CN101807133A - 触控面板感应层的加工方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种触控面板感应层的加工方法,属于触控面板感应层的加工技术领域。本发明在加工触控面板的感应层工艺中使用紫外激光镭射手段,可以加工电阻触控面板感应层或者电容触控面板感应层,使加工后的产品表面没有蚀刻痕迹,划线线条更加优化,降低生产成本和污染排放,提高生产效率;触控精确度高,稳定性好的效果。
Description
技术领域
本发明涉及一种触控面板感应层的加工方法,属于触控面板感应层的加工技术领域。
背景技术
由于激光切割与其他加工方法相比,具有高速度、高精度和高适应性的特点,所以被广泛应用精确加工领域。此外,激光切割缝细、热影响区小、切割面质量好、切割时无噪音、切缝边缘垂直度好、切边光滑、切割过程容易实现自动化控制等优点。本发明正是利用激光镭射可以精确加工的特点,来适应触控面板的加工工艺越来越高的要求。
激光切割加工中依据被加工材料的不同特点及对不同波长的激光的吸收程度不同,来选择某一特定波长的激光对材料进行加工,以达到最好的加工效果。紫外波长激光非常适合处理触控面板这类聚合物材料。因为光束的衍射现象是限制加工部件最小尺寸的主要因素,激光可达到的聚焦点的最小光斑直径随着波长的增加而线性增加,因此较短波长的激光能够加工出更小的部件。与红外激光加工不同,紫外激光不是“热”处理过程,紫外激光高能量的光子可以直接破坏材料的化学键,称为“光蚀”效应。可见光和红外光激光束是利用聚焦到加工部位的热量来熔化材料,会产生热影响区;而紫外激光加工是“冷”处理过程,热影响区域小,加工出来的部件具有光滑的边缘和低限度的碳化烧灼影响。
传统蚀刻制程加工触控面板工序复杂易造成环境污染,而本发明采用紫外激光可以加工电阻触控面板或者电容触控面板,生产形式更加灵活,产品品质高。
发明内容
技术问题:本发明提出了一种触控面板感应层的加工方法,在加工触控面板的感应层工艺中使用紫外激光镭射手段,可以加工电阻触控面板感应层或者电容触控面板感应层,使加工后的产品表面没有蚀刻痕迹,划线线条更加优化,降低生产成本和污染排放,提高生产效率;触控精确度高,稳定性好的效果。
技术方案:本发明公开了一种触控面板感应层的加工方法,在无尘条件下进行,该方法包括如下步骤:
步骤一:对矩形透明导电基板整体烘烤除湿或者清洗,防止基板材料在后续加工工序中变形;其烘烤温度为100摄氏度到150摄氏度之间,烘烤时间为30分钟到120分钟之间;透明导电基板为导电玻璃或者导电压克力板时,可以采用乙醇对其清洗。
步骤二:在矩形透明导电基板的导电面四个角分别设置一个靶标,透明导电基板的导电面设置矩形框状金属导电层。
步骤三:用激光镭射切割步骤二中金属导电层其框中矩形状导电材料面形成图案层。
步骤四:用激光镭射切割步骤二中金属导电层,在图案层与金属导电层连接处形成电极,电极为输出端和引线作为整体一起连接在图案层边缘上。
上述触控面板感应层的加工方法中,步骤一中透明导电基板为导电薄膜;或者透明导电基板为导电玻璃;或者透明导电基板为导电压克力板。
导电材料为ITO(Indium Tin Oxide氧化铟锡),ITO材料直接电镀在透明基板的表面。透明基板为薄膜基板、玻璃基板、或者压克力板。
薄膜基板为聚酯(Polythylene terephthalate,PET),玻璃基板是指钠玻璃、硼硅酸玻璃、强化玻璃其中的一种。步骤二中金属导电层为铜、银、金等其他导电材料;金属导电层的厚度范围为0.1微米到5微米之间;金属导电层的宽度范围为10微米到300微米之间。步骤四中边缘相邻电极之间的等距离为10微米到300微米之间。步骤三中图案层为菱形单元矩阵、长条状单元矩阵、雪花状单元矩阵、相互平行导电栅线。步骤三和步骤四中激光镭射输出波长为355纳米紫外激光或者其他特殊滤光波长。
有益效果:本发明公开了一种触控面板感应层的加工方法,本发明在加工触控面板的感应层工艺中使用了紫外激光或者其他特殊滤光波长镭射加工方式,从而成功地实现了加工后的产品表面没有蚀刻痕迹,其外观更加整洁美观,划线线条更加优化平滑,生产形式更加灵活,产品品质高。通过用本发明的方法可以加工电阻触控面板感应层或者电容触控面板感应层,降低生产成本和污染排放,提高生产效率;产品的触控精度高,稳定性好的效果。
附图说明:
图1是本发明的触控面板感应层的加工方法流程图。
图2是本发明的实施例加工电阻触控面板过程具体步骤流程结构示意图。其中有:透明导电基板1、靶标2、金属导电层3、电极4、图案层5。
图3是本发明的实施例加工电容触控面板过程具体步骤流程结构示意图。其中有:透明导电基板1、靶标2、金属导电层3、电极4、图案层5。
图4是本发明实施例3加工电阻感应层完成后的局部示意框图。
具体实施方式
下面是本发明的具体实施例来进一步描述:
通过图2或者图3可知本发明触控面板感应层的加工方法,在无尘条件下进行如下步骤;
步骤一:对矩形透明导电基板1整体烘烤除湿;
