CN101803009A - 组合物，包括这种组合物的热界面材料，及其制备方法和用途 - Google Patents

组合物，包括这种组合物的热界面材料，及其制备方法和用途 Download PDF

Info

Publication number
CN101803009A
CN101803009A CN200880106224A CN200880106224A CN101803009A CN 101803009 A CN101803009 A CN 101803009A CN 200880106224 A CN200880106224 A CN 200880106224A CN 200880106224 A CN200880106224 A CN 200880106224A CN 101803009 A CN101803009 A CN 101803009A
Authority
CN
China
Prior art keywords
thermal
composition
thermal conductance
electronic unit
silicone particles
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN200880106224A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101803009B (zh
Inventor
德瑞布·埃都·巴瓦格尔
唐纳德·利乐
尼克·埃文·谢泼德
徐胜清
林祖辰
G·M·法兹利·爱拉合
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dow Silicones Corp
Original Assignee
Dow Corning Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dow Corning Corp filed Critical Dow Corning Corp
Publication of CN101803009A publication Critical patent/CN101803009A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101803009B publication Critical patent/CN101803009B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3736—Metallic materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3737—Organic materials with or without a thermoconductive filler
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • H01L23/433—Auxiliary members in containers characterised by their shape, e.g. pistons
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16227—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73253—Bump and layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01021—Scandium [Sc]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01046—Palladium [Pd]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01057—Lanthanum [La]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/0132—Binary Alloys
    • H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3011—Impedance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Abstract

