WO2023233639A1

WO2023233639A1 - 制御装置、表示装置及び制御方法

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Publication number: WO2023233639A1
Application number: PCT/JP2022/022566
Authority: WO
Inventors: 雅史上野; 政明守屋; 直樹塩原; 雅史川井; モハマドレザカゼミ; 浩之古川
Original assignee: シャープ株式会社
Priority date: 2022-06-03
Filing date: 2022-06-03
Publication date: 2023-12-07

Abstract

制御装置（１０１）は、表示パネル（１０２）に含まれ且つ第１色光を発光する第１自発光画素（１０３ａ）に含まれる第１素子の状態に関する第１状態データ（１２１ａ）と、表示パネルに含まれ且つ第１色光の波長よりも長い第２色光を発光する第２自発光画素（１０３ｂ）に含まれる第２素子の状態に関する第２状態データ（１２１ｂ）とを取得する状態取得部（１１１）と、第１状態データに基づいて、第１自発光画素の経時変化を補償する第１補償を行い、第１状態データと第２状態データとに基づいて、第２自発光画素の経時変化を補償する第２補償を行う補償処理部（１２６）と、を備える。

Description

制御装置、表示装置及び制御方法

　本開示は、制御装置、表示装置及び制御方法に関する。

　特許文献１は、各発光素子に対応した受光素子が、光漏れ量に基づいて発光素子の劣化を常時モニタし、隣接する発光素子の劣化レベルに応じて入力画像信号に対する利得を発光素子単位でフィードバック制御する技術を開示する。

特開２００７－０７２３０５号公報

　特許文献１に開示された技術では、各発光画素に対応した受光素子を備えることは、コストが増大し、歩留まりが抑制されるおそれがある。さらに、特許文献１に開示された技術では、発光素子の発光効率を補償するために、受光素子を備える必要があり、特許文献１に開示された技術を適用可能である表示パネルが限定されるおそれがある。そこで、本開示の一態様は、自発光画素の電気的特性の経時変化を適切に補償できる制御装置、表示装置及び制御方法を提供することを目的とする。

　本開示の一形態に係る制御装置は、表示パネルに含まれ且つ第１色光を発光する第１自発光画素に含まれる第１素子の状態に関する第１状態データと、前記表示パネルに含まれ且つ前記第１色光の波長よりも長い第２色光を発光する第２自発光画素に含まれる第２素子の状態に関する第２状態データとを取得する状態取得部と、前記第１状態データに基づいて、前記第１自発光画素の経時変化を補償する第１補償を行い、前記第１状態データと前記第２状態データとに基づいて、前記第２自発光画素の経時変化を補償する第２補償を行う補償処理部と、を備える。

　本開示の他の形態に係る制御装置は、第１色光を発光する複数の第１自発光画素と、前記第１色光の波長よりも長い第２色光を発光する複数の第２自発光画素とを含む表示パネルに含まれる第１領域において第１表示が行われ、且つ前記表示パネルに含まれる第２領域において第２表示が行われた後、前記第２領域に含まれる第２自発光画素に印加する電圧を、前記第１領域に含まれる第２自発光画素に印加する電圧よりも高くし、前記第１表示において、前記第１領域に含まれる第１自発光画素が第１階調値で前記第１色光を発光し、且つ前記第１領域に含まれる第２自発光画素が第１階調値より高い第２階調値で発光し、前記第２表示において、前記第２領域に含まれる第１自発光画素及び第２自発光画素が前記第２階調値で発光する補償処理部を備える。

　本開示の一形態に係る表示装置は、制御装置と表示パネルとを備える。前記表示パネルは、複数の自発光画素を含む。前記制御装置は、前記表示パネルに含まれ且つ第１色光を発光する第１自発光画素に含まれる第１素子の状態に関する第１状態データと、前記表示パネルに含まれ且つ前記第１色光の波長よりも長い第２色光を発光する第２自発光画素に含まれる第２素子の状態に関する第２状態データとを取得する状態取得部と、前記第１状態データに基づいて、前記第１自発光画素の経時変化を補償する第１補償を行い、前記第１状態データと前記第２状態データとに基づいて、前記第２自発光画素の経時変化を補償する第２補償を行う補償処理部と、前記複数の自発光画素の各自発光画素を前記第１自発光画素又は前記第２自発光画素として、前記第１補償又は前記第２補償によって補正された階調値から決定される駆動電圧を、前記各自発光画素に供給して前記各自発光画素を駆動する表示制御部とを備える。

　本開示の一形態に係る制御方法は、表示パネルに含まれ且つ第１色光を発光する第１自発光画素に含まれる第１素子の状態に関する第１状態データと、前記表示パネルに含まれ且つ前記第１色光の波長よりも長い第２色光を発光する第２自発光画素に含まれる第２素子の状態に関する第２状態データとを取得する工程と、前記第１状態データに基づいて、前記第１自発光画素の経時変化を補償する第１補償を行い、前記第１状態データと前記第２状態データとに基づいて、前記第２自発光画素の経時変化を補償する第２補償を行う工程と、を含む。

表示装置の構成の一例を示すブロック図である。自発光画素の一例を示す図である。自発光素子について、経時変化前の電流電圧特性の一例と、経時変化後の電流電圧特性とを示す図である。自発光素子について、経時変化前の電流輝度特性の一例と、経時変化後の電流輝度特性の一例とを示す図である。電圧シフト量と、発光効率補償比率との関係の一例を示す図である。第１自発光素子の電圧シフト量に応じた、第２自発光素子の状態に関する電圧シフト量と、発光効率補償比率との電流輝度特性の一例を示す。第２自発光画素の電流電圧特性の変化指標と、発光効率補償比率との関係の一例を示す図である。第一実施形態に係る制御装置の動作の一例を示すフローチャートである。第一実施形態に係る制御装置における第１補償の一例を示すフローチャートである。第一実施形態に係る制御装置における第２補償の一例を示すフローチャートである。図９に続く第一実施形態に係る制御装置における第２補償の一例を示すフローチャートである。画素を構成するサブ画素の配置の一例を示す図である。画素の一例を示す図である。互いに異なる色の光が視認される画素について、電圧シフト量と、発光効率補償比率との関係の一例を示す。第１自発光画素が青色のサブ画素であり、且つ第２自発光画素が赤色のサブ画素及び緑色のサブ画素である場合における第一実施形態に係る表示装置の構成の一例を示すブロック図である。第二実施形態に係る表示装置の構成の一例を示すブロック図である。自発光素子について、経時変化前の電流電圧特性の一例と、経時変化後の電流電圧特性の一例とを示す図である。駆動トランジスタについて、経時変化前の電流電圧特性の一例と、経時変化後の電流電圧特性の一例とを示す図である。駆動トランジスタに関する電圧シフト量に応じた、自発光素子に関する電圧シフト量と、発光効率補償比率との関係の一例を示す。第二実施形態に係る制御装置における第２補償の一例を示すフローチャートである。第１自発光画素が青色のサブ画素であり、且つ第２自発光画素が赤色のサブ画素及び緑色のサブ画素である場合における第二実施形態に係る表示装置の構成の一例を示すブロック図である。第三実施形態に係る表示装置の構成の一例を示すブロック図である。第１自発光素子に関する電圧シフト量に応じた、第２自発光素子に関する電圧シフト量と、Ｌ１ＩＬ補償パラメータとの関係の一例を示す。第三実施形態に係る制御装置の動作の一例を示すフローチャートである。第三実施形態に係る制御装置における第１補償の一例を示すフローチャートである。第三実施形態に係る制御装置における第２補償の一例を示すフローチャートである。第１自発光画素が青色のサブ画素であり、且つ第２自発光画素が赤色のサブ画素及び緑色のサブ画素である場合において、補償パラメータ算出部の動作について説明するためのブロック図である。第１自発光画素が青色のサブ画素であり、且つ第２自発光画素が赤色のサブ画素及び緑色のサブ画素である場合において、補償処理部の動作について説明するための図である。第四実施形態に係る表示装置の構成の一例を示すブロック図である。経時変化前の入力階調値と出力階調値との関係の一例と、経時変化後の入力階調値と出力階調値との関係の一例とを示す図である。自発光画素の使用量と、自発光画素自身に関する補償係数との関係の一例を示す図である。第２自発光画素から所定位置にある第１自発光画素の使用量と、第２自発光画素についての補償係数との関係の一例を示す図である。第四実施形態に係る制御装置の動作の一例を示すフローチャートである。第１自発光画素が青色のサブ画素であり、且つ第２自発光画素が赤色のサブ画素及び緑色のサブ画素である場合における第四実施形態に係る表示装置の構成の一例を示すブロック図である。本開示における「所定位置」を説明する図である。

　（第一実施形態）
　図１～図１４および図３３を参照して、第一実施形態について説明する。なお、図面については、同一又は同様の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。

　図１は、表示装置１００の構成の一例を示すブロック図である。表示装置１００は、例えば、有機ＥＬ（Electro-Luminescence）表示装置である。表示装置１００は、表示パネル１０２、制御装置１０１等を備える。表示装置１００は、入力画像を表示パネル１０２の特性に応じて補正し、補正された画像を表示する。本開示では、画像とは、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の画素データから構成される二次元のデータを指す。また、本開示では、画像は、一つの二次元データだけでなく、時間方向に連続する複数の二次元データ（一般に映像と呼ばれることもある）も含む。

　表示パネル１０２は、複数の自発光画素１０３を備える。具体的には、表示パネル１０２は、複数の第１自発光画素１０３ａと、複数の第２自発光画素１０３ｂとを含む。第１自発光画素１０３ａは、表示パネル１０２に含まれ且つ第１色光を発光する。第２自発光画素１０３ｂは、表示パネル１０２に含まれ且つ第１色光の波長よりも長い第２色光を発光する。例えば、第１色光は、青色光であり、第２色光は、赤色光又は緑色光である。または、第１色光は、緑色光であり、第２色光は、赤色光であってもよい。なお、以下の説明では、第１自発光画素１０３ａと、第２自発光画素１０３ｂとを区別しない場合、自発光画素１０３と称呼する。

　自発光画素１０３は、自発光素子Ｌ１、書込制御トランジスタＴ１、駆動トランジスタＴ２、測定用トランジスタＴ３等を備える。

　例えば、自発光素子Ｌ１は、有機ＥＬ素子である。つまり、第１自発光画素１０３ａ及び第２自発光画素１０３ｂは、有機ＥＬ素子を含む。または、例えば、自発光素子Ｌ１は、量子ドットにより構成されるＥＬ素子であってもよい。つまり、第１自発光画素１０３ａ及び第２自発光画素１０３ｂは、量子ドットにより構成されるＥＬ素子を含んでもよい。

　書込制御トランジスタＴ１、駆動トランジスタＴ２及び測定用トランジスタＴ３は、例えば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ、Thin Film Transistor）である。なお、トランジスタは、アモルファスシリコンで形成されたチャネル層を有するタイプでもよいし、低温ポリシリコンで形成されたチャネル層を有するタイプでもよいし、酸化物半導体で形成されたチャネル層を有するタイプでもよい。例えば、酸化物半導体は、インジウム－ガリウム－亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ：Indium Gallium Zinc Oxide）でもよい。また、トランジスタは、トップゲート型でもよいし、ボトムゲート型でもよい。また、トランジスタとして、Ｎチャネル型が用いられてもよいし、Ｐチャネル型が用いられてもよい。

　制御装置１０１は、複数の第１自発光画素１０３ａ及び複数の第２自発光画素１０３ｂの各々を制御する。制御装置１０１は、状態取得部１１１、補償パラメータ算出部１１２、メモリ１１３、補償処理部１１４、表示制御部１１５等を備える。例えば、状態取得部１１１、補償パラメータ算出部１１２、補償処理部１１４、表示処理部１１５は、ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）、ＦＰＧＡ（Field-Programmable Gate Array）等に形成された論理回路によって実現されてもよいし、ＣＰＵ等のプロセッサを用いてソフトウェアによって実現されてもよい。後者の場合、ＣＰＵ等のプロセッサが、メモリ１１３に保存されるプログラムを読み出し、実行することで、状態取得部１１１、補償パラメータ算出部１１２、補償処理部１１４、表示処理部１１５が実現される。

　状態取得部１１１は、第１自発光画素１０３ａに含まれる第１素子の状態に関する第１状態データ１２１ａと、第２自発光画素に含まれる第２素子の状態に関する第２状態データ１２１ｂとを取得する。具体的には、状態取得部１１１は、第１素子の電気的特性を測定することで第１状態データ１２１ａを取得し、且つ第２素子の電気的特性を測定することで第２状態データ１２１ｂを取得する。第１素子は、第１色光を発光する第１自発光素子Ｌ１ａを含む。第１状態データ１２１ａは、第１自発光素子Ｌ１ａの状態を示す。第２素子は、第２色光を発光する第２自発光素子Ｌ１ｂを含む。第２状態データ１２１ｂは、第２自発光素子Ｌ１ｂの状態を示す。なお、以下の説明では、第１自発光素子Ｌ１ａと、第２自発光素子Ｌ１ｂとを区別しない場合、自発光素子Ｌ１と称呼する。

　状態取得部１１１は、モニタ制御部１１６と、モニタ実行制御部１１７とを備える。

　モニタ制御部１１６は、モニタ入力値１２３に基づき、自発光画素１０３に備えられる素子の電気的特性を示すモニタ値１２２を測定する。

　例えば、モニタ入力値１２３が、自発光画素１０３に備えられる素子に印加する電圧値を示す場合、モニタ制御部１１６は、自発光画素１０３に備えられる素子に、モニタ入力値１２３によって示される電圧値の電圧を印加して、当該素子に流れる電流の電流値を、モニタ値１２２として測定する。

　または、モニタ入力値１２３が自発光画素１０３に備えられる素子に流す電流値を示す場合、自発光画素１０３に備えられる素子に、モニタ入力値１２３によって示される電流値の電流を流して、当該素子に発生する電圧の電流値を、モニタ値１２２として測定する。

　モニタ実行制御部１１７は、モニタ制御部１１６によって測定されたモニタ値１２２を取得する。具体的には、モニタ実行制御部１１７は、モニタ入力値１２３を所定範囲で変化させて、各モニタ入力値１２３をモニタ制御部１１６に入力して測定されたモニタ値１２２を取得する。モニタ実行制御部１１７は、第１自発光画素１０３ａに関して、目標条件を満たすモニタ値１２２を第１状態データ１２１ａとして取得する。同様に、モニタ実行制御部１１７は、第２自発光画素１０３ｂに関して、目標条件を満たすモニタ値１２２を第２状態データ１２１ｂとして取得する。

