CN101373884B - 半导体激光装置的制造方法及半导体激光条的检查方法 - Google Patents
半导体激光装置的制造方法及半导体激光条的检查方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101373884B CN101373884B CN2008101308885A CN200810130888A CN101373884B CN 101373884 B CN101373884 B CN 101373884B CN 2008101308885 A CN2008101308885 A CN 2008101308885A CN 200810130888 A CN200810130888 A CN 200810130888A CN 101373884 B CN101373884 B CN 101373884B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- ridge structure
- structure portion
- mentioned
- semiconductor laser
- length direction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 64
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 47
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 42
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims description 28
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 19
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 16
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 4
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000005253 cladding Methods 0.000 abstract 4
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 abstract 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 abstract 1
- 238000002372 labelling Methods 0.000 description 12
- 101100406879 Neurospora crassa (strain ATCC 24698 / 74-OR23-1A / CBS 708.71 / DSM 1257 / FGSC 987) par-2 gene Proteins 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0201—Separation of the wafer into individual elements, e.g. by dicing, cleaving, etching or directly during growth
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/2201—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure in a specific crystallographic orientation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
在半导体基板上，使第1导电型的包覆层、活性层、第2导电型的第1包覆层及第2导电型的第2包覆层依次进行晶体生长，对上述第2导电型的第2包覆层进行加工，形成带状的多个脊形结构部，在与上述脊形结构部的长度方向正交的方向上裂开，形成激光条；将在脊形结构部的长度方向上隔开指定的间隔而排列脊形结构部后的列排列多个；该列和邻接的列，在脊形结构部的长度方向上错开，以使得脊形结构部的端部和邻接的脊形结构部的另一端部在脊形结构部的长度方向上互相重叠；使脊形结构部的端部和邻接的脊形结构部的端部相重叠的区域裂开。采用该方法，就可以提供一种能以简单的方法对每个芯片判别谐振器长度的偏差是否在允许范围内的半导体激光装置的制造方法以及其制造工序中的半导体激光条的检查方法。
Description
发明领域