一种组合物，包含热导金属基质和分散于其中的硅酮颗粒。这种组合物能够用于在电子器件中形成热界面材料。该组合物既能够用于TIM1，又能够用于TIM2应用。

Description

组合物，包括这种组合物的热界面材料，及其制备方法和用途
相关申请的交叉引用
本申请要求享有2007年9月11日提交的序列号为No.60/971,297的美国临时专利申请的权益。美国临时专利申请No.60/971,297结合于本文中作为参考。
有关联邦政府资助研究的申明
无
背景技术
生热电子部件如半导体、晶体管、集成电路(IC)、离散器件、发光二极管(LED)和本领域内已知的其它电子部件，经过设计而在标准工作温度下或在标准工作温度范围内(标准工作温度)进行工作。然而，如果在工作期间没有排出足够的热量，则电子部件将会在显著高于其标准工作温度的温度下工作。过高的温度能够对电子部件和与其相关的电子器件工作的性能有不良影响，对故障之间的平均时间有负面影响。
为了避免这些问题，热量能够通过电子部件进行热传导至散热器而排出。这种散热器然后通过任何方便的方式如对流或辐射技术而进行冷却。在热传导期间，热量能够从电子部件通过电子部件和散热器之间的表面接触或通过电子部件与具有热界面材料(TIM)的散热器接触而传导至散热器。介质的热阻越低，从电子部件到散热器的热流就越大。
电子部件和散热器的表面通常并不完全光滑，因此，很难实现表面之间的完全接触。空气间隙，由于其是较差的热导体，出现在表面之间，就会增加热阻。这些空间能通过在表面之间***TIM而填充。
一些商业可获得TIM具有聚合物或弹性体和分散于其中的热导填料。然而，弹性体基质具有的缺陷是它们或许很难以未固化的状态应用，而其如果应用之前发生固化则不可以完全粘附于该表面或与该表面啮合。聚合物基质的缺点是它们会在应用之后留出该空间。随着电子器件越来越小，因为这些电子部件在越小的区域就会产生更多的热量，或随着碳化硅(SiC)基的电子器件的开发，因为SiC电子部件的标准工作温度高于以上讨论的电子部件，这些TIM也可以出现缺乏足够热导率的缺点。
焊接材料也已经建议作为TiM。然而，熔点低于标准工作温度的焊料或许遇到的缺点是需封装弹性体或挡料圈以防止焊料在应用之后流出这些空间。熔点高于标准工作温度的焊料一般比传统的TIM施加的厚度显著更厚。这就产生了成本增加的缺点，因为更多的焊料用于产生更厚的粘合线。包括热膨胀系数较低(CTE)的焊料，如氧化铝，氧化锌和石墨，对于一些TIM应用，或许缺乏足够的柔软性或热导率，或者二者都缺乏。这些TIM也可以由于原料成本而是十分昂贵。
发明内容
一种包括热导金属和硅酮颗粒的组合物(合成物)。
附图说明
图1是热界面材料的横截面图。
图2是电子器件的横截面图。
图3是可选热界面材料的横截面图。
图4是热阻作为粒径的函数图。
参考标记
100TIM
101基底
102组合物
103释放衬垫
200电子器件
201IC芯片
202基底
203芯片粘结剂
204隔离物
205焊料球
206衬垫
207TIM1
208金属覆盖物
209散热器
210TIM2
211热通路
300TIM
301热导金属
302组合物
具体实施方式
一种组合物包括a)热导金属和b)在所述热导金属中的硅酮颗粒。可替代地，层压结构可以包括：
I)该组合物，包括
a)热导金属和
b)在所述热导金属中的硅酮颗粒；和
II)在所述组合物表面上的热导材料。
热导材料，II)可以是第二热导金属或热导化合物如热导润滑脂。第二热导金属，II)，可以具有低于所述热导金属熔点的熔点，a)。可替代地，热导材料，II)，可以是热导化合物。
可替代地，该组合物，I)，可以形成具有第一和第二相对表面的膜。该膜可以具有II)在第一相对表面上的热导材料。该膜可以可选地进一步包括III)在第二相对表面上的第二热导材料。热导材料II)和III)可以是相同的或不同的。热导材料II)和III)可以是，例如，热导金属或热导化合物如热导润滑脂。
组合物，层压结构和在其相对表面上具有的第一和第二热导材料的膜，如上所述，每一个都适用于用作电子器件中的TIM。组合物，层压结构和膜都适用于TIM1和TIM2的应用。可替代地，组合物，层压结构和膜可以用于TIM1应用中。含有以上描述的组合物且在组合物表面上无其他热导材料层的TIM，适用于商业TIM应用。可替代地，在一侧上具有第一热导金属层(和可选地在另一侧具有第二热导金属)的组合物可以用于各种电子器件中商业TIM应用。可替代地，该组合物可以具有作为热导材料的热导化合物。合适的热导化合物可以从Dow Corning Corporation of Midland，Michigan USA商购获得，如Dow Corning
Figure GPA00001046798400041
SC 102，和Dow Corning
Figure GPA00001046798400042
热导化合物，如CN-8878，TC-5020，TC-5021，TC-5022，TC-5025，TC-5026，TC-5121，TC-5600，和TC-5688。热导化合物可以是包括非可固化的聚二有机硅氧烷和热导填料的热导润滑脂。当热导化合物如热导润滑脂在组合物表面上时，这可以适用于测试集成电路芯片的载体应用。
基质
热导金属在本领域内是已知的，并且可以商购获得。热导金属可以是金属如银(Ag)，铋(Bi)，镓(Ga)，铟(In)，锡(Sn)，铅(Pb)或其合金；可替代地，该热导金属可以包括In，Sn，Bi，Ag，或其合金。Ag，Bi，Ga，In或Sn的合金可以进一步包括铝(Al)，金(Au)，镉(Cd)，铜(Cu)，镍(Ni)，锑(Sb)，锌(Zn)，或其组合。合适的合金的实例包括Sn-Ag合金，In-Ag合金，In-Bi合金，Sn-Pb合金，Bi-Sn合金，Ga-In-Sn合金，In-Bi-Sn合金，Sn-In-Zn合金，Sn-In-Ag合金，Sn-Ag-Bi合金，Sn-Bi-Cu-Ag合金，Sn-Ag-Cu-Sb合金，Sn-Ag-Cu合金，Sn-Ag合金，Sn-Ag-Cu-Zn合金，及其组合。合适的合金实例包括Bi95Sn5，Ga95In5，In97Ag3，In53Sn47，In52Sn48(以In 52从AIM of Cranston，Rhode Island，USA商购获得，)，Bi58Sn42(以Bi 58从AIM商购获得)，In66.3Bi33.7，In95Bi5，In60Sn40(从AIM商购获得)，Sn85Pb15，Sn42Bi58，Bi14Pb43Sn43(以Bi14从AIM商购获得)，Bi52Pb30Sn18，In51Bi32.5Sn16.5，Sn42Bi57Ag1，SnAg2.5Cu.8Sb.5(以CAStin
Figure GPA00001046798400043
从AIM商购获得)，SnAg3.0Cu0.5(以SAC305从AIM商购获得)，Sn42Bi58(从AIM商购获得)，In80Pb15Ag4(以In 80从AIM商购获得)，SnAg3.8Cu0.5(以SAC387从AIM商购获得)，SnAg4.0Cu0.5(以SAC405从AIM商购获得)，Sn95Ag5(以SN 100C从AIM商购获得)，Sn99.3Cu0.7，Sn97Sb3，Sn36Bi52Zn12，Sn17Bi57Zn26，Bi50Pb27Sn10Cd13，和Bi49Zn21Pb18Sn12。可替代地，合金可以是任何以上描述的无铅合金。无铅是指该合金包括的Pb少于以重量计0.01％。可替代地，合金可以是以上描述的含铟的任何合金。可替代地，合金可以是以上描述的任何无铟合金。无铟的是指合金包括的In少于以重量计0.01％。可替代地，合金可以是熔点范围广泛的非共晶合金。
热导金属的精确熔点可以通过本领域内的技术人员进行选择，这取决于包括组合物的最终用途在内的各种因素。例如，当组合物用于TIM应用时，热导金属可以具有高于其中将要使用TIM的电子器件标准工作温度的熔点。而且，组合物可以具有低于其中将要使用TIM的电子器件制造温度的熔点。例如，组合物可以具有超过电子器件标准工作温度至少5℃的熔点。可替代地，当电子器件包括传统生热电阻部件如半导体，晶体管，IC，或离散器件时，该热导金属能够具有的熔点范围为50-300℃，可选地60-250℃，或可替代地150-300℃。可替代地，当组合物将用于生热的SiC电子部件的TIM应用时，电子器件的标准工作温度可以比使用传统生热电子部件时更高。在这种TIM应用中，该热导金属能够具有的熔点范围为150-300℃，可替代地，200-300℃。
当层压结构存在并包括I)一种组合物，包含a)第一热导金属和b)在该热导金属中的颗粒；和II)在组合物表面上的第二热导金属；第一和第二热导金属可以都选自以上所给的实例，条件是II)第二热导金属所具有的熔点低于a)第一热导金属熔点至少5℃，可替代地至少30℃。可替代地，II)第二热导金属的熔点可以低于a)第一热导金属熔点5℃-50℃。在该层压结构中，II)第二热导金属的熔点可以高于电子器件标准工作温度至少5℃而低于该器件的制造温度至少5℃，而第一热导金属的熔点可以高于或低于电子器件制造温度(可替代地至少高于5℃以上)。
组合物中热导金属的含量取决于各种因素，包括所选择的金属或合金和所选硅酮颗粒的类型，然而，足以使该热导金属在组合物中成为连续相。可替代地，热导金属含量的范围可以为组合物的50vol.％-99vol.％(以体积计50％-90％)，可选地60vol.％-90vol％，或可选地55vol.％-60vol％。
硅酮颗粒
组合物进一步包括硅酮颗粒。硅酮颗粒能够缓解机械应力。为该应用之目的，硅酮是指具有由不只一种有机官能的SiO单元构成骨架的聚合物。硅酮颗粒能够经受弹性形变或塑性形变。硅酮颗粒可以具有的弹性模量低于热导金属的弹性模量。硅酮颗粒可以存在的含量范围为组合物的1vol.％-50vol％，可替代地10vol.％-40vol％，可替代地40vol.％-45vol％，或可替代地10vol.％-30vol％。
硅酮颗粒的形状并不苛求。例如，硅酮颗粒可以是，例如，球形的，纤维状的，或其组合。可替代地。硅酮颗粒可以是球形的或不规则的。硅酮颗粒的形状可以取决于其生产方法。例如，球形的硅酮颗粒可以通过以下所描述的乳液聚合工艺方法获得。本领域的技术人员将会认知，当硅酮颗粒是球形时，本文中所描述的平均粒径表示球形硅酮颗粒的平均颗粒直径。形状不规则的硅酮颗粒可以通过包括硅酮橡胶低温破碎的方法制备。硅酮颗粒可以，例如，通过以下所描述的乳液聚合工艺方法进行固化。可选地，硅酮颗粒可以是，例如，未固化的高分子量聚合物。硅酮颗粒可以是弹性体的或树脂的或其组合。可替代地，硅酮颗粒可以包括颗粒的聚结块(聚集体)。硅酮颗粒可以在组合物中离散分布，且该硅酮颗粒可以形成不连续相。
硅酮颗粒可以具有的平均粒径为至少15微米，或可替代地至少50微米。可替代地，硅酮颗粒可以具有的平均粒径为15微米-150微米，可替代地50微米-100微米，可替代地15微米-70微米或可替代地50微米-70微米。
不期望受理论所束缚，可以设想，精细颗粒，例如平均粒径5微米或更小，当组合物用作TIM时，可能并不适用于本发明。精细颗粒可能所具有的粒径不足以在TIM应用中起到间隔物的作用。精细颗粒可能并不能提供本文中所述硅酮颗粒提供的同样高的热导率，或同样高的顺度(可塑性)。不期望受理论所束缚，可以设想，本文中所描述的硅酮颗粒将会比同样体积负载量的精细颗粒提供更好的蠕变松弛。
