
とを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】そしてこの目的を達成す
るために本発明は、表面に発光素子が実装された基板
と、この基板上において前記発光素子を覆った透明、ま
たは半透明のカバーとを備え、前記基板とカバーはそれ
ぞれガラス、または水晶製とし、この基板の前記発光素
子外周の上面部分に、それに対向するカバーの下面部分
を、原子の共有結合により直接接合したものであり、基
板上面とカバー下面を発光素子の外周部分で原子の共有
結合により直接接合するので、発光素子保護用のケース
等が不要で小型化が図れるものとなる。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１の発明は、表面
に発光素子が実装された基板と、この基板上において前
記発光素子を覆った透明、または半透明のカバーとを備
え、前記基板とカバーはそれぞれガラス、または水晶製
とし、この基板の前記発光素子外周の上面部分に、それ
に対向するカバーの下面部分を、原子の共有結合により
直接接合した発光装置であって、基板上面とカバー下面
を発光素子の外周部分で原子の共有結合により直接接合
するので、発光素子保護用のケース等が不要で小型化が
図れるものとなる。
【０００８】次に請求項２の発明は、カバー上面の発光
素子対向部分を透光部とし、この透光部外周を遮光膜で
覆った請求項１に記載の発光装置であって、カバー上面
の透光部以外を遮光膜で覆ったので、発光素子からの光
は遮光部で遮ぎられ、透光部だけからカバー外へと進行
することとなり、光伝達に対する信頼性の高いものとな
る。
【０００９】次に請求項３の発明は、遮光膜は樹脂膜、
または金属膜により形成した請求項２に記載の発光装置
であって、カバーの上面に容易に遮光膜を形成すること
ができる。
【００１０】次に請求項４の発明は、カバー上面の透光
部以外を粗面化し、この粗面上に遮光膜を形成した請求
項２、または３に記載の発光装置であって、カバー上面
における遮光膜の接着力が強くなり、その剥離が生じに
くくなる。
【００１１】次に請求項５の発明は、板状のカバーの外
周面を遮光膜で覆った請求項２〜４のいずれか一つに記
載の発光装置であって、カバーの外周面を遮光膜で覆っ
たので、発光素子からの光がこのカバー外周面から外方
に漏れ出すことがなく、よって発光素子からの光の大部
分はカバー上面の透光部へと効率良く進行することとな
る。
【００１２】次に請求項６の発明は、板状のカバーの外
周面を粗面化し、この粗面上に遮光膜を形成した請求項
５に記載の発光装置であって、板状のカバーの外周面に
おける遮光膜の接着力が強くなり、その剥離が生じにく
くなる。
【００１３】次に請求項７の発明は、板状のカバーの外
周面を覆った遮光膜は、このカバー外周面と基板との接
合部に延長した請求項５、または６に記載の発光装置で
あって、カバーの外周面に設けた遮光膜を基板との接合
部に延長することで、カバーと基板との接合力を高める
ことができる。
【００１４】次に請求項８の発明は、カバー上面の透光
部上面には上方に突出する凸レンズをこのカバーと一体
に設けた請求項１〜７のいずれか一つに記載の発光装置
であって、透光部上面に凸レンズを一体に設けることに
より発光素子からの光をこの凸レンズで集光して、その
光伝達性を高めることができる。
【００１５】次に請求項９の発明は、カバーを凸レンズ
型とした請求項１〜７のいずれか一つに記載の発光装置
であって、カバー自体を凸レンズ型とすることで発光素
子からの光をこの凸レンズで集光して、その光伝達性を
高めることができる。
【００１６】次に請求項１０の発明は、基板には通電引
出用の貫通孔を設け、この貫通孔内は導電体で封口し、
この導電体の基板下面側は基板下方に突出させた請求項
１〜９のいずれか一つに記載の発光装置であって、基板
に設けた通電引出用の貫通孔を導電体で封口するだけで
なく、これを基板下面側に突出させることで、この発光
装置を他の基板装置に実装する際の突起電極として活用
することができる。
【００１７】次に請求項１１の発明は、カバーを透明と
し、板体を不透明とした請求項１〜１０のいずれか一つ
に記載の発光装置であって、板体が不透明なので発光素
子からの光がこの板体側には漏れず、よって発光素子か
