CN101777304B - 显示装置及电子装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了显示装置及电子装置，该显示装置包括：多个子像素，彼此邻近配置，并形成用于形成彩色图像格式的单位的一个像素；所述多个子像素包括：第一子像素，用于发射最短波长的光；以及第二子像素，与第一子像素邻近配置；第二子像素具有遮光部，配置在第二子像素与所述第一子像素之间，并且遮光部的宽度大于形成第二子像素的晶体管的沟道长度或沟道宽度。

Description

显示装置及电子装置
相关申请的引用
本发明包含于2008年12月22日向日本专利局提交的日本专利申请第2008-325072号的主题，其全部内容结合于此作为参考。
技术领域
本发明涉及显示装置及电子装置，具体而言，涉及平面型或平板型显示装置(其中，以行和列(即，矩阵)的形式二维排列每个都包括电光学元件的多个像素)以及结合了所述显示装置的电子装置。
背景技术
近年来，在用于显示图像的显示装置领域，以行和列的方式配置了每个都包括发光元件的多个像素或像素电路的平面型显示装置已经快速普及。这种平面型显示装置的其中一个使用发光亮度响应于流经所述元件的电流值而改变的电流驱动型电光学元件作为像素的发光元件。就电流驱动型电光学元件而言，利用当被施加电场时有机薄膜发光现象的有机EL(场致发光)元件被众所周知。
使用有机EL元件作为像素的电光学元件的有机EL显示装置具有下面的特性。具体地，有机EL元件因为其能够通过等于或低于10V的应用电压被驱动而具有低功率消耗特性。由于有机EL元件为自发光元件，所以有机EL显示装置与通过对每个像素使用液晶而控制来自光源的光强度来显示图像的液晶显示装置相比显示了高可视性的图像。此外，由于有机EL元件不需要诸如背光的光源，所以有利于减小有机EL显示装置的重量及厚度。此外，由于响应速度为近似几μ秒高，所以在动态图片显示时不会出现余像。
类似于液晶显示装置，有机EL显示装置能够采用简单或无源矩阵型或有源矩阵型作为其驱动方法。但是，尽管简单的矩阵型显示装置在结构上简单，但是其具有一个缺点，即，因为每个电光学元件的发光期间随着扫描线数(即，像素数)增加而减小，所以很难实现大尺寸高清晰度的显示装置。
因此，近年来，已经并正在进行提供了诸如绝缘栅极型场效应晶体管的电光学元件的有源矩阵显示装置(其中，通过在像素中所提供的有源元件来控制流入电光学元件的电流)的开发。就绝缘栅极型场效应晶体管而言，广泛使用薄膜晶体管(TFT)。因为电光学元件在整个一个帧期间内持续发光，所以很容易实现作为大尺寸和高清晰度的显示装置的有源矩阵显示装置。
另外，众所周知，随着时间流逝，有机EL元件的I-V特性(即，电流-电压特性)像所知的时间劣化一样地发生劣化。在具体使用N沟道型TFT作为用于通过电流驱动有机EL元件的晶体管(下文中，这种晶体管被称作驱动晶体管)的像素电路中，如果有机EL元件的I-V特性经受时间劣化，则随后，驱动晶体管的栅源电压Vgs产生变化。结果，有机EL元件的发光亮度产生变化。这是由于有机EL元件被连接至驱动晶体管的源电极侧的事实。
更加具体的描述这种情况。驱动晶体管的源电位依赖于驱动晶体管和有机EL元件的工作点。如果有机EL元件的I-V特性劣化，则随后，驱动晶体管和有机EL元件的工作点发生变化。因此，即使相同的电压被施加于驱动晶体管的栅极，驱动晶体管的源电位也会改变。因此，驱动晶体管的源栅电压Vgs发生变化，并且流入驱动晶体管的电流值改变。结果，由于流入有机EL元件的电流值也发生变化，所以有机EL元件的发光亮度产生变化。
此外，特别是在使用多晶硅TFT的像素电路中，除了有机EL元件的I-V特性的时间劣化之外，驱动晶体管的晶体管特性随时间的流逝而变化，或者由于制造处理的分散性，不同像素中的晶体管特性不同。换句话说，各个像素中的驱动晶体管的晶体管特性分散。晶体管特性可以为驱动晶体管的阈值电压Vth、形成驱动晶体管沟道的半导体薄膜的迁移率μ(下文中，这种迁移率μ被简单称作“驱动晶体管的迁移率μ”)或其它一些特性。
在不同像素中的驱动晶体管的晶体管特性不同的情况下，由于这引起了流入多个像素中的驱动晶体管的电流值的分散，所以即使相同的电压被施加于多个像素中的驱动晶体管的栅极，在多个像素中的有机EL元件的发光亮度也会出现分散。结果，破坏了画面图像的均一性。
因此，为了保持有机EL元件的发光亮度固定，不会如所披露(例如，在日本专利公开第2007-310311号中)的一样被有机EL元件的I-V特性的时间劣化或驱动晶体管的晶体管特性的时间劣化影响，为像素电路提供各种校正或补偿功能。
校正功能可以包括用于有机EL元件的I-V特性变化的补偿功能、对于驱动晶体管的阈值电压Vth差异的校正功能、用于驱动晶体管迁移率μ差异的校正功能及其它一些功能。在下面所给出的描述中，对于驱动晶体管阈值电压Vth的变化的校正被称作“阈值校正”，并且对于驱动晶体管迁移率μ的校正被称作“迁移率校正”。
在以这种方式为每个像素电路提供了多种校正功能的情况下，能够将有机EL元件的发光亮度保持固定，不会被有机EL元件的I-V特性的时间劣化或驱动晶体管的晶体管特性的时间劣化影响。结果，能够改进有机EL显示器的显示质量。
发明内容
因此，如果在某个固定电压被施加至像素中的晶体管的状态下具有高能量的光被输入至像素中的晶体管的沟道，则随后晶体管的阈值电压移动至负值一侧。具体地，如果具有相对较短波长并因此具有高能量的蓝光被输入至晶体管，则随后如图26所示，晶体管的特性移动与没有输入光时相比变得非常大。
就实例而言，考虑了每个都包括R(红色)、G(绿色)及B(蓝色)三个子像素的子像素单元被排列使得B子像素位于每个单元的中央的多个子像素。仅当B子像素自身发光时，B子像素仅被绿光影响。
但是，由于R和G子像素位于B子像素附近，所以即使它们自身不发光，它们也会被位于其邻近的B子像素所发射的光影响。在R和G子像素不仅被来自其自身所发射的光影响而且也被来自邻近子像素所发射的光影响的情况下，很难在校正处理等处理中补偿电流差异。
尽管在RGB彩色涂层(coating)中给出了关于B子像素的前面的描述，但是在任意其它彩色涂层中，这种描述也类似地应用于发射具有最短波长并因此具有最高能量的光的子像素。
因此，需要提供一种显示装置和电子装置，其中，能够抑制当具有高能量的光被输入至晶体管的沟道时出现的子像素晶体管的特性移动。
根据本发明的实施例，提供了一种显示装置，包括彼此邻近配置并形成用于形成彩色图像格式的单位的一个像素的多个子像素，所述多个子像素包括：第一子像素，用于发射最短波长的光；以及第二子像素，配置在第一子像素附近，所述第二子像素具有遮光部，配置在第二子像素与第一子像素之间，并且该遮光部的宽度大于形成第二子像素的晶体管的沟道长度或沟道宽度。
所发射的具有相对较短波长的光具有很高的能量。在显示装置中，如果具有最短波长并具有很高强度的光从第一子像素输入至位于第一子像素附近并被施加了电压的第二子像素中的晶体管的沟道，则随后，晶体管发生特性移动。此处，由于第二子像素具有在第二子像素与第一子像素之间所排列的遮光部，所以遮光部具有遮挡从第一子像素所发射的光进入第二子像素的功能。因此，能够抑制由于具有高能量的光入射进晶体管的沟道所引起的晶体管的特性移动。