　補償パラメータ算出部１１２は、第１状態データ１２１ａに基づいて第１補償パラメータ１２４ａを算出し、且つ第２状態データ１２１ｂに基づいて第２補償パラメータ１２４ｂを算出する。

　第１補償パラメータ１２４ａは、第１自発光素子Ｌ１ａの電流電圧特性を補正するためのＬ１ＩＶ補償パラメータ１２５ａを含む。Ｌ１ＩＶ補償パラメータ１２５ａによって、第１自発光素子Ｌ１ａについての変換モデルが決定される。例えば、第１自発光素子Ｌ１ａについての変換モデルは、第１自発光素子Ｌ１ａについて電流電圧特性の経時変化を補償するための変換式を示す。

　第２補償パラメータ１２４ｂは、第２自発光素子Ｌ１ｂの電流電圧特性を補正するためのＬ１ＩＶ補償パラメータ１２５ｂを含む。Ｌ１ＩＶ補償パラメータ１２５ｂによって、第２自発光素子Ｌ１ｂについての変換モデルが決定される。例えば、第２自発光素子Ｌ１ｂについての変換モデルは、第２自発光素子Ｌ１ｂについて電流電圧特性の経時変化を補償するための変換式を示す。なお、Ｌ１ＩＶ補償パラメータ１２５ａと、Ｌ１ＩＶ補償パラメータ１２５ｂとを区別しない場合、Ｌ１ＩＶ補償パラメータ１２５と称呼する。

　具体的には、補償パラメータ算出部１１２は、第１状態データ１２１ａによって示される第１自発光素子Ｌ１ａの状態に基づいてＬ１ＩＶ補償パラメータ１２５ａを決定し、且つ第２状態データ１２１ｂによって示される第２自発光素子Ｌ１ｂの状態に基づいてＬ１ＩＶ補償パラメータ１２５ｂを決定する。

　さらに、補償パラメータ算出部１１２は、第１駆動トランジスタＴ２ａの電流電圧特性を補正するためのＴ２ＩＶ補償パラメータ１２６ａを算出する。第１駆動トランジスタＴ２ａは、第１自発光画素１０３ａに備えられる駆動トランジスタＴ２である。Ｔ２ＩＶ補償パラメータ１２６ａによって第１駆動トランジスタＴ２ａについての変換モデルが決定される。例えば、第１駆動トランジスタＴ２ａについての変換モデルは、第１駆動トランジスタＴ２ａについて電流電圧特性の経時変化を補償するための変換式を示す。

　さらに、補償パラメータ算出部１１２は、第２駆動トランジスタＴ２ｂの電流電圧特性を補正するためのＴ２ＩＶ補償パラメータ１２６ｂを算出する。第２駆動トランジスタＴ２ｂは、第２自発光画素１０３ｂに備えられる駆動トランジスタＴ２である。Ｔ２ＩＶ補償パラメータ１２６ｂによって第２駆動トランジスタＴ２ｂについての変換モデルが決定される。例えば、第２駆動トランジスタＴ２ｂについての変換モデルは、第２駆動トランジスタＴ２ｂについて電流電圧特性の経時変化を補償するための変換式を示す。なお、Ｔ２ＩＶ補償パラメータ１２６ａと、Ｔ２ＩＶ補償パラメータ１２６ｂとを区別しない場合、Ｔ２ＩＶ補償パラメータ１２６と称呼する。

　メモリ１１３は、制御装置１０１の全体を制御するために必要な情報を記憶する記憶モジュールであり、データを不揮発的に記憶する記憶媒体である。例えば、メモリ１１３は、フラッシュＲＯＭ（Read Only Memory）である。メモリ１１３には、Ｌ１ＩＶ補償パラメータ１２５ａ、Ｌ１ＩＶ補償パラメータ１２５ｂ、Ｔ２ＩＶ補償パラメータ１２６ａ、及びＴ２ＩＶ補償パラメータ１２６ｂが保存される。さらに、メモリ１１３には、制御装置１０１の各部を機能させるプログラムが保存されてもよい。

　補償処理部１１４は、第１状態データ１２１ａに基づいて、第１自発光画素１０３ａの経時変化を補償する第１補償を行う。具体的には、第１補償は、第１自発光素子Ｌ１ａの電流輝度特性の経時変化を補償する。より具体的には、第１補償は、第１自発光素子Ｌ１ａの状態に基づいて、第１自発光素子Ｌ１ａの電流輝度特性の経時変化を補償する。

　さらに、補償処理部１１４は、第１状態データ１２１ａと第２状態データ１２１ｂとに基づいて、第２自発光画素１０３ｂの経時変化を補償する第２補償を行う。具体的には、第２補償は、第２自発光素子Ｌ１ｂの電流輝度特性の経時変化を補償する。より具体的には、第２補償は、第１自発光素子Ｌ１ａの状態と第２自発光素子Ｌ１ｂの状態とに基づいて、第２自発光素子Ｌ１ｂの電流輝度特性の経時変化を補償する。第２補償において、第１状態データ１２１ａは、第２自発光画素１０３ｂから所定位置である第１自発光画素１０３ａに含まれる第１素子の状態を示す。

　表示制御部１１５は、複数の自発光画素１０３の各自発光画素１０３を第１自発光画素１０３ａ又は第２自発光画素１０３ｂとして、第１補償又は第２補償によって補正された階調値から決定される駆動電圧を、各自発光画素１０３に供給して各自発光画素１０３を駆動する。

　次に、図２を参照して、自発光画素１０３の一例を説明する。図２は、自発光画素１０３の一例を示す図である。

　自発光画素１０３には、第１電源線２０１及び第２電源線２０２が接続される。第１電源線２０１及び第２電源線２０２は、電源回路（不図示）に接続される。第１電源線２０１には、ハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤが印加される。第２電源線２０２には、ローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳが印加される。また、電源回路は、走査線Ｇ、測定制御線Ｍ、及びデータ線Ｄと接続される。通常の画像表示時、データ線Ｄは、駆動トランジスタＴ２のゲートに電圧を印加するためのラインである。

　書込制御トランジスタＴ１のゲートは走査線Ｇに接続される。書込制御トランジスタＴ１のドレインは、データ線Ｄに接続される。書込制御トランジスタＴ１のソースは、コンデンサＣ１の一方側端子及び駆動トランジスタＴ２のゲートに接続される。書込制御トランジスタＴ１は、オン状態のとき、データ線Ｄと駆動トランジスタＴ２のゲートとを接続する。走査線Ｇは、書込制御トランジスタＴ１のゲートと接続され、書込制御トランジスタＴ１のオンとオフを制御する。

　駆動トランジスタＴ２は、自発光素子Ｌ１に流れる電流を制御する。駆動トランジスタＴ２のドレインは、第１電源線２０１に接続される。駆動トランジスタＴ２のソースは、コンデンサＣ１の他方側端子及び測定用トランジスタＴ３に接続される。

　測定用トランジスタＴ３は、測定制御線Ｍのレベルに基づき、オン状態とオフ状態とが切り替わる。測定用トランジスタＴ３がオン状態である場合、モニタ値１２２を測定する対象の素子である駆動トランジスタＴ２又は自発光素子Ｌ１に電流が流れる。測定用トランジスタＴ３のゲートは測定制御線Ｍと接続する。また、測定用トランジスタＴ３のゲート以外の端子のうちの一方は、データ線Ｄと接続される。また、測定用トランジスタＴ３のゲート以外の端子のうちの他方は、コンデンサＣ１、駆動トランジスタＴ２及び自発光素子Ｌ１のアノードと接続される。

　次に、図２を参照しながら、画像表示時の動作について説明する。

　表示制御部１１５は、画像表示時には、走査線Ｇをオンレベルにする。さらに、表示制御部１１５は、画像表示時には、測定制御線Ｍをオフレベルに維持する。これにより、測定用トランジスタＴ３は、オフ状態に維持される。

　走査線Ｇがオンレベルのとき、当該走査線Ｇに接続する自発光画素１０３に備えられる書込制御トランジスタＴ１は、オン状態になる。これにより、駆動トランジスタＴ２のゲート電位は、データ線Ｄに印加された駆動電圧値１２８に近づく。その結果、駆動トランジスタＴ２はオン状態になる。これにより、駆動トランジスタＴ２を経由して、自発光素子Ｌ１に向けて電流が流れ、自発光素子Ｌ１は、駆動電圧値１２８に応じた輝度の光を出力する。

　走査線Ｇの選択期間が終了すると、表示制御部１１５は、走査線Ｇをオフレベルに変化させる。これにより、自発光画素１０３において、書込制御トランジスタＴ１がオフ状態になる。自発光画素１０３において、書込制御トランジスタＴ１がオフ状態になっても、コンデンサＣ１は、駆動トランジスタＴ２のゲート－ソース間電圧を保持する。このため、再び走査線Ｇがオンレベルになるまで、駆動トランジスタＴ２は、コンデンサＣ１が保持する電圧に応じた電流を自発光素子Ｌ１に流し続ける。これにより、走査線Ｇがオンレベルになるまで、自発光素子Ｌ１は発光し続ける。

　次に、モニタ制御部１１６が駆動トランジスタＴ２についてのモニタ値１２２を測定する場合について説明する。以下の説明では、モニタ値１２２は、モニタ入力値１２３である電圧値の電圧が印加された駆動トランジスタＴ２に流れる電流の電流値を示す。

　モニタ制御部１１６は、測定対象の自発光画素１０３のデータ線Ｄに、モニタ入力値１２３である電圧値の電圧を印加させる。続いて、モニタ制御部１１６は、測定対象の自発光画素１０３の走査線Ｇのレベルをオンレベルに変化させる。これにより、測定対象の自発光画素１０３の書込制御トランジスタＴ１がオンする。その結果、モニタ入力値１２３である電圧値の電圧がコンデンサＣ１に印加される。コンデンサＣ１の一方側端子が上昇し、駆動トランジスタＴ２はオンする。この段階まで、モニタ制御部１１６は、測定対象の自発光画素１０３に備えられる測定用トランジスタＴ３をオフ状態で維持させる。駆動トランジスタＴ２がオンすることで、コンデンサＣ１に溜まった電荷に応じた電流が流れだす。測定対象の自発光画素１０３のデータ線Ｄへのモニタ入力値１２３である電圧値の電圧の印加を停止すると、モニタ制御部１１６は、測定対象の自発光画素１０３に備えられる測定用トランジスタＴ３を導通させる。その結果、第１電源線２０１、駆動トランジスタＴ２、測定用トランジスタＴ３、データ線Ｄを経由して、モニタ制御部１１６に向けて電流が流れる。この場合、モニタ制御部１１６は、モニタ制御部１１６に向けて流れた電流の電流値を、モニタ値１２２として測定する。

　次に、モニタ制御部１１６が自発光素子Ｌ１についてのモニタ値１２２を測定する場合について説明する。

　モニタ制御部１１６は、測定対象の自発光画素１０３のデータ線Ｄに、モニタ入力値１２３である電圧値の電圧を印加させる。一方で、モニタ制御部１１６は、測定対象の自発光画素１０３の走査線Ｇをオフレベルで維持させる。これにより、書込制御トランジスタＴ１と駆動トランジスタＴ２とは、オフ状態を維持する。また、モニタ制御部１１６は、測定用トランジスタＴ３を導通させる。これにより、モニタ制御部１１６は、データ線Ｄ、測定用トランジスタＴ３を経由して、自発光素子Ｌ１に向けて電流を流す。この場合、モニタ制御部１１６は、自発光素子Ｌ１に流れる電流の電流値を、モニタ値１２２として測定する。

　図３は、自発光素子Ｌ１について、経時変化前の電流電圧特性の一例を示すグラフ３０１と、経時変化後の電流電圧特性の一例を示すグラフ３０２とを示す図である。図３においては、横軸に電圧がとられ、縦軸に電流がとられている。図３に例示するように、経時変化後においては、経時変化前と同一の電圧値の電圧を自発光素子Ｌ１に印加した場合、経時変化前よりも電流が流れにくくなる。

　例えば、経時変化前においては、グラフ３０１に例示するように、電流値Ｉ３１１の電流を自発光素子Ｌ１に流すためには、電圧値Ｖ３１２の電圧を自発光素子Ｌ１に印加する必要がある。一方、経時変化後においては、自発光画素１０３に備えられる素子の電気的特性が変化するため、グラフ３０２に例示するように、電流値Ｉ３１１の電流を自発光素子Ｌ１に流すためには、電圧値Ｖ３１２よりも高い電圧値Ｖ３１３の電圧を印加する必要がある。つまり、経時変化後においては、経時変化前と同一の電流値の電流を自発光素子Ｌ１に流すためには、経時変化前よりも高い電圧値の電圧を印加する必要がある。以下の説明では、同一の電流値の電流を自発光素子Ｌ１に流すために必要である、経時変化前の電圧値と経時変化後の電圧値との差分を、電圧シフト量ΔＶｆと称呼する。

　図４は、自発光素子Ｌ１について、経時変化前の電流輝度特性の一例を示すグラフ４０１と、経時変化後の電流輝度特性の一例を示すグラフ４０２とを示す図である。図４においては、横軸に電流がとられ、縦軸に輝度がとられている。経時変化後においては、経時変化前と同一の電流値の電流を自発光素子Ｌ１に流した場合、輝度が低下する。これは、経時変化により自発光素子Ｌ１の発光効率が低下するためと考えられる。

　例えば、経時変化前においては、グラフ４０１に例示するように、輝度Ｌ４１１の光を自発光素子Ｌ１から発光するためには、電流値４１２の電流を自発光素子Ｌ１に流す必要がある。一方、経時変化後においては、自発光素子Ｌ１の特性が変化するため、グラフ４０２に例示するように、輝度Ｌ４１１の光を自発光素子Ｌ１から発光するためには、電流値Ｉ４１２より大きい電流値Ｉ４１３の電流を自発光素子Ｌ１に流す必要がある。そのため、経時変化後においては、経時変化前と同一の輝度の光が自発光素子Ｌ１から発光されるように発光効率の経時変化を補償するためには、経時変化前よりも高い電流値の電流を流す必要がある。以下の説明では、同一の輝度の光が自発光素子Ｌ１から出力されるために必要である、経時変化前の電流値から経時変化後の電流値までの増加比率を、発光効率補償比率と称呼する。

