CN101221130A - 基于硅纳米孔柱阵列的表面增强拉曼散射活性基底的制备方法 - Google Patents
基于硅纳米孔柱阵列的表面增强拉曼散射活性基底的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101221130A CN101221130A CNA2008100491582A CN200810049158A CN101221130A CN 101221130 A CN101221130 A CN 101221130A CN A2008100491582 A CNA2008100491582 A CN A2008100491582A CN 200810049158 A CN200810049158 A CN 200810049158A CN 101221130 A CN101221130 A CN 101221130A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- column array
- hole column
- npa
- nano hole
- raman scattering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
Abstract
本发明公开了一种基于硅纳米孔柱阵列的表面增强拉曼散射活性基底的制备方法，它是以水热方法制备的硅纳米孔柱阵列(Si－NPA)为衬底材料，利用还原法将金属盐溶液中的金属离子还原成单质并以纳米颗粒的形式在Si－NPA表面均匀沉积成各种结构后得到活性基底，通过浸润或滴定的方法将待检测物质引入活性基底，晾干后即可进行拉曼光谱检测；该方法工艺、操作简便，增强效果好，重复率高，其活性基底对待检测物质具有极高的敏感性，获得的光谱有很高的稳定性和重现性；可用于单个分子水平的检测，以典型的生物小分子腺嘌呤为例可检测到的腺嘌呤极限浓度不高于2×10－13m，此类活性基底提供一种快速简便、可靠、高灵敏的分子探测及痕量探测方法。
Description
技术领域
本发明属于分子识别技术领域，涉及一类具有工艺简单、操作简便，增强效果好，重复率高等特点的表面增强拉曼散射活性基底的制备方法。
背景技术：
自从1974年Fleischmann等第一次在吡啶吸附的粗糙银电极上观察到表面增强拉曼散射(SERS)现象以来，SERS研究得到了飞速发展。这主要是由于SERS自身所具有的独特性质，既当待测分子吸附在粗糙金属表面时拉曼散射信号可以得到极大的增强，因此具有很高的灵敏性，能够给出的是分子水平上的信息，而且不需要高真空条件，选择性好，采用非破坏性的光子为探针，可以实时、实地的进行探测分析，这些都是其它分析工具所望尘莫及的。迄今为止，SERS已被大量的应用于痕量分析和定性检测，并且在与其它分析技术的联用上取得了一定的成功。此外，SERS还是目前获得单分子体系光谱的主要手段之一，对生物、医学、化学等科学领域有重大的理论和实践意义。由于SERS效应是建立在探测分子吸附在粗糙金属表面的基础上，因此粗糙金属也就是SERS活性基底的制备是获得SERS信号的前提，活性基底的性能对于SERS的应用和研究领域起着重要的作用。理想的SERS活性基底应具有制备方法简便易行、表面粗糙度均匀、增强效果良好、足够的稳定性、重现性等特点。然而目前如何制备出符合要求的活性基底仍然是一个挑战，普遍使用的金属胶体虽然有巨大的增强效果，但是缺点也同样突出——制备流程繁琐、稳定性和重现性差，而经过表面粗糙化处理的金属电极也有着增强效果不理想的致命弱点。气相、液相沉积技术或者自组装等手段也越来越多的被应用到活性基底的制备方面并获得了一定的进展，但总体来说仍然存在较大的问题。鉴于此，开发出一种同时具备简便易行、表面粗糙度均匀、增强效果良好，并有足够的稳定性、重现性的活性基底势在必行，这在拓宽SERS的应用范围，特别是推动其在痕量分析、定性检测和单分子体系光谱等方面的应用具有重要的意义。
发明内容：
为了解决SERS技术在实际应用中存在的各种问题，进一步的拓宽SERS的应用范围，特别是推动其在痕量分析、定性检测和单分子体系光谱等方面的运用，本发明提供了一种新型的具有制备方法简便易行、表面粗糙度均匀、增强效果良好，并有足够的稳定性、重现性等特点的一种基于硅纳米孔柱阵列的表面增强拉曼散射活性基底的制备方法
本发明的技术方案是以下述方式实现的：
