CN103258965B - 一种顶发光oled器件的薄膜封装结构及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种顶发光OLED器件的薄膜封装结构，包括基板和依次叠加在基板上的反射阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层、半透明阴极及薄膜封装层，还包括封装缓冲层，所述封装缓冲层设置于半透明阴极与薄膜封装层之间，为一层厚度为1‑10nm，发红光、绿光、蓝光或黄光的有机小分子类荧光发光材料；本发明还公开了该封装结构的制备方法。本发明所设置的封装缓冲层，一方面通过吸收来自顶发射OLED器件发光层的第一光谱的光并发射出第二光谱的光，保证器件具有高的色纯度；另一方面，减少了薄膜封装时等离子体和溅射粒子对电极及发光层的损伤，提高良品率；本发明及其制备方法，原理简单，操作方便，便于在业内推广使用。

Description

一种顶发光OLED器件的薄膜封装结构及其制备方法
技术领域
本发明属于显示器领域，具体涉及一种顶发光OLED器件的薄膜封装结构及其制备方法。
背景技术
OLED具有主动发光、电压需求低、省电等特点，加上反应快、重量轻、厚度薄、构造简单、成本低廉等优点，具备LCD不可比拟的优势，正逐渐进入主流显示市场。
目前的OLED器件，其白光一般是通过两基色或三基色混合而得，一般都采用的是多重发光层（multiple emissive layers）、多掺杂发光层（multiple dopants emissive layers）结构，它们都存在因各发光层之间的接触界面、接触势垒及各个发光层之间的发光衰减不同而造成器件效率与寿命的大幅度衰减等问题。
薄膜封装有多种，目前使用较多的是离子化学气相沉积（PECVD）和溅射镀膜等物理沉积法，一方面它们的制备工艺温度比较高，高出了OLED器件的承受范围；另一方面等离子体和溅射粒子对有机材料或金属电极有非常大的损伤，而目前的封装技术暂时无法解决这个问题。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术中的上述问题，提供一种结构简单、寿命较长、光色更纯且对电极及发光层具有保护作用的顶发射OLED器件的薄膜封装结构及其制备方法。
为解决上述技术问题，本发明采用以下技术方案：
一种顶发光OLED器件的薄膜封装结构，包括基板和依次叠加在基板上的反射阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层、半透明阴极和薄膜封装层，还包括封装缓冲层，所述封装缓冲层设置于半透明阴极与薄膜封装层之间。
进一步地，所述封装缓冲层为发红光、绿光、蓝光或黄光的有机小分子类荧光发光材料。
进一步地，所述发红光的荧光发光材料为香豆素、芳香族化合物及其衍生物。
进一步地，所述发红光的荧光发光材料为DCJ、DCJT、DCJTB、ER-53，DCM、TDCM、TIN、MBIN、DCM2、DCJTI、(PPA)(PSA)Pe、ACEN1、ACEN2、ACEN3、ACEN4、D-CN、NPAFN、BSN、BZTA2，TPZ、NPAMLMe、DPP、PAAA、asym-TPP、DMPDPP和DBP。
进一步地，所述发绿光的荧光发光材料为香豆素衍生物、喹吖啶酮及其衍生物、多环芳香族碳氢化合物及其衍生物、1H-pyrazolo[3,4-b]quinoxaline类的绿光荧光掺杂物。
进一步地，所述发绿光的荧光发光材料为TPBA、QA、DMQA、DEQ、PAH、PAQ-Net。
进一步地，所述发蓝光的荧光发光材料为TBP、TPP、DSA、DSA-Ph、BD-1、BD-2、BD-3。
进一步地，所述发黄光的荧光发光材料为DCJP、Rubrene、DPPO。
进一步地，所述封装缓冲层的厚度为1-10nm。
进一步地，所述顶发光OLED器件的薄膜封装结构的制备方法，包括以下步骤：
步骤1采用热蒸镀法将反射阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层、半透明阴极依次制备至基板上；