　以上より、経時変化後において経時変化前と同一の輝度の光が自発光素子Ｌ１から出力されるためには、制御装置１０１は、電流輝度特性の経時変化と、電流電圧特性の経時変化とを補償して、自発光画素１０３に電圧を印加する必要がある。そのため、制御装置１０１は、発光効率補償比率と、電圧シフト量ΔＶｆとを関連付けて把握しておく必要がある。

　図５は、電圧シフト量ΔＶｆと、発光効率補償比率との関係の一例を示す図である。図５においては、横軸に電圧シフト量がとられ、縦軸に発光効率補償比率がとられている。グラフ５０１に例示するように、電圧シフト量ΔＶｆがゼロである場合、発光効率補償比率はゼロである。しかし、グラフ５０１に例示するように、電圧シフト量ΔＶｆの増加に伴い、発光効率補償比率は増加する。

　経時変化により自発光画素１０３の特性が変化するため、補償パラメータ算出部１１２は、自発光画素１０３に備えられる素子の経時変化前と経時変化後とで、同じ値である階調値に対して、自発光素子Ｌ１の輝度が同じになるように、補償パラメータＬ１ＩＶ補償パラメータ１２５とＴ２ＩＶ補償パラメータ１２６とを決定する。階調値は、各自発光画素１０３に備えられる自発光素子Ｌ１の輝度を示し、入力画像によって示される。

　図６Ａは、第１自発光素子Ｌ１ａの状態に関する電圧シフト量ΔＶｆ１に応じた、第２自発光素子Ｌ１ｂの状態に関する電圧シフト量ΔＶｆ２と、発光効率補償比率との関係の一例を示す。図６Ａにおいては、横軸に第２自発光素子Ｌ１ｂの状態に関する電圧シフト量がとられ、縦軸に発光効率補償比率がとられている。グラフ６０１およびグラフ６０２は、第２自発光素子Ｌ１ｂを含む第２自発光画素１０３ｂから所定位置にある第１自発光画素１０３ａに含まれる第１自発光素子Ｌ１ａの状態に関する電圧シフト量ΔＶｆ１が相対的に小さい場合と大きい場合の、第２自発光素子Ｌ１ｂの特性を示す。本開示の発明者らは、このように、第２自発光素子Ｌ１ｂの特性は、第２自発光素子Ｌ１ｂを含む第２自発光画素１０３ｂから所定位置にある第１自発光画素１０３ａに含まれる第１自発光素子Ｌ１ａの状態と関連があることを見出した。これについては、後で図１１～１３を用いて説明する。また、上記の「所定位置」については、後で図３３を用いて説明する。

　例えば、メモリ１１３に、グラフ６０１及びグラフ６０２によって示される電流輝度特性を示す参照テーブルＬＵＴが保存されるとする。グラフ６０１及びグラフ６０２は、第１自発光素子Ｌ１ａの状態に関する互いに異なる電圧シフト量ΔＶｆ１に関して、第２自発光素子Ｌ１ｂの状態に関する電圧シフト量ΔＶｆ２と、発光効率補償比率との電流輝度特性の一例を示す。

　補償処理部１１４は、第１補償パラメータ１２４ａと、第２補償パラメータ１２４ｂとに基づいて、グラフ６０１によって示される電流輝度特性と、グラフ６０２によって示される電流輝度特性とを線形補間することで、第２自発光画素１０３ｂに関する発光効率補償比率を算出する。

　または、補償処理部１１４は、式（１）に例示するように、第２自発光素子Ｌ１ｂに関する電圧シフト量ΔＶｆ２に応じた一つのＬＵＴデータを用いて、第１自発光画素１０３ａの状態に応じた第１補償パラメータ１２４ａを、第２自発光素子Ｌ１ｂの状態に関する電圧シフト量ΔＶｆ１に応じた係数ｋを乗算することで、第２自発光画素１０３ｂに関する発光効率補償比率ＬＲを算出してもよい。

　図６Ｂは、第２自発光画素１０３ｂの電流電圧特性の変化指標と、発光効率補償比率との関係の一例を示す。図６Ｂにおいては、第２自発光画素１０３ｂに関する電流電圧特性の変化指標がとられ、縦軸に発光効率補償比率がとられている。第２自発光画素１０３ｂに関する電流電圧特性の変化指標は、第２自発光素子Ｌ１ｂの状態に関する電圧シフト量ΔＶｆ２から、第１自発光素子Ｌ１ａの状態に関する電圧シフト量ΔＶｆ１に、第１自発光画素１０３ａの状態に応じた係数を乗算した値を差し引いた値である。

　補償処理部１１４は、式（２）に例示するように、第２自発光画素１０３ｂに関する電流電圧特性の変化指標に応じた一つのＬＵＴデータを用いて、第２自発光画素１０３ｂに関する発光効率補償比率ＬＲを算出してもよい。

　次に、図７を参照して、測定対象の第１自発光画素１０３ａの第１補償パラメータ１２４ａ及び測定対象の第２自発光画素１０３ｂの第２補償パラメータ１２４ｂを算出する処理について説明する。図７は、本実施形態に係る制御装置１０１の動作の一例を示すフローチャートである。図７についての説明において、第１自発光素子Ｌ１ａ及び第１駆動トランジスタＴ２ａは、測定対象の第１自発光画素１０３ａに備えられる自発光素子Ｌ１及び駆動トランジスタＴ２である。また、図７についての説明において第２自発光素子Ｌ１ｂ及び第２駆動トランジスタＴ２ｂは、測定対象の第２自発光画素１０３ｂに備えられる自発光素子Ｌ１及び駆動トランジスタＴ２である。

　ステップＳ７０１において状態取得部１１１は、第１自発光画素１０３ａに備えられる第１素子の電気的特性を測定することで第１状態データ１２１ａを取得する。本実施形態では、第１素子は、第１自発光素子Ｌ１ａを含む。具体的には、状態取得部１１１は、第１自発光素子Ｌ１ａの電気的特性を測定することで、第１状態データ１２１ａを取得する。また、ステップＳ７０１において状態取得部１１１は、第１駆動トランジスタＴ２ａの電気的特性を測定する。

　ステップＳ７０２において状態取得部１１１は第２自発光画素１０３ｂに備えられる第２素子の電気的特性を測定することで第２状態データ１２１ｂを取得する。本実施形態では、第２素子は、第２自発光素子Ｌ１ｂを含む。具体的には、状態取得部１１１は、第２自発光素子Ｌ１ｂの電気的特性を測定することで、第２状態データ１２１ｂを取得する。また、ステップＳ７０２において状態取得部１１１は、第２駆動トランジスタＴ２ｂの電気的特性を測定する。

　ステップＳ７０３において補償パラメータ算出部１１２は、第１状態データ１２１ａに基づいて、第１自発光素子Ｌ１ａに関するＬ１ＩＶ補償パラメータ１２５ａを含む第１補償パラメータ１２４ａを算出する。

　ステップＳ７０４において補償パラメータ算出部１１２は、第１駆動トランジスタＴ２ａの電気的特性に基づいて、第１駆動トランジスタＴ２ａに関するＴ２ＩＶ補償パラメータ１２６ａを算出する。

　ステップＳ７０５において補償パラメータ算出部１１２は、ステップＳ７０３で算出されたＬ１ＩＶ補償パラメータ１２５ａと、ステップＳ７０４で算出されたＴ２ＩＶ補償パラメータ１２６ａとを、測定対象の第１自発光画素１０３ａの識別情報と関連付けてメモリ１１３に保存する。例えば、第１自発光画素１０３ａの識別情報は、第１自発光画素１０３ａの行番号及び列番号の組である。

　ステップＳ７０６において補償パラメータ算出部１１２は、第２状態データ１２１ｂに基づいて、第２自発光素子Ｌ１ｂに関するＬ１ＩＶ補償パラメータ１２５ｂを含む第２補償パラメータ１２４ｂを算出する。

　ステップＳ７０７において補償パラメータ算出部１１２は、第２駆動トランジスタＴ２ｂの電気的特性に基づいて、第２駆動トランジスタＴ２ｂに関するＴ２ＩＶ補償パラメータ１２６ｂを算出する。

　ステップＳ７０８において補償パラメータ算出部１１２は、ステップＳ７０６で算出されたＬ１ＩＶ補償パラメータ１２５ｂと、ステップＳ７０７で算出されたＴ２ＩＶ補償パラメータ１２６ｂとを、測定対象の第２自発光画素１０３ｂの識別情報と関連付けてメモリ１１３に保存する。例えば、第２自発光画素１０３ｂの識別情報は、第２自発光画素１０３ｂの行番号及び列番号の組である。

　次に、図８を参照して、補償対象の第１自発光画素１０３ａについての第１補償について説明する。図８は、本実施形態に係る制御装置１０１における第１補償の一例を示すフローチャートである。図８についての説明において、第１自発光素子Ｌ１ａ及び第１駆動トランジスタＴ２ａは、補償対象の第１自発光画素１０３ａに備えられる自発光素子Ｌ１及び駆動トランジスタＴ２である。

　ステップＳ８０１において補償処理部１１４は、第１自発光素子Ｌ１ａに関するＬ１ＩＶ補償パラメータ１２５ａをメモリ１１３から取得する。

　ステップＳ８０２において補償処理部１１４は、第１補償として、Ｌ１ＩＶ補償パラメータ１２５ａに基づいて、第１自発光素子Ｌ１ａの電流輝度特性を補償する。

　ステップＳ８０３において補償処理部１１４は、ステップＳ８０２で補償された電流輝度特性に補償対象の第１自発光画素１０３ａに関する階調値を入力することで、第１自発光素子Ｌ１ａの補正電流値を算出する。

　ステップＳ８０４において補償処理部１１４は、Ｌ１ＩＶ補償パラメータ１２５ａに基づいて、第１自発光素子Ｌ１ａの電流電圧特性を補償する。

　ステップＳ８０５において補償処理部１１４は、第１自発光素子Ｌ１ａに関して、ステップＳ８０４で補償された電流電圧特性に、ステップＳ８０３で算出された補正電流値を入力することで、第１自発光素子Ｌ１ａの電圧の電圧値を算出する。

　ステップＳ８０６において補償処理部１１４は、第１駆動トランジスタＴ２ａに関するＴ２ＩＶ補償パラメータ１２６ａをメモリ１１３から取得する。

　ステップＳ８０７において補償処理部１１４は、Ｔ２ＩＶ補償パラメータ１２６ａに基づいて、第１駆動トランジスタＴ２ａの電流電圧特性を補償する。

　ステップＳ８０８において補償処理部１１４は、第１駆動トランジスタＴ２ａに関して、ステップＳ８０７で補償された電流電圧特性に、ステップＳ８０３で算出された補正電流値を入力することで、第１駆動トランジスタＴ２ａの電圧の電圧値を算出する。

　ステップＳ８０９において補償処理部１１４は、ステップＳ８０５で算出された第１自発光素子Ｌ１ａの電圧の電圧値と、ステップＳ８０８で算出された第１駆動トランジスタＴ２ａの電圧の電圧値との和を、第１自発光画素１０３ａの駆動電圧値１２８ａとして算出する。なお、本明細書ではこのように、「駆動電圧値１２８」に「ａ」等の文字を付して記載する場合がある。

　次に、図９を参照しながら、補償対象の第２自発光画素１０３ｂについての第２補償について説明する。図９は、本実施形態に係る制御装置１０１における第２補償の一例を示すフローチャートである。図９についての説明において、第１自発光素子Ｌ１ａ及び第１駆動トランジスタＴ２ａは、補償対象の第２自発光画素１０３ｂから所定位置である第１自発光画素１０３ａに備えられる自発光素子Ｌ１及び駆動トランジスタＴ２である。また、図９についての説明において、第２自発光素子Ｌ１ｂ及び第２駆動トランジスタＴ２ｂは、補償対象の第２自発光画素１０３ｂに備えられる自発光素子Ｌ１及び駆動トランジスタＴ２である。

　ステップＳ９０１において補償処理部１１４は、補償対象の第２自発光画素１０３ｂから所定位置の第１自発光画素１０３ａを特定する。例えば、補償処理部１１４は、補償対象の第２自発光画素１０３ｂに隣接する第１自発光画素１０３ａを特定する。

　ステップＳ９０２において補償処理部１１４は、ステップＳ９０１で特定された第１自発光画素１０３ａに備えられる第１自発光素子Ｌ１ａに関するＬ１ＩＶ補償パラメータ１２５ａをメモリ１１３から取得する。

　ステップＳ９０３において補償処理部１１４は、第２自発光素子Ｌ１ｂに関するＬＩＩＶ補償パラメータ１２５ｂをメモリ１１３から取得する。

　ステップＳ９０４において補償処理部１１４は、第１自発光素子Ｌ１ａに関するＬＩＩＶ補償パラメータ１２５ａと、第２自発光素子Ｌ１ｂに関するＬＩＩＶ補償パラメータ１２５ｂとに基づいて、第２自発光素子Ｌ１ｂの電流輝度特性の経時変化を補償する。

　ステップＳ９０５において補償処理部１１４は、第２自発光素子Ｌ１ｂに関して、ステップＳ９０４で補償された電流輝度特性に補償対象の第２自発光画素１０３ｂに関する階調値を入力することで、第２自発光素子Ｌ１ｂの補正電流値を算出する。

　ステップＳ９０６において補償処理部１１４は、第２自発光素子Ｌ１ｂに関するＬＩＩＶ補償パラメータ１２５ｂに基づいて、第２自発光素子Ｌ１ｂの電流電圧特性を補償する。

　ステップＳ９０７において補償処理部１１４は、第２自発光素子Ｌ１ｂに関して、ステップＳ９０６で補償された電流電圧特性に、ステップＳ９０５で算出された補正電流値を入力することで、第２自発光素子Ｌ１ｂの電圧の電圧値を算出する。そして、補償処理部１１４は、処理を図１０に例示するステップＳ１００１に移行する。