一种基于硅纳米孔柱阵列的表面增强拉曼散射活性基底的制备方法，包括以下技术步聚：将电阻率小于5.0Ω·cm的P型单晶硅片置入高压釜，填充由浓度介于0.50～26.00mol/l的氢氟酸(HF)和0.001～2.50mol/l的硝酸铁(Fe(NO3)3)溶液组成的腐蚀液，高压釜的溶液体积填充度为40～95％，在温度10～200℃下腐蚀1分钟～100小时，经过上述水热方法处理后即可制备出活性基底所需的衬底材料硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)；将放置时间为0～240小时的Si-NPA置入0.0001～5.0mol/l的金属盐溶液中浸渍1秒～36小时，由于Si-NPA具有还原性可将溶液中的金属离子还原成单质并以纳米颗粒的形式在Si-NPA表面均匀沉积成各种图案化结构。浸渍过程可直接实施浸渍或气氛保护下浸渍，浸渍完成后取出在室温下空气或保护气氛下自然晾干或吹干备用，这种表面均匀沉积金属纳米颗粒的Si-NPA即为基于硅纳米孔柱阵列的表面增强拉曼散射活性基底。通过滴定或浸泡方法引入待测物质，即将含有待检测物质的溶液通过取液器滴定在通过上述方法制备的活性基底表面或直接将活性基底浸泡在含有待检测物质的溶液中1分钟～5小时，在室温下空气或保护气氛中晾干或吹干后，即可运用激光拉曼光谱仪对活性基底进行检测并获得待测物质的表面增强拉曼散射光谱。上述制备活性基底的方法不但工艺简单、操作简便，而且该方法制备的活性基底对待检测物质的拉曼信号有极大的增强作用，即对待检测物质具有极高的敏感性，可用于单个分子水平的检测，以典型的生物小分子腺嘌呤为例可检测到的腺嘌呤极限浓度不高于2×10-13M。
所述的一种基于硅纳米孔柱阵列的表面增强拉曼散射活性基底的制备方法，其特征在于：以水热方法制备的硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)为衬底材料。
所述的一种基于硅纳米孔柱阵列的表面增强拉曼散射活性基底的制备方法，其特征在于：浸渍时使用的金属盐溶液为含有Ag+、Au3+、Cu2+、Ni2+、Pt+或Pd2+金属离子的溶液。
所述的一种基于硅纳米孔柱阵列的表面增强拉曼散射活性基底的制备方法，如采用气氛保护下浸渍，其特征在于：浸渍时往浸渍液中通入的保护气体为氧气、氮气、氩气、氢气或其他惰性气体。
所述的一种基于硅纳米孔柱阵列的表面增强拉曼散射活性基底的制备方法，其特征在于：基于硅纳米孔柱阵列的表面增强拉曼散射活性基底对待检测物质的拉曼信号有极大的增强作用，即对待检测物质具有极高的敏感性，可用于单个分子水平的检测，以典型的生物小分子腺嘌呤为例可检测到的腺嘌呤极限浓度不高于2×10-13M。
本发明制备的表面增强拉曼散射(SERS)活性基底与目前的其他的活性基底相比较具有以下优点：
本发明所基于的衬底材料为自主开发硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)，它不同于其它的多孔硅等硅衬底材料。Si-NPA由大量均匀的、彼此很好分离的、微米尺寸的硅柱组成，所有的硅柱垂直于样品表面均匀排列并形成阵列结构；基于Si-NPA阵列化的硅柱可以获得均匀的具有周期性的金属环状结构、幕布结构、颗粒密堆结构等，这对于SERS的实际应用或理论研究均意义重大。同时，由于Si-NPA自身具有还原性，可以将溶液中的金属离子还原成金属纳米颗粒，并使其在Si-NPA表面沉积形成周期性的纳米级粗糙的图案化结构，这种结构即为活性基底，这省去了其他活性基底制备技术所需的冗长程序、多种设备及大量不同的试剂，所以制备工艺简单，操作简便易行，不存在由于较多反应试剂而带来的噪音问题。稳定性方面由于金属能够深入到硅柱上的孔结构内部与Si-NPA形成良好接触，故结构稳定，可长时间放置，不会出现金属胶体作为活性基底时由于检测物的引入或者较长时间的放置而发生的团聚现象，并具有一定的耐酸、耐高温特性。最重要的是本技术制备出的活性基底拥有类似以固体基质为衬底的活性基底所不具有的特性，即对待检测物质具有极高的敏感性，这不仅可以用于痕量分析、定性检测而且可用于单个分子水平的检测。腺嘌呤是一种典型的生物小分子，是构成核糖核酸(RNA)和脱氧核糖核酸(DNA)所必须的基本碱基之一，鉴于SERS在生物、医学及相关领域的巨大应用，以腺嘌呤为探测分子衡量SERS活性基底的增强效果很具代表性。根据目前的报道利用SERS可探测到的腺嘌呤极限浓度为3×10-11M，而使用本方法制备的SERS活性基底对腺嘌呤进行探测发现当腺嘌呤浓度低至2×10-13M时仍能得到信号强烈、信噪比高、光谱内容丰富的SERS光谱。这充分的证明运用本方法制备的活性基底对探测分子进行SERS光谱检测有极高的灵敏性，在痕量分析、定性检测甚至单个分子水平的检测等方面有极大的应用潜力。
基于硅纳米孔柱阵列的表面增强拉曼散射活性基底同时具备简便易行、表面粗糙度均匀、增强效果良好，足够的稳定性、重现性等特点，未来将在生物、医学、化学等科学领域，特别是在痕量分析、定性检测和单分子体系光谱等方面的拥有良好的应用前景。
