CN101242691A - 发光装置 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的在于，缩小发光装置的额缘区域，并抑制发光元件的亮度不均。发光装置(1)中，在元件层(30)上顺次层叠有第二层间绝缘膜(35)、辅助电极(150)和公共电极(72)。辅助电极(150)的端(E4)按照在基板(10)的面内位于相对公共电极(72)的端(E2)更外侧的位置的方式形成，公共电极(72)的端(E2)位于相对第二层间绝缘膜(35)的端(E1)更靠向外侧的位置。辅助电极(150)在不与公共电极(72)重合的部分具有与向公共电极(72)供给电位的第二电极用电源线相接的部分。

Description

发光装置
技术领域
本发明涉及一种利用了有机EL(Electroluminescence)元件等发光元件的发光装置。
背景技术
公知有一种在基板上的有效区域排列有多个发光元件，并在包围有效区域的周边区域配置有各种布线等的发光装置。各发光元件具有由在第一电极和第二电极之间夹持的有机EL材料等发光材料形成的发光层。多数情况下，该第二电极是相对多个发光元件公共设置的公共电极，并设置在整个上述有效区域。但是，因电极自身具有的电阻会导致在电极的面内产生电压降低，使得向发电元件供给的电位因基板上的位置而发生偏差，导致发光元件的亮度有可能因位置而存在偏差。因此，以往设置了与由电阻比公共电极低的材料形成且与公共电极电连接的辅助电极，来降低公共电极的电阻(例如专利文献1)。
【专利文献1】特开2002-352963号公报
然而，辅助电极例如大多由铝等遮光性部件形成。因此，希望按照不遮挡来自发光元件的出射光的方式，将辅助电极形成为通过发光元件的间隙的区域，优选利用高精度的位置对准机构来形成。与之相对，公共电极可由光透过性的材料形成，并同样地形成在覆盖有效区域整体的区域。由此，与辅助电极相比，可容许位置对准的误差。因此，相比于辅助电极，公共电极的位置对准误差成为问题。从而，希望在基板上充分确保周边区域的宽度(所谓的“额缘区域(window frame region)”)，以便能够吸收公共电极的误差，但这阻碍了装置的小型化。
另外，用于对发光元件的发光进行控制的晶体管等电路元件，被配置在公共电极与辅助电极的下层。因此，在公共电极及辅助电极之间设置绝缘层，使公共电极及辅助电极与电路元件绝缘。然而，当绝缘层含有阶梯时，在与该阶梯重合的上层部分有可能在电极中产生断线或龟裂。由于产生了断线或龟裂的地方电极的电阻值增加，所以，发光元件的亮度不均变得显著。
发明内容
本发明鉴于上述实际情况而提出，其目的在于，提供一种不仅可缩小发光装置的额缘区域，而且能够抑制发光元件的亮度不均的发光装置。
为了解决上述课题，本发明的第一发光装置在基板上具有排列了多个发光元件的有效区域和包围该有效区域的周边区域，所述各发光元件具有位于第一电极与第二电极两者之间的发光层，所述第二电极针对所述多个发光元件公共设置，该发光装置具有配置了用于对所述发光元件的发光进行控制的电路元件的元件层，所述发光装置具有：与所述第二电极电连接的辅助电极；和绝缘层，其具有配置在所述元件层的上层，并且配置在相对所述第二电极及所述辅助电极更靠向下层的位置的部分，用于使所述第二电极及所述辅助电极与所述电路元件绝缘；所述第二电极覆盖所述有效区域，并且向所述周边区域突出而均匀地形成，所述辅助电极在所述有效区域中通过所述多个发光元件的间隙，形成在所述周边区域的一部分中，在所述周边区域中，所述第二电极的端在所述基板的面内位于相对所述辅助电极的端更靠向内侧的位置，并且位于相对所述绝缘层的端更靠向外侧的位置。
在本发明的发光装置中，辅助电极的端被配置在相对公共电极的端更靠向外侧的位置。而且，辅助电极在有效区域中形成为通过发光元件的间隙区域。因此，优选使用高精度的位置对准机构来形成辅助电极。与之相对，由于公共电极统一形成在覆盖有效区域整体的区域，所以，在形成公共电极时，位置对准精度不要求如辅助电极那样的程度。即，辅助电极大多情况下以比公共电极小的误差形成。因此，根据本发明，与使公共电极的端位于相对辅助电极的端更靠向外侧的位置的构成相比，可以根据辅助电极的误差缩小额缘区域，从而能够实现装置的小型化。并且，可构成辅助电极比第二电极电阻低的构成。尤其优选辅助电极由电阻比第二电极低的材料形成。
并且，在本发明的第一发光装置中，公共电极的端被配置在相对绝缘层的端更靠向外侧的位置。虽然辅助电极中与绝缘层的端重合的部分容易因阶梯而产生断线或龟裂，但由于公共电极的端延伸形成到相对产生龟裂的位置更靠向外侧的位置，所以，即便在辅助电极中产生了断线或龟裂的情况下，也可抑制电阻值的增加。因此，能够抑制发光元件的亮度不均。并且，绝缘层大多由丙烯酸等透湿性的材料形成。该情况下，水分会经由绝缘层从外部侵入，有可能引起发光层的劣化。然而，在本发明中，通过使公共电极的端配置在相对绝缘层的端更靠向外侧的位置，可防止水分进入到绝缘层，因此，能够抑制发光元件的劣化。从而，可抑制发光元件因劣化而引起的亮度降低。
本发明的优选方式中，在所述周边区域中配设有用于向所述第二电极供给电位的第二电极用电源线，所述辅助电极具有在不与所述第二电极重合的部分中与所述第二电极用电源线相接的部分。因此，只有辅助电极与第二电极用电源线重合，可经由该重合的部分向第二电极供给电位。另一方面，因为绝缘层的阶梯的影响，会在辅助电极中产生断线或龟裂，有可能使得电阻值增加。该情况下，向公共电极供给的电压降低会变得显著。然而，在本发明中，由于公共电极的端配置在相对绝缘层的端更靠向外侧的位置，所以，比辅助电极中容易发生断线或龟裂的地方(即，与绝缘层的端的阶梯重合的部分)向第二电极用电源线侧突出。因此，即使因绝缘层的端的阶梯而在辅助电极中产生了断线或龟裂的情况下，也能够对公共电极及辅助电极的其他部分供给来自第二电极用电源线的电位。从而，可抑制发光元件的亮度不均。
在上述方式中，优选所述第二电极配置在比所述辅助电极靠向下层的位置。根据该方式，由于第二电极不会受到因辅助电极的阶梯而造成的影响，所以，可抑制第二电极发生断线或龟裂的可能性。
并且，优选所述第二电极及所述辅助电极的每一个具有与所述第二电极用电源线相接的部分。根据该方式，由于除了辅助电极之外，第二电极也具有与第二电极用电源线相接的部分，所以，可降低从第二电极用电源线到第二电极的电阻，能够抑制因电压的降低而引起发光元件的亮度不均。
本发明的其他优选方式中，在所述周边区域中配设有用于向所述第二电极供给电位的第二电极用电源线，所述辅助电极具有上面与所述第二电极相接且下面与所述第二电极用电源线相接的部分。由于除了辅助电极之外，第二电极也具有与第二电极用电源线重合的部分，所以，可降低从第二电极用电源线到第二电极的电阻，能够抑制因电压的降低而引起发光元件的亮度不均。