本发明涉及一种用于提高谐振器长度的精度的半导体激光装置制造方法及其制造工序中的半导体激光条检查方法。
背景技术
近年来，在以视盘播放机为首的各种领域中，以大存储容量为特征的DVD记录再现用驱动器正在快速普及。另外，人们强烈期望以往一直利用的CD、CD-R及CD-RW的读出也能通过相同的设备来进行。因此，作为使用于DVD和CD记录、再现的光拾取器光源，一般除了DVD用的650nm波段红色半导体激光器之外，还同时使用CD用的780nm波段红外半导体激光器。
DVD等的记录再现装置随着个人计算机等信息处理设备的小型化，需要使其小型化及薄形化。为了实现该目标，光拾取器的小型化及薄形化是必需的。为了实现光拾取器的小型化及薄形化，有效的是减少光学部件使装置简单化。作为简单化的一个方法，可举出将红色半导体激光器和红外半导体激光器集成化的方法。
从装置的小型化、部件件数减少这样的观点出发，使红色半导体激光器和红外半导体激光器在同一半导体基板上集成化后的单片(monolithic)2波长半导体激光器近年来已批量生产。由此，不只是可以将半导体激光器本身集中于一个部件中，还可以使准直透镜和光束分离器等的光学部件在红色半导体激光器和红外半导体激光器之间共用，对装置的小型化、薄形化是有效的。
另外近年来，人们还要求高倍速下的写入记录，提出了一种可实现大功率输出下的激光器动作的单片2波长激光器(例如，参见日本特开2001-345514号公报)。
另外，伴随半导体激光器的大功率输出化，为了使激光芯片的散热性得到提高，正在谋求加长作为光波导路径的谐振器。例如，在650nm波段的半导体激光器中，一般认为，为了保证200mW超大的光输出，需要1000μm以上的谐振器长度。
但是，随着半导体激光器的谐振器的加长，向基座(sub-mount)组装时的旋转误差等给光轴偏移带来的影响进一步增大。另外，相干长度的变动幅度也增大。从而，当推进长谐振器化时，需要降低谐振器长度本身的偏差。
一般情况下，当制造半导体激光器的时候，为了将具有带状发光区域的半导体激光晶片分离为条状，按和带方向正交的方向在晶片表面上形成划线。接下来，沿着划线对晶片施加负载，使之裂开为条状态。还有，当形成650nm波段半导体激光器的时候一般使用的倾斜基板裂开方法例如公示在日本特开平09-266347号公报中。
利用上述激光条两端所形成的裂开面来作为镜，镜间的距离为谐振器长度。从而，谐振器长度的偏差由在裂开工序中产生的偏差——例如晶片结晶方向的偏差或划线等的偏差来决定。谐振器长度的测量在裂开工序之后，使用光学显微镜或SEM(扫描式电子显微镜)等测量器进行。
但是，采用上述以往的谐振器长度测量方法，因为要对每个芯片进行测量，所以总的测量时间变长，在制造工艺中需要成本及时间。另外，就利用显微镜的测量方法而言，对应于谐振器长度变长，需要扩大观察视野，其结果为存在测量误差增大的担忧。
发明内容
鉴于上述课题，本发明的目的为，提供一种半导体激光装置的制造方法及其制造工序中的半导体激光条的检查方法，可以采用简单的方法对每个芯片判别谐振器长度的偏差是否在允许范围内。
本发明半半导体激光装置的制造方法，其特征为，在半导体基板上，使第1导电型的包覆层、活性层、第2导电型的第1包覆层及第2导电型的第2包覆层依次进行晶体生长，对上述第2导电型的第2包覆层进行加工，形成带状的多个脊形结构部，在与上述脊形结构部的长度方向正交的方向上裂开，形成激光条。为了解决上述课题，将在上述脊形结构部的长度方向上隔开指定的间隔而排列上述脊形结构部后的列，在与上述脊形结构部的长度方向垂直的方向上隔开间隔排列多个；上述列和在上述脊形结构部的长度方向垂直方向上所邻接的列，在上述脊形结构部的长度方向上错开，以使得上述脊形结构部的端部和在与上述脊形结构部的长度方向垂直的方向上所邻接的脊形结构部的另一端部，在上述脊形结构部的长度方向上互相重叠，使上述脊形结构部的端部和上述邻接的脊形结构部的端部相重叠的区域裂开。
本发明半导体激光条的检查方法在半导体激光装置的制造方法中的裂开工序之后进行，通过观察裂开后的部分上残留的上述脊形结构部的配置、形状，来判定形状不良。
附图说明
图1A是表示本发明实施方式所涉及的半导体激光条结构的平面图。
图1B是表示本发明实施方式所涉及的半导体激光条结构的A-A′剖面图。
图1C是表示本发明实施方式所涉及的半导体激光条结构的B-B′剖面图。
图2A是表示本发明实施方式所涉及的半导体激光装置制造工序的平面图。
图2B是表示本发明实施方式所涉及的半导体激光装置制造工序的C-C′剖面图。
图2C是表示本发明实施方式所涉及的半导体激光装置制造工序的D-D′剖面图。
图3A是表示图2A之后的工序的平面图。
图3B是图3A的C-C′剖面图。
图3C是图3A的D-D′剖面图。
图4是表示本发明实施方式所涉及的半导体激光条裂开后的状态的平面图。
图5是表示本发明实施方式所涉及的半导体激光条在别的位置上裂开后的状态的平面图。
图6是表示本发明实施方式所涉及的半导体激光条在别的位置上裂开后的状态的平面图。