通过所述显示装置，由于能够抑制由于具有高能量的光入射进晶体管的沟道所引起的晶体管的特性移动，所以能够抑制流入电光学元件的电流的减小以及诸如条纹和亮度不均匀的图片质量缺陷的产生。
下面，结合附图对本发明的优选实施例进行说明，本发明的上述和其他的目的、特征和优点将更加明显。
附图说明
图1是示出了应用了本发明实施例的有机EL显示装置的通用***结构的框图；
图2是示出了像素的电路结构的方框电路图；
图3是示出了像素的截面结构的实例的截面图；
图4是示出了图1的有机EL显示装置的电路工作的时间波形图；
图5A至图5D及图6A至图6D是示出了图1的有机EL显示装置的电路工作的电路图；
图7是示出了由驱动晶体管的阈值电压的分散(dispersion)所引起的待解决的课题的特性图；
图8是示出了由驱动晶体管的迁移率的分散所引起的待解决的课题的特性图；
图9A至图9C是示出了根据是否执行阈值校正和/或迁移率校正的图像信号的信号电压与驱动晶体管的漏源电流之间的关系的特性图；
图10是示出了当显示白色时写入晶体管的电极的电位关系的等效电路图；
图11是示出了写入晶体管的截面结构的实例的截面图；
图12是示出了在其上升沿和下降沿变形的状态下写入扫描信号的转换波形(transition waveform)的波形图；
图13是示出了防止像素被来自邻近像素的蓝光影响的方法实例的像素部的截面图；
图14是示出了根据工作实例1的遮光配置结构的平面图；
图15是沿着示出遮光配置结构的截面结构的图14的线A-A’的截面图；
图16和图17是示出了根据对图14的工作实例1的改进1和2的遮光配置结构的平面图；
图18和图19是示出了根据对图14的工作实例1的改进3和4的遮光配置结构的截面图；
图20是示出了根据工作实例2的遮光配置结构的截面图；
图21是示出了应用了本发明的实施例的电视机的外观的透视图；
图22A和图22B是分别示出了从前面和后面所观察到的应用了本发明的实施例的数码像机的外观的透视图；
图23是示出了应用了本发明的实施例的笔记本型个人计算机的外观的透视图；
图24是示出了应用了本发明的实施例的摄像机的外观的透视图；
图25A和图25B是分别示出了在打开状态下应用了本发明的实施例的便携式手机的外观的前正视图和侧正视图，并且图25C、图25D、图25E、图25F及图25G是分别示出了在合上状态下的便携式手机的前正视图、左侧正视图、右侧正视图、顶视图及底视图；以及
图26是示出了当蓝光被输入至晶体管的沟道时晶体管特性产生很大变化的情况的晶体管特性的示图。
具体实施方式
下面，参照附图详细描述本发明的优选实施例。需要注意，以下面顺序来给出描述：
1.实施例(像素的遮光配置)
1-1.工作实例1
1-2.工作实例2
2.改进
3.应用(电子装置)
<1.实施例>
[***结构]
图1是示出了应用了本发明实施例的有源矩阵显示装置的一般的***结构的框图。此处，假设所描述的有源矩阵显示装置为一种有源矩阵有机EL显示装置，其中，作为电流驱动型电光学元件的有机EL元件被用作像素或像素电路的发光元件，该电流驱动型电光学元件发射的光亮度响应于流经元件的电流值而改变。
参照图1，所显示的有机EL显示装置10包括：多个像素20，每个都包括发光元件；像素阵列部30，在其中以行和列的方式(即，以矩阵方式)二维排列像素20；以及驱动部，被排列在像素阵列部30周围。驱动部驱动像素阵列部30的像素20发光。
用于像素20的驱动部包括：扫描驱动***，包含写入扫描电路40和电源扫描电路50；以及信号供给***，包括信号输出电路60。在本实施例的有机EL显示装置10中，在显示面板70上提供信号输出电路60，其上，形成像素阵列部30，同时，在显示面板或基板70的外部提供用于形成扫描驱动***的写入扫描电路40和电源扫描电路50。
此处，如果有机EL显示装置10准备用于黑/白显示，使单位(unit)形成单色图像的一个像素则对应于像素20。另一方面，在有机EL显示装置10准备用于彩色显示的情况下，使单位形成彩色图像的一个像素由多个子像素形成，其中每一个都对应于像素20。具体而言，在用于彩色显示的显示装置中，由包括用于发射红色光(R)的子像素、用于发生绿色光(G)的另一个子像素以及用于发射蓝色光(B)的又一个子像素的三个子像素构成一个像素。
但是，不需要必须由R、G及B的三原色的子像素的组合来形成一个像素，而是可以由除了三原色的子像素之外的一种颜色或多种不同彩色的一个或多个子像素来构成。具体地，例如，为了提升亮度，可以添加用于发射白光(W)的子像素来形成一个像素，或者，为了扩展色彩再生范围，可以添加用于发射补色光的至少一个子像素来形成一个像素。
在像素阵列部30中在m行和n列中排列多个像素20，并且为沿着行方向(即，沿着在像素行中的像素被排列的方向)的各个像素配线扫描线31-1至31-m和电源线32-1至32-m。此外，为沿着列方向(即，沿着在像素列中的像素被排列的方向)的各个像素配线信号线33-1至33-n。
扫描线31-1至31-m被分别连接至相应行的写入扫描电路40的输出端。电源线32-1至32-m被分别连接至相应行的电源扫描电路50的输出端。信号线33-1至33-n被分别连接至相应列的信号输出电路60的输出端。
在诸如玻璃基板的透明绝缘基板上通常形成像素阵列部30。因此，有机EL显示装置10具有平板结构。能够使用非晶硅TFT(薄膜晶体管)或低温多晶硅TFT形成用于像素阵列部30的每个像素20的驱动电路。在使用低温多晶硅TFT的情况下，写入扫描电路40和电源扫描电路50也能够被安装在显示面板或基板70上。
由与时钟脉冲ck同步地连续移动启动脉冲sp的移位寄存器或类似元件来形成写入扫描电路40。当将图像信号写入像素阵列部30的多个像素20中时，写入扫描电路40将写入扫描信号WS(WS1至WSm)连续提供至扫描线31-1至31-m，从而以行为单位连续扫描(线连续扫描)像素阵列部30的像素20。
由与时钟脉冲ck同步地连续移动启动脉冲sp的移位寄存器或类似元件来形成电源扫描电路50。电源扫描电路50与通过写入扫描电路40的线连续扫描同步地将在第一电源电位Vccp与低于第一电源电位Vccp的第二电源电位Vini之间改变的电源电位DS(DS1至DSm)提供至电源线32-1至32-m。通过在第一电源电位Vccp与第二电源电位Vini之间改变电源电位DS，执行了像素20的发光/不发光的控制。
信号输出电路60选择从没有被示出并且表示亮度信息的信号供给线中所提供的图像信号的信号电压Vsig与参考电位Vofs中的其中一个，并且输出所选择的电压。从信号输出电路60中选择性输出的参考电位Vofs被用作图像信号的信号电压Vsig的参考，并且例如相应于图像信号的黑电平。
例如，可以使用时分驱动***的众所周知的电路结构来形成信号输出电路60。时分驱动***也被称作选择器***，并以单元或组的形式将多个信号线分配至用作信号供给源的驱动器(没有示出)的其中一个输出端。随后，以时分方式连续选择多个信号线，并且以驱动器的各个输出端的时间序列的方式所输出的图像信号被分类并以时分方式提供至所选择的信号线，从而驱动信号线。
在作为实例准备用于彩色显示的显示装置的情况下，R、G及B的图像信号在一个水平期间内以位于邻近的三个像素R、G及B为单位从驱动器以时间序列方式输入至信号输出电路60。通过对应于R、G及B的三个像素列所提供的选择器或选择开关来形成信号输出电路60，使得选择器以时分方式连续执行接通操作，从而将R、G及B的图像信号以时分方式写入相应的信号线。