附图说明：
图1：为通过JEOL公司生产的型号为JSM-6700F型场发射扫描电子显微镜拍摄得到的四种基于硅纳米孔柱阵列的表面增强拉曼散射活性基底的形貌照片。(a)为在Si-NPA表面每一硅柱的底部形成金纳米环的Au/Si-NPA表面增强活性基底的结构形貌图、(b)为在Si-NPA表面均匀堆积形成的银纳米颗粒密堆结构的Ag/Si-NPA表面增强活性基底的结构形貌图、(c)为在Si-NPA表面均匀堆积形成的铜纳米颗粒密堆结构的Cu/Si-NPA表面增强活性基底的结构形貌图、(d)为在Si-NPA表面硅柱上均匀覆盖一层镍纳米晶薄膜后的“幕布”状Ni/Si-NPA表面增强活性基底的结构形貌图。
图2：利用Renishaw公司生产的Renishaw RM2000显微拉曼光谱仪检测到的以Ag/Si-NPA为活性基底的2×10-13M浓度的腺嘌呤的SERS光谱并与已报道的腺嘌呤拉曼光谱进行比对吻合良好。条件为新鲜制备的Si-NPA、氮气气氛中在0.001M的AgNO3溶液中浸渍10分钟晾干放置到测试前，先用浓度为0.1M的KCl浸泡30分钟再放入2×10-13M浓度的腺嘌呤溶液中30分钟后取出晾干进行测试，浸泡KCl可以排除拉曼谱中的杂质峰并增加拉曼峰强度。
具体实施方式：
下面结合实施例和附图对本发明作进一步说明。
实施例一：
1、将电阻率为0.015Ω·cm的P型(111)取向的单晶硅片置入高压釜，填充由浓度为8.00mol/l的氢氟酸和0.04mol/l的硝酸铁水溶液组成的腐蚀液，高压釜的溶液体积填充度为95％，在温度200℃下腐蚀30分钟，制备出衬底材料硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)；
2、将Si-NPA衬底置入1mol/l的AuCl3去离子水溶液中浸渍10秒，取出清洗后室温下空气中自然晾干，浸渍过程中向溶液中通氩气，即得到在Si-NPA表面每一硅柱的底部形成金纳米环的Au/Si-NPA表面增强活性基底的结构形貌。其形貌特征如图1(a)给出的、通过JEOL公司生产的型号为JSM-6700F型扫描电子显微镜拍摄的照片所示。
实施例二：
1、将电阻率为0.10Ω·cm的P型(111)取向的单晶硅片置入高压釜，填充由浓度为17.00mol/l的氢氟酸和0.25mol/l的硝酸铁水溶液组成的腐蚀液，高压釜的溶液体积填充度为60％，在温度100℃下腐蚀16小时，制备出衬底材料硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)；
2、将Si-NPA衬底置入0.001mol/l的AgNO3去离子水溶液中浸渍10分钟，清洗取出后室温下空气中自然晾干，浸渍过程中向溶液中通氮气，即得到在Si-NPA表面均匀堆积形成的银纳米颗粒密堆结构的Ag/Si-NPA表面增强活性基底的结构形貌，在测试前，先用浓度为0.1M的KCl浸泡30分钟再放入2×10-13M浓度的腺嘌呤溶液中30分钟后取出晾干进行测试，浸泡KCl可以排除拉曼谱中的杂质峰并增加拉曼峰强度。其形貌特征如图1(b)给出的、通过JEOL公司生产的型号为JSM-6700F型扫描电子显微镜拍摄的照片所示；2×10-13M浓度的腺嘌呤SERS光谱通过图2给出的、利用Renishaw公司生产的Renishaw RM2000显微拉曼光谱仪检测。
实施例三：
1、将电阻率为1.20Ω·cm的P型(11 1)取向的单晶硅片置入高压釜，填充由浓度为22.00mol/l的氢氟酸和0.5mol/l的硝酸铁水溶液组成的腐蚀液，高压釜的溶液体积填充度为50％，在温度80℃下腐蚀23小时，制备出衬底材料硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)；
2、将Si-NPA衬底置入摩尔浓度为0.1mol/l的CuCl2酒精溶液中浸渍3小时，取出后室温下空气中自然晾干，整浸渍过程中不向溶液中通任何气体，浸渍的同时辅以一功率为20W的柱状低压汞紫外灯进行辐照诱导提高铜的沉积速度；既得到在Si-NPA表面均匀堆积形成的铜纳米颗粒密堆结构的Cu/Si-NPA表面增强活性基底的结构形貌。其形貌特征如图1(c)给出的、通过JEOL公司生产的型号为JSM-6700F型扫描电子显微镜拍摄的照片所示。
实施例四：
1、将电阻率为2.80Ω·cm的P型(111)取向的单晶硅片置入高压釜，填充由浓度为26.00mol/l的氢氟酸和0.65mol/l的硝酸铁水溶液组成的腐蚀液，高压釜的溶液体积填充度为40％，在温度50℃下腐蚀35小时，制备出衬底材料硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)；