具体实施方式
本发明半导体激光装置的制造方法，将在脊形结构部的长度方向上隔开指定的间隔而排列脊形结构部后的列，在与脊形结构部的长度方向垂直的方向上隔开间隔排列多个；该列和在脊形结构部的长度方向垂直方向上所邻接的列，在脊形结构部的长度方向上错开，以使得脊形结构部的端部和在与脊形结构部的长度方向垂直的方向上所邻接的脊形结构部的另一端部，在脊形结构部的长度方向上互相重叠；使脊形结构部的端部和邻接的脊形结构部的端部相重叠的区域裂开。
另外，本发明半导体激光条的检查方法在半导体激光装置的制造方法中的裂开工序之后进行。通过观察裂开后的部分上残留的上述脊形结构部的配置、形状，来判定形状不良。
本发明半导体激光装置的制造方法及半导体激光装置的检查方法可以将上述结构作为基本，采取如下的各种方法。
也就是说，在上述半导体激光装置的制造方法中，也可以在形成上述脊形结构部之后，在上述脊形结构部的端部区域上形成电流阻挡层以覆盖上述第2导电型的第2包覆层。
另外，上述电流阻挡层也可以含有第1导电型的半导体层。
另外，上述电流阻挡层也可以是含有Si、SiNx、SiO2、TiO2、Ta2O5、NbOx或者氢化非晶硅的单层膜，或是上述单层膜被叠层2层以上之后的介质膜。
另外，在通过上述脊形结构部裂开而形成的谐振器中的长度的偏差允许范围为±A时，将上述脊形结构部的端部和在与上述脊形结构部的长度方向垂直的方向上邻接的脊形结构部的端部互相重叠的长度设为A/2。
另外，在上述半导体激光条的检查方法中也可以是，如果在两端的上述裂开后的部分中的至少一个上，未残留有在与上述脊形结构部的长度方向垂直的方向上邻接的脊形结构部的一部分，则判断为不良。
另外，也可以进行利用上述半导体激光条检查方法的检查，以及使半导体激光装置振荡、如果不产生振荡则判断为不良的特性检查。
下面，对于本发明实施方式所涉及的半导体激光装置、其制造方法及检查方法，一面参照附图一面进行说明。
(实施方式)
图1A是表示本发明实施方式所涉及的形成了多个半导体激光装置8的半导体激光条1的平面图，图1B是沿图1A的A-A′线的放大剖面图，图1C是沿图1A的B-B′线的放大剖面图。如图1A所示，在半导体激光条1上，包括平坦部2和脊形结构部5。该激光条1其相对的一组端面(第1端面6和第2端面7)通过裂开而形成。在脊形结构部5上，包括用来产生激光振荡的谐振器3和用来检测谐振器3长度的标记部4。谐振器3从第1端面6起到第2端面7为止形成，并且已经在第1端面6及第2端面7的部分上裂开，长度(谐振器长度)例如是1000μm。标记部4与谐振器3并行，分别形成在第1端面6及第2端面7的附近。
如图1C所示，激光条1具有按顺序层叠了半导体基板11、缓冲层12、n型包覆层(第1导电型的包覆层)13、活性层14、p型第1包覆层(第2导电型的第1包覆层)15及蚀刻阻止层16的结构。在脊形结构部5上，包括p型第2包覆层(第2导电型的第2包覆层)17、p型中间层18和p型接触层19的叠层体。
谐振器3在p型第2包覆层17、p型中间层18和p型接触层19的叠层体侧面上形成电流阻挡层20。在电流阻挡层20的侧面和上述叠层体上形成p侧电极21。标记部4为，形成电流阻挡层20使之覆盖p型第2包覆层17、p型中间层18和p型接触层19的叠层体，并形成p侧电极21使之覆盖电流阻挡层20。
半导体基板11采用n型GaAs来构成。缓冲层12采用n型GaAs来构成，形成在半导体基板11上。n型包覆层13采用n型(AlxGa1-x)yIn1-yP(0＜x＜1，0＜y＜1)来形成。活性层14层叠GaInP层和AlGaInP层来形成。p型第1包覆层15采用p型(AlxGa1-x)yIn1-yP(0＜x＜1，0＜y＜1)来形成。蚀刻阻止层16采用p型GaInP来形成。
p型第2包覆层17采用p型(AlxGa1-x)yIn1-yP(0＜x＜1，0＜y＜1)来构成，形成在蚀刻阻止层16上。p型中间层18采用p型GaInP来形成。p型接触层19采用p型GaAs来形成。电流阻挡层20由n型的半导体形成。n侧电极22形成在半导体基板11的背面。
还有，n型包覆层13、p型第1包覆层15及p型第2包覆层17的x，y例如可以使用x＝0.7、y＝0.5的值。
下面，对于本实施方式中半导体激光装置8的制造方法，进行说明。图2～图4是表示半导体激光装置8的制造方法各工序的附图。还有，半导体激光条1由于在端面附近和中心区域(增益区域)上剖面形状产生差异，因而将表示该各工序的剖面图分为谐振器端面附近和增益区域，进行分开表示。也就是说，图2A及图3A表示制造工序过程中半导体激光条1的平面图，图2B及图3B分别表示图2A及图3A的C-C′方向的剖面图(增益区域的剖面图)，图2C及图3C分别表示图2A及图3A的D-D′方向的剖面图(谐振器3端面附近的剖面图)。图4是表示使平坦部2沿着断开线31裂开后的状态的平面图。