进而，本发明的第二发光装置在基板上具有排列了多个发光元件的有效区域和包围该有效区域的周边区域，该发光装置具备：与所述多个发光元件的每一个对应地设置的多个第一电极；针对所述多个发光元件公共设置的第二电极；介于所述多个第一电极与所述第二电极之间的发光层；与所述第二电极电连接的辅助电极；配置有用于对所述发光元件的发光进行控制的电路元件的元件层；和用于使所述第二电极或所述辅助电极与所述元件层之间绝缘的绝缘层；所述绝缘层被设置在包括所述有效区域整体和所述周边区域的至少一部分的第一区域，所述第二电极在所述有效区域整体中与所述第一区域重合，在所述周边区域中设置在相对所述第一区域在第一方向突出的第二区域，所述辅助电极被设置成在所述有效区域中通过所述多个发光元件的间隙，并且，被设置成在所述周边区域中的所述第二区域相对所述第一区域突出一侧，通过所述第一区域的内侧、和是所述第一区域的外侧且是所述第二区域的内侧的区域，直到所述第二区域的外侧。
本发明中，在设置有公共电极的第二区域相对设置有绝缘层的第一区域突出一侧，辅助电极被设置成延伸到第二区域的外侧。而且，辅助电极形成为在有效区域中通过发光元件的间隙区域。因此，由于相对于辅助电极的形成中使用了高精度的位置对准机构，公共电极在覆盖有效区域整体的区域同样地形成，所以，在形成公共电极时位置对准精度不需要如辅助电极那样的程度。从而，使得辅助电极的误差比公共电极小，根据本发明，与将公共电极的端配置在相对辅助电极的端更靠向外侧的位置的结构相比，可根据辅助电极的误差缩小额缘区域，能够实现装置的小型化。
而且，虽然辅助电极中与绝缘层的端重合的部分容易因阶梯而产生断线或龟裂，但本发明的发光装置中，在第二区域比第一区域突出一侧，公共电极的端延伸形成到比辅助电极的产生断线或龟裂的位置靠向外侧。因此，即便在辅助电极中产生了断线或龟裂的情况下，也可抑制电阻值的增加。因此，能够抑制发光元件的亮度不均。并且，绝缘层大多由丙烯酸等透湿性的材料形成。该情况下，水分会经由绝缘层从外部侵入，有可能引起发光层的劣化。然而，在本发明中，通过使公共电极的端配置在相对绝缘层的端更靠向外侧的位置，可防止水分进入到绝缘层，因此，能够抑制发光元件的劣化。从而，可抑制发光元件因劣化而引起的亮度降低。
在上述第二发光元件的优选方式中，所述多个发光元件排列成矩阵状，所述辅助电极具有：按照通过所述多个发光元件的间隙并且从所述有效区域的内侧直到外侧的方式，沿着所述第一方向设置成条纹状的多个独立电极。优选所述辅助电极还具有在所述周边区域中将所述多个独立电极相互连接的连接电极。该情况下，可以按照所述绝缘层的所述第一方向的端与所述连接电极重合的方式配置所述连接电极。
在上述第二发光装置的其他优选方式中，所述多个发光元件排列成矩阵状，所述辅助电极是通过所述多个发光元件的间隙，且按照从所述有效区域的内侧到所述第二区域的外侧的方式，沿着所述第一方向设置成条纹状的多个独立电极。
而且，在上述第二发光装置的任意一个方式中，优选用于向所述第二电极供给电位的第二电极用电源线按照与所述第一方向交叉的方式设置在所述周边区域中，所述第二电极用电源线与所述辅助电极电连接。该情况下，所述第二电极用电源线还可设置在所述第一区域的外侧。
并且，本发明还提供一种具有上述任意一个方式的第一或第二发光装置的电子设备。根据该电子设备，能够实现上述任意一种效果。
附图说明
图1(A)是表示本发明的第一实施方式所涉及的发光装置的构成的一部分的概略俯视图，(B)是表示在(A)状态之后进而形成了辅助电极及像素电极的状态的俯视图。
图2是表示该装置的像素电路的详细结构的电路图。
图3是图1(B)的局部放大图。
图4是该装置的局部剖面图。
图5是该装置的局部简略剖面图。
图6是表示该装置的辅助电极中产生了龟裂的样子的图。
图7是第一实施方式的变形例所涉及的发光装置的局部剖面图。
图8是本发明的第二实施方式所涉及的发光装置的局部简略剖面图。
图9是本发明的第三实施方式所涉及的发光装置的局部剖面图。
图10是该装置的局部简略剖面图。
图11是本发明的第四实施方式所涉及的发光装置的局部简略剖面图。
图12是本发明的变形例所涉及的发光装置的局部简略剖面图。
图13是本发明的变形例所涉及的发光装置的局部简略剖面图。
图14是本发明的变形例所涉及的发光装置的布局(lay-out)概略。
图15是本发明的变形例所涉及的发光装置的布局概略。
图16是表示采用了发光装置的便携式个人计算机的构成的立体图。
图17是表示应用了发光装置的移动电话机的构成的立体图。
图18是表示应用了发光装置的便携信息终端的构成的立体图。
图中：1、1A、1B、1E、1F、2A、2B、3A、3B、4A、4B-发光装置，10-基板，70-发光元件，34-电路保护膜，35-第二层间绝缘膜(绝缘膜)，37-隔壁，37a-开口部，65-防湿性填充料，72-公共电极(第二电极)，74-发光功能层，76-像素电极(第一电极)，80-密封膜，90-密封件(seal)，100A、100B-扫描线驱动电路(周边电路)，110-对置基板，111-扫描线，112-数据线，113-电源供给线，120-预充电电路，140-第二电极用电源线，150-辅助电极，150c、150e-独立电极，150d-连接电极，200、200A、200B-数据线驱动电路，A-有效区域，B-周边区域，C、F-区域，E1～E5-端，G-信号输入端子，P-单位电路。
具体实施方式
下面，参照附图对本发明的实施方式进行说明。其中，使各部的尺寸比例在附图中与实际的尺寸适当地不同。
<A-1：第一实施方式>
图1(A)是表示本发明的第一实施方式所涉及的发光装置1的构成的一部分的概略俯视图，图1(B)是在图1(A)的状态之后进一步形成了辅助电极150及像素电极76的状态的俯视图。如图1(A)所示，该发光装置1具备基板10和柔性基板20。在基板10的端部形成有连接端子，该连接端子和柔性基板20上形成的连接端子通过含有被称为ACF(anisotropic conductive film：各向异性导电膜)的导电粒子的薄膜状粘结剂而压接固定。而且，在柔性基板20上设置有数据线驱动电路200，并且，其经由柔性基板200向各基板20供给各种电源电压。
在基板10上设置有有效区域A、和其外侧(即，基板或基板10的外周与有效区域A之间)的周边区域B。在周边区域B中形成有扫描线驱动电路100A及100B、和预充电电路120。预充电电路120是在写入动作之前，用于将数据线112的电位设定为规定电位的电路。扫描线驱动电路100A及100B和预充电电路120是位于有效区域A的周边的周边电路。其中，周边电路可以包括对单位电路P与布线的优良进行检测的检测电路(未图示)，数据线驱动电路200也可以是设置在周边区域B中的周边电路。
在有效区域A中形成有多条扫描线111和多条数据线112，在它们的各个交差点附近设置有多个单位电路(像素电路)P。单位电路P包括OLED(organic light emitting diode)元件，从电流供给线113接收供电。多条电流供给线113与第一电极用电源线130连接。