2、将Si-NPA衬底置入摩尔浓度为0.0001mol/l的NiSO4酒精、去离子水1∶1配比溶液中浸渍30小时，取出后室温下氮气气氛中晾干，浸渍过程中不向溶液中通任何气体，浸渍时辅以一功率为20W的柱状低压汞紫外灯进行辐照诱导提高镍的沉积速度；既得到在Si-NPA表面硅柱上均匀覆盖一层镍纳米晶薄膜后的“幕布”状Ni/Si-NPA表面增强活性基底的结构形貌。其形貌特征如图1(d)给出的、通过JEOL公司生产的型号为JSM-6700F型扫描电子显微镜拍摄的照片所示。
Claims (4)
1.一种基于硅纳米孔柱阵列的表面增强拉曼散射活性基底的制备方法，包括以下技术步聚：将电阻率小于5.0Ω·cm的P型单晶硅片置入高压釜，填充由浓度介于0.50～26.00mol/l的氢氟酸(HF)和0.001～2.50mol/l的硝酸铁(Fe(NO3)3)溶液组成的腐蚀液，高压釜的溶液体积填充度为40～95％，在温度10～200℃下腐蚀1分钟～100小时，经过上述水热方法处理后即可制备出活性基底所需的衬底材料硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)；其特征在于：将放置时间为0～240小时的Si-NPA置入0.0001～5.0mol/l的金属盐溶液中浸渍1秒～36小时后取出晾干即为基于硅纳米孔柱阵列的表面增强拉曼散射活性基底；通过滴定或浸泡方法引入待测物质即可运用激光拉曼光谱仪对活性基底进行检测并获得待测物质的表面增强拉曼散射光谱。
2.如权利要求1所述的一种基于硅纳米孔柱阵列的表面增强拉曼散射活性基底的制备方法，其特征在于：浸渍过程可直接实施浸渍或气氛保护下浸渍，浸渍完成后取出，在室温下空气或保护气氛下自然晾干或吹干备用。
3.如权利要求1或2所述的一种基于硅纳米孔柱阵列的表面增强拉曼散射活性基底的制备方法，其特征在于：浸渍时使用的金属盐溶液为含有Ag+、Au3+、Cu2+、Ni2+、Pt+、或Pd2+金属离子的金属盐溶液。
4.如权利要求3所述的一种基于硅纳米孔柱阵列的表面增强拉曼散射活性基底的制备方法，其特征在于：当采用气氛保护下浸渍时，往浸渍液中通入的保护气体为氧气、氮气、氩气、氢气或其他惰性气体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNA2008100491582A CN101221130A (zh) | 2008-01-28 | 2008-01-28 | 基于硅纳米孔柱阵列的表面增强拉曼散射活性基底的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNA2008100491582A CN101221130A (zh) | 2008-01-28 | 2008-01-28 | 基于硅纳米孔柱阵列的表面增强拉曼散射活性基底的制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101221130A true CN101221130A (zh) | 2008-07-16 |
Family
ID=39631101
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNA2008100491582A Pending CN101221130A (zh) | 2008-01-28 | 2008-01-28 | 基于硅纳米孔柱阵列的表面增强拉曼散射活性基底的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101221130A (zh) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101672786B (zh) * | 2009-03-12 | 2011-04-06 | 中国科学院理化技术研究所 | 表面具有增强拉曼散射效应的活性基底及其制法和应用 |
| CN102323248A (zh) * | 2011-08-12 | 2012-01-18 | 华北水利水电学院 | 碳纳米管/硅巢状阵列作为具有表面增强拉曼散射效应的活性基底的应用 |
| CN102661944A (zh) * | 2012-05-14 | 2012-09-12 | 北京化工大学 | 一种金属粒子阵列基表面增强拉曼散射基底的制备方法 |
| CN102759520A (zh) * | 2012-05-14 | 2012-10-31 | 北京化工大学 | 一种具有表面增强拉曼散射效应的活性基底的制备方法 |
| CN102841085A (zh) * | 2011-06-24 | 2012-12-26 | 华东理工大学 | 一种在多孔材料表面进行表面增强拉曼光谱检测的方法 |
