CN101018044A - 多带滤波器模块以及制造该模块的方法 - Google Patents

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Abstract

公开一种多带滤波器模块以及制造该多带滤波器模块的方法。将至少一个上滤波器沉积在第一衬底的上表面上。第一封装衬底对沉积在第一衬底上的上滤波器进行封装。将至少一个下滤波器沉积在第二衬底的上表面上。第二封装衬底对沉积在第二衬底上的下滤波器进行封装。第一衬底的下表面连接到第二衬底的下表面以彼此面对。

Description

多带滤波器模块以及制造该模块的方法
技术领域
与本发明一致的设备和方法涉及一种多带滤波器模块以及制造该模块的方法，更具体地说，涉及一种通过至少两个封装的滤波器提供多带功能的多带滤波器模块以及制造该模块的方法。
背景技术
全球移动通信***(GSM)是这样一种通信技术：人们可在世界上的许多国家方便地使用移动通信装置，而无需国际漫游。GSM在欧洲已经广泛使用。
GSM大致划分为GSM 850、GSM 900、GSM 1800和GSM 1900的频段。如果在***中使用上述频段中的两个，则称为双频段，如果使用三个频段，则称为三频段。如果使用四个频段，则称为四频段。为了实现双频段功能，应该向传统移动通信装置提供至少两个收发器滤波器。为了实现四频段功能，应该向传统移动通信装置提供至少四个收发器滤波器。
图1是示意性示出现有技术移动通信装置中使用的四频段滤波器模块的示图。
参照图1，现有技术四频段滤波器模块100包括成线形布置在衬底120上的四个滤波器111、112、113和114。由上晶片130和下晶片140对衬底上的这些滤波器进行封装。这些滤波器111至114分别在GSM 850、GSM 900、GSM 1800和GSM 1900的频段中通信。
然而，在现有技术滤波器模块中，四个滤波器111至114在一个衬底120上布置成一行，因此，增加了在滤波器模块100的上晶片130上提供的输出焊块150_1、150_2、……、150_n(其中n是常数)的数量。例如，在向滤波器111至114中的每个提供六个电极的情况下，在上晶片130上提供24个输出焊块，而在下晶片140上没有提供输出焊块。
因此，在接近地布置在滤波器模块100的输出焊块之间产生耦合现象，这导致外部噪声或滤波器111至114之间的干扰的流入。此外，由于耦合现象，现有技术滤波器模块100不能执行根据频带的精确滤波，因此降低产品的产出(yield)。
发明内容
开发本发明以针对与多带滤波器模块的滤波器中的传统布置关联的上述缺点和问题。本发明的一方面在于提供一种多带滤波器模块和制造该模块的第一，其可通过分布靠近地布置在衬底上的输出焊块来减少耦合现象并改善装置的产出。
本发明的另一方面在于提供一种多带滤波器模块和制造该模块的方法，其可减少集成滤波器的尺寸，并提高制造滤波器的便利性以降低制造成本。
根据本发明，通过提供一种多带滤波器模块来基本实现上述和其它方面，该模块包括：第一衬底，具有沉积在第一衬底的上表面上的至少一个上滤波器；第一封装衬底，对沉积在第一衬底上的所述至少一个上滤波器进行封装；第二衬底，具有沉积在第二衬底的上表面上的至少一个下滤波器；以及第二封装衬底，对沉积在第二衬底上的所述至少一个下滤波器进行封装。第一衬底的下表面连接到第二衬底的下表面，以彼此面对。
第一封装衬底可包括：第一晶片，通过在第一衬底的两侧上提供的第一和第二密封部分连接到第一衬底；以及第二晶片，沉积在第一晶片上，并包括电连接到所述至少一个上滤波器并形成在第二晶片的上表面上的多个焊块。
优选地，但并非必须地，第二封装衬底可包括：第三晶片，通过在第二衬底的两侧上提供的第三和第四密封部分连接到第二衬底；以及第四晶片，沉积在第三晶片上，并包括电连接到所述至少一个下滤波器并形成在第四晶片的上表面上的多个焊块。
