CN110827757A - Oled电路补偿方法 - Google Patents
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Abstract
一种OLED电路补偿方法,所述电路补偿方法包括复位阶段、阈值电压提取阶段、维持阶段、发光阶段、休息阶段,所述时钟信号线为方波脉冲,时钟信号线包括连续的第一低电平、第一高电平、第二低电平方波信号,第一低电平包括复位阶段、阈值电压提取阶段、维持阶段,第一高电平为发光阶段,第二低电平为休息阶段;所述上一级扫描信号在复位阶段为高电平,其余时间低电平,所述当前级扫描信号在阈值电压提取阶段高电平,其余时段低电平。本方案无需Em GIP驱动电路,这样带来三个好处:1.OLED可有恢复休息阶段,减轻OLED恶化程度;2.无需设计复杂的Em驱动电路,增加良率;3.无Em电路,有利于窄边框设计。
Description
技术领域
本发明涉及像素电路显示优化技术,尤其涉及一种能够新的OLED像素驱动补偿方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)依驱动方式可分为被动式矩阵驱动(Passive Matrix OLED,PMOLED)和主动式矩阵驱动(Active Matrix OLED,AMOLED)两种。其中,PMOLED是当数据未写入时并不发光,只在数据写入期间发光。这种驱动方式结构简单、成本较低、较容易设计,主要适用于中小尺寸的显示器。
最后,AM代表Active Matrix,是相对于Passive Matrix而言的,是指每个OLED像素的驱动方式。在Passive Matrix中,每个像素的控制是通过一个复杂的电极网络来实现的,从而实现某个像素的充放电,总体来说,Passive Matrix的控制方式相对速度较慢,控制精度也稍低。而与Passive Matrix不同,Active Matrix则是在每个LED上都加装了TFT和电容层,这样在某一行某一列通电激活相交的那个像素时,像素中的电容层能够在两次刷新之间保持充电状态,从而实现更快速和更精确的像素发光控制。
由于AMOLED面板上的电压VDD于每个像素间都连接在一起,当驱动发光时,电压VDD上会有电流流过。考虑到VDD金属线本身具有阻抗,会有压降存在,造成每一像素的VDD会出现差异,导致不同像素间存在电流差异。如此一来,流经OLED的电流不同,所产生的亮度也不同,进而AMOLED面板不均匀。另外,由于制程的影响,每一像素中的薄膜晶体管的阈值电压均不相同,即使提供相同数值的电压Vdata,其所产生的电流仍然会有差异,这也将造成面板不均匀。此外,如果采用像素补偿电路对上述电压进行补偿,大部分补偿电路又会受限于扫描时间太短而影响补偿效果。
解决这种方式在小尺寸上一般采用OLED内部补偿电路的方式,但是内部补偿电路往往需要更加复杂的驱动讯号,不仅需要Scan驱动讯号,也需要Em驱动讯号;这就增加GIP电路设计的复杂度,同时也不利于窄边框设计。
有鉴于此,如何设计一种用于AMOLED面板的像素补偿电路,以有效地改进或消除上述面板不均匀等诸多缺陷,同时尽量减少所需的驱动讯号。
发明内容
为此,需要提供一种新的像素补偿方法,解决现有技术像素发光效果不良的问题。
为实现上述目的,发明人提供了一种OLED电路补偿方法,其特征在于,适用于OLED电路,所述OLED电路包括薄膜晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7,电容C1,电源电压VDD连接所述T5的源极和T4的源极连接,所述T5的栅极与T6的栅极连接并接入时钟信号线,T5的漏极与T1、T2的源极连接;所述T4的栅极与上一级扫描信号连接,漏极与T3的源极及T1的栅极连接;所述T3的栅极与T2的栅极与当前级扫描信号连接,所述T2的漏极还与数据信号连接,T3的漏极还与T1的漏极和T6的源极连接,T6的漏极还与T7的漏极连接,所述T7的栅极与当前级扫描信号线连接,T7的源极接参考电压;