首先，如图2B及图2C所示，在半导体基板11上，利用化学气相成长法(MOCVD法)依次层叠缓冲层12、n型包覆层13、活性层14、p型第1包覆层15、蚀刻阻止层16、p型第2包覆层17、p型中间层18及p型接触层19。图2A中的虚线表示为了通过此后的工序形成第1端面6或第2端面7，预定裂开的线(下面，称为断开线)31。在图2A中，第1区域32a、第2区域32b、第3区域32c分别是由断开线31所规定的区域。
接下来，在p型接触层19上形成SiO2膜，并通过利用光刻技术及干式蚀刻技术进行图案形成，在图1A所示的作为脊形结构部5的区域上形成带形状的掩模图案33a～33c。各区域32a～32c上所形成的SiO2掩模分别是第1SiO2掩模33a、第2SiO2掩模33b及第3SiO2掩模33c。另外，形成SiO2膜33，以使第1脊形结构部5a及第3区域32c的脊形结构部(第3脊形结构部5c)和第2脊形结构部5b，在与第2脊形结构部5b的长度方向垂直的方向上例如远离10μm。在第1区域32a、第2区域32b及第3区域32c上，由于分别同样形成半导体激光条1，因而下面将有关第2区域32b进行详细说明。
第2SiO2掩模33b形成于第2区域32b的断开线31间，并且延伸形成于第1区域32a及第3区域32c上，使之跨过断开线31。另外，在第2区域32b各自的断开线31附近，与第2SiO2掩模33b并行，形成从第1区域32a及第3区域32c分别延伸的第1SiO2掩模33a及第3SiO2掩模33c。第1SiO2掩模33a及第3SiO2掩模33c形成于一条直线上，是在第2区域32b上断开的虚线状。还有，第2SiO2掩模33b也和第1SiO2掩模33a及第3SiO2掩模33c相同，是相对于长度方向在第1区域32a及第3区域32c上断开的虚线状。
形成第2SiO2掩模33b，以在谐振器3中长度的偏差允许范围为±A时，延伸到第1区域32a及第3区域32c上的长度分别为A/4。也就是说，第2SiO2掩模33b和第1SiO2掩模33a的端部相对于与长度方向正交的方向互相重叠的长度是A/2。具体而言，在允许范围是±10μm时，其形成为从第1SiO2掩模33a及第3SiO2掩模33c延伸到第2SiO2掩模33b的长度分别为2.5μm。
接下来，利用该掩模图案，如图3B及图3C所示对p型接触层19、p型中间层18及p型第2包覆层17进行蚀刻，规定脊形结构部5。如图3A所示，由第1SiO2掩模33a、第2SiO2掩模33b及第3SiO2掩模33c所遮掩的部分分别为第1脊形结构部5a、第2脊形结构部5b及第3脊形结构部5c。脊形结构部5形成为在长度方向上错开，其端部和邻接的脊形结构部5的另一端部相对于与长度方向垂直的方向，一部分重叠。
还有，在本实施方式中，为了形成脊形结构部5，可以并用使用了例如电感耦合型等离子体或反应离子等离子体的干式蚀刻和湿式蚀刻来实施。
接下来，将作为掩模所使用的SiO2膜33去除。接下来，虽然省略了图示，但是在脊形结构部5的侧面及蚀刻阻止层16上形成电流阻挡层20。此时，在脊形结构部5上，对作为谐振器3的预定区域进行遮掩，对作为标记部4的预定区域(端部区域)则不进行遮掩，而形成电流阻挡层20。这里，所谓的端部区域，由于要在下面的裂开工序之前进行规定，因而实际上不限于作为标记部4的部分，指的是从裂开前的脊形结构部5的两个端部开始的一定区域(例如，从两个端部开始的A/4区域)。由于按上述方法形成，因而在不作为半导体激光器产生振荡的标记部4上，不流动无效电流，而可以防止多余的发热。接下来，在电流阻挡层20及p型接触层19上形成p侧电极21，并且在半导体基板11的背面上形成n侧电极22。
接下来，使平坦部2及脊形结构部5沿着断开线31裂开。裂开采用一般使用的方法，也就是说在与脊形结构部5的长度方向正交的方向上，在平坦部2表面上形成划线，沿着划线对晶片进行加载。
通过如上的工序，就可以制造半导体激光条1。因为按上述方法制造半导体激光条1，所以在裂开时，第1脊形结构部5a及第3脊形结构部5c端部部分的两端部分分别保留于第2区域32b的平坦部2，作为标记部4来发挥作用。
下面，对于在裂开后进行的、谐振器3的谐振器长度是否在允许范围内的检查方法，进行说明。首先，判断在第2区域32b的半导体激光条1上，是否分别存在从第1脊形结构部5a、第3脊形结构部5c延伸所形成的标记部4。
图4是表示使平坦部2及脊形结构部5裂开以使谐振器长度在允许范围内后的状态的平面图。此时，在第2区域32b上，在第1端面6及第2端面7附近存在标记部4。这表示出，在谐振器3的两个端部如上所述，谐振器长度的误差分别为±5μm以内，并且谐振器长度的误差总计为±10μm以内。
图5是表示在使平坦部2及脊形结构部5裂开后的状态下在第2区域32b的半导体激光条1上只在一个端部上存在标记部4时的平面图。这种情况下，因为有时谐振器3的谐振器长度在允许范围外，所以只在一个端部上存在标记部4的半导体激光条1判断为不良。还有，在半导体激光条1的两个端部上不存在标记部4时，也判断为不良。
