CN110192171A - 显示装置 - Google Patents
显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110192171A CN110192171A CN201780083963.4A CN201780083963A CN110192171A CN 110192171 A CN110192171 A CN 110192171A CN 201780083963 A CN201780083963 A CN 201780083963A CN 110192171 A CN110192171 A CN 110192171A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- partition wall
- electrode
- display device
- inorganic insulation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 299
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 48
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 39
- 239000000565 sealant Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 98
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 66
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 41
- 239000000463 material Substances 0.000 description 62
- 238000000034 method Methods 0.000 description 40
- 239000010408 film Substances 0.000 description 29
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 15
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 14
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 13
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 12
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 12
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 11
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 10
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 7
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 6
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 6
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 6
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 239000013039 cover film Substances 0.000 description 5
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 5
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 5
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 238000012905 input function Methods 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003978 SiClx Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- -1 polysiloxanes Polymers 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OLBVUFHMDRJKTK-UHFFFAOYSA-N [N].[O] Chemical compound [N].[O] OLBVUFHMDRJKTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010426 asphalt Substances 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 208000007578 phototoxic dermatitis Diseases 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000009738 saturating Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/0416—Control or interface arrangements specially adapted for digitisers
- G06F3/04164—Connections between sensors and controllers, e.g. routing lines between electrodes and connection pads
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
- G06F3/0443—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a single layer of sensing electrodes
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
- G06F3/0445—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using two or more layers of sensing electrodes, e.g. using two layers of electrodes separated by a dielectric layer
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
- G06F3/0446—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a grid-like structure of electrodes in at least two directions, e.g. using row and column electrodes
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
- H05B33/04—Sealing arrangements, e.g. against humidity
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
- H05B33/06—Electrode terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
- G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
- G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明提供一种显示装置,其包括:设置于基板的第1表面的电路层;排列在电路层的上层的显示元件;设置于显示元件的上层的密封层;设置于密封层的上层的保护层;设置于保护层的上层的触摸电极层;和排列在电路层的上层且密封层的外侧的多个连接端子,电路层具有分别与多个连接端子的任一者连接的多个连接配线,保护层在与多个连接配线各自的一部分重叠的区域具有开口部,触摸电极层具有与显示元件重叠的多个触摸电极,多个触摸电极经由开口部与多个连接配线的任一者连接。
Description
技术领域
本发明的一个实施方式涉及显示装置。本说明书所公开的发明的一个实施方式涉及装载有触摸传感器的显示装置。
背景技术
触摸传感器作为用于操作显示装置或信息终端装置的输入接口而被使用。通过以与显示装置的屏幕重叠的方式设置触摸传感器,用户能够操作屏幕上显示的输入按钮和图标等,能够容易地将信息输入到显示装置。在这种具有输入功能的显示装置中,多数情况下采用静电电容式的触摸传感器。静电电容方式的触摸传感器将形成静电电容的电极(也被称为“触摸电极”)设置于感测面。例如已知有将触摸电极设置于面板内部的被称为内嵌(in-cell)型的具有输入功能的显示装置(参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2015-050245号公报。