所述电路补偿方法包括复位阶段、阈值电压提取阶段、维持阶段、发光阶段、休息阶段,
所述时钟信号线为方波脉冲,时钟信号线包括连续的第一低电平、第一高电平、第二低电平方波信号,第一低电平包括复位阶段、阈值电压提取阶段、维持阶段,第一高电平为发光阶段,第二低电平为休息阶段;所述上一级扫描信号在复位阶段为高电平,其余时间低电平,所述当前级扫描信号在阈值电压提取阶段高电平,其余时段低电平。
区别于现有技术,上述方案能够通过驱动电路对显示进行补偿,从而解决显示效果不佳的问题,同时无需Em GIP驱动电路,这样带来三个好处:1.OLED可有恢复休息阶段,减轻OLED恶化程度;2.无需设计复杂的Em驱动电路,增加良率;3.无Em电路,有利于窄边框设计。
附图说明
图1为具体实施方式所述的7T1C电路设计图;
图2为具体实施方式所述的补偿讯号示意图;
图3为具体实施方式所述的复位阶段示意图;
图4为具体实施方式所述的阈值电压提取阶段示意图;
图5为具体实施方式所述的维持阶段示意图;
图6为具体实施方式所述的发光阶段示意图;
图7为具体实施方式所述的休息阶段示意图;
图8为具体实施方式所述的ECK1和ECK2时序图;
图9为具体实施方式所述的面板中GIP电路布局图。
具体实施方式
为详细说明技术方案的技术内容、构造特征、所实现目的及效果,以下结合具体实施例并配合附图详予说明。
请参阅图1,总计七个TFT晶体管和一个电容,即7T1C设计,晶体管为N型结构。从图中我们可以看到,一种OLED电路补偿方法,其特征在于,适用于OLED电路,所述OLED电路包括薄膜晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7,电容C1,电源电压VDD连接所述T5的源极和T4的源极连接,所述T5的栅极与T6的栅极连接并接入时钟信号线,T5的漏极与T1、T2的源极连接;所述T4的栅极与上一级扫描信号连接,漏极与T3的源极及T1的栅极连接;所述T3的栅极与T2的栅极与当前级扫描信号连接,所述T2的漏极还与数据信号连接,T3的漏极还与T1的漏极和T6的源极连接,T6的漏极还与T7的漏极连接,所述T7的栅极与当前级扫描信号线连接,T7的源极接参考电压;
所述电路补偿方法包括复位阶段、阈值电压提取阶段、维持阶段、发光阶段、休息阶段,
所述时钟信号线为方波脉冲,时钟信号线包括连续的第一低电平、第一高电平、第二低电平方波信号,第一低电平包括复位阶段、阈值电压提取阶段、维持阶段,第一高电平为发光阶段,第二低电平为休息阶段;所述上一级扫描信号在复位阶段为高电平,其余时间低电平,所述当前级扫描信号在阈值电压提取阶段高电平,其余时段低电平。
图2是给出了本发明补偿讯号示意图,共计四个阶段,分别为复位阶段t1、阈值电压提取和数据写入阶段t2、维持阶段t3、发光期间t4和休息阶段t5。更具体地,在复位阶段,主要复位A和C点电压,在维持阶段,各电位电压不变,在补偿阶段主要提取t1 TFT的VTh,在发光阶段,在驱动OLED device时,提取OLED的驱动电压(阳极电压)实现对OLED device补偿。最后在休息阶段,Eck讯号为低电位,OLED不发光,处于休息阶段;以下为各阶段的具体过程。
图3t1复位阶段:scan(n-1)讯号为高电位,T1、T4和T7 TFT全部打开,此时A点电位为VDD,其中VDD为高电压,保证T1 TFT能够打开,此阶段完成A点电位的复位。
图4t2阈值电压提取阶段:scan(n)为高电位,scan(n-1)和Em为低电位,T7、T1、T2和T3 TFT打开,其它TFT仍关闭,T7打开,C点电位为ref,因T3 TFT打开,A和B两点电位相等,但A点电压会发生变化,A点在这个阶段的起始电压为VDD,由于T1 TFT打开,A点电压会慢慢变低,A点电压会经T3、T1和T2流向Vdata,当A点和Vdata电压差Vgs(T1)=Vth时,T1关闭,此时A点电压变为Vdata+Vth。A点电压与T1 TFT相关,完成T1 TFT Vth提取。
