CN101114094B - 液晶显示器 - Google Patents

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Abstract

一种具有增强的透光率和改进的侧向可见度的LCD包括：形成在第一绝缘基板上的栅极线和存储电极线；与所述栅极线绝缘并与其交叉的数据线；第一源电极，部分地与第n栅极线交迭并且连接到所述数据线；第一漏电极和第二漏电极，部分地与第n栅极线交迭并与第一源电极相分离；第一子像素电极，电连接到第一漏电极；第二子像素电极，电连接到第二漏电极；第二源电极，部分地与第(n+1)栅极线交迭并且电连接到所述第二子像素电极；和第三漏电极，部分地与第(n+1)栅极线交迭并且与第二源电极相分离，并可操作以升高第一子像素电极的充电电压和降低第二子像素电极的充电电压。

Description

液晶显示器
技术领域
本公开涉及一种液晶显示器(LCD)，更具体地说，涉及一种具有增强的透光率和改进的侧向可见度的LCD。
背景技术
LCD是较为广泛使用类型的平板显示器之一，并且典型地包括具有布置在其上的多个场生成(field-generating)电极(包括像素电极和公共电极)的两个基板或面板，并具有***于两个面板之间的液晶材料层。LCD通过将选择的电压施加到场生成电极以便产生电场来控制入射到所述面板上的透光率，该电场确定液晶层中液晶分子的取向，并由此调节入射到面板的光的偏振。
近来由于其高对比率和宽参考视角而受到日渐关注的一种类型的LCD被称作“竖向定线(vertical alignment)”(VA)模式LCD，其中，在缺乏电场时，液晶层的分子被定线以便分子的长轴被定位成与面板垂直。VA模式LCD的宽视角是通过在场生成电极上形成的剪切块或凸起而实现的。
除了上述的VA模式LCD，以另一种努力来改进侧向可见度，已经开发了一种“域划分(domain-division)”型LCD，其中其像素区域被划分成多个域，以便液晶分子的定向可以通过剪切块或凸起来确定，该剪切块或凸起能够使得分子的倾斜分布于像素内的各个方向，由此加宽参考视角。由于液晶分子倾斜的方向可以通过使用剪切块部分和凸起来确定，因此可以通过以将液晶分子的倾斜方向以最佳方式分布的方式布置剪切块部分和凸起来加宽参考视角。
然而，与VA模式LCD的前向可见度相比，VA模式LCD具有相对差的侧向可见度。例如，具有剪切块的图形的VA(PVA)模式LCD显示在其两边变亮的图像，由此导致不良的侧向可见度。为了改进侧向可见度，已经提出了一种方法，其中显示器的每个像素被分成两个子像素，并且两个子像素之一被直接提供一电压，而另一个通过电容耦合受到压降，以便两个子像素具有施加到它们的不同的电压。然而，这个方法可能由于子像素的电容耦合而导致LCD的孔径比的降低，并且可能由于每个各自子像素的平均电压的减少而降低显示器的透光率。
发明内容
根据这里描述的本发明的示例性实施例，本发明提供一种具有较高透光率和增强的侧向可见度的LCD。
在一个示例性实施例中，一种LCD包括：形成在第一绝缘基板上的栅极线和存储电极线；与所述栅极线绝缘并交叉的数据线；第一源电极，至少一部分第一源电极部分地与第n栅极线交迭并连接到所述数据线；第一和第二漏电极，至少一部分漏电极部分地与第n栅极线交迭并与第一源电极分离；第一子像素电极，电连接到第一漏电极；第二子像素电极，电连接到第二漏电极；第二源电极，至少一部分第二源极端部分地与第n+1栅极线交迭并电连接到第二子像素电极；和第三漏电极，至少一部分第三漏电极部分地与第n+1栅极线交迭并与第二源电极分离，并且可操作以升高第一子像素电极的充电电压和降低第二子像素电极的充电电压。
在另一个示例性实施例中，一种LCD包括：由第n栅极线控制的第一和第二薄膜晶体管；由第n+1栅极线控制的第三薄膜晶体管；第一子像素电极，连接到第一薄膜晶体管的输出端；和第二子像素电极，连接到第二薄膜晶体管的输出端和第三薄膜晶体管的输入端，并且其中第三薄膜晶体管的输出端可操作以升高第一子像素电极的充电电压并降低第二子像素电极的充电电压。
通过考虑下面的一些示例性实施例的详细描述，并且尤其结合附图来进行这种考虑，可以获得本发明的新的LCD的上述和许多其他特征和优点的更好的理解，其中相同的参考标号在一个或多个附图中指定相同的元件。
附图说明
图1是根据本发明的LCD的示例性实施例的第一面板的部分顶部俯视图，显示了其示例性的单个像素区域；
图2是图1的示例性LCD的第二面板的部分顶部俯视图，显示了其示例性单个像素区域；
图3是其中图1和图2的各第一和第二面板被结合的示例性LCD的部分顶部俯视图；
图4是沿着这里取的截面IV-IV’的线看的图3的示例性LCD的横断面视图；
图5是沿着这里取的截面V-V’的线看的图3的示例性LCD的横断面视图；
图6是示例性LCD的示意性电路图；和
图7是说明施加到图6的示例性LCD的电压的波形的图。
具体实施方式
通过参考优选实施例和附图的下面详细描述，可以更容易地理解实现其的方法和本发明的优点和特征。然而，本发明可以以许多不同的方式实现，并不应被解释成限于这里阐述的实施例。相反，提供这些实施例以便本公开将彻底和完整，并将完全将本发明的概念传达给本领域技术人员，并且本发明将仅由所附权利要求来限定。
