CN101464582B - 液晶显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种液晶显示装置，抑制由于与弯曲相伴的二个基板的位置偏移而发生显示不均，而得到高质量的显示图像。在具有弯曲显示面的液晶显示装置(10)中，沿着显示面的弯曲方向(Y)配置像素构造(11)的长边，在对置基板侧设置如下的黑矩阵：在将显示面的弯曲方向(Y)的长度尺寸设为L、将阵列基板的厚度尺寸设为T1、将对置基板的厚度尺寸设为T2、将阵列基板与对置基板的间隙的尺寸设为d、将弯曲显示面的曲率半径设为R、将设置于像素构造(11)内的像素电极(29)的长边的长度尺寸设为E时，黑矩阵开口部(41a)的弯曲方向(Y)的长度尺寸为E-L{(T1/2)+(T2/2)+d}/R以下。

Description

液晶显示装置

技术领域

本发明涉及具有弯曲显示面的液晶显示装置。

背景技术

以往技术的透射型的液晶显示装置构成为层叠有：在一对平板状的玻璃基板之间封入具有流动性的液晶，并在玻璃基板的两外侧面配置有偏振片的液晶面板；以及背光，并且显示面为平面。在该透射型的液晶显示装置中，通过使用厚度尺寸为0.3mm以下的薄型玻璃基板以及塑料膜等具有可挠性的基板，可以实现具有弯曲显示面的液晶显示装置。这样的具有弯曲显示面的液晶显示装置除了在设计方面自由度大的特点以外，实用性方面也具有优良的功能。例如，如果设成特定的曲面形状，则可以有效地抑制外光的反射(例如参照专利文献1)。

在制造使用了薄型玻璃基板的液晶显示装置的情况下，为了确保形成于基板表面的各种微细结构的图案精度，并且从搬送等处理的容易性的点来看，直到制造工序的途中为止使用厚的玻璃基板，在粘贴二个玻璃基板之后，通过蚀刻或研磨来进行薄型化(例如参照专利文献2)。

在这样粘贴了平板状的玻璃基板之后，使玻璃基板薄型化而弯曲的情况下，存在当图像显示时发生亮度不均，而发生显示不均这样的问题。其原因为，二个玻璃基板的曲率改变了大致基板厚度的量，从而配置于两个基板上的像素构造的相对位置沿着弯曲方向偏移。这样的位置偏移不限于使用了薄型玻璃基板的情况，即使在将塑料膜用作基板的情况下，在平板的状态下粘贴之后弯曲时也发生。

作为使用了具有可挠性的基板的液晶显示装置的其他制造方法，提出如下方法：在液晶层内形成树脂的壁结构，并用壁结构粘接二个基板，从而抑制位置偏移(例如参照专利文献3)。在专利文献3公开的方法中，向液晶混入光固化性树脂，通过光照射粘接壁结构与基板，所以有时未固化成分作为杂质而残留于液晶内。如果未固化成分作为杂质而残留于液晶内，则存在易于发生灼伤等显示不良这样的问题。

另外，还提出在阵列基板侧形成通常形成于对置基板的滤色片以及黑矩阵等像素构造的方法(例如参照专利文献4)。但是在这样的方法中，向阵列基板的制造工序中通常附加并行地进行的滤色片以及黑矩阵等的制造工序，所以存在液晶显示装置整体的制造所需的时间变长这样的问题。

专利文献1：日本特开平6-3650号公报

专利文献2：日本特开2005-128411号公报

专利文献3：日本特开2004-219769号公报

专利文献4：日本特开2007-94102号公报

发明内容

本发明是为了解决上述问题点而完成的，其目的在于提供一种液晶显示装置，抑制由于与弯曲相伴的二个基板的位置偏移而发生显示不均，而得到高质量的显示图像。

本发明的液晶显示装置具备：具有矩阵状地配置的多个矩形状的像素构造的阵列基板；与上述阵列基板对置配置，并具有滤色片以及黑矩阵的对置基板；以及夹在上述阵列基板与上述对置基板之间的液晶层，并且具备上述阵列基板以及上述对置基板弯曲而成的弯曲显示面，其特征在于，上述像素构造的长边沿着上述显示面的弯曲方向配置，在上述像素构造内，矩形状的像素电极的长边沿着像素构造的长边设置，在将上述显示面的上述弯曲方向的长度尺寸设为L、将上述阵列基板的厚度尺寸设为T1、将上述对置基板的厚度尺寸设为T2、将上述阵列基板与对置基板的间隙的尺寸设为d、将弯曲显示面的曲率半径设为R、将设置于上述像素构造内的像素电极的长边的长度尺寸设为E时，由上述黑矩阵隔开的开口部的上述弯曲方向的长度尺寸为E-L{(T1/2)+(T2/2)+d}/R以下。

另外本发明的液晶显示装置具备：具有矩阵状地配置的多个矩形状的像素构造的阵列基板；与上述阵列基板对置配置，并具有滤色片以及黑矩阵的对置基板；以及夹在上述阵列基板与上述对置基板之间的液晶层，并且具备上述阵列基板以及上述对置基板弯曲而成的弯曲显示面，其特征在于，上述像素构成的长边沿着上述显示面的弯曲方向配置，在将上述显示面的上述弯曲方向的长度尺寸设为L、将上述阵列基板的厚度尺寸设为T1、将上述对置基板的厚度尺寸设为T2、将上述阵列基板与上述对置基板的间隙的尺寸设为d、将弯曲显示面的曲率半径设为R、将上述像素构造的长边的长度尺寸设为P时，由上述黑矩阵隔开的开口部的上述弯曲方向的长度尺寸为P-L{(T1/2)+(T2/2)+d}/R以下。

根据本发明的液晶显示装置，像素构造的长边沿着显示面的弯曲方向配置，由黑矩阵隔开的开口部的弯曲方向的长度尺寸为E-L{(T1/2)+(T2/2)+d}/R以下。这样由黑矩阵隔开的开口部的弯曲方向的长度尺寸为E-L{(T1/2)+(T2/2)+d}/R以下，所以可以抑制在设置于像素构造内的像素电极的周边处发生光漏，并且可以抑制由于与弯曲相伴的阵列基板与对置基板的位置偏移而发生显示不均。另外像素构造的长边沿着显示面的弯曲方向配置，所以与像素构造的短边沿着显示面的弯曲方向配置的情况相比，可以抑制由于使由黑矩阵隔开的开口部的弯曲方向的长度尺寸成为E-L{(T1/2)+(T2/2)+d}/R以下而引起的亮度降低。因此，可以得到可以实现显示不均少且亮度高的高质量的图像显示的液晶显示装置。

另外根据本发明的液晶显示装置，像素构造的长边沿着显示面的弯曲方向配置，由黑矩阵隔开的开口部的弯曲方向的长度尺寸为P-L{(T1/2)+(T2/2)+d}/R以下。这样由黑矩阵隔开的开口部的弯曲方向的长度尺寸为P-L{(T1/2)+(T2/2)+d}/R以下，所以可以抑制在设置于像素构造内的像素电极的周边处发生光漏，并且可以抑制由于与弯曲相伴的阵列基板与对置基板的位置偏移而发生显示不均。另外像素构造的长边沿着显示面的弯曲方向配置，所以与像素构造的短边沿着显示面的弯曲方向配置的情况相比，可以抑制由于使由黑矩阵隔开的开口部的弯曲方向的长度尺寸成为P-L{(T1/2)+(T2/2)+d}/R以下而引起的亮度降低。因此，可以得到可以实现显示不均少且亮度高的高质量的图像显示的液晶显示装置。