步骤2在镀好的半透明阴极上采用热蒸镀法制备封装缓冲层；
步骤3采用等离子化学气相沉积法在封装缓冲层上制备一层聚合物薄膜封装层；
步骤4采用低功率溅射法在聚合物封装层上制备一层无机化合物薄膜封装层，一层聚合物薄膜封装层与一层无机化合物薄膜封装层一起构成一层薄膜封装层；
步骤5将步骤3-4重复1至10次，完成封装。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
首先，所述顶发光OLED器件的薄膜封装结构所设置的封装缓冲层吸收来自顶发射OLED器件发光层的第一光谱的光并发射出第二光谱的光，对OLED器件的发光进行微调，一方面保证器件具有高的色纯度，保证器件整体的色度的质量；另一方面，对于发白光OLED器件，基于这种微调作用，采用单层发光层与本发明所述封装缓冲层配合即可达到传统多重发光层、多掺杂发光层结构的发光效果，避免了多发光层因不同发光材料的衰减不同而造成的器件在工作一段时间后的色坐标偏移较大及发光效率、寿命较短等问题，而且简化了生产工艺，降低生产成本；
其次，该封装缓冲层减少了薄膜封装时等离子体和溅射粒子对电极及发光层的损伤，提高良品率；
本发明所述顶发光OLED器件的薄膜封装结构及其制备方法，原理简单，操作方便，便于在业内推广使用。
附图说明
图1为本发明实施例中的发光OLED器件的薄膜封装结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
实施例1
本实施例中的顶发光OLED器件的薄膜封装结构，如图1所述，包括基板1和依次叠加在基板1上的反射阳极2、空穴传输层3、发光层4、电子传输层5、半透明阴极6和薄膜封装层8，还包括封装缓冲层7，所述封装缓冲层7设置于半透明阴极6和薄膜封装层8之间。
其中，封装缓冲层7为厚度为1nm、发红光的荧光发光材料，如香豆素、芳香族化合物及其衍生物。
本实施例所述顶发光OLED器件的薄膜封装结构的制备方法，包括以下步骤：
步骤1采用热蒸镀法将反射阳极2、空穴传输层3、发光层4、电子传输层5、半透明阴极6依次制备至基板1上；
步骤2在镀好的半透明阴极6上采用热蒸镀法制备封装缓冲层7；
步骤3采用等离子化学气相沉积法在封装缓冲层7上制备一层聚合物薄膜封装层；
步骤4采用低功率溅射法在聚合物封装层上制备一层无机化合物薄膜封装层，一层聚合物薄膜封装层与一层无机化合物薄膜封装层一起构成一层薄膜封装层8；
步骤5将步骤3-4重复1次，完成封装。
实施例2
本实施例中的顶发光OLED器件的薄膜封装结构，其结构同实施例1，如图1所示。
所述顶发光OLED器件的薄膜封装结构的封装缓冲层7为厚度为3nm、发绿光的荧光发光材料，如香豆素衍生物、喹吖啶酮及其衍生物、多环芳香族碳氢化合物及其衍生物、1H-pyrazolo[3,4-b]quinoxaline类的绿光荧光掺杂物。
本实施例所述顶发光OLED器件的薄膜封装结构的制备方法，包括以下步骤：
步骤1采用热蒸镀法将反射阳极2、空穴传输层3、发光层4、电子传输层5、半透明阴极6依次制备至基板1上；
步骤2在镀好的半透明阴极6上采用热蒸镀法制备封装缓冲层7；
步骤3采用等离子化学气相沉积法在封装缓冲层7上制备一层聚合物薄膜封装层；
步骤4采用低功率溅射法在聚合物封装层上制备一层无机化合物薄膜封装层，一层聚合物薄膜封装层与一层无机化合物薄膜封装层一起构成一层薄膜封装层8；
步骤5将步骤3-4重复3次，完成封装。
实施例3
本实施例中的顶发光OLED器件的薄膜封装结构，其结构同实施例1，如图1所示。
所述该顶发光OLED器件的薄膜封装结构的封装缓冲层7为厚度为6nm、发蓝光的荧光发光材料，如TBP、TPP、DSA、DSA-Ph、BD-1、BD-2、BD-3。
所述顶发光OLED器件的薄膜封装结构的制备方法，包括以下步骤：
步骤1采用热蒸镀法将反射阳极2、空穴传输层3、发光层4、电子传输层5、半透明阴极6依次制备至基板1上；
步骤2在镀好的半透明阴极6上采用热蒸镀法制备封装缓冲层7；