らの光はカバー上面の透光部へと進行することになる。
【００１８】次に請求項１２の発明は、板体は着色ガラ
スを用いた請求項１１に記載の発光装置であって、着色
ガラスを用いれば板体を不透明化する作業が廃止でき
る。
【００１９】次に請求項１３の発明は、ガラス、または
水晶製の基板の表面に発光素子を実装し、次にこの基板
上にガラス、または水晶製で透明、または半透明のカバ
ーを被せ、その後発光素子の外周部の基板上面部とそれ
に対向するカバー下面部とを当接した状態で加熱し、こ
の当接部を原子の共有結合により直接接合する発光装置
の製造方法であって、発光素子の外周部の基板上面部と
カバー下面部とを当接した状態で加熱するだけで、これ
らの基板とカバーとを簡単に結合することができる。
【００２０】次に請求項１４の発明は、基板と接合前の
カバーの発光素子に対向するカバー上面に遮光膜を形成
する請求項１３に記載の発光装置の製造方法であって、
基板と接合前のカバー単体であれば遮光膜を簡単に形成
することができる。
【００２１】次に請求項１５の発明は、カバー上面の発
光素子と対向する透光部部分以外を粗面化し、この粗面
部分に樹脂膜、または金属膜を設けて遮光膜を形成する
請求項１４に記載の発光装置の製造方法であって、カバ
ー上面の粗面部分に遮光膜を設けるので、この遮光膜と
カバー上面との接合強度が強くなり、その剥離が生じに
くくなる。
【００２２】次に請求項１６の発明は、板状のカバーの
外周面に遮光膜を設ける請求項１３〜１５のいずれか一
つに記載の発光装置の製造方法であって、カバーの外周
面を遮光膜で覆ったので、発光素子からの光がこのカバ
ー外周面から外方に漏れ出すことがなく、よって発光素
子からの光の大部分はカバー上面の透光部へと効率良く
進行することとなる。
【００２３】次に請求項１７の発明は、板状のカバーの
外周面を粗面化し、その後この粗面上に遮光膜を設ける
請求項１６に記載の発光装置の製造方法であって、粗面
上に設ければこの遮光膜は板状のカバーの外周面から剥
離しにくくなる。
【００２４】次に請求項１８の発明は、その上面に発光
素子が所定間隔ごとに複数個実装された大板状の基板上
に、所定間隔ごとに透光部を複数個有する大板状のカバ
ーを被せ、次に加熱することにより各発光素子の外周部
において基板の上面部とカバー下面部を、原子間の共有
結合により直接接合し、その後各発光素子の外周部の基
板とカバーを切断することにより個々の発光装置を形成
する請求項１３に記載の発光装置の製造方法であって、
多数の発光装置を効率良く製造することができる。
【００２５】次に請求項１９の発明は、大板状のカバー
の各発光素子に対向する部分を透光部とし、これら複数
の透光部以外のカバー上面に遮光膜を形成する請求項１
８に記載の発光装置の製造方法であって、後に個片とな
る発光装置のカバー上面に一度に遮光膜を容易に形成す
ることができる。
【００２６】次に請求項２０の発明は、大板状のカバー
上面の各透光部以外の部分を粗面化し、この粗面上に遮
光膜を形成する請求項１９に記載の発光装置の製造方法
であって、遮光膜が剥離しにくくするための粗面化が一
度に行え、作業性の高いものとなる。
【００２７】次に請求項２１の発明は、個片への切断後
の各発光装置のカバー外周部に遮光膜を設ける請求項１
８〜２０のいずれか一つに記載の発光装置の製造方法で
あって、カバーの外周面を遮光膜で覆ったので、発光素
子からの光がこのカバー外周面から外方に漏れ出すこと
がなく、よって発光素子からの光の大部分はカバー上面
の透光部へと効率良く進行することとなる。
【００２８】次に請求項２２の発明は、個片への切断後
の各発光装置のカバー外周面を粗面化し、この粗面部分
に遮光膜を形成する請求項２１に記載の発光装置の製造
方法であって、個片となった各発光装置のカバー外周面
を粗面化した後に、この粗面部分に遮光膜を形成すれ
ば、遮光膜の結合強度が強くなり、剥離しにくくなる。
【００２９】次に請求項２３の発明は、個片への切断後
の各発光装置のカバー外周面に切断による粗面を残した
状態で、この外周粗面部分に遮光膜を形成する請求項２
１に記載の発光装置の製造方法であって、カバー外周面
に各個片への切断時に生じた粗面を残した状態で、この
粗面部分に遮光膜を形成すれば、遮光膜の結合強度が強
くなり、剥離しにくくなる。
【００３０】次に請求項２４の発明は、大板状の基板に