图2是表示发光装置1的单位电路P的详细构造的电路图。各单位电路P包括：n沟道型晶体管68、p沟道型晶体管60、电容元件69及发光元件(OLED元件)70。P沟道型晶体管60的源电极与电流供给线113连接，另外，其漏电极与发光元件70的阳极连接。而且，在晶体管60的源电极与栅电极之间设置有电容元件69。n沟道型晶体管68的栅电极与扫描线111连接，其源电极与数据线112连接，其漏电极与晶体管60的栅电极连接。
对于单位电路P而言，如果扫描线驱动电路100A及100B选择了与该单位电路P对应的扫描线111，则晶体管68导通，使得经由数据线112供给的数据信号保持在内部的电容元件69。然后，晶体管60向发光元件70供给与数据信号的电平对应的电流。由此，发光元件70将以与数据信号的电平对应的亮度发光。
另外，如图1(A)所示，在周边区域B的外周部侧(即，基板或基板10的外周与周边区域B之间)形成有コ字状的第二电极用电源线140。如后所述，第二电极用电源线140是用于向发光元件的阴极(第二电极)供给电源电压(在该示例中，Vss：接地电平)的布线。另外，可以取代将第二电极用电源线140配置成コ字状(即，沿着基板20的三条边)，而使其成为沿着基板10的对置的两条边设置的状态。即，在图示的例子中，可以沿着各扫描驱动电路100A及100B设置第二电极用电源线140。
发光元件70具有被夹持在像素电极76(阳极)与公共电极72(阴极)之间的发光功能层(包括发光层)74(参照图4)。公共电极72如图1(B)所示，形成在有效区域A整体和周边区域B的一部分的区域(第二区域)。而且，连接公共电极72与第二电极用电源线140的辅助电极150形成为在周边区域B中覆盖周边电路。辅助电极150包括：设置在有效区域A中的辅助电极的第一部分150a、和设置在周边区域B中的辅助电极的第二部分150b。按照辅助电极150的第一部分150a与像素电极76在有效区域A中不接触的方式，将辅助电极150的第一部分150a形成为栅格状。即，在发光元件70的间隙中配置有辅助电极150的第一部分150a。本说明书中所言及的辅助电极是指：重合于公共电极72而与之电连接，使公共电极72的电阻降低的导体。为了明确，在图3中放大表示了图1(B)的一部分。
本实施方式的发光装置1以项部发光的形式构成，来自发光功能层74的光通过公共电极72后射出。公共电极72由透明材料形成。因此，不会因公共电极72而对周边区域B遮光。另一方面，由于上述的辅助电极150采用了具有导电性及遮光性的金属，所以，能够通过辅助电极150来遮光。由此，可抑制光入射到周边电路而产生光电流。此外，辅助电极150能够与有效区域A的像素电极76通过同一工序形成。因此，不需要采取为了对周边区域B附加遮光性的特别工序。
图4表示发光装置1的局部剖面图。该图中，在有效区域A中形成有发光元件70，另一方面，在周边区域B中形成有作为周边电路的扫描线驱动电路100A。该图中，将发光装置1的上面设为射出光的出射面。如该图所示，在基板10上形成有基底保护层31，在其上形成有晶体管40、50及60。晶体管40为n沟道型，晶体管50及60为p沟道型。晶体管40、50是扫描线驱动电路100A的一部分，晶体管60与发光元件70是单位电路P的一部分。
晶体管40、50及60被设置在以基板10的表面上所形成的氧化硅为主体的基底保护层31之上。在基底保护层31的上层形成有硅层401、501及601。按照覆盖硅层401、501及601的方式，在基底保护层31的上层设置有栅绝缘层32。栅绝缘层32例如由氧化硅形成。在栅绝缘层32的上面与硅层401、501及601对置的部分设置有栅电极42、52及62。在晶体管40中，经由栅电极42对硅层401掺杂V族元素，形成漏区域40c及源区域40a。这里，未掺杂V族元素的区域成为沟道区域40b。
在晶体管50及60中，经由栅电极52及62对硅层501及601掺杂III族元素，形成漏区域50a及60a、和源区域50c及60c。这里，未被掺杂III族元素的区域成为沟道区域50b及60b。其中，可以在形成晶体管40、50及60的栅电极42、52及62的同时形成扫描线111。
第一层间绝缘层33按照覆盖栅电极42、52及62的方式形成在栅绝缘层32的上层。第一层间绝缘层33的材料可采用氧化硅等。并且，源电极41、51及63、漏/源电极43、漏电极61经由遍及栅绝缘层32及第一层间绝缘层33开孔的接触孔与硅层401、501及601连接。而且，可与这些电极一起通过同一工序形成第二电极用电源线140、数据线112及电流供给线113。这些电极及第二电极用电源线140等由具有导电性的铝等材料形成。
电路保护膜34按照覆盖源电极41、51及63、漏/源电极43、漏电极61、第二电极用电源线140的方式设置在第一层间绝缘层33的上层。电路保护膜34例如由氮化硅或氮氧化硅等气体透过率低的材料形成。另外，这些氮化硅或氮氧化硅可以使非晶质材料，也可以含有氢。通过电路保护膜34可以防止从晶体管40、50及60脱离氢。此外，还可以在源电极或漏电极的下面形成电路保护膜34。
第二层间绝缘膜35设置在电路保护膜34的上层。这里，第二层间绝缘膜35被设置在源电极41、51、63、漏/源电极43、漏电极61、第二电极用电源线140与后述的像素电极76、辅助电极150或公共电极72之间，起到对这些部件进行绝缘的作用。此时，按照向扫描线与信号线供给的信号不产生延迟的方式设定膜厚。另外，优选第二层间绝缘膜35使与电路保护膜34相反的上面的凹凸比与电路保护膜34对置的下面的凹凸小。即，为了使因晶体管40、50、60扫描线111、数据线112、电流供给线113等而产生的凹凸平坦化，可采用第二层间绝缘膜35。该第二层间绝缘膜35被设置在包括有效区域A整体和周边区域B的至少一部分的区域(第一区域)。上述第二区域(形成有公共电极72的区域)是在有效区域A整体中与第一区域重合，在周边区域B中相对第一区域更向基板10面内的外侧方向突出的区域。详细而言，本实施方式中，在基板10的四条边中的配置有第二电极用电源线140的左右两边及上边的至少三边侧，第二区域相对第一区域更向基板10面内的外侧方向突出。
第二层间绝缘膜35的材料例如可采用丙烯酸系、聚酰亚胺系的有机高分子材料。该情况下，可以在有机树脂中混合构图用的感光性材料，与光电抗蚀剂同样地通过曝光进行构图。或者，通过化学气相淀积法(chemical vapor deposition：CVD)由氧化硅、氮氧化硅等无机材料形成第二层间绝缘膜35，并基于蚀刻等使其上面平坦化。在无机材料通过化学气相淀积法形成膜的情况下，该膜厚为1μm以下，并且大致相同，因此，由于相对于上面容易受到下层凹凸的影响，通过涂敷来形成有机树脂，所以，可将其膜厚增大到2～3μm左右，并且由于其上面不易受到下层凹凸的影响，所以无机材料适合作为第二层间绝缘膜35的材料。尤其是如果容许某种程度的凹凸，则第二层间绝缘膜35可以采用氧化硅、氮氧化硅等无机材料。