所述至少一个上滤波器可包括下述滤波器中的至少一个：第一滤波器，沉积在第一衬底的第一区域上，以对第一频带中的频率进行滤波；以及第二滤波器，沉积在第一衬底的第二区域上，离开第一滤波器预定距离，以对第二频带中的频率进行滤波。
所述至少一个下滤波器可包括下述滤波器中的至少一个：第三滤波器，沉积在第二衬底上，以对第三频带中的频率进行滤波；以及第四滤波器，沉积在第二衬底上，离开第三滤波器预定距离，以对第四频带中的频率进行滤波。
所述至少一个上滤波器或所述至少一个下滤波器可包括：全球移动通信***(GSM)850频带滤波器、GSM 900频带滤波器、GSM 1800频带滤波器以及GSM 1900频带滤波器的不同滤波器中的至少一个，以执行多带滤波。
可通过在相同衬底上集成至少两个不同频带滤波器来形成所述至少一个上滤波器或所述至少一个下滤波器。
所述至少一个上滤波器或所述至少一个下滤波器是薄膜体声波共振器(FBAR)。
所述至少一个上滤波器或所述至少一个下滤波器可包括：腔体，形成在第一和第二衬底的预定区域上，彼此离开预定距离；下电极，位于第一和第二衬底上以覆盖腔体；压电层，位于下电极上；以及上电极，位于压电层上。
第一衬底或第二衬底可包括至少一个腔体，并且形成在第一衬底上的所述至少一个腔体被连接到形成在第二衬底上的所述至少一个腔体以彼此面对。
根据本发明另一方面，提供一种制造多带滤波器模块的方法，该方法包括：(a)将至少一个上滤波器沉积在第一衬底的上表面上；(b)对沉积在第一衬底上的所述至少一个上滤波器进行封装；(c)将至少一个下滤波器沉积在第二衬底的上表面上；(d)对沉积在第二衬底上的所述至少一个下滤波器进行封装；以及(e)将第一衬底的下表面连接到第二衬底的下表面以彼此面对。
在操作(a)中，所述至少一个上滤波器中的每一个可沉积在第一衬底的不同区域，所述至少一个上滤波器彼此离开预定距离，并且操作(b)包括：(b1)提供第一晶片，并在第一晶片上沉积第二晶片，所述第二晶片包括形成在第二晶片的上表面上并且电连接到所述至少一个上滤波器的多个焊块，以及(b2)通过在第一衬底的两侧提供的第一和第二密封部分将第一晶片连接到第一衬底。
在操作(c)中，所述至少一个下滤波器中的每一个可沉积在第二衬底的不同区域上，所述至少一个下滤波器彼此离开预定距离，并且步骤(d)包括：(d1)提供第三晶片，并在第三晶片上沉积第四晶片，所述第四晶片包括形成在第四晶片的上表面上并且电连接到所述至少一个下滤波器的多个焊块，以及(d2)通过在第二衬底的两侧提供的第三和第四密封部分将第二衬底连接到第三晶片。
附图说明
通过下面结合附图进行的对特定实施例的描述，本发明的上述方面和特点将会变得更加清楚，其中：
图1是示意性示出现有技术移动通信装置中使用的四频带滤波器模块的示图；
图2是示意性示出根据本发明示例性实施例的具有多带功能的滤波器模块的垂直纵向截面图；
图3A和图3B是示出根据本发明示例性实施例的图2中所示的第一滤波器模块和第二滤波器模块的垂直纵向截面图；
图4A至4C是解释根据本发明示例性实施例的制造图2中所示的第一滤波器模块的处理的垂直纵向截面图；
图5A至5C是解释根据本发明示例性实施例的制造图2中所示的第二滤波器模块的处理的垂直纵向截面图；以及
图6是解释根据本发明示例性实施例的第一滤波器模块连接到第二滤波器模块的处理的示图。
具体实施方式
将参照附图更加详细地描述本发明的特定示例性实施例。
在以下描述中，即使在不同的附图中，相同的标号也表示相同的部件。诸如详细构造和部件的在描述中定义的内容仅被提供以帮助全面理解本发明。因此，应理解，可在没有这些定义的内容的情况下实施本发明。此外，由于公知功能或构造将在不必要的细节上使本发明模糊，因此将省略对其的详细描述。
图2是示意性示出根据本发明示例性实施例的具有多带功能的滤波器模块的垂直纵向截面图。图3A和图3B是示出根据本发明示例性实施例的图2中所示的第一滤波器模块和第二滤波器模块的垂直纵向截面图。
参照图2，根据本发明示例性实施例的滤波器模块200包括第一滤波器模块300、第二滤波器模块400、第一至第n焊块200_1、200_2、……、以及200_n(其中，n是常数)。