は、大板状のカバーとの接合前に各発光素子に対応して
通電引出用の貫通孔を形成し、これらの貫通孔内には、
基板とカバーの接合後に導電体を設けて封口する請求項
１８〜２３のいずれか一つに記載の発光装置の製造方法
であって、大板状態で各貫通孔の封口を行うので、作業
性の良いものとなる。
【００３１】次に請求項２５の発明は、個片への切断前
に、個片となる各発光装置の基板の導電体を介して各発
光素子に通電し、各発光素子の発光状態により、個片と
なる各発光装置ごとの透光部を決定する請求項２４に記
載の発光装置の製造方法であって、各発光素子を発光さ
せて各個片ごとの透光部を決定するので、適切な透光部
の形成ができる。
【００３２】以下本発明の一実施形態を添付図面を用い
て説明する。
【００３３】図１において、１はガラス製の基板で、こ
の基板１上には図２、図３に示すごとく発光ダイオード
等の発光素子２が実装されている。
【００３４】具体的には基板１上にはこれらの図２、図
３に示すごとく導電パターン３，４が設けられており、
この内導電パターン３には発光素子２の裏面側の電極
（図示せず）が導通させられており、さらに導電パター
ン４には発光素子２の表面側の電極（図示せず）がワイ
ヤー５により導通させられている。
【００３５】またこの基板１上にはガラス製のカバー６
が一体化されている。
【００３６】具体的にはこのカバー６の下面側中央部に
は図３に示すごとく凹部７が形成されており、よってこ
のカバー６と基板１を図４に示すごとく一体化するとこ
の凹部７内に発光素子２と導電パターン３，４が収納さ
れるようになっている。その状態でこのカバー６下面の
凹部７外周部と基板１の上面外周部は当接し、この当接
部で両者は原子の共有結合により直接接合されている。
【００３７】この直接接合を行わせるためには上記当接
部のカバー６下面および基板１上面はともにガラスでし
かも平滑面としている。
【００３８】したがって、当接前にはその部分にＯ−Ｈ
基が存在し、当接後に加熱を行うと当接部から水分（Ｈ
2Ｏ）が抜け、それにより一つ残ったＯ原子を基板１と
カバー６が共有し、一体化、つまり原子の共有結合によ
り直接接合されることになる。
【００３９】なおこの様な基板１とカバー６の原子の共
有結合による直接接合は、基板１とカバー６を共に水晶
で形成しても作られる。
【００４０】前記基板１の導電パターン３，４に対向す
る部分にはあらかじめ貫通孔８が形成されており、これ
らの貫通孔８の内壁には図４に示すカバー６と基板１の
一体化後に図５に示すようにＣｕのスパッタリングを行
うことにより、Ｃｕ膜９を形成する。
【００４１】このＣｕ膜９では図５に示すようにこの貫
通孔８内壁だけでなく、導電パターン３，４の貫通孔３
ａ，４ａおよびそれに対応するカバー６の凹部７内壁に
まで到達し、これにより一応図５の状態でも凹部７内は
気密が図れる状態となっている。
【００４２】その後図６に示すごとく貫通孔８内にはＣ
ｕペーストが充填され、これを固化した導電体１０で封
口した後その表面に半田膜１１が形成される。
【００４３】なおＣｕペーストを固化した導電体１０は
基板１の下方に突出した状態となっているので、この発
光装置を他の基板上に実装するためには面実装が行え
る。
【００４４】またカバー６上面の発光素子２の発光部２
ａ対向部分は透光部６ａとしており、この透光部６ａ外
周は図７のごとくカバー６と基板１の一体化後に遮光膜
１２で覆っており、カバー６上面の透光部６ａ以外を遮
光膜１２で覆えば、発光素子２の発光部２ａからの光は
遮光膜１２で遮ぎられ、透光部６ａだけからカバー６外
へと進行することとなり、光伝達に対する信頼性の高い
ものとなる。
【００４５】さらに板状のカバー６の外周面も図８のご
とく遮光膜１２の形成後遮光膜１３で覆っており、カバ
ー６の外周面も遮光膜１３で覆ったので、発光素子２の
発光部２ａからの光がこのカバー６外周面から外方に漏
れ出すこともなく、よってこの点からも発光素子２の発
光部２ａからの光の大部分はカバー６上面の透光部６ａ
へと効率良く進行することとなる。
【００４６】なお遮光膜１２，１３は黒色系の樹脂膜、
または金属膜により形成するので、カバー６の上面や外
周面に容易に遮光膜１２，１３を形成することができ
る。
【００４７】その際、カバー６上面の透光部６ａ以外お