发明内容
发明所要解决的问题
与触摸电极连接的信号线(配线)在面板的周缘部绕线,而与端子电极连接。由于信号线以集成化的方式绕线,所以基底面优选是平坦的。例如,如果在配置于面板的周缘部的信号线的基底面具有台阶部,则信号线的微细化变得困难,另外信号线的断线也成为问题。
用于解决问题的技术手段
本发明的一个实施方式的显示装置包括:设置于基板的第1表面的电路层;排列在电路层的上层的显示元件;设置于显示元件的上层的密封层;设置于密封层的上层的保护层;设置于保护层的上层的触摸电极层;和排列在电路层的上层且密封层的外侧的多个连接端子,电路层具有分别与多个连接端子的任一者连接的多个连接配线,保护层在与多个连接配线各自的一部分重叠的区域具有开口部,触摸电极层具有与显示元件重叠的多个触摸电极,多个触摸电极各自经由开口部与多个连接配线的任一者连接。
附图说明
图1是说明本发明的一个实施方式的显示装置的结构的俯视图。
图2是说明本发明的一个实施方式的显示装置的结构的剖面图。
图3是说明本发明的一个实施方式的显示装置的制造方法的剖面图。
图4是说明本发明的一个实施方式的显示装置的制造方法的剖面图。
图5是说明本发明的一个实施方式的显示装置的制造方法的剖面图。
图6是说明本发明的一个实施方式的显示装置的制造方法的剖面图。
图7是说明本发明的一个实施方式的显示装置的制造方法的剖面图。
图8是说明本发明的一个实施方式的显示装置的制造方法的剖面图。
图9是说明本发明的一个实施方式的显示装置的结构的剖面图。
具体实施方式
以下,参照附图对本发明的实施方式的显示装置进行详细说明。另外,本发明的显示装置并不限定于以下的实施方式,能够进行各种变形。在所有实施方式中,相同构成要素标注相同的附图标记进行说明。另外,附图的尺寸比率为了便于说明,有时与实际的比率不同,或者结构的一部分从附图中省略。
第1实施方式:
图1是说明本实施方式的具有输入功能的显示装置100的结构的俯视图。显示装置100在基板102的第1表面上配置有显示区域102a、周边区域102b和端子区域102c。
显示区域102a是用于显示图像的区域。在显示区域102a配置有多个显示元件(图1中未图示)。作为显示元件,可应用在一对电极间具有包含有机电致发光材料的发光层的发光元件中、或者应用在一对电极间设置有液晶层的液晶元件中。多个显示元件在彼此交叉的2个方向上行列状排列。在本实施方式中,多个显示元件在彼此交叉的2个方向上行列状排列。多个显示元件分别与用于控制其动作的像素电路连接(图1中未图示)。
在显示区域102a中,多个触摸电极排列在多个显示元件的上层。多个触摸电极分别由多个第1触摸电极128a和多个第2触摸电极128b构成。在本实施方式中,多个第1触摸电极128a各自具有多个矩形区域128c和将多个矩形区域128c中在一个方向上相邻的矩形区域128c连接的连接区域128d。多个第1触摸电极128a各自与在另一个方向(与一个方向交叉的方向)上相邻的第1触摸电极128a电独立地排列。同样,多个第2触摸电极128b各自具有多个矩形区域128c和将多个矩形区域128c中在该另一个方向上相邻的矩形区域128c连接的连接区域128d。多个第2触摸电极128b各自与在该一个方向上相邻的第2触摸电极128b电独立地排列。由第1触摸电极128a和第2触摸电极128b形成所谓的投影型静电电容方式的触摸传感器。投影型静电电容方式包括自电容方式或互电容方式。本实施方式的具有输入功能的显示装置100,也能够采用其中任一方式。
在自电容方式中,人的手指等检测对象隔着第1触摸电极128a和第2触摸电极128b碰触或接近显示区域102a(以下,将碰触的情况和接近的情况统称为触摸),由此,在第1触摸电极128a和第2触摸电极128b的寄生电容上追加该检测对象与第1触摸电极128a和第2触摸电极128b之间产生的电容。通过读取该电容的变化,来检测显示区域102a中的触摸的位置。
在互电容方式中,第1触摸电极128a和第2触摸电极的一者被称为发送电极(Tx),另一者被称为接收电极(Rx)。通过人的手指等检测对象隔着第1触摸电极128a和第2触摸电极128b触摸显示区域102a,该第1触摸电极128a和该第2触摸电极128b形成的电容发生变化,通过读取该变化来检测触摸的位置。
本实施方式的显示装置100,能够应用自电容方式和互电容方式的任一方式。
周边区域102b是与显示区域102a的周缘接触,包围显示区域102a的区域。在周边区域102b配置有与多个第1触摸电极128a分别连接的第1触摸配线128e和与多个第2触摸电极128b分别连接的第2触摸配线128f。第1触摸配线128e与多个连接配线108e的任一者连接。同样,第2触摸配线128f与多个连接配线108e的任一者连接。多个连接配线108e分别与多个连接端子132的任一者连接。由此,多个第1触摸电极128a和多个第2触摸电极128b中的各电极与多个连接端子132的任一者电连接。
另外,也可以在周边区域102b还配置用于控制多个显示元件的发光的周边电路(图1中未图示)和用于控制周边电路的IC芯片106。作为周边电路,可以包括用于选择在行列状排列的多个发光层中写入影像数据的行的扫描线驱动电路,和对多个显示元件分别供给与影像数据对应的电压的影像线驱动电路等。
图1中表示了设置于多个显示元件的上层且触摸电极层的下层的第1保护层126。第1保护层126的详情后述,第1保护层126至少具有一个开口部126a。开口部126a至少设置于与多个连接配线108e各自的一部分重叠的区域。在本实施方式中,开口部126a的个数为1个,开口部126a设置于与多个连接配线108e各自的一部分重叠的区域。设置于第1保护层126的上层的第1触摸配线128e和第2触摸配线128f分别经由该开口部126a与多个连接配线108e的任一者连接。
另外,本实施方式中开口部126a的个数为1个,但并不限定于此。开口部126a的个数可以为多个,可以设置于与多个连接配线108e各自的一部分重叠的区域。
端子区域102c是用于将显示装置100和柔性电路基板(FPC基板)140等连接的区域。端子区域102c可以沿显示装置100的一边设置,在端子区域102c排列有多个连接端子132。多个连接端子132各自与多个连接配线108e的任一者电连接。
图2是说明本实施方式的显示装置100的结构的剖面图,表示了沿图1所示的A1-A2的剖面的结构。显示装置100包括:基板102、电路层104、作为显示元件的多个发光元件114、分隔壁层122、密封层124、第1保护层126、触摸电极层128、多个连接端子132、第2保护层130、偏振片134和覆盖膜136。
基板102支承配置于第1表面的电路层104和多个像素112等各种元件。作为基板102的材料,可使用玻璃、石英、塑料、金属、陶瓷等。在显示装置100具有挠性的情况下,基板102由树脂材料形成。作为树脂材料,可使用例如聚酰亚胺、聚酰胺、聚酯、聚碳酸酯等高分子材料。
电路层104设置于基板102的第1表面。在本实施方式中,电路层104具有多个像素电路、周边电路、多个连接配线108e和层间绝缘层110。多个像素电路与排列在显示区域102a中的多个发光元件114的任一者连接,控制多个发光元件114各自的发光。周边电路设置于周边区域102b,控制像素电路。作为周边电路,可以包括用于选择在行列状排列的多个发光元件114中写入影像数据的行的扫描线驱动电路,和对发光元件114分别供给与影像数据对应的电压的影像线驱动电路等。
如图2所示,像素电路具有晶体管108。晶体管108包括半导体层108a、栅极绝缘层108b、栅极电极108c、源极漏极电极108d等。半导体层108a设置成岛状。作为半导体层108a的材料,可使用例如硅等第14族元素或氧化物半导体等。作为氧化物半导体,能够含有铟、镓等第13族元素的氧化物,可以举出例如铟和镓的混合氧化物(IGO)。在半导体层108a中使用氧化物半导体的情况下,还可以含有第12族元素,作为一例可以举出含有铟、镓和锌的混合氧化物(IGZO)。半导体层108a的结晶性没有限定,可以是单晶、多晶、微晶或非晶的任意状态。
栅极绝缘层108b设置于半导体层108a的上层。在本实施方式中,栅极绝缘层108b遍及多个晶体管108设置。但是,栅极绝缘层108b只要至少设置于与栅极电极108c重叠的区域即可。作为栅极绝缘层108b的材料,能够使用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或氧氮化硅等,可以具有单层结构,也可以具有由包含选自这些材料中的材料的绝缘层层叠而成的结构。
栅极电极108c隔着栅极绝缘层108b与半导体层108a重叠。在半导体层108a中,与栅极电极108c重叠的区域是沟道区域。作为栅极电极108c的材料,能够使用钛、铝、铜、钼、钨、钽等金属或其合金等。能够由使用这些材料的任意种形成的导电层的单层形成,或者能够由选自它们的材料形成的导电层多层层叠而成的结构形成。能够采用由例如钛、钨、钼等具有较高熔点的金属材料形成的导电层夹着由铝、铜等导电性高的金属材料形成的导电层的上下的结构。
