CN101093853A - 有机发光二极管显示器及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种有机发光二极管(OLED)显示器及其制造方法，所述显示器包括基底、栅极线、数据线、驱动电压线、挡光元件、开关薄膜晶体管(TFT)、驱动TFT和OLED，其中，驱动电压线包括平行于栅极线和数据线中的至少一个的部分，挡光元件形成在栅极线、数据线和驱动电压线中的至少一个的下方，开关TFT连接到栅极线和数据线并包含非晶半导体，驱动TFT连接到开关TFT并包含多晶半导体，并且OLED连接到驱动TFT。

Description

有机发光二极管显示器及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种有机发光二极管(OLED)显示器和一种用于制造该有机发光二极管显示器的方法。
背景技术
近来，已经要求监视器和电视变得更薄且更轻。为了满足这些要求，液晶显示器(LCD)已经替代了阴极射线管(CRT)显示器。
然而，由于LCD是无源(passive)发光装置，所以LCD需要另外的背光。另外，LCD在响应速度和视角方面存在问题。
为了克服LCD的这些问题，有机发光二极管(OLED)显示器已经开始引起关注。
OLED显示器包括位于两个电极之间的发光层，两个电极中的一个用于向发光层中注入电子，另一个用于向发光层中注入空穴。注入的电子和空穴在发光层中结合，由此形成激子。激子在释放能量的同时发光。
OLED显示器本身是不需要另外的光源的发光装置。因此，OLED显示器的优点在于功耗低。另外，OLED显示器的响应速度、视角和对比度优良。
OLED显示器根据其使用的驱动机理的类型，可分为无源矩阵OLED显示器或有源矩阵OLED显示器。
有源矩阵OLED显示器包括：开关薄膜晶体管，连接到控制数据电压的信号线；驱动薄膜晶体管，通过提供从开关薄膜晶体管接收的数据电压作为栅极电压来使电流流入有机发光器件。
然而，开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管需要不同的特性，以使OLED显示器具有最佳的性能。
开关薄膜晶体管要求导通/截止电流比(Ion/Ioff)高，而驱动薄膜晶体管要求电荷载流子迁移率和稳定性高，用于使足够且稳定的电流流入有机发光器件。
如果开关薄膜晶体管的截止电流增大，则传输到驱动薄膜晶体管的数据电压减小。结果，会出现串扰。串扰是一种不期望的效应的名称，在该效应中，提供到显示器中的一行像素的信息(以电压的形式)可影响其它像素行的图像。如果驱动薄膜晶体管的载流子迁移率和稳定性较低，则流入有机发光器件的电流量减小。结果，从有机发光器件发射的光的量减少。
然而，如果独立地制造开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管来满足每个晶体管所需的不同特性，则制造工艺的数量和掩模的数量将会显著地增加。另外，OLED显示器必须使用另外的偏光器来避免由于大量反射外部光而引起的其对比度的显著降低。
发明内容
本发明的一个方面提供了一种同时满足开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管所需的性能的有机发光器件显示器的示例性实施例，而不需要显著增加制造工艺的数量。本发明的另一方面提供了一种具有提高的对比度的有机发光二极管(OLED)显示器的示例性实施例。
本发明提供了一种有机发光器件显示器的示例性实施例，其包括：基底；栅极线，形成在所述基底上；数据线，与所述栅极线基本垂直地形成；驱动电压线，包括平行于所述栅极线和所述数据线中的至少一个的部分；挡光元件，形成在所述栅极线、所述数据线和所述驱动电压线中的至少一个的下方；开关薄膜晶体管(TFT)，连接到所述栅极线和所述数据线并包括非晶半导体；驱动TFT，连接到所述开关薄膜晶体管并包括晶体半导体；OLED，连接到所述驱动薄膜晶体管。
所述挡光元件可包括第一层和第二层中的至少一个，其中，所述第一层包含不透明的导电材料，所述第二层包含不透明的导电材料的氧化物。
所述不透明的导电材料可为铬(Cr)。
所述开关薄膜晶体管还可包括：开关控制电极，连接到所述栅极线；开关输入电极，连接到所述数据线；开关输出电极，连接到所述驱动薄膜晶体管。其中，所述驱动薄膜晶体管还可包括：驱动控制电极，连接到所述开关输出电极；驱动输入电极，连接到所述驱动电压线；驱动输出电极，连接到像素电极，其中，所述非晶半导体可形成在所述开关控制电极上，所述晶体半导体可形成在所述驱动控制电极下方。
本发明的另一示例性实施例提供了一种OLED显示器，其包括：基底；挡光元件，形成在所述基底上；栅极线，形成在所述挡光元件上并包括开关控制电极；第一非晶半导体，形成在所述开关控制电极上；数据线，包括开关输入电极，其中，所述开关输入电极接触所述第一非晶半导体；开关输出电极，所述开关输出电极面向所述开关输入电极；驱动控制电极，连接到所述开关输出电极；第一晶体半导体，形成在所述基底上；驱动电压线，包括驱动输入电极，其中，所述驱动输入电极接触所述第一晶体半导体；驱动输出电极，所述驱动输出电极面向所述驱动输入电极；像素电极，连接到所述驱动输出电极；共电极，面向所述像素电极；发光元件，设置在所述像素电极和所述共电极之间。
所述挡光元件还可包括第一层和第二层中的至少一个，其中，所述第一层包含不透明的导电材料，所述第二层包含不透明的导电材料的氧化物。
所述不透明的导电材料可为铬(Cr)。
所述OLED显示器还可包括第二晶体半导体，所述第二晶体半导体形成在所述挡光元件的下方并具有与所述挡光元件的形状基本相同的形状。
所述第一非晶半导体可具有与所述数据线和所述开关输出电极的形状基本相同的形状，并且还设置在所述开关输入电极和所述开关输出电极之间。
所述OLED显示器还可包括形成在所述第一晶体半导体上的蚀刻中止件，其中，所述蚀刻中止件包含与所述挡光元件的材料基本相同的材料。
所述OLED显示器还可包括形成在所述基底和所述像素电极之间的滤色器。
所述发光元件可包括多个发光层，其中，所述多个发光层的每个发射不同波长的光。
所述不同波长的光可组合形成白光。
所述OLED显示器还可包括所述驱动电压线的延伸，所述延伸连接到所述驱动电压线。
所述OLED显示器还可包括形成在所述驱动电压线的延伸下方的第二非晶半导体，其中，所述第二非晶半导体具有与所述辅助驱动电压线的形状基本相同的形状。
可同时形成所述栅极线、所述驱动电压线和所述驱动输出电极。
可同时形成所述开关输出电极、所述驱动控制电极和所述辅助驱动电压线。
本发明的另一示例性实施例提供了一种包括第一像素和与第一像素相邻的第二像素的OLED显示器，其中，所述第一像素包括：第一开关薄膜晶体管，连接到栅极线和第一数据线；第一驱动薄膜晶体管，连接到所述第一开关薄膜晶体管和驱动电压线；第一发光二极管，连接到所述第一驱动薄膜晶体管，其中，所述第二像素包括：第二开关薄膜晶体管，连接到所述栅极线和第二数据线；第二驱动薄膜晶体管，连接到所述第二开关薄膜晶体管和所驱动电压线；第二发光二极管，连接到所述第二驱动薄膜晶体管，其中，挡光元件至少形成在所述栅极线、所述第一数据线、所述第二数据线和所述驱动电压线的部分的下方。
所述第一开关薄膜晶体管和所述第二开关薄膜晶体管中的至少一个可包含非晶半导体，所述第一驱动薄膜晶体管和所述第二驱动薄膜晶体管中的至少一个可包含晶体半导体。