尽管这里的一个单位包括R、G及B的三个像素列或信号线，但所述单位不限于此。具体地，由于采用时分驱动方法或选择器方法，其中，由大于等于2的整数x来表示时分数，驱动器的输出数和驱动器与信号输出电路60之间及因此在驱动器与显示面板70之间的线数能够被减小至信号线数的1/x。
从信号输出电路60选择性输出的信号电压Vsig或参考电位Vofs通过信号线33-1至33-n以行为单位被写入像素阵列部30的像素20中。换句话说，信号输出电路60表现为线连续写入驱动形式，其中，以行或线为单位写入信号电压Vsig。
图2示出了在根据本实施例的有机EL显示装置10中所使用的像素或像素电路20的具体电路结构。
参照图2，像素20包括：电流驱动型的电光学元件，其发光亮度响应于在其中流过的电流值而改变，诸如有机EL元件21；以及驱动电路，用于驱动有机EL元件21。有机EL元件21的阴极被连接至通用电源线34，该通用电源线被通用配线至所有像素20。
用于驱动有机EL元件21的驱动电路包括驱动晶体管22、写入晶体管或采样晶体管23及存储电容器24。此处，N沟道TFT被用于驱动晶体管22和写入晶体管23。但是，驱动晶体管22和写入晶体管23的导通类型的这种组合仅为一个实例，并且这种导通类型的组合不限于这种指定的组合。
需要注意，在N沟道TFT被用于驱动晶体管22和写入晶体管23的情况下，非晶硅(a-Si)处理能够被用于它们的制备。在使用a-Si处理的情况下，可以期待其上即将制备TFT的基板的成本的降低和有机EL显示装置10的成本的降低。此外，如果以相同导通类型的组合方式形成驱动晶体管22和写入晶体管23，则随后，由于能够通过相同的处理制备晶体管22和23，所以能够对于成本的降低做出贡献。
驱动晶体管22的第一电极(即，其源/漏极)被连接至有机EL元件21的阳极，并且其第二电极(即，其漏/源极)被连接至电源线32(32-1至32-m)。
写入晶体管23的栅极被连接至扫描线31(31-1至31-m)。此外，写入晶体管23的第一电极(即，其源/漏极)被连接至信号线33(33-1至33-n)，并且其第二电极(即，其漏/源极)被连接至驱动晶体管22的栅极。
在驱动晶体管22和写入晶体管23中，第一电极为电连接至源/漏区的金属线，并且第二电极为电连接至漏/源区的金属线。此外，根据第一电极与第二电极之间的电位关系，第一电极可以为源极或漏极，并且第二电极可以为漏极或源极。
存储电容器24的一个电极被连接至驱动晶体管22的栅极，其另一个电极被连接至驱动晶体管22的第二电极和有机EL元件21的阳极。
需要注意，用于有机EL元件21的驱动电路的电路结构不限于包括驱动晶体管22和写入晶体管23的两个晶体管及存储电容器24的一个电容器元件。例如，为了弥补有机EL元件21的电容的不足，可以根据需要采用另一种电路结构，其中，提供了辅助电容器，其一个电极被连接至有机EL元件21的阳极并且其另一个电极被连接至固定电位。
在具有上述结构的像素20中，响应于通过扫描线31从写入扫描电路40被施加至写入晶体管23的栅极的高有效(high active)的写入扫描信号WS，将写入晶体管23置于导通状态。因此，写入晶体管23采样表示亮度信息的图像信号的信号电压Vsig或通过信号线33从信号输出电路60所提供的参考电位Vofs，并且将所采样的电位写入像素20。这样所写入的信号电压Vsig或参考电位Vofs被施加至驱动晶体管22的栅极，并且被存储在存储电容器24中。
当电源线32(32-1至32-m)的电源电位DS为第一电源电位Vccp时，驱动晶体管22在饱和区中工作，同时，第一电极作为漏极使用，并且第二电极作为源极使用。因此，驱动晶体管22接收来自电源线32的电流供给，并且通过电流驱动来驱动有机EL元件21发光。具体而言，驱动晶体管22在其饱和区中工作，将相应于在存储电容器24中所存储的信号电压Vsig的电压值的电流值的驱动电流提供至有机EL元件21，从而通过电流驱动有机EL元件21发光。
此外，当电源电位DS从第一电源电位Vccp改变至第二电源电位Vini时，驱动晶体管22的第一电极作为源极使用，同时，驱动晶体管22的第二电极作为漏极使用，并且驱动晶体管22作为开关晶体管工作。因此，驱动晶体管22通过开关操作来停止向有机EL元件21的驱动电流的供给，从而将有机EL元件21置于不发光状态。因此，驱动晶体管22也具有用于控制有机EL元件21的发光/不发光的晶体管的功能。
驱动晶体管22的开关操作提供了有机EL元件21处于不发光状态的期间(即，不发光期间)，并且控制有机EL元件21的发光期间与不发光期间的比率(即，有机EL元件21的占空比)。通过这种占空比控制，能够减小在一个帧期间内由来自像素20的光发射所引起的余像模糊，因此，能够特别地提高动态图片的图片质量。
来自通过电源线32从电源扫描电路50选择性提供的第一和第二电源电位Vccp和Vini之间的第一电源电位Vccp为用于将用于驱动有机EL元件21发光的驱动电流提供至有机EL元件21的电源电位。此外，第二电源电位Vini被用于为有机EL元件21提供逆偏压。这个第二电源电位Vini被设定为低于信号电压的参考电位Vofs的电位，例如，被设定为低于Vofs-Vth的电位，其中，Vth为驱动晶体管22的阈值电压，优选地，被设定为充分低于Vofs-Vth的电位。
(像素结构)
图3示出了像素20的截面结构。参照图3，在形成有包括驱动晶体管22等的驱动电路的玻璃基板201上形成像素20。构成像素20，使得在玻璃基板201上按顺序形成绝缘膜202、绝缘平坦化膜203及窗口绝缘膜204，并且在窗口绝缘膜204的凹部204A处提供有机EL元件21。此处，在驱动电路的组件中，仅示出驱动晶体管22，同时忽略其它组件。
通过由金属等所构成的阳极205、在阳极205上所形成的有机层206及在有机层206上通过对于所有像素所通用形成的透明导电膜等所构成的阴极207来形成有机EL元件21。在窗口绝缘膜204的凹部204A的底部形成阳极205。
在有机EL元件21中，通过在阳极205上按顺序所沉积的空穴传输层/空穴注入层2061、发光层2062、电子传输层2063及电子注入层(没有示出)来形成有机层206。如果电流在通过图2所示的驱动晶体管22的电流驱动下通过阳极205从驱动晶体管22流入有机层206，则随后，电子和空穴在有机层206的发光层2062中被重组，于是，通过发光层2062发光。
驱动晶体管22包括栅极221、在与栅极221相对的半导体层222的部分上所提供的沟道形成区225以及在半导体层222上在沟道形成区225的相对两侧所提供的源/漏区223和224。源/漏区223通过接触孔被电连接至有机EL元件21的阳极205。
随后，在玻璃基板201上以像素为单位形成有机EL元件21，其上，通过绝缘膜202、绝缘平坦化膜203及窗口绝缘膜204形成包括驱动晶体管22的驱动电路。随后，通过粘合剂210将密封基板209粘结至钝化膜208，于是，通过密封基板209密封了有机EL元件21，从而形成显示面板70。
[有机EL显示装置的电路工作]
现在，除了图4之外，还参照图5A至图5D及图6A至图6D来描述二维排列了具有上述结构的像素20的有机EL显示装置10的电路工作。
