CN101740727B - 一种oled显示器件的制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种OLED显示器件的制备方法，首先在洁净的ITO导电玻璃基板上制备ITO阳极图形；接着在制备好ITO阳极图形的导电玻璃基板上，采用磁控溅射工艺制备厚度为0.1-10nm的ZnSe缓冲层；然后在ZnSe缓冲层上采用真空蒸镀工艺蒸镀厚度为10-50nm NPB空穴传输层；在NPB空穴传输层上，采用真空蒸镀工艺蒸镀厚度为50-80nm的NPB-Rubrene-Zn(BTZ)2发光层，其中Zn(BTZ)2为主体发光材料、NPB及Rubrene为掺杂材料；在NPB-Rubrene-Zn(BTZ)2发光层上，再采用真空蒸镀的方法依次蒸镀厚度分别0.1-5nm和40-100nmLiF层和Al层，制成阴电极；最后采用封装盖板对已制好各层进行整体封装，完成OLED显示器件制备。

Description

一种OLED显示器件的制备方法
技术领域
本发明涉及发光显示器件的制备方法，特别涉及一种OLED(有机电致发光二极管)显示器件的制备方法。
背景技术
近年来，作为新型自发光式显示器，OLED显示器件的开发一直在加速地进行。有机电致发光显示器件的基本结构为：在透明基板的上边，按照顺序形成由透明电极构成的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子发光层及阴极的构造。在该构造的有机电致发光显示器件中，电子和孔穴在发光层结合产生辐射发光。有机电致发光显示器件的内层结构变化、制备工艺调整直接影响到显示器件的色彩性能、发光效率及寿命，因此，有机电致发光显示器件的制备方法一直是人们关注及研究的重点。
发明内容
本发明的目的在于提供一种OLED显示器件新的制备方法，采用该方法制备的OLED显示器件可以发出白光，该白光OLED显示器件可用于照明领域及全彩色显示领域。当应用于照明领域时，直接采用本发明方法即可完成白光照明产品的制备；当应用于全彩色显示领域时，采用本发明方法制备的OLED显示器件发出白光，通过贴附红、绿、蓝三基色彩色滤光片即可完成全彩色OLED显示器件的制备。
为达到以上目的，本发明是采取如下技术方案予以实现的：
一种OLED显示器件的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：
(1)在洁净的ITO导电玻璃基板上制备ITO阳极图形；
(2)在制备好ITO阳极图形的导电玻璃基板上，采用磁控溅射工艺制备厚度为0.1-10nm的ZnSe缓冲层；
(3)在ZnSe缓冲层上采用真空蒸镀工艺蒸镀厚度为10-50nm NPB空穴传输层；
(4)在NPB空穴传输层上，采用真空蒸镀工艺蒸镀厚度为50-80nm的NPB-Rubrene-Zn(BTZ)2发光层，其中Zn(BTZ)2为主体发光材料、NPB及Rubrene为掺杂材料；
(5)在NPB-Rubrene-Zn(BTZ)2发光层上，采用真空蒸镀的方法依次蒸镀厚度分别0.1-5nm和40-100nmLiF层和Al层，制成阴电极；
(6)采用封装盖板对已制好各层进行整体封装，完成OLED显示器件制备。
上述方法中，所述NPB-Rubrene-Zn(BTZ)2发光层中，按重量百分比NPB为0.01-1.0％，Rubrene为0.01-2.0％，余量为Zn(BTZ)2。所述步骤(3)中，真空度为5*10-5Pa，NPB沉积速率为0.1-1.5nm/s。所述步骤(4)中，真空度为5*10-5Pa，NPB-Rubrene-Zn(BTZ)2沉积速率为0.1-2.0nm/s。所述步骤(5)中，真空度为5*10-5Pa，LiF层和Al层沉积速率为0.1-10.0nm/s。
本发明在阳极与空穴传输层之间***了厚度为0.1-10nm ZnSe缓冲层，ZnSe缓冲层的加入可有效地降低空穴载流子到达发光层的速率，使得空穴与电子在OLED显示器件中能够平衡注入，从而降低了OLED显示器件的启动电压，改善器件发光效率。
发光层采用Zn(BTZ)2为主体发光材料、NPB及Rubrene为掺杂材料。实现白光发射。在主体发光材料Zn(BTZ)2中掺入0.01-1.0％的NPB以及0.01-2.0％的Rubrene对发光颜色进行调配。其中NPB的掺杂一方面降低了发光层与空穴传输层NPB之间的势垒；另一方面NPB可向Rubrene发生forster能量转移使Rubrene发出黄光。由Zn(BTZ)2发射的蓝、绿光与Rubrene发出的黄光组合发出白光的光谱范围宽，该白光的演色指数CRI高达75。
附图说明
以下结合具体实施方式对本发明作进一步的详细说明。
图1为本发明制备的OLED显示器件结构图。图中：1、玻璃基板；2、ITO阳极图形；3、ZnSe缓冲层；4、NPB空穴传输层；5、NPB-Rubrene-Zn(BTZ)2发光层；6、LiF层；7、Al层；8、封装盖板。
具体实施方式
如图1所示，本发明设计的OLED显示器件结构为：ITO/ZnSe/NPB/NPB-Rubrene-Zn(BTZ)2/LiF/Al。其中ITO为氧化铟锡；ZnSe为硒化锌；NPB为N，N’-双(1-萘基)-N，N’-二苯基-1，1’-二苯基-4，4’-二胺；Rubrene为5，5，11，12-四苯基并四苯；Zn(BTZ)2为2-(2-羟基苯基)苯并噻唑螯合锌；LiF为氟化锂；Al为金属铝。
以上OLED显示器件的制备方法：包括下述步骤：
1.在洁净的导电基板1上光刻涂敷ITO阳极图形2。
2.在涂敷有ITO阳极图形2的导电玻璃基板1上，采用磁控溅射的方法制备厚度为0.1-10nm的ZnSe缓冲层3。
3.采用真空蒸镀的方法在ZnSe缓冲层3上蒸镀NPB空穴传输层4。***真空度在5*10-5Pa左右，NPB沉积速率为0.1-1.5nm/s，厚度为10-50nm。
4.在NPB空穴传输层4上，采用真空蒸镀的方法蒸镀NPB-Rubrene-Zn(BTZ)2发光层5。其中Zn(BTZ)2为主体发光材料、NPB及Rubrene为掺杂材料。***真空度维持在5*10-5Pa左右，沉积速率为0.1-2.0nm/s，厚度为50-80nm。
NPB-Rubrene-Zn(BTZ)2发光层中，按重量百分比NPB为0.01-1.0％，Rubrene为0.01-2.0％，余量为Zn(BTZ)2，具体参见表1。
5.在发光层上，采用真空蒸镀的方法依次蒸镀LiF层6和Al层7，制备OLED发光器件阴电极。***真空度维持在5*10-5Pa左右，沉积速率为0.1-10.0nm/s，LiF和Al的厚度分别0.1-5nm和40-100nm。
6.采用封装盖板8对各层进行整体封装，完成器件制备。
表1
  NPB   Rubrene   Zn(BTZ)2   色坐标
  实施例1   0.01   2.0   余量   (0.35，0.38)
  实施例2   0.05   0.5   余量   (0.34，0.37)
  实施例3   0.1   1.0   余量   (0.32，0.33)
  实施例4   0.3   0.01   余量   (0.30，0.31)
  实施例5   0.8   0.05   余量   (0.31，0.32)
  实施例6   1.0   0.1   余量   (0.30，0.32)
以下为一具体制备实例：
1.在洁净的导电基板1上光刻涂敷ITO阳极图形2。
2.在涂敷有ITO阳极图形2的导电玻璃基板1上，采用磁控溅射的方法制备厚度为0.6nm的ZnSe缓冲层3。
3.采用真空蒸镀的方法在ZnSe缓冲层3上蒸镀NPB空穴传输层4。***真空度在5*10-5Pa左右，NPB沉积速率为0.5nm/s，厚度为20nm。
4.在NPB空穴传输层4上，采用真空蒸镀的方法蒸镀NPB-Rubrene-Zn(BTZ)2发光层5。具体采用表1实施例3的组份。***真空度维持在5*10-5Pa左右，沉积速率为0.3nm/s，厚度为65nm。
5.在发光层上，采用真空蒸镀的方法依次蒸镀LiF层6和Al层7，制备OLED发光器件阴电极。***真空度维持在5*10-5Pa左右，沉积速率为1.0nm/s，LiF和Al的厚度分别0.5nm和80nm。
6.采用封装盖板8对各层进行整体封装，完成器件制备。
采用上述制备实例所得OLED显示器件，发光强度为5000cd/m2，色坐标(0.32，0.33)。

Claims (5)

1.一种OLED显示器件的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：
(1)在洁净的ITO导电玻璃基板上制备ITO阳极图形；
(2)在制备好ITO阳极图形的导电玻璃基板上，采用磁控溅射工艺制备厚度为0.1-10nm的ZnSe缓冲层；
(3)在ZnSe缓冲层上采用真空蒸镀工艺蒸镀厚度为10-50nm NPB空穴传输层；
(4)在NPB空穴传输层上，采用真空蒸镀工艺蒸镀厚度为50-80nm的NPB-Rubrene-Zn(BTZ)2发光层，其中Zn(BTZ)2为主体发光材料、NPB及Rubrene为掺杂材料；
(5)在NPB-Rubrene-Zn(BTZ)2发光层上，采用真空蒸镀的方法依次蒸镀厚度为0.1-5nm的LiF层和40-100nm的A1层，制成阴电极；
(6)采用封装盖板对已制好各层进行整体封装，完成OLED显示器件制备。
2.如权利要求1所述的OLED显示器件的制备方法，其特征在于，所述NPB-Rubrene-Zn(BTZ)2发光层中，按重量百分比，NPB为0.01-1.0％，Rubrene为0.01-2.0％，余量为Zn(BTZ)2。
3.如权利要求1所述的OLED显示器件的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中，真空度为5*10-5Pa，NPB沉积速率为0.1-1.5nm/s。
4.如权利要求1所述的OLED显示器件的制备方法，其特征在于，所述步骤(4)中，真空度为5*10-5Pa，NPB-Rubrene-Zn(BTZ)2沉积速率为0.1-2.0nm/s。
5.如权利要求1所述的OLED显示器件的制备方法，其特征在于，所述步骤(5)中，真空度为5*10-5Pa，LiF层和Al层沉积速率为0.1-10.0nm/s。
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