第二层间绝缘膜35上，在有效区域A中形成像素电极76(第一电极)及辅助电极的第一部分150a的同时，在周边区域B中形成辅助电极的第二部分150b。即像素电极76和辅助电极150在同一层中利用同一材料同时形成。本实施方式的像素电极76是发光元件70的阳极，按每个发光元件70而分离形成，并经由贯通第二层间绝缘膜35及电路保护膜34的接触孔与晶体管60的漏电极61连接。另外，对于作为阳极的像素电极76的材料而言，优选功函大的材料，例如优选采用镍、金、铂金等或它们的合金。由于这些材料具有反射性，所以，将由发光功能层74发出的光朝向公共电极72反射。该情况下，辅助电极150也由这些材料形成。
另外，像素电极76可以是含有由功函高的如ITO(indium tin oxide)、IZO(indium zinc oxide)或ZnO2那样的氧化导电材料构成的具有光透过性、导电性的第一层；和由反射性金属、例如由铝构成的第二层，并在发光功能层侧设置第一层的结构。该情况下，辅助电极150可以具有第一层和第二层双方，也可以具有二者中的任意一层。
辅助电极150在有效区域A中按照从多个发光元件70的间隙通过的方式形成为栅格状(第一部分150a)，在周边区域B中形成为在形成有公共电极72的第二区域相对形成有第二层间绝缘膜35的第一区域突出一侧(在本实施方式中是基板10的左右两边及上边侧)，通过第一区域的内侧、是第一区域的外侧且是第二区域的内侧的区域并到达第二区域的外侧(第二部分150b)。辅助电极150在周边区域B中经由形成于电路保护膜34的接触孔与第二电极用电源线140连接。如图所示，通过在第二电极用电源线140上不形成第二层间绝缘膜35而在电路保护膜34中形成接触孔，可以使辅助电极150的第二部分150b直接与第二电极用电源线140接触。
接着，形成隔壁37。隔壁37通过形成为覆盖各像素电极76的外形缘而具有开口部37a。因此，开口部37a的每一个的整体都与像素电极76重合，在形成发光功能层74之前的阶段，像素电极76通过开口部37a外露。隔壁37用于使像素电极76和之后形成的公共电极72(第二电极)之间、或多个像素电极76彼此之间绝缘。通过设置隔壁37，可以独立控制每个像素电极76，能够以规定的亮度使多个发光元件分别发光。即，隔壁37对多个发光元件进行划分。例如，丙烯酸或聚酰亚胺等是隔壁37的绝缘性材料。该情况下，可以为了构图而混合感光性材料，并与光致抗蚀剂同样地通过曝光进行构图。在隔壁37中同时形成接触孔CH。在有效区域A中，通过该接触孔CH将辅助电极150的第一部分150a与后述的公共电极72连接。另外，在周边区域B中的辅助电极150的第二部分150b上不设置与隔壁37相同的层。
接着，在像素电极76上形成至少包括发光层的发光功能层74。发光层可使用有机EL物质。有机EL物质可以是低分子材料，也可以是高分子材料。作为构成发光功能层74的其他层，还可包括空穴注入层、空穴输送层、电子输送层、电子注入层、空穴阻挡层及电子阻挡层的一部分或全部。
接着，按照遍及有效区域A及周边区域B覆盖辅助电极150及发光功能层74的方式形成公共电极72(第二电极)。公共电极72是透明的，来自发光元件70的光透过公共电极72向图中上侧的方式射出。由于将本实施方式的公共电极72作为所有发光元件70的阴极而发挥功能，所以，公共电极72由功函低的材料形成，以便容易注入电子。例如，采用铝、钙、镁或锂等或它们的合金。另外，优选该合金采用功函低的材料和可使该材料稳定化的材料。例如，优选为镁与银的合金。在将这些金属或合金使用于公共电极72的情况下，为了获得透光性只要减小厚度即可。
而且，公共电极72(第二电极)可以是包含由上述功函低的材料或功函低的材料与使该材料稳定化的材料构成的第一层、和由如ITO(indiumtin oxide)、IZO(indium zinc oxide)或ZnO2那样的氧化导电材料构成的具有光透过性、导电性的第二层，并在发光功能层侧设置第一层的结构。ITO、IZO或ZnO2那样的氧化导电材料是致密的素材，其气体透过率低。如果由这样的材料形成公共电极72，则由于公共电极72遍及有效区域A及周边区域B形成，所以，可保护有效区域A的单位电路P及周边区域B的周边电路不受外部气体影响，能够抑制它们的劣化。这样，如果公共电极72(第二电极)是包含上述第二层的结构，则由于和构成第一层的材料相比，其光透过性、导电性出色，所以，不仅能够大幅降低公共电极72的电源阻抗，还能够提高从发光功能层的取光的效率。并且，通过公共电极72(第二电极)包含由功函低的材料与使该材料稳定化的材料构成的第一层、和由上述氧化导电材料构成的第二层，可以防止第一层与第二层反应，导致电子注入效率劣化的情况。
另外，可在形成公共电极72之前，在隔壁37中形成接触孔CH。在有效区域A中，经由该接触孔CH将辅助电极的第一部分150a与公共电极72连接。通过在有效区域A中将公共电极72与形成为栅格状的辅助电极的第一部分150a(参照图1(B))连接，可以大幅降低公共电极72的电源阻抗。并且，由于辅助电极的第二部分150b在周边区域B中未被隔壁37覆盖，所以，以宽广的面积与公共电极72面接触，因此，可降低连接电阻。从而，能够大幅度降低电源阻抗。
接着，按照覆盖公共电极72及辅助电极150的方式形成密封膜80。密封膜80例如可采用透明度高、防湿性良好的氮氧化硅、氧化硅等气体透过率低的无机材料。该密封膜80覆盖在周边电路(具有晶体管40、50的扫描线驱动电路100A、100B及预充电电路120)的区域整体。其中，在基板10的外端缘未形成密封膜80，该外端缘处，在电路保护膜34上形成有密封件90，其上部与透明密封基板(对置基板)110接合。密封件90例如可以是粘结剂，也可以通过粘结剂接合用于保持对置基板110的衬垫(spacer)。
图5是图4中的区域C的简略剖面图。即，是相对周边区域B中的扫描线驱动电路的一部分、即晶体管40、50更靠向外侧的端部的剖面图。为了简化说明，在图5中将图4所示的基底保护层31、栅绝缘层32、第一层间绝缘层33、电路保护膜34及被这些层夹持的晶体管40、50及60的各电极，统一表示为元件层30。在该元件层30内的上层部形成有第二电极用电源线140，如上所述，第二电极用电源线140的上面作为与上层电极的接触区域而发挥功能。图4中除了元件层30及第二电极用电源线140之外，还表示了第二层间绝缘膜35、辅助电极150、公共电极72、密封膜80、密封件90及对置基板110。下面，参照该图对各层的相对位置关系进行详细说明。