所述驱动电压线可包括：第一部分，基本平行于所述栅极线形成；第二部分，从所述第一部分突出并设置在所述第一数据线和所述第二数据线之间，其中，所述第一驱动薄膜晶体管和所述第二驱动薄膜晶体管连接到所述第二部分。
所述第一像素和所述第二像素可关于所述驱动电压线基本对称地设置。
所述第一像素和所述第二像素中的至少一个还可包括形成在所述第一发光二极管和所述第二发光二极管中的至少一个的底部上的滤色器。
所述第一发光二极管和所述第二发光二极管的至少一个可发射白光。
根据本发明的另一示例性实施例，一种制造OLED显示器的示例性实施例的方法的示例性实施例包括：在基底上形成多个晶体半导体和挡光元件；在所述晶体半导体和所述挡光元件上形成栅极线、具有驱动输入电极的驱动电压线和驱动输出电极；在所述栅极线、所述驱动电压线和所述驱动输出电极上形成多个非晶半导体、具有开关输入电极的数据线、开关输出电极和驱动控制电极；在所述数据线、所述开关输出电极和所述驱动控制电极上形成钝化层；在所述钝化层上形成连接到所述驱动输出电极的第一电极；在所述第一电极上形成发光元件；在所述发光元件上形成第二电极。
所述在基底上形成多个晶体半导体和挡光元件的步骤包括：在所述基底上形成晶体半导体层；在所述晶体半导体层上形成挡光层；利用第一掩模来光刻所述晶体半导体层和所述挡光层。
所述在所述晶体半导体和所述挡光元件上形成栅极线、具有驱动输入电极的驱动电压线和驱动输出电极的步骤可包括：在所述晶体半导体和所述挡光元件上形成第一导电层；利用第二掩模光刻所述第一导电层。
所述在所述栅极线、所述驱动电压线和所述驱动输出电极上形成多个非晶半导体、具有开关输入电极的数据线、开关输出电极和驱动控制电极的步骤包括：在所述栅极线、所述驱动电压线和所述驱动输出电极上形成多个非晶半导体层；在所述非晶半导体层上形成第二导电层；利用第三掩模光刻所述非晶半导体层和所述第二导电层。
所述形成所述晶体半导体层的步骤可包括：在所述基底上形成非晶半导体层；通过固相结晶(SPC)使所述非晶半导体层晶化。
所述形成所述晶体半导体层的步骤还可包括：在形成所述非晶半导体层之后形成掺杂有杂质的非晶半导体层，其中，在使所述非晶半导体层晶化的过程中，所述非晶半导体层和所述掺杂有杂质的非晶半导体层可一起被结晶。
在形成所述晶体半导体和所述挡光元件的过程中，可用具有第一部分和第二部分的感光图案来执行所述光刻，所述第二部分的厚度小于所述第一部分的厚度。
在形成所述非晶半导体、所述数据线、所述开关输出电极和所述驱动控制电极的过程中，可用具有第一部分和第二部分的感光图案来执行所述光刻，所述第二部分的厚度小于所述第一部分的厚度。
根据本发明的方法的示例性实施例还可包括在形成钝化层之前形成滤色器。
附图说明
将通过参照附图更详细地描述本发明的示例性实施例，本发明将会变得更加清楚，其中：
图1是根据本发明的有机发光二极管(OLED)显示器的示例性实施例的等效电路图；
图2是OLED显示器的示例性实施例的顶部平面布局图；
图3是沿着线III-III′截取的图2的OLED显示器的示例性实施例的剖视图；
图4是示出在根据本发明的OLED显示器的示例性实施例中多个像素的布置的示意图；
图5A和图5B是示出了制造根据本发明的OLED显示器的示例性实施例的方法的示例性实施例的剖视图；
图6是在制造根据本发明的OLED显示器的示例性实施例的方法中的步骤的顶部平面布局图；
图7是沿着线VII-VII′截取的图6中示出的OLED显示器的示例性实施例的剖视图；
图8是在制造根据本发明的OLED显示器的示例性实施例的方法中的步骤的顶部平面布局图；
图9是沿着线IX-IX′截取的图8中示出的OLED显示器的示例性实施例的剖视图；
图10和图11是示出图8和图9中示出的OLED显示器的示例性实施例的连续制造工艺的示例性实施例的剖视图；
图12是在制造根据本发明的OLED显示器的示例性实施例的方法中的步骤的顶部平面布局图；
图13是沿着线XIII-XIII′截取的图12中示出的OLED显示器的示例性实施例的剖视图；
图14是在制造根据本发明的OLED显示器的示例性实施例的方法中的步骤的顶部平面布局图；
图15是沿着线XV-XV′截取的图14中示出的OLED显示器的示例性实施例的剖视图；
图16是在制造根据本发明的OLED显示器的示例性实施例的方法中的步骤的顶部平面布局图；
图17是沿着线XVII-XVII′截取的图16中示出的OLED显示器的示例性实施例的剖视图；
图18是在制造根据本发明的OLED显示器的示例性实施例的方法中的步骤的顶部平面布局图；
图19是沿着线XIX-XIX′截取的图18中示出的OLED显示器的示例性实施例的剖视图；
图20是示出根据本发明的OLED显示器的另一示例性实施例的顶部平面布局图；
图21是沿着线XXI-XXI′截取的图20的OLED显示器的示例性实施例的剖视图。
具体实施方式
以下，现在将参照附图更充分地描述本发明，在附图中示出了本发明的实施例。然而，本发明可以以多种不同的形式来实施，不应该被理解为局限于在此提出的实施例。相反，提供这些实施例使本发明的公开将是彻底和完全的，并将本发明的范围充分地传达给本领域的技术人员。相同的标号始终表示相同的元件。
应该理解，当元件被称作在另一元件“上”时，它可以直接位于另一元件上，或者也可以在其间存在中间元件。相反，当元件被称作“直接”在另一元件“上”时，则不存在中间元件。另外，应该理解，当第一元件被称作在第二元件“上”时，第一元件可以位于第二元件上方或下方。如在这里使用的，术语“和/或”包括一个或多个所列相关项的任意和所有组合。
应该理解，当元件被称作在另一元件“下”时，它可以直接位于另一元件下，或者在其间存在中间元件。相反，当元件被称作“直接”在另一元件“下”时，不存在中间元件。
应该理解，尽管可以在此使用术语第一、第二、第三等来描述不同的元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分并不应该受这些术语的限制。这些术语仅是用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开来。因此，在不脱离本发明的教导的情况下，以下讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可被称作第二元件、组件、区域、层或部分。
在此使用的术语仅是出于描述具体的实施例的目的，而不是意图限制本发明。如在此使用的，单数形式也意图包括复数形式，除非上下文另外明确地指出。还应该理解，当在该说明书中使用时术语“包含”和/或“包括”指存在所述的特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或增加一种或多种其它特征、区域、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
另外，可在此使用相对术语如“下面的”或“底部的”和“上面的”或“顶部的”来描述在附图中示出的一个元件与其它元件的关系。应该理解，相对术语意图包含除了附图中示出的方位之外的该装置的不同方位。例如，如果在附图之一中的装置翻转，描述为位于其它元件“下”侧的元件则应该被定位为位于其它元件“上”侧。因此，示例性术语“下面的”根据附图中的具体方位可包括“下面的”和“上面的”两个方位。同样地，如果附图之一中的装置翻转，则描述为位于其它元件“下面”或“下方”的元件则随后将被定位为在其它元件“上方”。因此，示例性术语“下面的”或“下方的”可包括上方和下方两个方位。