| CN103257131A (zh) * | 2012-02-17 | 2013-08-21 | 华东理工大学 | 一种在多孔高分子聚合物表面固定纳米金属颗粒制备表面增强拉曼光谱基底的方法 |
| CN103364390A (zh) * | 2012-04-10 | 2013-10-23 | 国家纳米科学中心 | 一种表面增强拉曼基底及其制备方法和应用 |
| CN103776812A (zh) * | 2012-10-17 | 2014-05-07 | 胡建明 | 表面增强拉曼基底的制备方法 |
| CN105424672A (zh) * | 2014-09-04 | 2016-03-23 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 非化学计量氧化物sers衬底及其制备方法 |
| CN106276811A (zh) * | 2008-09-08 | 2017-01-04 | 新加坡南洋理工大学 | 作为电极材料的纳米粒子装饰的纳米结构化材料及其获得方法 |
| CN107576648A (zh) * | 2017-09-14 | 2018-01-12 | 电子科技大学 | 一种拉曼增强基底的制备方法 |
| CN110072437A (zh) * | 2016-12-13 | 2019-07-30 | 阿莫生命科学有限公司 | 贴片型传感器模块 |
| CN112342498A (zh) * | 2020-09-10 | 2021-02-09 | 宁波大学 | 一种具有拉曼内标的硅纳米颗粒-水溶性聚合物薄膜的制备方法及其应用 |
-
2008
- 2008-01-28 CN CNA2008100491582A patent/CN101221130A/zh active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106276811A (zh) * | 2008-09-08 | 2017-01-04 | 新加坡南洋理工大学 | 作为电极材料的纳米粒子装饰的纳米结构化材料及其获得方法 |
| CN101672786B (zh) * | 2009-03-12 | 2011-04-06 | 中国科学院理化技术研究所 | 表面具有增强拉曼散射效应的活性基底及其制法和应用 |
| CN102841085A (zh) * | 2011-06-24 | 2012-12-26 | 华东理工大学 | 一种在多孔材料表面进行表面增强拉曼光谱检测的方法 |
| CN102323248B (zh) * | 2011-08-12 | 2014-04-16 | 华北水利水电学院 | 碳纳米管/硅巢状阵列作为具有表面增强拉曼散射效应的活性基底的应用 |
| CN102323248A (zh) * | 2011-08-12 | 2012-01-18 | 华北水利水电学院 | 碳纳米管/硅巢状阵列作为具有表面增强拉曼散射效应的活性基底的应用 |
| CN103257131A (zh) * | 2012-02-17 | 2013-08-21 | 华东理工大学 | 一种在多孔高分子聚合物表面固定纳米金属颗粒制备表面增强拉曼光谱基底的方法 |
| CN103364390A (zh) * | 2012-04-10 | 2013-10-23 | 国家纳米科学中心 | 一种表面增强拉曼基底及其制备方法和应用 |
| CN102759520A (zh) * | 2012-05-14 | 2012-10-31 | 北京化工大学 | 一种具有表面增强拉曼散射效应的活性基底的制备方法 |
| CN102661944A (zh) * | 2012-05-14 | 2012-09-12 | 北京化工大学 | 一种金属粒子阵列基表面增强拉曼散射基底的制备方法 |
| CN103776812A (zh) * | 2012-10-17 | 2014-05-07 | 胡建明 | 表面增强拉曼基底的制备方法 |
| CN105424672A (zh) * | 2014-09-04 | 2016-03-23 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 非化学计量氧化物sers衬底及其制备方法 |
| CN105424672B (zh) * | 2014-09-04 | 2019-10-18 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 非化学计量氧化物sers衬底及其制备方法 |
| CN110072437A (zh) * | 2016-12-13 | 2019-07-30 | 阿莫生命科学有限公司 | 贴片型传感器模块 |