　次に、図１０を参照しながら、補償対象の第２自発光画素１０３ｂについての第２補償について引き続き説明する。

　ステップＳ１００１において補償処理部１１４は、第２駆動トランジスタＴ２ｂに関するＴ２ＩＶ補償パラメータ１２６ｂをメモリ１１３から取得する。

　ステップＳ１００２において補償処理部１１４は、Ｔ２ＩＶ補償パラメータ１２６ｂに基づいて、第１駆動トランジスタＴ２ａの電流電圧特性を補償する。

　ステップＳ１００３において補償処理部１１４は、第２駆動トランジスタＴ２ｂに関して、ステップＳ１００２で補償された電流電圧特性に図９に例示するステップＳ９０５で算出された補正電流値を入力することで、第２駆動トランジスタＴ２ｂの電圧の電圧値を算出する。

　ステップＳ１００４において補償処理部１１４は、図９に例示するステップＳ９０７で算出された電圧値と、ステップＳ１００３で算出された電圧値との和を、第２自発光画素１０３ｂの駆動電圧値１２８ｂとして算出する。

　図１１は、画素１１０１を構成するサブ画素１１１１～サブ画素１１１３の配置の一例を示す図である。サブ画素１１１１は、第２自発光画素１０３ｂである赤色のサブ画素である。サブ画素１１１１に含まれる第２自発光素子Ｌ１ｂは、赤色光を発光する。サブ画素１１１２は、第２自発光画素１０３ｂである緑色のサブ画素である。サブ画素１１１２に含まれる第２自発光素子Ｌ１ｂは、緑色光を発光する。サブ画素１１１３は、第１自発光画素１０３ａである青色のサブ画素である。サブ画素１１１３に含まれる第２自発光素子Ｌ１ｂは、青色光を発光する。以下の説明では、第１色光は、青色光であり、第２色光は、赤色光及び緑色光である場合を例示して説明する。

　図１２は、画素１２０１～画素１２０４の一例を示す図である。

　画素１２０１は、第２自発光画素１０３ｂである赤色のサブ画素１２１１が赤色光を発光した状態であり、且つ第２自発光画素１０３ｂである緑色のサブ画素１２１２と、第１自発光画素１０３ａである青色のサブ画素１２１３とが発光していない状態である。そのため、画素１２０１については、赤色光が視認される。

　画素１２０２は、第２自発光画素１０３ｂである赤色のサブ画素１２２１が発光し、第２自発光画素１０３ｂである緑色のサブ画素１２２２が、サブ画素１２１１と同一の階調値で発光した状態であり、且つ、第１自発光画素１０３ａである青色のサブ画素１２２３が発光していない状態である。そのため、画素１２０２については、黄色光が視認される。

　画素１２０３は、第２自発光画素１０３ｂである赤色のサブ画素１２３１が発光し、第１自発光画素１０３ａである青色のサブ画素１２３２がサブ画素１２１１と同一の階調値で発光した状態であり、且つ、第２自発光画素１０３ｂである緑色のサブ画素１２３３が発光していない状態である。そのため、画素１２０３については、マゼンタ色光が視認される。

　画素１２０４は、第２自発光画素１０３ｂである赤色のサブ画素１２４１と、第２自発光画素１０３ｂである緑色のサブ画素１２４２と、第１自発光画素１０３ａである青色のサブ画素１２４３とが、サブ画素１２１１と同一の階調値で発光した状態である。そのため、画素１２０４については、白色光が視認される。

　赤色のサブ画素１２１１、赤色のサブ画素１２２１、赤色のサブ画素１２３１及び赤色のサブ画素１２４１に備えられる自発光素子Ｌ１が、同一の輝度の光を発光する場合、赤色のサブ画素１２１１、赤色のサブ画素１２２１、赤色のサブ画素１２３１及び赤色のサブ画素１２４１に備えられる自発光素子Ｌ１は、経時変化後においては、同一の劣化を生じ、経時変化前と同一の輝度の光を出力するためには、互いに同一の発光効率補償比率になるものと思われた。しかし、本開示の発明者らは、赤色のサブ画素１２１１、赤色のサブ画素１２２１、赤色のサブ画素１２３１及び赤色のサブ画素１２４１に備えられる第２自発光素子Ｌ１ｂに関して、経時変化後には、発光効率補償比率が異なる場合があることを見出した。

　図１３は、互いに異なる色の光が視認される画素について、電圧シフト量ΔＶｆと、発光効率補償比率との関係の一例を示す。

　グラフ１３０１は、図１２に例示する画素１２０１について、赤色のサブ画素１２１１の電圧シフト量ΔＶｆと、発光効率補償比率との関係の一例を示す。つまり、グラフ１３０１は、赤色光が視認される画素について、赤色のサブ画素１２１１の電圧シフト量ΔＶｆと、発光効率補償比率との関係の一例を示す。グラフ１３０２は、図１２に例示する画素１２０４について、赤色のサブ画素１２４１の電圧シフト量ΔＶｆと、発光効率補償比率との関係の一例を示す。つまり、グラフ１３０２は、白色光が視認される画素について、赤色のサブ画素１２４１の電圧シフト量ΔＶｆと、発光効率補償比率との関係の一例を示す。

　グラフ１３０１に例示するように、赤色光が視認される画素については、赤色のサブ画素１２１１の発光効率補償比率が値ＬＲ１３１１である場合、電圧シフト量ΔＶｆは、値ΔＶｆ１３１２である。一方、グラフ１３０２に例示するように、白色光が視認される画素については、赤色のサブ画素１２４１の発光効率補償比率が値ＬＲ１３１１である場合、電圧シフト量ΔＶｆは、値ΔＶｆ１３１２より大きい値ΔＶｆ１３１３である。また、図示していないが、緑色のサブ画素についても、赤色のサブ画素と同様の現象が見られた。このことから、青色のサブ画素の発光は、それより波長の長い光を発光する赤色のサブ画素および緑色のサブ画素の発光効率の低下を促進させることがわかった。言い換えれば、第２自発光素子Ｌ１ｂの特性は、第２自発光素子Ｌ１ｂを含む第２自発光画素１０３ｂから所定位置にある第１自発光画素１０３ａの状態と関連が有ることがわかった。

　この現象の原因としては、第１自発光画素１０３ａのリーク電流、及び第１自発光画素１０３ａが発光することによる第１自発光画素１０３ａの温度上昇が、当該第１自発光画素１０３ａの周辺の第２自発光画素１０３ｂに影響を与えることにより、第２自発光画素１０３ｂの電流輝度特性の経時変化に影響を与える可能性が考えられる。また、この現象の原因としては、第１自発光画素１０３ａから出力された第１色光が、当該第１自発光画素１０３ａの周辺の第２自発光画素１０３ｂの電流輝度特性の経時変化に影響を与える可能性が考えられる。

　この現象を考慮すると、赤色のサブ画素及び緑色のサブ画素に関する補償処理は、自身の劣化のほか、自身から所定位置にある青色のサブ画素の発光による影響も加味することが望ましい。ここで、青色のサブ画素が発光すれば、その分だけ青色のサブ画素の劣化も進む。従って、青色サブ画素の劣化が大きいほど、その青色サブ画素が赤色のサブ画素及び緑色のサブ画素の劣化に与えた影響も大きいことになる。このことから、第２自発光画素１０３ｂである赤色のサブ画素及び緑色のサブ画素の補償処理に関して、第１自発光画素１０３ａである青色のサブ画素の発光による劣化を加味するには、青色のサブ画素の状態を示す第１状態データ１２１ａを参照すればよい。このため、本実施形態における第２補償では、第１状態データ１２１ａと第２状態データ１２１ｂとに基づいて、第２自発光画素１０３ｂの経時変化を補償する。

　なお、本開示の発明者らの実験によれば、青色のサブ画素の発光効率は、それより波長の長い光を発光する赤色のサブ画素および緑色のサブ画素の発光に影響を受ける様子は見られなかった。このため、本実施形態における第１補償では、第１状態データ１２１ａに基づいて（言い換えれば、第２状態データ１２１ｂは用いず）、第１自発光画素１０３ａの経時変化を補償する。

　ここで、図３３を用いて、「所定位置」について説明する。図３３は、縦３列、横３列の合計９個の画素と、それに含まれるサブ画素を示している。ここで、赤サブ画素Ｒ５に着目する。赤サブ画素Ｒ５に近い青サブ画素ほど、赤サブ画素Ｒ５の劣化に与える影響が大きいと考えられる。従って、赤サブ画素Ｒ５の劣化に最も影響を与える青サブ画素は、同一画素内にある青サブ画素Ｂ５である。従って、第２自発光画素１０３ｂである赤サブ画素Ｒ５の第２補償は、赤サブ画素Ｒ５に関する第２状態データ１２１ｂに加えて、第１自発光画素１０３ａである青サブ画素Ｂ５に関する第１状態データ１２１ａに基づいて行うことが好ましい。このことから、本開示では、第２自発光画素１０３ｂである赤サブ画素Ｒ５に最も近い第１自発光画素１０３ａである青サブ画素Ｂ５の位置を、「所定位置」と呼ぶ。

　また、それに続いて順に近い位置にある青サブ画素Ｂ２、青サブ画素Ｂ４、青サブ画素Ｂ１も、赤サブ画素Ｒ５の劣化に影響を与える可能性が有る。従って、第２自発光画素１０３ｂである赤サブ画素Ｒ５の第２補償において、第１自発光画素１０３ａである青サブ画素Ｂ５に関する第１状態データ１２１ａだけでなく、青サブ画素Ｂ２、青サブ画素Ｂ４および青サブ画素Ｂ１に関する第１状態データ１２１ａを用いても良い。すなわち、第２補償において、複数の第１状態データ１２１ａを用いても良い。また、このことから、本開示では、第２自発光画素１０３ｂである赤サブ画素Ｒ５に対して青サブ画素Ｂ５に続いて近傍にある、第１自発光画素１０３ａである青サブ画素Ｂ２、青サブ画素Ｂ４および青サブ画素Ｂ１の位置も、「所定位置」と呼んでも良い。

　赤サブ画素Ｒ５に対してどの程度の距離にある青サブ画素が影響を与えるかは、例えば、サブ画素の並べ方によっても異なるし、画素の構造や材質等によっても異なると考えられる。従って、個々の表示パネル１０２に関して、実際に測定等を行って、赤サブ画素Ｒ５に第２補償においてどの青サブ画素に関する第１状態データ１２１ａを用いるかを決めればよい。

　なお、緑サブ画素Ｇ５についても同様に考えると、本開示では、第２自発光画素１０３ｂである緑サブ画素Ｇ５に最も近い第１自発光画素１０３ａである青サブ画素Ｂ５の位置を、「所定位置」と呼ぶ。また、本開示では、第２自発光画素１０３ｂである緑サブ画素Ｇ５に対して青サブ画素Ｂ５に続いて近傍にある、第１自発光画素１０３ａである青サブ画素Ｂ２、青サブ画素Ｂ６および青サブ画素Ｂ３の位置も、「所定位置」と呼んでも良い。

　以上から、第２自発光画素１０３ｂである赤色のサブ画素及び緑色のサブ画素と、第１自発光画素１０３ａである青色のサブ画素１２４３とが発光している画素については、第１自発光画素１０３ａである青色のサブ画素１２４３とが発光していない画素よりも、第２自発光画素１０３ｂに高い電圧を印加することが必要である。

　従って、補償処理部１１４は、表示パネル１０２に含まれる第１領域において第１表示が行われ、且つ表示パネル１０２に含まれる第２領域において第２表示が行われた後、第２領域に含まれる第２自発光画素１０３ｂに印加する電圧を、第１領域に含まれる第２自発光画素１０３ｂに印加する電圧よりも高くする。ここで、第１表示において、第１領域に含まれる第１自発光画素１０３ａが第１階調値で第１色光を発光し、且つ第１領域に含まれる第２自発光画素１０３ｂが第１階調値より高い第２階調値で発光するものとする。また、第２表示において、第２領域に含まれる第１自発光画素１０３ａ及び第２自発光画素１０３ｂが第２階調値で発光するものとする。より具体的には、例えば、第１表示は図１２に例示する画素１２０１での表示であり、第２表示は図１２に例示する画素１２０４での表示である。

　図１４は、第１自発光画素１０３ａが青色のサブ画素であり、且つ第２自発光画素１０３ｂが赤色のサブ画素及び緑色のサブ画素である場合における表示装置１００の構成の一例を示すブロック図である。階調値１２７Ｒは、補償対象の画素を構成する赤色のサブ画素についての階調値である。階調値１２７Ｇは、補償対象の画素を構成する緑色のサブ画素についての階調値である。階調値１２７Ｇは、補償対象の画素を構成する青色のサブ画素についての階調値である。

　メモリ１１３に保存されるＬ１ＩＶ補償パラメータ１２５は、Ｌ１ＩＶ補償パラメータ１２５Ｒと、Ｌ１ＩＶ補償パラメータ１２５Ｇと、Ｔ２ＩＶ補償パラメータ１２６Ｂとを含む。Ｌ１ＩＶ補償パラメータ１２５Ｒは、赤色のサブ画素に備えられる自発光素子Ｌ１ｂの電流電圧特性を補正するためのパラメータである。Ｌ１ＩＶ補償パラメータ１２５Ｇは、緑色のサブ画素に備えられる自発光素子Ｌ１ｂの電流電圧特性を補正するためのパラメータである。Ｌ１ＩＶ補償パラメータ１２５Ｂは、青色のサブ画素に備えられる自発光素子Ｌ１ａの電流電圧特性を補正するためのパラメータである。

　メモリ１１３に保存されるＴ２ＩＶ補償パラメータ１２６は、Ｔ２ＩＶ補償パラメータ１２６Ｒと、Ｌ１ＩＶ補償パラメータ１２４Ｇと、Ｔ２ＩＶ補償パラメータ１２６Ｂとを含む。Ｔ２ＩＶ補償パラメータ１２６Ｒは、赤色のサブ画素に備えられる駆動トランジスタＴ２ｂの電流電圧特性を補正するためのパラメータである。Ｔ２ＩＶ補償パラメータ１２６Ｇは、緑色のサブ画素に備えられる駆動トランジスタＴ２ｂの電流電圧特性を補正するためのパラメータである。Ｔ２ＩＶ補償パラメータ１２６Ｂは、青色のサブ画素に備えられる駆動トランジスタＴ２ａの電流電圧特性を補正するためのパラメータである。