接下来，针对标记部4存在于两个端部的半导体激光条1，检查是否流动电流而产生激光振荡。图4所示的半导体激光条1由于谐振器长度在允许范围内，并且谐振器3的两端已经裂开来形成，因而若流动了电流，则产生激光振荡。另一方面，图6下方所示的半导体激光条1虽然在两个端部上存在标记部4，但是谐振器3的一端未裂开，因此即便流动电流也不产生激光振荡。将不产生振荡的半导体激光条1判断为不良。
如上所述，根据本实施方式，通过用光学显微镜等的检查装置确认标记部4的有无，并且在半导体激光条1中流动电流使之产生激光振荡，就能以高精度且容易地进行裂开后的谐振器长度是否在规格内的检查。因此，由于不用进行谐振器长度的测量就可以，因而能够大幅缩短检查时间。另外，因组装到拾取器等中之后的检查而造成不良品的比率大幅减低，因此可以大大减低成本。
还有，对于通过上述检查未判断为不良的激光条，则按每个谐振器断开，连接布线等来形成半导体激光装置8。
虽然未图示，但是在本实施方式中，表示了电流阻挡层20是n型半导体层的例子，但是电流阻挡层20不限定于此，例如也可以是含有Si、SiNx、SiO2、TiO2、Ta2O5、NbOx或者氢化非晶硅等的单层膜，或是这些单层膜被层叠2个以上的多层膜的介质膜。
另外，本实施方式不言而喻，可以使用到以单片多波长半导体装置为首的蓝紫激光装置等具有波导通路的全部半导体激光装置中。
Claims (7)
1.一种半导体激光装置的制造方法，其特征为，
在半导体基板上，使第1导电型的包覆层、活性层、第2导电型的第1包覆层及第2导电型的第2包覆层依次进行晶体生长，
对上述第2导电型的第2包覆层进行加工，形成带状的多个脊形结构部，
在与上述脊形结构部的长度方向正交的方向上裂开，形成激光条；
在该半导体激光装置的制造方法中，
将在上述脊形结构部的长度方向上隔开指定的间隔而排列上述脊形结构部后的列，在与上述脊形结构部的长度方向垂直的方向上隔开间隔排列多个；
上述列和在上述脊形结构部的长度方向垂直方向上所邻接的列，在上述脊形结构部的长度方向上错开，以使得上述脊形结构部的端部和在与上述脊形结构部的长度方向垂直的方向上所邻接的脊形结构部的另一端部，在上述脊形结构部的长度方向上互相重叠；
使上述脊形结构部的端部和上述邻接的脊形结构部的端部相重叠的区域裂开。
2.如权利要求1所述的半导体激光装置的制造方法，其特征为，
在形成上述脊形结构部之后，
在上述脊形结构部的端部区域上形成电流阻挡层，以覆盖上述第2导电型的第2包覆层。
3.如权利要求2所述的半导体激光装置的制造方法，其特征为，
上述电流阻挡层含有第1导电型的半导体层。
4.如权利要求2所述的半导体激光装置的制造方法，其特征为，
上述电流阻挡层是含有Si、SiNx、SiO2、TiO2、Ta2O5、NbOx或者氢化非晶硅的单层膜，或是上述单层膜被层叠2层以上之后的介质膜。
5.如权利要求1所述的半导体激光装置的制造方法，其特征为，
在通过上述脊形结构部裂开而形成的谐振器中的长度的偏差允许范围为±A时，将上述脊形结构部的端部和在与上述脊形结构部的长度方向垂直的方向上邻接的脊形结构部的端部互相重叠的长度设为A/2。
6.一种半导体激光条的检查方法，在权利要求1所述的半导体激光装置制造方法中的裂开工序之后进行，其特征为，
如果在裂开后的部分中的至少一个上，未残留有在与上述脊形结构部的长度方向垂直的方向上邻接的脊形结构部的一部分，则判断为不良。
7.一种半导体激光条的检查方法，其特征为，
进行基于权利要求6所述的半导体激光条检查方法的检查，以及使半导体激光装置振荡、如果不产生振荡则判断为不良的检查。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007217393A JP2009054636A (ja) | 2007-08-23 | 2007-08-23 | 半導体レーザ装置の製造方法および半導体レーザバーの検査方法 |
| JP217393/2007 | 2007-08-23 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101373884A CN101373884A (zh) | 2009-02-25 |
| CN101373884B true CN101373884B (zh) | 2011-12-07 |
Family
ID=40382566
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2008101308885A Active CN101373884B (zh) | 2007-08-23 | 2008-08-21 | 半导体激光装置的制造方法及半导体激光条的检查方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7585689B2 (zh) |