需要注意，在图5A至图5D及图6A至图6D中，为了简化，通过开关符号来表示写入晶体管23。此外，就众所周知的技术而言，有机EL元件21具有等效电容或寄生电容Cel。因此，在图5A至图5D及图6A至图6D中也示出了等效电容Cel。
在图4中，示出了扫描线31(31-1至31-m)的写入扫描信号WS的电位的差异、电源线32(32-1至32-m)的电源电位DS的电位的差异及驱动晶体管22的栅电位Vg和源电位Vs的差异。
<在先前帧中的发光期间>
在图4中，在时间t1之前，提供了先前帧或场中的有机EL元件21的发光期间。在先前帧的发光期间内，电源线32的电源电位DS具有第一电源电位(下文中，被称作“高电位”)Vccp，并且写入晶体管23处于非导通状态。
设计驱动晶体管22，使得此时其在饱和区工作。因此，通过驱动晶体管22将相应于驱动晶体管22的栅源电压Vgs的驱动电流或漏源电流Ids从电源线32提供至有机EL元件21。因此，有机EL元件21发射具有相应于驱动晶体管Ids的电流值的亮度的光。
《阈值校正准备期间》
在时间t1时，进入线连续扫描的新帧，即，当前帧。随后，如图5B所示，电源线32的电位DS关于信号线33的参考电位Vofs从高电位Vccp改变至充分低于Vofs-Vth的第二电源电位(下文中，被称作“低电位”)Vini。
此处，通过Vthel来表示有机EL元件21的阈值电压，并且通过Vcath来表示通用电源线34的电位(即，阴极电位)。此时，如果低电位Vini满足Vini＜Vthel+Vcath，则随后由于驱动晶体管22的源电位Vs变得基本上等于低电位Vini，所以有机EL元件21被置于逆偏压状态，并且停止发光。
随后，当在时间t2时扫描线31的电位WS从低电位侧改变至高电位侧时，如图5C所示，写入晶体管23被置于导通状态。此时，由于参考电位Vofs被从信号输出电路60提供至信号线33，所以驱动晶体管22的栅电位Vg变得等于参考电位Vofs。此外，驱动晶体管22的源电位Vs等于充分低于参考电位Vofs的低电位Vini。
此时，驱动晶体管22的栅源电压Vgs为Vofs-Vini。此处，如果Vofs-Vini没有充分大于驱动晶体管22的阈值电位Vth，则随后不能执行下文所述的阈值校正处理，因此，需要建立Vofs-Vini＞Vth的电位关系。
通过这种方式，将驱动晶体管22的栅电位Vg固定或终结在参考电位Vofs并将驱动晶体管22的源电位Vs固定或终结在低电位Vini从而对其进行初始化的处理为执行下文所述的阈值校正处理前的准备处理(阈值校正准备)。因此，参考电位Vofs和低电位Vini分别变为用于驱动晶体管22的栅电位Vg的初始化电位和用于驱动晶体管的源电位Vs的初始化电位。
《阈值校正期间》
随后，如果如图5D所示在时间t3时电源线32的电位DS从低电位Vini改变为高电位Vccp，则随后在维持驱动晶体管22的栅电位Vg的状态下启动阈值校正处理。具体地，驱动晶体管22的源电位Vs开始升高至驱动晶体管的阈值电位Vth与栅电位Vg的差值的电位。
此处，在驱动晶体管22的栅极中参照初始化电位Vofs将源电位Vs改变至驱动晶体管22的阈值电位Vth与参考电位Vofs的差值的电位的处理在下文中被称作阈值校正处理。随着阈值校正处理的进行，驱动晶体管22的栅源电压Vgs很快收敛至驱动晶体管22的阈值电位Vth。对应于阈值电位Vth的电压被存储在存储电容器24中。
需要注意，在执行阈值校正处理期间内(即，在阈值校正处理期间内)，需要使电流全部流入存储电容器24侧，而不流入至有机EL元件21侧。为此，设定通用电源线34的电位Vcath，使得有机EL元件21具有断路状态。
随后，在时间t4时，扫描线31的电位WS改变至低电位侧，于是如图6A所示，写入晶体管23被置于非导通状态。此时，驱动晶体管22的栅极断开与信号线33的电连接，并进入浮接(floating)状态。但是，由于栅源电压Vgs等于驱动晶体管22的阈值电位Vth，所以驱动晶体管22保持在断路状态。因此，流入驱动晶体管22的漏源电流Ids的量非常小。
《信号写入及迁移率校正期间》
随后，在时间t5时，如图6B所示，信号线33的电位从参考电位Vofs改变至图像信号的信号电压Vsig。随后，在时间t6时，扫描线31的电位WS改变至高电位侧，于是，如图6C所示，写入晶体管33被置于导通状态，以将图像信号的信号电压Vsig采样并写入像素20。
通过利用写入晶体管23写入信号电压Vsig，驱动晶体管22的栅电位Vg变得等于信号电压Vsig。随后，当通过图像信号的信号电压Vsig驱动驱动晶体管22时，通过对应于在存储电容器24中所存储的阈值电位Vth的电压来取消驱动晶体管22的阈值电位Vth。下文中，详细描述阈值取消的原理的细节。
此时，有机EL元件21保持在断路状态，即，处于高阻抗状态。因此，响应于图像信号的信号电压Vsig从电源线32流入驱动晶体管22的电流(即，漏源电流Ids)流入等效电容Cel。启动有机EL元件21的等效电容Cel的充电。
通过等效电容Cel的充电，驱动晶体管22的源电位Vs随时间的流逝一起升高。此时，对于每个像素的驱动晶体管的阈值电位Vth的分散已经被消除，并且驱动晶体管22的漏源电流Ids表现为一个值，该值依赖于驱动晶体管22的迁移率μ。
此处，假设存储电容器24的存储电压Vgs与图像信号的信号电压Vsig的比率为1(为理论值)。下文中，存储电压Vgs与信号电压Vsig的比率有时被称作写入增益。例如，当驱动晶体管22的源电位Vs升高至Vofs-Vth+ΔV的电位时，驱动晶体管22的栅源电压Vgs变为Vsig-Vofs+Vth-ΔV。
具体地，驱动晶体管22的源电位Vs的升高量ΔV作用，从而从在存储电容器24中所存储的电压中(即，从Vsig-Vofs+Vth中)减去。或者，换句话说，源电位Vs的升高量ΔV作用，从而对存储电容器24的累积电荷进行放电，并因此被负反馈。因此，驱动晶体管22的源电位Vs的升高量ΔV为负反馈中的反馈量。
通过将根据流经驱动晶体管22的驱动电流Ids的反馈量ΔV的负反馈以这种方式施加于栅源电压Vgs，能够消除驱动晶体管22的漏源电流Ids对迁移率μ的依赖性。消除对迁移率μ的依赖性的这种处理为校正对于每个像素的驱动晶体管22的迁移率μ的分散的迁移率校正处理。
具体而言，由于漏源电流Ids随着待被写入驱动晶体管22的栅极的图像信号的信号振幅Vin(＝Vsig-Vofs)的增大而增大，所以负反馈的反馈量ΔV的绝对值也增大。因此，执行根据发光亮度电平的迁移率校正处理。
此外，如果假设图像信号的信号振幅Vin被固定，则随后由于负反馈的反馈量ΔV的绝对值随着驱动晶体管22的迁移率μ的增大而增大，所以能够消除对于每个像素的迁移率μ的分散。因此，负反馈的反馈量ΔV还能够被视为迁移率校正的校正量。下文中，将描述迁移率校正的原理的细节。
《发光期间》
随后，在时间t7时，扫描线31的电位WS改变至低电位侧，于是如图6D所示，写入晶体管23被置于非导通状态。因此，因为断开了与信号线33的电连接，所以驱动晶体管22的栅电位被置于浮接状态。
此处，当驱动晶体管22的栅电极处于浮接状态时，由于存储电容器24被连接至驱动晶体管22的栅极和源极之间，所以栅电位Vg也以与驱动晶体管22的源电位Vs的变化的互锁关系或随动关系而改变。下文中，以这种方式以与源电位Vs的变化的互锁关系而改变的驱动晶体管22的栅电位Vg的操作被称作通过存储电容器24的引导操作。
