CN101148247A - 碳纳米管/硅巢状阵列的制备方法 - Google Patents
碳纳米管/硅巢状阵列的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101148247A CN101148247A CNA2007100549818A CN200710054981A CN101148247A CN 101148247 A CN101148247 A CN 101148247A CN A2007100549818 A CNA2007100549818 A CN A2007100549818A CN 200710054981 A CN200710054981 A CN 200710054981A CN 101148247 A CN101148247 A CN 101148247A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- silicon
- carbon nanometer
- nanometer tube
- array
- honeycomb array
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 48
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 47
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 47
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 46
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims abstract description 17
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 12
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 9
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 7
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- VCJMYUPGQJHHFU-UHFFFAOYSA-N iron(3+);trinitrate Chemical compound [Fe+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O VCJMYUPGQJHHFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 14
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical group CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 5
- KTWOOEGAPBSYNW-UHFFFAOYSA-N ferrocene Chemical compound [Fe+2].C=1C=C[CH-]C=1.C=1C=C[CH-]C=1 KTWOOEGAPBSYNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- ILZSSCVGGYJLOG-UHFFFAOYSA-N cobaltocene Chemical compound [Co+2].C=1C=C[CH-]C=1.C=1C=C[CH-]C=1 ILZSSCVGGYJLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- NQLVCAVEDIGMMW-UHFFFAOYSA-N cyclopenta-1,3-diene;cyclopentane;nickel Chemical compound [Ni].C=1C=C[CH-]C=1.[CH-]1[CH-][CH-][CH-][CH-]1 NQLVCAVEDIGMMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 2
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000010792 warming Methods 0.000 claims description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 13
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 abstract description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 abstract 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 7
- 239000002238 carbon nanotube film Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 3