　補償処理部１１４は、第２自発光画素１０３ｂである赤色のサブ画素に備えられる第２自発光素子Ｌ１ｂについて、Ｌ１ＩＶ補償パラメータ１２５ＲとＬ１ＩＶ補償パラメータ１２５Ｂとに基づいて、第２自発光素子Ｌ１ｂの電流輝度特性を補償する（補償処理部１１４の「〔Ｒｅｄ〕Ｌ１ＩＬ補償演算」）。具体的には、補償処理部１１４は、赤色のサブ画素に備えられる第２自発光素子Ｌ１ｂについて、Ｌ１ＩＶ補償パラメータ１２５ＲとＬ１ＩＶ補償パラメータ１２５Ｂとに基づいて、発光効率補償比率を算出する。そして、補償処理部１１４は、赤色のサブ画素に備えられる第２自発光素子Ｌ１ｂについて、算出された発光効率補償比率に基づいて、電流輝度特性を補正する。そして、補償処理部１１４は、赤色のサブ画素に備えられる第２自発光素子Ｌ１ｂについて、補正された電流輝度特性に階調値１２７Ｒを入力することで、階調値１２７Ｒである輝度の光を赤色のサブ画素に備えられる第２自発光素子Ｌ１ｂから出力するために必要な電流の補正電流値ＩＲを算出する。

　補償処理部１１４は、赤色のサブ画素に備えられる第２自発光素子Ｌ１ｂについて、Ｌ１ＩＶ補償パラメータ１２５Ｒに基づいて、電流電圧特性を補償する（補償処理部１１４の「〔Ｒｅｄ〕Ｌ１ＩＶ補償演算」）。そして、補償処理部１１４は、補償された電流電圧特性に補正電流値ＩＲを入力することで、第２自発光素子Ｌ１ｂに補正電流値ＩＲを流すために必要な第２自発光素子Ｌ１ｂの電圧の電圧値Ｌ１ＶＲを算出する。

　補償処理部１１４は、赤色のサブ画素に備えられる第２駆動トランジスタＴ２ｂについて、Ｔ２ＩＶ補償パラメータ１２６Ｒに基づいて、電流電圧特性を補償する（補償処理部１１４の「〔Ｒｅｄ〕Ｔ２ＩＶ補償演算」）。そして、補償処理部１１４は、補償された電流電圧特性に補正電流値ＩＲを入力することで、補正電流値ＩＲの電流を流すために必要な第２駆動トランジスタＴ２ｂの電圧の電圧値Ｔ２ＶＲを算出する。

　そして、補償処理部１１４は、赤色のサブ画素について、電圧値Ｌ１ＶＲと電圧値Ｔ２ＶＲとの和を駆動電圧値１２８Ｒとして算出する。

　第２自発光画素１０３ｂである緑色のサブ画素について、補正電流値ＩＧ、電圧値Ｌ１ＶＧ、電圧値Ｔ２ＶＧ及び駆動電圧値１２８Ｇの算出方法は、補正電流値ＩＲ、電圧値Ｌ１ＶＲ、電圧値Ｔ２ＶＲ及び駆動電圧値１２８Ｒの算出方法と同様であり、且つ緑色のサブ画素についての第２補償は、赤色のサブ画素についての第２補償と同様であるため、詳細な説明は省略する。

　次に、第１自発光画素１０３ａである青色のサブ画素についての第１補償について説明する。

　補償処理部１１４は、第１自発光画素１０３ａである青色のサブ画素に備えられる第１自発光素子Ｌ１ａについて、Ｌ１ＩＶ補償パラメータ１２５Ｂに基づいて、第１自発光素子Ｌ１ａの電流輝度特性を補償する（補償処理部１１４の「〔Ｂｌｕｅ〕Ｌ１ＩＬ補償演算」）。具体的には、補償処理部１１４は、青色のサブ画素に備えられる第１自発光画素１０３ａについて、Ｌ１ＩＶ補償パラメータ１２５Ｂに基づいて、発光効率補償比率を算出する。そして、補償処理部１１４は、青色のサブ画素に備えられる第１自発光素子Ｌ１ａについて、算出された発光効率補償比率に基づいて、電流輝度特性を補正する。そして、補償処理部１１４は、青色のサブ画素に備えられる第１自発光素子Ｌ１ａについて、補正された電流輝度特性に階調値１２７Ｂを入力することで、階調値１２７Ｂである輝度の光を青色のサブ画素に備えられる第１自発光素子Ｌ１ａから出力するために必要な電流の補正電流値ＩＢを算出する。

　補償処理部１１４は、青色のサブ画素に備えられる第１自発光素子Ｌ１ａについて、Ｌ１ＩＶ補償パラメータ１２５Ｂに基づいて、電流電圧特性を補償する（補償処理部１１４の「〔Ｂｌｕｅ〕Ｌ１ＩＶ補償演算」）。そして、補償処理部１１４は、補償された電流電圧特性に補正電流値ＩＢを入力することで、第１自発光素子Ｌ１ａに補正電流値ＩＢを流すために必要な第１自発光素子Ｌ１ａの電圧の電圧値Ｌ１ＶＢを算出する。

　補償処理部１１４は、青色のサブ画素に備えられる第１駆動トランジスタＴ２ａに関して、Ｔ２ＩＶ補償パラメータ１２６Ｂに基づいて、電流電圧特性を補償する（補償処理部１１４の「〔Ｂｌｕｅ〕Ｔ２ＩＶ補償演算」）。そして、補償処理部１１４は、補償された電流電圧特性に補正電流値ＩＢを入力することで、補正電流値ＩＢの電流を流すために必要な第１駆動トランジスタＴ２ａの電圧の電圧値Ｔ２ＶＢを算出する。

　そして、補償処理部１１４は、青色のサブ画素に関して、電圧値Ｌ１ＶＢと電圧値Ｔ２ＶＢとの和を駆動電圧値１２８Ｂとして算出する。

　表示制御部１１５は、駆動電圧値１２８Ｒ、駆動電圧値１２８Ｇ及び駆動電圧値１２８Ｂを、それぞれ、赤色のサブ画素、緑色のサブ画素及び青色のサブ画素に供給する。

　制御装置１０１が、赤色のサブ画素、緑色のサブ画素及び青色のサブ画素の電流輝度特性及び電流電圧特性の経時変化を補償することで、赤色のサブ画素、緑色のサブ画素及び青色のサブ画素は、階調値１２７Ｒ、階調値１２７Ｇ及び階調値１２７Ｂの輝度の光を発光できる。

　以上より、本実施形態に係る制御装置１０１は、自発光画素１０３から発光される光の波長に応じて、補償対象の自発光画素１０３の状態と、周辺の自発光画素１０３の状態とに基づいて、自発光画素１０３の電気的特性の経時変化を適切に補償できる。

　（第一実施形態の変形例）
　本実施形態に係る表示装置１００の変形例として、補償パラメータ算出部１１２は、メモリ１１３から過去の第１状態データ１２１ａ、及び第２状態データ１２１ｂを取得し、取得された過去の第１状態データ１２１ａ、及び第２状態データ１２１ｂに基づいて、新たな第１補償パラメータ１２４ａ、及び第２補償パラメータ１２４ｂを決定してもよい。

　（第二実施形態）
　図１５～図１９を参照して、第二実施形態について説明する。なお、図面については、同一又は同様の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。他の実施形態と実質的に共通の機能を有する構成及び処理を共通の符号で参照して説明を省略し、他の実施形態と異なる点を説明する。

　図１５は、本実施形態に係る表示装置１００の構成の一例を示すブロック図である。図１５に例示する表示装置１００と、図１に例示する表示装置１００との相違点は、図１５に例示する表示装置１００は、補償処理部１１４に替えて補償処理部１５０１を備える点にある。

　本実施形態に係る第１状態データ１２１ａは、第１自発光素子Ｌ１ａの状態と、第１駆動トランジスタＴ２ａの状態とを示す。また、本実施形態に係る第２状態データ１２１ｂは、第２自発光素子Ｌ１ｂの状態を示す。

　本実施形態に係る第１補償は、第１状態データ１２１ａによって示される第１自発光素子Ｌ１ａの状態に基づいて、第１自発光素子Ｌ１ａの電流輝度特性の経時変化を補償する。さらに、本実施形態に係る第２補償は、第１駆動トランジスタＴ２ａの状態と第２自発光素子Ｌ１ｂの状態とに基づいて、第２自発光素子Ｌ１ｂの電流輝度特性の経時変化を補償する。

　図１６Ａは、自発光素子Ｌ１について、経時変化前の電流電圧特性の一例を示すグラフ１６０１と、経時変化後の電流電圧特性の一例を示すグラフ１６０２とを示す図である。図１６Ｂは、駆動トランジスタＴ２について、経時変化前の電流電圧特性の一例を示すグラフ１６０３と、経時変化後の電流電圧特性の一例を示すグラフ１６０４とを示す図である。図１６Ａ及び図１６Ｂにおいては、横軸に電圧がとられ、縦軸に電流がとられている。より詳細には、図１６Ａの横軸は、自発光素子Ｌ１の順方向電圧Ｖｆを示す。また、図１６Ｂの横軸は、駆動トランジスタＴ２のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓを示す。図１６Ａに例示する電流電圧特性における経時変化前から経時変化後までの経過時間と、図１６Ｂに例示する電流電圧特性における経時変化前から経時変化後までの経過時間とは同一であるとする。以下の説明では、同一の電流値の電流を駆動トランジスタＴ２に流すために必要である、経時変化前の電圧値と経時変化後の電圧値との差分を、電圧シフト量ΔＶｇｓと称呼する。

　図１６Ａに例示するように、自発光素子Ｌ１に関する電流電圧特性については、経時変化後には、経時変化前よりもグラフの形状が傾く。一方、図１６Ｂに例示するように、駆動トランジスタＴ２に関する電流電圧特性については、経時変化後には、経時変化前よりもグラフが平行シフトする傾向がある。さらに、駆動トランジスタＴ２の電流電圧特性の変化量は、自発光素子Ｌ１の電流電圧特性の変化量よりも大きい。そのため、本実施形態に係る第２補償は、第１駆動トランジスタＴ２ａの状態に基づくことから、第一実施形態に係る第２補償よりも、精度が向上し易い。

　図１７は、第１駆動トランジスタＴ２ａに関する電圧シフト量ΔＶｇｓに応じた、第２自発光素子Ｌ１ｂに関する電圧シフト量ΔＶｆ２と、発光効率補償比率との関係の一例を示す。図１７においては、横軸に第２自発光素子Ｌ１ｂに関する電圧シフト量がとられ、縦軸に発光効率補償比率がとられている。グラフ１７０１およびグラフ１７０２は、第２自発光素子Ｌ１ｂを含む第２自発光画素１０３ｂから所定位置にある第１自発光画素１０３ａに含まれる第１駆動トランジスタＴ２ａの状態に関する電圧シフト量ΔＶｇｓが相対的に小さい場合と大きい場合の、第２自発光素子Ｌ１ｂの特性を示す。本開示の発明者らは、このように、第２自発光素子Ｌ１ｂの特性は、第２自発光素子Ｌ１ｂを含む第２自発光画素１０３ｂから所定位置にある第１自発光画素１０３ａに含まれる第１駆動トランジスタＴ２ａの状態と関連があることを見出した。これは以下のように考えることができる。上記で図６Ａを用いて説明したように、第２自発光素子Ｌ１ｂの特性は、第２自発光素子Ｌ１ｂを含む第２自発光画素１０３ｂから所定位置にある第１自発光画素１０３ａに含まれる第１自発光素子Ｌ１ａの状態と関連がある。第１自発光画素１０３ａに含まれる第１自発光素子Ｌ１ａが劣化している場合、その第１自発光素子Ｌ１ａに流す電流を制御する第１駆動トランジスタＴ２ａも劣化が進んでいると考えられる。

　駆動トランジスタＴ２に関する電流電圧特性については、経時変化後には、経時変化前よりもグラフが平行シフトする傾向があるため、第１駆動トランジスタＴ２ａの状態に関する電圧シフト量ΔＶｇｓに応じた、第２自発光素子Ｌ１ｂの状態に関する電圧シフト量ΔＶｆ２と、発光効率補償比率との電流輝度特性の変化は、線形な変化となる傾向がある。

　次に、図１８を参照しながら、補償対象の第２自発光画素１０３ｂについての第２補償について説明する。図１８は、本実施形態に係る制御装置１０１における第２補償の一例を示すフローチャートである。図１８についての説明において、第１自発光素子Ｌ１ａ、第２自発光素子Ｌ１ｂ、第１駆動トランジスタＴ２ａ及び第２駆動トランジスタＴ２ｂは、図９についての説明と同様である。さらに、ステップＳ１８０１の処理は、図９に例示するステップＳ９０１の処理と同様であるため、詳細な説明は省略する。

　ステップＳ１８０２において補償処理部１５０１は、ステップＳ１８０１で特定された第１自発光画素１０３ａに備えられる第１駆動トランジスタＴ２ａに関するＴ２ＩＶ補償パラメータ１２６ａをメモリ１１３から取得する。

　ステップＳ１８０３において補償処理部１５０１は、第２自発光素子Ｌ１ｂに関するＬ１ＩＶ補償パラメータ１２５ｂをメモリ１１３から取得する。

　ステップＳ１８０４において補償処理部１５０１は、第１駆動トランジスタＴ２ａに関するＬ１ＩＶ補償パラメータ１２５ａと、第２自発光素子Ｌ１ｂに関するＬ１ＩＶ補償パラメータ１２５ｂとに基づいて、第２自発光素子Ｌ１ｂの電流輝度特性の経時変化を補償する。そして、補償処理部１１４は、処理をステップＳ１８０５に移行する。ステップＳ１８０５～ステップＳ１８０７の処理は、図９に例示するステップＳ９０５～Ｓ９０７の処理と同様であるため、詳細な説明は省略する。さらに、ステップＳ１８０７において補償処理部１１４は、第２自発光素子Ｌ１ｂの電圧の電圧値を算出した場合、処理を図１０に例示するステップＳ１００１に移行する。

　図１９は、第１自発光画素１０３ａが青色のサブ画素であり、且つ第２自発光画素１０３ｂが赤色のサブ画素及び緑色のサブ画素である場合における本実施形態に係る表示装置１００の構成の一例を示すブロック図である。以下の説明では、補償対象の画素に関する処理について説明する。