在下面的描述中，将理解当一元件或层被称为在另一元件或层“上”，它可以直接在其他元件或层上，或者也可以存在***层或元件。相反，当元件被称为“直接在”另一元件“上”，则不存在***元件。相同的参考标记在整个说明书中指代相同的元件。术语“和/或”包括参考项的每个和至少一个实施例。
为了易于描述这里使用空间相对术语，诸如“在...下面”、“在下面”、“下面”、“在...之上”、“上面”等，以描述图中所示的一个元件或特征与另一个元件或特征的关系。除了图中描述的定向，将理解空间相对术语被确定包含使用中的装置的不同定向或操作。
参考透视图、横断面视图、和/或俯视图将描述本发明，其中示出了本发明的优选实施例。因此，根据制造技术和/或容限，示例性视图的剖面图可以被修改。即，本发明的实施例不意欲限制本发明的范围，但覆盖由于制造工艺中的变化导致的所有变化和修改。例如，虽然蚀刻区域被说明为矩形的，但它可以是圆的或具有预定曲率。因此，以示意性的形式说明图中所示的区域，并且仅仅通过说明呈现区域的形状，而不是限制性的。
根据本发明的LCD的示例性实施例包括第一面板、被排列以面对第一面板的第二面板、和***于两个面板之间的液晶层。在每个面板上定义多个像素。第一面板的每个像素具有与其相关的像素电极，并且与所有像素公共相关的公共电极被提供在第二面板上。通过改变在像素电极和公共电极之间生成的电场的强度，来控制与每个像素相关的液晶层的透光率。下面参考附图详细描述在示例性LCD中的像素的结构。
图1是显示其示例性单个像素区域的、示例性LCD的第一面板100的部分顶部俯视图。图2是显示其示例性单个像素区域的、示例性LCD的第二面板200的部分顶部俯视图。图3是示例性LCD的部分顶部俯视图，其中图1和图2的各第一面板和第二面板被示出在顶部彼此结合，并且图4和图5是分别从截面IV-IV’和截面V-V’的线看的图3的示例性LCD的横断面视图。
参考图1和图3，第一面板100的每个像素由在第一绝缘基板110上形成的两条相邻栅极线122和两条相邻数据线162定义。第一绝缘基板110可包括，例如，透明玻璃或塑料。多条栅极线122形成在第一绝缘基板110上并且在其上在第一方向延伸。栅极线122包括具有形成第一栅电极124的延伸宽度的第一部分、和形成第二栅电极125的第二部分。第一栅电极和第二栅电极124和125的形状可以根据所示出的特定示例性实施例而不同。例如，第一栅电极124可能不包括延伸部分，然而，第二栅电极125可能包括延伸部分。
在所示的特定实施例中，对于任何给定的面板100的像素，连接到相同栅极线122的第一栅电极124和第二栅电极125分别控制不同的像素行。即，尽管，第一栅电极124连接到第n栅极线122并控制第n像素行，但控制第n像素行的第二栅电极125连接到第(n+1)栅极线122。
存储电极线128形成在与栅极线122相同层的第一绝缘基板110上，并且第一子像素电极181和第二子像素电极182的交迭由此形成存储电容器。存储电极线128的形状和排列可以根据说明的特定示例性实施例中所示出的而改变。例如，如图1所示，存储电极线128可包括：两个纵向部分，它们在数据线162的附近彼此平行延伸；在两个纵向部分之一之下延伸的延长部分；和倾斜部分，在两个纵向部分的相对端连接两个纵向部分。
由氮化硅或二氧化硅制成的栅极绝缘层130被堆叠在栅极线122和存储电极线128上。包括非晶形氢化硅的第一半导体层141和第二半导体层142形成在栅极绝缘层130上。第一半导体层141与第一栅电极124交迭，并且第二半导体层142与第二栅电极125交迭。
数据线(162、165、166、167、168和169)形成在第一半导体层141和第二半导体层142上。数据线(162、165、166、167、168和169)包括：数据线162，在与第一方向垂直的第二方向延伸；第一源电极165，从第一数据线162分支；第一漏电极166和第二漏电极167，与第一源电极165分离，并彼此相对放置；第二源电极168，从第一源电极165的上部延伸到像素区域；和第三漏电极169，与第二源电极168分离，并与第二源电极168相对放置。第一源电极165以及第一漏电极166和第二漏电极167具有至少某些部分与第一栅电极124部分地交迭，而第二源电极168以及第三漏电极169具有至少某些部分与第二栅电极125部分地交迭。电阻接触层152、155、156、157、158和159，例如由硅化物或n+非晶形氢化硅制成(其中n型杂质被高度掺杂)，形成在第一半导体层141和第二半导体层142的每个以及数据线(162、165、166、167、168和169)的每条之间。
在说明的特定实施例中，第三漏电极169与存储电极线128交迭，并且可进一步包括具有延伸宽度的部分169a。第三电极169的延伸部分169a不仅与存储电极线128部分地交迭，而且与如下描述的第一子像素电极181部分地交迭。延伸部分169a和与第三漏电极169交迭的存储电极线128构成压降电容器，起到以如下将详细描述的方式来降低第二子像素电极181中所充像素电压的绝对值的作用。延伸部分169a和与其交迭的第一子像素电极181构成升压电容器，起到以如下将详细描述的方式来升高第一子像素电极181的像素电压的绝对值的作用。因此，尽管相同电平的数据电压被施加到第一子像素电极181和第二子像素电极182，但如以下将更为详细描述的，第一子像素电极181和第二子像素电极182的充电电压可以被调节以具有不同值。