| CN107576648A (zh) * | 2017-09-14 | 2018-01-12 | 电子科技大学 | 一种拉曼增强基底的制备方法 |
| CN112342498A (zh) * | 2020-09-10 | 2021-02-09 | 宁波大学 | 一种具有拉曼内标的硅纳米颗粒-水溶性聚合物薄膜的制备方法及其应用 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101221130A (zh) | 基于硅纳米孔柱阵列的表面增强拉曼散射活性基底的制备方法 | |
| Yang et al. | Electrochemical detection of trace arsenic (III) by nanocomposite of nanorod-like α-MnO2 decorated with∼ 5 nm Au nanoparticles: considering the change of arsenic speciation | |
| CN101544348B (zh) | 高透光基体上复合微纳结构阵列、方法及其应用 | |
| CN106290506B (zh) | 硼掺杂石墨烯负载金核金铂合金壳纳米复合材料修饰电极测定芦丁方法 | |
| CN102661944A (zh) | 一种金属粒子阵列基表面增强拉曼散射基底的制备方法 | |
| CN102976266A (zh) | 基于金银纳米线阵列的表面增强拉曼散射标记及其制备方法 | |
| Urbanová et al. | Porous bismuth film electrodes for signal increase in anodic stripping voltammetry | |
| CN108982599A (zh) | 多孔硅基氧化钨薄膜复合材料气敏传感器及其制备方法和应用 | |
| CN108007998A (zh) | 氧化镍非酶葡萄糖电化学传感器 | |
| CN102590179A (zh) | 银纳米点阵表面增强拉曼活性基底及其制备方法 | |
| CN107478638A (zh) | 银纳米颗粒组装的单层反蛋白石结构及其制备方法和用途 | |
| CN104911667A (zh) | 一种新型的具有蜂巢状阵列构造的多层复合贵金属纳米孔阵列sers基底的制备方法 | |
| CN103789807A (zh) | 贵金属纳米结构单元构筑的纳米管阵列及制备方法及其在有机分子检测中的应用 | |
| CN103668140B (zh) | 一种微纳米枝状银超亲水薄膜的制备方法及表面增强拉曼衬底应用 | |
| CN110863226A (zh) | 一种复合金银纳米阵列结构的sers基底及其制备方法 | |
| CN109115746B (zh) | 一种表面增强拉曼活性基底及其制备方法 | |
| CN110054791A (zh) | MOFs-贵金属有序复合材料及其制备方法和应用 | |
| CN110331427A (zh) | 一种多孔硅-银纳米枝晶结构及其制备方法 | |
| CN108519365B (zh) | 基于电化学沉积与分子印迹的表面增强拉曼光谱传感器及其制备方法 | |
| Li et al. | Electrochemiluminescence of metal-organic complex nanowires based on graphene-Nafion modified electrode for biosensing application | |
| CN103409734A (zh) | 一种用作sers基底的贵金属纳米粒子组装体的制备方法及所制得产品在检测中的应用 | |
| CN107727639B (zh) | 表面负载贵金属纳米粒子的柔性传感膜的制备方法及应用 | |
| CN102636534B (zh) | 多孔氧化铈纳米管阵列电极的制备方法及其对过氧化氢的检测 | |
| CN102398041A (zh) | 气-液界面组装银纳米粒子膜的方法 | |
| CN108072641B (zh) | 表面增强拉曼散射基底材料的制备方法及气体检测的方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C12 | Rejection of a patent application after its publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Open date: 20080716 |