除非另有限定，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科技术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员所通常理解的意思相同的意思。将进一步理解，除非这里明确定义，否则术语例如在通用的字典中定义的术语应该被解释为具有与相关领域的环境中它们的意思相同的意思，而将不理想地或者过于正式地解释它们的意思。
在此参照作为本发明的理想实施例的示意性示例的剖视图来描述本发明的示例性实施例。这样，预计会出现例如由制造技术和/或公差引起的示例的形状变化。因此，本发明的实施例不应该被理解为限制于在此示出的区域的具体形状，而是将包括例如由制造导致的形状变形。例如，示出或描述为平坦的区域通常可具有粗糙的特征和/或非线性的特征。而且，示出的锐角可被倒圆。因此，在图中示出的区域实际上是示意性的，它们的形状并不意图示出区域的精确形状，也不意图限制本发明的范围。
以下，将参照附图来更充分地描述本发明，在附图中示出了本发明的优选实施例。正如本领域技术人员将理解的，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以以各种不同的方式修改描述的实施例。
首先，将参照图1来描述根据本发明的有机发光二极管(OLED)显示器的示例性实施例。
图1是根据本发明的OLED显示器的示例性实施例的等效电路图。
参照图1，OLED显示器的本示例性实施例包括多条信号线121、171和122以及连接到信号线121、171和122的多个像素，在所述多个像素中，两个像素PX1和PX2以近似矩阵形式布置。
信号线包括：多条栅极线121，用于传输栅极信号(也称作扫描信号)；多条数据线171，用于传输数据信号；多条驱动电压线122，用于传输驱动电压。
栅极线121和驱动电压线122基本在行方向上延伸，并且它们基本相互平行。数据线171基本在列方向上延伸，并且它们基本相互平行。
在由两条相邻的栅极线121和两条相邻的数据线171限定的区域中设置两个独立的像素PX1和PX2。
像素PX1和PX2中的每个分别包括开关晶体管Qs1或Qs2、驱动晶体管Qd1或Qd2、存储电容器Cst1或Cst2、以及OLED LD1或LD2。
开关晶体管Qs1或Qs2包括控制端、输入端和输出端。控制端连接到栅极线121，输入端连接到数据线171，输出端分别连接到驱动晶体管Qd1或Qd2和存储电容器Cst1或Cst2的一端。开关晶体管Qs1或Qs2响应提供到栅极线121的扫描信号，将从数据线171提供的数据信号传输到驱动晶体管Qd1或Qd2。
驱动晶体管Qd1或Qd2也包括控制端、输入端和输出端。控制端分别连接到开关晶体管Qs1或Qs2，输入端分别连接到驱动电压线122和存储电容器Cst1或Cst2的一端，输出端分别连接到OLED LD1或LD2。驱动晶体管Qd1或Qd2分别流出输出电流ILD1和ILD2，输出电流ILD1和ILD2具有根据形成在控制端和输出端之间的电压而改变的大小。
存储电容器Cst1或Cst2结合在驱动晶体管Qd1或Qd2的控制端和输入端之间。存储电容器Cst1或Cst2充入提供到驱动晶体管Qd1或Qd2的控制端的数据信号，并在开关晶体管Qs1或Qs2截止之后维持充入的数据信号。
OLED LD1或LD2包括连接到驱动晶体管Qd1或Qd2的输出端的阳极和连接到共电压Vss的阴极。OLED LD1或LD2分别通过发光来显示图像，所述光的强度根据驱动晶体管Qd1或Qd2的输出电流ILD1或ILD2而改变。
根据本示例性实施例，开关晶体管Qs1或Qs2和驱动晶体管Qd1或Qd2为n沟道场效应晶体管(FET)。然而，可选择的示例性实施例包括开关晶体管Qs1或Qs2和驱动晶体管Qd1或Qd2中的至少一个可为p沟道FET的构造。另外，晶体管Qs1、Qs2、Qd1和Qd2、存储电容器Cst1和Cst2以及OLED LD1和LD2之间的连接关系可以不同。
以下，将参照附图描述图1中示出的OLED显示器的结构。
将参照图2和图3来进一步描述图1中示出的OLED显示器的详细结构。
图2是OLED显示器的示例性实施例的顶部平面布局图。图3是沿线III-III′截取的图2中的OLED显示器的示例性实施例的剖视图。
图2示出了在根据本发明的OLED显示器的示例性实施例中设置在两条相邻的栅极线121和两条相邻的数据线171之间的两个像素PX1和PX2。
两个像素PX1和PX2关于设置在两条数据线171之间的驱动电压线122的延伸123对称地设置。相同的标号表示在像素PX1和PX2的每个中对称布置的相同元件，为了清楚，在附图中省略了一些相同元件的标号。
驱动半导体154b形成在绝缘基底110上，并且多个半导体元件151b与驱动半导体154b分开地形成在基底110上，其中，驱动半导体154b的示例性实施例可由微晶硅或多晶硅制成，绝缘基底110的示例性实施例可由透明的玻璃或塑料制成，半导体元件151b的示例性实施例可由微晶硅或多晶硅制成。
多个挡光元件131、132、133和134形成在多个半导体元件151b上，其中，挡光元件131、132、133和134由不透明的导电材料制成，不透明的导电材料的示例性实施例包括Cr、不透明导电材料的氧化物(如CrOx)或不透明导电材料-不透明导电材料的氧化物(如Cr-CrOx)。挡光元件131和132基本上在行方向上延伸，并且挡光元件132包括沿着驱动电压线的延伸123基本上在列方向上延伸的挡光元件133。挡光元件134基本上在列方向上延伸。
挡光元件131、132、133和134具有与半导体元件151b的平面形状基本相同的平面形状。挡光元件131、132、133和134不形成在驱动半导体154b上。
杂质半导体元件161b形成在半导体元件151b与挡光元件131、132、133和134之间，该杂质半导体元件161b的示例性实施例可由其中高度掺杂有n型杂质(如磷(P))的晶体硅制成。
多条栅极线121、多条驱动电压线122、多个驱动输出电极175b和多个辅助元件127形成在驱动半导体154b和挡光元件上。
栅极线121基本在水平方向上延伸并传输栅极信号。栅极线121中的每条包括端部129和向上延伸的开关控制电极124a，所述端部129具有宽的区域以与另一层或外部驱动电路连接。在可选择的示例性实施例中，产生栅极信号的驱动电路(未示出)可集成在基底110上，在这个示例性实施例中，栅极线121可延伸以直接连接到栅极驱动电路。
驱动电压线122传输驱动电压并平行于栅极线121基本上在水平方向上延伸。驱动电压线122包括延伸123，所述延伸123在两条相邻的栅极线121之间竖直地延伸。延伸123包括驱动输入电极173b，所述驱动输入电极173b基本上左右对称地突出，并具有与像素PX1和PX2的每个的驱动半导体154b接触的预定部分。延伸123还包括具有宽端部的存储电容半导体125。
驱动输出电极175b与栅极线121和驱动电压线122分开地设置。驱动输入电极173b和驱动输出电极175b在驱动半导体154b上彼此相对。
辅助元件127与栅极线121、驱动电压线122和驱动输出电极175b分隔开。
栅极线121、驱动电压线122、驱动输出电极175b和辅助元件127的示例性实施例可由含铝的金属如铝(Al)或铝合金、含银的金属如Ag或Ag合金、含铜的金属如Cu或Cu合金、含钼的金属如Mo或Mo合金以及Cr、Ta和Ti制成。栅极线121、驱动电压线122、驱动输出电极175b和辅助元件127的示例性实施例包括可选择的构造，在可选择的构造中，它们可具有多层结构，该多层结构包括具有不同物理性能的两层导电层(未示出)。