よびこのカバー６外周面を粗面化し、この粗面上に遮光
膜１２，１３を形成すれば、カバー６に対する遮光膜１
２，１３の接着力が強くなり、その剥離が生じにくくな
る。
【００４８】さらに板状のカバー６の外周面を覆った遮
光膜１３は、このカバー６外周面と基板１との接合部よ
りも基板１側にまで延長すれば、カバー６と基板１との
接合力を高めることもできる。
【００４９】以上本実施形態の発光装置は、表面に発光
素子２が実装された基板１と、この基板１上において前
記発光素子２を覆った透明、または半透明のカバー６と
を備え、前記基板１とカバー６をそれぞれガラス、また
は水晶製とし、この基板１の前記発光素子２外周の上面
部分に、それに対向するカバー６の下面部分を、原子の
共有結合により直接接合したものであるので、図１、図
２からも理解されるように発光素子２保護用のケース等
が不要で、小型化が図れるものとなる。
【００５０】図９は本発明の他の実施形態を示し、この
実施形態ではカバー上面の透光部６ａ上面には上方に突
出する凸レンズ６ｂをこのカバー６と一体に設けたもの
であり、透光部６ａ上面に凸レンズ６ｂを一体に設けれ
ば、発光素子２の発光部２ａからの光をこの凸レンズ６
ｂで集光して、その光伝達性を高めることができる。
【００５１】なおこの図９の１４，１５は板状のカバー
６の上面と外周面の粗面であり、これらの粗面１４，１
５上に図１０のごとく遮光膜１２，１３を形成する。
【００５２】図１１は本発明のさらに他の実施形態を示
し、この実施形態ではカバー６自体を凸レンズ型とした
ものであり、カバー６自体を凸レンズ型とすることで発
光素子２の発光部２ａからの光をこの凸レンズで集光し
てその光伝達性を高めることができる。
【００５３】なおカバー６は基本的には透明もしくは半
透明とするが、板体１は不透明とすることが好ましく、
板体１を不透明とすれば発光素子２の発光部２ａからの
光がこの板体１側には漏れず、よって発光素子２の発光
部２ａからの光はカバー６上面の透光部６ａへと進行す
ることになる。
【００５４】またそのために板体１を着色ガラスとする
ことも有効で、着色ガラスを用いれば板体１を不透明化
する作業が廃止できる。
【００５５】図１２は図１に示した発光装置を一度に大
量に形成する場合の製造方法を示している。
【００５６】先ずこの図１２には図示していないが、そ
の上面に発光素子２が所定間隔ごとに複数個実装された
大板状の基板１Ａ上に、所定間隔ごとに透光部６ａを複
数個有する大板状のカバー６Ａを被せ、次に加熱するこ
とにより各発光素子２の外周部において基板１Ａの上面
部とカバー６Ａ下面部を、原子間の共有結合により直接
接合し、その後各発光素子２の外周部の基板１Ａとカバ
ー６Ａを切断線１６，１７で切断することにより図１に
示す個々の発光装置を形成するものである。
【００５７】なお図１２の製造方法の場合、大板状のカ
バー６Ａ上面の各透光部６ａ以外の部分を一度に粗面化
し、この粗面上に一度に遮光膜１２を形成する。
【００５８】なおカバー６外周面の粗面１５と遮光膜１
３は、個片への切断後に形成する。
【００５９】また大板状の基板１Ａには、大板状のカバ
ー６Ａとの接合前に各発光素子２に対応して通電引出用
の貫通孔８を形成しており、これらの貫通孔８内には、
基板１Ａとカバー６Ａの接合後に導電体１０等を設けて
封口するようにしており、大板状態で各貫通孔８の封口
を行うので、作業性の良いものとなる。
【００６０】さらにこの様な大板状の基板１Ａとカバー
６Ａを用いる場合個片への切断前に、個片となる各発光
装置の導電体１０を介して各発光素子２に通電し、各発
光素子２の発光状態により、個片となる各発光装置ごと
の透光部６ａを決定し、その決定後粗面１４や遮光膜１
２を形成する。
【００６１】
【発明の効果】以上のように本発明は、表面に発光素子
が実装された基板と、この基板上において前記発光素子
を覆った透明、または半透明のカバーとを備え、前記基
板とカバーはそれぞれガラス、または水晶製とし、この
基板の前記発光素子外周の上面部分に、それに対向する
カバーの下面部分を、原子の共有結合により直接接合し
たものであって、基板上面とカバー下面を発光素子の外
周部分で原子の共有結合により直接接合するので、発光
素子保護用のケース等が不要で、小型化が図れるものと