- MVFCKEFYUDZOCX-UHFFFAOYSA-N iron(2+);dinitrate Chemical compound [Fe+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O MVFCKEFYUDZOCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 150000001721 carbon Chemical class 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000003623 enhancer Substances 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003863 metallic catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000002114 nanocomposite Substances 0.000 description 1
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 1
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000011540 sensing material Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000007306 turnover Effects 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
本发明公开了一种碳纳米管/硅巢状阵列的制备方法，包括以下步骤：将电阻率小于3.0Ω·cm的P型单晶硅片置入高压釜，填充由浓度介于8.00～22.00mol/l的氢氟酸和0.01～0.50mol/l的硝酸铁溶液，在温度50～200℃下腐蚀10分钟～36小时，制备出衬底材料硅纳米孔柱阵列(Si－NPA)；将衬底材料硅纳米孔柱阵列置入管式炉内，在保护气体气氛下升温至500～1200℃，随载气送入溶有金属有机盐的碳源溶液，原位1～60分钟生长碳纳米管，气体保护下将炉子降至室温即得到具有场发射和湿度敏感性能的碳纳米管/硅巢状阵列。开启场强为0.56V/μm，增强因子达25000，外加场强为3.1V/μm时电流密度可达6.8mA/cm2；测试频率为100Hz时，器件响应达2600％，响应时间为20s，恢复时间为10s，本发明工艺简单，重复率高。
Description
技术领域：
本发明属于纳米功能材料制备的技术领域，涉及一种具有规则的阵列结构、好的场发射性能和湿敏性能的纳米复合结构的原位化学气相沉积技术的碳纳米管/硅巢状阵列的制备方法。
背景技术：
碳纳米管因具有小的顶端曲率半径、低的逸出功、高的长径比及好的导电、导热性能等适用于制备场发射冷阴极的优点而被认为最有希望成为下一代大面积平板显示的理想材料。一般而言，由于电场屏蔽效应的存在，平面型碳纳米管膜用于场发射平板显示并非最佳的选择，而改善上述问题的一种可能的选择是制备具有图案化结构的碳纳米管薄膜。目前较为普遍的制膜方法有两种：一是首先制备碳纳米管粉末，然后采用丝网印刷技术制成碳纳米管薄膜；二是先将金属催化剂在衬底上制成图案化结构，然后采用化学气相沉积等技术在衬底上原位生长碳纳米管。前者有利于制作大面积器件，但存在发射电流密度低、发射点不均匀、发射不稳定等缺点；后者在制备小面积器件方面具有场发射特性好、重复率高等优点，但存在微加工工艺复杂、大面积制作困难等缺点。因此，如果采用一种兼具功能和模板作用的衬底，通过碳纳米管的原位生长实现纳米复合进而获得好的场发射性能，这将对开发具有实际应用价值的碳纳米管基场发射冷阴极具有重要的意义。
与此同时，碳纳米管具有大的比表面积和良好的化学稳定性，显现出一定的湿度和气体敏感性能，近年来作为传感材料也得到了广泛的重视和研究。但碳纳米管基的湿敏元件往往表现出器件响应(灵敏度)较低、响应时间较长、响应信号随湿度呈现非线性变化等缺点。若能通过选择合适的、具有图案化结构并具有特定功能的材料作衬底，有可能在通过进一步增大感应面积提高器件响应的同时，利用图案化结构产生的有效气体传输通道缩短响应时间，从而为开发可实用化的碳纳米管基湿度传感器提供一种新的途径。
发明内容：
为了解决碳纳米管薄膜场发射冷阴极因电场屏蔽效应带来的开启场强相对较大、发射电流密度相对较小；碳纳米管基湿敏传感器灵敏度较低、响应时间较长和响应非线性等不足，本发明提供了一种结构形貌独特、微结构适度可调，同时具有好的场发射及湿敏性能的碳纳米管/硅巢状阵列的制备方法。
本发明的技术方案是以下述方式实现的：
一种碳纳米管/硅巢状阵列的制备方法，包括以下步骤：将电阻率小于3.0Ω·cm的P型单晶硅片置入高压釜，填充由浓度介于8.00～22.00mol/l的氢氟酸(HF)和0.01～0.50mol/l的硝酸铁(Fe(NO3)3)溶液组成的腐蚀液，高压釜的溶液体积填充度为40～95％，在温度50～200℃下腐蚀10分钟～36小时，制备出衬底材料硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)；其特征在于：将衬底材料硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)置入管式炉内，在保护气体气氛下升温至500～1200℃，随载气送入溶有金属有机盐的碳源溶液，原位1～60分钟生长碳纳米管，反应结束后气体保护下将炉子降至室温即得到具有场发射和湿度敏感性能的碳纳米管/硅巢状阵列。
所述的保护气体为氮气、氩气或其他惰性气体。
所述的载气为比例可调的保护气体和氢气的混和物，其体积比为：
保护气体∶氢气＝7∶3——3∶7。
所述的碳源为乙醇、苯、二甲苯或乙二胺。
所述的金属有机盐浓度为0.03～0.5mol/L，金属有机盐为二茂铁、二茂钴或/和二茂镍。