第一栅电极124、第一源电极165、和第一漏电极166形成具有第一半导体层141作为其沟道的第一薄膜晶体管(TFT)。第一栅电极124、第一源电极165和第二漏电极167形成具有第一半导体层作为其沟道的第二TFT。第二栅电极125、第二源电极168、和第三漏电极169形成具有第二半导体层142作为其沟道的第三TFT。如上所述，连接到第三TFT以驱动相同像素区域的第二栅电极125被连接到下一条相邻栅极线122，第一栅电极124连接到该栅极线122。
钝化层170形成在数据线(162、165、166、167、168和169)上。钝化层170可包括无机绝缘体材料，例如氮化硅(SiNx)，或可替换地，包括有机绝缘体材料。在另一个可选情况中，钝化层170可包括具有两个或多个层的堆叠结构，包括有机绝缘材料和无机绝缘材料。钝化层170包括接触孔176、177和178，它们使第一漏电极166和第二漏电极167以及第二源电极168的至少某些部分暴露。
由透明导电材料构成的像素电极形成在数据线(162、165、166、167、168和169)上。像素电极包括由分割部件186而将其彼此分离的第一子像素电极181和第二子像素电极182。第一子像素电极181通过接触孔176连接到第一漏电极167，并且与在其一侧的存储电极线128的纵向部分和其延伸部分交迭。
第二子像素电极182通过接触孔177和接触孔178与第二漏电极167和第二源电极168相连，并且与在存储电极线128的另一侧的纵向部分交迭。剪切块部分185在第二子像素电极182的中心凹进去。此外，第一子像素电极181和第二子像素电极182相对于存储电极线128的倾斜部分而彼此分离。换言之，存储电极线128的倾斜部分与将第一子像素电极181和第二子像素电极182彼此分离的分割部件186交迭。剪切块部分185和分割部件186产生定义域的边缘场，在每个域中，液晶材料呈现一致的性能。
尽管未在附图中说明，对准膜(alignment film)也可提供在像素电极上。对准膜可包括，例如，垂直对准膜。
如本领域技术人员将理解的，尽管相同的数据电压被施加到第一子像素电极181和第二子像素电极182，然而，由于向第一子像素电极181耦合了升压电容器，第一子像素电极181将用具有比施加的数据电压高的绝对值的像素电压进行充电，然而，由于向第二子像素电极182耦合了降压电容器，第二子像素电极182将用具有比施加的数据电压低的绝对值的像素电压进行充电。换言之，相同像素电极的子像素电极利用不同电压充电，由此通过防止其伽马曲线中的失真来改进显示器的侧向可见度。在说明的特定示例性实施例中，由于第二子像素电极182中充的电压增加并且在第一子像素电极181中充电的电压降低，在第一子像素电极181和第二子像素电极182中充电的电压之间的差增加。因此，与仅提供降压电容器的情况相比，即使具有相对小的容量的电容器也可以产生足够的电压差。这表明形成升压电容器或者降压电容器的第三漏电极169的区域可以被减少，由此有利地实现改进的纵横比。另外，由于电压被升高，像素的透射性，并且由此显示器的透射性也提高。
下面进一步参考图2和图3-5描述示例性LCD的第二面板200。与第一绝缘基板110相同，第二面板200包括第二绝缘基板210，其可包括透明玻璃或塑料。黑矩阵220形成在第二绝缘基板210上。黑矩阵220与第一面板100的栅极线122和数据线162交迭。滤色片230形成在由黑矩阵220划出的区域。滤色片230被对准以便当两个面板被夹在一起时，与第一面板100的第一子像素电极181和第二子像素电极182交迭。
外涂层(overcoat layer)240形成在黑矩阵220和滤色片230上，以平坦其梯状表面。
由透明导电材料(诸如ITO或IZO)制成的公共电极250形成在外涂层240上。公共电极250形成在第二面板200的整个表面之上，并且对于每个像素具有多个剪切块。例如，可以为每个像素提供三个剪切块253、254和255，如图2所示。更具体地，两个剪切块253和254被形成以便与第一面板100的第一子像素电极181交迭，以与存储电极线128的倾斜部分平行的相反方向上延伸，并在第一子像素电极181和第二子像素电极182的边缘弯曲以便与栅极线122或数据线162平行。在像素区域的中心，剪切块253和254没有彼此连接。剪切块255被形成以便与第一面板100的第二子像素电极182交迭，以在与存储电极线128的倾斜部分平行的相反方向上延伸，并弯曲以便与栅极线122平行。在相反方向延伸的剪切块255的部分在像素区域的中心彼此结合。剪切块253、254和255以及第二子像素电极182的分割部件186和剪切部分185是可操作以产生定义域的边缘场，在每个域中液晶材料呈现一致性能。
尽管未在附图中说明，可在公共电极250上进一步提供对准膜。对准膜可包括，例如，垂直对准膜。