而且，精细颗粒可能比本文中描述的硅酮颗粒更难引入到金属基质中，因为精细颗粒总是不能引入本文中硅酮颗粒同样高的体积。精细颗粒的生产方法中，精细颗粒一直不能可靠地通过过滤回收，因为由于弹性体的本性和小颗粒粒径，精细颗粒会发生凝聚。在生产这些精细颗粒中的回收步骤，例如可以通过冻干或喷雾干燥进行实施，这会在表面上残留不能完全除去的有害的表面活性剂。
相反，本文中所用的硅酮颗粒可以通过相转化法进行制备，而这些硅酮颗粒可以通过过滤回收。表面活性剂能够完全除去，而可选地，不同涂层和/或表面处理剂能够施加于该硅酮颗粒。例如，用于本文中的硅酮颗粒可以通过包括含水乳液聚合法的相转化法进行制备。在该方法中，提供硅酮连续相(油相)，而向硅酮的该连续相中加入表面活性剂和水的混合物。附加的水可以可选地加入。不期望受理论束缚，可以设想，表面活性剂与水的比率能够经过调节而控制粒径。硅酮连续相在铂族金属催化剂存在下可以包括含有聚有机含氢硅氧烷(polyorganohydrogensiloxane)的烯基官能性聚有机硅氧烷。聚合之后，所得的硅酮颗粒可以进行冲洗并过滤而除去表面活性剂。可替代地，热稳定剂可以加入到该过程中而为硅酮颗粒提供改进的热稳定性。合适的热稳定剂实例包括金属氧化物如氧化铁，四氧化三铁，氢氧化铁，氧化铈，氢氧化铈，氧化镧，气相二氧化钛(fumed titanium dioxide)，或其组合。当组合物用作SiC部件电子元件的TIM时，这是特别有用的。当加入时，稳定剂可以存在的量范围为以重量计组合物的0.5％-5％。
可替代地，SiH官能的硅酮颗粒可以用于基质中。不期望受理论束缚，可以设想，SiH官能度(functionality)可以改进硅酮颗粒在含铟基质中的分散情况。合适的SiH官能硅酮颗粒在以下几个段落中描述。
硅酮颗粒的制备方法
制备这些硅酮颗粒的典型方法可以通过例如描述于美国专利4,742,142；4,743,670；和5,387,624中的方法经过改进而获得。表面活性剂和水的比率对于本领域内的普通技术人员可以从美国专利4,742,142；4,743,670；和5,387,624中进行变化而生产他或她所需尺寸的硅酮颗粒。在该方法中，硅酮颗粒能够通过在水中用一种或多种表面活性剂以反应性硅酮组合物0.1wt％-10wt％的用量范围乳化反应性硅酮组合物。所用水量，基于反应性硅酮组合物的重量，可以为5wt％-95wt％，可选地为50％。水能够在一个步骤添加或分多次进行添加。
硅酮颗粒可以可选地在其表面上具有金属或金属氧化物。金属可以与以上描述的热导金属相同或不同。金属可以包括Ag，Al，Au，Bi，钴(Co)，Cu，In，铁(Fe)，Ni，钯(Pd)，铂(Pt)，Sb，Sn，Zn，或其合金。可选地，在硅酮颗粒上的金属可以是Ag。金属氧化物可以是以上任何金属的氧化物。金属或金属氧化物可以通过各种技术提供于硅酮颗粒表面上。例如，当硅酮颗粒通过水乳液聚合法进行制备时，在水乳液聚合之后，硅酮颗粒可以通过湿法金属化法原位涂覆。可替代地，硅酮颗粒通过，例如，过滤回收，然后硅酮颗粒可以通过诸如物理气相沉积(PVD)，化学气相沉积(CVD)，化学镀沉积，浸渍法，或喷雾法的方法进行涂覆。不期望受理论束缚，可以设想，金属或金属氧化物可以对以上描述的热导金属具有亲合性，而硅酮颗粒上的金属或金属氧化物可以通过热导金属提供硅酮颗粒改进的润湿性。可以设想，在组合物中，硅酮颗粒表面上的金属或金属氧化物可以提供的益处有热导率增加，稳定性改进，机型性能增强，改进了的CTE，或其组合。
可替代地，例如，通过制备具有树脂(枝化)的或直链聚合物结构的硅烷(SiH)官能性胶体并在其制备期间或之后金属化硅酮颗粒来制备硅酮颗粒和可选地用金属涂覆。制备这些胶体的方法包括，在阴离子表面活性剂/酸催化剂如十二烷基苯磺酸(DBSA)存在下采用硅烷如R(SiOMe)3，R2Si(OMe)2实施乳液聚合，其中每一R是单价烃基团或氟化单价烃基团，如Me，Et，Pr，Ph，F3(CH2)2或C4F9(CH2)2，(其中Me代表甲基，Et代表乙基，Pr代表丙基，和Ph代表苯基)。含硅烷的典型非SiH有MeSi(OMe)3，其形成胶状T树脂。MQ型树脂也能够通过乳液聚合Si(OEt)4(TEOS)和六甲基二硅氧烷或Me3SiOMe而制备。胶状MQ树脂的典型起始原料是TEOS和六甲基二硅氧烷。乳液聚合物可以通过升高组合物pH超过4.0而停止。在本领域内的技术人员将会认知到，M、D、T和Q是指以下结构式的硅氧烷单元
Figure GPA00001046798400081
其中R如上所述。
SiH官能度可以通过SiH官能性硅烷或低分子量SiH官能性硅氧烷和以上描述的硅烷进行共聚而引入。典型的SiH官能性硅烷是(MeO)2SiMeH。典型的SiH官能性硅氧烷是(Me3SiO)2SiMeH和(HMe2Si)2O。SiH官能性硅烷或所用的SiH硅氧烷的用量能够在0.001％-100％之间变化。
分阶段加入SiH化合物以制备结构化的胶状颗粒，也是可能的。例如，SiH化合物能够在聚合物过程的后程加入而使硅酮颗粒在颗粒外部的SiH含量高于颗粒内部。通过改变SiH化合物的水平和添加的时间，本领域内的技术人员将能够制备各种具有SiH官能度的胶状组合物。
本文中所述的SiH官能性胶体能够构成反应性分散液或乳液。SiH部分能够在该胶体处于其分散状态的同时进行反应，或其能够在除去水之后在其聚结状态下进行反应。
制备金属涂层的硅酮颗粒的方法包括用金属盐溶液处理含SiH的聚合物乳液或胶体。SiH部分起到还原剂作用，而将某些金属离子还原成其单质形式。反应在室温下发生，而可以在几个小时之后完成。胶体和弹性体乳液可以例如采用Ag，Au，Cu和Pt的盐进行处理。
可替代地，硅酮颗粒可以采用低温破碎工艺方法进行制备。这种工艺方法在本领域内是已知的，而例如描述于美国专利3,232,543；4,383,650；和5,588,600中。
硅酮颗粒可以可选地进行了表面处理，无论硅酮颗粒是否在其表面上具有金属/或金属氧化物。例如，表面处理可以是表面处理剂，物理处理(例如，等离子体)，或表面化学反应(原位聚合)。表面处理剂在本领域内是已知的，而可以商购获得。合适的表面处理剂包括但不限于，烷氧基硅烷，如己基三甲氧基硅烷，辛基三乙氧基硅烷，癸基三甲氧基硅烷，十二烷基三甲氧基硅烷，十四烷基三甲氧基硅烷，苯基三甲氧基硅烷，苯基乙基三甲氧基硅烷，十八烷基三甲氧基硅烷，十八烷基三乙氧基硅烷，乙烯基三甲氧基硅烷和甲基三甲氧基硅烷，3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷，3-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷，3-氨基丙基三甲氧基硅烷，及其组合；烷氧基官能性的寡硅氧烷；硫醇和烷基硫醇如十八烷基硫醇；聚砜，如硫桥硅烷，脂肪酸如油酸，硬脂酸；和醇如肉豆寇醇，辛醇，硬脂醇，或其组合；其中官能团能够是烷氧基硅烷基，硅氮烷，环氧，丙烯酰氧基，肟，或其组合的官能性烷基聚硅氧烷。例如，表面处理剂能够是(环氧丙氧基丙基)甲基硅氧烷/二甲基硅氧烷共聚物，在一端具有结构式Si(OR’)3的基团而在另一端具有结构式SiR”3的基团的二甲基硅氧烷聚合物，其中R′独立地表示单键烃基如烷基，而每一个R″独立地表示单键烃基如烷基或烯基。可替代地，表面处理剂能够是氨基官能性的聚二甲基硅氧烷聚合物或糖化物-硅氧烷聚合物。
表面处理剂的用量取决于各种因素，包括硅酮颗粒的类型和含量，然而，该含量基于硅酮颗粒的重量，可以是0.1％-5％的范围。例如，其它添加剂如石蜡可以加入以改进可加工性。
组合物可以通过将热导金属和硅酮颗粒采用任何方便的方法如包括以下步骤的方法化合制备：1)将热导金属加热至其熔点之上的温度，和2)将硅酮颗粒与熔融的热导金属混合。可替代地，组合物可以通过包括以下步骤的方法进行制备：1)将热导金属和硅酮颗粒混合，而此后2)将步骤1的产品加热至热导金属重熔(reflow，软熔)。可替代地，该方法可以包括1)将硅酮颗粒包卷入热导金属薄片或箔中，而此后2)重熔热导金属。这些方法可以可选地进一步包括3)将步骤2)的产品例如通过可选地采用加热的压缩而制造成所需厚度。可替代地，挤压或辊压可以用于将组合物制成所需的厚度。这些方法可以可选地进一步包括4)将组合物形成所需的形状。步骤4)可以，例如，通过将步骤2)或步骤3)的产品切成所需的形状，如TIM。可替代地，形成所需形状能够通过模注塑组合物而进行实施。可替代地，方法可以包括1)将硅酮颗粒和热导金属颗粒施加于基底物，和此后2)采用或不采用助熔剂重熔所述热导金属。制造期间所用的精确压力和温度取决于各种因素，包括所选的热导金属的熔点和所得组合物的所需厚度，然而，温度的范围可以为从室温至刚好低于热导金属熔点之间的温度，可替代地，为60-120℃。
当组合物具有层压结构时，该方法可以进一步包括在组合物表面压另外一层热导金属。该方法可以进一步包括在加压期间进行加热。例如，在制造层压结构的期间所用的精确压力和温度取决于各种因素，包括所选热导金属的熔点和所得层压结构的所需厚度，然而，压力范围可以为30-45psi(磅/平方英寸)，而温度范围可以为40-130℃。可替代地，当组合物具有层压结构时，该方法可以进一步包括在组合物表面上散布热导化合物，如热导润滑脂。散布可以通过任何方便的方式，如刷涂或机械涂料进行实施。
热界面材料
组合物、层压和以上描述的膜适用于TIM应用。当组合物用作TIM，热导金属，a)，(其中具有硅酮颗粒)可以具有高于电子器件标准工作温度的熔点。TIM可以，例如，制造成具有一定厚度的衬垫。硅酮颗粒可以具有的平均粒径范围为TIM厚度的10％-100％。例如，当平均粒径为厚度的100％时，硅酮颗粒可以使用作为TIM中的间隔物。硅酮颗粒的平均颗粒粒径取决于各种因素，包括热界面材料的熔合线厚度(bondline thickness，结合层厚度)和TIM是否在其制造期间或之后进行压缩。然而，硅酮颗粒可以具有的平均粒径为至少15微米。可替代地，硅酮颗粒的平均粒径范围为15微米-150微米，可替代地50微米-100微米，可替代地15微米-70微米或可替代地50微米-70微米。本领域的技术人员将会认知到，如果TIM在制造期间或之后进行压缩；颗粒粒径可以变化。例如，如果球形的弹性体颗粒通过乳液聚合进行制备，在压缩之后，颗粒形状将变成碟形，而颗粒粒径也将随之变化。可替代地，如果使用硅酮树脂颗粒，硅酮树脂颗粒可以在TIM中起到间隔物作用。
图1显示了采用以上描述的组合物制造的TIM的横截面图。在图1中，TIM 100包含基底物101，和形成于基底物101相对侧面上的上述组合物层102。释放衬垫103施加于组合物102暴露表面之上。
图3显示了按照上述制造的可替代的TIM的横截面图。在图3中，TIM300是包括在组合物两相对表面上具有第一和第二热导金属层301的组合物302的层压膜。热导金属301的熔点低于组合物302的热导金属熔点。热导金属301可以是无硅酮颗粒的。“无硅酮颗粒”是指热导金属301之中并未分散有硅酮颗粒或比组合物302中的热导金属中分散的硅酮颗粒更少。TIM 302可以通过任何方便的方法，例如，通过将热导金属301压到组合物302的相对两表面上而进行制备。热导金属301可以具有的熔点高于电子器件标准工作温度而低于电子器件的制造温度。