附图说明

图1是示出本发明的第一实施方式的液晶显示装置10的像素构造11的平面图。

图2是从图1的剖面线X2-X2观察的剖面图。

图3是示出液晶显示装置10的弯曲前的液晶面板50的结构的平面图。

图4是示出显示面弯曲成凹面的液晶面板50的立体图。

图5是示出液晶面板50的第一显示区域M1中的像素构造11a的平面图。

图6是示出液晶面板50的第二显示区域M2中的像素构造11b的平面图。

图7是示出液晶面板50的第三显示区域M3中的像素构造11c的平面图。

图8是示出液晶面板50的弯曲时的阵列基板12以及对置基板13的沿着弯曲方向Y的面中的剖面图。

图9是从图4的剖面线X9-X9观察的剖面图。

图10是从图4的剖面线X10-X10观察的剖面图。

图11是示出阵列基板12的像素构造的结构的平面图。

图12是示出本发明的第一实施方式的黑矩阵开口部41a的平面图。

图13是示出作为黑矩阵开口部的其他例子的黑矩阵开口部41b的平面图。

图14是示出对置基板13的制造方法的剖面图。

图15是示出阵列基板12的制造方法的剖面图。

图16是图17所示的剖面线X16-X16处的端面图。

图17是示出玻璃基板上的主密封件52以及伪密封件61的平面图。

图18是示出在二个玻璃基板20、40之间注入了液晶的状态的结构的剖面图。

图19是示出粘贴了阵列基板侧偏振片33以及对置基板侧偏振片46的状态的结构的剖面图。

图20是示出粘贴了液晶面板50和支撑板66的状态的结构的剖面图。

图21是示出液晶显示装置10的水平方向的结构的剖面图。

图22是简化示出液晶显示装置10的水平方向的结构的立体图。

图23是示出显示面弯曲成凸面的液晶面板50的立体图。

图24是示出液晶面板50的第一显示区域M11中的像素构造11d的平面图。

图25是示出液晶面板50的第二显示区域M12中的像素构造11e的平面图。

图26是示出液晶面板50的第三显示区域M13中的像素构造11f的平面图。

图27是液晶面板50的弯曲时的阵列基板12以及对置基板13的沿着弯曲方向Y的面中的剖面图。

图28是示出本发明的第三实施方式的液晶显示装置的像素构造70的平面图。

图29是示出液晶显示装置的弯曲前的液晶面板75的结构的平面图。

图30是示出显示面弯曲成凸面的液晶面板75的立体图。

图31是示出液晶面板75的第一显示区域N1中的像素构造70a的平面图。

图32是示出液晶面板75的第二显示区域N2中的像素构造70b的平面图。

图33是示出液晶面板75的第三显示区域N3中的像素构造70c的平面图。

图34是液晶面板75的弯曲时的阵列基板12以及对置基板13的沿着弯曲方向Y的面中的剖面图。

图35是显示面以不同的曲率弯曲时的阵列基板12以及对置基板13的沿着弯曲方向Y的面中的剖面图。

图36是显示面弯曲成凹凸时的阵列基板12以及对置基板13的沿着弯曲方向Y的面中的剖面图。

图37是显示面弯曲成凹凸时的其他例子中的阵列基板12以及对置基板13的沿着弯曲方向Y的面中的剖面图。

图38是示出在显示面的左右逆向弯曲时的黑矩阵开口部41a的平面图。

标号说明

10液晶显示装置

11、11a～11f、70、70a～70c像素构造

12阵列基板

13对置基板

14液晶层

21扫描布线

22公共布线

23信号布线

29像素电极

41黑矩阵

41a、41b黑矩阵开口部

42滤色片

具体实施方式

(第一实施方式)

图1是示出本发明的第一实施方式的液晶显示装置10的像素构造11的平面图。图2是从图1的剖面线X2-X2观察的剖面图。在本实施方式的液晶显示装置10的显示区域中，矩阵状地配置有多个矩形状的像素构造11。在进一步叙述时，像素构造11的长边沿着显示图像的显示面所弯曲的方向即弯曲方向Y配置。在图1中，为了易于理解示出三个像素构造11。在图像显示装置10中，各像素与红(Red：R)、绿(Green：G)以及蓝(Blue：B)的滤色片42组合，而将三个像素作为一个单位进行彩色显示。在本实施方式中，各色的滤色片42沿着弯曲方向Y形成为带状，并沿着与弯曲方向Y正交的方向排列配置、即配置成条纹状。

各像素构造11构成为具备阵列基板12、对置基板13、夹在阵列基板12以及对置基板13之间的液晶层14。

阵列基板12构成为具备：玻璃基板12、玻璃基板20的厚度方向一侧的表面部即玻璃基板20的液晶层14侧的表面部上配置的扫描布线21以及公共布线22、玻璃基板20的厚度方向一侧设置的信号布线23、栅电极(在图1以及图2中扫描布线21的一部分成为栅电极)、源电极24、漏电极25、半导体层(非晶硅膜)26、辅助电容电极27、接触孔28、像素电极29、第一绝缘膜30、第二绝缘膜31以及阵列基板侧取向膜32、玻璃基板20的厚度方向另一侧的表面部即玻璃基板20的厚度方向的二个表面部中配置有扫描布线21以及公共布线22的表面部的相反一侧的表面部上配置的阵列基板侧偏振片33。

在图1中，为了易于理解，附加阴影线而示出扫描布线21、公共布线22、信号布线23、源电极24、漏电极25、半导体层26、辅助电容电极27以及接触孔28。像素电极29为矩形状，其长边沿着弯曲方向Y、即像素构造11的长边配置。

对置基板13构成为具备：玻璃基板40、玻璃基板40的厚度方向一侧的表面部即玻璃基板40的液晶层14侧的表面部上配置的黑矩阵41、黑矩阵41以及玻璃基板40的厚度方向一侧的表面部上设置的滤色片42、玻璃基板40的厚度方向一侧设置的保护膜43、对置电极44以及对置基板侧取向膜45、玻璃基板40的厚度方向另一侧的表面部即玻璃基板40的厚度方向的二个表面部中配置有黑矩阵41的表面部的相反一侧的表面部上配置的对置基板侧偏振片46。

黑矩阵41被设置成覆盖阵列基板12上设置的扫描布线21、公共布线22、信号布线23、薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)开关元件以及辅助电容电极27、换言之在阵列基板12的厚度方向上重叠在扫描布线21、公共布线22、信号布线23、TFT开关元件以及辅助电容电极27上，形成像素电极29露出的黑矩阵开口部41a。在图1中，为了易于理解，黑矩阵41省略参数标号的记载，而仅记载黑矩阵开口部41a。

黑矩阵开口部41a为大致矩形状，其长边沿着弯曲方向Y配置。更详细而言，黑矩阵开口部41a与TFT开关元件的形状对应地形成，是沿着弯曲方向Y的长度方向的一端部、且与长度方向正交的宽度方向的一端部切开成矩形状的形状。以下，将黑矩阵开口部41a的弯曲方向Y的长度尺寸中的、最大长度尺寸称为黑矩阵开口部41a的弯曲方向Y的长度尺寸。

对于阵列基板12侧以及对置基板13侧的像素构造，投影到与各基板12、13的厚度方向垂直的假想一平面的形状形成为矩形状且相同大小。阵列基板12以及对置基板13中具备的各布线以及各电极中的扫描布线21、公共布线22、信号布线23、栅电极、源电极24、漏电极25以及辅助电容电极27是利用铝(Al)以及钼(Mo)等不透明的金属材料形成的。像素电极29以及对置电极44是利用铟锡氧化物(Indium Tin Oxide，简称ITO)等透明的导电材料形成的。

接下来，对各像素构造11中配置的各构造的功能以及动作进行说明。通过对扫描布线21施加脉冲状的选择电压，选择与扫描布线21平行的方向、即在图1中朝向纸面上下的方向排列配置的同一列的像素。在对扫描布线21施加选择电压的选择期间中，对信号布线23施加图像信号电压。在上述选择期间中，由栅电极、源电极24、漏电极25、半导体层26以及第一绝缘膜30等构成的TFT开关元件成为导通状态，从与信号布线23连接的源电极24向漏电极25施加图像信号电压，并且从源电极24向通过接触孔28与漏电极25连接的像素电极29施加图像信号电压。这样，向同一列的像素电极29一起施加图像信号电压。