参考图4和图5，包括多个液晶分子301的液晶层300***在第一面板100和第二面板200之间。在电压中断(voltage-off)状态，即，在没有电场时，根据在LCD中提供的对准膜的特性，液晶分子310关于电场垂直对准。然而，当所选值的电压被施加到第一面板100的像素电极(181和182)以及第二面板200的公共电极250之间时，电场在像素区域强加于液晶层300，以便液晶分子310在所选方向旋转所选量。如果液晶分子310具有负介电各向异性，则它们以与电场垂直的方向旋转。如果液晶分子310具有正介电各向异性，则它们以与电场平行的方向旋转。通过液晶层300的透光率由液晶分子310的旋转量确定。一个或多个偏振片(未示出)附着到第一面板100和/或第二面板200的外侧，由此控制LCD的整个透射性。在上述的示例性LCD实施例中，由于边缘场由第一面板100中提供的剪切块185和分割部件186、以及由第二面板200中提供的剪切块253、254和255生成，液晶分子310在多个域的每个域中以特定方向旋转。因此，实现具有宽视角的显示器面板，可以防止由于液晶分子310的碰撞引起的纹理(texture)的出现，并且液晶分子310的旋转速度(即它们对电场的响应速度)增加。
下面是结合图6的上述LCD的操作的详细描述，图6是图3、图4和图5的LCD的单个示例性像素区域的示意电路图，并且其中所示的像素区域位于第n栅极线和第(n+1)栅极线之间。在图6中，“A1”指示第一子像素电极区域，并且“A2”指示第二子像素电极区域。图7是图解说明施加到图6的LCD的各种电压的各个波形的图。如可以从图7中所看到的，对于与其中指示的各连续帧的持续时间相对应的时间段，关于公共电压被反相的数据电压被施加到栅极线。
为了便于说明，假设5V的公共电压被施加到存储电极线和公共电极，对于与第一帧的持续时间相对应的时间段，7V的数据电压被施加，并且对于与第二帧的持续时间相对应的时间段，3V的数据电压被施加。当7V的数据电压被施加到数据线Dm时，栅极导通信号被施加到第n栅极线Gn，并且由此导通第一TFT Q1和第二TFT Q2，以便数据电压由此施加到第一子像素电极区域A1和第二子像素电极区域A2。第一子像素电极区域A1和第二子像素电极区域A2被连接到相同的数据线Dm，因此，施加到位于第一子像素电极区域A1的终端P1和位于第二子像素电极区域A2的终端P2的电压的幅度彼此相同。换言之，虽然栅极导通电压被施加到第n栅极线Gn，但从7V导出的子像素电压Vpx1和Vpx2分别施加到终端P1和P2。
在所示的特定示例性实施例中，利用2V电压，即子像素电压Vpx1和子像素电压Vpx2的每个以及公共电压Vcom之间的差，对第一液晶电容器C 1c1、第一存储电容器Cst1、第二液晶电容器C1c2、和第二存储电容器Cst2充电。同时，7V电压被施加到连接到终端P1的标记有“a”的终端，并且由此对于每个帧的持续时间执行反相驱动。因此，假定对于与在前帧的持续时间相对应的时间段，大约3V的电压施加到标记有“b”的终端，大约4V的电压被充入终端a和终端b之间提供的升压电容器Cup中，同时，大约2V的电压被充入降压电容器Cdown。
如果栅极截止电压然后被施加到第n栅极线Gn，则由此截止第一TFT Q1和第二TFT Q2，并且对于第一帧，充入到第一子像素电极区域A1和第二子像素电极区域A2的电压降低第一“回扫(kickback)”电压(标记为“Vkb1”)。
在从栅极导通信号施加到第n栅极线Gn的时间开始经过一个水平周期(1H)之后，栅极导通信号被施加到第(n+1)栅极线Gn+1，以便连接到第(n+1)栅极线Gn+1的第三TFT Q3被导通。当导通第三TFT Q3时，终端P2和终端b彼此电连接，以便7V的电压被供给终端b。由于大约4V被充入升压电容器Cup，所以终端P2的电压瞬间上升。同时，由于大约2V被充入降压电容器Cdown并且降压电容器Cdown的一端被连接到存储电极线，所以终端b的电压瞬间下降。因此，充入第一子像素电极区域A1的电压通过向其耦合升压电容器Cup而被瞬间增加(即，图7的Vcup1)，并且充入第二子像素电极区域A2的电压通过向其耦合降压电容器Cdown而被瞬间降低(即，图7的Vcdown1)。
如果栅极截止电压然后被施加到第(n+1)栅极线Gn+1，则对于第一帧，充入到第一子像素电极区域A1的电压稍微降低第二回扫电压，由“Vkb11”标记，并且对于第一帧，充入到第二子像素电极区域A2的电压进一步降低第三回扫电压，由“Vkb12”标记。对于与第一帧的持续时间相对应的时间段，第一子像素电极区域A1和第二子像素电极区域A2分别被保持在充入其中的电压Vpx1和Vpx2。
因此，如上所述，虽然对于与第一帧的持续时间相对应的时间段，相同电压被施加到第一子像素电极区域A1和第二子像素电极区域A2，但是充入到第一子像素电极区域A1的电压Vpx1增加，并且充入到第二子像素电极区域A2的电压Vpx2降低，并且因此，与充入到第二子像素电极区域A2的电压相比较高的电压被充入第一子像素电极区域A1。即，充入第一子像素电极区域A1中提供的第一液晶电容器Clc1和第一存储电容器Cst1中的电压的绝对值大于充入第二子像素电极区域A2中提供的第二液晶电容器Clc2和第二存储电容器Cst2中的电压的绝对值。
接着结合图6和图7描述第二帧期间各子像素电极中充入的电压。
当3V的数据电压被施加到数据线Dm时，如果对于第二帧栅极导通信号被施加到第n栅极线Gn，则第一TFT Q1和第二TFT Q2导通，以便数据电压被施加到第一子像素电极区域A1和第二子像素电极区域A2。虽然栅极导通信号被施加到第n栅极线Gn，从3V派生的子像素电压Vpx1和Vpx2被供给终端P1和终端P2。这里，利用-2V的电压，即，子像素电压Vpx1和Vpx2的每个与公共电压Vcom之间的差，对第一液晶电容器Clc1、第一存储电容器Cst1、第二液晶电容器Clc2和第二存储电容器Cst2进行充电。同时，3V的电压被施加到连接到终端P1的终端“a”并且由此执行与每个帧的持续时间相对应的时间段的反向驱动。因此，假定在与先前帧的持续时间相对应的时间段大约3V的电压被施加到终端b，大约-4V的电压被充入在终端a和b之间提供的升压电容器Cup中，同时，大约-2V的电压被充入降压电容器Cdown。