栅极线121、驱动电压线122、驱动输出电极175b和辅助元件127的示例性实施例可相对于基底110倾斜。在一个示例性实施例中，它们的倾斜角度可为大约30°至大约80°。
挡光元件131、132、133和134位于栅极线121、驱动电压线122和辅助元件127的下方。挡光元件131、132、133和134防止从基底110底部进入的外部光被由不透明金属(如铝)制成的栅极线121、驱动电压线122和辅助元件127反射。因此，通过防止外部光的反射就可以提高OLED显示器的对比度，而不需要在基底110的底部放置偏光器。
欧姆接触163b和165b形成在驱动输入电极173b和驱动半导体154b之间以及驱动输出电极175b和驱动半导体154b之间，欧姆接触163b和165b的示例性实施例可由其中高度掺杂有n型杂质(如磷(P))的晶体硅制成。
栅极绝缘层140由氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)制成，并形成在栅极线121、驱动电压线122、驱动输出电极175b和辅助元件127上。
多个线性半导体151a和半导体元件156a形成在栅极绝缘层140上，所述多个线性半导体151a和半导体元件156a的示例性实施例由氢化非晶硅制成。
线性半导体151a基本上在竖直方向上延伸，并包括与辅助元件127叠置的部分和与栅极线121和驱动电压线122交叉的部分。线性半导体151a包括形成在其端部的突出，该突出从线性半导体151a向上突出。该突出包括与开关控制电极124a叠置的开关半导体154a。
半导体元件156a形成为与驱动电压线122的延伸123叠置。
多条数据线171、多个连接电极(coupling electrode)176、多个开关输入电极173和多个驱动电压辅助件172形成在线性半导体151a、半导体元件156a和栅极绝缘层140上。
欧姆接触163a形成在开关输入电极173a和线性半导体151a之间以及数据线171和线性半导体151a之间，所述欧姆接触163a的示例性实施例可由在其中高度掺杂有n型杂质(如磷(P))的晶体硅制成。
数据线171传输数据信号，并在基本竖直的方向上延伸，以与栅极线121和驱动电压线122交叉。数据线171中的每条形成在驱动电压线122的延伸123之间。
数据线171的每条包括多个开关输入电极173a和宽端部179，其中，所述多个开关输入电极173a朝向开关控制电极124a延伸，所述宽端部179连接到另一层或外部驱动电路。产生数据信号的数据驱动电路(未示出)可放置在基底110上的柔性印刷电路(未示出)上，可直接形成在基底110上，或可集成到基底110上。可选择的示例性实施例包括这样的构造，即，数据驱动电路集成在基底110上并且数据驱动电路可连接到延伸的数据线171。
连接电极176与数据线171分开。连接电极176包括开关输出电极175a和驱动控制电极124b，其中，开关输出电极175a在其与开关输入电极173a之间的开关控制电极124a上面向开关输入电极173a，驱动控制电极124b与驱动半导体154b叠置。
连接电极176通过与存储电容半导体125的部分叠置形成存储电容器Cst1和Cst2。
当从顶部平面图观看时，除了在开关输入电极173a和开关输出电极175a之间的区域内的缝隙之外，数据线171和连接电极176具有与线性半导体151a的形状基本相同的形状。
驱动电压辅助件172与数据线171和连接电极176分开，并与驱动电压线122的延伸123叠置。当从顶部平面图观看时，驱动电压辅助件172具有与半导体元件156a的形状基本相同的形状。
数据线171、连接电极176和驱动电压辅助件172的示例性实施例可由与栅极线121的导电材料基本相似的导电材料制成。
在一个示例性实施例中，数据线171、连接电极176和驱动电压辅助件172可相对于基底110倾斜大约30°至大约80°。
欧姆接触161a形成在数据线171和线性半导体151a之间以及连接电极176和线性半导体151a之间。另外，杂质半导体元件166a形成在驱动电压辅助件172和半导体元件156a之间。欧姆接触161a和杂质半导体元件166a的示例性实施例可由高度掺杂有n型杂质(如磷(P))的n+氢化非晶硅制成，或者它们可由硅化物制成。
滤色器230B和230G形成在数据线171、连接电极176和驱动电压辅助件172上，其中，滤色器230B和230G的边界由图2中的箭头示出。滤色器230B和230G不形成在栅极线121的端部129和数据线171的端部179上，其中，栅极线121的端部129和数据线171的端部179连接到外部电路，滤色器230B和230G的边缘叠置在数据线171、栅极线121或驱动电压线122的延伸123上。如上所述，通过将滤色器230B和230G的边缘形成为叠置的，可以阻挡从像素之间泄漏的光。
由于在图2和图3中仅描述了两个像素PX1和PX2，所以图2和图3示出了绿色滤色器230G和蓝色滤色器230B。正如现有技术所公知的，可以交替地设置基色的滤色器，白色像素可***在这些滤色器之间，其中，白色像素是在其上没有形成滤色器的像素。
将参照图4更详细地描述滤色器230B、230G和230R。
图4是示出在根据本发明的OLED显示器的示例性实施例中多个像素的布置的示意图。
参照图4，用于显示红色的红色像素(R)、用于显示绿色的绿色像素(G)、用于显示蓝色的蓝色像素(B)和不显示任何颜色的白色像素(W)交替地设置在根据本发明的OLED显示器的示例性实施例中。通过在像素上方放置红色滤色器来形成红色像素(R)。因此，图2中示出的一对像素PX1和PX2的示例性实施例分别包括绿色像素和蓝色像素。在本示例性实施例中，包括红色像素(R)、绿色像素(G)、蓝色像素(B)和白色像素(W)的四个像素形成像素组，这种像素组沿着行和/或列重复地形成。可选择的示例性实施例包括可改变像素的布置的构造。
红色像素(R)、绿色像素(G)和蓝色像素(B)分别包括红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器。白色像素(W)不包括滤色器或可包括透明的白色滤色器。
图2和图3中示出的两个像素PX1和PX2可由图4中的虚线围绕的区域表示。
再次参照图2和图3，层间绝缘层(未示出)可形成在滤色器230G和230B的下方。层间绝缘层防止滤色器的颜料(pigment)流入开关半导体154a中。
钝化层180形成在滤色器230G和230B上。钝化层180的示例性实施例可由无机绝缘体如SiNx或SiO2、有机绝缘体或者低介电常数的绝缘体制成。
多个接触孔182形成在钝化层180中，并暴露数据线171的端部179。接触孔181形成在钝化层180和栅极绝缘层140中，以暴露栅极线121的端部129。另外，接触孔184和187形成在钝化层180和滤色器230G中，并暴露驱动电压辅助件172。多个接触孔183、185、186a和186b形成在钝化层180、滤色器230G和栅极绝缘层140中，用于暴露驱动输出电极175b和驱动电压线122。
多个像素电极191、多个跨桥(overpass)85以及多个接触辅助件81和82形成在钝化层180上。
像素电极191电连接到驱动输出电极175b。