| JP (1) | JP2009054636A (zh) |
| CN (1) | CN101373884B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102068188B1 (ko) * | 2018-11-26 | 2020-02-18 | 주식회사 오이솔루션 | 레이저 소자 및 그 제조방법 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1574526A (zh) * | 2003-05-22 | 2005-02-02 | 松下电器产业株式会社 | 半导体激光器 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4185256A (en) * | 1978-01-13 | 1980-01-22 | Xerox Corporation | Mode control of heterojunction injection lasers and method of fabrication |
| JPH0575216A (ja) | 1991-09-17 | 1993-03-26 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| JP3027934B2 (ja) | 1996-03-27 | 2000-04-04 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JPH10190150A (ja) | 1996-12-19 | 1998-07-21 | Canon Inc | アレイ型半導体光源装置、その駆動方法、およびそれを用いた波長分割多重光伝送システム |
| JP3608937B2 (ja) | 1998-03-31 | 2005-01-12 | 日本オプネクスト株式会社 | 半導体レーザ |
| JP2001345514A (ja) | 2000-06-01 | 2001-12-14 | Toshiba Corp | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| JP4539077B2 (ja) * | 2003-10-29 | 2010-09-08 | 日本電気株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
| JP2005294297A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
| JP2005327908A (ja) * | 2004-05-14 | 2005-11-24 | Fuji Photo Film Co Ltd | 半導体レーザ素子 |
| JP2006073851A (ja) | 2004-09-03 | 2006-03-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
| JP4789558B2 (ja) * | 2005-09-22 | 2011-10-12 | パナソニック株式会社 | 多波長半導体レーザ装置 |
| US8198639B2 (en) * | 2007-09-03 | 2012-06-12 | Rohm Co., Ltd. | Method of manufacturing light emitting device with a pair of ridge protection electrodes |
-
2007
- 2007-08-23 JP JP2007217393A patent/JP2009054636A/ja active Pending
-
2008
- 2008-08-21 CN CN2008101308885A patent/CN101373884B/zh active Active
- 2008-08-22 US US12/196,902 patent/US7585689B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1574526A (zh) * | 2003-05-22 | 2005-02-02 | 松下电器产业株式会社 | 半导体激光器 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| JP特开平5-75216A 1993.03.26 |
| JP特开平9-266247A 1997.10.07 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US7585689B2 (en) | 2009-09-08 |