接着，对于第二帧，如果栅极截止电压然后被施加到第n栅极线Gn，则第一TFT Q1和第二TFT Q2被截止，并且充入第一子像素电极区域A1和第二子像素电极区域A2中的电压降低第一回扫电压，由“Vkb2”标记。
在从栅极导通信号被施加到第n栅极线Gn的时间经过一个水平周期(1H)之后，栅极导通信号被施加到第(n+1)栅极线Gn+1，以便导通连接到第(n+1)栅极线Gn+1的第三TFT Q3。当第三TFT Q3导通时，终端P2和终端b彼此电连接以便3V的电压被供给终端b。由于大约-4V被充入升压电容器Cup，所以终端P1的电压瞬间上升。同时，由于大约-2V被充入降压电容器Cdown，并且降压电容器Cdown的一端连接到存储电极线，所以终端b的电压瞬间上升。因此，充入第一子像素电极区域A1的电压通过向其耦合升压电容器Cup而被瞬间增加(即，图7的Vcup2)，并且充入第二子像素电极区域A2的电压通过向其耦合降压电容器Cdown而瞬间降低(图7的Vcdown2)。
如果栅极截止电压随后被施加到第(n+1)栅极线Gn+1，则对于第二帧充入第一子像素电极区域A1的电压稍微降低第二回扫电压Vkb21，并且对于第二帧充入第二子像素电极区域A2的电压进一步降低第三回扫电压Vkb22。因此，对于与第一帧的持续时间相对应的时间段，第一子像素电极区域A1和第二子像素电极区域A2被分别保持在充入其中的电压Vpx1和Vpx2。
如上所述，虽然在与第二帧的持续时间相对应的时间段中相同电压由此被施加到第一子像素电极区域A1和第二子像素电极区域A2，但充入第一子像素电极区域A1的电压被降低，并且充入第二子像素电极区域A2的电压被增加，并且相应地，与第二子像素电极区域A2相比，一较低的电压被充入第一子像素电极区域A1。即，当在第一帧期间，充入第一子像素电极区域A1中的第一液晶电容器Clc1和第一存储电容器Cst1的电压的绝对值大于充入第二子像素电极区域A2中的第二液晶电容器Clc2和第二存储电容器Cst2的电压的绝对值。
如上所述，在本发明的示例性LCD中，与帧无关地，充入第一子像素电极区域A1中的第一液晶电容器Clc1和第一存储电容器Cst1的电压的绝对值大于充入第二子像素电极区域A2中的第二液晶电容器Clc2和第二存储电容器Cst2的电压的绝对值。因此，即使相同数据电压被施加到第一子像素电极区域A1和第二子像素电极区域A2，不同的电压被分别充入其中，由此防止伽马曲线的失真。此外，根据本发明，由于充入第一子像素电极区域A1中的电压的绝对值的幅度增加，而充入第二子像素电极区域A2中的电压的绝对值的幅度降低，所以充入第一子像素电极区域A1和第二子像素电极区域A2的电压之间的差关于施加到其的相同的数据电压而增加。因此，施加以提供相同亮度的数据电压的幅度被降低，这有利于实现改进的显示器纵横比。此外，由于利用向其施加的相同的数据电压充电像素电极的像素电压的幅度被增加，所以显示器的透光率被提高。
根据这里描述的本发明的示例性LCD，电容器的使用使得能够降低充入第二子像素电极中的电压的绝对值，并且能够增加充入第一子像素电极中的电压的绝对值，以便充入第一子像素电极和第二子像素电极中的电压之间的差增加。结果，LCD的透光率增加，并且改善其侧向可见度。
迄今，本领域技术人员将理解，在不脱离本发明LCD的精神和范围的情况下，可以对其进行各种修改、替换和变形。据此，本发明的范围不应限于这里描述和示出的特定实施例的范围，因为它们本质上仅仅是示例性的，相反，本发明的范围应该与所附的权利要求及其功能等价物的范围相称。

Claims (7)

1.一种液晶显示器，包括：
形成在第一绝缘基板上的栅极线和存储电极线；
与所述栅极线绝缘并与其交叉的数据线；
第一源电极，电连接到所述数据线，所述第一源电极的至少一部分部分地与第n栅极线交迭；
第一漏电极和第二漏电极，所述第一漏电极和第二漏电极的至少一部分部分地与第n栅极线交迭并与第一源电极相分离；
第一子像素电极，电连接到第一漏电极；
第二子像素电极，电连接到第二漏电极；
第二源电极，电连接到所述第二子像素电极，所述第二源电极的至少一部分部分地与第(n+1)栅极线交迭；和
第三漏电极，所述第三漏电极的至少一部分部分地与第(n+1)栅极线交迭，并且第三漏电极与第二源电极相分离，并可操作以升高第一子像素电极的充电电压和降低第二子像素电极的充电电压，
其中所述第三漏电极至少部分地与第一子像素电极交迭，所述第三漏电极和所述第一子像素电极的交迭区域形成可操作以升高第一子像素电极的充电电压的升压电容器，并且
其中所述第三漏电极至少一部分地与所述存储电极线交迭，所述第三漏电极和所述存储电极线的交迭区域形成可操作以降低第二子像素电极的充电电压的降压电容器。
2.如权利要求1所述的液晶显示器，其中所述数据线向所述第一子像素电极和第二子像素电极提供相同的充电电压。
3.如权利要求1所述的液晶显示器，其中所述存储电极线的至少一部分与分割部件交迭，所述分割部件将所述第一子像素电极和第二子像素电极彼此分离。
4.如权利要求1所述的液晶显示器，还包括：
与所述第一绝缘基板相对的第二绝缘基板；