当驱动晶体管22的栅极被置于浮接状态并且驱动晶体管22的漏源电流Ids同时开始流入有机EL元件21时，有机EL元件21的阳极电位响应于漏源电流Ids而升高。
随后，当有机EL元件21的阳极电位超过Vthel+Vcath时，驱动电流开始流入有机EL元件21，因此，有机EL元件21开始发光。此外，有机EL元件21的阳极电位的升高仅是驱动晶体管22的源电位Vs的升高。随着驱动晶体管22的源电位Vs升高，驱动晶体管22的栅电位Vg也通过存储电容器24的引导操作(bootstrapoperation)以互锁关系升高。
此时，如果假设引导增益在理想状态中为1，则随后栅电位Vg的升高量等于源电位Vs的升高量。因此，在发光期间，驱动晶体管22的栅源电压Vgs被保持固定在Vsig-Vofs+Vth-ΔV。随后，在时间t8时，信号线33的电位从图像信号的信号电压Vsig改变至参考电位Vofs。
在上述的系列电路工作中，在一个水平扫描期间(1H)内执行阈值校正准备、阈值校正、信号电压Vsig的写入(信号写入)及迁移率校正的处理操作。此外，在从时间t6至时间t7的期间内，并行地执行信号写入及迁移率校正的处理操作。
此处，需要注意，尽管上述实例采用仅执行一次阈值校正处理的驱动方法，但是这种驱动方法仅为实例，并且待被采用的驱动方法不限于此。例如，能够采用一种驱动方法，其中，在1H期间内执行阈值校正处理，在所述1H期间，所述阈值校正处理与迁移率校正和信号写入处理一起被执行，并在所述1H期间之前的多个水平扫描期间内进一步多次时分地被执行。
在刚刚所描述的分割阈值校正的驱动方法被采用的情况下，即使由于分辨率的增加引起像素数的增多减少了被分配至一个水平扫描期间的时间，也能够在多个水平扫描期间内作为阈值校正期间确保充足的时间期间。因此，能够确定地执行阈值校正处理。
(阈值消除的原理)
下面，将描述通过驱动晶体管22的阈值消除(即，阈值校正)的原理。如上文所述，阈值校正处理为参照初始化电位Vofs将驱动晶体管22的源电压Vs改变至驱动晶体管的阈值电压Vth与用于驱动晶体管22的栅电位Vg的初始化电位Vofs的差值的电位的处理。
因为被设计在饱和区进行工作，所以驱动晶体管22作为恒流源工作。由于驱动晶体管22作为恒流源进行工作，所以为有机EL元件21提供了固定的漏源电流或通过下面表达式(1)所给出的驱动电流Ids：
Ids＝(1/2)·μ(W/L)Cox(Vgs-Vth)2...(1)
其中，W为驱动晶体管22的沟道宽度，L为沟道长度，并且Cox为单位面积的栅电容。
图7示出了关于驱动晶体管22的栅源电压Vgs的漏源电流Ids的特性。
如图7的特性图所示，如果没有执行对于每个像素的驱动晶体管22的阈值电位Vth的分散的消除处理，则随后当阈值电位Vth为Vth1时，对应于栅源电位Vgs的漏源电流Ids变为Ids1。
相反，当阈值电位Vth为Vth2(Vth2＞Vth1)时，对应于相同的栅源电压Vgs的漏源电流Ids变为Ids2(Ids2＜Ids1)。换句话说，如果驱动晶体管22的阈值电位Vth波动，则随后即使栅源电压Vgs被固定，漏源电流Ids也会波动。
另一方面，在具有上述结构的像素或像素电路20中，发光时的驱动晶体管22的栅源电压Vgs为Vsig-Vofs+Vth-ΔV。因此，通过将其代入表达式(1)，通过下面的表达式(2)来表示漏源电流Ids：
Ids＝(1/2)·μ(W/L)Cox(Vsig-Vofs-ΔV)2...(2)
具体地，驱动晶体管22的阈值电位Vth项被消去，并且从驱动晶体管22被提供至有机EL元件21的漏源电流Ids不依赖于驱动晶体管22的阈值电位Vth。结果，即使由于驱动晶体管22的制造处理的分散或时间劣化，驱动晶体管22的阈值电位Vth对于每个像素存在差异，漏源电流Ids也不会改变，因此，有机EL元件21的发光亮度能够被保持固定。
(迁移率校正的原理)
现在，描述驱动晶体管22的迁移率校正的原理。迁移率校正处理为将对应于流入驱动晶体管22的漏源电流Ids的校正量ΔV的负反馈施加于驱动晶体管22的栅极与源极之间的电位差的处理。通过迁移率校正处理，能够消除驱动晶体管22的漏源电流Ids对迁移率μ的依赖性。
图8示出了用于比较其驱动晶体管22具有相对较高的迁移率μ的像素A和其驱动晶体管22具有相对较低的迁移率μ的像素B的特性曲线。在通过多晶硅薄膜晶体管等形成驱动晶体管22的情况下，类似于像素A和像素B，不能避免在像素中迁移率μ分散。
此处，假设在像素A和像素B二者之间具有迁移率μ的分散的状态下，相等电平的信号振幅Vin(＝Vsig-Vofs)被写入像素A和B中的驱动晶体管22的栅极中。在这种情况下，如果根本没有执行迁移率μ的校正，则随后在流入具有较高迁移率μ的像素A的漏源电流Ids1’与流入具有较低迁移率μ的像素B的漏源电流Ids2’之间出现很大差异。如果漏源电流Ids的很大差异由于以这种方式在像素中的迁移率μ的分散而出现在不同像素之间，则破坏了画面图像的均一性。
此处，通过上文中所给出的表达式(1)的晶体管特性表达式很明显看出，在迁移率μ很高的情况下，漏源电流Ids很大。因此，负反馈的反馈量ΔV随着迁移率μ的增大而增大。如图8所示，高迁移率μ的像素A中的反馈量ΔV1大于具有低迁移率μ的像素B中的反馈量ΔV2。
因此，如果通过迁移率校正处理将具有根据驱动晶体管22的漏源电流Ids的反馈量ΔV的负反馈施加于栅源电压Vgs，则随后，负反馈量随着迁移率μ的增大而增大。结果，能够抑制像素中的迁移率μ的分散。
具体地，如果在具有高迁移率μ的像素A中施加反馈量ΔV1的校正，则随后漏源电流Ids下降从Ids1’至Ids1的很大量。另一方面，由于在具有低迁移率μ的像素B中的反馈量ΔV2很小，则漏源电流Ids从Ids2’减小至Ids2，并且不会下降很大量。结果，像素A中的漏源电流Ids1和像素B中的漏源电流Ids2变得基本彼此相等，因此，校正了像素之中迁移率μ的分散。
总之，在考虑到像素A和像素B之间的迁移率μ不同的情况下，在具有高迁移率μ的像素A中的反馈量ΔV1大于在具有低迁移率μ的像素B中的反馈量ΔV2。简而言之，随着迁移率μ增大，反馈量ΔV增大，并且漏源电流Ids的减小量增大。
因此，如果将具有根据驱动晶体管22的漏源电流Ids的反馈量ΔV的负反馈施加于栅源电压Vgs，则随后在迁移率μ彼此不同的像素中的漏源电流Ids的电流值被均一化。结果，能够校正像素中的迁移率μ的分散。因此，将具有根据流入驱动晶体管22的电流的反馈量ΔV(即，具有漏源电流Ids)的负反馈施加于驱动晶体管22的栅源电压Vgs的处理为迁移率校正处理。
此处，参照图9A至图9C来描述根据是否在图2所示的像素或像素电路20中执行阈值校正或迁移率校正的图像信号的信号电压或采样电位Vsig与驱动晶体管22的漏源电流Ids之间的关系。
图9A示出了既没有执行阈值校正处理也没有执行迁移率校正处理的情况下的关系，以及图9B示出了仅执行了阈值校正处理而没有执行迁移率校正处理的另一种情况下的关系，同时，图9C示出了执行了阈值校正处理和迁移率校正处理两种处理的又一种情况下的关系。如图9A所示，当既不执行阈值校正处理也不执行迁移率校正处理时，由像素A与B之间的阈值电位Vth和迁移率μ的分散引起像素A与B之间的漏源电流Ids具有很大差异。