源极漏极电极108d设置在层间绝缘层110上。源极漏极电极108d在设置于层间绝缘层110和栅极绝缘层108b的开口中,与半导体层108a的源极漏极区域电连接。在层间绝缘层110上还可以设置连接配线108e。即,如图2所示,连接配线108e能够与源极漏极电极108d存在于同一层内。另外,并不限定于此,连接配线108e也可以构成为与栅极电极108c存在于同一层内(图2中未图示)。
图2中,晶体管108例示了顶栅型的晶体管,但并不限定于晶体管108的结构,也可以为底栅型晶体管、具有多个栅极电极108c的多栅型晶体管、具有用两个栅极电极108c上下夹着半导体层108a的结构的双栅型晶体管。另外,图2中表示了在一个像素电路设置一个晶体管108的例子,但也可以一个像素电路还具有多个晶体管108或电容元件等半导体元件。
多个连接配线108e各自与多个连接端子132的任一者连接。多个连接配线108e可以与晶体管的源极漏极电极108d设置在相同层,由相同材料形成。由此,多个连接配线108e和源极漏极电极108d能够用同一工序形成。
层间绝缘层110覆盖像素电路和周边电路。层间绝缘层110在本实施方式中具有基底层109和层间绝缘层110。基底层109是任意的结构,设置于像素电路、周边电路和多个连接配线108e的下层。基底层109是用于防止碱金属等杂质从基板102(和基材)扩散到晶体管108等的层。作为基底层109的材料,能够包含无机绝缘材料。作为无机绝缘材料,能够包含氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或氧氮化硅等。在基板102中的杂质浓度小的情况下,可以不设置基底层109,或者以仅覆盖基板102的一部分的方式形成。
层间绝缘层110设置于像素电路和周边电路的上层。作为层间绝缘层110的材料,能够使用可用于基底层109的材料,可以为单层结构,也可以为选自这些材料的层叠结构。
多个发光元件114排列在电路层104的上层。多个发光元件114各自具有从基板102侧起层叠的第1电极116、发光层118和第2电极120。从第1电极116和第2电极120将载流子注入到发光层118,在发光层118内发生载流子的复合。由此,发光层118内的发光性分子成为激励状态,经由它们弛豫到基态的过程而发光。
第1电极116设置在比详情后述的平坦化绝缘层122d靠上层的位置。第1电极116覆盖设置于平坦化绝缘层122d和无机绝缘层122e的开口,以与源极漏极电极108d电连接的方式设置。由此,电流经由晶体管108被供给到发光元件114。在从第2电极120取出来自发光元件114的发光的情况下,作为第1电极116的材料可选择能够反射可见光的材料。在这种情况下,第1电极116用银、铝等反射率高的金属或其合金形成。还可以在包含这些金属或合金的层上形成具有透光性的导电性氧化物的层。作为导电氧化物可以举出ITO、IZO等。在从第1电极116取出来自发光元件114的发光的情况下,作为第1电极116的材料可使用ITO、IZO等导电性氧化物。
发光层118以覆盖第1电极116和第1分隔壁122a的方式设置。发光层118的结构能够适当地选择,例如能够组合载流子注入层、载流子输送层、发光层118、载流子阻止层、激子阻止层等来构成。发光层118能够按每个发光元件114包含不同材料的方式构成。通过适当选择用于发光层118的材料,能够按每个发光元件114获得不同的发光色。或者,可以使发光层118的结构在发光元件114之间相同。在这样的结构中,由于从各发光元件114的发光层118输出相同的发光色,所以例如可以使发光层118发出白色光,利用滤色片分别从发光元件114获得各种颜色(例如红色、绿色、蓝色)。
第2电极120设置于发光层118的上层。第2电极120可以多个发光元件114共用地设置。在从第2电极120取出来自发光元件114的发光的情况下,作为第2电极120的材料可选择ITO等具有透光性的导电性氧化物。或者,第2电极120可以以透过可见光的程度的厚度形成上述的银、铝等金属或其合金的覆膜。在这种情况下,可以与该金属覆膜重叠地还层叠具有透光性的导电性氧化物。
分隔壁层122设置于电路层104的上层。在本实施方式中,分隔壁层122具有第1分隔壁122a、第2分隔壁122b、第3分隔壁122c、平坦化绝缘层122d和无机绝缘层122e。
第1分隔壁122a俯视时在多个像素112中设置于相邻的像素112之间,包围多个像素112的各像素。第1分隔壁122a覆盖第1电极116的发光层118侧的面的周缘。第1分隔壁122a通过覆盖第1电极116的周缘,能够防止设置于其上层的发光层118和第2电极120的断线。俯视时,第1电极116与发光层118接触的区域是发光区域。
第2分隔壁122b俯视时与第1分隔壁122a之间具有间隔,是包围第1分隔壁122a的框状。换言之,在第2分隔壁122b与第1分隔壁122a之间形成有框状的槽部122f。即,第2分隔壁122b俯视时与第1分隔壁122a分开。详情后述,在制造工序中形成构成密封层124的有机绝缘层124b时,需要有机绝缘层124b以覆盖显示区域102a并且不扩散到基板102的端部的方式有选择地形成于基板102的第1表面内的区域。如果有机绝缘层124b扩散至基板102的端部,则水分有可能经由从端部露出的有机绝缘层124b侵入到显示装置100内。有机绝缘层124b例如使用喷墨法有选择地涂敷于显示区域102a。此时,第2分隔壁122b具有防止有机绝缘层124b扩散到期外侧的功能。
第3分隔壁122c俯视时与第2分隔壁122b之间具有间隔,是包围第2分隔壁122b的框状。换言之,在第3分隔壁122c与第2分隔壁122b之间形成有框状的槽部122g。其中,第3分隔壁122c是任意的结构,并不一定需要设置。另一方面,也可以还设置与第3分隔壁122c之间具有间隔的包围第3分隔壁122c的框状的其他分隔壁。
作为第1分隔壁122a、第2分隔壁122b和第3分隔壁122c的材料,能够使用例如环氧树脂、丙烯酸树脂等有机绝缘材料。通过使用感光性的有机绝缘材料制作第1分隔壁122a、第2分隔壁122b和第3分隔壁122c,能够容易地形成槽部122f、槽部122g。
平坦化绝缘层122d配置于电路层104的上层且发光元件114的下层。平坦化绝缘层122d吸收晶体管108等半导体元件引起的凹凸而赋予平坦的表面。作为平坦化绝缘层122d的材料,能够使用与可用于第1分隔壁122a、第2分隔壁122b和第3分隔壁122c的材料同样的材料。
无机绝缘层122e是任意的结构,具有保护晶体管108等半导体元件的功能。而且,能够在发光元件114的第1电极116与在无机绝缘层122e的下层以夹着第1电极116和无机绝缘层122e的方式形成的电极(图2中未图示)之间形成电容。
在平坦化绝缘层122d和无机绝缘层122e设置有多个开口。其中之一是为了将发光元件114的第1电极116与晶体管108的源极漏极电极108d电连接而设置的。另一个以使连接配线108e的一部分露出的方式设置。通过该开口而露出的连接配线108e,与形成于其上层的连接端子132电连接。例如利用各向异性导电膜138等与FPC基板140连接。
密封层124设置于多个发光元件114和分隔壁层122的上层。在本实施方式中,密封层124具有从基板102侧起层叠的第1无机绝缘层124a、有机绝缘层124b和第2无机绝缘层124c。
第1无机绝缘层124a覆盖分隔壁层122引起的凹凸表面。第1无机绝缘层124a覆盖第1分隔壁122a与第2分隔壁122b之间的槽部122f的底面和分隔壁。另外,第1无机绝缘层124a覆盖第2分隔壁122b与第3分隔壁122c之间的槽部122g的底面和分隔壁。
在本实施方式中,第1无机绝缘层124a至少具有以下3个作用。水分容易透过的有机绝缘层124b配置于第1无机绝缘层124a的上层,以不与发光元件114接触的方式设置。由此,能够防止有机绝缘层124b含有的水分、或者从显示装置100的外部侵入到有机绝缘层124b的水分到达发光层118而使发光层118劣化。另外,第1无机绝缘层124a是为了在第1分隔壁122a与第2分隔壁122b之间不产生经由有机材料的水分侵入路径而设置的。由此,能够防止第2分隔壁122b含有的水分、或者从显示装置100的外部侵入第2分隔壁122b的水分侵入到第2分隔壁122b的内侧而使发光层118劣化。另外,第1无机绝缘层124a是为了在第2分隔壁122b与第3分隔壁122c之间不产生经由有机材料的水分侵入路径而设置的。由此,能够防止第3分隔壁122c含有的水分、或者从显示装置100的外部侵入第3分隔壁122c的水分侵入到第3分隔壁122c的内侧而使发光层118劣化。
如上所述,作为第1无机绝缘层124a的材料,优选使用透湿性低的绝缘材料。作为透湿性低的绝缘材料,优选使用无机绝缘材料。作为无机绝缘材料,能够使用例如氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氧氮化铝、氮氧化铝等。另外,也可以使用选自它们的多个材料层叠而成的结构。
有机绝缘层124b设置于第1无机绝缘层124a的上层。另外,有机绝缘层124b俯视时与多个发光元件114重叠,并且端部配置在第1分隔壁122a与第2分隔壁122b之间。有机绝缘层124b是为了使第1分隔壁122a等引起的凹凸平坦化而设置的。
如果这样的凹凸没有充分平坦化就在有机绝缘层124b上设置第2无机绝缘层124c,则第2无机绝缘层124c不能充分覆盖残留于有机绝缘层124b的凹凸,有时会在第2无机绝缘层124c产生裂缝等缺陷,而产生由此引起的水分的侵入路径。但是,通过设置有机绝缘层124b,能够填埋基底面的凹凸而实现平坦化。