形成在所述第二绝缘基板上的公共电极；和
***在所述第一基板和第二基板之间的液晶材料层。
5.如权利要求4所述的液晶显示器，其中所述公共电极包括剪切块部分，所述剪切块部分基本上与将第一子像素电极和第二子像素电极彼此分离的分割部件平行，并且其中所述分割部件和所述剪切块部分将所述液晶层分成多个域。
6.一种液晶显示器，包括：
由第n栅极线控制的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；
由第(n+1)栅极线控制的第三薄膜晶体管；
第一子像素电极，连接到所述第一薄膜晶体管的输出端；
第二子像素电极，连接到所述第二薄膜晶体管的输出端和第三薄膜晶体管的输入端；和
存储电极线，该存储电极线与第一子像素电极和第二子像素电极交迭，并由此形成存储电容器，
其中所述第三薄膜晶体管的输出端可操作以升高所述第一子像素电极的充电电压和降低所述第二子像素电极的充电电压，
其中可操作以升高所述第一子像素电极的充电电压的电容器被形成在所述第三薄膜晶体管的输出端和所述第一子像素电极之间，并且
其中可操作以降低所述第二子像素电极的充电电压的电容器被形成在所述第三薄膜晶体管的输出端和所述存储电极线之间。
7.如权利要求6所述的液晶显示器，其中所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的输入端被连接到相同的数据线，并且其中当第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管导通时，相同的充电电压被施加到第一子像素电极和第二子像素电极。
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Families Citing this family (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080069733A (ko) * 2007-01-24 2008-07-29 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판
KR101294731B1 (ko) * 2007-06-04 2013-08-16 삼성디스플레이 주식회사 어레이 기판, 이를 갖는 표시패널 및 이의 제조방법
KR101402913B1 (ko) * 2007-07-04 2014-06-03 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 표시 장치
KR101358334B1 (ko) * 2007-07-24 2014-02-06 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 구동 방법
KR101599351B1 (ko) * 2007-09-28 2016-03-15 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그의 구동 방법
TWI339304B (en) * 2007-10-16 2011-03-21 Au Optronics Corp Pixel structure, driving method thereof and pixel array structure
KR101414043B1 (ko) * 2007-12-04 2014-07-21 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판
KR101409985B1 (ko) * 2008-01-31 2014-06-20 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR101381348B1 (ko) * 2008-02-14 2014-04-17 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR101518743B1 (ko) 2008-03-05 2015-05-07 삼성디스플레이 주식회사 고속 구동이 가능한 광시야각 액정 표시 장치
JP4626664B2 (ja) * 2008-03-31 2011-02-09 カシオ計算機株式会社 液晶表示装置
KR101480006B1 (ko) * 2008-04-14 2015-01-13 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR101538320B1 (ko) * 2008-04-23 2015-07-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
TWI397734B (zh) * 2008-05-07 2013-06-01 Hannstar Display Corp 液晶顯示器及其驅動方法
US8432344B2 (en) * 2008-05-27 2013-04-30 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display