なる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態の斜視図
【図２】同分解斜視図
【図３】同製造工程を示す分解断面図
【図４】同製造工程を示す断面図
【図５】同製造工程を示す断面図
【図６】同製造工程を示す断面図
【図７】同製造工程を示す断面図
【図８】同製造工程を示す断面図
【図９】本発明の他の実施形態の製造工程を示す断面図
【図１０】同製造工程を示す断面図
【図１１】本発明のさらに他の実施形態を示す断面図
【図１２】本発明の製造方法を示す斜視図
【符号の説明】
１ 基板 ２ 発光素子 ６ カバー ６ａ 透光部

Claims (25)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 表面に発光素子が実装された基板と、こ
    の基板上において前記発光素子を覆った透明、または半
    透明のカバーとを備え、前記基板とカバーはそれぞれガ
    ラス、または水晶製とし、この基板の前記発光素子外周
    の上面部分に、それに対向するカバーの下面部分を、原
    子の共有結合により直接接合した発光装置。
  2. 【請求項２】 カバー上面の発光素子対向部分を透光部
    とし、この透光部外周を遮光膜で覆った請求項１に記載
    の発光装置。
  3. 【請求項３】 遮光膜は樹脂膜、または金属膜により形
    成した請求項２に記載の発光装置。
  4. 【請求項４】 カバー上面の透光部以外を粗面化し、こ
    の粗面上に遮光膜を形成した請求項２、または３に記載
    の発光装置。
  5. 【請求項５】 板状のカバーの外周面を遮光膜で覆った
    請求項２〜４のいずれか一つに記載の発光装置。
  6. 【請求項６】 板状のカバーの外周面を粗面化し、この
    粗面上に遮光膜を形成した請求項５に記載の発光装置。
  7. 【請求項７】 板状のカバーの外周面を覆った遮光膜
    は、このカバー外周面と基板との接合部に延長した請求
    項５、または６に記載の発光装置。
  8. 【請求項８】 カバー上面の透光部上面には上方に突出
    する凸レンズをこのカバーと一体に設けた請求項１〜７
    のいずれか一つに記載の発光装置。
  9. 【請求項９】 カバーを凸レンズ型とした請求項１〜７
    のいずれか一つに記載の発光装置。
  10. 【請求項１０】 基板には通電引出用の貫通孔を設け、
    この貫通孔内は導電体で封口し、この導電体の基板下面
    側は基板下方に突出させた請求項１〜９のいずれか一つ
    に記載の発光装置。
  11. 【請求項１１】 カバーを透明とし、板体を不透明とし
    た請求項１〜１０のいずれか一つに記載の発光装置。
  12. 【請求項１２】 板体は着色ガラスを用いた請求項１１
    に記載の発光装置。
  13. 【請求項１３】 ガラス、または水晶製の基板の表面に
    発光素子を実装し、次にこの基板上にガラス、または水
    晶製で透明、または半透明のカバーを被せ、その後発光
    素子の外周部の基板上面部とそれに対向するカバー下面
    部とを当接した状態で加熱し、この当接部を原子の共有
    結合により直接接合する発光装置の製造方法。
  14. 【請求項１４】 基板と接合前のカバーの発光素子に対
    向するカバー上面に遮光膜を形成する請求項１３に記載
    の発光装置の製造方法。
  15. 【請求項１５】 カバー上面の発光素子と対向する透光
    部部分以外を粗面化し、この粗面部分に樹脂膜、または
    金属膜を設けて遮光膜を形成する請求項１４に記載の発
    光装置の製造方法。
  16. 【請求項１６】 板状のカバーの外周面に遮光膜を設け
    る請求項１３〜１５のいずれか一つに記載の発光装置の
    製造方法。
  17. 【請求項１７】 板状のカバーの外周面を粗面化し、そ
    の後この粗面上に遮光膜を設ける請求項１６に記載の発
    光装置の製造方法。
  18. 【請求項１８】 その上面に発光素子が所定間隔ごとに
    複数個実装された大板状の基板上に、所定間隔ごとに透
    光部を複数個有する大板状のカバーを被せ、次に加熱す
    ることにより各発光素子の外周部において基板の上面部
    とカバー下面部を、原子間の共有結合により直接接合