第2无机绝缘层124c设置于有机绝缘层124b的上层。在本实施方式中,第2无机绝缘层124c俯视时沿第1无机绝缘层124a的端部配置。即,有机绝缘层124b的两面和端部被第1无机绝缘层124a和第2无机绝缘层124c覆盖。通过具有这样的结构,能够切断经由有机绝缘层124b的、从显示装置100的外部到内部的水分的侵入路径。作为第2无机绝缘层124c的材料,优选使用透湿性低的绝缘材料,能够使用与第1无机绝缘层124a同样的材料。
另外,第2无机绝缘层124c并不一定需要其端部沿第1无机绝缘层124a的端部配置。只要以有机绝缘层124b被第1无机绝缘层124a和第2无机绝缘层124c密封的方式构成密封层124即可。
第1保护层126设置于密封层124的上层。另外,第1保护层126俯视时至少在与多个连接配线108e各自的一部分重叠的区域具有开口部126a。在本实施方式中,开口部126a俯视时设置于第2分隔壁122b与第3分隔壁122c之间的槽部122g。另外,设置开口部126a的区域,并不限定于第2分隔壁122b与第3分隔壁122c之间的槽部122g。设置开口部126a的区域,只要设置于比第1分隔壁122a靠外侧的位置即可。另外,如图2所示,开口部126a的截面具有锥形形状。换言之,设置于第1保护层126的开口部126a以开口部内的侧壁随着向上方去而向外侧展开的方式倾斜。
第1保护层126的端部配置在第3分隔壁122c上。在本实施方式中,第1保护层126的端部沿第1无机绝缘层124a的端部配置。在本实施方式中,第1保护层126、第2无机绝缘层124c和第1无机绝缘层124a的端部大致重叠,都配置在第3分隔壁122c上,但并不限定于此,这些层也可以不与多个连接端子132重叠。作为第1保护层126的材料,能够使用与可用于上述的有机绝缘层124b的材料同样的材料。
触摸电极层128设置于第1保护层126的上层。触摸电极层128包含多个触摸电极。图2表示了触摸电极层128包含第1触摸电极128a和第2触摸电极128b的方式。第1触摸电极128a和第2触摸电极128b隔着绝缘层129设置。多个触摸电极经由设置于第1保护层126的开口部126a与多个连接配线108e的任一者连接。
在本实施方式中,利用第1保护层126,能够吸收第2分隔壁122b引起的凹凸、有机绝缘层124b的端部的锥形、其他的周边区域102b的凹凸,而形成平坦化的表面。在由第1保护层126平坦化后的表面上设置有触摸电极层128。
在现有的显示装置中,在密封层124的正上方设置有多个触摸电极。在这种结构中,在具有第2分隔壁122b引起的凹凸、有机绝缘层124b的端部的锥形、其他周边区域102b的凹凸的表面上,设置触摸电极层128。因此,在显示装置的制造工序中,有可能因该凹凸而在多个触摸电极发生断线、裂缝等。
但是,根据本实施方式,通过在由第1保护层126平坦化后的表面上设置触摸电极层128,能够抑制在多个触摸电极发生断线、裂缝等。由此,能够提高显示装置100的可靠性。
多个连接端子132排列在基板102的该第1表面上。多个连接端子132经由设置于无机绝缘层122e和平坦化绝缘层122d的开口,与连接配线108e电连接。另外,多个连接端子132俯视时配置于第1保护层126的外侧。
第2保护层130是任意结构,物理保护显示装置100。作为第2保护层130的材料,能够包含酯、环氧树脂、丙烯酸树脂等高分子材料。能够使用印刷法、层压法等来形成。
偏振片134能够具有例如λ/4板134a和配置在其上的直线偏振片134b的层叠结构。从显示装置100之外入射的光透过直线偏振片134b而成为直线偏振光之后,通过λ/4板134a而成为右旋的圆偏振光。该圆偏振光在第1电极116反射而成为左旋的圆偏振光,其再次透过λ/4板134a而成为直线偏振光。此时的直线偏振光的偏振面与反射前的直线偏振光正交。因此,不会透过直线偏振片134b。其结果是,通过设置偏振片134来抑制外部光的反射,能够提供对比度高的影像。
覆盖膜136是任意结构,在本实施方式中设置于偏振片134的上层。覆盖膜136物理保护偏振片134。
如上所述,根据本实施方式的显示装置100,能够抑制在显示装置中在多个触摸电极发生断线、裂缝等。由此,能够提高显示装置100的可靠性。
接着,对本实施方式的显示装置100的制造方法进行详细说明。图3~图8是说明本实施方式的显示装置100的制造方法的剖面图。
图3中,基板102对配置于其第1表面侧的电路层104和多个像素112等各种元件进行支承。因此,基板102只要使用对要在其上形成的各种元件的工艺的温度具有耐热性和对工艺中使用的化学品具有化学稳定性的材料即可。作为基板102的材料,能够包含玻璃、石英、塑料、金属、陶瓷等。
在显示装置100具有挠性的情况下,在基板102上形成基材。在这种情况下,基板102也被称为支承基板。基材是具有挠性的绝缘层。作为基材的具体材料,能够包含选自例如聚酰亚胺、聚酰胺、聚酯、聚碳酸酯等高分子材料的材料。基材能够应用例如印刷法、喷墨法、旋涂法、浸涂法等湿式成膜法、或层压法等来形成。
参照图3,对在基板102的第1表面上形成电路层104的方法进行说明。首先,形成基底层109。作为基底层109的材料,能够包含无机绝缘材料。作为无机绝缘材料,能够包含氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或氧氮化硅等。基底层109能够应用化学气相沉积法(CVD法)、溅射法等以具有单层或层叠结构的方式形成。其中,基底层109是任意的结构,并不一定需要设置。
形成半导体层108a。半导体层108a由硅等第14族元素、或者氧化物半导体形成。在由硅形成半导体层108a的情况下,使用硅烷气体作为原料,通过等离子体CVD法形成。可以对通过等离子体CVD法制作的非晶硅膜进行加热处理或照射激光等光来进行结晶化。在半导体层108a由氧化物半导体形成的情况下,能够使用溅射法等来制作。
以覆盖半导体层108a的方式形成栅极绝缘层108b。栅极绝缘层108b可以具有单层结构或层叠结构,能够以与基底层109同样的方法形成。
在栅极绝缘层108b上形成栅极电极108c。栅极电极108c能够使用钛或铝、铜、钼、钨、钽等金属或其合金等。能够以具有由这些材料的任意种形成的覆膜的单层、或者能够由选自它们的多种材料形成的覆膜的层叠结构的方式形成。能够采用利用例如钛、钨、钼等具有较高熔点的金属夹着铝、铜等导电性高的金属的结构。栅极电极108c能够通过溅射法、CVD法等形成。
在栅极电极108c上形成层间绝缘层110。设置于栅极电极108c的上层。作为层间绝缘层110的材料,能够使用可用于基底层109的材料,可以为单层结构,也可以具有多个绝缘层层叠而成的层叠结构。层间绝缘层110能够用与基底层109同样的方法形成。在具有层叠结构的情况下,例如在形成了包含有机材料的层之后,层叠包含无机材料的层。
接着,对层间绝缘层110和栅极绝缘层108b进行蚀刻,形成到达半导体层108a的开口。开口能够通过例如在含有含氟烃的气体中进行等离子体蚀刻来形成。
以覆盖开口的方式形成金属层,并进行蚀刻,由此形成源极漏极电极108d。在本实施方式中,与源极漏极电极108d的形成同时形成连接配线108e。因此,源极漏极电极108d能够与连接配线108e存在于同一层内。金属层能够具有与栅极电极108c同样的结构,能够使用与形成栅极电极108c同样的方法来形成。
参照图4,对在基板102的第1表面上形成多个发光元件114、分隔壁层122、多个连接端子132的方法进行说明。在此,分隔壁层122具有第1分隔壁122a、第2分隔壁122b、第3分隔壁122c、平坦化绝缘层122d和无机绝缘层122e。第1分隔壁122a配置于多个像素112各自的周缘,第2分隔壁122b包围第1分隔壁122a,第3分隔壁122c包围第2分隔壁122b。连接端子132配置于第3分隔壁122c的外侧。
形成平坦化绝缘层122d。平坦化绝缘层122d以覆盖源极漏极电极108d和连接配线108e的方式形成。平坦化绝缘层122d具有吸收晶体管108、连接配线108e等引起的凹凸和倾斜,赋予平坦的面的功能。作为平坦化绝缘层122d的材料,能够使用有机绝缘材料。作为有机绝缘材料,可举出环氧树脂、丙烯酸树脂、聚酰亚胺、聚酰胺、聚酯、聚碳酸酯、聚硅氧烷等高分子材料。作为成膜方法,能够通过湿式成膜法形成。
在平坦化绝缘层122d上形成无机绝缘层122e。如上所述,无机绝缘层122e不仅对于晶体管108具有作为保护层的功能,而且能够与之后形成的发光元件114的第1电极116一起形成电容。因此,优选使用介电常数比较高的材料。能够使用例如氮化硅、氮氧化硅、氧氮化硅等。作为成膜方法,能够使用CVD法、溅射法。
将源极漏极电极108d和连接配线108e作为阻蚀部,对无机绝缘层122e和平坦化绝缘层122d进行蚀刻,形成开口。之后,以覆盖这些开口的方式形成第1电极116和连接端子132。
在从第2电极120取出来自发光元件114的发光的情况下,第1电极116构成为能够反射可见光。在这种情况下,第1电极116用银、铝等反射率高的金属或其合金。或者在包含这些金属或合金的层上形成具有透光性的导电性氧化物的层。作为导电氧化物可以举出ITO、IZO等。在从第1电极116取出来自发光元件114的发光的情况下,只要用ITO或IZO形成第1电极116即可。
在本实施方式中,第1电极116和连接电极形成在无机绝缘层122e上。因此,例如以覆盖开口的方式形成上述金属的层,之后形成包含透过可见光的导电氧化物的层,通过蚀刻进行加工而能够形成第1电极116和连接电极。