由于碳纳米管巢状阵列结构在一定程度上削弱了由电场屏蔽效应带来的负面影响，同时，微米尺寸的硅柱和纳米尺寸的碳管形成了多级发射结构，因此碳纳米管/硅巢状阵列的场发射性能：开启场强0.56V/μm，外加场强为3.1V/μm时电流密度可达6.8mA/cm2。
由于具有准周期性巢阵列结构，能够有效增大感应面积，同时巢间成为有效的气体进出通道，因此，碳纳米管/硅巢状阵列具有好的湿敏性能：测试频率为100Hz时，器件响应达2600％，响应时间为20s，恢复时间为10s。
本发明制备的碳纳米管/硅巢状阵列与现有的生长在平面或多孔，如多孔硅，阳极氧化铝衬底上的碳纳米管薄膜相比具有以下优点：
本发明选用的Si-NPA衬底具有相比其它硅衬底所不能比拟的结构优点：Si-NPA属于典型的微米/纳米结构复合体系，其结构复合性体现在它在微米和纳米两个尺度上形成了三个分明的结构层次。在微米尺度上，Si-NPA由大量近似等同的、彼此很好分离的、微米尺寸的硅柱组成，所有的硅柱垂直于样品表面均匀排列并形成规则阵列结构。在纳米尺度上，阵列中的每个硅柱均呈多孔状，形成孔径适度可调的纳米多孔结构；孔壁由平均粒径为约4nm的硅纳米晶粒组成。研究结果显示：Si-NPA具有较好的场发射性能和湿敏性能。本发明利用衬底不同表面区域化学活性的差异而实现碳纳米管在Si-NPA表面的选择性上生长，并最终形成一种巢状结构。由于碳纳米管本身在场发射和湿敏方面具有一定的结构和性能优势，结合Si-NPA的结构优势，二者的复合呈现出好的场发射性能和湿敏性能。场发射性能方面：开启场强为～0.56V/μm，增强因子达～25000，外加场强为3.1V/μm时电流密度可达～6.8mA/cm2。由于准周期性巢阵列结构有效地增大了感应面积，同时其巢间低谷区域为气体的进出提供了一个有效通道，因此碳纳米管/硅巢状阵列具有好的湿敏性能：测试频率为100Hz时，器件响应达～2600％，响应时间为20s，恢复时间为10s，电容取对数后响应曲线呈现好的线性关系。本发明采用原位化学气相沉积技术，工艺简单，重复率高。
基于碳纳米管/硅巢状阵列所具有的场发射和湿敏性能，它在未来开发场发射冷阴极及湿度传感器等技术领域具有潜在的应用前景。
附图说明：
图1为不同放大倍数的碳纳米管/硅巢状阵列的扫描电镜照片。
图2为碳纳米管/硅巢状阵列上的单根碳纳米管透射电镜照片。
图3为碳纳米管/硅巢状阵列的场发射性能测试：发射电流密度与电场关系。
图4为碳纳米管/硅巢状阵列湿敏性能的器件响应曲线。
具体实施方式：
下面结合附图和实施例对本发明作进一步说明。
实施例一：
1、将电阻率为0.015Ω·cm的P性(111)单晶硅片置入高压釜，填充由浓度为13.00mol/l的氢氟酸和0.04mol/l的硝酸铁溶液组成的腐蚀液，高压釜的溶液体积填充度为80％，在温度140℃下腐蚀60分钟，制备出衬底材料硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)；
2、将Si-NPA衬底置入卧式管式炉内，60sccm氮气保护下升至700℃，保持温度不变，气体换为N2∶H2＝60sccm∶30sccm的载气，同时将溶有0.015mol/l二茂铁的二甲苯溶液以0.2mol/l的速度送至炉内，反应15min后溶液停止输送，氮气保护下将炉内温度降至室温。即得如图一的碳纳米管/硅巢状阵列。
实施例二：
1、将电阻率为0.2Ω·cm的P性(111)单晶硅片置入高压釜，填充由浓度为10.00mol/l的氢氟酸和0.06mol/l的硝酸铁溶液组成的腐蚀液，高压釜的溶液体积填充度为85％，在温度180℃下腐蚀55分钟，制备出衬底材料硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)；
2、将Si-NPA衬底置入卧式管式炉内，60sccm(标准立方厘米每分钟)氩气保护下升至800℃，保持温度不变，气体换为Ar∶H2＝50sccm∶40sccm的载气，同时将溶有0.03mol/l二茂镍的乙二胺溶液以0.3mol/l的速度送至炉内，反应10min后溶液停止输送，氮气保护下将炉内温度降至室温。即得到碳纳米管/硅巢状阵列。
实施例三：
1、将电阻率为0.05Ω·cm的P性(111)单晶硅片置入高压釜，填充由浓度为8.00mol/l的氢氟酸和0.08mol/l的硝酸铁溶液组成的腐蚀液，高压釜的溶液体积填充度为88％，在温度100℃下腐蚀80分钟，制备出衬底材料硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)；
2、将Si-NPA衬底置入卧式管式炉内，60sccm(标准立方厘米每分钟)氮气保护下升至900℃，保持温度不变，气体换为N2∶H2＝40sccm∶50sccm的载气，同时将溶有0.02mol/l二茂铁和0.02mol/l二茂钴的甲苯溶液以0.4mol/l的速度送至炉内，反应8min后溶液停止输送，氮气保护下将炉内温度降至室温。即得到碳纳米管/硅巢状阵列。
由图1a可以看出：本发明具有大面积均匀的准周期性的巢状阵列结构；由图1b可以看出：本发明的碳纳米管管径分布范围窄，管壁光滑，无颗粒碳存在，形成完好的巢状结构。由图2可以看出：碳纳米管管径约25nm，管壁结晶好。由图3还可以看出：此碳纳米管/硅巢状阵列具有增强的场发射性能，低的开启电场，低的场强下具有大的发射电流密度。由图4还可以看出：此碳纳米管/硅巢状阵列具有好的湿度敏感性，其灵敏度高达2600％。
Claims (7)
1.一种碳纳米管/硅巢状阵列的制备方法，包括以下步骤：将电阻率小于3.0Ω·cm的P型单晶硅片置入高压釜，填充由浓度介于8.00～22.00mol/l的氢氟酸(HF)和0.01～0.50mol/l的硝酸铁(Fe(NO3)3)溶液组成的腐蚀液，高压釜的溶液体积填充度为40～95％，在温度50～200℃下腐蚀10分钟～36小时，制备出衬底材料硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)；其特征在于：将衬底材料硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)置入管式炉内，在保护气体气氛下升温至500～1200℃，随载气送入溶有金属有机盐的碳源溶液，原位1～60分钟生长碳纳米管，反应结束后气体保护下将炉子降至室温即得到具有场发射和湿度敏感性能的碳纳米管/硅巢状阵列。