KR20090126764A (ko) 2008-06-05 2009-12-09 삼성전자주식회사 표시기판, 이의 제조방법 및 이를 갖는 표시장치
US8373633B2 (en) * 2008-07-10 2013-02-12 Au Optronics Corporation Multi-domain vertical alignment liquid crystal display with charge sharing
JP4706729B2 (ja) 2008-07-14 2011-06-22 カシオ計算機株式会社 液晶表示装置
KR101595817B1 (ko) * 2008-08-22 2016-02-22 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR101582947B1 (ko) * 2008-09-17 2016-01-08 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR101501497B1 (ko) 2008-09-18 2015-03-12 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
TW201019301A (en) * 2008-11-03 2010-05-16 Chunghwa Picture Tubes Ltd Gate driving device utilized in LCD device
KR101541794B1 (ko) 2008-12-09 2015-08-04 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR101518325B1 (ko) * 2008-12-18 2015-05-11 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR101592014B1 (ko) * 2009-03-10 2016-02-19 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR101531854B1 (ko) * 2009-03-11 2015-06-26 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판
US8792064B2 (en) 2009-04-02 2014-07-29 Au Optronics Corporation Pixel array, liquid crystal display panel, and electro-optical apparatus
TWI380110B (en) * 2009-04-02 2012-12-21 Au Optronics Corp Pixel array, liquid crystal display panel, and electro-optical apparatus
TWI393973B (zh) 2009-04-06 2013-04-21 Chunghwa Picture Tubes Ltd 液晶顯示器及相關方法
TWI484469B (zh) * 2009-06-16 2015-05-11 Au Optronics Corp 液晶顯示面板及其畫素驅動方法
US20120188297A1 (en) * 2009-10-23 2012-07-26 Sharp Kabushiki Kaisha Display device
KR101699398B1 (ko) * 2009-10-28 2017-01-25 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
TWI391767B (zh) 2009-12-15 2013-04-01 Au Optronics Corp 顯示器及其光電裝置
TWI420212B (zh) * 2009-12-31 2013-12-21 Au Optronics Corp 畫素陣列
US8411003B2 (en) * 2010-02-11 2013-04-02 Au Optronics Corporation Liquid crystal display and methods of driving same
JP5418390B2 (ja) * 2010-04-27 2014-02-19 カシオ計算機株式会社 液晶表示装置
JP5852793B2 (ja) * 2010-05-21 2016-02-03 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
WO2012005038A1 (ja) 2010-07-09 2012-01-12 シャープ株式会社 液晶表示装置
KR101132088B1 (ko) * 2010-07-15 2012-04-02 삼성모바일디스플레이주식회사 액정표시장치
TWI407222B (zh) * 2010-07-20 2013-09-01 Au Optronics Corp 畫素陣列、聚合物穩定配向液晶顯示面板以及畫素陣列的驅動方法
KR101855235B1 (ko) * 2010-12-27 2018-05-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