形成第1分隔壁122a、第2分隔壁122b和第3分隔壁122c。利用第1分隔壁122a吸收由第1电极116的端部引起的台阶差,并且使相邻的像素112的第1电极116彼此电绝缘。
在之后的制造工序中形成构成密封层124的有机绝缘层124b时,需要有机绝缘层124b以覆盖显示区域102a并且不扩散到基板102的端部的方式有选择地形成于基板102的表面内的区域。有机绝缘层124b例如使用喷墨法有选择地形成于显示区域102a。此时,第2分隔壁122b具有防止有机绝缘层124b扩散到其外侧的功能。
第1分隔壁122a、第2分隔壁122b和第3分隔壁122c能够使用环氧树脂、丙烯酸树脂等可用于平坦化绝缘层122d的材料,通过湿式成膜法形成。
以覆盖第1电极116和分隔壁层122的方式形成发光层118和第2电极120。发光层118主要包含有机化合物,能够使用喷墨法、旋涂法等湿式成膜法、或蒸镀等干湿成膜法来形成。
在从第1电极116取出来自发光元件114的发光的情况下,作为第2电极120的材料只要使用铝、镁、银等金属或它们的合金即可。反之在从第2电极120取出来自发光元件114的发光的情况下,作为第2电极120的材料使用ITO等具有透光性的导电性氧化物等即可。或者,能够以透过可见光的程度的厚度形成上述金属。在这种情况下,可以进一步层叠具有透光性的导电性氧化物。
参照图5,对形成密封层124的方法进行说明。在此,密封层124具有第1无机绝缘层124a、有机绝缘层124b和第2无机绝缘层的124c。第1无机绝缘层124a遍及基板102的表面配置。有机绝缘层124b配置在第1无机绝缘层124a上,并且覆盖多个像素112,配置在第2分隔壁122b的内侧。第2无机绝缘层124c配置在有机绝缘层124b上,并且遍及表面配置。
首先,遍及基板102的第1表面形成第1无机绝缘层124a。第1无机绝缘层124a能够包含例如氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧氮化硅等无机材料,通过与基底层109同样的方法形成。
接着,形成有机绝缘层124b。有机绝缘层124b通过涂敷在第2分隔壁122b的内侧而形成。有机绝缘层124b能够含有包含丙烯酸树脂、聚硅氧烷、聚酰亚胺、聚酯等的有机树脂。另外,有机绝缘层124b优选以规定的厚度形成,以吸收分隔壁层122引起的凹凸、进而赋予平坦的面。有机绝缘层124b优选有选择地形成在显示区域102a内。即,有机绝缘层124b优选以与多个连接端子132不重叠的方式形成。有机绝缘层124b能够通过喷墨法等湿式成膜法形成。此时,有选择地被涂敷于显示区域102a的有机绝缘层124b被第2分隔壁122b挡住而不会扩散到其外侧。
在有机绝缘层124b的上层侧形成第2无机绝缘层124c。第2无机绝缘层124c具有与第1无机绝缘层124a同样的结构,能够用同样的方法形成。第2无机绝缘层124c也能够形成为不仅覆盖有机绝缘层124b而且覆盖连接电极。由此,能够利用第1无机绝缘层124a和第2无机绝缘层124c密封有机绝缘层124b。
通过到此为止的工序,密封层124在第2分隔壁122b的内侧具有第1无机绝缘层124a、有机绝缘层124b和第2无机绝缘层124c的3层结构,在第2分隔壁122b的外侧具有第1无机绝缘层124a和第2无机绝缘层124c的2层结构。
参照图6,对形成第1保护层126的方法进行说明。第1保护层126设置在密封层124上。如图6所示,第1保护层126在显示区域102a内有选择地覆盖第1无机绝缘层124a和第2无机绝缘层124c彼此接触的区域,至少在与多个连接配线108e各自一部分重叠的区域具有开口部126a,并且以与连接端子132不重叠的方式形成。第1保护层126能够包含与构成密封层124的有机绝缘层124b同样的材料,与之同样能够用喷墨法等形成。
参照图7,对使被密封层124覆盖的多个连接端子132和多个连接配线108e的各自的一部分露出的方法进行说明。在此,将第1保护层126作为掩模,对密封层124进行蚀刻,使多个连接端子132和多个连接配线108e各自的一部分露出。在此,露出于第1保护层126的密封层124的区域,都是具有第1无机绝缘层124a和第2无机绝缘层124c的2层结构的区域。
参照图8,对形成触摸电极层128的方法进行说明。首先,在第1保护层126上同时形成多个第1触摸电极128a。多个第1触摸电极128a能够包含具有透光性的导电性氧化物作为主成分,作为导电性氧化物可举出ITO、IZO等。在此,与多个第1触摸电极128a各自连接的第1触摸配线128e也能够由与多个第1触摸电极128a相同的材料形成并形成于相同层,所以能够同时形成。第1触摸配线128e以覆盖设置于第1保护层126的开口部126a的方式形成,由此,将第1触摸电极128a和多个连接配线108e的任一者电连接。
接着,在第1触摸电极202上形成有机绝缘层。有机绝缘层能够用与第1有机层同等的材料和方法形成。与平坦化绝缘层122d等不同点在于,在例如进行烘焙处理等的情况下,不使用高温。由于在该时刻形成了包含有机化合物的发光层118,所以优选在有机化合物不分解程度的温度下进行处理。
在有机绝缘层上形成第2触摸电极128b。作为第2触摸电极128b的材料,能够使用与第1触摸电极128a同样的材料。另外,与第2触摸电极128b的形成同时形成第2触摸配线128f。第2触摸配线128f以覆盖设置于第1保护层126的开口部126a的方式形成,由此,将多个第2触摸电极128b各自与多个连接配线108e的任一者电连接。
形成第2保护层130、偏振片134和覆盖膜136。第2保护层130能够包含聚酯、环氧树脂、丙烯酸树脂等高分子材料,能够使用印刷法、层压法等来形成。覆盖膜136也能够包含与第2保护层130同样的高分子材料,除了上述高分子材料以外还能够使用聚烯烃、聚酰亚胺等高分子材料。接着,在开口中,使用各向异性导电膜138来与连接器进行连接,由此能够形成图1和图2所示的显示装置100。
根据本实施方式,由于进行了在由第1保护层126平坦化后的表面上设置触摸电极层128的工序,所以能够抑制在多个触摸电极发生断线裂缝等。即,能够防止在制造工序中密封层124的劣化。由此,能够提供制造成品率和可靠性提高了的显示装置100。
第2实施方式:
图9是说明本实施方式的显示装置的结构的剖面图。显示装置200与第1实施方式的显示装置相比,多个触摸电极与多个连接配线108e的连接部不同。在显示装置200中,在第1保护层126的开口部126a设置有与多个触摸电极的材料不同的导电性材料。作为该导电性材料,能够使用导电膏127。多个触摸电极各自通过导电膏127与多个配线的任一者连接。
导电膏127以填埋槽部122g的方式设置。导电膏127通过填埋槽部122g而具有插头那样的形态。由导电膏127形成的插头(埋入式插头),一端与第1触摸电极128a连接,另一端与连接配线108e连接。另外,图9表示了槽部122g被导电膏127填充的形态,但本实施方式并不限定于此,导电膏127也可以沿槽部122g的侧壁设置。另外,导电膏127的上表面优选与第1保护层126的上表面高度一致,但也可以使第1触摸电极128a具有能够覆盖台阶差的程度的高度(凹陷度)而从第1保护层126的上表面突出(陷没)。作为导电膏127,能够使用在树脂中分散了金粉、银粉、铜粉、镍粉、铝粉、镀粉、碳粉、石墨粉而成的导电膏。这种导电膏127在设置于槽部122g之后,通过自然干燥或热处理等成为固化的状态,在该状态下显现充分的导电性,将第1触摸电极128a和连接配线108e连接。
根据本实施方式,通过具有如上所述的结构,能够在显示装置200的制造工序中抑制因第1保护层126的开口部126a引起的台阶差而在多个触摸电极发生断线、裂缝等。由此,能够提供制造成品率和可靠性进一步提高了的显示装置200。
作为本发明的实施方式的上述各实施方式,只要彼此不矛盾就能够适当地组合来实施。另外,基于各实施方式的显示装置,本领域技术人员适当地进行构成要素的追加、删除或设计变更、或者进行工序的追加、省略或条件变更,只要包括本发明的主旨,都包含在本发明的范围中。
在本说明书中,主要以EL显示装置的情况作为公开例进行了例示,但作为其他应用例,可以举出其他自发光型显示装置、液晶显示装置、或者具有电泳元件的电子书型显示装置等各种平板显示装置。另外,也能够从中小型到大型,没有特别限制地应用。
即使是与由上述各实施方式带来的作用效果不同的其他作用效果,只要是根据本说明书的记载能够明确得到的、或者本领域技术人员能够容易预测的,当然也视作是由本发明带来的。
附图标记的说明
100、200……显示装置,102……基板,102a……显示区域,102b……周边区域,102c……端子区域,104……电路层,106……IC芯片,108……晶体管,108a……半导体层,108b……栅极绝缘层,108c……栅极电极,108d……源极漏极电极,108e……连接配线,110……绝缘层,109……基底层,110……层间绝缘层,112……像素,114……发光元件,116……第1电极,118……发光层,120……第2电极,122……分隔壁层,122a……第1分隔壁,122b……第2分隔壁,122c……第3分隔壁,122d……平坦化绝缘层,122e……无机绝缘层,122f……槽部,122g……槽部,124……密封层,124a……第1无机绝缘层,124b……有机绝缘层,124c……第2无机绝缘层,126……第1保护层,126a……开口部,127……导电膏,128……触摸电极层,128a……第1触摸电极,128b……第2触摸电极,128c……矩形区域,128d……连接区域,128e……第1触摸配线,128f……第2触摸配线,129……绝缘层,130……第2保护层,132……连接端子,134……偏振片,134a……λ/4板,134b……直线偏振片,136……覆盖膜,138……各向异性导电膜,140……柔性电路基板(FPC基板)。