2.如权利要求1所述的碳纳米管/硅巢状阵列的制备方法，其特征在于：保护气体为氮气、氩气或其他惰性气体。
3.如权利要求1或2所述的碳纳米管/硅巢状阵列的制备方法，其特征在于：载气为比例可调的保护气体和氢气的混和物，其体积比为：
保护气体∶氢气＝7∶3——3∶7。
4.如权利要求3所述的碳纳米管/硅巢状阵列的制备方法，其特征在于：碳源为乙醇、苯、二甲苯或乙二胺。
5.如权利要求1、2或4所述的碳纳米管/硅巢状阵列的制备方法，其特征在于：金属有机盐浓度为0.03～0.5mol/L，金属有机盐为二茂铁、二茂钴或/和二茂镍。
6.如权利要求5所述的碳纳米管/硅巢状阵列的制备方法，其特征在于：碳纳米管/硅巢状阵列的场发射性能：开启场强0.56 V/μm，外加场强为3.1V/μm时电流密度可达6.8mA/cm2。
7.如权利要求6所述的碳纳米管/硅巢状阵列的制备方法，其特征在于：碳纳米管/硅巢状阵列具有好的湿敏性能：测试频率为100Hz时，器件响应达2600％，响应时间为20s，恢复时间为10s。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNA2007100549818A CN101148247A (zh) | 2007-08-16 | 2007-08-16 | 碳纳米管/硅巢状阵列的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNA2007100549818A CN101148247A (zh) | 2007-08-16 | 2007-08-16 | 碳纳米管/硅巢状阵列的制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101148247A true CN101148247A (zh) | 2008-03-26 |
Family
ID=39248961
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNA2007100549818A Pending CN101148247A (zh) | 2007-08-16 | 2007-08-16 | 碳纳米管/硅巢状阵列的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101148247A (zh) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101973517A (zh) * | 2010-10-21 | 2011-02-16 | 东华大学 | 一种低掺杂多孔硅纳米线阵列的制备方法 |
| CN102391014A (zh) * | 2011-08-12 | 2012-03-28 | 华北水利水电学院 | 具有表面增强拉曼散射效应的活性基底及其制备方法和应用 |
| CN104576261A (zh) * | 2014-12-31 | 2015-04-29 | 中国科学院深圳先进技术研究院 | 一种基于碳纳米管的冷阴极x射线管的制作工艺 |
| CN106378123A (zh) * | 2016-08-17 | 2017-02-08 | 袁沛文 | 一种增强光催化效应的阵列化活性薄膜的制备方法 |
| CN109406705A (zh) * | 2018-11-29 | 2019-03-01 | 南京大学 | 一种液相色谱联用型有机碳检测器及其使用方法 |
| CN115707527A (zh) * | 2022-10-08 | 2023-02-21 | 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 | Dk炉管清洗方法 |
-
2007
- 2007-08-16 CN CNA2007100549818A patent/CN101148247A/zh active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101973517A (zh) * | 2010-10-21 | 2011-02-16 | 东华大学 | 一种低掺杂多孔硅纳米线阵列的制备方法 |
| CN102391014A (zh) * | 2011-08-12 | 2012-03-28 | 华北水利水电学院 | 具有表面增强拉曼散射效应的活性基底及其制备方法和应用 |
| CN104576261A (zh) * | 2014-12-31 | 2015-04-29 | 中国科学院深圳先进技术研究院 | 一种基于碳纳米管的冷阴极x射线管的制作工艺 |
| CN104576261B (zh) * | 2014-12-31 | 2017-03-15 | 中国科学院深圳先进技术研究院 | 一种基于碳纳米管的冷阴极x射线管的制作工艺 |
| CN106378123A (zh) * | 2016-08-17 | 2017-02-08 | 袁沛文 | 一种增强光催化效应的阵列化活性薄膜的制备方法 |
| CN106378123B (zh) * | 2016-08-17 | 2018-02-27 | 袁沛文 | 一种增强光催化效应的阵列化活性薄膜的制备方法 |
| CN109406705A (zh) * | 2018-11-29 | 2019-03-01 | 南京大学 | 一种液相色谱联用型有机碳检测器及其使用方法 |