跨桥85通过接触孔183、184、186a、186b和187连接到驱动电压线122和驱动电压辅助件172。另外，跨桥85同时连接到相邻像素的驱动电压线122和驱动电压辅助件172。
接触辅助件81和82分别通过接触孔181和182连接到栅极线121的端部129和数据线171的端部179。接触辅助件81和82提高了栅极线121的端部129和数据线171的端部179的粘附性，并保护它们。
像素电极191、跨桥85以及接触辅助件81和82的示例性实施例可由透明的导电材料(如ITO或IZO)制成。在顶部发射型显示器的情况下，来自OLED的光沿着远离基底110的方向被发射到外部，像素电极191、跨桥85以及接触辅助件81和82的示例性实施例可由铝、铝合金或具有高逸出功的不透明导体(例如Au、Pt、Ni、Cu、W或其组合物)制成。然而，在底部发射型显示器的情况下，如在本示例性实施例中，像素电极191、跨桥85以及接触辅助件81和82必须是透明的，以允许OLED产生的光在其穿过基底110传播到外部的通路上穿过像素电极191、跨桥85以及接触辅助件81和82。
绝缘堤(bank)361形成在像素电极191、跨桥85以及接触辅助件81和82上。绝缘堤361具有形成在像素电极191上并由绝缘堤361限定的开口365。绝缘堤361用作分隔件。绝缘堤361可由无机绝缘体或具有耐热性和耐溶剂性的有机绝缘体制成，所述有机绝缘体的示例性实施例包括丙烯酸树脂和聚酰亚胺树脂，所述无机绝缘体的示例性实施例包括二氧化硅(SiO2)和二氧化钛(TiO2)。可选择的示例性实施例包括这样的构造，即，绝缘堤361可形成为多于两层的结构。绝缘堤361的示例性实施例可由具有黑色颜料的感光材料制成。在这个示例性实施例中，绝缘堤361用作挡光元件，并且其制造工艺简单。
有机发光元件形成在开口365中。
有机发光元件包括：发射层370，用于发光；辅助层(未示出)，形成在发射层370的底部和/或顶部，用于提高发光效率。辅助层的示例性实施例包括空穴注入层(未示出)、电子注入层(未示出)、空穴传输层(未示出)和电子传输层(未示出)。
发射层370可发射白光。通过将经顺序层叠的发射红光、绿光和蓝光的材料从子发射层370p、370q和370r发射的光混合，可发射白光。本发明的可选择的示例性实施例包括这样的构造，即，子发射层水平地形成在发射层中。另外，用于发射白光的光的组合并不限于红光、绿光和蓝光。子发射层可形成为发射白光的各种颜色的组合。
发射层370的示例性实施例可由高分子量化合物或低分子量化合物制成，所述高分子量化合物例如聚芴衍生物、(聚)对苯撑乙烯撑((poly)paraphenylenevinylene)衍生物、聚对苯(polyphenylene)衍生物、聚乙烯咔唑(polyvinylcarbazole)衍生物和聚噻吩衍生物，所述低分子量化合物例如蒽、丁二烯(如四苯基丁二烯)、并四苯衍生物、联苯乙烯(distyrylarylene)衍生物、吲哚衍生物或咔唑衍生物，所述蒽的一个示例性实施例为9，10-二联苯蒽。另外，发射层370的示例性实施例可由高分子量化合物的示例性实施例或低分子量化合物的示例性实施例作为主体材料形成，并且主体材料随后可掺杂有掺杂剂。掺杂剂的示例性实施例包括呫吨(xanthene)、苝(perylene)、香豆素(cumarine)、若丹明(rhodamine)、红荧烯(rubrene)、二氰基亚甲基吡喃(dicyanomethylenepyan)化合物、噻喃(thiopyran)化合物、噻喃鎓(thiapyrylium)化合物、二茚并(1，2，3-cd:1′，2′，3′-lm)苝(periflanethene)衍生物、茚并苝(indenoperylene)衍生物、喹诺酮(carbostytyl)化合物、尼罗红(Nile red)和喹吖啶酮(quinacridone)。使用掺杂剂可提高发光效率。
然后，从发射层370发射的白光可穿过滤色器230G、230B或230R(未示出)以发射期望的颜色。如上所述，通过还包括白色像素(W)也包括红色、绿色和蓝色像素(R、G、B)可以提高显示器的整体亮度。
尽管在本示例性实施例中描述了滤色器230G和230B设置在发射层370下方的底部发射型显示器的示例性实施例，但是本发明同样可应用于滤色器230G和230B设置在发射层370上方的顶部发射型显示器。
如上所述，可以使用电子传输层(未示出)和空穴传输层(未示出)以及电子注入层(未示出)和空穴注入层(未示出)作为辅助层，其中，所述电子传输层和空穴传输层用于平衡电子和空穴，所述电子注入层和空穴注入层用于增强电子和空穴的注入。辅助层可形成为包括一层或多层其它层。空穴传输层和空穴注入层可由最高占据分子轨道(HOMO)能级在像素电极191的逸出功和发射层370的HOMO能级之间的材料制成。电子传输层和电子注入层可由最低占据分子轨道(LUMO)能级在共电极270的逸出功和发射层370的LUMO能级之间的材料制成。空穴传输层或空穴注入层的示例性实施例可由二胺(diamine)化合物、[4，4′，4″-三(3-甲基苯基)苯基氨]三苯胺(MTDATA，[4，4′，4″-tris(3-methylphenyl)phenylamino]triphenylamine)、N，N′-二苯基-N，N′-二(3-甲基苯基)-1，1′-联苯基-4，4′-二胺(TPD，N，N′-diphenyl-N，N′-di(3-methylphenyl)-1，1′-biphenyl-4，4′-diamine)、1，1-双(4-二-对-甲苯基氨基苯)环己烷(1，1-bis(4-di-p-tolylaminophenyl)cyclohexane)、N，N，N′，N′-四(2-萘基)-4，4-二氨基-对-三联苯(N，N，N′，N′-tetra(2-naphthyl)-4，4-diamino-p-terphenyl)、4，4′，4-三[(3-甲基苯基)苯基氨]三苯胺(4，4′，4-tris[(3-methylphenyl)phenylamino]triphenylamine)、聚吡咯(polypyrrole)、聚苯胺(polyaniline)或聚-(3，4-乙撑二氧噻吩：聚磺苯乙烯)(PEDOT:PSS)(poly-(3，4-ethylenedixoythiohenen:polystyrenesulfonate)制成。
共电极270形成在有机发光元件和绝缘堤361上。共电极270基本上横跨整个基底形成，并与像素电极191形成一对，以允许电流流入发射层370。
参照图1至图3，连接到栅极线121的开关控制电极124a、连接到数据线171的开关输入电极173a和开关输出电极175a与开关半导体154a一起形成开关TFT(Qs)。开关TFT(Qs)的沟道形成在开关输入电极173a和开关输出电极175a之间的开关半导体154a处。
驱动控制电极124b、驱动输入电极173b和驱动输出电极175b与驱动半导体154b一起形成驱动TFT(Qd)，其中，驱动控制电极124b连接到开关输出电极175a，驱动输入电极173b通过驱动电压线的延伸123连接到驱动电压线122，驱动输出电极175b通过接触孔185连接到像素电极191。驱动TFTQd的沟道形成在驱动输入电极173b和驱动输出电极175b之间的驱动半导体154b处。
如上所述，开关半导体154a的示例性实施例可由非晶半导体制成，驱动半导体154b可由微晶半导体或多晶半导体制成。即，开关TFT的示例性实施例的沟道在非晶半导体中形成，驱动TFT的示例性实施例的沟道在微晶半导体或多晶半导体中形成。