相反，在仅执行阈值校正处理的情况下，尽管如图9B所示能够一定程度上减小漏源电流Ids的分散，但是由像素A与B之间的迁移率μ的分散引起的像素A与B之间的漏源电流Ids的差异仍然存在。随后，如果执行了阈值校正处理和迁移率校正处理两种处理，则随后如图9C所示，由像素A和B的每一个的迁移率μ的分散所引起的像素A与B之间的漏源电流Ids的差异能够几乎被完全消除。因此，在任意灰度级(gradation)下，都不会出现有机EL元件21之间的亮度分散，并且能够获取良好图片质量的显示图像。
此外，由于图2中所示的像素20除了用于阈值校正和迁移率校正的校正功能之外，还具有通过上文所述的存储电容器24的引导操作功能，所以能够实现下面的操作和效果。
具体地，即使驱动晶体管22的源电位Vs与有机EL元件21的I-V特性的时间劣化一起发生变化，也能够通过存储电容器24的引导操作将驱动晶体管22的栅源电压Vgs保持固定。因此，流入有机EL元件21的电流不会改变，而是被固定。结果，由于有机EL元件21的发光亮度也被保持固定，所以即使有机EL元件21的I-V特性经历了时间劣化，仍能够实现不会由于时间劣化而产生亮度劣化的图像显示。
(写入晶体管的阈值电压的移动所引起的故障)
此处，研究了当有机EL元件21发光时(特别是当有机EL元件21显示白色时)的写入晶体管23的工作点。从上述电路工作可以明显看出，在图像信号的信号电压Vsig的写入结束并且写入晶体管23进入非导通状态之后，驱动晶体管22的栅电压Vg通过引导操作随着源电压Vs的升高而以互锁的关系升高。因此，驱动晶体管22的栅电压Vg变得高于信号电压Vsig。
另一方面，如果采用为了执行阈值校正处理而通过信号线33施加驱动晶体管22的栅电压Vg的初始化的参考电位Vofs的结构，则信号线33的电位在1H期间内表现为在参考电压Vofs与信号电压Vsig之间重复改变。
图10示出了当显示白色时写入晶体管23的电极的电位关系。当显示白色时，用于将写入晶体管23置于非导通状态的截止电压Vssws被施加于写入晶体管23的栅极G，并且参考电压Vofs被施加于写入晶体管23的源极S，同时，对应于白色灰度级的白色电压Vw被施加于写入晶体管23的漏极D。截止电压Vssws、参考电压Vofs及白色电压Vw具有Vssws＜Vofs＜Vw的电压关系。
图11示出了写入晶体管23的截面结构的实例。参照图11，在对应于图3所示的玻璃基板201的基板上由钼(Mo)等来形成栅极231，例如，在栅极231上层叠了非晶硅(a-Si)的半导体层233，其间***了栅绝缘膜232。
与栅极231相对的半导体层(a-Si)233的一部分形成了沟道形成区。在沟道形成区上形成绝缘膜234。都由铝(Al)等所构成的源极235和漏极236被分别电连接至半导体层233的源极区域和漏极区域，其间夹着沟道形成区。
在具有上述结构的写入晶体管23中，当要显示白色时，截止电压Vssws被施加至栅极231，并且白色电压Vw被施加至漏极236，使得在栅极231与漏极236之间形成了高电场。此处，写入晶体管23的漏电压等于驱动晶体管的栅电压。
如果在写入晶体管23的栅极231与漏极236之间持续生成电场，则随后在形成沟道的半导体层233中的电子在位于半导体层233上面的绝缘膜234中被捕获，并倾向于在消除电场的方向上生成逆电场。由于当写入晶体管23导通时所捕获的电子也存在，所以写入晶体管23的阈值电压Vthws由于逆电场而移动或波动至负侧。阈值电压Vthws移动向负侧的现象随着时间的流逝而明显出现。
另外，随着尺寸的增大及显示面板分辨率提高，用于以脉冲形式传送写入扫描信号WS以施加于写入晶体管23的栅极的扫描线31的配线电阻和寄生电容增大。随后，在扫描线31的配线电阻或寄生电容增加的情况下，随着与显示面板70的输入端的距离增大，写入扫描信号WS的波形变钝。
其间，通过写入晶体管23与图像信号的信号电压Vsig的写入处理并行地执行迁移率校正处理。从图4的时间波形图中可以明显看出，迁移率校正期间(即，信号写入期间)依赖于写入扫描信号WS的波形。因此，如果在写入扫描信号WS的波形变钝的状态下写入晶体管23的阈值电压Vthws移动向负侧，则随后当要显示白色或要显示黑色时的迁移率校正时间变得比对应于阈值电压的移动量的时间期间更长。
图12示出了在其上升沿和下降沿变钝的状态下的写入扫描信号WS的转换波形。参照图12，参考符号VsigW表示对应于白色灰度级的白色信号电压；VsigB表示对应于黑色灰度级的黑色信号电压；以及ΔVthws表示写入晶体管23的阈值电压Vthws的移动量。
从图12的波形图可以明显看出，特别当显示白色或黑色时，如果写入晶体管23的阈值电压Vthws向负侧移动了移动量ΔVthws，则随后迁移率校正期间增加了阈值电压Vthws的移动量ΔVthws。阈值电压Vthws的这个变化在写入扫描信号WS的波形的下降沿处尤其明显地出现。原因如下所述。
从图12的波形图可以看出，在写入扫描信号WS的转换波形中，上升/下降沿的转换结束部分与上升/下降沿的转换开始部分相比表现出更高程度的波形的钝化。白色信号电压VsigW的振幅等于或小于写入扫描信号WS的二分之一。因此，从图12的波形图可以明显看出，由写入晶体管23的阈值电压Vthws向负侧的移动引起的迁移率校正期间的变化在写入扫描信号WS的波形的下降沿处尤其明显地出现。
此外，通过电路工作的前述描述可以明显看出，在驱动晶体管22的源电压Vs被升高的同时执行迁移率校正处理。因此，随着迁移率校正期间的增大，驱动晶体管22的源电压Vs的上升增大。因此，驱动晶体管22的栅源电压Vgs下降，并且流入有机EL元件21的电流减小，因而，随着时间的流逝，发光亮度降低，或者出现诸如条纹或亮度不均匀性的图片质量缺陷。
此外，如上文所述，还当高能量的光被输入至写入晶体管23的沟道时，写入晶体管23的阈值电压移动向负侧(参照图26)。在R、G及B像素(子像素)被排列使得B像素位于中央的情况下，B像素仅当其自身发光时被蓝色光影响。
另一方面，由于R和G像素位于B像素附近，所以即使当它们自身不发光时，它们也会被B像素的发射光影响。此时，不仅写入晶体管23而且驱动晶体管22都被蓝色光影响，使其特性移动。在不仅存在自身发光的影响而且存在邻近像素发光的影响的情况下，很难在诸如迁移率校正处理的校正处理中补偿电流的变化。
就防止蓝色光对邻近像素的影响的方法而言，可以考虑应用一种方法，其中，可以在与如图13所示的有机EL元件21的阳极相同的层中通过金属配线层301来覆盖写入晶体管23从而遮挡蓝色光。但是，通过上述方法，尽管能够期待在一定程度上的遮光效果，但是由于为了维持平整需要形成具有增大厚度的相应于图3所示的绝缘平坦化膜203的平坦化膜302，所以即使在写入晶体管23上排列了金属配线层301，也不能期待完全的遮光。
[本实施例的特性]
因此，本实施例在有机EL显示装置中采用下面的像素遮光配置，其中，彼此邻近排列多个子像素，以形成一个像素(其形成彩色图像格式的一个单元)。具体地，本实施例采用一种遮光配置结构，其中，至少对于多个子像素中位于发射最短波长的光的第一子像素附近的第二子像素，提供比形成第二子像素的晶体管的沟道长度或沟道宽度具有更大宽度的遮光部，以定位于第一与第二子像素之间。
尽管此处给出了例如通过R、G及B像素或子像素的组合形成了形成一个像素(形成彩色图像格式的一个单元)的多个子像素情况的描述，但是它们不限于指定的组合。在R、G及B像素的组合的情况下，从B像素所发射的光具有最短波长。因此，B像素作为第一子像素使用，并且R和G像素的每一个作为第二子像素使用。