　補償処理部１５０１は、第２自発光画素１０３ｂである赤色のサブ画素に備えられる第２自発光素子Ｌ１ｂに関して、Ｌ１ＩＶ補償パラメータ１２５ＲとＴ２ＩＶ補償パラメータ１２６Ｂとに基づいて、第２自発光素子Ｌ１ｂの電流輝度特性を補償する（補償処理部１５０１の「〔Ｒｅｄ〕Ｌ１ＩＬ補償演算」）。具体的には、補償処理部１５０１は、赤色のサブ画素に備えられる第２自発光素子Ｌ１ｂに関して、Ｌ１ＩＶ補償パラメータ１２５ＲとＴ２ＩＶ補償パラメータ１２６Ｂとに基づいて、発光効率補償比率を算出する。第２自発光画素１０３ｂである赤色のサブ画素について、以降の処理は図１４に例示する表示装置１００の構成と同一であるため、詳細な説明は省略する。

　また、補償処理部１５０１は、第２自発光画素１０３ｂである緑色のサブ画素についての第２補償は、赤色のサブ画素についての第２補償と同様であるため、詳細な説明は省略する。また、第２自発光画素１０３ｂである青色のサブ画素については、図１４に例示する表示装置１００の構成と同一であるため、詳細な説明は省略する。

　以上より、本実施形態に係る制御装置１０１は、第１駆動トランジスタＴ２ａの状態と第２自発光素子Ｌ１ｂの状態とに基づいて、第２自発光素子Ｌ１ｂの電流輝度特性の経時変化を補償する。駆動トランジスタＴ２の電流電圧特性の変化量は、自発光素子Ｌ１の電流電圧特性の変化量よりも大きいため、本実施形態に係る制御装置１０１は、第一実施形態に係る制御装置１０１よりも、電流輝度特性の経時変化を推定し易く、電流輝度特性の経時変化を補償する精度が向上する。

　（第二実施形態の変形例）
　本実施形態に係る表示装置１００の変形例として、第１素子は、第１自発光素子Ｌ１ａと、第１駆動トランジスタＴ２ａとをさらに含み、且つ第２素子は、第２自発光素子Ｌ１ｂと、第２駆動トランジスタＴ２ｂとをさらに含んでもよい。第１状態データ１２１ａは、第１駆動トランジスタＴ２ａの状態を示す。補償処理部１５０１は、第１補償として、第１状態データ１２１ａによって示される第１駆動トランジスタＴ２ａの状態に基づいて、第１自発光素子Ｌ１ａの電流輝度特性の経時変化を補償する。第２状態データ１２１ｂは、第２駆動トランジスタＴ２ｂの状態を示す。補償処理部１５０１は、第２補償として、第１駆動トランジスタＴ２ａの状態と第２駆動トランジスタＴ２ｂの状態とに基づいて、第２自発光素子Ｌ１ｂの電流輝度特性の経時変化を補償する。

　（第三実施形態）
　図２０～図２６を参照して、第三実施形態について説明する。なお、図面については、同一又は同様の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。他の実施形態と実質的に共通の機能を有する構成及び処理を共通の符号で参照して説明を省略し、他の実施形態と異なる点を説明する。

　図２０は、本実施形態に係る表示装置１００の構成の一例を示すブロック図である。図２０に例示する表示装置１００と、図１に例示する表示装置１００との相違点は、図２０に例示する表示装置１００は、補償パラメータ算出部１１２と補償処理部１１４とに替えて、補償パラメータ算出部２００１と補償処理部２００２とを備える点にある。

　補償パラメータ算出部２００１は、第１状態データ１２１ａに基づいて第１補償パラメータ１２４ａを算出し、且つ第１状態データ１２１ａと第２状態データ１２２ａとに基づいて第２補償パラメータ１２４ｂを算出する。

　具体的には、補償パラメータ算出部２００１は、第１自発光素子Ｌ１ａの状態に基づいてＬ１ＩＬ補償パラメータ２０１１ａを、第１補償パラメータ１２４ａとして算出する。Ｌ１ＩＬ補償パラメータ２０１１ａによって、第１自発光素子Ｌ１ａについての変換モデルが決定される。例えば、第１自発光素子Ｌ１ａについての変換モデルは、第１自発光素子Ｌ１ａに関して電流輝度特性の経時変化を補償するための変換式を示す。

　さらに、補償パラメータ算出部２００１は、第２自発光素子Ｌ１ｂの状態と、第１駆動トランジスタＴ２ａの状態とに基づいて、第２自発光画素１０３ｂについてのＬ１ＩＬ補償パラメータ２０１１ｂを、第２補償パラメータ１２４ｂとして算出する。Ｌ１ＩＬ補償パラメータ２０１１ｂによって、第２自発光素子Ｌ１ｂについての変換モデルが決定される。例えば、第２自発光素子Ｌ１ｂについての変換モデルは、第２自発光素子Ｌ１ｂに関して電流輝度特性の経時変化を補償するための変換式を示す。なお、以下の説明では、Ｌ１ＩＬ補償パラメータ２０１１ａと、Ｌ１ＩＬ補償パラメータ２０１１ｂとを区別しない場合、Ｌ１ＩＬ補償パラメータ２０１１と称呼する。

　また、補償パラメータ算出部２００１は、第１自発光素子Ｌ１ａの状態に基づいてＬ１ＩＶ補償パラメータ１２５ａを算出する。同様に、補償パラメータ算出部２００１は、第１駆動トランジスタＴ２ａの状態に基づいて、Ｔ２ＩＶ補償パラメータ１２６ａを算出する。さらに、補償パラメータ算出部２００１は、第２自発光素子Ｌ１ｂの状態に基づいて、Ｌ１ＩＶ補償パラメータ１２５ｂを算出する。同様に、補償パラメータ算出部２００１は、第２駆動トランジスタＴ２ｂの状態に基づいて、Ｔ２ＩＶ補償パラメータ１２６ｂを算出する。

　本実施形態に係るメモリ１１３には、自発光画素１０３について、Ｌ１ＩＶ補償パラメータ１２５と、Ｔ２ＩＶ補償パラメータ１２６とが保存される。さらに、本実施形態に係るメモリ１１３には、Ｌ１ＩＬ補償パラメータ２０１１ａと、Ｌ１ＩＬ補償パラメータ２０１１ｂとが保存される。

　補償処理部２００２は、第１補償として、第１補償パラメータ１２４ａに基づいて、第１自発光素子Ｌ１ａの電流輝度特性の経時変化を補償する。さらに、補償処理部２００２は、第２補償として、第２補償パラメータ１２４ｂに基づいて、第２自発光素子Ｌ１ｂの電流輝度特性の経時変化を補償する。

　図２１は、第１駆動トランジスタＴ２ａに関する電圧シフト量ΔＶｇｓに応じた、第２自発光素子Ｌ１ｂに関する電圧シフト量ΔＶｆ２と、Ｌ１ＩＬ補償パラメータ２０１１ｂとの関係の一例を示す。図２１においては、横軸に第２自発光画素１０３ｂに関する電圧シフト量がとられ、縦軸にＬ１ＩＬ補償パラメータがとられている。

　例えば、メモリ１１３に、グラフ２１０１、グラフ２１０２によって示される第２自発光素子Ｌ１ｂに関する電圧シフト量ΔＶｆ２と、Ｌ１ＩＬ補償パラメータ２０１１ｂとの関係が保存されるとする。グラフ２１０１、グラフ２１０２は、第２自発光素子Ｌ１ｂを含む第２自発光画素１０３ｂから所定位置にある第１駆動トランジスタＴ２ａの状態に関する電圧シフト量ΔＶｇｓが相対的に小さい場合と大きい場合の、第２自発光素子Ｌ１ｂの状態に関する電圧シフト量ΔＶｆ２と、Ｌ１ＩＬ補償パラメータ２０１１ｂとの関係の一例を示す。

　例えば、補償処理部２００２は、式（３）に例示するように、第２自発光素子Ｌ１ｂの状態に関する電圧シフト量ΔＶｆ２に応じた一つのＬＵＴデータに、第１駆動トランジスタＴ２ａの状態に関する電圧シフト量ΔＶｇｓに応じた係数ｋを乗算することで、第２自発光画素１０３ｂに関するＬ１ＩＬ補償パラメータ２０１１ｂを算出する。

　次に、図２２を参照して、測定対象の第１自発光画素１０３ａの第１補償パラメータ１２４ａ及び測定対象の第２自発光画素１０３ｂの第２補償パラメータ１２４ｂを算出する処理について説明する。図２２は、本実施形態に係る制御装置１０１の動作の一例を示すフローチャートである。図２２についての説明において、第１自発光素子Ｌ１ａ、第２自発光素子Ｌ１ｂ、第１駆動トランジスタＴ２ａ、第２駆動トランジスタＴ２ｂは、図７についての説明と同様である。

　ステップＳ２２０１において状態取得部１１１は、第１自発光画素１０３ａに備えられる第１素子の電気的特性を測定することで第１状態データ１２１ａを取得する。本実施形態では、第１素子は、第１自発光素子Ｌ１ａおよび第１駆動トランジスタＴ２ａを含む。具体的には、状態取得部１１１は、第１自発光素子Ｌ１ａの電気的特性および第１駆動トランジスタＴ２ａの電気的特性を測定することで、第１状態データ１２１ａを取得する。

　ステップＳ２２０２において状態取得部１１１は第２自発光画素１０３ｂに備えられる第２素子の電気的特性を測定することで第２状態データ１２１ｂを取得する。本実施形態では、第２素子は、第２自発光素子Ｌ１ｂを含む。具体的には、状態取得部１１１は、第２自発光素子Ｌ１ｂの電気的特性を測定することで、第２状態データ１２１ｂを取得する。また、ステップＳ２２０２において状態取得部は、第２駆動トランジスタＴ２ｂの電気的特性を測定する。

　ステップＳ２２０３において補償パラメータ算出部２００１は、第１状態データ１２１ａによって示される第１自発光素子Ｌ１ａの状態に基づいて、第１自発光素子Ｌ１ａに関するＬ１ＩＬ補償パラメータ２０１１ａを算出する。

　ステップＳ２２０４において補償パラメータ算出部２００１は、第１状態データ１２１ａによって示される第１自発光素子Ｌ１ａの状態に基づいて、第１自発光素子Ｌ１ａに関するＬ１ＩＶ補償パラメータ１２５ａを算出する。

　ステップＳ２２０５において補償パラメータ算出部２００１は、第１状態データ１２１ａによって示される第１駆動トランジスタＴ２ａの状態に基づいて、第１駆動トランジスタＴ２ａに関するＴ２ＩＶ補償パラメータ１２６ａを算出する。

　ステップＳ２２０６において補償パラメータ算出部２００１は、第１自発光画素１０３ａに関するＬ１ＩＬ補償パラメータ２０１１ａと、Ｌ１ＩＶ補償パラメータ１２５ａと、Ｔ２ＩＶ補償パラメータ１２６ａとを、測定対象の第１自発光画素１０３ａの識別情報と関連付けてメモリ１１３に保存する。なお、本実施形態では、第１補償パラメータ１２４ａは、Ｌ１ＩＬ補償パラメータ２０１１ａ、Ｌ１ＩＶ補償パラメータ１２５ａおよびＴ２ＩＶ補償パラメータ１２６ａを含む。

　ステップＳ２２０７において補償パラメータ算出部２００１は、第１状態データ１２１ａによって示される第１駆動トランジスタＴ２ａの状態と、第２状態データ１２１ｂによって示される第２自発光素子Ｌ１ｂの状態とに基づいて、第２自発光素子Ｌ１ｂに関するＬ１ＩＬ補償パラメータ２０１１ｂを算出する。

　ステップＳ２２０８において補償パラメータ算出部２００１は、第２状態データ１２１ｂによって示される第２自発光素子Ｌ１ｂの状態に基づいて、第２自発光素子Ｌ１ｂに関するＬ１ＩＶ補償パラメータ１２５ｂを算出する。

　ステップＳ２２０９において補償パラメータ算出部２００１は、第２駆動トランジスタＴ２ｂの電気的特性に基づいて、第２駆動トランジスタＴ２ｂに関するＴ２ＩＶ補償パラメータ１２６ｂを算出する。

　ステップＳ２２１０において補償パラメータ算出部２００１は、第２自発光画素１０３ｂに関するＬ１ＩＬ補償パラメータ２０１１ｂと、Ｌ１ＩＶ補償パラメータ１２５ｂと、Ｔ２ＩＶ補償パラメータ１２６ｂとを、測定対象の第２自発光画素１０３ｂの識別情報と関連付けてメモリ１１３に保存する。なお、本実施形態では、第２補償パラメータ１２４ｂは、Ｌ１ＩＬ補償パラメータ２０１１ｂ、Ｌ１ＩＶ補償パラメータ１２５ｂおよびＴ２ＩＶ補償パラメータ１２６ｂを含む。

　次に、図２３を参照して、第１自発光画素１０３ａについての第１補償について説明する。図２３は、本実施形態に係る制御装置１０１における第１補償の一例を示すフローチャートである。図２３についての説明において、第１自発光素子Ｌ１ａ及び第１駆動トランジスタＴ２ａは、図８についての説明と同様である。

　ステップＳ２３０１において補償処理部２００２は、第１自発光素子Ｌ１ａに関するＬ１ＩＬ補償パラメータ２０１１ａをメモリ１１３から取得する。

　ステップＳ２３０２において補償処理部２００２は、第１補償として、Ｌ１ＩＬ補償パラメータ２０１１ａに基づいて、第１自発光素子Ｌ１ａの電流輝度特性を補償する。つまり、第１補償は、第１状態データ１２１ａに基づいて算出された第１補償パラメータ１２４ａに基づいて、第１自発光素子Ｌ１ａの電流輝度特性の経時変化を補償する。そして、補償処理部２００２は、処理をステップＳ２３０３に移行する。ステップＳ２３０３～Ｓ２３０９の処理は、図８に例示するステップＳ８０３～Ｓ８０９の処理と同様であるため、詳細な説明は省略する。