Claims (7)
1.一种显示装置,其特征在于,包括:
设置于基板的第1表面的电路层;
排列在所述电路层的上层的显示元件;
设置于所述显示元件的上层的密封层;
设置于所述密封层的上层的保护层;
设置于所述保护层的上层的触摸电极层;和
排列在所述电路层的上层且所述密封层的外侧的多个连接端子,
所述电路层具有分别与所述多个连接端子的任一者连接的多个连接配线,
所述保护层在与所述多个连接配线各自的一部分重叠的区域具有开口部,
所述触摸电极层具有与所述显示元件重叠的多个触摸电极,
所述多个触摸电极各自经由所述开口部与所述多个连接配线的任一者连接。
2.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于:
还包括设置于所述电路层的上层的分隔壁层,
所述分隔壁层具有:设置于所述多个显示元件中的相邻的显示元件之间,且包围所述多个显示元件的各个显示元件的第1分隔壁;和与所述第1分隔壁之间具有间隔且包围所述第1分隔壁的框状的第2分隔壁,
所述开口部设置于比所述第1分隔壁靠外侧的位置。
3.如权利要求2所述的显示装置,其特征在于:
所述多个显示元件各自具有从所述基板侧起层叠的第1电极、发光层和第2电极,
所述第1分隔壁设置于所述第1电极与所述发光层之间的层,且覆盖所述第1电极的周缘。
4.如权利要求2所述的显示装置,其特征在于:
所述密封层具有从所述基板侧起层叠的第1无机绝缘层、有机绝缘层和第2无机绝缘层,
所述有机绝缘层的两面和端部被所述第1无机绝缘层和所述第2无机绝缘层覆盖,所述有机绝缘层与所述多个显示元件重叠,并且端部配置在所述第1分隔壁与所述第2分隔壁之间。
5.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于:
还包括设置于所述开口部的导电膏,
所述多个触摸电极各自经由所述导电膏与所述多个配线的任一者连接。
6.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于:
所述电路层包括分别与所述多个显示元件的任一者连接的多个像素电路。
7.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于:
所述开口部具有锥形形状。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017-016739 | 2017-02-01 | ||
JP2017016739A JP6827332B2 (ja) | 2017-02-01 | 2017-02-01 | 表示装置 |
PCT/JP2017/042987 WO2018142739A1 (ja) | 2017-02-01 | 2017-11-30 | 表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110192171A true CN110192171A (zh) | 2019-08-30 |
CN110192171B CN110192171B (zh) | 2022-06-24 |
Family
ID=63039608
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201780083963.4A Active CN110192171B (zh) | 2017-02-01 | 2017-11-30 | 显示装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10903286B2 (zh) |
JP (1) | JP6827332B2 (zh) |
KR (1) | KR102253840B1 (zh) |
CN (1) | CN110192171B (zh) |
WO (1) | WO2018142739A1 (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114616687A (zh) * | 2019-11-05 | 2022-06-10 | 赫里亚泰克有限责任公司 | 光电子器件以及用于接触光电子器件的方法 |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6807178B2 (ja) * | 2016-07-07 | 2021-01-06 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置、表示装置の製造方法 |
KR102438255B1 (ko) | 2017-05-31 | 2022-08-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102408164B1 (ko) * | 2017-10-31 | 2022-06-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그의 제조방법 |
KR102524346B1 (ko) * | 2018-01-03 | 2023-04-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법 |
JP7032173B2 (ja) | 2018-02-27 | 2022-03-08 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
KR102578168B1 (ko) * | 2018-10-01 | 2023-09-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN111128010B (zh) | 2018-11-01 | 2021-10-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制造方法及显示装置 |
KR20200060594A (ko) * | 2018-11-21 | 2020-06-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 |
KR20200081628A (ko) * | 2018-12-27 | 2020-07-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
US20200235180A1 (en) * | 2019-01-18 | 2020-07-23 | Samsung Display Co., Ltd. | Display panel |
CN110162220B (zh) * | 2019-05-28 | 2022-10-18 | 业成科技(成都)有限公司 | 触控装置及其制作方法 |
KR20210016786A (ko) * | 2019-08-05 | 2021-02-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR20210019256A (ko) | 2019-08-12 | 2021-02-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계 발광 표시 장치 |
KR20210032600A (ko) * | 2019-09-16 | 2021-03-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
US20220415997A1 (en) * | 2019-10-21 | 2022-12-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device |
JP7427969B2 (ja) * | 2020-01-22 | 2024-02-06 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置および電子機器 |
KR20220086764A (ko) * | 2020-12-16 | 2022-06-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
US11816282B2 (en) * | 2021-10-18 | 2023-11-14 | Lg Display Co., Ltd. | Touch display device |
US11768568B2 (en) * | 2021-10-18 | 2023-09-26 | Lg Display Co., Ltd. | Touch display device |
KR20240025338A (ko) * | 2022-08-18 | 2024-02-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102299166A (zh) * | 2010-06-25 | 2011-12-28 | 乐金显示有限公司 | 带有内置触摸面板的有机发光二极管显示器 |