| CN109406705B (zh) * | 2018-11-29 | 2024-04-09 | 南京大学 | 一种液相色谱联用型有机碳检测器及其使用方法 |
| CN115707527A (zh) * | 2022-10-08 | 2023-02-21 | 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 | Dk炉管清洗方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| She et al. | Controlled synthesis of oriented single-crystal ZnO nanotube arrays on transparent conductive substrates | |
| Wang et al. | Facile growth of vertically-aligned graphene nanosheets via thermal CVD: The experimental and theoretical investigations | |
| CN101148247A (zh) | 碳纳米管/硅巢状阵列的制备方法 | |
| Yu et al. | Growth mechanism of metal-oxide nanowires synthesized by electron beam evaporation: A self-catalytic vapor-liquid-solid process | |
| Chae et al. | Low-temperature solution growth of ZnO nanotube arrays | |
| Chattopadhyay et al. | Nanotips: growth, model, and applications | |
| WO2017219853A1 (zh) | 一种碳焊结构单壁碳纳米管柔性透明导电薄膜及制备方法 | |
| Wang et al. | Chirality-controlled synthesis of single-walled carbon nanotubes—From mechanistic studies toward experimental realization | |
| CN104005004B (zh) | 一种小直径、金属性单壁碳纳米管的生长方法和应用 | |
| CN103241728B (zh) | 利用多孔阳极氧化铝为模板化学气相沉积制备石墨烯纳米孔阵列的方法 | |
| CN107964680B (zh) | 一种制备单层六方氮化硼大单晶的方法 | |
| Fang et al. | Plasma-enabled growth of single-crystalline SiC/AlSiC core–shell nanowires on porous alumina templates | |
| KR20100054555A (ko) | 단결정 게르마늄코발트 나노와이어, 게르마늄코발트 나노와이어 구조체, 및 이들의 제조방법 | |
| CN104746144A (zh) | 一种二硫化锡单晶纳米片的制备方法 | |
| Li et al. | Synthesis and field emission properties of GaN nanowires | |
| Su et al. | The fabrication of large-scale sub-10-nm core-shell silicon nanowire arrays | |
| Chi et al. | The synthesis of PrB6 nanowires and nanotubes by the self-catalyzed method | |
| Wang et al. | Structure and photoluminescence properties of carbon nanotip-vertical graphene nanohybrids | |
| Li et al. | High-performance field emitters based on SiC nanowires with designed electron emission sites | |
| CN103738939B (zh) | 一种石墨烯快速剥离的方法 | |
| Li et al. | Kinetics-controlled growth of metallic single-wall carbon nanotubes from CoRe x nanoparticles | |
| CN102534800A (zh) | 一种In2Se3纳米材料的制备方法 | |
| Lu et al. | Silicon quantum-wires arrays synthesized by chemical vapor deposition and its micro-structural properties | |
| Liang et al. | Ga-assisted synthesis and optical properties of ZnO submicron-and nanotowers | |
| CN105129786A (zh) | 一种大规模单层石墨烯的制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Open date: 20080326 |