　次に、図２４を参照しながら、第２自発光画素１０３ｂについての第２補償について説明する。図２４は、本実施形態に係る制御装置１０１における第２補償の一例を示すフローチャートである。図２４についての説明において、第１自発光素子Ｌ１ａ、第２自発光素子Ｌ１ｂ、第１駆動トランジスタＴ２ａ及び第２駆動トランジスタＴ２ｂは、図９についての説明と同様である。

　ステップＳ２４０１において補償処理部２００２は、第２自発光素子Ｌ１ｂに関するＬ１ＩＬ補償パラメータ２０１１ｂをメモリ１１３から取得する。

　ステップＳ２４０２において補償処理部２００２は、Ｌ１ＩＬ補償パラメータ２０１１ｂに基づいて、第２自発光素子Ｌ１ｂの電流輝度特性を補償する。つまり、第２補償は、第１状態データ１２１ａと第２状態データ１２１ｂとに基づいて算出された第２補償パラメータ１２４ｂに基づいて、第２自発光素子Ｌ１ｂの電流輝度特性の経時変化を補償する。本実施形態に係る補償処理部２００２は、メモリ１１３に保存されるＬ１ＩＬ補償パラメータ２０１１ｂに基づいて、第２自発光素子Ｌ１ｂの電流輝度特性の経時変化を補償することで、他の実施形態よりも処理を簡素化できる。

　ステップＳ２４０３において補償処理部２００２は、第２自発光素子Ｌ１ｂに関して、ステップＳ２４０２で補償された電流輝度特性に補償対象の第２自発光画素１０３ｂに関する階調値を入力することで、第２自発光素子Ｌ１ｂの補正電流値を算出する。

　ステップＳ２４０４において補償処理部２００２は、Ｌ１ＩＶ補償パラメータ１２５ｂに基づいて、第２自発光素子Ｌ１ｂの電流電圧特性を補償する。

　ステップＳ２４０５において補償処理部２００２は、第２自発光素子Ｌ１ｂに関して、ステップＳ２４０４で補償された電流電圧特性に、ステップＳ２４０３で算出された補正電流値を入力することで、第２自発光素子Ｌ１ｂの電圧の電圧値を算出する。

　ステップＳ２４０６において補償処理部２００２は、第２駆動トランジスタＴ２ｂに関するＴ２ＩＶ補償パラメータ１２６ｂをメモリ１１３から取得する。

　ステップＳ２４０７において補償処理部２００２は、Ｔ２ＩＶ補償パラメータ１２６ｂに基づいて、第２駆動トランジスタＴ２ｂの電流電圧特性を補償する。

　ステップＳ２４０８において補償処理部２００２は、第２駆動トランジスタＴ２ｂに関して、ステップＳ２４０７で補償された電流電圧特性に、ステップＳ２４０３で算出された補正電流値を入力することで、第２駆動トランジスタＴ２ｂの電圧の電圧値を算出する。

　ステップＳ２４０９において補償処理部２００２は、ステップＳ２４０５で算出された第２自発光素子Ｌ１ｂの電圧の電圧値と、ステップＳ２４０８で算出された第２駆動トランジスタＴ２ｂの電圧の電圧値との和を、第２自発光画素１０３ｂの駆動電圧値１２８ｂとして算出する。

　図２５は、第１自発光画素１０３ａが青色のサブ画素であり、且つ第２自発光画素１０３ｂが赤色のサブ画素及び緑色のサブ画素である場合において、補償パラメータ算出部２００１の動作について説明するためのブロック図である。なお、Ｌ１ＩＶ補償パラメータ１２５Ｒ、Ｌ１ＩＶ補償パラメータ１２５Ｇ、Ｌ１ＩＶ補償パラメータ１２５Ｂ、Ｔ２ＩＶ補償パラメータ１２６Ｒ、Ｔ２ＩＶ補償パラメータ１２６Ｇ、及びＴ２ＩＶ補償パラメータ１２６Ｂについては、他の実施形態と同様であるため、詳細な説明は省略する。

　補償パラメータ算出部２００１は、青色のサブ画素に含まれる第１自発光素子Ｌ１ａについて、青色のサブ画素に含まれる第１自発光素子Ｌ１ａの状態に基づいて、青色のサブ画素についてのＬ１ＩＬ補償パラメータ２０１１Ｂを算出する（補償パラメータ算出部２００１の「〔Ｂｌｕｅ〕Ｌ１ＩＬ補償パラメータ演算」」）。

　また、補償パラメータ算出部２００１は、赤色のサブ画素に含まれる第２自発光素子Ｌ１ｂに関して、赤色のサブ画素に含まれる第２自発光素子Ｌ１ｂの状態と、青色のサブ画素に含まれる第１駆動トランジスタＴ２ａの状態とに基づいて、赤色のサブ画素に関するＬ１ＩＬ補償パラメータ２０１１Ｒを算出する（補償パラメータ算出部２００１の「〔Ｒｅｄ〕Ｌ１ＩＬ補償パラメータ演算」」）。また、補償パラメータ算出部２００１は、緑色のサブ画素に含まれる第２自発光素子Ｌ１ｂに関して、緑色のサブ画素に含まれる第２自発光素子Ｌ１ｂの状態と、青色のサブ画素に含まれる第１駆動トランジスタＴ２ａの状態とに基づいて、緑色のサブ画素に関するＬ１ＩＬ補償パラメータ２０１１Ｇを算出する（補償パラメータ算出部２００１の「〔Ｇｒｅｅｎ〕Ｌ１ＩＬ補償パラメータ演算」」）。つまり、第２自発光画素１０３ｂである赤色のサブ画素及び緑色のサブ画素については、青色のサブ画素に含まれる第１駆動トランジスタＴ２ａの状態を用いて、Ｌ１ＩＬ補償パラメータ２０１１Ｒ、及びＬ１ＩＬ補償パラメータ２０１１Ｇを算出する。

　図２６は、第１自発光画素１０３ａが青色のサブ画素であり、且つ第２自発光画素１０３ｂが赤色のサブ画素及び緑色のサブ画素である場合において、補償処理部２００２の動作について説明するための図である。

　補償処理部２００２は、第２自発光画素１０３ｂである赤色のサブ画素について、Ｌ１ＩＬ補償パラメータ２０１１Ｒに基づいて、発光効率補償比率を算出する（補償処理部２００２の「〔Ｒｅｄ〕Ｌ１ＩＬ補償演算」）。また、補償処理部２００２は、第２自発光画素１０３ｂである緑色のサブ画素について、Ｌ１ＩＬ補償パラメータ２０１１Ｇに基づいて、発光効率補償比率を算出する（補償処理部２００２の「〔Ｇｒｅｅｎ〕Ｌ１ＩＬ補償演算」）。また、補償処理部２００２は、第２自発光画素１０３ｂである青色のサブ画素について、Ｌ１ＩＬ補償パラメータ２０１１Ｂに基づいて、発光効率補償比率を算出する（補償処理部２００２の「〔Ｂｌｕｅ〕Ｌ１ＩＬ補償演算」）。赤色のサブ画素、緑色のサブ画素及び青色のサブ画素について、以降の処理は図１４に例示する表示装置の構成と同一であるため、詳細な説明は省略する。

　（第四実施形態）
　図２７～図３２を参照して、第四実施形態について説明する。なお、図面については、同一又は同様の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。他の実施形態と実質的に共通の機能を有する構成及び処理を共通の符号で参照して説明を省略し、他の実施形態と異なる点を説明する。

　図２７は、本実施形態に係る表示装置１００の構成の一例を示すブロック図である。図２７に例示する表示装置１００と、図１に例示する表示装置１００との相違点は、図２７に例示する表示装置１００は、状態取得部１１１、補償処理部１１４に替えて状態取得部２７０１、補償処理部２７０２を備える点にある。

　状態取得部２７０１は、第１自発光画素１０３ａの使用量を蓄積することで第１状態データ２７１１ａを取得し、且つ第２自発光画素１０３ｂの使用量を蓄積することで第２状態データ２７１１ｂを取得する。

　状態取得部２７０１は、メモリ２７０３と、電流換算部２７０４と、蓄積部２７０５と、状態データ生成部２７０６とを備える。例えば、電流換算部２７０４、蓄積部２７０５、状態データ生成部２７０６は、ＡＳＩＣ、ＦＰＧＡ等の論理回路により実現されてもよいし、ＣＰＵ等のプロセッサを用いてソフトウェアによって実現されてもよい。

　メモリ２７０３は、データを不揮発的に記憶する記憶媒体である。例えば、メモリ２７０３は、フラッシュＲＯＭである。

　電流換算部２７０４は、第１自発光画素１０３ａの使用量を電流値２７１２ａに換算する。同様に、電流換算部２７０４は、第２自発光画素１０３ｂの使用量を電流値２７１２ｂに換算する。

　蓄積部２７０５は、第１自発光画素１０３ａの使用量を蓄積する。具体的には、蓄積部２７０５は、電流値２７１２ａを蓄積する。同様に、蓄積部２７０５は、第２自発光画素１０３ｂの使用量を蓄積する。具体的には、蓄積部２７０５は、電流値２７１２ｂを蓄積する。

　状態データ生成部２７０６は、蓄積された電流値２７１２ａに基づいて、第１状態データ２７１１ａを算出する。同様に、状態データ生成部２７０６は、蓄積された電流値２７１２ｂに基づいて、第２状態データ２７１１ｂを算出する。

　補償処理部２７０２は、第１状態データ２７１１ａに基づいて、第１自発光画素１０３ａの経時変化を補償する第１補償を行う。さらに、補償処理部２７０２は、第１状態データ２７１１ａと、第２状態データ２７１１ｂとに基づいて、第２自発光画素１０３ｂの経時変化を補償する第２補償を行う。

　図２８は、補償処理部２７０２における自発光素子Ｌ１の電流輝度特性の補償処理に関して、経時変化前の入力階調値と、補償された出力階調値との関係の一例を示すグラフ２８０１と、経時変化後の入力階調値と出力階調値との関係の一例を示すグラフ２８０２とを示す図である。図２８においては、横軸に入力階調値がとられ、縦軸に出力階調値がとられている。図２８に例示するように、経時変化後においては、経時変化前よりも高い階調値が出力されるように補償する必要がある。これにより、経時変化後においては、経時変化前と同程度の輝度で、自発光素子Ｌ１が発光するように補償する必要がある。

　図２９は、自発光画素１０３の使用量と、自発光画素１０３自身に関する補償係数（自画素についての補償係数。以下、第１補償係数とも呼ぶ。）との関係の一例を示すグラフ２９０１を示す図である。図２９においては、横軸に自発光画素１０３の使用量がとられ、縦軸に自画素についての補償係数（第１補償係数）がとられている。図２９に例示するように、自発光画素１０３の使用量が増加するほど、第１補償係数の値が大きくなる。例えば、自発光画素１０３の使用開始時点で、第１補償係数の値は１．００であるとする。一方、図２９に例示するように、自発光画素１０３の使用量が増加した場合、第１補償係数の値は１．２５である。

　図３０は、第２自発光画素１０３ｂから所定位置にある第１自発光画素１０３ａの使用量と、その第２自発光画素１０３ｂについての補償係数（以下、第２補償係数とも呼ぶ）との関係の一例を示すグラフ３００１を示す図である。図３０においては、横軸に第１自発光画素１０３ａの使用量がとられ、縦軸に第２自発光画素１０３ｂについての補償係数（第２補償係数）がとられている。図３０に例示するように、第１自発光画素１０３ａの使用量が増加するほど、第２補償係数の値が大きくなる。例えば、第１自発光画素１０３ａの使用開始時点で、第２補償係数の値は１．００であるとする。一方、第１自発光画素１０３ａの使用量が増加した場合、第２補償係数の値は１．１５である。

　上記の通り、補償処理部２７０２は、第１状態データ２７１１ａに基づいて、第１自発光画素１０３ａの経時変化を補償する第１補償を行う。より具体的には、例えば、補償処理部２７０２は、第１自発光画素１０３ａに関しては、図２９に示した第１補償係数に基づいて第１補償を行う。例えば、ある第１自発光画素１０３ａの使用量が大きい場合を考える。この時、第１自発光画素１０３ａの第１補償係数が１．２５であったとする。すると、補償処理部２７０２は、第１自発光画素１０３ａの最終的な補償係数（これが、本実施形態における第１補償に用いる補償係数である）を１．２５と算出する。

　一方、上記の通り、補償処理部２７０２は、第１状態データ２７１１ａと、第２状態データ２７１１ｂとに基づいて、第２自発光画素１０３ｂの経時変化を補償する第２補償を行う。より具体的には、例えば、補償処理部２７０２は、第２自発光画素１０３ｂに関しては、図２９に示した第１補償係数および、第２自発光画素１０３ｂから所定位置にある第１自発光画素１０３ａに関して図３０に示した第２補償係数に基づいて、第２補償を行う。例えば、ある第２自発光画素１０３ｂおよび所定位置にある第１自発光画素１０３ａが共に使用量が大きい場合を考える。この時、第２自発光画素１０３ｂの第１補償係数が１．２５、第２補償係数が１．１５であったとする。すると、補償処理部２７０２は、第２自発光画素１０３ｂの最終的な補償係数（これが、本実施形態における第２補償に用いる補償係数である）を、第１補償係数×第２補償係数＝１．４３７５と算出する。このような処理を行うのは、前記の通り、第２自発光画素１０３ｂの劣化に対して、第２自発光画素１０３ｂから所定位置にある第１自発光画素１０３ａの発光が影響を与えると考えられるからである。

　次に、図３１を参照して、測定対象の第１自発光画素１０３ａの第１補償の処理及び測定対象の第２自発光画素１０３ｂの第２補償の処理について説明する。図３１は、本実施形態に係る制御装置１０１の動作の一例を示すフローチャートである。

　ステップＳ３１０１において電流換算部２７０４は、第１自発光画素１０３ａの使用量を電流値２７１２ａに換算する。具体的には、電流換算部２７０４は、第１自発光画素１０３ａの出力階調値によって示される使用量を電流値２７１２ａに換算する。例えば、第１自発光画素１０３ａの出力階調値が高い程、電流値２７１２ａは大きい。

　例えば、電流換算部２７０４は、所定のフレーム間隔で、第１自発光画素１０３ａの出力階調値によって示される使用量を電流値２７１２ａに換算する。例えば、所定のフレーム間隔が、６０フレーム間隔であり、且つ制御装置１０１が、６０ｆｐｓ（frames per second）で入力画像を取得する場合、電流換算部２７０４は、１秒間隔で第１自発光画素１０３ａの出力階調値によって示される使用量を電流値２７１２ａに換算する。