另外，如上所述，第二层间绝缘膜35用于使配置在下层的晶体管与布线等所产生的凹凸平坦化。并且，由于第二层间绝缘膜35由丙烯酸系、聚酰亚胺系的绝缘性有机高分子材料等形成，所以，还具有使阳极76、公共电极72、辅助电极150等电极与元件层30内配置的晶体管40、50、60等电路元件绝缘的功能。即，作为使各电极与用于对发光元件的发光进行控制的电路元件绝缘的绝缘层而发挥功能。
如图5所示，在含有第二电极用电源线140的元件层30的上层形成有第二层间绝缘膜35，第二层间绝缘膜35的端E1位于相对第二电极用电源线140的接触区域的内侧端E3更靠向内侧的位置。在第二层间绝缘膜35的上面、和元件层30的上面中被绝缘层的端E1和端E3夹持的区域及接触区域中，形成辅助电极150的第二部分150b(下面简单称作“辅助电极150”)。由此，辅助电极150与第二电极用电源线140相接重合，与第二电极用电源线140电连接。在图示的示例中，虽然辅助电极150的端E4与接触区域的外侧的端一致，但也不一定需要一致，只要辅助电极150形成为覆盖接触区域即可。即，辅助电极的端E4可以位于相对接触区域的外侧的端更靠向外侧的位置。
另外，在本说明书中，“内侧”、“外侧”表示以基板10的端E5为基准时基板面内的相对位置。因此，在上述的说明中，“端E1(略)比端E2靠向内侧”表示端E1与基板10的端E5的距离比端E2与端E5的距离长。
在辅助电极150上形成有公共电极72。公共电极72的端E2位于相对第二层间绝缘膜35的端E1更靠向外侧的位置。另一方面，公共电极72的端E2相对辅助电极150的端E4更靠向内侧的位置。并且，端E2相对第二电极用电源线140的内侧的端E3更靠向内侧的位置。换言之，辅助电极150在未形成公共电极72的部分(相对端E2更靠向外侧)具有与第二电极用电源线140重合而电连接的部分(端E3与端4之间)。此外，如上所述，辅助电极150与像素电极76同时形成，接着，在按顺序形成了隔壁37、发光功能层74之后，按照覆盖隔壁37及发光功能层74的方式形成公共电极72。
如上所述，辅助电极150可以采用具有导电性及遮光性的金属。因此，按照在有效区域A中辅助电极150与像素电极76不重合的方式，以栅格状形成辅助电极150的第一部分150a。即，在有效区域A中，按照不遮断来自发光元件70的出射光的方式，仅在发光元件70的间隙中配置辅助电极150的第一部分150a。由于发光元件70相互以微小的间隔配置，所以，期望利用高精度的校准机构形成辅助电极150。与之相对，由于公共电极72由透明材料形成，所以，按照在有效区域A中覆盖发光元件70的方式在有效区域A内同样地形成该公共电极72。因此，公共电极72能够利用比辅助电极150的形成所采用的校准机构精度低的校准机构来形成。然而，在利用精度低的校准机构形成公共电极72的情况下，公共电极72的端E2的位置有可能发生变动。
这里，将公共电极72的端E2的位置误差的范围设为t1，将辅助电极150的端E4的位置误差的范围设为t2。在对辅助电极150采用精度更高的校准机构时，t1＞t2。另外，在对辅助电极和公共电极72双方都采用具有辅助电极150的形成所需要的精度程度的单一校准机构时，大致成为t1＝t2。因此，使得辅助电极150的误差t2比公共电极72的误差大的可能性降低，即便假设在后者的情况下成为t1＜t2，由于采用了高精度的校准机构，所以，t1的误差完全不会成为问题。因此，在本实施方式中，构成为辅助电极150的端E4相对公共电极72的端E2位于外侧。根据该构成，考虑辅助电极150的误差在基板10的端E5侧为最大的位置E4max(当端E4最接近基板10的端E5侧时的位置)到端E5的距离，可以决定周边区域B的宽度(即“额缘区域”)。由此，与将容许更大误差的公共电极72的端E2配置在相对比辅助电极150的端E4更靠向外侧的位置时相比，能够缩小额缘区域。即，能够降低公共电极72的形成所采用的校准机构的精度对额缘区域的宽度造成的影响。另外，优选按照公共电极72的误差在基板10的端E5侧为最大的位置E2max相对辅助电极150的误差在基板10的端E5侧最大的位置E4max更靠向内侧的方式，决定端E2及端E4的基准位置(没有误差时的位置)。
另外，在以上的构成中，辅助电极150形成为覆盖第二层间绝缘膜35的端E1。因此，有时会因为端E1部分的阶梯而在辅助电极150中产生断线或龟裂。图6表示在辅助电极150中产生了龟裂的样子。如图6所示，在辅助电极150与第二层间绝缘膜35的端E1重合的部分，辅助电极150产生了龟裂I。在产生了龟裂I的地方电极的电阻值会增加，有可能产生发光元件70的亮度不均。然而，在本实施方式的发光装置1中，如图6所示，公共电极72的端E2位于相对端E1更靠向外侧的位置。即，由于公共电极72具有在相对龟裂I更靠近第二电极用电源线140的区域中与辅助电极150重合的部分(端E1与端E2之间)，所以，即便在辅助电极150因龟裂I而完全断线的情况下，也能够将由第二电极用电源线140供给的电位提供给公共电极72。而且，在辅助电极150的电阻值因龟裂I而增加的情况下，由于电流经由公共电极72流过，所以可抑制电压的降低。因此，能够抑制发光元件70的亮度不均。
并且，由于第二层间绝缘膜35由丙烯酸等透湿性的材料构成，所以，水分会经由第二层间绝缘膜35进入，有可能产生发光材料的劣化。因此，在本实施方式中，将公共电极72的端E2配置在相对第二层间绝缘膜35的端E1更靠向外侧的位置。由此，可防止水分从端E1进入，能够抑制发光元件的劣化。从而，可以抑制因发光功能层74的发光层的劣化而引起发光源极70的亮度降低。
<A-2：第一实施方式的变形例>
在上述实施方式中，对同时形成辅助电极150和像素电极76时的构成进行了说明，但也可以不与像素电极76同时而以形成了隔壁37之后的工序形成辅助电极150。
图7是本变形例的发光装置1A的局部剖面图。如图7所示，在发光装置1A中，按照覆盖第二层间绝缘膜35及隔壁37的方式形成有辅助电极150(150a、150b)。在上述实施方式中如图4所示，辅助电极150具有在第二层间绝缘膜35与隔壁37之上形成的部分。对此，该变形例中在具有隔壁37的部分，在隔壁37上形成辅助电极150。这里，隔壁37与第二层间绝缘膜35同样，作为使公共电极72和辅助电极150与晶体管40、50、60绝缘的绝缘层而发挥功能。并且，与上述第一实施方式同样，辅助电极150的端E4与第二电极用电源线140重合，公共电极72的端E2相对辅助电极150的端E4更靠向内侧，且形成在第二层间绝缘膜35的端E1的外侧。
发光装置1A的制造工序的概略如下所述。在形成第二层间绝缘膜35之后，在第二层间绝缘膜35的上层形成像素电极76。然后，在像素电极76的上层形成隔壁37，并在第二层间绝缘膜35及隔壁37上的除了开口部37a之外的表面形成辅助电极150。接着，在由隔壁37划定的像素电极76上的空间(即，开口部37a)形成发光功能层74。另外，也可以反过来在形成发光功能层74之后形成辅助电极150。进而，遍及有效区域A及周边区域B形成透明的公共电极72。然后，在公共电极72上形成密封膜80。但是，在基板10的外端缘不形成密封膜80，该外端缘处在电路保扩膜34上接合密封件90，并在其上部接合透明密封基板110。