    し、その後各発光素子の外周部の基板とカバーを切断す
    ることにより個々の発光装置を形成する請求項１３に記
    載の発光装置の製造方法。
  19. 【請求項１９】 大板状のカバーの各発光素子に対向す
    る部分を透光部とし、これら複数の透光部以外のカバー
    上面に遮光膜を形成する請求項１８に記載の発光装置の
    製造方法。
  20. 【請求項２０】 大板状のカバー上面の各透光部以外の
    部分を粗面化し、この粗面上に遮光膜を形成する請求項
    １９に記載の発光装置の製造方法。
  21. 【請求項２１】 個片への切断後の各発光装置のカバー
    外周部に遮光膜を設ける請求項１８〜２０のいずれか一
    つに記載の発光装置の製造方法。
  22. 【請求項２２】 個片への切断後の各発光装置のカバー
    外周面を粗面化し、この粗面部分に遮光膜を形成する請
    求項２１に記載の発光装置の製造方法。
  23. 【請求項２３】 個片への切断後の各発光装置のカバー
    外周面に切断による粗面を残した状態で、この外周粗面
    部分に遮光膜を形成する請求項２１に記載の発光装置の
    製造方法。
  24. 【請求項２４】 大板状の基板には、大板状のカバーと
    の接合前に各発光素子に対応して通電引出用の貫通孔を
    形成し、これらの貫通孔内には、基板とカバーの接合後
    に導電体を設けて封口する請求項１８〜２３のいずれか
    一つに記載の発光装置の製造方法。
  25. 【請求項２５】 個片への切断前に、個片となる各発光
    装置の基板の導電体を介して各発光素子に通電し、各発
    光素子の発光状態により、個片となる各発光装置ごとの
    透光部を決定する請求項２４に記載の発光装置の製造方
    法。
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Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006112039A1 (ja) * 2005-04-01 2006-10-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 表面実装型光半導体装置およびその製造方法
JP2007049019A (ja) * 2005-08-11 2007-02-22 Koha Co Ltd 発光装置
JP2008182236A (ja) * 2007-01-25 2008-08-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh 電子装置
JP2010219377A (ja) * 2009-03-18 2010-09-30 Toshiba Corp 半導体発光装置及びその製造方法
JP2012109475A (ja) * 2010-11-19 2012-06-07 Rohm Co Ltd 発光装置、発光装置の製造方法、および光学装置
JP2012217155A (ja) * 2011-03-30 2012-11-08 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法
US8330360B2 (en) 2006-12-29 2012-12-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Light-emitting device with supported cover
JP2015090889A (ja) * 2013-11-05 2015-05-11 京セラ株式会社 多数個取り配線基板、配線基板および電子部品
JP2016139823A (ja) * 2016-03-30 2016-08-04 ローム株式会社 発光装置
KR101668273B1 (ko) * 2016-07-27 2016-10-21 주식회사 태그솔루션 발광 효율이 향상된 led 인테리어 벽 및 그 제조 방법
JP2017050411A (ja) * 2015-09-02 2017-03-09 株式会社東芝 光半導体装置、およびその製造方法
US11264542B2 (en) 2017-04-28 2022-03-01 Nichia Corporation Light-emitting device