电子器件
电子器件能够包含以上描述的TIM。电子器件包括：
i)第一电子部件，
ii)第二电子部件，
iii)以上描述的TIM，其中TIM***于第一电子部件和所述第二电子部件之间。第一电子部件可以是半导体芯片而第二电子部件可以是散热器。可替代地，第一电子部件可以是半导体芯片而所述第二电子部件可以是传热器(TIM1应用)。可替代地，第一电子部件可以是传热器而所述第二电子部件可以是散热器(TIM2应用)。在电子器件中TIM1和TIM2可以是相同的或不同的组合物。
电子器件可以通过包括以下步骤的方法进行制造：将以上描述TIM与第一电子部件的第一表面接触和将TIM加热至热导金属熔点之上的温度。该方法可以可选地进一步包括在加热之前将TIM与第二电子部件第二表面接触。热导金属可以经过选择而具有高于电子器件标准工作温度而低于该器件制造温度的熔点，由此当电子器件工作时保证TIM是固体。不期望受理论束缚，可以设想，这种制造方法提供了在TIM和电子部件之间形成胶合而不会出现TIM在标准工作期间流出界面的受益。为了有助于这种胶合的形成，可以可选地在接触电子部件的表面和加热时使用助熔剂。可选地，电子部件的表面可以进行金属化，例如用Au进行涂层，而进一步改进粘结作用。当器件工作时，从第一电子部件向第二电子部件散热。
可替代地，以上描述的电子器件中TIM可以是一种组合物，包含：具有第一熔点的第一热导金属，和在第一热导金属中的硅酮颗粒；且进一步包括在该组合物表面上具有第二熔点的第二热导金属层；其中第一熔点大于第二熔点。可替代地，TIM可以包括制成具有第一和第二相对表面的膜的上述组合物，其中第一相对表面之上有具有第二熔点的第二热导金属层，而第二相对表面其上有具有第三熔点的第三热导金属层。
图2显示了典型电子器件200的横截面图。器件200包含通过包括间隔物204的芯片粘结剂203安装于基底物202上的电子部件(显示为IC芯片)201。基底物202具有通过衬垫206连接其上的焊料球205。由以上描述的组合物制成的第一热界面材料(TIM1)207***于IC芯片201和金属覆盖物208之间。金属覆盖物208起到传热器作用。第二热界面材料(TIM2)210由以上所述的组合物制成，***于金属覆盖物208和散热器209之间。当该器件工作时，热沿着由箭头211所表示的热通路传递。
实施例
所包括的这些实施例用于向本领域内普通技术人员举例说明本发明，而不应该解释为限制权利要求中所提呈的本发明范围。根据本公开内容，本领域的那些技术人员应该，理解到，在所公开的具体实施方式中能够作出许多变化，而仍将获得相似或类似结果，而不会偏离权利要求中提呈的本发明范围和精神。
参照实施例1-硅酮颗粒的制备
在实施例8中所用的硅酮颗粒通过称重50g动态粘度为107厘司(centistoke)、聚合度约100和氢含量0.083％的甲基氢/二甲基聚硅氧烷流体装入最大100g烧杯中而进行制备。这随后向杯中称入1.87g己二烯和两滴相应于约0.2g由Pt二乙烯基四甲基二硅氧烷络合物在乙烯基官能性硅氧烷中组成的可溶性铂催化剂(催化剂组合物含有0.5％元素Pt)。混合物在
Figure GPA00001046798400131
DAC-150中旋转10秒。在加入1.3g在水中的月桂醇(20)乙氧基化物72％(
Figure GPA00001046798400132
35L)之后再加入8.0gDI水(初始水)。烧杯在DAC-150
Figure GPA00001046798400133
中以最大速度旋转20秒。烧杯内容物进行检测而观察到混合物转化成油/水(O/W)乳液。
烧杯以最大速度在旋转20秒之后，加入10g稀释水。烧杯以约1/2最大速度的速度旋转15秒。这之后接着加入另外15g稀释水，并以1/2最大速度的速度旋转15秒。完成最后的加水而使所加入的稀释水总量为35g。将烧杯放入50℃的炉子中2小时。烧杯冷却，所得的硅酮橡胶分散体的粒径采用Malvern
Figure GPA00001046798400134
S测定。通过采用装有标准实验室过滤纸的Buchner漏斗过滤而收获颗粒。所得的滤饼，由硅酮橡胶颗粒构成，用另外的100mLDI水在过滤期间进行冲洗。滤饼从Buchner过滤器中移出并放入玻璃烘烤盘中而在环境实验室条件下气流干燥过夜(-20小时)，接着再在50℃的炉子中干燥2小时。采用一片纸将干燥的颗粒转移至玻璃瓶中储存。由光散射仪获得的颗粒粒径如下：Dv50＝15微米；Dv90＝25微米。
参照实施例2-硅酮橡胶颗粒的制备
在实施例7中所用的颗粒通过以下方法制备。球形硅酮橡胶颗粒的分散体根据参照实施例1的方法进行制备。不采用过滤，分散体倾倒入玻璃烘烤盘中，而在环境实验室条件蒸发过夜(22小时)。所得的团块采用压舌板破碎，并转入配备螺旋盖的小广口玻璃瓶中。硅酮颗粒在50℃炉子中另外再干燥2小时。将硅酮颗粒转入玻璃瓶中储存。这些颗粒由包括表面活性剂(
Figure GPA00001046798400141
35L)的硅酮橡胶颗粒构成。
参照实施例3-Ag处理颗粒的制备
实施例2中所用的硅酮颗粒通过以下方法进行制备。50g动态粘度为135厘司、聚合度约120和氢含量0.114％的甲基氢/二甲基聚硅氧烷流体称重装入最大100g烧杯中。这随后向杯中称入1.87g己二烯和两滴相应于约0.2g由Pt二乙烯基四甲基二硅氧烷络合物在乙烯基官能性硅氧烷中组成的可溶性铂催化剂(催化剂组合物包括0.5％元素Pt)。混合物在DAC-150中旋转10秒。在加入0.82g在水中的60％次级烷基磺酸表面活性剂(
Figure GPA00001046798400143
SAS 60)之后再加入6.0g DI水(初始水)。烧杯在DAC-150
Figure GPA00001046798400144
中以最大速度旋转20秒。烧杯内容物进行检测而观察到混合物转化成O/W乳液。
烧杯以最大速度在旋转20秒之后，加入10g稀释水。烧杯以约1/2最大速度的速度旋转15秒。这之后接着加入另外15g稀释水，并以1/2最大速度的速度旋转15秒。完成最后的加水而使所加入的稀释水总量为35g。将烧杯内容物转入250mL瓶中并将加盖的瓶子放入50℃的炉子中2小时。烧杯冷却至室温，所得的硅酮橡胶分散体的粒径采用Malvern
Figure GPA00001046798400145
S测定。向瓶中所含乳液中加入10g以重量计3％的AgNOstic3水溶液，并用手振荡几分钟。该瓶子在实验室环境温度下保持静止约24小时。
乳液颜色由乳白色变成非常深的黑褐色。处理的硅酮弹性体颗粒通过在真空过滤烧瓶和配备普通实验室过滤滤纸的Buchner漏斗进行过滤而收获。滤饼用另外的DI水进行冲洗，并容许在室温下干燥48小时。干燥的产品通过采用倒置的两盎司广口瓶轻度压碎聚结块而进行破碎。颗粒的颜色为淡褐色。Ag的存在通过X-射线荧光进行验证，并测得含量为0.1wt％。按照干燥前含水乳液的光散射测定的平均粒径为30微米。
实施例1-硅酮橡胶颗粒
硅酮颗粒通过由聚(乙烯基硅氧烷)和聚(氢硅氧烷)在作为催化剂的铂存在下发生水乳液聚合而进行制备。平均颗粒直径为50微米(D90直径为85微米)。这些含量为以体积计26.5％的硅酮颗粒，与In51Bi32.5Sn16.5(熔点60℃)混合。混合物加热至70℃并强力搅拌5分钟。冷却至室温之后，所获得的混合物在60℃下压成膜。将膜切成小尺寸片进行热导测定，这根据用于热导电绝缘材料的传热性能(Thermal Transmission Properties of ThermallyConductive Electrically Insulating Materials)的ASTM D5470标准试验方法通过防护热板法进行实施。在36.2psi的负载压力下，厚度为0.185mm的膜具有热阻为0.252℃·cm2/W，而表观热导率为7.373W/mK。表观热导率是指用热阻除以厚度，校正单位差异。
实施例2-银涂敷的硅酮橡胶颗粒
该硅酮颗粒按照参照实施例3中的描述进行制备。平均颗粒直径为25微米(D90直径为45微米)，而基于硅酮颗粒的重量，银存在的含量为0.18％。以体积计含量为20.6％的这些硅酮颗粒，连同7.4vol％作为表面处理剂的(环氧丙氧基丙基)甲基硅氧烷/二甲基硅氧烷共聚物(以EMS-622从Gelest，Inc.，of Morristown，PA，USA商购获得)，与In51Bi32.5Sn16.5混合。混合物加热至70℃并强力搅拌2分钟。冷却至室温之后，所获得的混合物在60℃下压成膜。将膜切成小尺寸片进行热导测定。在36.2psi的负载压力下，厚度为0.087mm的膜具有热阻0.188℃·cm2/W，而表观热导率为4.413W/mK。
对照实施例3-无颗粒
In51Bi32.5Sn16.5在60℃下压制成膜。该膜切成小尺寸片进行热导测定。在36.2psi的负载压力下，厚度为0.185mm的膜具有热阻1.932℃·cm2/W，而厚度为0.087mm的膜热阻为0.499℃·cm2/W。膜厚度为0.185mm的膜表观热导率为0.958W/mK，而厚度为0.087mm的膜具有热导率1.743W/mK。
实施例4-氧化铝颗粒
体积分数为22.8％的氧化铝粉与In51Bi32.5Sn16.5进行混合。混合物加热至70℃，并强力搅拌2分钟。冷却至室温之后，所获得的混合物在60℃下压成膜。将膜切成小尺寸片进行热导测定。在36.2psi的负载压力下，厚度为0.182mm的膜具有热阻0.951℃·cm2/W，而表观热导率为1.892W/mK。本发明人令人惊讶地发现，采用实施例1中的未涂层硅酮橡胶颗粒生产的TIM比这些包括氧化铝颗粒的TIM具有的热阻更低而热导率更高。
实施例5-具有平均直径5微米的精细硅酮橡胶颗粒
以体积计含量为27.7％的硅酮橡胶颗粒，平均颗粒粒径5.15微米而多分散指数(PDI)为1.40的DOW
Figure GPA00001046798400161
9506，与In51Bi32.5Sn16.5混合。混合物加热至70℃，并强力搅拌2分钟。冷却至室温之后，所获得的混合物在60℃下压成膜。将膜切成小尺寸片进行热导测定。在36.2psi的负载压力下，厚度为0.185mm的膜具有热阻0.454℃·cm2/W，而表观热导率为4.065W/mK。
实施例6-具有平均直径2微米的精细硅酮橡胶颗粒
以体积计含量为23.4％的硅酮橡胶颗粒，平均颗粒粒径1.39微米而多分散指数(PDI)为1.14的DOW
Figure GPA00001046798400162
EP-2100，与In51Bi32.5Sn16.5混合。混合物加热至70℃，并强力搅拌2分钟。冷却至室温之后，所获得的混合物在60℃下压成膜。将膜切成小尺寸片进行热导测定。在36.2psi的负载压力下，厚度为0.184mm的膜具有热阻1.095℃·cm2/W，而表观热导率为1.677W/mK。
实施例7-具有16微米平均直径和表面活性剂的硅酮橡胶颗粒
该硅酮颗粒按照参照实施例2中的描述进行制备。平均粒径和PDI分别为16.7微米和1.28。以体积计含量为28.7％的这些硅酮橡胶颗粒与In51Bi32.5Sn16.5(熔点60℃)混合。混合物加热至70℃，并强力搅拌5分钟。冷却至室温之后，所获得的混合物在60℃下压成膜。将膜切成小尺寸片进行热导测定。在36.2psi的负载压力下，厚度为0.145mm的膜具有热阻0.471℃·cm2/W，而表观热导率为3.081W/mK。