| CN101373884A (zh) | 2009-02-25 |
| JP2009054636A (ja) | 2009-03-12 |
| US20090053838A1 (en) | 2009-02-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7376166B2 (en) | Semiconductor laser apparatus and optical pickup apparatus | |
| JP5465514B2 (ja) | 光半導体装置 | |
| US20010048703A1 (en) | Two-wavelength laser diode, and manufacturing method therefor | |
| US7133431B2 (en) | Semiconductor laser device and method for fabricating the same | |
| US6771586B2 (en) | Semiconductor laser element, method for manufacturing the same, and optical pickup using the same | |
| US6643310B2 (en) | Semiconductor laser apparatus, laser coupler, data reproduction apparatus, data recording apparatus and production method of semiconductor laser apparatus | |
| CN101373884B (zh) | 半导体激光装置的制造方法及半导体激光条的检查方法 | |
| US5781576A (en) | Semiconductor laser device and optical disk drive | |
| JP2007035854A (ja) | 半導体レーザアレイ及び半導体レーザ装置 | |
| JP6685482B1 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2006080307A (ja) | 半導体レーザアレイ及びその製造方法、多波長半導体レーザ装置 | |
| JP4755199B2 (ja) | 多波長集積半導体レーザ装置の製造方法 | |
| JP2008060272A (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法、および半導体レーザ装置 | |
| US20070091958A1 (en) | Semiconductor laser device and method of manufacturing the same | |
| JP5981092B2 (ja) | マルチビーム半導体レーザ装置 | |
| JP2005142347A (ja) | 半導体レーザ装置とその製造方法 | |
| JP2007142227A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2000349384A (ja) | サブマウント及び半導体レーザ装置 | |
| JP2001007432A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP4696332B2 (ja) | 半導体レーザ発光装置の製造方法 | |
| US20070274362A1 (en) | Semiconductor device | |
| US20060023765A1 (en) | Semiconductor laser having two or more laser diode portions and a manufacturing method for the same | |
| US20110051773A1 (en) | Semiconductor laser device | |
| JP5890104B2 (ja) | マルチビーム半導体レーザ装置 | |
| KR20000057927A (ko) | 반도체 레이저 소자 및 그의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20200603 Address after: Kyoto Japan Patentee after: Panasonic semiconductor solutions Co.,Ltd. Address before: Osaka Japan Patentee before: Panasonic Corp. |