接下来向所邻接的扫描布线21施加选择电压，反复上述动作。通过反复本动作，向显示区域的所有像素电极29施加各自的图像信号电压。在未施加选择电压的非选择期间中的像素中，TFT开关元件成为截止状态，源电极24以及漏电极25之间成为高电阻，所以像素电极29的电位被保持。为了降低非选择期间(保持期间)的像素电极29的电位的变动，在与公共布线22连接的辅助电容电极27以及像素电极29之间形成辅助电容。

向对置基板13中具备的对置电极44供给规定的电压，通过像素电极29以及对置电极44间的电压，夹在其之间的液晶层14的液晶分子的取向状态变化。通过像素电极29以及对置电极44之间的电压的高低，调整液晶层14的复折射性，通过阵列基板12中具备的阵列基板侧偏振片33以及对置基板13中具备的对置基板侧偏振片46的组合，控制透射各像素的光的透射率。

各像素的透射光通过对置基板13中配置的滤色片42，着色成红(R)、绿(G)、蓝(B)中的任意一个颜色。在滤色片42的厚度方向一侧的表面部上，配置有透明的保护膜43，通过该保护膜43，对置基板13的液晶层14侧的表面部被平坦化，并且切断杂质从滤色片32向液晶层14扩散。

此处，在各像素构造11中，向像素电极29以及对置电极44之间，施加与图像信号对应的电压，但在阵列基板12侧的无像素电极29的部分中，未施加与图像信号对应的电压，从而未得到期望的透射率。无像素电极29的部分通过在与其对应的对置基板13侧的规定位置配置黑矩阵41而被遮光。

接下来对本实施方式的液晶显示装置10的液晶面板50的结构进行说明。图3是示出液晶显示装置10的弯曲前的液晶面板50的结构的平面图。在图3所示的显示区域51中，矩阵状地配置有多个图1所示的像素构造11。阵列基板12和对置基板13通过显示区域51的周边配置的主密封件52粘贴成阵列基板12以及对置基板13的各自的像素构造重叠。

对置基板13的对置电极44通过主密封件52的外侧配置的图示外的转移剂与阵列基板12侧的布线电连接。在阵列基板12的二个短边部中的任意一个短边部、即本实施方式中的朝向图3的纸面右侧的短边部的主密封件52中，形成有用于注入液晶的开口(以下称为“液晶注入口”)53。液晶注入口53的外侧利用封口剂54塞住。

对于阵列基板12，二个短边部中的设置有液晶注入口53的一侧的相反侧的短边部、即图3中的朝向纸面左侧的短边部在从对置基板13的厚度方向一方观察时不与对置基板13重叠而露出。回绕至该露出的部分为止的各种布线通过挠性基板55与外部电路基板56连接。

在阵列基板12的与液晶层14的界面以及对置基板13的与液晶层14的界面，分别配置有对液晶分子的取向状态进行控制的阵列基板侧取向膜32、对置基板侧取向膜45。在本实施方式中，沿着在图3中用箭头a所示的方向通过研磨法对对置基板侧取向膜45的液晶层14侧的表面部实施了取向处理，并且沿着与对置基板侧取向膜45的取向处理方向a正交的方向即在图3中用箭头b所示的方向通过研磨法对阵列基板侧取向膜32的液晶层14侧的表面部实施了取向处理。

通过在液晶材料中使用左手性的液晶材料，从对置基板13侧朝向阵列基板12侧、即在图3中从纸面的跟前侧朝向里侧得到左旋的90度螺旋取向。通过将对置基板侧偏振片46以及阵列基板侧偏振片33的光轴、即透射轴或吸收轴配置成与各自的基板12、13的取向处理方向平行，可以实现明暗控制、即在向液晶层14施加了电压的情况下控制成“暗”而在未施加的情况下控制成“亮”。

在图3所示的液晶面板50的结构的情况下，在以使与弯曲方向正交的方向与铅直方向一致的方式配置了液晶面板50的状态下，在施加电压时液晶分子相对阵列基板12的表面从上方向、即12点方向立起，所以称为12点视角的TN(Twisted Nematic)模式。在12点视角的TN模式下，在左右方向、即显示面的水平方向即弯曲方向Y上得到宽的视场角特性，在上方向上发生灰度反转现象。

通过如上所述使液晶面板50沿着水平方向弯曲，并在阵列基板12的背面配置后述的图21所示的背光67，而设为具有弯曲显示面的液晶显示装置10。即使在使显示面弯曲成凸面的情况下，还是在弯曲成凹面的情况下，弯曲方向Y与TN模式的宽视场角方向都一致。

图3示出12点视角的TN模式时的液晶面板50的结构，但在6点视角的TN模式下左右方向也成为宽视场角。在6点视角的情况下，取向膜的取向处理方向与阵列基板12以及对置基板13一起是12点视角的TN模式时的相反方向，并且沿着下方向发生灰度反转现象。

接下来对使液晶显示装置10的液晶面板50弯曲时的像素构造11进行说明。图4是示出显示面弯曲成凹面的液晶面板50的立体图。图5是示出液晶面板50的第一显示区域M1中的像素构造11a的平面图。图6是示出液晶面板50的第二显示区域M2中的像素构造11b的平面图。图7是示出液晶面板50的第三显示区域M3中的像素构造11c的平面图。

图4对于液晶面板50仅示意地示出阵列基板12以及对置基板13。图5～图7所示的各像素构造11a～11c的结构与图1所示的像素构造11的结构类似，仅黑矩阵开口部41a的位置不同。因此仅对图5～图7所示的各像素构造11a～11c中的黑矩阵开口部41a的位置进行说明，对所对应的位置附加同一参照标号，省略与图1的说明共同的说明。

液晶面板50的第二显示区域M2为显示区域的中央附近区域，对于该第二显示区域M2中的像素构造11b，如图6所示，阵列基板12与对置基板13的位置关系仍维持显示面弯曲前的平板时的关系。

液晶面板50的第一以及第三显示区域M1、M3为显示区域的两端的区域，对于该第一以及第三显示区域M1、M3中的像素构造11a、11c，如图5以及图7所示，对置基板13的像素构造分别向左右方向的外侧偏移。在进一步说明时，如图5、图7所示，黑矩阵开口部41a向左右偏移。

接下来，对在液晶面板50弯曲时，发生阵列基板12以及对置基板13的像素构造的位置偏移的机理进行说明。图8是液晶面板50的弯曲时的阵列基板12以及对置基板13的沿着弯曲方向Y的面中的剖面图。图8示出使阵列基板12以及对置基板13弯曲成凹面时产生的位置偏移。本来，对于阵列基板12以及对置基板13，除了液晶注入口53的整周通过主密封件52粘贴，但图8示出假设成主密封件52发挥仅确保阵列基板12以及对置基板13之间的间隙(以下有时称为“面板空隙”)的作用，且阵列基板12以及对置基板13沿着弯曲方向Y自由地移动时的剖面图。

在进行弯曲以使对置基板13的表面成为曲率半径R的凹型的情况下，如果将对置基板13的厚度尺寸设为T1、将阵列基板12的厚度尺寸设为T2、将面板空隙设为d，则在对置基板13的中立面即对置基板13的厚度方向的中立面13C、和阵列基板12的中立面即阵列基板12的厚度方向的中立面12C中，曲率半径仅存在{(T1/2)+(T2/2)}+d的差异。该阵列基板12以及对置基板13的曲率半径之差成为位置偏移的原因。将显示区域的弯曲方向Y的长度尺寸设为L，并向弯曲方向Y的两侧均等地偏移时的位置偏移的长度尺寸S用下式(1)表示。

式(1)

$S=\frac{L(\frac{T1}{2}+\frac{T2}{2}+d)}{2(R+\frac{T1}{2})}\·\·\·\left(1\right)$

对置基板13的厚度尺寸T1在与曲率半径R相比时非常小，所以R＞＞T1。因此位置偏移的长度尺寸S用L{(T1/2)+(T2/2)+d}/2R近似。在阵列基板12以及对置基板13各自的厚度尺寸相同的情况下，将各基板12、13的厚度尺寸设为T而用下式(2)表示。