步骤3采用等离子化学气相沉积法在封装缓冲层7上制备一层聚合物薄膜封装层；
步骤4采用低功率溅射法在聚合物封装层上制备一层无机化合物薄膜封装层，一层聚合物薄膜封装层与一层无机化合物薄膜封装层一起构成一层薄膜封装层8；
步骤5将步骤3-4重复6次，完成封装。
实施例4
本实施例中的顶发光OLED器件的薄膜封装结构，其结构同实施例1，如图1所示。
该顶发光OLED器件的薄膜封装结构的封装缓冲层7为厚度为10nm、发黄光的荧光发光材料，如DCJP、Rrubrene、DPPO。
所述顶发光OLED器件的薄膜封装结构的制备方法，包括以下步骤：
步骤1采用热蒸镀法将反射阳极2、空穴传输层3、发光层4、电子传输层5、半透明阴极6依次制备至基板1上；
步骤2在镀好的半透明阴极6上采用热蒸镀法制备封装缓冲层7；
步骤3采用等离子化学气相沉积法在封装缓冲层7上制备一层聚合物薄膜封装层；
步骤4采用低功率溅射法在聚合物封装层上制备一层无机化合物薄膜封装层，一层聚合物薄膜封装层与一层无机化合物薄膜封装层一起构成一层薄膜封装层8；
步骤5将步骤3-4重复10次，完成封装。
尽管这里参照本发明的多个解释性实施例对本发明进行了描述，但是，应该理解，本领域技术人员可以设计出很多其他的修改和实施方式，这些修改和实施方式将落在本申请公开的原则范围和精神之内。

Claims (7)

1.一种顶发光OLED器件的薄膜封装结构，包括基板和依次叠加在基板(1)上的反射阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层、半透明阴极及薄膜封装层，其特征在于：还包括封装缓冲层，所述封装缓冲层设置于半透明阴极与薄膜封装层之间；所述封装缓冲层为发红光、绿光、蓝光或黄光的有机小分子类荧光发光材料；所述发红光的荧光发光材料为香豆素、芳香族化合物及其衍生物；所述封装缓冲层的厚度为1-10nm。
2.根据权利要求1所述的顶发光OLED器件的薄膜封装结构，其特征在于：所述发红光的荧光发光材料为DCJ、DCJT、DCJTB、ER-53，DCM、TDCM、TIN、MBIN、DCM2、Rubrene、DCJTI、(PPA)(PSA)Pe、ACEN1、ACEN2、ACEN3、ACEN4、D-CN、NPAFN、BSN、BZTA2、BZTA2，TPZ、NPAMLMe、DPP、PAAA、Asym-TPP和DMPDPP、DBP。
3.根据权利要求1所述的顶发光OLED器件的薄膜封装结构，其特征在于：所述发绿光的荧光发光材料为香豆素衍生物、喹吖啶酮及其衍生物、多环芳香族碳氢化合物及其衍生物、1H-pyrazolo[3,4-b]quinoxaline类的绿光荧光掺杂物。
4.根据权利要求3所述的顶发光OLED器件的薄膜封装结构，其特征在于：所述发绿光的荧光发光材料为TPBA、QA、DMQA、DEQ、PAH、PAQ-Net。
5.根据权利要求1所述的顶发光OLED器件的薄膜封装结构，其特征在于：所述发蓝光的荧光发光材料为TBP、TPP、DSA、DSA-Ph、BD-1、BD-2、BD-3。
6.根据权利要求1所述的顶发光OLED器件的薄膜封装结构，其特征在于：所述发黄光的荧光发光材料为DCJP、Rubrene、DPPO。
7.权利要求1-6任一项权利要求所述的顶发光OLED器件的薄膜封装结构的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
步骤1采用热蒸镀法将反射阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层、半透明阴极依次制备至基板上；
步骤2在镀好的半透明阴极上采用热蒸镀法制备封装缓冲层；
步骤3采用等离子化学气相沉积法在封装缓冲层上制备一层聚合物薄膜封装层；
步骤4采用低功率溅射法在聚合物薄膜封装层上制备一层无机化合物薄膜封装层，一层聚合物薄膜封装层与一层无机化合物薄膜封装层一起构成一层薄膜封装层；
步骤5将步骤3-4重复1至10次，完成封装。
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