CN103682146A (zh) * | 2012-09-24 | 2014-03-26 | 三星显示有限公司 | 白色发光元件、包括此的白色发光面板及其制造方法 |
CN104752484A (zh) * | 2013-12-26 | 2015-07-01 | 乐金显示有限公司 | 具有触摸屏的有机发光二极管显示装置及其制造方法 |
CN106098730A (zh) * | 2015-05-01 | 2016-11-09 | 三星显示有限公司 | 有机发光设备及其制造方法 |
US20160357312A1 (en) * | 2015-01-09 | 2016-12-08 | Boe Technology Group Co., Ltd. | In cell touch panel and display device |
Family Cites Families (47)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101650074B1 (ko) * | 2010-09-29 | 2016-08-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 터치 스크린 패널 |
KR101535823B1 (ko) * | 2011-12-15 | 2015-07-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치 및 입체 영상 표시 기능을 갖는 액정표시장치 및 그의 제조 방법 |
JP2015166889A (ja) * | 2012-07-02 | 2015-09-24 | シャープ株式会社 | タッチパネルおよびタッチパネル付き表示装置 |
KR101349915B1 (ko) * | 2012-09-07 | 2014-01-15 | 실리콘 디스플레이 (주) | 정전용량 터치 센서를 내장한 박막 트랜지스터 액정 디스플레이 |
JP6054763B2 (ja) * | 2013-02-12 | 2016-12-27 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機el表示装置 |
KR20240014622A (ko) * | 2013-04-24 | 2024-02-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
US9269914B2 (en) * | 2013-08-01 | 2016-02-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, electronic device, and lighting device |
JP6253923B2 (ja) * | 2013-08-30 | 2017-12-27 | 株式会社ジャパンディスプレイ | タッチセンサ内蔵有機エレクトロルミネッセンス装置 |
CN103927041B (zh) * | 2013-10-23 | 2017-01-04 | 上海天马微电子有限公司 | 触摸侦测结构、触摸显示装置及触摸侦测和制作方法 |
KR102239367B1 (ko) * | 2013-11-27 | 2021-04-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 터치 패널 |
WO2015132694A1 (en) * | 2014-03-07 | 2015-09-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Touch sensor, touch panel, and manufacturing method of touch panel |
TWI831924B (zh) * | 2014-04-25 | 2024-02-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置及電子裝置 |
CN110310962A (zh) * | 2014-06-13 | 2019-10-08 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置 |
US9753590B2 (en) * | 2014-06-13 | 2017-09-05 | Lg Display Co., Ltd. | Display device integrated with touch screen panel and method of fabricating the same |
JP6453579B2 (ja) * | 2014-08-08 | 2019-01-16 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機el表示装置 |
JP6307384B2 (ja) * | 2014-08-11 | 2018-04-04 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機el表示装置 |
KR101671578B1 (ko) * | 2014-08-11 | 2016-11-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치센서 일체형 표시장치 |
KR102295584B1 (ko) * | 2014-10-31 | 2021-08-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치 패널 내장형 유기 발광 표시 장치 |
US9450203B2 (en) * | 2014-12-22 | 2016-09-20 | Apple Inc. | Organic light-emitting diode display with glass encapsulation and peripheral welded plastic seal |
US9741772B2 (en) * | 2014-12-26 | 2017-08-22 | Lg Display Co., Ltd. | Display device comprising bending sensor |
US9766763B2 (en) * | 2014-12-26 | 2017-09-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Functional panel, light-emitting panel, display panel, and sensor panel |
US20180054861A1 (en) * | 2015-02-26 | 2018-02-22 | Konica Minolta, Inc. | Planar light-emitting module |
WO2016166636A1 (en) * | 2015-04-13 | 2016-10-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display panel, data processor, and method for manufacturing display panel |
KR102362189B1 (ko) * | 2015-04-16 | 2022-02-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
CN104777692B (zh) * | 2015-05-08 | 2018-09-04 | 厦门天马微电子有限公司 | 阵列基板及制作方法、触控显示面板 |
TWI837587B (zh) * | 2015-05-21 | 2024-04-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 發光元件、顯示裝置、電子裝置、及照明裝置 |
US10684500B2 (en) * | 2015-05-27 | 2020-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Touch panel |
US10978489B2 (en) * | 2015-07-24 | 2021-04-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display panel, method for manufacturing semiconductor device, method for manufacturing display panel, and information processing device |
WO2017037560A1 (en) * | 2015-08-28 | 2017-03-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
KR102401080B1 (ko) * | 2015-09-30 | 2022-05-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