TWI432862B (zh) * 2011-03-16 2014-04-01 Hannstar Display Corp 液晶面板及其畫素結構
KR20120120761A (ko) * 2011-04-25 2012-11-02 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR101825214B1 (ko) * 2011-06-17 2018-03-15 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 구동 방법
TWI452559B (zh) 2011-11-14 2014-09-11 Au Optronics Corp 顯示面板及其驅動方法
KR20130057014A (ko) * 2011-11-23 2013-05-31 삼성디스플레이 주식회사 터치 스크린 패널 및 이를 포함하는 표시 장치
KR101953805B1 (ko) * 2012-02-22 2019-06-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN103353680B (zh) * 2013-07-05 2015-08-19 京东方科技集团股份有限公司 液晶像素单元驱动方法和装置
KR102196451B1 (ko) * 2014-06-20 2020-12-30 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR101682223B1 (ko) * 2014-12-19 2016-12-05 삼성디스플레이 주식회사 표시기판, 이의 제조방법 및 이를 갖는 표시장치
KR102326370B1 (ko) 2015-06-02 2021-11-16 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
CN105137676B (zh) * 2015-10-09 2018-04-20 京东方科技集团股份有限公司 一种像素单元、阵列基板及垂直配向型液晶显示装置
CN107871473B (zh) * 2017-11-01 2020-03-24 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5132819A (en) * 1990-01-17 1992-07-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Liquid-crystal display device of active matrix type having connecting means for repairing defective pixels
CN1580922A (zh) * 2003-08-04 2005-02-16 三星电子株式会社 薄膜晶体管阵列面板
CN1746752A (zh) * 2004-09-09 2006-03-15 三星电子株式会社 液晶显示器和用于其的显示板

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5101288A (en) * 1989-04-06 1992-03-31 Ricoh Company, Ltd. LCD having obliquely split or interdigitated pixels connected to MIM elements having a diamond-like insulator
KR100859524B1 (ko) * 2002-07-11 2008-09-22 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 기판
US7206048B2 (en) * 2003-08-13 2007-04-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display and panel therefor
KR101019045B1 (ko) * 2003-11-25 2011-03-04 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5132819A (en) * 1990-01-17 1992-07-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Liquid-crystal display device of active matrix type having connecting means for repairing defective pixels
CN1580922A (zh) * 2003-08-04 2005-02-16 三星电子株式会社 薄膜晶体管阵列面板
CN1746752A (zh) * 2004-09-09 2006-03-15 三星电子株式会社 液晶显示器和用于其的显示板

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