在本示例性实施例中，开关TFT和驱动TFT用结晶度不同的半导体形成。因此，可以满足TFT的每个所需的性能。
通过在多晶半导体中形成驱动TFT的沟道，可以获得高的载流子迁移率和稳定性。因此，流入有机发光器件的电流量增大，从而可以提高有机发光器件的亮度。另外，通过以微晶半导体或多晶半导体形成驱动TFT的沟道，可以防止阈值电压(Vth)漂移(threshold voltage shift)，从而防止图像残留(image sticking)问题并防止寿命缩短。阈值电压(Vth)漂移指的是为了使驱动晶体管导通，需要施加到该驱动晶体管的电压量成问题地增大。当驱动OLED显示器的同时连续施加正电压时，出现阈值电压(Vth)漂移。根据本发明的OLED显示器的示例性实施例能够用基本恒定的电压驱动OLED，从而避免了与导通电压一直增大有关的问题(如过热)，这些问题可导致TFT或OLED的毁坏并缩短显示器的寿命。
同时，由于开关TFT控制数据电压，所以开关TFT的导通/截止特性非常重要。具体地讲，减小截止电流非常重要。然而，微晶或多晶半导体具有大的截止电流，穿过由这种材料制成的开关TFT的数据电压会变小，并在同一行的开关TFT之间会发生串扰。因此，根据本发明的示例性实施例，开关TFT由具有小截止电流的非晶半导体制成，从而防止数据电压减小，并减少串扰或有效地防止串扰。
如上所述，描述的根据本发明的OLED显示器的示例性实施例仅具有一个开关TFT和一个驱动TFT。然而，根据本发明的OLED显示器还可以包括至少一个TFT和用于驱动TFT的多条线，这样即使长时间驱动OLED显示器，也可以补偿并防止有机发光二极管(OLED)和驱动TFT(Qd)的退化，从而防止OLED显示器的寿命缩短。
像素电极191、发射层370和共电极270形成OLED。像素电极191用作阳极，共电极270用作阴极。可选择的示例性实施例包括这样的构造，其中，像素电极191可用作阴极，共电极270可用作阳极。另外，相互叠置的连接电极176和驱动电压线122的延伸123形成存储电容器Cst。
以下，将参照图5至图19来描述制造图2和图3所示的OLED显示器的示例性实施例的方法的示例性实施例。
图6、图8、图12、图14、图16和图18是制造根据本发明的OLED显示器的示例性实施例的方法的顶部平面布局图。图5A和图5B是示出用于制造根据本发明的OLED显示器的示例性实施例的方法的示例性实施例的剖视图，图7是沿着线VII-VII′截取的图6中示出的OLED显示器的示例性实施例的剖视图，图9是沿着线IX-IX′截取的图8中示出的OLED显示器的示例性实施例的剖视图。图10和图11是示出图8和图9中示出的OLED显示器的示例性实施例的连续制造工艺的示例性实施例的剖视图，图13是沿着线XIII-XIII′截取的图12中示出的OLED显示器的示例性实施例的剖视图，图15是沿着线XV-XV′截取的图14中示出的OLED显示器的示例性实施例的剖视图。图17是沿着线XVII-XVII′截取的图16中示出的OLED显示器的示例性实施例的剖视图，图19是沿着线XIX-XIX′截取的图18中示出的OLED显示器的示例性实施例的剖视图。
在绝缘基底110上顺序地沉积非晶硅层和掺杂有杂质的非晶硅层，如图5A所示，通过使非晶硅层和掺杂有杂质的非晶硅层晶化，形成多晶硅层150b和掺杂有杂质的多晶硅层160b。可通过固相结晶(SPC)、快速热退火(RTA)、液相重结晶(LPR)、准分子激光退火(ELA)或其它各种结晶技术来执行结晶的示例性实施例。在本示例性实施例中，使用了SPC技术。
然后，在掺杂有杂质的多晶硅层160b上形成挡光层130，所述挡光层130的示例性实施例可由氧化铬制成。
然后，在挡光层130上涂覆感光层，通过使感光层曝光并显影，从而形成第一感光图案51和第二感光图案53，其中，第二感光图案53比第一感光图案51薄。第一感光图案51和第二感光图案53的厚度比可根据蚀刻工艺的条件改变。然而，在一个示例性实施例中，第二感光图案53的厚度小于第一感光图案51的厚度的一半。
如上所述，引入多种方法来形成根据在显示器上的位置而具有不同厚度的第一感光图案51和第二感光图案53。形成方法的示例性实施例包括具有透明区、挡光区和半透明区的曝光掩模。在半透明区中，设置有狭缝图案、格子图案或具有中间介电常数或一半厚度的薄膜。狭缝图案的示例性实施例具有这样的结构，即，狭缝的宽度和狭缝之间的距离可小于曝光装置的分辨率。
如图5B所示，通过利用第一感光图案51和第二感光图案53作为掩模来蚀刻掺杂有杂质的多晶硅层160b和多晶硅层150b，从而形成具有一定形状的掺杂有杂质的多晶硅图案161b和164b、半导体元件151b和驱动半导体154b，当从顶部平面图看时，掺杂有杂质的多晶硅图案161b和164b、半导体元件151b和驱动半导体154b的形状与多个挡光元件130a、131、132、133和134的形状基本相同。
然后，去除第二感光图案53，去除工艺的示例性实施例包括回蚀工艺。这里，在回蚀工艺之前，从第一感光图案51去除厚度与第二感光图案53的厚度相同的层。
如图6和图7所示，利用剩余的第一感光图案51作为掩模来去除通过回蚀工艺而暴露留下的挡光元件130a。结果，掺杂有杂质的多晶硅图案164b被暴露。
接下来，通过去除回蚀工艺没有去除而留下的第一感光图案51来形成驱动半导体154b、多个半导体元件151b、掺杂有杂质的多晶硅图案161b和164b以及多个挡光元件131、132、133和134。
如图8和图9所示，在挡光元件131、132、133和134、多晶硅图案164b以及基底110上沉积导电层。然后，通过光刻导电层来形成栅极线121、驱动电压线122、辅助元件127和驱动输出电极175b。栅极线121包括多个开关控制电极124a和其端部129，驱动电压线122包括具有多个驱动输入电极173b和存储电容导体125的延伸123。
这里，通过利用驱动输入电极173b和驱动输出电极175b作为掩模来干蚀刻掺杂有杂质的多晶硅图案164b，从而形成一对欧姆接触163b和165b。
如图10所示，在栅极线121、驱动电压线122、辅助件127、驱动输出电极175b和基底110上形成栅极绝缘层140、非晶硅层150a和掺杂有杂质的非晶硅层160a。形成方法的一个示例性实施例是等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。
之后，在掺杂有杂质的非晶硅层160a上形成导电层170。根据一个示例性实施例，可通过溅射来形成导电层170。
然后，在导电层170上涂覆感光层，通过使感光层曝光并显影来形成第一感光图案52和第二感光图案54，其中，第二感光图案54与第一感光图案52薄。
这里，布线区A指的是导电层170、掺杂有杂质的非晶硅层160a和非晶硅层150a的形成有信号线的部分。另外，沟道区B指的是开关控制电极124a上形成有沟道的预定区域。区域C指的是布线区A和沟道区B之外的剩余区域。
如前所述，在布线区A形成的第一感光图案52形成为比在沟道区B形成的第二感光图案54厚。去除在剩余区域C上形成的感光层。这里，根据后面的蚀刻工艺的条件来控制第一感光图案52和第二感光图案54的厚度比。在一个示例性实施例中，第二感光图案54的厚度可小于第一感光图案52的厚度的一半。