WO2017081575A1 (en) * | 2015-11-11 | 2017-05-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
KR102421600B1 (ko) * | 2015-11-20 | 2022-07-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 터치 센싱 유닛, 표시 장치 및 터치 센싱 유닛의 제조 방법 |
JP6396879B2 (ja) * | 2015-11-20 | 2018-09-26 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
WO2017093843A1 (en) * | 2015-12-01 | 2017-06-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
KR102467421B1 (ko) * | 2015-12-23 | 2022-11-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
JP6636807B2 (ja) * | 2016-01-15 | 2020-01-29 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機el表示装置 |
CN105487718B (zh) * | 2016-01-29 | 2019-03-15 | 武汉华星光电技术有限公司 | 阵列基板及其制作方法 |
CN105630247B (zh) * | 2016-02-02 | 2019-01-08 | 上海天马微电子有限公司 | 一种阵列基板 |
JP2017151313A (ja) * | 2016-02-25 | 2017-08-31 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置の製造方法 |
JP6714401B2 (ja) * | 2016-03-18 | 2020-06-24 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
CN105717690A (zh) * | 2016-04-27 | 2016-06-29 | 武汉华星光电技术有限公司 | 内嵌触摸屏及其制备方法、液晶显示器 |
JP2017224508A (ja) * | 2016-06-16 | 2017-12-21 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
JP6706999B2 (ja) * | 2016-08-30 | 2020-06-10 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
KR102670360B1 (ko) * | 2016-12-08 | 2024-05-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치 스크린 일체형 표시장치와 그의 제조방법 |
KR20180076006A (ko) * | 2016-12-27 | 2018-07-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
JP2018113104A (ja) * | 2017-01-06 | 2018-07-19 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
WO2018138779A1 (ja) * | 2017-01-24 | 2018-08-02 | シャープ株式会社 | フレキシブルディスプレイ |
-
2017
- 2017-02-01 JP JP2017016739A patent/JP6827332B2/ja active Active
- 2017-11-30 WO PCT/JP2017/042987 patent/WO2018142739A1/ja active Application Filing
- 2017-11-30 CN CN201780083963.4A patent/CN110192171B/zh active Active
- 2017-11-30 KR KR1020197024307A patent/KR102253840B1/ko active IP Right Grant
-
2019
- 2019-07-26 US US16/523,081 patent/US10903286B2/en active Active
-
2020
- 2020-12-15 US US17/121,896 patent/US11424301B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102299166A (zh) * | 2010-06-25 | 2011-12-28 | 乐金显示有限公司 | 带有内置触摸面板的有机发光二极管显示器 |
CN103682146A (zh) * | 2012-09-24 | 2014-03-26 | 三星显示有限公司 | 白色发光元件、包括此的白色发光面板及其制造方法 |
CN104752484A (zh) * | 2013-12-26 | 2015-07-01 | 乐金显示有限公司 | 具有触摸屏的有机发光二极管显示装置及其制造方法 |
US20160357312A1 (en) * | 2015-01-09 | 2016-12-08 | Boe Technology Group Co., Ltd. | In cell touch panel and display device |
CN106098730A (zh) * | 2015-05-01 | 2016-11-09 | 三星显示有限公司 | 有机发光设备及其制造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114616687A (zh) * | 2019-11-05 | 2022-06-10 | 赫里亚泰克有限责任公司 | 光电子器件以及用于接触光电子器件的方法 |
US12029053B2 (en) | 2019-11-05 | 2024-07-02 | Heliatek Gmbh | Optoelectronic component and method for contacting an optoelectronic component |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110192171B (zh) | 2022-06-24 |
JP6827332B2 (ja) | 2021-02-10 |
KR102253840B1 (ko) | 2021-05-21 |
US10903286B2 (en) | 2021-01-26 |
US11424301B2 (en) | 2022-08-23 |
US20210098538A1 (en) | 2021-04-01 |
US20190348476A1 (en) | 2019-11-14 |
JP2018124816A (ja) | 2018-08-09 |
KR20190105640A (ko) | 2019-09-17 |
WO2018142739A1 (ja) | 2018-08-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN110192171A (zh) | 显示装置 | |
US11422651B2 (en) | Display device | |
US10644257B2 (en) | Display device | |
CN111133836B (zh) | 显示装置 | |
JP6756538B2 (ja) | 表示装置 | |
CN106201142B (zh) | 一种内嵌式触摸屏、其驱动方法及显示装置 | |
CN108538852B (zh) | 柔性显示面板及柔性显示装置 | |
US10495915B2 (en) | Multiple panel substrate, display device and method of manufacturing display device | |
US20240049531A1 (en) | Display panel and display device | |
CN104701345A (zh) | 有机场致发光显示器件 | |
CN110462565A (zh) | 内置触摸传感器的显示装置 | |
CN107452767B (zh) | 显示装置 | |
CN212675539U (zh) | 显示屏、图像传感器和对其进行集成的设备 | |
CN105720079A (zh) | 有机电致发光显示装置 | |
US10444880B2 (en) | Touch or proximity sensor and display device | |
JP7145992B2 (ja) | 表示装置 | |
JP6758884B2 (ja) | 表示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |