CN101740727A - 一种oled显示器件的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种OLED显示器件的制备方法,首先在洁净的ITO导电玻璃基板上制备ITO阳极图形;接着在制备好ITO阳极图形的导电玻璃基板上,采用磁控溅射工艺制备厚度为0.1-10nm的ZnSe缓冲层;然后在ZnSe缓冲层上采用真空蒸镀工艺蒸镀厚度为10-50nm NPB空穴传输层;在NPB空穴传输层上,采用真空蒸镀工艺蒸镀厚度为50-80nm的NPB-Rubrene-Zn(BTZ)2发光层,其中Zn(BTZ)2为主体发光材料、NPB及Rubrene为掺杂材料;在NPB-Rubrene-Zn(BTZ)2发光层上,再采用真空蒸镀的方法依次蒸镀厚度分别0.1-5nm和40-100nmLiF层和Al层,制成阴电极;最后采用封装盖板对已制好各层进行整体封装,完成OLED显示器件制备。
Description
技术领域
本发明涉及发光显示器件的制备方法,特别涉及一种OLED(有机电致发光二极管)显示器件的制备方法。
背景技术
近年来,作为新型自发光式显示器,OLED显示器件的开发一直在加速地进行。有机电致发光显示器件的基本结构为:在透明基板的上边,按照顺序形成由透明电极构成的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子发光层及阴极的构造。在该构造的有机电致发光显示器件中,电子和孔穴在发光层结合产生辐射发光。有机电致发光显示器件的内层结构变化、制备工艺调整直接影响到显示器件的色彩性能、发光效率及寿命,因此,有机电致发光显示器件的制备方法一直是人们关注及研究的重点。
发明内容
本发明的目的在于提供一种OLED显示器件新的制备方法,采用该方法制备的OLED显示器件可以发出白光,该白光OLED显示器件可用于照明领域及全彩色显示领域。当应用于照明领域时,直接采用本发明方法即可完成白光照明产品的制备;当应用于全彩色显示领域时,采用本发明方法制备的OLED显示器件发出白光,通过贴附红、绿、蓝三基色彩色滤光片即可完成全彩色OLED显示器件的制备。
为达到以上目的,本发明是采取如下技术方案予以实现的:
一种OLED显示器件的制备方法,其特征在于,包括下述步骤:
(1)在洁净的ITO导电玻璃基板上制备ITO阳极图形;
(2)在制备好ITO阳极图形的导电玻璃基板上,采用磁控溅射工艺制备厚度为0.1-10nm的ZnSe缓冲层;
(3)在ZnSe缓冲层上采用真空蒸镀工艺蒸镀厚度为10-50nm NPB空穴传输层;
(4)在NPB空穴传输层上,采用真空蒸镀工艺蒸镀厚度为50-80nm的NPB-Rubrene-Zn(BTZ)2发光层,其中Zn(BTZ)2为主体发光材料、NPB及Rubrene为掺杂材料;
(5)在NPB-Rubrene-Zn(BTZ)2发光层上,采用真空蒸镀的方法依次蒸镀厚度分别0.1-5nm和40-100nmLiF层和Al层,制成阴电极;
(6)采用封装盖板对已制好各层进行整体封装,完成OLED显示器件制备。
上述方法中,所述NPB-Rubrene-Zn(BTZ)2发光层中,按重量百分比NPB为0.01-1.0%,Rubrene为0.01-2.0%,余量为Zn(BTZ)2。所述步骤(3)中,真空度为5*10-5Pa,NPB沉积速率为0.1-1.5nm/s。所述步骤(4)中,真空度为5*10-5Pa,NPB-Rubrene-Zn(BTZ)2沉积速率为0.1-2.0nm/s。所述步骤(5)中,真空度为5*10-5Pa,LiF层和Al层沉积速率为0.1-10.0nm/s。
本发明在阳极与空穴传输层之间***了厚度为0.1-10nm ZnSe缓冲层,ZnSe缓冲层的加入可有效地降低空穴载流子到达发光层的速率,使得空穴与电子在OLED显示器件中能够平衡注入,从而降低了OLED显示器件的启动电压,改善器件发光效率。
发光层采用Zn(BTZ)2为主体发光材料、NPB及Rubrene为掺杂材料。实现白光发射。在主体发光材料Zn(BTZ)2中掺入0.01-1.0%的NPB以及0.01-2.0%的Rubrene对发光颜色进行调配。其中NPB的掺杂一方面降低了发光层与空穴传输层NPB之间的势垒;另一方面NPB可向Rubrene发生forster能量转移使Rubrene发出黄光。由Zn(BTZ)2发射的蓝、绿光与Rubrene发出的黄光组合发出白光的光谱范围宽,该白光的演色指数CRI高达75。
附图说明
以下结合具体实施方式对本发明作进一步的详细说明。
图1为本发明制备的OLED显示器件结构图。图中:1、玻璃基板;2、ITO阳极图形;3、ZnSe缓冲层;4、NPB空穴传输层;5、NPB-Rubrene-Zn(BTZ)2发光层;6、LiF层;7、Al层;8、封装盖板。
具体实施方式
如图1所示,本发明设计的OLED显示器件结构为:ITO/ZnSe/NPB/NPB-Rubrene-Zn(BTZ)2/LiF/Al。其中ITO为氧化铟锡;ZnSe为硒化锌;NPB为N,N’-双(1-萘基)-N,N’-二苯基-1,1’-二苯基-4,4’-二胺;Rubrene为5,5,11,12-四苯基并四苯;Zn(BTZ)2为2-(2-羟基苯基)苯并噻唑螯合锌;LiF为氟化锂;Al为金属铝。
以上OLED显示器件的制备方法:包括下述步骤:
1.在洁净的导电基板1上光刻涂敷ITO阳极图形2。
2.在涂敷有ITO阳极图形2的导电玻璃基板1上,采用磁控溅射的方法制备厚度为0.1-10nm的ZnSe缓冲层3。
3.采用真空蒸镀的方法在ZnSe缓冲层3上蒸镀NPB空穴传输层4。***真空度在5*10-5Pa左右,NPB沉积速率为0.1-1.5nm/s,厚度为10-50nm。
4.在NPB空穴传输层4上,采用真空蒸镀的方法蒸镀NPB-Rubrene-Zn(BTZ)2发光层5。其中Zn(BTZ)2为主体发光材料、NPB及Rubrene为掺杂材料。***真空度维持在5*10-5Pa左右,沉积速率为0.1-2.0nm/s,厚度为50-80nm。
NPB-Rubrene-Zn(BTZ)2发光层中,按重量百分比NPB为0.01-1.0%,Rubrene为0.01-2.0%,余量为Zn(BTZ)2,具体参见表1。
5.在发光层上,采用真空蒸镀的方法依次蒸镀LiF层6和Al层7,制备OLED发光器件阴电极。***真空度维持在5*10-5Pa左右,沉积速率为0.1-10.0nm/s,LiF和Al的厚度分别0.1-5nm和40-100nm。
6.采用封装盖板8对各层进行整体封装,完成器件制备。
表1
NPB | Rubrene | Zn(BTZ)2 | 色坐标 | |
实施例1 | 0.01 | 2.0 | 余量 | (0.35,0.38) |
实施例2 | 0.05 | 0.5 | 余量 | (0.34,0.37) |
实施例3 | 0.1 | 1.0 | 余量 | (0.32,0.33) |
实施例4 | 0.3 | 0.01 | 余量 | (0.30,0.31) |
实施例5 | 0.8 | 0.05 | 余量 | (0.31,0.32) |
实施例6 | 1.0 | 0.1 | 余量 | (0.30,0.32) |
以下为一具体制备实例:
1.在洁净的导电基板1上光刻涂敷ITO阳极图形2。
2.在涂敷有ITO阳极图形2的导电玻璃基板1上,采用磁控溅射的方法制备厚度为0.6nm的ZnSe缓冲层3。
3.采用真空蒸镀的方法在ZnSe缓冲层3上蒸镀NPB空穴传输层4。***真空度在5*10-5Pa左右,NPB沉积速率为0.5nm/s,厚度为20nm。
4.在NPB空穴传输层4上,采用真空蒸镀的方法蒸镀NPB-Rubrene-Zn(BTZ)2发光层5。具体采用表1实施例3的组份。***真空度维持在5*10-5Pa左右,沉积速率为0.3nm/s,厚度为65nm。
5.在发光层上,采用真空蒸镀的方法依次蒸镀LiF层6和Al层7,制备OLED发光器件阴电极。***真空度维持在5*10-5Pa左右,沉积速率为1.0nm/s,LiF和Al的厚度分别0.5nm和80nm。
6.采用封装盖板8对各层进行整体封装,完成器件制备。
采用上述制备实例所得OLED显示器件,发光强度为5000cd/m2,色坐标(0.32,0.33)。
Claims (5)
1.一种OLED显示器件的制备方法,其特征在于,包括下述步骤:
(1)在洁净的ITO导电玻璃基板上制备ITO阳极图形;
(2)在制备好ITO阳极图形的导电玻璃基板上,采用磁控溅射工艺制备厚度为0.1-10nm的ZnSe缓冲层;
(3)在ZnSe缓冲层上采用真空蒸镀工艺蒸镀厚度为10-50nmNPB空穴传输层;
(4)在NPB空穴传输层上,采用真空蒸镀工艺蒸镀厚度为50-80nm的NPB-Rubrene-Zn(BTZ)2发光层,其中Zn(BTZ)2为主体发光材料、NPB及Rubrene为掺杂材料;
(5)在NPB-Rubrene-Zn(BTZ)2发光层上,采用真空蒸镀的方法依次蒸镀厚度分别0.1-5nm和40-100nmLiF层和Al层,制成阴电极;
(6)采用封装盖板对已制好各层进行整体封装,完成OLED显示器件制备。
2.如权利要求1所述的OLED显示器件的制备方法,其特征在于,所述NPB-Rubrene-Zn(BTZ)2发光层中,按重量百分比,NPB为0.01-1.0%,Rubrene为0.01-2.0%,余量为Zn(BTZ)2。
3.如权利要求1所述的OLED显示器件的制备方法,其特征在于,所述步骤(3)中,真空度为5*10-5Pa,NPB沉积速率为0.1-1.5nm/s。
4.如权利要求1所述的OLED显示器件的制备方法,其特征在于,所述步骤(4)中,真空度为5*10-5Pa,NPB-Rubrene-Zn(BTZ)2沉积速率为0.1-2.0nm/s。
5.如权利要求1所述的OLED显示器件的制备方法,其特征在于,所述步骤(5)中,真空度为5*10-5Pa,LiF层和Al层沉积速率为0.1-10.0nm/s。
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