如图11所示，利用第一感光图案52和第二感光图案54作为掩模来去除在区域C中留下的暴露的导电层170，从而形成多个导电图案171、172、174a、176和179。根据本发明的一个示例性实施例，利用湿蚀刻工艺来去除导电层170。
然后，通过利用导电图案171、172、174a、176和179作为掩模来干蚀刻保留在剩余区域C中的掺杂有杂质的非晶硅层160a和非晶硅层150a，从而形成掺杂有杂质的非晶硅图案161a、164a和166a以及非晶硅图案151a和156a。
然后，去除在沟道区B中剩余的第二感光图案54。去除工艺的一个示例性实施例是回蚀工艺。这里，第一感光图案52的厚度至少减少去除的感光图案54的厚度那么多。
然后，通过利用第一感光图案52作为掩模来蚀刻导电图案171、172、174a、176和179，从而形成数据线171、连接电极176和驱动电压辅助件172，其中，数据线171包括开关输入电极173a和端部179，连接电极176包括开关输出电极175a和驱动控制电极124b。
如图12和图13所示，通过利用数据线171、开关输入电极173a和连接电极176作为掩模来去除掺杂有杂质的非晶硅图案164a的暴露区域，从而形成一对欧姆接触163a和165a。
如图14和图15所示，在数据线171、连接电极176、驱动电压辅助件172和基底110上涂覆滤色器230G和230B。为了形成图4中所示的像素布置的示例性实施例，可如下地形成滤色器230G和230B。在红色像素(R)形成红色滤色器，在绿色像素(G)形成绿色滤色器，在蓝色像素(B)形成蓝色滤色器。另外，在白色像素(W)，可不形成滤色器或者可形成透明的绝缘层。
如图16和图17所示，在滤色器230G和230B上沉积钝化层180，然后通过光刻和蚀刻钝化层180来形成多个接触孔181、182、183、184、185、186a、186b和187。
如图18和图19所示，在钝化层180上沉积透明导电层，所述透明导电层的示例性实施例可由ITO或IZO制成，然后通过光刻透明导电层来形成像素电极191、跨桥85以及接触辅助件81和82。
如图2和图3所示，在像素电极191、跨桥85和钝化层180上涂覆感光有机层，然后通过使感光有机层曝光并显影来形成具有多个开口365的绝缘堤361。
然后，在开口365中形成每个均具有发射层370和辅助层(未示出)的发光元件。可经溶液工艺(solution process)如喷墨印刷法或沉积来形成发光元件。发光层370通过将从子发射层370p、370q和370r发射的具有不同波长的光混合来发射白光，其中，所述子发射层370p、370q和370r按如上所述竖直地或水平地形成。
最后，在绝缘堤361和发光元件上形成共电极270。
以下，将参照图20和图21来描述根据本发明的OLED显示器的另一示例性实施例。
图20是示出根据本发明的OLED显示器的另一示例性实施例的顶部平面布局图，图21是沿线XXI-XXI′截取的图20中的OLED显示器的示例性实施例的剖视图。
如图20和图21所示，OLED显示器的本示例性实施例具有与OLED显示器的上述示例性实施例相似的结构。为了清晰，将使用相同的标号表示相似的结构。
在绝缘基底110上形成驱动半导体154b和与驱动半导体154b分开的多个半导体元件155，其中，所述驱动半导体154b的示例性实施例由微晶硅或多晶硅制成。
在驱动半导体154b的预定区域上形成蚀刻中止件(etch stopper)135。蚀刻中止件135形成为比驱动半导体154b窄，并且在蚀刻中止件135的两侧暴露驱动半导体154b。
在多个半导体元件155上形成多个挡光元件131、132、133和134。挡光元件131和132在基本水平的方向上延伸，挡光元件132包括从挡光元件132突出在基本竖直方向上延伸的挡光元件133。挡光元件134在基本竖直的方向上延伸。
挡光元件131、132、133和134具有与半导体元件155的形状基本相同的平面形状。
在驱动半导体154b、蚀刻中止件135以及挡光元件131、132、133和134上形成具有多个开关控制电极124a和端部129的多条栅极线121、具有多个延伸123的多条驱动电压线122、驱动输入电极173b、存储电容导体125、多个驱动输出电极175和多个辅助元件127。
在驱动输入电极173b和驱动半导体154b之间以及驱动输出电极175b和驱动半导体154b之间形成欧姆接触163b和165b，所述欧姆接触163b和165b的示例性实施例由掺杂有杂质的晶体硅制成。
在栅极线121、驱动电压线122、驱动输出电极175b和辅助元件127上形成栅极绝缘层140。
在栅极绝缘层140上形成具有开关半导体154a的多个线性半导体(未示出)和半导体元件157。
在驱动电压线122的延伸123、驱动输入电极173b和驱动输出电极175b上形成半导体元件157，以相互叠置。
在线性半导体、半导体元件157和栅极绝缘层140上形成具有多个开关输入电极173a和端部179的数据线171、具有开关输出电极175a和驱动控制电极124b的多个连接电极176以及多个驱动电压辅助件172。
在数据线171和线性半导体之间、在连接电极176和线性半导体之间以及在驱动电压辅助件172和半导体元件157之间形成杂质半导体元件158。
在数据线171、连接电极176和驱动电压辅助件172上形成滤色器230G和230B。在滤色器230G和230B上形成具有多个接触孔181、182、183、184、185、186a、186b和187的钝化层180。在钝化层180上形成多个像素电极191、多个跨桥85和多个接触辅助件81和82。
在像素电极191、跨桥85和接触辅助件81和82上形成绝缘堤361。在由绝缘堤361限定的像素电极191上的开口365中形成包括发射层370和辅助层(未示出)的有机发光元件，其中，所述发射层370具有子发射层370p、370q和370r。
在有机发光元件上形成共电极270。
如上所述，OLED显示器的本示例性实施例包括形成在驱动半导体154b上的蚀刻中止件135。当在形成欧姆接触163b和165b的过程中执行蚀刻工艺时，蚀刻中止件135防止驱动半导体154b被去除或被毁坏。
如上所述，防止由于TFT退化导致开关TFT中的数据电压减小。另外，防止传输到发光器件的电流量减小、OLED寿命缩短以及OLED显示器的显示特性退化。另外，在制造使用结构不同的TFT的显示器的过程中，通过合并共用层(common layer)减少掩模的数量，从而可以简化显示器的制造工艺。另外，通过减少对外部光的反射，可提高对比度。
尽管已经结合当前被认为是实际可行的示例性实施例描述了本发明，但是应该理解，本发明不限于在此公开的示例性实施例，而是相反，本发明意图覆盖包括在本发明的精神和范围内的各种修改和等价布置。

Claims (32)

1、一种有机发光二极管显示器，包括：
基底；
栅极线，形成在所述基底上；
数据线，与所述栅极线基本垂直地形成；
驱动电压线，包括平行于所述栅极线和所述数据线中的至少一个的部分；
挡光元件，形成在所述栅极线、所述数据线和所述驱动电压线中的至少一个的下方；
开关薄膜晶体管，连接到所述栅极线和所述数据线并包括非晶半导体；
驱动薄膜晶体管，连接到所述开关薄膜晶体管并包括晶体半导体；
发光二极管，连接到所述驱动薄膜晶体管。
2、根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述挡光元件包括第一层和第二层中的至少一个，其中，所述第一层包含不透明的导电材料，所述第二层包含不透明的导电材料的氧化物。