如果在形成了辅助电极150之后形成发光功能层74，则由于在形成辅助电极150的时刻尚且未形成发光功能层74，所以，即便辅助电极150的形成采用了光刻法也不必担心使发光功能层74劣化。因此，可以通过光刻法形成辅助电极150的图案，从而，能够以与晶体管40、50、60和扫描线111等布线同样的精度形成辅助电极150。另一方面，如果在形成了发光功能层74之后形成辅助电极150，则具有可在辅助电极150不会被发光材料污染的情况下连接辅助电极150和公共电极72的优点。
并且，在本变形例中，由于在辅助电极150的上层形成了公共电极72，所以，即便形成比公共电极72厚的辅助电极150，也不会对公共电极72施加应力。因此，能够抑制因来自上层的应力而使公共电极72变形。
另外，辅助电极150可以利用与公共电极72相同的材料，辅助电极150还可以利用电阻比公共电极72高的材料。该情况下，通过使辅助电极150的膜厚比公共电极72厚，可以使辅助电极150的电阻比公共电极72的电阻低。
<B：第二实施方式>
接着，对本发明的第二实施方式所涉及的发光装置1B进行说明。发光装置1B除了公共电极72的端E2位于相对第二电极用电源线14的内侧的端E3更靠向外侧的位置之外，与第一实施方式的发光装置1(图4)或发光装置1A(图7)同样。因此，适当省略该说明。
图8表示发光装置1B的局部简略剖面图。如图8所示，在发光装置1B中与上述第一实施方式同样，公共电极72的端E2在基板10的面内形成在相对第二层间绝缘膜35的端E1更靠向外侧的位置，相对辅助电极150的端E4更靠向内侧。因此，能够得到与上述实施方式同样的效果。
并且，在发光装置1B中，公共电极72的端E2位于相对第二电极用电源线140的内侧的端E3更靠向外侧的位置。第二电极用电源线140和公共电极72在第一及第二实施方式中都经由辅助电极150而电连接。但是，在第一实施方式中，公共电极72在相对第二电极用电源线140的内侧的端E3更靠向内侧处与辅助电极150相接，而在第二实施方式中，在端E3与端E2之间也与辅助电极150相接。因此，能够降低从公共电极72到第二电极用电源线140的电阻，与上述第一实施方式的构成相比，可抑制因电压的降低而引起发光元件70的亮度不均。
<C：第三实施方式>
接着，对本发明的第三实施方式所涉及的发光装置进行说明。图9是本实施方式的发光装置2A的局部剖面图。如图9所示，辅助电极150按照在公共电极70上面接触的方式形成，并按照覆盖辅助电极150及公共电极72的方式形成密封膜80。发光装置2A除了公共电极72形成在辅助电极150的下层之外，与第一实施方式的变形例的发光装置1A(图7)同样。因此，适当省略其说明。
与上述发光装置1A同样，本实施方式中在存在隔壁37的部分，在隔壁37的上层形成辅助电极150。因此，隔壁37与第二层间绝缘膜35同样，作为使公共电极72及辅助电极150从晶体管40、50、60分离的绝缘层而发挥作用。
发光元件2A的制造工序的概略如下所述。在形成了第二层间绝缘膜35之后，在第二层间绝缘膜35的上层形成像素电极76。然后，在像素电极76的上层形成隔壁37，并在由隔壁37划定的像素电极76上的空间(即，开口部37a)形成发光功能层74。进而，遍及有效区域A及周边区域B形成具有透光性的公共电极72。然后，在公共电极72上的除了开口部37a的上层的区域形成辅助电极150，并形成密封膜80。但是，在基板10的外端缘不形成密封膜80，该外端缘处在电路保护膜34上接合密封件90，并在其上部接合透明密封基板110。
图10表示图9中的区域F的简略剖面图。如图9及图10所示，发光装置2A中，在相对作为扫描线驱动电路100的一部分的晶体管40、50更靠向基板10的面内外侧，公共电极72的端E2形成得相对第二层间绝缘膜35的端E1更靠向外侧，相对辅助电极150的端E4更靠向内侧。因此，可获得与上述第一实施方式相同的效果。
并且，由于公共电极72形成在辅助电极150的下层，所以，与上述第二实施方式的构成相比，可降低因辅助电极150的阶梯的影响而在公共电极72中产生断线或龟裂的可能性。因此，能够抑制因公共电极72内的电压降低而引起发光元件70的亮度不均。
<D：第四实施方式>
接着，对本发明的第四实施方式所涉及的发光装置2B进行说明。在发光装置2B中，公共电极72形成在辅助电极150的下层，并且公共电极72的端E2位于相对第二电极用电源线140的内侧的端E3更靠向外侧的位置。其中，发光装置2A除了上述情况之外与第三实施方式的发光装置2A相同。因此，适当省略其说明。
图11表示发光装置2B的局部简略剖面图。如图11所示，与上述第一实施方式同样，公共电极72的端E2在基板10的面内形成得相对第二层间绝缘膜35的端E1更靠向外侧，相对辅助电极150的端E4更靠向内侧。因此，可获得与第一实施方式同样的效果。
并且，在发光装置2B中，公共电极72形成在辅助电极150的下层，且公共电极72的端E2位于相对第二电极用电源线140的内侧的端E3更靠向外侧的位置。因此，可降低因辅助电极150的阶梯的影响而在公共电极72中产生断线或龟裂的可能性。另外，由于公共电极72具有与第二电极用电源线140重合的部分，所以，辅助电极150和公共电极72双方在第二电极用电源线140的接触区域电连接。因此，能够抑制因电压的降低而引起发光元件70的亮度不均。
<E：变形例>
(1)在上述第一～第四实施方式中，通过由密封膜80覆盖公共电极72或辅助电极150的上层，保护包括元件层30、第二电极用电源线140、第二层间绝缘膜35、公共电极72、辅助电极150的层构造不受外部气体的影响，但也可以省去密封膜80。
图12表示本变形例的发光装置1E的简略剖面图。如图12所示，发光元件1E中不设置密封膜80，由密封件90和对置基板110对基板10上形成的层构造进行保护。另外，可以在对置基板110的内侧配置用于吸附水分的干燥剂(省略图示)、或在对置基板110自身中埋入干燥剂。此外，还可以替代对置基板110和密封件90而采用密封罐。
图13表示本变形例的其他发光装置1F的简略剖面图。如图13所示，发光装置1F中通过在对置基板110与基板10上形成的层构造之间填充防湿性填充料65，来防止层结构受外部气体的影响。优选采用光透过性、低吸湿的材料作为防湿性填充料65，可利用环氧系或氨基甲酸酯系粘结剂等。
(2)在上述第一～第四实施方式中，对第二电极用电源线140在周边区域B中形成为コ字型的方式进行了说明，但不限定于此，还能够进行适当的变形。