例如，形成第二子像素的晶体管可以是写入晶体管。但是，如上所述，不仅B像素的蓝色光的影响引起了写入晶体管23的特性移动，而且蓝色光的影响引起了驱动晶体管22的特性移动。因此，作为第二子像素使用的晶体管不限于写入晶体管23。
在如上所述关于第一子像素为第二子像素提供遮光部使其宽度大于形成第二子像素的晶体管的沟道长度或沟道宽度的情况下，能够确定地遮挡从第一子像素所发射的光。因此，能够抑制通过将具有高能量的光输入至形成第二子像素的晶体管的沟道所引起的特性移动(特别是阈值电压Vth向负侧的移动)。
由于写入晶体管23的阈值电压的移动被抑制，所以依赖于写入扫描信号WS的波形的迁移率校正期间或信号写入期间的波动能够被减小。在迁移率校正期间的波动被减小的情况下，波动引起的驱动晶体管22的源电压Vs的升高能够被抑制。因此，流入有机EL元件21的电流的减小被抑制，因此，能够抑制发光亮度关于时间的降低和诸如条纹或亮度不均匀的图片质量的缺陷的发生。
通过根据本实施例用于像素的遮光配置结构能够获取如上所述的这种效果。在下面，描述遮光配置结构的具体工作实例。
(1-1.工作实例1)
图14是示出了根据工作实例1的遮光配置结构的平面图。此处，例如，遮光配置结构表现为色彩阵列，其中，R、G及B像素或子像素20R、20G及20B被排列，使得B像素20B位于中央，并且R和G像素20R和20G位于B像素20B的相对侧。图15示出了沿着图14的线A-A’所获取的遮光配置结构的截面结构。
由于如图14所示B像素20B位于中央，所以位于B像素20B相对侧的R和G像素20R和20G中的晶体管被从B像素20B所发射的蓝色光的辐射影响。为了防止从B像素20B的蓝色光的入射，与参照图13在上文所述的遮光配置结构的情况类似，在写入晶体管23上(在图3的有机EL元件21侧)与G像素20G的阳极相同的层中提供金属配线层301G，在其间***平坦化膜302。通过诸如铝及与阳极的配线相同的具有高反射率的金属材料来形成金属配线层301G。
如图14和图15中所示，G像素20G进一步包括在金属配线层301G的区域中在G像素20G与B像素20B之间与G像素20G的纵向方向平行提供的遮光部303G。从图14可以尤其明显看出，遮光部303G具有比写入晶体管23的沟道宽度更大的宽度，并且被嵌入在金属配线层301G中所形成的孔中。作为遮光部303G的材料，例如，使用与金属配线层301G相同的材料，即，诸如铝的具有高反射率的金属材料。
虽然此处描述了G像素20G的遮光配置结构，但是R像素20R也具有与G像素20G基本相同的遮光配置结构。G像素20G的遮光配置结构与R像素20R的遮光配置结构关于B像素20B的中心线彼此对称。
在以这种方式在B像素20B与位于邻近于B像素20B并在其相对侧的R和G像素20R和20G之间分别配置遮光部303G和303R的情况下，能够确定地遮挡从B像素20B所发射的蓝色光，使其不会被输入至像素20R和20G。因此，蓝色光的辐射对写入晶体管23的沟道的影响所引起的特性移动能够被抑制的很低，因此，能够抑制流入有机EL元件21的电流的减小和诸如条纹或亮度不均匀性的图片质量的缺陷。
《对工作实例1的改进1》
图16是示出了根据对工作实例1的改进1的遮光配置结构的平面图。在根据改进1的遮光配置结构中，在位于与B像素20B邻近并在其相对侧的R和G像素20R和20G之间提供具有比写入晶体管23的沟道宽度更大宽度的遮光部303B-1和303B-2。
通过根据改进1的遮光配置结构，能够防止从B像素20B所发射的蓝色光被邻近像素的遮光部303G和303R反射并进入B像素20B。因此，不仅关于R和G像素20R和20G，而且也关于B像素20B，蓝色光的辐射的影响所引起的特性移动能够被抑制为很小的量。
《对工作实例1的改进2》
图17是示出了根据对工作实例1的改进2的遮光配置结构的平面图。参照图17，在根据本改进2的遮光配置结构中，在写入晶体管23的左、右、上和下方向的四个方向上通过遮光部303-1至303-4来为像素20G、20B及20R的每一个遮光。
具体地，通过遮光部303G-1和303G-2为G像素20G中的写入晶体管23遮挡其左右的光线。遮光部303G-1和303G-2具有比写入晶体管23的沟道宽度更大的宽度。此外，通过遮光部303G-3和303G-4为写入晶体管23遮挡其上下的光线。遮光部303G-3和303G-4具有比写入晶体管23的沟道长度更大的宽度。
而对于B和R像素20B和20R，还提供与对于G像素20G基本类似的遮光配置结构。
通过根据本改进2的遮光配置结构，能够基本完全为像素20G、20B及20R中的写入晶体管23光学遮挡从B像素20B所发射的蓝色光。因此，关于像素20G、20B及20R的每一个，能够以更高的确定等级抑制由于蓝色光的辐射所引起的特性移动。
《对工作实例1的改进3》
图18是示出了根据对工作实例1的改进3的遮光配置结构的截面图。参照图18，在根据第三改进的遮光配置结构中，遮光部303B的下端部被嵌入至对应于图3所示的绝缘膜202的栅绝缘膜232中。
图18中示出了对于B像素20B的遮光部303B，改进1中的遮光部303B-1和303B-2以及改进2中的绝缘膜303G-1至303G-4的下端部也能被嵌入至栅绝缘膜304中。前面的描述类似地应用于B和R像素20B和20R。
通过根据本改进3的遮光配置结构，由于遮光部303B的下端部被嵌入栅绝缘膜304中，所以也能够确定地遮挡从栅绝缘膜304与遮光部303B的下端部之间泄漏出的光。因此，在像素20G、20B及20R的每一个中，能够确定地抑制由于蓝色光的辐射的影响所引起的特性移动。
《对工作实例1的改进4》
图19是示出了根据对工作实例1的改进4的遮光配置结构的截面图。参照图19，在根据对工作实例1的改进4的遮光配置结构中，遮光部303B的下端部被电连接至驱动晶体管22的源极的配线305。
通过根据本改进4的遮光配置结构，由于遮光部303B在驱动晶体管22的源极与有机EL元件21的阳极之间建立了电连接，所以遮光部303B也能够被用作电连接的接触部。因此，能够实现对蓝色光的遮光配置结构，而不会通过提供遮光部303B引起像素结构的复杂化。
(1-2.工作实例2)
图20是示出了根据工作实例2的遮光配置结构的截面图。
在根据工作实例1的遮光配置结构中，在金属配线层301G下面提供遮光部303G。相反，在根据本工作实例2的遮光配置结构中，在多个像素之间在与金属配线层301G相同的层中所提供的辅助线306下面提供遮光部303G。此处，为了将阴极电位Vcath提供至有机EL元件21的阴极，通常排列辅助线306，使其围绕每个像素。
对于遮光部303G，例如，使用与辅助线306相同的材料，即，诸如铝的具有高反射率的金属材料。图20中示出了用于B像素的遮光部303B，在对于工作实例1的改进1或改进2的绝缘膜303G-1至303G-4的下端部可以被嵌入栅绝缘膜304。这也类似地应用于B和R像素20B和20R。
通过这种方式，在辅助线306下面提供了遮光部303B的情况下，类似于工作实例1，能够阻挡从B像素20B所发射的蓝色光被输入至R和G像素20R和20G。另外，辅助线306下面的位置位于像素的外侧，并且存在这样的优点，即，在空间上，制备遮光部303G比在金属配线层301G下面提供辅助线306的情况更容易，并且能够形成很大孔径。