步骤二:在矩形透明导电基板1的导电面四个角分别设置一个靶标2,透明导电基板1的导电面设置矩形框状金属导电层3;
步骤三:用激光镭射切割步骤二中金属导电层3其框内矩形状导电面形成图案层5;
步骤四:用激光镭射切割步骤二中金属导电层3,在图案层5与金属导电层3连接处形成电极4。
上述步骤一中透明导电基板1为导电薄膜,烘烤温度为100摄氏度到150摄氏度之间,烘烤时间为30分钟到120分钟之间。或者透明导电基板1采用导电玻璃或者导电压克力板,用乙醇对其清洗;步骤二中金属导电层3为铜、银、金其中的一种;金属导电层3的厚度范围为0.1微米到5微米之间;金属导电层3的宽度范围为10微米到300微米之间。步骤四中边缘相邻电极之间的等距离为10微米到300微米之间。步骤三中图案层5为菱形单元矩阵、长条状单元矩阵、雪花状单元矩阵、相互平行导电栅线。步骤三和步骤四中激光镭射输出波长为355纳米紫外激光或者其他特殊滤光波长。
实施例1:
在无尘条件下;
步骤一:用140摄氏度烘烤温度对矩形导电薄膜整体烘烤除湿90分钟。
步骤二:在矩形导电薄膜的导电面四个角分别设置一个靶标,导电薄膜的导电面印刷矩形框状银导电层;银导电层的厚度为2微米,银导电层的宽度为50微米。
步骤三:355纳米紫外激光镭射切割步骤二中银导电层其框内矩形状导电面形成菱形单元矩阵。
步骤四:355纳米紫外激光镭射切割步骤二中银导电层,在菱形单元矩阵与银导电层连接处形成电极,边缘相邻电极之间的等距离为200微米。
实施例2:
在无尘条件下;
步骤一:用100摄氏度烘烤温度对矩形导电薄膜整体烘烤除湿120分钟。
步骤二:在矩形导电薄膜的导电面四个角分别设置一个靶标,导电薄膜的导电面电镀矩形框状铜导电层;铜导电层的厚度为5微米,铜导电层的宽度为300微米。
步骤三:355纳米紫外激光镭射切割步骤二中铜导电层其框内矩形状导电面形成菱形单元矩阵。
步骤四:355纳米紫外激光镭射切割步骤二中铜导电层,在菱形单元矩阵与铜导电层连接处形成电极,边缘相邻电极之间的等距离为300微米。
实施例3:
图4中,在无尘条件下;
步骤一:用乙醇对矩形导电玻璃整体清洗。
步骤二:在矩形导电玻璃的导电面四个角分别设置一个靶标,导电玻璃的导电面镀矩形框状金导电层;金导电层的厚度为0.1微米,金导电层的宽度为10微米。
步骤三:355纳米紫外激光镭射切割步骤二中金导电层其框内矩形状导电面形成相互平行导电栅线。
步骤四:355纳米紫外激光镭射切割步骤二中金导电层,在相互平行导电栅线与金导电层连接处形成电极,边缘相邻电极之间的等距离为200微米。
实施例4:
在无尘条件下;
步骤一:用150摄氏度烘烤温度对矩形导电薄膜整体烘烤除湿30分钟。
步骤二:在矩形导电薄膜的导电面四个角分别设置一个靶标,导电薄膜的导电面电镀矩形框状铜导电层;铜导电层的厚度为2.5微米,铜导电层的宽度为150微米。
步骤三:355纳米紫外激光镭射切割步骤二中铜导电层其框内矩形状导电面形成雪花状单元矩阵。
步骤四:355纳米紫外激光镭射切割步骤二中铜导电层,在雪花状单元矩阵与铜导电层连接处形成电极,边缘相邻电极之间的等距离为150微米。
Claims (7)
1.一种触控面板感应层的加工方法,包括如下步骤,其特征在于:所述步骤在无尘条件下进行;
步骤一:对矩形透明导电基板(1)整体烘烤除湿或者清洗;
步骤二:在矩形透明导电基板(1)的导电面四个角分别设置一个靶标(2),透明导电基板(1)的导电面设置矩形框状金属导电层(3);
步骤三:用激光镭射切割步骤二中金属导电层(3)其框内矩形状导电面形成图案层(5);
步骤四:用激光镭射切割步骤二中金属导电层(3),在图案层(5)与金属导电层(3)连接处形成电极(4)。
2.如权利要求1所述触控面板感应层的加工方法,其特征在于:所述步骤一中透明导电基板(1)为导电薄膜;或者透明导电基板(1)为导电玻璃;或者透明导电基板(1)为导电压克力板。
3.如权利要求1所述触控面板感应层的加工方法,其特征在于:所述步骤二中金属导电层(3)为铜、银、金其中的一种;金属导电层(3)的厚度范围为0.1微米到5微米之间;金属导电层(3)的宽度范围为10微米到300微米之间。
4.如权利要求1所述触控面板感应层的加工方法,其特征在于:所述步骤四中边缘相邻电极之间的等距离为10微米到300微米。
5.如权利要求1所述触控面板感应层的加工方法,其特征在于:所述步骤三中图案层(5)为菱形单元矩阵,或者图案层(5)为相互平行导电栅线。
6.如权利要求1所述触控面板感应层的加工方法,其特征在于:所述步骤一中烘烤温度为100摄氏度到150摄氏度之间;步骤一中烘烤时间为30分钟到120分钟之间。
7.如权利要求1所述触控面板感应层的加工方法,其特征在于:所述步骤三中激光镭射输出波长为355纳米紫外激光;步骤四中激光镭射输出波长为355纳米紫外激光。
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