式(2)

$S=\frac{L(T+d)}{2R}\·\·\·\left(2\right)$

但是，对于实际的液晶面板50，由于显示区域51的大致整周被主密封件52牢固地粘接，所以与图8的情况相比存在少许不同的状况。

图9是从图4的剖面线X9-X9观察的剖面图，图10是从图4的剖面线X10-X10观察的剖面图。图9以及图10示出使实际的液晶面板50弯曲以使对置基板13的表面成为凹型时的弯曲方向的剖面图，仅示意地示出阵列基板12以及对置基板13和各基板12、13的内侧面的像素构造。

在液晶面板50的显示区域51的宽度方向一侧部的靠近主密封件52的区域中，对于阵列基板12以及对置基板13，如图9所示，在弯曲方向的整体通过附近的主密封件52，限制阵列基板12的像素构造(以下有时称为“阵列基板侧像素构造”)81与对置基板13的像素构造(以下有时成为“对置基板侧像素构造”)82的位置偏移。另外在液晶面板50的显示区域51的宽度方向另一侧部的靠近主密封件52的区域中，也同样地限制阵列基板侧像素构造81与对置基板侧像素构造82的位置偏移。

与其相对，在液晶面板50的显示区域51的宽度方向中央附近部，通过主密封件52，仅在液晶面板50的显示区域51的长度方向两端部，阵列基板12以及对置基板13被固定，所以如图10所示，随着从液晶面板50的显示区域51的宽度方向中央附近部远离，由于二个基板12、13的曲率半径之差而发生位置偏移。在液晶面板50的显示区域51的长度方向两端部，二个基板12、13被固定，所以在上述长度方向两端部附近位置偏移急剧变小。在内侧的对置基板13的长度方向两端部，对置基板13内的压缩应力变得非常高，所以上述长度方向两端部的曲率变小、或者沿着逆向弯曲，从而对置基板13内的应力被缓和。在图10中，夸张示出长度方向一端部。端部的形状与本来的曲率不同，但如后所述端部形状的控制是困难的。

在实际的液晶面板50中，在图4所示的第一显示区域M1以及第三显示区域M3中，发生与阵列基板12以及对置基板13的曲率半径之差相伴的位置偏移。位置偏移量根据杨氏率等基板的机械性性质或环境温度等而变化，但其最大值成为用上述式(1)或式(2)表示的长度尺寸。

接下来，对用于根据阵列基板12以及对置基板13的各像素构造的位置偏移的发生机理，防止与位置偏移相伴的显示不均的黑矩阵开口部41a的形状进行说明。

黑矩阵开口部41a向像素电极29的外部露出，从而产生与位置偏移相伴的显示不均。在像素电极29的外侧，未向液晶层14施加期望的电压。在施加电压时成为“暗”、在未施加电压时成为“亮”的常白的TN模式下，像素电极29的外部的透明部分成为暗显示时的光漏。

图11是示出阵列基板12的像素构造的结构的平面图。在图11中，用参照标号48表示且用粗线包围的区域为发生光漏的区域。即使是在未施加电压时成为暗显示的常黑的TN模式下，由于向扫描布线21以及信号布线23施加的电压，虽然并非常白的TN模式程度，但仍发生光漏。像素电极29的上下左右四边中的右侧的一边是与邻接的像素的扫描布线21稍微重叠、具体而言仅重叠几微米左右而配置的，所以不发生光漏。

因此，在向黑矩阵开口部41a所邻接的扫描布线21侧、即在图11中向右侧偏移的情况下，不发生光漏。但是，由于黑矩阵开口部41a的一部分被扫描布线21遮光，所以相应部分的透射率降低。像素电极29的左边未与自身的扫描布线21重叠配置。其目的为，防止像素电极电位由于向扫描布线21施加的电压而较大地变化。与自身的扫描布线21的电容相伴的像素电极电位的变化被称为馈入电压或反冲电压。

另外，像素电极29的上下边也未与信号布线23重叠配置。其原因为，在重叠配置的情况下，抑制向从该信号布线23施加了图像信号电压的相同行的像素电极电位的影响、即串扰现象。

对于本实施方式的液晶显示装置10的像素构造11，其长边沿着弯曲方向Y配置，所以沿着图11的左右方向发生黑矩阵开口部41a的位置偏移，但在本实施方式中，通过考虑位置偏移量的最大值S来规定黑矩阵开口部41a的弯曲方向Y的长度尺寸，而抑制发生光漏。

图12是示出本发明的第一实施方式的黑矩阵开口部41a的平面图。黑矩阵开口部41a的弯曲方向Y的长度尺寸A构成为与像素电极29的弯曲方向Y的长度尺寸E相比，短位置偏移的长度尺寸的最大值S的二倍以上。这样在本实施方式的液晶显示装置10的像素构造11中，黑矩阵开口部41a的弯曲方向Y的长度尺寸比规定的长度尺寸短，所以黑矩阵开口部41a不依赖于显示区域51的位置，而总是配置于像素电极29内。因此，可以在显示区域51的全面实现均匀的显示。

在从正面观察具有弯曲显示面的液晶显示装置10的情况下，观察显示面的角度根据显示面的位置而不同，但在本发明的液晶面板50的结构中，如上所述使黑矩阵开口部41a总是配置于像素电极29内，可以抑制发生光漏，所以可以实现从正面观察在显示区域整体中均匀的显示。另外，本发明的液晶显示装置10的显示面仅沿着一个方向(在该情况下为水平方向)弯曲，而并未沿着另一个方向(在该情况下为垂直方向)弯曲。

黑矩阵开口部41a构成为从像素电极29与自身的扫描布线21之间的光漏位置、以及与邻接的扫描布线21的边界位置仅隔开相同距离S’而配置。黑矩阵开口部41a的形状为，在向左侧偏移的情况下不透明的漏电极25向黑矩阵开口部41a露出而透射率减少。从抑制显示不均的观点来看，黑矩阵开口部41a最优选为图12所示的结构，但如果光漏的发生被抑制，则特别改善低灰度图像的显示不均。

图13是示出作为黑矩阵开口部的其他例子的黑矩阵开口部41b的平面图。图13所示的黑矩阵开口部41b的弯曲方向Y的长度尺寸A构成为与像素构造11的弯曲方向Y的P相比，短位置偏移的长度尺寸的最大值S的二倍以上。进而黑矩阵开口部41b构成为从像素电极29与自身的扫描布线21之间的位置、即与左右相邻的二个像素的光漏位置仅隔开相同距离S’而配置。

黑矩阵开口部41b的形状成为用于对漏电极25进行遮光的形状，另外还成为在黑矩阵开口部41b在图13中向纸面的右侧偏移的情况下不使TFT开关元件露出的形状。如果TFT开关元件露出，则在外光到达TFT开关元件的情况下半导体层26的电阻、即源电极24以及漏电极25之间的电阻降低，产生显示不均。在黑矩阵开口部41b的形状如图13所示，为将矩形的长度方向两端部且宽度方向一端部切开的大致T字状的情况下，可以抑制发生光漏，但在黑矩阵开口部41b在图13中向纸面的右侧偏移的情况下，不透明的扫描布线21根据偏移量而向黑矩阵开口部41b露出，所以透射率降低。因此在使液晶面板50与图4同样地弯曲的情况下，仅在显示区域51的右侧发生亮度稍低的区域。

如上所述，通过规定黑矩阵开口部41b的长度尺寸，改善起因于位置偏移的显示不均。但是，如果与对应于像素电极29的形状而形成了黑矩阵开口部41b的情况相比，则黑矩阵开口部41b的面积变小，透射率降低。

因此，为了使黑矩阵开口部41b的面积降低成为最小限，在本实施方式中，沿着弯曲方向Y配置像素构造11的长边。在沿着弯曲方向Y配置了像素构造11的短边的情况下，通过使黑矩阵41的宽度方向尺寸B(参照图1)变窄位置偏移的长度尺寸的最大值S的二倍以上，开口率大幅降低。