实施例8-平均直径15微米的无表面活性剂硅酮橡胶颗粒
该硅酮颗粒按照参照实施例1中的描述进行制备。如以上参照实施例1所示，平均粒径为15微米。以体积计含量为28.7％的这些硅酮橡胶颗粒与In51Bi32.5Sn16.5(熔点60℃)混合。混合物加热至70℃，并强力搅拌5分钟。冷却至室温之后，所获得的混合物在60℃下压成膜。在36.2psi的负载压力下，厚度为0.143mm的膜具有热阻0.559℃·cm2/W，而表观热导率为2.556W/mK。
实施例9-硅酮橡胶颗粒体积对低熔点合金组合物热导率的影响
各种含量的硅酮橡胶颗粒，平均粒径为0.77微米而PDI多分散指数(PDI)为1.26的Dow Corning Trefill E-601与In51Bi32.5Sn16.5混合。混合物加热至70℃，并强力搅拌2分钟。冷却至室温之后，所获得的混合物在60℃下压成膜。将膜切成小尺寸片进行热导测定。在36.2psi的负载压力下，对于以体积计24.2％这些硅酮颗粒的样品组合物膜表观热导率为3.307W/mK，而以体积计32.3％这些硅酮颗粒的样品组合物膜表观热导率为1.865W/mK。
实施例10-在低熔点软金属中具有表面活性剂的硅酮橡胶颗粒
硅酮颗粒通过由聚(乙烯基硅氧烷)和聚(氢硅氧烷)在作为催化剂的铂存在下发生水乳液聚合而进行制备。平均颗粒直径为25微米，如以上参照实施例1中所示。这些含量为以体积计28.1％的硅酮颗粒，与软铟(soft indium)(熔点156.6℃)混合。混合物加热至160℃并与铟超声混合5分钟。冷却至室温之后，所获得的混合物在120℃下压成膜。在40psi的负载压力下，厚度为0.225mm的膜具有热阻0.309℃·cm2/W，而表观热导率为7.282W/mK。
实施例11-硅酮橡胶颗粒粒径对低熔点金属组合物热导率的影响
硅酮橡胶颗粒通过由聚(乙烯基硅氧烷)和聚(氢硅氧烷)在作为催化剂的铂存在下发生水乳液聚合而进行制备，如以上参照实施例1中所示。含28.8％硅酮橡胶颗粒的混合物加热至160℃并与铟超声混合5分钟。冷却至室温之后，所获得的混合物在120℃下压成膜。将膜切成小尺寸片进行热导测定。在40psi的负载压力下，对于厚度为0.397-0.425mm的组合物膜热阻如图4中所示。
实施例12-用热导硅酮润滑脂涂层的铟膜中的硅酮橡胶颗粒
在厚度为0.190mm的铟膜中含量为28.8vol％的硅酮橡胶颗粒在以上实施例10中所示方法之后进行制备，而热导润滑脂，DOW
Figure GPA00001046798400171
SC 102，从Dow Corning Corporation of Midland，Michigan，U.S.A商购获得，涂施到铟复合膜的顶面和底面两侧。在40psi的负载压力下，膜具有热阻0.181℃·cm2/W，而表观热导率为10.755W/mK。该膜可以用于试车。
实施例13-用低熔点合金层压的铟膜中的硅酮橡胶颗粒
厚度为0.263mm的铟复合膜按照以上实施例10所示的相同方法进行制备。通过在100℃下加压制备的两Sn42Bi58金属合金(熔点138.5℃)膜层叠在铟复合膜两侧，而在50℃下加压而形成层压膜。总厚度为0.313的层压膜在负载压力40psi下具有热阻3.558℃·cm2/W，而表观热导率为0.880W/mK。不期望受理论束缚，可以设想，Sn42Bi58的刚性不良地影响了该试验方法中的电导率和电阻率。
对照实施例14-无颗粒
金属合金，Sn42Bi58，在132℃下压成膜。将膜切成小尺寸片进行热导测定。在40psi的负载压力下，厚度为0.310mm的膜具有热阻4.671℃·cm2/W，而表观热导率为0.664W/mK。该对照实施例，实施例13和实施例10表明，表观热导率和热阻率在无颗粒和使用刚性更强的合金时都会受到不良影响。
实施例15-用低熔点金属合金层压的铟膜中的硅酮橡胶颗粒-2
厚度为0.263mm的铟复合膜按照以上实施例10所示的相同方法进行制备。通过在50℃下加压制备的两Bi50Pb27Sn10Cd13金属合金(熔点70℃)膜层叠在铟复合膜两侧，而在50℃下加压而形成层压膜。总厚度为0.378的层压膜在负载压力40psi下具有热阻0.694℃·cm2/W，而表观热导率为5.454W/mK。
实施例16-用低熔点金属层压的铟膜中的硅酮橡胶颗粒
厚度为0.185mm的铟复合膜按照以上实施例10所示的相同方法进行制备。通过在100℃下加压制备的两铟膜层叠在铟复合膜两侧，而在50℃下加压而形成层压膜。总厚度为0.235的层压膜在负载压力40psi下具有热阻0.322℃·cm2/W，而表观热导率为7.271W/mK。
实施例17-铟复合膜中的石墨颗粒
来自Graphite 3626(Anthracite Industries，PA)颗粒的膨胀石墨以体积计19.3％与铟混合。混合物加热至170℃并与铟超声混合3分钟。冷却至室温之后，所获得的混合物在100℃下压成膜。将膜切成小尺寸片进行热导测定。在40psi的负载压力下，厚度为0.330mm的膜具有热阻1.405℃·cm2/W，而表观热导率为2.335W/mK。实施例10中的硅酮橡胶颗粒用于生产比这种含石墨颗粒的TIM热阻更低而热导率更高的TIM。令人惊讶地发现，含传导性的(例如，石墨)颗粒的组合物比实施例10中含硅酮颗粒的组合物热阻更高而热导率更低。
实施例18-铟膜中用铝氧化物改性的硅酮橡胶颗粒
按照实施例1中所示相同的方法制备的硅酮橡胶颗粒用通过溶胶-凝胶化学采用异丙醇铝作为反应前体而制备的以重量计0.8％铝氧化物进行改性。改性的硅酮颗粒与铟的混合物加热至170℃并超声混合3分钟。冷却至室温之后，所获得的混合物在100℃下压成膜。将膜切成小尺寸片进行热导测定。在40psi的负载压力下，厚度为0.130mm的膜具有热阻0.410℃·cm2/W，而表观热导率为3.248W/mK。
实施例19-在铟膜中用聚合物改性的硅酮橡胶颗粒
按照实施例1中所示相同的方法制备的硅酮橡胶颗粒用以重量计16.2％的聚(二甲基硅氧烷)醚酰亚胺通过溶液掺混而进行改性。改性的硅酮颗粒与铟的混合物加热至170℃并超声混合3分钟。冷却至室温之后，所获得的混合物在100℃下压成膜。将膜切成小尺寸片进行热导测定。在40psi的负载压力下，厚度为0.440mm的膜具有热阻1.023℃·cm2/W，而表观热导率为4.300W/mK。
实施例20-铟膜中用聚合物改性的硅酮橡胶颗粒-2
按照实施例1中所示相同的方法制备的硅酮橡胶颗粒用以重量计9.3％的聚(双酚A碳酸酯)通过溶液掺混而进行改性。改性的硅酮颗粒与铟的混合物加热至170℃并超声混合3分钟。冷却至室温之后，所获得的混合物在100℃下压成膜。将膜切成小尺寸片进行热导测定。在40psi的负载压力下，厚度为0.420mm的膜具有热阻0.576℃·cm2/W，而表观热导率为7.296W/mK。
实施例21-铟膜中用聚合物改性的硅酮橡胶颗粒-3
按照实施例1中所示相同的方法制备的硅酮橡胶颗粒用以重量计9.2％的热塑性聚氨酯(Estane 58238，聚酯聚氨酯-75A，Neveon Inc，OH)通过溶液掺混而进行改性。改性的硅酮颗粒与铟的混合物加热至170℃并超声混合3分钟。冷却至室温之后，所获得的混合物在100℃下压成膜。将膜切成小尺寸片进行热导测定。在40psi的负载压力下，厚度为0.323mm的膜具有热阻0.622℃·cm2/W，而表观热导率为5.224W/mK。
实施例22-铟膜中用聚合物改性的硅酮橡胶颗粒-4
按照实施例1中所示相同的方法制备的硅酮橡胶颗粒用以重量计9.4％的Tg为52℃的聚[二(乙二醇)/环己烷二甲醇-交替-间苯二甲酸，磺化的](458716，Aldrich)通过溶液掺混而进行改性。改性的硅酮颗粒与铟的混合物加热至170℃并超声混合3分钟。冷却至室温之后，所获得的混合物在100℃下压成膜。将膜切成小尺寸片进行热导测定。在40psi的负载压力下，厚度为0.443mm的膜具有热阻0.717℃·cm2/W，而表观热导率为6.181W/mK。
对照实施例23-铟复合膜中的硅胶颗粒
来自Merck Grade 9385，粒径为40-63微米的230-400目的硅胶颗粒，以体积计19.3％与铟混合。混合物加热至170℃并超声混合3分钟。冷却至室温之后，所获得的混合物在100℃下压成膜。将膜切成小尺寸片进行热导测定。在40psi的负载压力下，厚度为0.553mm的膜具有热阻1.763℃·cm2/W，而表观热导率为3.136W/mK。实施例10中的硅酮橡胶颗粒用于生产比这种含硅胶颗粒的TIM热阻更低而热导率更高的TIM。
实施例24-低熔点合金组合物中等离子体改性的硅酮橡胶颗粒
硅酮橡胶颗粒，粒径D(v，0.5)为6.23微米的Dow Corning DY33-719，用CO2等离子体进行表面改性，并与In51Bi32.5Sn16.5混合。混合物加热至70℃并强力搅拌2分钟。冷却至室温后，所获得的混合物在60℃下压成膜。将膜切成小尺寸片进行热导测定。在36.2psi的负载压力下，对于厚度为0.200mm和29.7vol％这些硅酮颗粒的样品，组合物膜表观热导率的数据为2.173W/mK。对于厚度为0.172mm和29.7vol％这些硅酮颗粒的样品，采用无任何表面改性的硅酮颗粒的组合物膜表观热导率为1.158W/mK。
实施例25-低熔点合金组合物中等离子体改性的硅酮橡胶颗粒-2
硅酮橡胶颗粒，粒径D(v，0.5)为6.23微米的Dow Corning DY33-719，用四乙基原硅酸酯(TEOS)等离子体进行表面改性，并与In51Bi32.5Sn16.5混合。混合物加热至70℃并强力搅拌2分钟。冷却至室温后，所获得的混合物在60℃下压成膜。将膜切成小尺寸片进行热导测定。在36.2psi的负载压力下，对于厚度为0.168mm和28.7vol％这些硅酮颗粒的样品，组合物膜表观热导率的数据为1.724W/mK。
工业实用性
本文中描述的组合物既适用于TIM1应用，又适用于TIM2应用。该组合物可以提供适用于TIM应用的热导金属成本降低的受益。适用作为热导金属的合金可能是昂贵的，尤其是那些含铟的合金。不期望受理论束缚，可以设想，相对于并不合硅酮颗粒或那些包括顺应性差的材料颗粒如氧化铝颗粒的热导金属，硅酮颗粒也可以改进顺应性和柔软性。改进顺应性和柔软性可以降低或消除合金中对铟的需求，而可以容许降低熔合线厚度。而且，增加的顺应性和柔软性可以降低助熔剂的需要，或焊料重熔，或者这两种情况。因此，成本降低可以以几个方式，即，通过降低熔合线厚度和以硅酮颗粒代替一些合金而减少最初所需的合金用量，通过改变合金组成而包含更廉价的元素，和也通过加工期间降低助熔剂和/或焊料重熔步骤的需要，而实现。而且，提高顺应性和柔软性也可以改进组合物的热导率。
不期望受理论束缚，可以设想，本发明的组合物可以改进由该组合物制成的TIM机械耐久性。不期望受理论束缚，可以设想，表观热导率提高是指TIM的顺应性也增加。不期望受理论束缚，硅酮颗粒可以改进该组合物的顺应性，而由此相比于包括精细颗粒的组合物，改进了界面接触。
不期望受理论束缚，可以设想，与具有高熔点热导金属的TIM接触基底物相比，在图3中所示的TIM可以提供在基底物上TIM接触的改进间隙填充的额外受益。