　ステップＳ３１０２において電流換算部２７０４は、第１自発光画素１０３ａと同一の時間間隔で、第２自発光画素１０３ｂの使用量を電流値２７１２ｂに換算する。具体的には、電流換算部２７０４は、第２自発光画素１０３ｂの出力階調値によって示される使用量を電流値２７１２ｂに換算する。例えば、第２自発光画素１０３ｂの出力階調値が大きい程、電流値２７１２ｂは大きい。

　ステップＳ３１０３において蓄積部２７０５は、ステップＳ３１０１で換算された電流値２７１２ａを蓄積する。具体的には、蓄積部２７０５は、各第１自発光画素１０３ａ及び各第２自発光画素１０３ｂについて所定容量のメモリを備える。例えば、第１自発光画素１０３ａが出力階調値で第１色光を発光した場合に、電流換算部２７０４は、８ｂｉｔである電流値２７１２ａを換算したとする。そして、蓄積部２７０５が、各第１自発光画素１０３ａについて２０ｂｉｔのメモリを備え、且つ第１自発光画素１０３ａが最大階調値で継続して第１色光を発光したとする。その場合、蓄積部２７０５において、当該第１自発光画素１０３ａについてのメモリは約６８分で容量の上限に達する。

　ステップＳ３１０４において蓄積部２７０５は、ステップＳ３１０２で換算された電流値２７１２ｂを蓄積する。

　ステップＳ３１０５において状態データ生成部２７０６は、ステップＳ３１０３で蓄積された電流値２７１２ａに基づいて、第１状態データ２７１１ａを算出する。例えば、状態データ生成部２７０６は、蓄積部２７０５に蓄積された電流値２７１２ａが所定の閾値を超えた場合、第１状態データ２７１１ａの値を増加させてメモリ２７０３に保存する。そして、状態データ生成部２７０６は、蓄積部２７０５に蓄積された電流値２７１２ａを０にする。ステップＳ３１０１、ステップＳ３１０３、ステップＳ３１０５の処理により、状態取得部２７０１は、第１自発光画素１０３ａの使用量を蓄積して第１状態データ２７１１ａを取得する。

　ステップＳ３１０６において状態データ生成部２７０６は、ステップＳ３１０４で蓄積された電流値２７１２ｂに基づいて、第２状態データ２７１１ｂを算出する。例えば、状態データ生成部２７０６は、蓄積部２７０５に蓄積された電流値２７１２ｂが所定の閾値を超えた場合、第２状態データ２７１１ｂの値を増加させてメモリ２７０３に保存する。そして、状態データ生成部２７０６は、蓄積部２７０５に蓄積された電流値２７１２ｂを０にする。ステップＳ３１０２、ステップＳ３１０４、ステップＳ３１０６の処理により、状態取得部２７０１は、第２自発光画素１０３ｂの使用量を蓄積して第２状態データ２７１１ｂを取得する。

　ステップＳ３１０７において補償処理部２７０２は、第１補償として、ステップＳ３１０５で算出された第１状態データ２７１１ａに基づいて、第１自発光素子Ｌ１ａの電流輝度特性の経時変化を補償する。具体的には、補償処理部２７０２は、第１状態データ２７１１ａによって示される第１自発光画素１０３ａの使用量に基づいて、第１自発光画素１０３ａについての補償係数を算出し、その補償係数に基づいて、第１自発光画素１０３ａの電流輝度特性の経時変化を補償することにより、第１補償を行う。

　ステップＳ３１０８において補償処理部２７０２は、第２補償として、ステップＳ３１０５で算出された第１状態データ２７１１ａおよびステップＳ３１０６で算出された第２状態データ２７１１ｂに基づいて、第２自発光素子Ｌ１ｂの電流輝度特性の経時変化を補償する。具体的には、補償処理部２７０２は、第１状態データ２７１１ａによって示される第１自発光画素１０３ａの使用量と、第２状態データ２７１１ｂによって示される第２自発光画素１０３ｂの使用量とに基づいて、第２自発光画素１０３ｂについての補償係数を算出し、その補償係数に基づいて、第２自発光画素１０３ｂの電流輝度特性の経時変化を補償することで、第２補償を行う。

　図３２は、第１自発光画素１０３ａが青色のサブ画素であり、且つ第２自発光画素１０３ｂが赤色のサブ画素及び緑色のサブ画素である場合における本実施形態に係る表示装置１００の構成の一例を示すブロック図である。以下の説明では、補償処理部２７０２における処理について説明する。

　補償処理部２７０２は、第２自発光画素１０３ｂである赤色のサブ画素に備えられる第２自発光素子Ｌ１ｂに関する第２補償として、第１状態データ２７１１ａおよび第２状態データ２７１１ｂに基づいて、第２自発光素子Ｌ１ｂの電流輝度特性を補償する（補償処理部２７０２の「〔Ｒｅｄ〕Ｌ１ＩＬ補償演算」）。具体的には、補償処理部２７０２は、赤色のサブ画素に備えられる第２自発光素子Ｌ１ｂに関して、赤色のサブ画素に関する第２状態データ２７１１Ｒに基づき、図２９を用いて説明した第１補償係数を求める。また、補償処理部２７０２は、赤色のサブ画素に備えられる第２自発光素子Ｌ１ｂに関して、赤色サブ画素から所定位置にある青色のサブ画素に関する第１状態データ２７１１Ｂに基づき、図３０を用いて説明した第２補償係数を求める。そして、補償処理部２７０２は、第１補償係数および第２補償係数から、赤色のサブ画素に備えられる第２自発光素子Ｌ１ｂに関する第２補償に用いる補償係数を算出する。

　補償処理部２７０２は、第２自発光画素１０３ｂである緑色のサブ画素に備えられる第２自発光素子Ｌ１ｂに関する第２補償として、第１状態データ２７１１ａおよび第２状態データ２７１１ｂに基づいて、第２自発光素子Ｌ１ｂの電流輝度特性を補償する（補償処理部２７０２の「〔Ｇｒｅｅｎ〕Ｌ１ＩＬ補償演算」）。その具体的な処理は赤色のサブ画素についての第２補償の処理と同様であるため、詳細な説明は省略する。

　補償処理部２７０２は、第１自発光画素１０３ａである青色のサブ画素に備えられる第１自発光素子Ｌ１ａに関する第１補償として、第１状態データ２７１１ａに基づいて、第１自発光素子Ｌ１ａの電流輝度特性を補償する（補償処理部２７０２の「〔Ｂｌｕｅ〕Ｌ１ＩＬ補償演算」）。具体的には、補償処理部２７０２は、青色のサブ画素に備えられる第１自発光素子Ｌ１ａに関して、青色のサブ画素に関する第１状態データ２７１１Ｂに基づき、第１補償係数を求める。そして、補償処理部２７０２は、第１補償係数から、青色のサブ画素に備えられる第１自発光素子Ｌ１aに関する第１補償に用いる補償係数を算出する。

　以上より、本実施形態に係る制御装置１０１は、第１自発光画素１０３ａ及び第２自発光画素１０３ｂの電気的特性を測定することなく、第１自発光画素１０３ａの使用量及び第２自発光画素１０３ｂの使用量に応じて、第１自発光画素１０３ａの電流輝度特性の経時変化、及び第２自発光画素１０３ｂの電流輝度特性の経時変化を補償できる。

　本開示は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態に夫々開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本開示の技術的範囲に含まれる。更に、各実施形態に夫々開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。

Claims

　表示パネルに含まれ且つ第１色光を発光する第１自発光画素に含まれる第１素子の状態に関する第１状態データと、前記表示パネルに含まれ且つ前記第１色光の波長よりも長い第２色光を発光する第２自発光画素に含まれる第２素子の状態に関する第２状態データとを取得する状態取得部と、
　前記第１状態データに基づいて、前記第１自発光画素の経時変化を補償する第１補償を行い、前記第１状態データと前記第２状態データとに基づいて、前記第２自発光画素の経時変化を補償する第２補償を行う補償処理部と、
　を備える
制御装置。
　前記第１自発光画素は、前記第２自発光画素から所定位置である
請求項１に記載の制御装置。
　前記第１素子は、前記第１色光を発光する第１自発光素子を含み、
　前記第２素子は、前記第２色光を発光する第２自発光素子を含み、
　前記第１補償は、前記第１自発光素子の電流輝度特性の経時変化を補償し、
　前記第２補償は、前記第２自発光素子の電流輝度特性の経時変化を補償する
請求項１又は２に記載の制御装置。
　前記第１状態データは、前記第１自発光素子の状態を示し、
　前記第２状態データは、前記第２自発光素子の状態を示し、
　前記第１補償は、前記第１自発光素子の状態に基づいて、前記第１自発光素子の電流輝度特性の経時変化を補償し、
　前記第２補償は、前記第１自発光素子の状態と前記第２自発光素子の状態とに基づいて、前記第２自発光素子の電流輝度特性の経時変化を補償する
請求項３に記載の制御装置。
　前記第１素子は、前記第１自発光素子に流れる電流を制御する駆動トランジスタをさらに含み、
　前記第１状態データは、前記第１自発光素子の状態と、前記駆動トランジスタの状態とを示し、
　前記第２状態データは、前記第２自発光素子の状態を示し、
　前記第１補償は、前記第１自発光素子の状態に基づいて、前記第１自発光素子の電流輝度特性の経時変化を補償し、
　前記第２補償は、前記駆動トランジスタの状態と前記第２自発光素子の状態とに基づいて、前記第２自発光素子の電流輝度特性の経時変化を補償する
請求項３に記載の制御装置。
　前記第１素子は、前記第１自発光素子に流れる電流を制御する第１駆動トランジスタをさらに含み、
　前記第２素子は、前記第２自発光素子に流れる電流を制御する第２駆動トランジスタをさらに含み、
　前記第１状態データは、前記第１駆動トランジスタの状態を示し、
　前記第２状態データは、前記第２駆動トランジスタの状態を示し、
　前記第１補償は、前記第１駆動トランジスタの状態に基づいて、前記第１自発光素子の電流輝度特性の経時変化を補償し、
　前記第２補償は、前記第１駆動トランジスタの状態と前記第２駆動トランジスタの状態とに基づいて、前記第２自発光素子の電流輝度特性の経時変化を補償する
請求項３に記載の制御装置。
　前記第１状態データに基づいて第１補償パラメータを算出し、且つ前記第２状態データに基づいて第２補償パラメータを算出する補償パラメータ算出部をさらに備え、
　前記第１補償は、前記第１補償パラメータに基づいて、前記第１自発光素子の電流輝度特性の経時変化を補償し、
　前記第２補償は、前記第１補償パラメータと前記第２補償パラメータとに基づいて、前記第２自発光素子の電流輝度特性の経時変化を補償する
請求項３～６のいずれか１項に記載の制御装置。
　前記第１状態データに基づいて第１補償パラメータを算出し、且つ前記第１状態データと前記第２状態データとに基づいて第２補償パラメータを算出する補償パラメータ算出部をさらに備え、
　前記第１補償は、前記第１補償パラメータに基づいて、前記第１自発光素子の電流輝度特性の経時変化を補償し、
　前記第２補償は、前記第２補償パラメータに基づいて、前記第２自発光素子の電流輝度特性の経時変化を補償する
請求項３～６のいずれか１項に記載の制御装置。
　前記状態取得部は、前記第１素子の電気的特性を測定することで前記第１状態データを取得し、且つ前記第２素子の電気的特性を測定することで前記第２状態データを取得する
請求項１～８のいずれか１項に記載の制御装置。
　前記状態取得部は、前記第１自発光画素の使用量を蓄積することで前記第１状態データを取得し、且つ前記第２自発光画素の使用量を蓄積することで前記第２状態データを取得する
請求項１～８のいずれか１項に記載の制御装置。
　前記第１色光は、青色光であり、前記第２色光は、赤色光又は緑色光である
請求項１～１０のいずれか１項に記載の制御装置。
　前記第１色光は、緑色光であり、前記第２色光は、赤色光である
請求項１～１０のいずれか１項に記載の制御装置。
　前記第１自発光画素及び前記第２自発光画素は、有機ＥＬ素子を含む
請求項１～１２のいずれか１項に記載の制御装置。
　前記第１自発光画素及び前記第２自発光画素は、量子ドットにより構成されるＥＬ素子を含む
請求項１～１２のいずれか１項に記載の制御装置。
　請求項１～１４のいずれか１項に記載の制御装置と、
　前記表示パネルと、
　を備え、
　前記表示パネルは、複数の自発光画素を含み、
　前記制御装置は、前記複数の自発光画素の各自発光画素を前記第１自発光画素又は前記第２自発光画素として、前記第１補償又は前記第２補償によって補正された階調値から決定される駆動電圧を、前記各自発光画素に供給して前記各自発光画素を駆動する表示制御部をさらに備える
表示装置。
　表示パネルに含まれ且つ第１色光を発光する第１自発光画素に含まれる第１素子の状態に関する第１状態データと、前記表示パネルに含まれ且つ前記第１色光の波長よりも長い第２色光を発光する第２自発光画素に含まれる第２素子の状態に関する第２状態データとを取得する工程と、
　前記第１状態データに基づいて、前記第１自発光画素の経時変化を補償する第１補償を行い、前記第１状態データと前記第２状態データとに基づいて、前記第２自発光画素の経時変化を補償する第２補償を行う工程と、
　を含む
制御方法。
　第１色光を発光する複数の第１自発光画素と、前記第１色光の波長よりも長い第２色光を発光する複数の第２自発光画素とを含む表示パネルに含まれる第１領域において第１表示が行われ、且つ前記表示パネルに含まれる第２領域において第２表示が行われた後、前記第２領域に含まれる第２自発光画素に印加する電圧を、前記第１領域に含まれる第２自発光画素に印加する電圧よりも高くし、
　前記第１表示において、前記第１領域に含まれる第１自発光画素が第１階調値で前記第１色光を発光し、且つ前記第１領域に含まれる第２自発光画素が第１階調値より高い第２階調値で発光し、
　前記第２表示において、前記第２領域に含まれる第１自発光画素及び第２自発光画素が前記第２階調値で発光する
補償処理部を備える
制御装置。