图14及图15是用于对本实施例的各发光装置的概略布局进行说明的图。在这些图中，对与上述实施方式相同的部分赋予相同的符号，并适当省略其说明。
如图14(A)所示，在发光装置3A中，沿着基板10的对置两边的各边缘部配置第二电极用电源线140。并且，在沿着剩余两边的一条边的区域中配置信号输入端子G，在该信号输入端子G的基板10面内的内侧配置第一电极用电源线130。在第二电极用电源线140的内侧分别沿着有效区域A配置扫描线驱动电路100A及100B，由第二电极用电源线140供电，并且经由信号输入端子G赋予来自外部的控制信号。另外，在第一电极用电源线130的内侧，沿着有效区域A配置有数据线驱动电路200。数据线驱动电路200在被第一电极用电源线130供电的同时，经由信号输入端子G取得来自外部的控制信号，并赋予给各数据线。
在该示例中，第二层间绝缘膜35形成为覆盖有效区域A、扫描线驱动电路100A、100B、数据线驱动电路200的全部及第一电极用电源线130的一部分(在图示的例子中，当将设置有信号输入端子G的边设为长边方向时，是在长边方向延伸的部分的全部和在与长边方向正交的方向朝向基板10的下边延伸的部分的一部分)。而且，公共电极72覆盖有效区域A及扫描线驱动电路100A、100B的全部，配设有第二电极用电源线140一侧的其左右的端相对第二层间绝缘膜35的端更靠向外侧，并且，形成为位于第二电极用电源线140的内侧或与第二电极用电源线140重合。另一方面，在公共电极72的端中，下边侧(信号输入端子G侧)的端位于有效区域A的外侧且在数据线驱动电路200的内侧，上边侧的端位于相对第二层间绝缘膜35的端更靠向外侧的位置。另外，在通过不同的层形成第一电极用电源线130和第二电极用电源线140的情况下，可与其他的边同样，使公共电极72的端位于相对第二层间绝缘膜35的下边侧的端更靠向外侧的位置而完全覆盖第二层间绝缘膜35。即，在本变形例中，形成有公共电极72的第二区域至少在基板10的左右两边侧及上边侧比形成有第二层间绝缘膜35的第一区域更突出。
辅助电极形成为将与配设有信号输入端子G的边相同的方向作为长边的条纹状独立电极150c。详细而言，独立电极150c在有效区域A中通过发光元件70的间隙，在周边区域B中通过第一区域的内侧、是第一区域的外侧且是第二区域的内侧的区域，直到第二区域的外侧，并延伸到与第二电极用电源线140重合的区域，与第二电极用电源线140电连接。即，其端相对第二层间绝缘膜35的端更靠向外侧，且位于比公共电极72的端靠向外侧的位置。根据本变形例，也能够获得与上述各实施方式同样的效果。
接着，如图14(B)所示，发光装置3B除了扫描线驱动电路与数据线驱动电路的位置反转之外，形成与发光装置3A同样的构成。即，在发光装置3B中，扫描线驱动电路100在基板10的下边侧的周边区域B中沿着有效区域A配置，数据线驱动电路200A、200B被配置在基板10的各左边及右边侧的周边区域B中。第二电极用电源线140在各数据线驱动电路200A、200B的外侧沿着基板10的对置的两条边(左右两边)配置，独立电极150c形成为将与第二电极用电源线140正交的方向(即，与配设有信号输入端子G的边相同的方向)设为长边的条纹状。与发光装置3A同样，独立电极150c的左右的各端形成为位于相对第二层间绝缘膜35的端更靠向外侧且相对公共电极72更靠向外侧的位置，与第二电极用电源线140重合相接。因此，根据发光装置3B，也能够得到与上述实施方式同样的效果。
另外，在发光装置3A及3B的任意一个之中，都可如图14(A)的右侧所示，独立电极150c具有条纹状的多个独立电极150c和形成于周边区域B来连接多个独立电极150c的连接电极150d。该情况下，连接电极150d具有与第一区域的内侧重合的部分、和通过是第一区域的外侧且是第二区域的内侧的区域直到第二区域的外侧的部分，并且形成为与第二电极用电源线140重合。即，连接电极150d不仅与第二电极用电源线140重合，而且被配置成第二层间绝缘膜35的端及公共电极72的端与连接电极150d重合。
图15(A)及(B)表示发光装置的其他布局。如图15(A)所示，在发光装置4A中沿着基板10的下边缘配置有信号输入端子G，在其内侧以コ字状配设有第二电极用电源线140。并且，在第二电极用电源线140的内侧以コ字状配设有第一电极用电源线130，并在该第一电极用电源线130与有效区域A之间配设有数据线驱动电路200。扫描线驱动电路100A、100B分别配设在沿着有效区域A的左右各边的区域。
如图所示，第二层间绝缘膜35形成为覆盖有效区域A整体、扫描线驱动电路100A、100B、数据线驱动电路200的全部和第一电极用电源线130的一部分(当在图示的例子中将配设有信号输入端子G的边设为长边方向时，沿着长边方向延伸的部分)。公共电极72形成为覆盖与第二层间绝缘膜35大致相同的部分，且完全覆盖第二层间绝缘膜35。即，在其矩形区域的所有的边侧，公共电极72的端在基板10的面内位于相对第二层间绝缘膜35更靠向外侧的位置。因此，本变形例中，在基板10的所有的边侧，形成有公共电极72的第二区域相对形成有第二层间绝缘膜35的第一区域向基板10的面内的外侧方向突出。
如图所示，辅助电极形成为以与扫描线驱动电路100A、100B平行的方向为长边而延伸的条纹状独立电极150e。基板10下端侧的独立电极150e的端形成为与第二电极用电源线140重合相接。另外，在该示例中，独立电极150e与第一电极用电源线130交叉，但通过以不同的层形成第一电极用电源线130和第二电极用电源线140，可以使独立电极150e形成为不与第一电极用电源线130相接而仅与第二电极用电源线140相接。同样，虽然公共电极72与第一电极用电源线130重合，但通过以不同的层形成第一电极用电源线130和第二电极用电源线140，可以构成为使公共电极72不与第一电极用电源线130电接触。另一方面，基板10上端侧的独立电极150e的端比第二层间绝缘膜35的端(第一区域)靠向外侧，且位于相对公共电极72的端(第二区域)更靠向外侧的位置。因此，根据发光装置4A，也能够获得与上述各实施方式同样的效果。
接着，如图15(B)所示，发光装置4B除了将扫描线驱动电路和数据线驱动电路的位置颠倒之外，形成与发光装置4A同样的构成。即，发光装置4B中，在基板10下边侧的周边区域B中沿着有效区域A配置有扫描线驱动电路100，在基板10的各左边及右边侧的周边区域B中配置有数据线驱动电路200A、200B。第二电极用电源线140在基板10下端侧以コ字状配置成相对信号输入端子G更靠向内侧，独立电极150e形成为以与数据线驱动电路200A、200B平行的方向为长边的条纹状。与发光装置4A同样，独立电极150e的上下各端比第二层间绝缘膜35的端靠向外侧，且位于比公共电极72的端靠向外侧的位置，并且形成为下端与第二电极用电源线140重合相接。因此，根据发光装置4B，也能够获得与上述实施方式同样的效果。