Claims (78)

1.一种组合物，包括：
a)热导金属，和
b)在所述热导金属中的硅酮颗粒。
2.根据权利要求1所述的组合物，其中所述热导金属不含铟。
3.根据权利要求1所述的组合物，其中所述热导金属选自由银，铋，镓，铟，锡，铅，及其合金组成的组。
4.根据权利要求1所述的组合物，其中所述硅酮颗粒存在的量为以体积计所述组合物的1％-50％。
5.根据权利要求1所述的组合物，其中所述硅酮颗粒具有的平均粒径为至少15微米。
6.根据权利要求1所述的组合物，其中所述硅酮颗粒具有提供于所述硅酮颗粒表面上的金属或金属氧化物。
7.根据权利要求1所述的组合物，其中所述硅酮颗粒进行了表面处理。
8.根据权利要求1所述的组合物，其中所述硅酮颗粒具有SiH官能度。
9.一种热界面材料，包括：
a)热导金属，
b)在所述热导金属中的硅酮颗粒；
其中所述热导金属所具有的熔点高于电子器件的标准工作温度。
10.根据权利要求9所述的热界面材料，其中所述热界面材料具有厚度，而所述硅酮颗粒所具有的平均粒径范围为所述热界面材料厚度的10％-100％。
11.一种电子器件，包括：
i)第一电子部件，
ii)第二电子部件，
iii)***于所述第一电子部件和所述第二电子部件之间的热界面材料，其中所述热界面材料包括：
a)热导金属，和
b)在所述热导金属中的硅酮颗粒。
12.根据权利要求11所述的器件，其中第一电子部件是半导体芯片，而所述第二电子部件是散热器。
13.根据权利要求11所述的器件，其中所述第一电子部件是半导体芯片，而所述第二电子部件是传热器。
14.根据权利要求11所述的器件，其中所述第一电子部件是传热器，而所述第二电子部件是散热器。
15.一种制造电子器件的方法，包括：
i)将热界面材料与第一电子部件的第一表面接触，其中所述热界面材料包括：
a)热导金属，
b)在所述热导金属中的硅酮颗粒；和
ii)将所述热界面材料加热至所述热导金属熔点之上的温度。
16.根据权利要求15所述的方法，其中在所述热界面材料与所述第一电子部件和所述第二电子部件之间使用了一层助熔剂层。
17.根据权利要求15所述的方法，进一步包括在步骤ii)之前将所述热界面材料与第二电子部件的第二表面接触。
18.一种方法，包括：
i)沿着包括第一电子部件和第二电子部件的电子器件的热通路***热界面材料，其中所述热界面材料包括：
a)热导金属，
b)在所述热导金属中的硅酮颗粒；和
ii)操作所述电子器件，从而从所述第一电子部件向所述第二电子部件散热。
19.一种方法，包括：
1)将热导金属与硅酮颗粒组合，从而形成在所述热导金属中包含所述硅酮颗粒的组合物，和
可选地，2)将所述组合物制成所需厚度，和
可选地，3)将所述组合物形成所需形状。
20.根据权利要求19所述的方法，其中步骤1)采用包括以下步骤的方法进行实施：
i)将热导金属颗粒与所述硅酮颗粒混合，和
此后ii)将所述热导金属颗粒加热至其熔点之上的温度。
21.根据权利要求19所述的方法，其中步骤1)采用包括以下步骤的方法进行实施：
i)将所述热导金属加热至其熔点温度之上，和
ii)将硅酮颗粒与步骤i)的所述产物混合。
22.根据权利要求19所述的方法，其中步骤1)采用包括以下步骤的方法进行实施：
i)将所述硅酮颗粒包卷入所述热导金属的薄片或箔中，和
此后ii)重熔(重熔)所述热导金属。
23.根据权利要求19所述的方法，其中步骤1)采用包括以下步骤的方法进行实施：
i)将所述硅酮颗粒和热导金属颗粒施加于基底物上，和
此后ii)重熔所述热导金属。
24.根据权利要求19所述的方法，其中步骤2)存在，而步骤2)通过选自以下的方法实施：
a)压缩，可选地伴随着加热；
b)挤压；或
c)辊压。
25.根据权利要求19所述的方法，其中步骤3)存在，而步骤3)通过选自以下的方法实施：
a)将步骤1)或步骤2)所述的产物切成所需的形状，或
b)将步骤1)的所述产物模制成所需形状。
26.一种热界面材料，包括：
I)具有一个表面的组合物，其中所述组合物包含：
a)具有第一熔点的第一热导金属，和
b)在所述第一热导金属中的硅酮颗粒；和
II)在所述表面上具有第二熔点的第二热导金属；
其中所述第一熔点高于所述第二熔点。
27.根据权利要求26所述的热界面材料，其中所述第一热导金属不含铟。
28.根据权利要求26所述的热界面材料，其中所述第一热导金属选自由银，铋，镓，铟，锡，铅，及其合金组成的组。
29.根据权利要求26所述的热界面材料，其中所述硅酮颗粒存在的量范围为以体积计所述组合物的1％-50％。
30.根据权利要求26所述的热界面材料，其中所述硅酮颗粒具有的平均粒径为至少15微米。
31.根据权利要求26所述的热界面材料，其中所述硅酮颗粒具有提供于所述硅酮颗粒表面上的金属或金属氧化物。
32.根据权利要求26所述的热界面材料，其中所述硅酮颗粒进行了表面处理。
33.根据权利要求26所述的热界面材料，其中所述第二热导金属经过选择而使所述第二熔点低于所述第一熔点至少5℃。
34.根据权利要求26所述的热界面材料，其中所述组合物具有厚度，而所述硅酮颗粒具有的平均粒径范围为所述组合物厚度的10％-100％。
35.根据权利要求26所述的热界面材料，进一步包含：III)在所述组合物第二表面上的第三热导金属。
36.一种电子器件，包含：
i)第一电子部件，
ii)第二电子部件，
iii)***所述第一电子部件和所述第二电子部件之间的热界面材料，其中所述热界面材料包括：
I)具有表面的组合物，其中所述组合物包括：
a)具有第一熔点的第一热导金属，和
b)在所述第一热导金属中的硅酮颗粒；和
II)具有第二熔点的第二热导金属，其中所述第二热导金属在所述组合物的所述表面上；以及
其中所述第一熔点大于所述第二熔点。
37.根据权利要求36所述的器件，其中所述第一电子部件是半导体芯片而所述第二电子部件是散热器。
38.根据权利要求36所述的器件，其中所述第一电子部件是半导体芯片而所述第二电子部件是传热器。
39.根据权利要求36所述的器件，其中所述第一电子部件是传热器，而所述第二电子部件是散热器。
40.一种制造电子器件的方法，包括：
i)将热界面材料与第一电子部件的第一表面接触，其中所述热界面材料包含：
I)具有表面的组合物，其中所述组合物包括：
a)具有第一熔点的第一热导金属，和
b)在所述第一热导金属中的硅酮颗粒；和
II)具有第二熔点的第二热导金属，其中所述第二热导金属在所述组合物的所述表面上；以及
其中所述第一熔点大于所述第二熔点；和
ii)将所述热界面材料加热至所述第二热导金属的所述熔点以上的温度。
41.根据权利要求40所述的方法，其中在所述热界面材料与所述第一电子部件和第二电子部件之间使用一层助熔剂。
42.根据权利要求40所述的方法，进一步包括在步骤ii)之前将所述热界面材料与第二电子部件的第二表面接触。
43.根据权利要求40所述的方法，其中在步骤ii)中的所述温度低于所述第一熔点。
44.一种方法，包括：
i)沿着包括第一电子部件和第二电子部件的电子器件中热通路***热界面材料，其中所述热界面材料包括：
I)具有表面的组合物，其中所述组合物包括：
a)具有第一熔点的第一热导金属，和
b)在所述第一热导金属中的硅酮颗粒；和
II)具有第二熔点的第二热导金属，其中所述第二热导金属在所述组合物的所述表面上；
其中所述第一熔点大于所述第二熔点；和
ii)操作所述电子器件，从而从所述第一电子部件向所述第二电子部件散热。
45.一种方法，包括：
1)将第一热导金属与硅酮颗粒组合，从而形成在所述第一热导金属中包含所述硅酮颗粒的组合物，和
可选地2)将所述组合物制造成所需厚度，和
可选地3)将所述组合物形成所需形状，和
4)将所述第二热导金属施加于所述组合物的表面。
46.根据权利要求45所述的方法，其中步骤1)采用包括以下步骤的方法进行实施：
i)将热导金属颗粒与所述硅酮颗粒混合，和
此后ii)将所述热导金属颗粒加热到其熔点之上。
47.根据权利要求45所述的方法，其中步骤1)采用包括以下步骤的方法进行实施：
i)将所述热导金属颗粒加热到其熔点之上，和
ii)将所述硅酮颗粒与步骤i)的产物混合。
48.根据权利要求45所述的方法，其中步骤1)采用包括以下步骤的方法进行实施：
i)将所述硅酮颗粒包卷入所述热导金属的薄片或箔中，和
此后ii)重熔所述热导金属。
49.根据权利要求45所述的方法，其中步骤1)采用包括以下步骤的方法进行实施：
i)将所述硅酮颗粒和热导金属颗粒施加于基底物上，和
此后ii)重熔所述热导金属。
50.根据权利要求45所述的方法，其中步骤2)存在，且步骤2)通过选自以下的方法进行实施：
a)压缩，可选地伴随着加热；
b)挤压；或
c)辊压。
51.根据权利要求45所述的方法，其中步骤3)存在，而步骤3)通过选自以下的方法进行实施：
a)将步骤1)或步骤2)的产物切成所述所需形状，或
b)将步骤1)的产物模制成所述所需形状。
52.根据权利要求45所述的方法，其中步骤4)采用包括以下步骤的方法进行实施：
i)将第二热导金属压至所述组合物的表面上；和
可选地ii)加热。
53.根据权利要求45所述的方法，进一步包括：5)将第三热导金属施加到所述组合物的第二表面上。
54.一种热界面材料，包括：
I)具有一个表面的组合物，其中所述组合物包括：
a)热导金属，和
b)在所述热导金属中的硅酮颗粒；和
II)在所述组合物的所述表面上的热导材料。
55.根据权利要求54所述的热界面材料，其中所述热导金属不含铟。
56.根据权利要求54所述的热界面材料，其中所述热导金属选自由银，铋，镓，铟，锡，铅，及其合金组成的组。
57.根据权利要求54所述的热界面材料，其中所述硅酮颗粒存在量的范围为以体积计所述组合物的1％-50％。
58.根据权利要求54所述的热界面材料，其中所述硅酮颗粒具有的平均粒径为至少15微米。
59.根据权利要求54所述的热界面材料，其中所述硅酮颗粒具有提供于所述硅酮颗粒所述表面上的金属或金属氧化物。
60.根据权利要求54所述的热界面材料，其中所述硅酮颗粒进行了表面处理。
61.根据权利要求54所述的热界面材料，其中所述热导材料是热导化合物。
62.根据权利要求54所述的热界面材料，其中所述组合物具有厚度，而所述硅酮颗粒具有的平均粒径范围为所述组合物厚度的10％-100％。
63.根据权利要求52所述的热界面材料，进一步包括：III)在所述组合物的第二表面上的第二热导材料。
64.一种电子器件，包含：
i)第一电子部件，
ii)第二电子部件，
iii)***所述第一电子部件和所述第二电子部件之间的热界面材料，其中所述热界面材料包括：
I)具有表面的组合物，其中所述组合物包括：
a)热导金属，和
b)在所述热导金属中的硅酮颗粒；和
II)在所述组合物的所述表面上的热导材料。
65.根据权利要求64所述的器件，其中所述第一电子部件是半导体芯片而所述第二电子部件是散热器。
66.根据权利要求64所述的器件，其中所述第一电子部件是半导体芯片而所述第二电子部件是传热器。
67.根据权利要求64所述的器件，其中所述第一电子部件是传热器，而所述第二电子部件是散热器。
68.一种制造电子器件的方法，包括：
i)将热界面材料与第一电子部件的第一表面接触，其中所述热界面材料包括：
I)具有表面的组合物，其中所述组合物包括：
a)热导金属，和
b)在所述热导金属中的硅酮颗粒；和
II)在所述组合物的所述表面上的热导材料；和
ii)将所述热界面材料加热至所述热导材料熔点之上的温度。
69.根据权利要求68所述的方法，进一步包括在步骤ii)之前将所述热界面材料与第二电子部件的第二表面接触。
70.一种方法，包括：
i)沿着包含第一电子部件和第二电子部件的电子器件内的热通路***热界面材料，其中所述热界面材料包括：
I)具有表面的组合物，其中所述组合物包括：
a)热导金属，和
b)在所述热导金属中的硅酮颗粒；和
II)在所述组合物的所述表面上的热导材料；和
ii)操作所述电子器件，从而从所述第一电子部件向所述第二电子部件散热。
71.一种方法，包括：
1)将热导金属与硅酮颗粒组合，从而形成在所述热导金属中包含所述硅酮颗粒的组合物，和
可选地2)将所述组合物制成所需厚度，和
可选地3)将所述组合物形成所需形状，和
4)将热导材料施加于所述组合物的表面上。
72.根据权利要求71所述的方法，其中步骤1)采用包括以下步骤的方法进行实施：
i)将热导金属颗粒与所述硅酮颗粒混合，和
此后ii)将所述热导金属颗粒加热至其熔点之上的温度。
73.根据权利要求71所述的方法，其中步骤1)采用包括以下步骤的方法进行实施：
i)将所述热导金属颗粒加热至其熔点之上的温度，和
ii)将所述硅酮颗粒与步骤i)的产物混合。
74.根据权利要求71所述的方法，其中步骤1)采用包括以下步骤的方法进行实施：
i)将所述硅酮颗粒包卷入所述热导金属的薄片或箔中，和
此后ii)重熔所述热导金属。
75.根据权利要求71所述的方法，其中步骤1)采用包括以下步骤的方法进行实施：
i)将所述硅酮颗粒和热导金属颗粒施加于基底物，和
此后ii)重熔所述热导金属。
76.根据权利要求71所述的方法，其中步骤2)存在，而步骤2)通过选自以下的方法进行实施：
a)压缩，可选地伴随着加热；
b)挤压；或
c)辊压。
77.根据权利要求71所述的方法，其中步骤3)存在，而步骤3)通过选自以下的方法进行实施：
a)将步骤1)或步骤2)的产物切成所述的所需形状，或
b)将步骤1)的产物模制成所述所需形状。
78.根据权利要求71所述的方法，进一步包括：5)将第二热导材料施加于所述组合物的第二表面上。
CN2008801062243A 2007-09-11 2008-09-05 组合物，包括这种组合物的热界面材料,及其制备方法和用途 Expired - Fee Related CN101803009B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US97129707P 2007-09-11 2007-09-11
US60/971,297 2007-09-11
PCT/US2008/075308 WO2009035906A2 (en) 2007-09-11 2008-09-05 Composite, thermal interface material containing the composite, and methods for their preparation and use