<2.改进>
在上述实施例中，用于有机EL元件21的驱动电路基本上具有2-Tr结构，包括了两个晶体管(Tr)，包括驱动晶体管22和写入晶体管23，本发明不限于2-Tr结构。具体地，驱动电路能够具有各种像素结构，例如，除了两个晶体管之外还包括用于控制有机EL元件21发光/不发光的晶体管的像素结构，以及附加包括用于将参考电压Vofs选择性写入驱动晶体管22的栅极的开关晶体管的另一种像素结构。
此外，虽然在上述实施例中本发明被应用于使用有机EL元件作为像素的电光学元件的有机EL显示装置，但是本发明不限于这个应用。具体地，本发明能够被应用于使用其发光亮度响应于流入诸如无机EL元件、LED元件或半导体激光元件的元件的电流值而变化的电流驱动型的电光学元件(即，发光元件)的各种显示装置。
<3.应用>
根据上述本发明的实施例的显示装置能够被应用于被输入至电子装置的图像信号或在电子装置中所生成的图像信号被显示为图像的各种领域的电子装置的显示装置。
通过根据本发明实施例的显示装置，能够抑制由于具有高能量的光的辐射对像素晶体管的沟道的影响所引起的特性移动，从而抑制流入有机EL元件的电流的减小及诸如条纹和亮度不均匀性的图片质量的缺陷的出现。因此，通过使用根据本发明实施例的显示装置作为各种领域的电子装置的显示装置，能够预期到电子装置的显示装置的显示质量的提升。
根据本发明实施例的显示装置可以为具有封闭结构的模块型。例如，模块型的显示装置对应于一种显示模块，其中，透明玻璃等相对元件被粘结至显示阵列部。在透明相对部上，可以配置滤色片、保护膜等以及上文所述的遮光膜。需要注意，显示模块可以包括用于将信号等从外部输入至像素阵列部和与此相反输出信号的电路部、柔性印刷电路板(FPC)等。
下面，描述应用了本发明实施例的电子装置的具体实例。具体地，本发明能够被应用于如图21到图25A至图25G所示的这些各种电子装置，例如，数码像机、笔记本型个人计算机、诸如便携式手机的便携式终端装置及摄像机。
图21示出了应用了本发明的实施例的电视机的外观。参照图21，所示的电视机包括前面板102和由滤色玻璃板103等所构成的图像显示画面部101，并且使用根据本发明的实施例的显示装置作为图像显示画面部101被制造。
图22A和图22B示出了应用了本发明实施例的数码像机的外观。参照图22A和图22B，所示的数码像机包括闪光发射部111、显示部112、菜单开关113、快门按钮114等。使用根据本发明实施例的显示装置作为显示部112来制造数码像机。
图23示出了应用了本发明实施例的笔记本型个人计算机的外观。参照图23，所示的笔记本型个人计算机包括主体121及用于为了输入字符等***作的键盘122、在主体121上所提供的用于显示图像等的显示部123。使用根据本发明实施例的显示装置作为显示部123来制造笔记本型个人计算机。
图24示出了应用了本发明的实施例的摄像机的外观。参照图24，所示的摄像机包括主体部131、以及用于拾取图像拾取目标的图像的透镜132、用于图像拾取的启动/停止开关133、在朝向前方的主体部131的一个面上所提供的显示部134等。使用根据本发明的实施例的显示装置作为显示部134来制造摄像机。
图25A至图25G示出了应用了本发明的实施例的便携式终端装置(例如，便携式手机)的外观。参照图25A至图25G，便携式电视机包括上侧机壳141、下侧机壳142、具有铰链(hinge)部形式的连接部143、显示部144、副显示部145、背景灯146、像机147等。使用本发明的实施例的显示装置作为显示部144或副显示部145来制造便携式手机。
需要注意，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的权利要求范围之内。

Claims (10)

1.一种显示装置，包括：
多个子像素，彼此邻近配置，并形成用于形成彩色图像的单位的一个像素；
所述多个子像素包括
第一子像素，用于发射最短波长的光；以及
第二子像素，与所述第一子像素邻近配置；
所述第二子像素具有
遮光部，配置在所述第二子像素与所述第一子像素之间，并且所述遮光部的宽度大于形成所述第二子像素的晶体管的沟道长度或沟道宽度；
其中，所述多个子像素的每一个均包括：写入晶体管，用于写入图像信号；以及驱动晶体管，用于响应于所述写入晶体管所写入的所述图像信号来驱动电光学元件；
其中，所述多个子像素的每一个均具有通过将对应于流入所述驱动晶体管的电流的校正量负反馈至所述驱动晶体管的栅极和源极之间的电位差来校正所述驱动晶体管的迁移率的迁移率校正处理的功能。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，与所述第二子像素的纵向方向平行地配置所述遮光部。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，以这样的方式配置所述遮光部，使得光学地遮盖所述第二子像素的晶体管，阻挡所述第一子像素发射的光。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，形成所述遮光部的材料与用于在所述第二子像素中形成电光学元件的阳极的金属线的材料相同。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述遮光部被配置在辅助线下，所述辅助线在所述第一子像素与所述第二子像素之间配线。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，形成所述遮光部的材料与所述辅助线的材料相同。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一子像素具有遮光部，所述遮光部配置在所述第一子像素与所述第二子像素之间，并且所述遮光部的宽度大于形成所述第一子像素的晶体管的沟道长度或沟道宽度。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，与通过所述写入晶体管的所述图像信号的写入处理并行地执行所述迁移率校正处理。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，在所述驱动晶体管的源电压被升高的同时，执行所述迁移率校正处理。
10.一种电子装置，包括：
显示装置，包括
多个子像素，彼此邻近配置，并形成用于形成彩色图像的单位的一个像素，
所述多个子像素包括
第一子像素，用于发射最短波长的光；以及
第二子像素，与所述第一子像素邻近配置；
所述第二子像素具有
遮光部，配置在所述第二子像素与所述第一子像素之间，并且所述遮光部的宽度大于形成所述第二子像素的晶体管的沟道长度或沟道宽度；
其中，所述多个子像素的每一个均包括：写入晶体管，用于写入图像信号；以及驱动晶体管，用于响应于所述写入晶体管所写入的所述图像信号来驱动电光学元件；
其中，所述多个子像素的每一个均具有通过将对应于流入所述驱动晶体管的电流的校正量负反馈至所述驱动晶体管的栅极和源极之间的电位差来校正所述驱动晶体管的迁移率的迁移率校正处理的功能。
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