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2006112039A1 (ja) * 2005-04-01 2008-11-27 松下電器産業株式会社 表面実装型光半導体装置およびその製造方法
US7705465B2 (en) 2005-04-01 2010-04-27 Panasonic Corporation Surface-mount type optical semiconductor device and method for manufacturing the same
US7867794B2 (en) 2005-04-01 2011-01-11 Panasonic Corporation Surface-mount type optical semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2006112039A1 (ja) * 2005-04-01 2006-10-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 表面実装型光半導体装置およびその製造方法
JP2007049019A (ja) * 2005-08-11 2007-02-22 Koha Co Ltd 発光装置
US8330360B2 (en) 2006-12-29 2012-12-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Light-emitting device with supported cover
JP2008182236A (ja) * 2007-01-25 2008-08-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh 電子装置
US8830695B2 (en) 2007-01-25 2014-09-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Encapsulated electronic device
JP2010219377A (ja) * 2009-03-18 2010-09-30 Toshiba Corp 半導体発光装置及びその製造方法
US9954143B2 (en) 2010-11-19 2018-04-24 Rohm Co., Ltd. Light emitting device and optical device
JP2012109475A (ja) * 2010-11-19 2012-06-07 Rohm Co Ltd 発光装置、発光装置の製造方法、および光学装置
JP2012217155A (ja) * 2011-03-30 2012-11-08 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法
JP2015090889A (ja) * 2013-11-05 2015-05-11 京セラ株式会社 多数個取り配線基板、配線基板および電子部品
JP2017050411A (ja) * 2015-09-02 2017-03-09 株式会社東芝 光半導体装置、およびその製造方法
JP2016139823A (ja) * 2016-03-30 2016-08-04 ローム株式会社 発光装置
KR101668273B1 (ko) * 2016-07-27 2016-10-21 주식회사 태그솔루션 발광 효율이 향상된 led 인테리어 벽 및 그 제조 방법
US11264542B2 (en) 2017-04-28 2022-03-01 Nichia Corporation Light-emitting device
US11411144B2 (en) 2017-04-28 2022-08-09 Nichia Corporation Light-emitting device
US11652192B2 (en) 2017-04-28 2023-05-16 Nichia Corporation Light-emitting device

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