为了使透射率的降低成为最小限，在本实施方式中进一步沿着弯曲方向Y配置信号布线23，并沿着与其正交的方向配置扫描布线21以及公共布线22。如果与其相逆地沿着弯曲方向Y配置扫描布线21以及公共布线22，则沿着像素构造11的长边方向配置二根布线，从而相对像素不透明的布线所占的面积比增加，从而是优选的。

在本实施方式中，将像素构造11的长度方向尺寸设为330μm，将宽度方向尺寸设为100μm，沿着横向配置640个，沿着纵向配置360×3个。显示区域51的大小为横211mm、纵119mm(相当于对角9.5英寸)。玻璃基板20、40的厚度尺寸与对置基板13以及阵列基板12一起为0.15mm。面板空隙d为4.5μm。在本实施方式中，将对置基板13的表面设为凹面，以500mm的曲率半径大致弯曲成圆弧状。此时的阵列基板12以及对置基板13的位置偏移的最大值S根据上式(2)判断成降低33μm。像素电极29的弯曲方向Y的长度尺寸为310μm，黑矩阵开口部41b的弯曲方向Y的长度尺寸A为240μm(＜310-33×2μm)。

接下来对液晶显示装置10的制造方法进行说明。在本实施方式中，使用厚度尺寸为0.5mm的二个平板的玻璃基板，制造具有规定像素构造11的阵列基板12以及对置基板13，并粘贴两个基板12、13之后，使两个基板12、13的厚度尺寸薄型化成0.15mm。

图14是示出对置基板13的制造方法的剖面图。图15是示出阵列基板12的制造方法的剖面图。在本实施方式中，用一对玻璃基板制造四个液晶显示装置10。首先在玻璃基板40的表面上，依次层叠规定形状的黑矩阵41、滤色片42、保护膜43以及对置电极44(参照图2)。在对置基板44中，形成对置基板侧取向膜45，沿着规定方向实施取向处理。作为对置基板侧取向膜45，使用聚酰亚胺等高分子材料，通过用人造纤维等擦拭对置基板侧取向膜45的表面的研磨法而实施取向处理。在取向处理之后，在对置基板侧取向膜45的表面上散布球状的树脂制间隔剂60。在间隔剂60中，使用直径尺寸为4.5μm的材料。

在玻璃基板20的表面上，形成各布线21、22、23以及各电极24、25、29等，矩阵状地配置像素(参照图2)。在其上，形成阵列基板侧取向膜32，沿着规定方向实施取向处理。阵列基板侧取向膜32的材料以及取向处理方法等与对置基板侧取向膜45的情况相同。在取向处理之后，涂敷主密封件52，以包围由矩阵状地配置的多个像素构成的显示区域51。进而，在二个玻璃基板20、40的最外周的内侧，也涂敷伪密封件61。在主密封件52以及伪密封件61中，使用环氧树脂等热固化性树脂。接下来粘贴二个玻璃基板20、40以使阵列基板侧取向膜32的表面与对置基板侧取向膜45的表面对置，进行热压焊而固定主粘接件52以及假粘接件61。

图16是图17所示的剖面线X16-X16处的端面图。图17是示出玻璃基板上的主密封件52以及伪密封件61的平面图。图16示出粘贴了二个玻璃基板20、40的状态。如上所述涂敷成包围显示区域51的主密封件52中，设置有作为用于液晶注入的开口部的液晶注入口53。接下来，通过将粘贴后的二个玻璃基板20、40浸渍到氟化氢酸(HF)或缓冲剂氟化氢酸(BHF：HF+NH₄F)的蚀刻溶液，进行蚀刻而薄膜化。调整蚀刻溶液的浓度或浸渍时间，使各玻璃基板20、40的厚度薄化成0.15mm左右。玻璃基板20、40的厚度尺寸优选为0.05mm至0.3mm的范围。如果过薄，则在玻璃基板20、40的薄膜化后的制造工序、例如后述的液晶注入时或偏振片粘贴时等制造工序中易于破裂，如果过厚则不易弯曲，所以在弯曲的工序中易于破裂。

在对玻璃基板20、40进行薄膜化之后，使用玻璃划线器等，在图17中用参照序号62表示的切断位置进行切断，加工成液晶显示装置一台的大小。另外，在存在与外部的图像信号输出部连接的布线端子的边，与形成了连接端子的阵列基板12相比在内侧切断对置基板13。

接下来，在如上所述将所切断的粘贴完成的玻璃基板和液晶放入真空容器并设为真空之后，使液晶注入口53接触液晶。通过使真空容器返回到大气压而从液晶注入口53注入液晶。图18是示出向二个玻璃基板20、40之间注入了液晶的状态的结构的剖面图。在液晶中，使用介电常数各向异性为正且左手性的丝状液晶。液晶的复折射为0.085～0.090(波长589nm中的值)。在注入液晶之后用封口剂54塞住液晶注入口53。在封口剂54中，使用紫外线固化型的粘接剂。

接下来，向对置基板13的外侧表面粘贴对置基板侧偏振片46，向阵列基板12的外侧表面粘贴阵列基板侧偏振片33。在阵列基板侧偏振片33以及对置基板侧偏振片46中，使用延伸用碘酸染色的聚乙烯醇(简称：PVA)并夹在二个三醋酸纤维素(简称：TAC)膜而得到的偏振片。在阵列基板侧偏振片33以及对置基板侧偏振片46的粘贴中，使用膜状的粘接剂。图19是示出粘贴了阵列基板侧偏振片33以及对置基板侧偏振片46的状态的结构的剖面图。在阵列基板侧偏振片33以及对置基板侧偏振片46的粘贴之后，利用挠性基板55连接阵列基板12上的布线与外部电路基板56。由此，制造出液晶显示装置10中的液晶面板50。

图20是示出粘贴了液晶面板50与支撑板66的状态的结构的剖面图。如图20所示，一边利用辊子65将液晶面板50按压到支撑板66，一边使用片状的粘接膜粘贴液晶面板50与支撑板66。在支撑板66中，使用将丙烯酸以及聚碳酸酯等透明树脂成型成以对规定曲率、换言之期望的显示面的曲率半径加上液晶面板50的厚度尺寸而得到的曲率半径弯曲的形状的部件。但是，在液晶面板50的弯曲方向的端部，如上所述，内侧的对置基板13内的应力过强而未得到规定的曲率，所以使液晶面板50与支撑板66一起稍微变形。

图21是示出液晶显示装置10的水平方向的结构的剖面图。图22是简化示出液晶显示装置10的水平方向的结构的立体图。在背光67上层叠如上所述弯曲的液晶面板50和支撑板66，进而从对置基板13侧覆盖壳体68而制作液晶显示装置10。背光67为从以往既知的液晶显示装置的背光的层叠结构，构成为具备反射片、导光板、扩散片、灯。在壳体68的与显示面相当的部分，配置有透明的保护板69。

如上所述根据本实施方式的液晶显示装置10，像素构造11的长边沿着显示面的弯曲方向Y配置，将显示面的弯曲方向Y的长度尺寸设为L，将阵列基板12的厚度尺寸设为T1，将对置基板13的厚度尺寸设为T2，将阵列基板12与对置基板13之间的尺寸设为d，将弯曲显示面的曲率半径设为R，将设置于像素构造内的像素电极29的长边的长度尺寸设为E时，作为由黑矩阵41隔开的开口部的黑矩阵开口部41a的弯曲方向的长度尺寸被设计成E-L{(T1/2)+(T2/2)+d}/R以下。

这样黑矩阵开口部41a的弯曲方向Y的长度尺寸为E-L{(T1/2)+(T2/2)+d}/R以下，所以可以抑制在设置于像素构造内的像素电极29的周边处发生光漏，且可以抑制由于与弯曲相伴的阵列基板12与对置基板13的位置偏移而发生显示不均。另外像素构造11由于其长边沿着显示面的弯曲方向Y配置，所以与像素构造11的短边沿着显示面的弯曲方向Y配置的情况相比，可以抑制由于使黑矩阵开口部41a的弯曲方向Y的长度尺寸成为E-L{(T1/2)+(T2/2)+d}/R而引起的亮度降低。因此，可以得到可以实现显示不均少且亮度高的高质量的图像显示的液晶显示装置10。

另外在黑矩阵开口部为上述图13所示的黑矩阵开口部41b的情况下，黑矩阵开口部41b的弯曲方向Y的长度尺寸被规定成P-L{(T1/2)+(T2/2)+d}/R以下。由此，可以抑制在设置于像素构造11内的像素电极29的周边处发生光漏，并且可以抑制由于与弯曲相伴的阵列基板12与对置基板13的位置偏移而发生显示不均。另外如上所述，像素构造11由于其长边沿着显示面的弯曲方向Y配置，所以与像素构造11的短边沿着显示面的弯曲方向Y配置的情况相比，可以抑制使黑矩阵开口部41b的弯曲方向Y的长度尺寸成为P-L{(T1/2)+(T2/2)+d}/R以下而引起的亮度降低。因此，可以得到可以实现显示不均少且亮度高的高质量的图像显示的液晶显示装置10。

另外根据本实施方式的液晶显示装置10，液晶层14为朝向显示面12点视角的扭曲向列模式，并且弯曲方向Y为显示面的水平方向，所以可以得到可以实现在从正面观察液晶显示装置10的情况下，在弯曲方向Y的整体亮度变化少的易于观察的图像显示的液晶显示装置10。虽然与本实施方式不同，但即使在液晶层14为朝向显示面6点视角的扭曲向列模式的情况下，也与本实施方式同样地，可以得到可以实现在从正面观察液晶显示装置10的情况下，在弯曲方向Y的整体亮度变化少的易于观察的图像显示的液晶显示装置10。

另外根据本实施方式的液晶显示装置10，沿着弯曲方向Y配置了信号布线23，沿着与弯曲方向Y正交的方向配置了扫描布线21以及公共布线22。像素构造11的长边沿着弯曲方向Y配置，所以沿着像素构造11的长边配置了信号布线23，沿着像素构造11的短边配置了扫描布线21以及公共布线22。由此，与沿着像素构造11的长边配置了扫描布线21以及公共布线22，沿着像素构造11的短边配置了信号布线23的情况相比，在作为构成像素构造11的四边中的相对短的边的短边的方向上，可以减小不透明的布线、即不具有透光性的布线相对像素构造11所占的面积的比率。因此，可以提高开口率，所以可以得到亮度高且可以实现明亮的图像显示的液晶显示装置10。

(第二实施方式)

接下来对本发明的第二实施方式的液晶显示装置进行说明。在上述第一实施方式中，对显示面弯曲成凹面的液晶显示装置10进行了说明，但在本实施方式中，对显示面弯曲成凸面的液晶显示装置进行说明。本实施方式的液晶显示装置的像素构造以及弯曲前的液晶面板50的结构与上述第一实施方式的液晶显示装置10相同。因此仅对与液晶显示装置10不同的部分进行说明，对于所对应的位置附加同一标号并省略说明。

图23是示出显示面弯曲成凸面的液晶面板50的立体图。图24是示出液晶面板50的第一显示区域M11中的像素构造11d的平面图。图25是示出液晶面板50的第二显示区域M12中的像素构造11e的平面图。图26是示出液晶面板50的第三显示区域M13中的像素构造11f的平面图。对于图23的液晶面板50，仅示意地示出二个基板、即阵列基板12以及对置基板13。

与上述图4所示的弯曲成凹面的情况同样地，液晶面板50的第二显示区域M12为显示区域的中央附近区域，对于该第二显示区域M12中的像素构造11e，如图25所示，阵列基板12与对置基板13的位置关系仍维持显示面弯曲前的平板时的关系。

液晶面板50的第一以及第三区域M11以及M13为显示区域的两端的区域，对于该第一以及第三显示区域M11、M13中的像素构造11d、11f，如图24、图26所示，对置基板13的像素构造分别向左右的内侧偏移。换言之，与弯曲成凹面的情况相比，所偏移的方向相逆。

在本实施方式的液晶面板50的像素构造11d、11e、11f中，黑矩阵开口部41a的弯曲方向Y的长度尺寸构成为比规定长度尺寸短，所以黑矩阵开口部41a不依赖于显示区域51的位置，而总是配置于像素电极29内。因此，与显示面弯曲成凹面的情况同样地，可以在显示区域51的全面实现均匀的显示。

图27是液晶面板50的弯曲时的阵列基板12以及对置基板13的沿着弯曲方向Y的面中的剖面图。图27示出在使阵列基板12以及对置基板13弯曲成凸面时产生的位置偏移。在使显示面弯曲成凸面的情况下，如图27所示，曲率半径由作为最外侧的表面的对置基板13的表面规定，所以使显示面弯曲成凸面时的位置偏移的最大值用与上式(1)稍微不同的下式(3)来表示。

式(3)

$S=\frac{L(\frac{T1}{2}+\frac{T2}{2}+d)}{2(R-T1-\frac{T2}{2}-d)}\·\·\·\left(3\right)$

对置基板13的厚度尺寸T1、阵列基板12的厚度尺寸T2、以及面板空隙d与曲率半径R相比非常小，所以位置偏移的最大值S与弯曲成凹面的情况同样地，用上式(2)来表示。

因此，通过与上述第一实施方式同样地，使黑矩阵开口部41a的弯曲方向Y的长度尺寸成为E-L{(T1/2)+(T2/2)+d}/R以下，可以抑制在设置于像素构造内的像素电极29的周边处发生光漏，且可以抑制由于与弯曲相伴的阵列基板12与对置基板13的位置偏移而发生显示不均。另外通过像素构造11的长边沿着显示面的弯曲方向Y配置，与像素构造11的短边沿着显示面的弯曲方向Y配置的情况相比，可以降低由于使黑矩阵开口部41a的弯曲方向Y的长度尺寸成为上述范围而引起的亮度降低，所以可以得到可以实现亮度不均少且亮度高的高质量的图像显示的液晶显示装置。

(第三实施方式)

接下来对本发明的第三实施方式的液晶显示装置进行说明。在本实施方式中，对从正面观察液晶显示装置沿着纵向使显示面弯曲的情况进行说明。本实施方式的液晶显示装置的结构与上述第一实施方式的液晶显示装置10类似。因此仅对与液晶显示装置10不同的部分进行说明，对于所对应的位置附加同一参照标号并省略说明。

图28是示出本发明的第三实施方式的液晶显示装置的像素构造70的平面图。对于本实施方式的像素构造70，由于弯曲方向Y成为纵向，所以呈现沿着纵向的矩形状。对于像素构造70的大小，宽度方向(横向)的尺寸为110μm，长度方向(纵向)的长度尺寸为330μm。另外像素电极29的弯曲方向Y的长度尺寸与上述第一以及第二实施方式同样地为310μm。对于像素，沿着横向配置360×3个、沿着纵向配置640个。对于显示区域51的大小，横向的长度尺寸为119mm，并且纵向的长度尺寸为211mm(相当于对角9.5英寸)。玻璃基板的厚度尺寸与对置基板13以及阵列基板12一起为0.15mm，面板空隙d为4.5μm。

在本实施方式中，将对置基板13的表面设为凸面，以500nm的曲率半径大致弯曲成圆弧状。此时的对置基板13以及阵列基板12的位置偏移的最大值与上式(2)相比降低33μm。因此，黑矩阵开口部41a的弯曲方向Y的长度尺寸成为240μm(＜310-33×2μm)。

图29是示出液晶显示装置的弯曲前的液晶面板75的结构的平面图。在本实施方式中，与上述第一以及第二实施方式同样地，设为12点视角的TN模式。图30是示出显示面弯曲成凸面的液晶面板75的立体图。图31是示出液晶面板75的第一显示区域N1中的像素构造70a的平面图。图32是示出液晶面板75的第二显示区域N2中的像素构造70b的平面图。图33是示出液晶面板75的第三显示区域N3中的像素构造70c的平面图。

图30对于液晶面板75仅示意地示出阵列基板12以及对置基板13。液晶面板75的第二显示区域N2为显示区域的中央附近区域，对于该第二显示区域N2中的像素构造70b，如图32所示，阵列基板21与对置基板13的位置关系仍维持显示面弯曲前的平板时的关系。

液晶面板75的第一以及第三显示区域N1、N3为显示区域的两端的区域，对于该第一以及第三显示区域N1、N3中的像素构造70a、70c，如图31以及图33所示，对置基板13的像素构造分别向上下方向的内侧偏移。

在本实施方式的液晶面板75的像素构造70a、70b、70c中，黑矩阵开口部41a的弯曲方向Y的长度尺寸构成为比规定长度尺寸短，所以黑矩阵开口部41a不依赖于显示区域51的位置，而总是配置于像素电极29内。因此，与显示面弯曲成凹面的情况同样地，在显示区域51的全面可以实现均匀的显示。

但是，在从正面观察本实施方式的液晶显示装置的情况下，相对液晶面板75的表面稍微从上方观察到显示区域51的下侧部分。本方向为发生12点视角的TN模式的灰度反转现象的方向，所以与显示区域51的中央部分或上侧部分相比，亮显示时的亮度稍微更暗，暗显示时的亮度稍微更亮。

以上的各实施方式为液晶显示装置的显示面全面沿着特定方向以相同曲率弯曲的情况。得到如下效果：对于显示面的一部分弯曲的情况、显示面以不同的曲率弯曲的情况、显示面弯曲成凹凸的情况等，也可以通过使黑矩阵开口部41a的形状成为考虑了位置偏移量的最大值的形状，而抑制光漏。

图34是液晶面板75的弯曲时的阵列基板12以及对置基板13的沿着弯曲方向Y的面中的剖面图。在图34所示的实施方式中，像素构造11的长边也沿着显示面的弯曲方向Y配置。图34示出使长度尺寸为L1的显示面的一部分以曲率半径R1弯曲成凹面时产生的位置偏移。显示面的除了上述一部分(以下称为“弯曲部”)的剩余部分的长度尺寸为L2，该剩余部分不弯曲而为平板的状态。该剩余部分以下称为“平板部”。

图34与图8同样地示出假设成主密封件52发挥仅确保面板空隙的作用，且阵列基板12以及对置基板13沿着弯曲方向自由地移动时的剖面。如果朝向图34，在平板的右端、即显示面的右端阵列基板12和对置基板13被固定，则弯曲部的左端、即显示面左端处的位置偏移的长度尺寸的最大值、即位置偏移量的最大值S1在将阵列基板12以及对置基板13的厚度尺寸设为T并将面板空隙设为d时，用下式(4)来表示。

式(4)

$S1=\frac{L1(T+d)}{R1}\·\·\·\left(4\right)$

因此，在本实施方式中，使黑矩阵开口部41a的弯曲方向Y的长度尺寸比像素电极29的长边的长度尺寸E短位置偏移量的最大值S以上即可。即，使黑矩阵开口部41a的弯曲方向Y的长度尺寸成为E-L1(T+D)/R1以下即可。

由此，与第一实施方式同样地，可以抑制在设置于像素构造11内的像素电极29周边处发生光漏，且可以抑制由于与弯曲相伴的阵列基板12与对置基板13的位置偏移而发生显示不均。另外像素构造11的长边沿着显示面的弯曲方向Y配置，所以与像素构造11的短边沿着显示面的弯曲方向Y配置的情况相比，可以抑制由于使黑矩阵开口部41a的弯曲方向Y的长度尺寸成为上述范围而引起的亮度降低。因此，可以得到可以实现显示不均少且亮度高的高质量的图像显示的液晶显示装置。

图35是显示面以不同的曲率弯曲时的阵列基板12以及对置基板13的沿着弯曲方向Y的面中的剖面图。在图35所示的实施方式中，像素构造11的长边也沿着显示面的弯曲方向Y配置。图35示出在显示面的左右弯曲成不同曲率的凹面时产生的位置偏移。具体而言，图35示出长度尺寸为L1的显示面的一部分以曲率半径R1弯曲成凹型，且显示面的除了上述一部分(以下称为“第一弯曲部”)的剩余部分沿着与第一弯曲部相同的方向以与第一弯曲部不同的曲率半径R2弯曲的情况。将该剩余部分以下称为“第二弯曲部”，用L2表示第二弯曲部的弯曲方向Y上的长度尺寸。

图35与图34同样地示出假设成主密封件52发挥仅确保面板空隙的作用，且阵列基板12以及对置基板13沿着弯曲方向Y自由地移动时的剖面。如果设为在曲率半径变化的位置、即第一弯曲部与第二弯曲部的连接位置处，阵列基板12与对置基板13被固定，则朝向图35，显示面左端、即第一弯曲部的左端处的位置偏移的长度尺寸的最大值即位置偏移量的最大值S1用上式(4)表示，显示面右端、即第二弯曲部的右端处的位置偏移的长度尺寸的最大值即位置偏移量的最大值S2在将阵列基板12以及对置基板13的厚度尺寸设为T并将面板空隙设为d时，用式(5)表示。

式(5)

$S2=\frac{L2(T+d)}{R2}\·\·\·\left(5\right)$

因此，在本实施方式中，使黑矩阵开口部41a的弯曲方向Y的长度尺寸与像素电极29的长边的长度尺寸E相比短第一弯曲部中的位置偏移量的最大值S1与第二弯曲部中的位置偏移量的最大值S2之和(S1+S2)以上即可。即，使黑矩阵开口部41a的弯曲方向Y的长度尺寸成为E-{L1(T+d)/R1+L2(T+d)/R2}以下即可。

由此，可以与第一实施方式同样地，抑制在设置于像素构造11内的像素电极29的周边处发生光漏，并且可以抑制由于与弯曲相伴的阵列基板12与对置基板13的位置偏移而发生显示不均。另外像素构造11的长边沿着显示面的弯曲方向Y配置，所以与像素构造11的短边沿着显示面的弯曲方向Y配置的情况相比，可以抑制由于使黑矩阵开口部41a的弯曲方向Y的长度尺寸成为上述范围而引起的亮度降低。因此，可以得到可以实现显示不均少且亮度高的高质量的图像显示的液晶显示装置。

如图34以及图35所示的二个情况所示，还包括曲率在显示面的左右非对称的情况、显示面的左侧或右侧为平板状的情况，位置偏移在显示面的左右不均等地发生，而依赖于显示面的左右的曲率R1、R2以及长度尺寸L1、L2而变化。因此，在该情况下，使黑矩阵开口部41a的弯曲方向的长度尺寸成为上述那样的规定的长度尺寸、且考虑实际弯曲时的位置偏移而设定弯曲前的平板时的阵列基板12与对置基板13的相对位置即可。具体而言，考虑实际弯曲时的位置偏移，来调整阵列基板12与对置基板13的粘贴位置即可。

图36是显示面弯曲成凹凸时的阵列基板12以及对置基板13的沿着弯曲方向Y的面中的剖面图。在图36所示的实施方式中，像素构造11的长边也沿着显示面的弯曲方向Y配置。图36示出在显示面的左右沿着逆向弯曲时产生的位置偏移。具体而言，图36示出长度尺寸为L1的显示面的一半以曲率半径R1弯曲成凹型，且除了弯曲成该凹型的部分(以下称为“凹型弯曲部”)的剩余的一半沿着与凹型弯曲部相逆的方向、即凸型地以与凹型弯曲部相同曲率弯曲的情况。将该弯曲成凸型的部分以下称为“凸型弯曲部”，用L1表示凸型弯曲部的弯曲方向Y上的长度尺寸。

图36与图35同样地示出假设成主密封件52发挥仅确保面板空隙的作用，且阵列基板12以及对置基板13沿着弯曲方向Y自由地移动时的剖面。如果设成在所弯曲的朝向变化的位置、即凹型弯曲部与凸型弯曲部的连接位置，阵列基板12和对置基板13被固定，则弯曲方向Y上的显示面两端处的位置偏移的长度尺寸的最大值即位置偏移量的最大值S1都用上式(4)来表示。

在如图36所示，所弯曲的朝向在显示面的左右相逆的情况下，位置偏移的方向一致。在实际的液晶面板中，阵列基板12以及对置基板13的显示区域的左右两端通过主密封件52固定，所以对置基板13侧的像素构造11在朝向图36右侧的凸型弯曲部中，向右偏移，其位置偏移量的最大值S1用上式(4)来表示。另外在朝向图36左侧的凹型弯曲部中，对置基板13侧的像素构造11向左偏移，其位置偏移量的最大值S1用上式(4)来表示。

因此，在本实施方式中，黑矩阵开口部41a的弯曲方向Y的长度尺寸与像素电极29的长边的长度尺寸E相比，短凸型弯曲部以及凹型弯曲部中的任意一个的位置偏移量的最大值S1以上即可。即，使黑矩阵开口部41a的弯曲方向Y的长度尺寸成为E-L1(T+d)/R1以下即可。

由此，可以与第一实施方式同样地，抑制在内置于像素构造11内的像素电极29的周边处发生光漏，并且可以抑制由于与弯曲相伴的阵列基板12与对置基板13的位置偏移而发生显示不均。另外像素构造11的长边沿着显示面的弯曲方向Y配置，所以与像素构造11的短边沿着显示面的弯曲方向Y配置的情况相比，可以抑制由于使黑矩阵开口部41a的弯曲方向Y的长度尺寸成为上述范围而引起的亮度降低。因此，可以得到可以实现显示不均少且亮度高的高质量的图像显示的液晶显示装置。

图37是显示面弯曲成凹凸时的其他例子中的阵列基板12以及对置基板13的沿着弯曲方向Y的面中的剖面图。在图37所示的实施方式中，像素构造11的长边也沿着显示面的弯曲方向Y配置。图37示出在显示面的左右逆向且以不同曲率弯曲时产生的位置偏移。图37示出长度尺寸为L1的显示面的一部分以曲率半径R1弯曲成凹型，且除了弯曲成该凹型的部分(以下称为“凹型弯曲部”)的剩余部分凸型地以与凹型弯曲部不同的曲率半径R2弯曲的情况。将弯曲成该凸型的部分以下称为“凸型弯曲部”，用L2表示凸型弯曲部的弯曲方向Y上的长度尺寸。

图37与图36同样地示出假设成主密封件52发挥仅确保面板空隙的作用，且阵列基板12以及对置基板13沿着弯曲方向Y自动地移动时的剖面。如果设成在所弯曲的朝向变化的位置、即凹型弯曲部与凸型弯曲部的连接位置，阵列基板12和对置基板13被固定，则在弯曲方向Y上朝向图37，显示面左端、即凹型弯曲部处的位置偏移的长度尺寸的最大值即位置偏移量的最大值S1用上式(4)来表示，显示面右端、即凸型弯曲部中的位置偏移的长度尺寸的最大值即位置偏移量的最大值S2用上式(5)来表示。

在图37所示的实施方式的情况下，也与图36所示的实施方式同样地，位置偏移的方向一致，液晶面板整体中的位置偏移量的最大值成为凹型弯曲部的位置偏移量的最大值S1以及凸型弯曲部的位置偏移量的最大值S2中的大的值。黑矩阵开口部41a的弯曲方向Y的长度尺寸与像素电极29的长边的长度尺寸E相比短液晶面板整体中的位置偏移量的最大值以上即可。如果假设凹型弯曲部的位置偏移量的最大值S1为凸型弯曲部的位置偏移量的最大值S2以上(S1≥S2)，则黑矩阵开口部41a的弯曲方向Y的长度尺寸与像素电极29的长边的长度尺寸E相比，短凹型弯曲部的位置偏移量的最大值S1以上即可，具体而言设为E-L1(T+d)/R1以下即可。

由此，可以与第一实施方式同样地，抑制在内置于像素构造11内的像素电极29的周边处发生光漏，并且可以抑制由于与弯曲相伴的阵列基板12与对置基板13的位置偏移而发生显示不均。另外像素构造11的长边沿着显示面的弯曲方向Y配置，所以与像素构造11的短边沿着显示面的弯曲方向Y配置的情况相比，可以抑制由于使黑矩阵开口部41a的弯曲方向Y的长度尺寸成为上述范围而引起的亮度降低。因此，可以得到可以实现显示不均少且亮度高的高质量的图像显示的液晶显示装置。

图38是示出在显示面的左右逆向地弯曲时的黑矩阵开口部41a的平面图。如图36以及图37所示的二个情况所示，在所弯曲的朝向在显示面的左右相逆的情况下，沿着显示面的左右中的任意一个方向发生位置偏移。因此，如图38所示，与像素电极29的一端部对应地配置黑矩阵开口部41a的弯曲方向Y上的一端部，并使黑矩阵开口部41a的弯曲方向Y的长度尺寸成为上述的范围，从而可以抑制由于位置偏移而发生光漏。例如，在对置基板13侧的像素构造11朝向图38向右偏移的情况下，如图38所示，与像素电极29的一部分对应地配置黑矩阵开口部41a的弯曲方向Y上的一端部，并将黑矩阵开口部41a配置成向像素电极29的左侧偏移即可。

Claims (4)

1.一种液晶显示装置，具备：具有矩阵状地配置的多个矩形状的像素构造的阵列基板；与上述阵列基板对置配置，并具有滤色片以及黑矩阵的对置基板；以及夹在上述阵列基板与上述对置基板之间的液晶层，并且具备上述阵列基板以及上述对置基板弯曲而成的弯曲显示面，其特征在于，

上述像素构造的长边沿着上述显示面的弯曲方向配置，

在上述像素构造内，矩形状的像素电极的长边沿着像素构造的长边设置，

在将上述显示面的上述弯曲方向的长度尺寸设为L、将上述阵列基板的厚度尺寸设为T1、将上述对置基板的厚度尺寸设为T2、将上述阵列基板与上述对置基板的间隙的尺寸设为d、将弯曲显示面的曲率半径设为R、将设置于上述像素构造内的像素电极的长边的长度尺寸设为E时，由上述黑矩阵隔开的开口部的上述弯曲方向的长度尺寸为E-L{(T1/2)+(T2/2)+d)/R以下。

2.一种液晶显示装置，具备：具有矩阵状地配置的多个矩形状的像素构造的阵列基板；与上述阵列基板对置配置，并具有滤色片以及黑矩阵的对置基板；以及夹在上述阵列基板与上述对置基板之间的液晶层，并且具备上述阵列基板以及上述对置基板弯曲而成的弯曲显示面，其特征在于，

上述像素构造的长边沿着上述显示面的弯曲方向配置，

在上述像素构造内，矩形状的像素电极的长边沿着像素构造的长边设置，

在与上述弯曲方向正交的方向上配置扫描布线，

上述像素电极的一边与邻接的像素的上述扫描布线重叠配置，

在将上述显示面的上述弯曲方向的长度尺寸设为L、将上述阵列基板的厚度尺寸设为T1、将上述对置基板的厚度尺寸设为T2、将上述阵列基板与上述对置基板的间隙的尺寸设为d、将弯曲显示面的曲率半径设为R、将上述像素构造的长边的长度尺寸设为P时，由上述黑矩阵隔开的开口部的上述弯曲方向的长度尺寸为P-L{(T1/2)+(T2/2)+d}/R以下。

3.根据权利要求1或2所述的液晶显示装置，其特征在于，上述液晶层为朝向上述显示面6点视角或12点视角的扭曲向列模式，并且上述弯曲方向为上述显示面的水平方向。

4.根据权利要求1或2所述的液晶显示装置，其特征在于，沿着上述弯曲方向配置有信号布线，沿着与上述弯曲方向正交的方向配置有扫描布线以及公共布线。

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