如图14(A)、图14(B)、图15(A)及图15(B)所示，在周边区域B中，独立电极150c、150e在与第二电极用电源线140的延伸方向交叉的方向以条纹状延伸。即，在图1～图3中，辅助电极150还在第二电极用电源线140的延伸方向延伸，但也可以仅在与第二电极用电源线140的延伸方向交叉的方向延伸。换言之，辅助电极150不一定必须形成为与第二电极用电源线140的延伸方向平行，只要形成为与第二电极用电源线140交叉即可。
<F：电子设备>
接着，对利用了本发明的发光装置的电子设备进行说明。图16～图18表示了将以上任意一种方式所涉及的发光装置用作显示装置的电子设备的形态。
图16是表示采用了发光装置的便携式个人计算机的构成的立体图。个人计算机2000具备：显示各种图像的发光装置1、1A、1B、1E、1F、2A、2B、3A、3B、4A、4B和设置有电源开关2001与键盘2002的主体部2010。由于发光装置1、1A、1B、1E、1F、2A、2B、3A、3B、4A、4B使用有机发光二极管元件作为发光元件70，所以，可显示视角宽广且易于观看的画面。
图17是表示应用了发光装置的移动电话机的构成的立体图。移动电话机3000具备多个操作按钮3001及滚动按钮3002、和显示各种图像的发光装置1、1A、1B、1E、1F、2A、2B、3A、3B、4A、4B。通过操作滚动按钮3002，能够使显示于发光装置1、1A、1B、1E、1F、2A、2B、3A、3B、4A、4B的画面滚动。
图18是表示应用了发光装置的便携信息终端(PDA：Personal DigitalAssistants)的构成的立体图。信息便携终端4000具备：多个操作按钮4001及电源开关4002、和显示各种图像的发光装置1、1A、1B、1E、1F、2A、2B、3A、3B、4A、4B。如果操作电源开关4002，则通讯录或日程表等各种信息会显示于发光装置1、1A、1B、1E、1F、2A、2B、3A、3B、4A、4B。
另外，作为应用了本发明的发光装置的电子设备，除了图16～图18所示的设备之外，还可举出：数字静态照相机、电视、摄像机、车辆导航装置、寻呼机、电子记事本、电子纸(electronic paper)、电脑、文字处理器、工作站、可视电话、POS终端、打印机、扫描仪、复印机、视频播放器、具备触摸屏的设备等。而且，本发明的发光装置的用途不限定于图像显示。例如在光写入型打印机或电子复印机等图像形成装置中，可根据应该形成于用纸的图像使用对感光体进行曝光的光头(写入头)，而本发明的发光装置可作为这种光头而使用。

Claims (13)

1、一种发光装置，在基板上具有排列了多个发光元件的有效区域和包围该有效区域的周边区域，所述各发光元件具有位于第一电极与第二电极两者之间的发光层，所述第二电极针对所述多个发光元件公共设置，该发光装置具有配置了用于对所述发光元件的发光进行控制的电路元件的元件层，
所述发光装置具有：
与所述第二电极电连接的辅助电极；和
绝缘层，其具有配置在所述元件层的上层，并且配置在相对所述第二电极及所述辅助电极更靠向下层的位置的部分，用于使所述第二电极及所述辅助电极与所述电路元件绝缘；
所述第二电极覆盖所述有效区域，并且向所述周边区域突出而均匀地形成，
所述辅助电极在所述有效区域中通过所述多个发光元件的间隙，形成在所述周边区域的一部分中，
在所述周边区域中，所述第二电极的端在所述基板的面内位于相对所述辅助电极的端更靠向内侧的位置，并且位于相对所述绝缘层的端更靠向外侧的位置。
2、根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，
在所述周边区域中配设有用于向所述第二电极供给电位的第二电极用电源线，
所述辅助电极具有在不与所述第二电极重合的部分中与所述第二电极用电源线相接的部分。
3、根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，
所述第二电极被配置在相对所述辅助电极更靠向下层的位置。
4、根据权利要求3所述的发光装置，其特征在于，
所述第二电极及所述辅助电极的每一个具有与所述第二电极用电源线相接的部分。
5、根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，
在所述周边区域中配设有用于向所述第二电极供给电位的第二电极用电源线，
所述辅助电极具有上面与第二电极相接且下面与所述第二电极用电源线相接的部分。
6、一种发光装置，在基板上具有排列了多个发光元件的有效区域和包围该有效区域的周边区域，该发光装置具备：
与所述多个发光元件的每一个对应地设置的多个第一电极；
针对所述多个发光元件公共设置的第二电极；
介于所述多个第一电极与所述第二电极之间的发光层；
与所述第二电极电连接的辅助电极；
配置有用于对所述发光元件的发光进行控制的电路元件的元件层；和
用于使所述第二电极或所述辅助电极与所述元件层之间绝缘的绝缘层；
所述绝缘层被设置在包括所述有效区域整体和所述周边区域的至少一部分的第一区域，
所述第二电极在所述有效区域整体中与所述第一区域重合，在所述周边区域中设置在相对所述第一区域在第一方向突出的第二区域，
所述辅助电极被设置成在所述有效区域中通过所述多个发光元件的间隙，并且，被设置成在所述周边区域中的所述第二区域相对所述第一区域突出一侧，通过所述第一区域的内侧、和是所述第一区域的外侧且是所述第二区域的内侧的区域，直到所述第二区域的外侧。
7、根据权利要求6所述的发光装置，其特征在于，
所述多个发光元件排列成矩阵状，
所述辅助电极具有：按照通过所述多个发光元件的间隙并且从所述有效区域的内侧直到外侧的方式，沿着所述第一方向设置成条纹状的多个独立电极。
8、根据权利要求7所述的发光装置，其特征在于，
所述辅助电极还具有在所述周边区域中将所述多个独立电极相互连接的连接电极。
9、根据权利要求8所述的发光装置，其特征在于，
按照所述绝缘层的所述第一方向的端与所述连接电极重合的方式配置所述连接电极。
10、根据权利要求6所述的发光装置，其特征在于，
所述多个发光元件排列成矩阵状，
所述辅助电极是按照通过所述多个发光元件的间隙并且从所述有效区域的内侧直到所述第二区域的外侧的方式，沿着所述第一方向设置成条纹状的多个独立电极。
11、根据权利要求6～10中任一项所述的发光装置，其特征在于，
用于向所述第二电极供给电位的第二电极用电源线，按照与所述第一方向交叉的方式被设置在所述周边区域中，
所述第二电极用电源线与所述辅助电极电连接。
12、根据权利要求11所述的发光装置，其特征在于，
所述第二电极用电源线被设置在所述第一区域的外侧。
13、一种电子设备，具有权利要求1～12所述的发光装置。
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