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101803009A true CN101803009A (zh) 2010-08-11
CN101803009B CN101803009B (zh) 2012-07-04

Family

ID=40452781

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008801062243A Expired - Fee Related CN101803009B (zh) 2007-09-11 2008-09-05 组合物，包括这种组合物的热界面材料,及其制备方法和用途

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20100328895A1 (zh)
EP (1) EP2188834A4 (zh)
JP (2) JP2010539683A (zh)
KR (1) KR20100075894A (zh)
CN (1) CN101803009B (zh)
TW (2) TW201425563A (zh)
WO (1) WO2009035906A2 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110167994A (zh) * 2017-01-17 2019-08-23 三菱综合材料株式会社 银包覆硅橡胶颗粒及含有该颗粒的导电性糊剂以及使用该导电性糊剂的导电膜的制造方法

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101760035B (zh) * 2008-12-24 2016-06-08 清华大学 热界面材料及该热界面材料的使用方法
CN101906288B (zh) * 2009-06-02 2013-08-21 清华大学 热界面材料,具该热界面材料的电子装置及制备方法
JP5640945B2 (ja) * 2011-10-11 2014-12-17 信越化学工業株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物及び半導体装置
US9041192B2 (en) 2012-08-29 2015-05-26 Broadcom Corporation Hybrid thermal interface material for IC packages with integrated heat spreader
JP6130696B2 (ja) * 2013-03-26 2017-05-17 田中貴金属工業株式会社 半導体装置
JP2015088683A (ja) 2013-11-01 2015-05-07 富士通株式会社 熱接合シート、及びプロセッサ
US9318450B1 (en) * 2014-11-24 2016-04-19 Raytheon Company Patterned conductive epoxy heat-sink attachment in a monolithic microwave integrated circuit (MMIC)
TWI564578B (zh) * 2014-12-05 2017-01-01 上海兆芯集成電路有限公司 測試頭模組及其重新修整的方法
JP6639823B2 (ja) * 2015-01-13 2020-02-05 三菱マテリアル電子化成株式会社 銀被覆樹脂粒子及びその製造方法並びにそれを用いた導電性ペースト
JP6544183B2 (ja) * 2015-09-30 2019-07-17 三菱マテリアル株式会社 熱伝導性組成物
EP3375808B1 (en) 2015-11-11 2022-12-21 Sekisui Chemical Co., Ltd. Particles, particle material, connecting material, and connection structure
EP3378916A4 (en) 2015-11-20 2019-07-03 Sekisui Chemical Co., Ltd. PARTICLES, CONDUCTIVE MATERIAL AND LINK STRUCTURE
CN108138024B (zh) 2015-11-20 2022-01-11 积水化学工业株式会社 粒子、连接材料及连接结构体
EP3378915A4 (en) 2015-11-20 2019-07-03 Sekisui Chemical Co., Ltd. CONNECTION MATERIAL AND CONNECTION STRUCTURE
US10580717B2 (en) 2016-01-11 2020-03-03 Intel Corporation Multiple-chip package with multiple thermal interface materials
CN106356341A (zh) * 2016-08-31 2017-01-25 华为技术有限公司 一种半导体装置及制造方法
JP6926925B2 (ja) * 2017-10-17 2021-08-25 信越化学工業株式会社 シリカ被覆シリコーンエラストマー球状粒子の製造方法及びシリカ被覆シリコーンエラストマー球状粒子
US10607857B2 (en) * 2017-12-06 2020-03-31 Indium Corporation Semiconductor device assembly including a thermal interface bond between a semiconductor die and a passive heat exchanger
US11037860B2 (en) 2019-06-27 2021-06-15 International Business Machines Corporation Multi layer thermal interface material
US20210125896A1 (en) * 2019-10-24 2021-04-29 Intel Corporation Filled liquid metal thermal interface materials
US11774190B2 (en) 2020-04-14 2023-10-03 International Business Machines Corporation Pierced thermal interface constructions
CN113755141A (zh) * 2021-09-02 2021-12-07 宁波施捷电子有限公司 一种界面导热金属材料及其应用