图5scan和Em讯号都为低电位,所有的TFT都是关闭状态,故各点电位保持不变。
图6scan变为低,Em讯号变成高电位,T1、T5和T6 TFT打开,其它的TFT处于关闭状态,
此时各点电位变化如下:
由于此时OLED处于发光阶段,B点电位为OLED驱动电压V_OLED
B:V_OLED
T6 TFT打开,C点电位由Vref转变为V_OLED
C:V_OLED
A点电位会受到电容C耦合效应,电容C两端在T3阶段的电压分别是Vref(C点)和Vdata+Vth(A点),当到T4阶段时,C点电压变为V_OLED,故A点电压变为:
A:Vdata+Vth-Vref+VOLED
上述结果是认为A点电位是受电容100%耦合效应,即A点处电容C外无其它寄生电容。
有饱和区电流公式Ioled=1/2*k*(VGS_T4-VTh)2可得,OLED器件的最终驱动电流为:
Ioled=1/2K(Vdata-Vref-)^2(K是与TFT的size、mobility等相关的参数)
Ioled只有数据讯号和参考电压Vref相关,而与Vth_T1和V_OLED无关;进而补偿T1晶体管的阈值电压飘逸和OLED器件驱动电压变化引起的显示不均。
图7是OLED休息阶段,所有TFT关闭,各点电位保持不变,OLED此时无电流流过,处于休息恢复状态,这个过程有利于OLED期间的恢复;由于Eck是高频讯号(一般频率大于1000Hz)故人眼无法感觉亮暗交替。
图8和图9是ECK1和ECK2时序图以及面板中GIP电路布局图,Eck1和Eck2互为反向,其中他们低电位的时间段即是传统内部补偿电路中Em1、Em2等Em驱动讯号,其中t1和t2时间段根据补偿电路实际需求来决定;采用这种电路的驱动方法可直接采用Eck1和Eck驱动,其中Eck1驱动奇数行,Eck2驱动偶数行(如采用4或8条Eck也可实现,本发明只是以2条Eck示例,但不局限于此),这样就如图9所示,无需Em GIP驱动电路,这样带来三个好处:1.OLED可有恢复休息阶段,减轻OLED恶化程度;2.无需设计复杂的Em驱动电路,增加良率;3.无Em电路,有利于窄边框设计。
需要说明的是,尽管在本文中已经对上述各实施例进行了描述,但并非因此限制本发明的专利保护范围。因此,基于本发明的创新理念,对本文所述实施例进行的变更和修改,或利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,直接或间接地将以上技术方案运用在其他相关的技术领域,均包括在本发明的专利保护范围之内。
Claims (1)
1.一种OLED电路补偿方法,其特征在于,适用于OLED电路,所述OLED电路包括薄膜晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7,电容C1,电源电压VDD连接所述T5的源极和T4的源极连接,所述T5的栅极与T6的栅极连接并接入时钟信号线,T5的漏极与T1、T2的源极连接;所述T4的栅极与上一级扫描信号连接,漏极与T3的源极及T1的栅极连接;所述T3的栅极与T2的栅极与当前级扫描信号连接,所述T2的漏极还与数据信号连接,T3的漏极还与T1的漏极和T6的源极连接,T6的漏极还与T7的漏极连接,所述T7的栅极与当前级扫描信号线连接,T7的源极接参考电压;
所述电路补偿方法包括复位阶段、阈值电压提取阶段、维持阶段、发光阶段、休息阶段,
所述时钟信号线为方波脉冲,时钟信号线包括连续的第一低电平、第一高电平、第二低电平方波信号,第一低电平包括复位阶段、阈值电压提取阶段、维持阶段,第一高电平为发光阶段,第二低电平为休息阶段;所述上一级扫描信号在复位阶段为高电平,其余时间低电平,所述当前级扫描信号在阈值电压提取阶段高电平,其余时段低电平。
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20200221 |
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