3、根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中，所述不透明的导电材料为铬。
4、根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述开关薄膜晶体管还包括：开关控制电极，连接到所述栅极线；开关输入电极，连接到所述数据线；开关输出电极，连接到所述驱动薄膜晶体管，
其中，所述驱动薄膜晶体管还包括：驱动控制电极，连接到所述开关输出电极；驱动输入电极，连接到所述驱动电压线；驱动输出电极，连接到像素电极，
其中，所述非晶半导体形成在所述开关控制电极上，
其中，所述晶体半导体形成在所述驱动控制电极下方。
5、一种有机发光二极管显示器，包括：
基底；
挡光元件，形成在所述基底上；
栅极线，形成在所述挡光元件上并包括开关控制电极；
第一非晶半导体，形成在所述开关控制电极上；
数据线，包括开关输入电极，其中，所述开关输入电极接触所述第一非晶半导体；
开关输出电极，所述开关输出电极面向所述开关输入电极
驱动控制电极，连接到所述开关输出电极；
第一晶体半导体，形成在所述基底上；
驱动电压线，包括驱动输入电极，其中，所述驱动输入电极接触所述第一晶体半导体；
驱动输出电极，所述驱动输出电极面向所述驱动输入电极；
像素电极，连接到所述驱动输出电极；
共电极，面向所述像素电极；
发光元件，设置在所述像素电极和所述共电极之间。
6、根据权利要求5所述的有机发光二极管显示器，其中，所述挡光元件包括第一层和第二层中的至少一个，其中，所述第一层包含不透明的导电材料，所述第二层包含不透明的导电材料的氧化物。
7、根据权利要求6所述的有机发光二极管显示器，其中，所述不透明的导电材料为铬。
8、根据权利要求5所述的有机发光二极管显示器，还包括第二晶体半导体，所述第二晶体半导体形成在所述挡光元件的下方并具有与所述挡光元件的形状基本相同的形状。
9、根据权利要求5所述的有机发光二极管显示器，其中，所述第一非晶半导体具有与所述数据线和所述开关输出电极的形状基本相同的形状，并且还设置在所述开关输入电极和所述开关输出电极之间。
10、根据权利要求5所述的有机发光二极管显示器，还包括形成在所述第一晶体半导体上的蚀刻中止件，其中，所述蚀刻中止件包含与所述挡光元件的材料基本相同的材料。
11、根据权利要求5所述的有机发光二极管显示器，还包括形成在所述基底和所述像素电极之间的滤色器。
12、根据权利要求11所述的有机发光二极管显示器，其中，所述发光元件包括多个发光层，其中，所述多个发光层的每个发射不同波长的光。
13、根据权利要求12所述的有机发光二极管显示器，其中，所述不同波长的光组合形成白光。
14、根据权利要求5所述的有机发光二极管显示器，还包括所述驱动电压线的延伸，所述延伸连接到所述驱动电压线。
15、根据权利要求14所述的有机发光二极管显示器，还包括形成在所述驱动电压线的延伸下方的第二非晶半导体，其中，所述第二非晶半导体具有与所述辅助驱动电压线的形状基本相同的形状。
16、根据权利要求15所述的有机发光二极管显示器，其中，同时形成所述栅极线、所述驱动电压线和所述驱动输出电极。
17、根据权利要求16所述的有机发光二极管显示器，其中，同时形成所述开关输出电极、所述驱动控制电极和所述辅助驱动电压线。
18、一种包括第一像素和与第一像素相邻的第二像素的有机发光二极管显示器，
其中，所述第一像素包括：
第一开关薄膜晶体管，连接到栅极线和第一数据线；
第一驱动薄膜晶体管，连接到所述第一开关薄膜晶体管和驱动电压线；
第一发光二极管，连接到所述第一驱动薄膜晶体管，
其中，所述第二像素包括：
第二开关薄膜晶体管，连接到所述栅极线和第二数据线；
第二驱动薄膜晶体管，连接到所述第二开关薄膜晶体管和所驱动电压线；
第二发光二极管，连接到所述第二驱动薄膜晶体管，
其中，挡光元件至少形成在所述栅极线、所述第一数据线、所述第二数据线和所述驱动电压线的部分的下方。
19、根据权利要求18所述的有机发光二极管显示器，其中
所述第一开关薄膜晶体管和所述第二开关薄膜晶体管中的至少一个包含非晶半导体；
所述第一驱动薄膜晶体管和所述第二驱动薄膜晶体管中的至少一个包含晶体半导体。
20、根据权利要求19所述的有机发光二极管显示器，其中，所述驱动电压线包括：
第一部分，基本平行于所述栅极线形成；
第二部分，从所述第一部分突出并设置在所述第一数据线和所述第二数据线之间，
其中，所述第一驱动薄膜晶体管和所述第二驱动薄膜晶体管连接到所述第二部分。
21、根据权利要求20所述的有机发光二极管显示器，其中，所述第一像素和所述第二像素关于所述驱动电压线的第二部分基本对称地设置。
22、根据权利要求18所述的有机发光二极管显示器，其中，所述第一像素和所述第二像素中的至少一个还包括形成在所述第一发光二极管和所述第二发光二极管中的至少一个的下方的滤色器。
23、根据权利要求22所述的有机发光二极管显示器，其中，所述第一发光二极管和所述第二发光二极管的至少一个发射白光。
24、一种制造有机发光二极管显示器的方法，包括：
在基底上形成多个晶体半导体和挡光元件；
在所述晶体半导体和所述挡光元件上形成栅极线、具有驱动输入电极的驱动电压线和驱动输出电极；
在所述栅极线、所述驱动电压线和所述驱动输出电极上形成多个非晶半导体、具有开关输入电极的数据线、开关输出电极和驱动控制电极；
在所述数据线、所述开关输出电极和所述驱动控制电极上形成钝化层；
在所述钝化层上形成连接到所述驱动输出电极的第一电极；
在所述第一电极上形成发光元件；
在所述发光元件上形成第二电极。
25、根据权利要求24所述的方法，其中，所述在基底上形成多个晶体半导体和挡光元件的步骤包括：
在所述基底上形成晶体半导体层；
在所述晶体半导体层上形成挡光层；
利用第一掩模来光刻所述晶体半导体层和所述挡光层。
26、根据权利要求24所述的方法，其中，所述在所述晶体半导体和所述挡光元件上形成栅极线、具有驱动输入电极的驱动电压线和驱动输出电极的步骤包括：
在所述晶体半导体和所述挡光元件上形成第一导电层；
利用第二掩模光刻所述第一导电层。
27、根据权利要求24所述的方法，其中，所述在所述栅极线、所述驱动电压线和所述驱动输出电极上形成多个非晶半导体、具有开关输入电极的数据线、开关输出电极和驱动控制电极的步骤包括：
在所述栅极线、所述驱动电压线和所述驱动输出电极上形成非晶半导体层；
在所述非晶半导体层上形成第二导电层；
利用第三掩模光刻所述非晶半导体层和所述第二导电层。
28、根据权利要求25所述的方法，其中，所述形成所述晶体半导体层的步骤包括：
在所述基底上形成非晶半导体层；
通过固相结晶使所述非晶半导体层晶化。
29、根据权利要求28所述的方法，还包括在形成所述非晶半导体层之后形成掺杂有杂质的非晶半导体层，
其中，在使所述非晶半导体层晶化的过程中，所述非晶半导体层和所述掺杂有杂质的非晶半导体层一起被结晶。
30、根据权利要求25所述的方法，其中，用具有第一部分和第二部分的感光图案来执行所述光刻，所述第二部分的厚度小于所述第一部分的厚度。
31、根据权利要求27所述的方法，其中，用具有第一部分和第二部分的感光图案执行所述光刻，所述第二部分的厚度小于所述第一部分的厚度。
32、根据权利要求24所述的方法，还包括在形成所述钝化层之前形成滤色器。
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