Family Cites Families (97)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1454769A1 (de) * 1960-07-21 1969-04-30 Condux Werk Verfahren zur sehr feinen Verteilung von Polymerisaten,insbesondere thermoplastische Kunststoffe,und Vorrichtung zu seiner Durchfuehrung
FR2463642A1 (fr) * 1979-08-21 1981-02-27 Air Liquide Dispositif de broyage de caoutchouc
JPS5968333A (ja) * 1982-10-12 1984-04-18 Toray Silicone Co Ltd 線状オルガノポリシロキサンブロツクを含有するポリマもしくはポリマ組成物の球状硬化物およびその製造方法
US4557857A (en) * 1984-05-30 1985-12-10 Allied Corporation High conducting polymer-metal alloy blends
JPS62243621A (ja) * 1986-04-17 1987-10-24 Toray Silicone Co Ltd シリコ−ンゴム粒状物の製造方法
JPS62257939A (ja) * 1986-05-02 1987-11-10 Shin Etsu Chem Co Ltd シリコ−ンエラストマ−球状微粉末の製造方法
US4743670A (en) * 1986-09-22 1988-05-10 Toray Silicone Co., Ltd. Method for producing silicone rubber powder
US5173256A (en) * 1989-08-03 1992-12-22 International Business Machines Corporation Liquid metal matrix thermal paste
US5198189A (en) * 1989-08-03 1993-03-30 International Business Machines Corporation Liquid metal matrix thermal paste
US5376403A (en) * 1990-02-09 1994-12-27 Capote; Miguel A. Electrically conductive compositions and methods for the preparation and use thereof
US5062896A (en) * 1990-03-30 1991-11-05 International Business Machines Corporation Solder/polymer composite paste and method
US5045972A (en) * 1990-08-27 1991-09-03 The Standard Oil Company High thermal conductivity metal matrix composite
US5286417A (en) * 1991-12-06 1994-02-15 International Business Machines Corporation Method and composition for making mechanical and electrical contact
JP3337232B2 (ja) * 1991-12-26 2002-10-21 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 シリコーン硬化物微粒子と無機質微粒子からなる粉体混合物の製造方法
JPH0631486A (ja) * 1992-07-21 1994-02-08 Tanaka Denshi Kogyo Kk 複合半田インゴットの製造方法
US5445308A (en) * 1993-03-29 1995-08-29 Nelson; Richard D. Thermally conductive connection with matrix material and randomly dispersed filler containing liquid metal
US5328087A (en) * 1993-03-29 1994-07-12 Microelectronics And Computer Technology Corporation Thermally and electrically conductive adhesive material and method of bonding with same
US5445738A (en) * 1993-08-19 1995-08-29 Fry; Darrel D. Vibrating filter
US5700585A (en) * 1995-02-14 1997-12-23 Avery Dennison Corporation Acrylic emulsion coatings for formed articles
US5588600A (en) * 1995-06-07 1996-12-31 Perfido; Kenneth F. Process and apparatus for making crumb rubber from vehicle tires
US5738936A (en) * 1996-06-27 1998-04-14 W. L. Gore & Associates, Inc. Thermally conductive polytetrafluoroethylene article
EP0856376B1 (en) * 1996-12-03 2000-02-09 Lucent Technologies Inc. Article comprising fine-grained solder compositions with dispersoid particles
JP3810505B2 (ja) * 1997-02-28 2006-08-16 独立行政法人科学技術振興機構 導電性プラスチック、それによる導電回路及びその導電回路の形成方法
KR100574215B1 (ko) * 1997-04-17 2006-04-27 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 도전성 미립자
US6114413A (en) * 1997-07-10 2000-09-05 International Business Machines Corporation Thermally conducting materials and applications for microelectronic packaging
JPH1140716A (ja) * 1997-07-15 1999-02-12 Toshiba Corp 半導体装置およびその製造方法
US6110761A (en) * 1997-08-05 2000-08-29 Micron Technology, Inc. Methods for simultaneously electrically and mechanically attaching lead frames to semiconductor dice and the resulting elements
US6027575A (en) * 1997-10-27 2000-02-22 Ford Motor Company Metallic adhesive for forming electronic interconnects at low temperatures
JP3002965B2 (ja) * 1997-12-29 2000-01-24 株式会社三井ハイテック 電子部品の面実装用接続部材
US6281573B1 (en) * 1998-03-31 2001-08-28 International Business Machines Corporation Thermal enhancement approach using solder compositions in the liquid state
JP3389858B2 (ja) * 1998-04-15 2003-03-24 信越化学工業株式会社 金属被覆粉体及びその製造方法
JP3204451B2 (ja) * 1999-01-26 2001-09-04 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 接合材料及びバンプ
US6706219B2 (en) * 1999-09-17 2004-03-16 Honeywell International Inc. Interface materials and methods of production and use thereof
JP2001126532A (ja) * 1999-10-29 2001-05-11 Sekisui Chem Co Ltd 導電性微粒子及び導電材料
US6673434B2 (en) * 1999-12-01 2004-01-06 Honeywell International, Inc. Thermal interface materials
US6365973B1 (en) * 1999-12-07 2002-04-02 Intel Corporation Filled solder
JP3741192B2 (ja) * 2000-01-17 2006-02-01 信越化学工業株式会社 導電性粉体の製造方法
US6940721B2 (en) * 2000-02-25 2005-09-06 Richard F. Hill Thermal interface structure for placement between a microelectronic component package and heat sink
US6339120B1 (en) * 2000-04-05 2002-01-15 The Bergquist Company Method of preparing thermally conductive compounds by liquid metal bridged particle clusters
US6797758B2 (en) * 2000-04-05 2004-09-28 The Bergquist Company Morphing fillers and thermal interface materials
US6984685B2 (en) * 2000-04-05 2006-01-10 The Bergquist Company Thermal interface pad utilizing low melting metal with retention matrix
US20020070445A1 (en) * 2000-06-29 2002-06-13 Advanced Micro Devices, Inc. Enveloped thermal interface with metal matrix components
JP2002305213A (ja) * 2000-12-21 2002-10-18 Hitachi Ltd はんだ箔および半導体装置および電子装置
CN100578778C (zh) * 2000-12-21 2010-01-06 株式会社日立制作所 电子器件
US6448329B1 (en) * 2001-02-28 2002-09-10 Dow Corning Corporation Silicone composition and thermally conductive cured silicone product
JP3800977B2 (ja) * 2001-04-11 2006-07-26 株式会社日立製作所 Ｚｎ−Ａｌ系はんだを用いた製品
CA2547358C (en) * 2001-05-24 2013-08-06 Fry's Metals, Inc. Thermal interface material and solder preforms
JP2002368168A (ja) * 2001-06-13 2002-12-20 Hitachi Ltd 半導体装置用複合部材、それを用いた絶縁型半導体装置、又は非絶縁型半導体装置
US6995205B2 (en) * 2001-09-27 2006-02-07 Nippon Kagaku Yakin Co., Ltd. Resin composition with high thermal conductivity and method of producing the same
US7311967B2 (en) * 2001-10-18 2007-12-25 Intel Corporation Thermal interface material and electronic assembly having such a thermal interface material
JP2003133769A (ja) * 2001-10-29 2003-05-09 Inoac Corp 放熱シート
US6504242B1 (en) * 2001-11-15 2003-01-07 Intel Corporation Electronic assembly having a wetting layer on a thermally conductive heat spreader
JP3803058B2 (ja) * 2001-12-11 2006-08-02 信越化学工業株式会社 熱伝導性シリコーン組成物、その硬化物及び敷設方法並びにそれを用いた半導体装置の放熱構造体
US6620515B2 (en) * 2001-12-14 2003-09-16 Dow Corning Corporation Thermally conductive phase change materials
US6597575B1 (en) * 2002-01-04 2003-07-22 Intel Corporation Electronic packages having good reliability comprising low modulus thermal interface materials
US6946190B2 (en) * 2002-02-06 2005-09-20 Parker-Hannifin Corporation Thermal management materials
US6926955B2 (en) * 2002-02-08 2005-08-09 Intel Corporation Phase change material containing fusible particles as thermally conductive filler
US7036573B2 (en) * 2002-02-08 2006-05-02 Intel Corporation Polymer with solder pre-coated fillers for thermal interface materials
US6815486B2 (en) * 2002-04-12 2004-11-09 Dow Corning Corporation Thermally conductive phase change materials and methods for their preparation and use
JP2003324296A (ja) * 2002-04-26 2003-11-14 Fuji Kobunshi Kogyo Kk 電食防止金属製放熱器
US7436058B2 (en) * 2002-05-09 2008-10-14 Intel Corporation Reactive solder material
US7147367B2 (en) * 2002-06-11 2006-12-12 Saint-Gobain Performance Plastics Corporation Thermal interface material with low melting alloy
US6791839B2 (en) * 2002-06-25 2004-09-14 Dow Corning Corporation Thermal interface materials and methods for their preparation and use
JP2005538535A (ja) * 2002-07-15 2005-12-15 ハネウエル・インターナシヨナル・インコーポレーテツド 熱的インターコネクトおよびインターフェースシステム、製造方法およびその使用
US6838022B2 (en) * 2002-07-25 2005-01-04 Nexaura Systems, Llc Anisotropic conductive compound
JP4578789B2 (ja) * 2002-09-03 2010-11-10 サーマゴン，インコーポレイテッド 超小型電子部品パッケージとヒートシンクとの間に配置するためのサーマルインターフェース構造体
US6783692B2 (en) * 2002-10-17 2004-08-31 Dow Corning Corporation Heat softening thermally conductive compositions and methods for their preparation
US6665186B1 (en) * 2002-10-24 2003-12-16 International Business Machines Corporation Liquid metal thermal interface for an electronic module
AT412265B (de) * 2002-11-12 2004-12-27 Electrovac Bauteil zur wärmeableitung
US7252877B2 (en) * 2003-02-04 2007-08-07 Intel Corporation Polymer matrices for polymer solder hybrid materials
JP3812902B2 (ja) * 2003-02-07 2006-08-23 北川工業株式会社 低融点金属シート及びその製造方法
CN100404597C (zh) * 2003-04-01 2008-07-23 天鹰技术公司 导热性粘合剂组合物和器件连接工艺
US7014093B2 (en) * 2003-06-26 2006-03-21 Intel Corporation Multi-layer polymer-solder hybrid thermal interface material for integrated heat spreader and method of making same
US7550097B2 (en) * 2003-09-03 2009-06-23 Momentive Performance Materials, Inc. Thermal conductive material utilizing electrically conductive nanoparticles
US20050056365A1 (en) * 2003-09-15 2005-03-17 Albert Chan Thermal interface adhesive
WO2005047378A2 (en) * 2003-11-05 2005-05-26 Dow Corning Corporation Thermally conductive grease and methods and devices in which said grease is used
WO2005053021A2 (en) * 2003-11-19 2005-06-09 Heat Technology, Inc. Thermal interface and method of making the same
US7180174B2 (en) * 2003-12-30 2007-02-20 Intel Corporation Nanotube modified solder thermal intermediate structure, systems, and methods
US7504453B2 (en) * 2004-02-02 2009-03-17 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Composite thermal interface material including particles and nanofibers
US7622529B2 (en) * 2004-03-17 2009-11-24 Dow Global Technologies Inc. Polymer blends from interpolymers of ethylene/alpha-olefin with improved compatibility
TWI385246B (zh) * 2004-05-21 2013-02-11 Shinetsu Chemical Co 聚矽氧烷潤滑油組成物
JP3868966B2 (ja) * 2004-06-17 2007-01-17 株式会社東芝 半導体装置
JP4086822B2 (ja) * 2004-08-19 2008-05-14 富士通株式会社 熱伝導構造体及び熱伝導構造体の製造方法
JP5015436B2 (ja) * 2004-08-30 2012-08-29 東レ・ダウコーニング株式会社 熱伝導性シリコーンエラストマー、熱伝導媒体および熱伝導性シリコーンエラストマー組成物
US7351360B2 (en) * 2004-11-12 2008-04-01 International Business Machines Corporation Self orienting micro plates of thermally conducting material as component in thermal paste or adhesive
CN101048444B (zh) * 2004-12-16 2012-01-11 陶氏康宁公司 酰胺取代的聚硅氧烷及其制备方法和用途
US7219713B2 (en) * 2005-01-18 2007-05-22 International Business Machines Corporation Heterogeneous thermal interface for cooling
JP4875312B2 (ja) * 2005-03-15 2012-02-15 東レ・ダウコーニング株式会社 オルガノトリシロキサン、その製造方法、それを含む硬化性樹脂組成物、およびその硬化物
JP5166677B2 (ja) * 2005-03-15 2013-03-21 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性シリコーン組成物および電子部品
JP4828145B2 (ja) * 2005-03-30 2011-11-30 東レ・ダウコーニング株式会社 熱伝導性シリコーンゴム組成物
JP4634891B2 (ja) * 2005-08-18 2011-02-16 信越化学工業株式会社 熱伝導性シリコーングリース組成物およびその硬化物
JP4693624B2 (ja) * 2005-12-19 2011-06-01 富士通株式会社 実装方法
US7332807B2 (en) * 2005-12-30 2008-02-19 Intel Corporation Chip package thermal interface materials with dielectric obstructions for body-biasing, methods of using same, and systems containing same
US20070166554A1 (en) * 2006-01-18 2007-07-19 Ruchert Brian D Thermal interconnect and interface systems, methods of production and uses thereof
US7527873B2 (en) * 2006-02-08 2009-05-05 American Standard Circuits Thermally and electrically conductive interface
US8334592B2 (en) * 2007-09-11 2012-12-18 Dow Corning Corporation Thermal interface material, electronic device containing the thermal interface material, and methods for their preparation and use
US8440312B2 (en) * 2009-03-12 2013-05-14 Dow Corning Corporation Thermal interface materials and methods for their preparation and use

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110167994A (zh) * 2017-01-17 2019-08-23 三菱综合材料株式会社 银包覆硅橡胶颗粒及含有该颗粒的导电性糊剂以及使用该导电性糊剂的导电膜的制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW201425563A (zh) 2014-07-01
CN101803009B (zh) 2012-07-04
EP2188834A4 (en) 2014-03-19
WO2009035906A2 (en) 2009-03-19
JP2010539683A (ja) 2010-12-16
EP2188834A2 (en) 2010-05-26
JP2013243404A (ja) 2013-12-05
US20100328895A1 (en) 2010-12-30
WO2009035906A3 (en) 2009-04-23
TW200918659A (en) 2009-05-01
KR20100075894A (ko) 2010-07-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101803009B (zh) 组合物，包括这种组合物的热界面材料,及其制备方法和用途
CN101803010B (zh) 热界面材料，包含该热界面材料的电子器件和其制备和使用的方法
JP6075261B2 (ja) 熱伝導性シリコーン組成物及びその硬化物
KR101280277B1 (ko) 절연성 액상 다이 결합제 및 반도체 디바이스
CN100519651C (zh) 环氧树脂组合物及半导体装置
US7994246B2 (en) Curable silicone composition and electronic component
US20050049357A1 (en) Thin bond-line silicone adhesive
TW201908411A (zh) 導熱性聚矽氧凝膠組合物、導熱性構件及散熱結構體
US20050228097A1 (en) Thermally conductive compositions and methods of making thereof
KR20150043545A (ko) 열 계면 물질
JP7082563B2 (ja) 熱伝導性シリコーン組成物の硬化物
CN100578769C (zh) 含有纳米材料以增强体积导热率的有机基体
TW202100663A (zh) 多成分型導熱性聚矽氧凝膠組成物、導熱性構件及散熱結構體
WO2021095507A1 (ja) 熱伝導性シリコーン組成物及び熱伝導性シリコーンシート
WO2021131681A1 (ja) 熱伝導性シリコーン樹脂組成物

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20120704

Termination date: 20150905

EXPY Termination of patent right or utility model