在移动通信装置上安装滤波器模块200以通过使用至少两个滤波器来向装置提供多带功能。在该示例性实施例中，以下将描述使用四个滤波器的四频段功能。用于本发明示例性实施例的四个滤波器是GSM 850频带滤波器、GSM 900频带滤波器、GSM 1800频带滤波器和GSM 1900频带滤波器。每一频段的频率范围如下。
GSM 850频段位于824至894MHz的范围、GSM 900频段位于880至960MHz的范围、GSM 1800频段位于1710至1880MHz的范围、GSM 1900频段位于1850至1990MHz的范围。
在提供双频段功能的情况下，可使用与四个GSM频段中的两个频段对应的两个滤波器。
根据SOC(System-On-Chip，片上***)和SIP(System-In-Package，***级封装)技术在滤波器模块200中集成本发明示例性实施例中使用的四个滤波器。例如，通过将至少两个不同频带滤波器集成在相同衬底上来制成上滤波器和下滤波器中的至少一个，并将上滤波器和下滤波器集成地封装，下文将对其进行描述。
参照图3A，第一滤波器模块300包括第一滤波器310、第二滤波器320、第一衬底330、第一封装衬底340、第一密封部分351、第二密封部分352、第一金属361和第二金属362。
按照以下方式来配置第一滤波器模块300，作为上滤波器的第一滤波器310和第二滤波器320形成在第一衬底330和第一封装衬底340之间，从而提供双频段功能。
为此，第一滤波器模块300采用第一滤波器310和第二滤波器320以对相似频带滤波。也就是说，第一滤波器310对第一频带中的频率滤波，第二滤波器320对第二频带中的频率滤波。例如，第一滤波器310对GSM 850频段中的频率滤波，第二滤波器320对GSM 900频段中的频率滤波。
通过薄膜体声波共振器(下文中称为“FBAR”)来实现第一滤波器310和第二滤波器320。FBAR可以最小成本大批量生产，并可以容易地变薄和变轻。此外，通过SOC技术由第一滤波器模块300来实现第一滤波器310和第二滤波器320。SOC技术在于将具有不同功能的装置集成为一个芯片，从而缩短在装置之间发送数据所需的时间，并改进其可靠性。
由FBAR实现的第一滤波器310包括第一腔体311、下电极312、压电层313、上电极314。第一腔体311通过对第一衬底330进行湿法蚀刻或干法蚀刻而形成，并可由气隙(air gap)类型FABR来实现。下电极312位于第一衬底330的上表面的第一期望区域中，以覆盖第一腔体311。压电层313位于下电极312的上表面上，上电极314位于压电层313上。
由诸如金属的导电材料制成下电极312和上电极314，并将氮化铝(AlN)或氧化锌(ZnO)用作典型压电材料，但本发明不限于此。可将溅射和蒸发中的任意一个用作沉积方法。这样，如果下电极312和上电极314连接到电源，则压电层313由于上和下电极之间的声波而导致生成压电现象以进行共振。
第二滤波器320具有与第一滤波器310相似的结构，因此在此省略其详细描述。然而，第二滤波器320离开第一滤波器310预定距离，并位于第一衬底330的第二期望区域上。沉积第二滤波器320的下电极以覆盖第二腔体321。
第一封装衬底340具有第一晶片341和第二晶片342。第一晶片341粘附到第一衬底330的两侧，即在第一滤波器310和第二滤波器320的每一侧提供的第一密封部分351和第二密封部分352。第二晶片342沉积在第一晶片341上，并具有以外部电源电连接第一滤波器310和第二滤波器320的多个焊块200_1、200_2、……、200_n。
第一金属361、第二金属362、第一连接电极371、第二连接电极372、第一耦合电极381、第二耦合电极382、第一焊块电极391、以及第二焊块电极392充当多个焊块200_1、200_2等、第一滤波器310以及第二滤波器320之间的电路径。为此，第一金属361和第二金属362可主要包括金或锡化金。
按以下方式来配置图3B所示的第二滤波器模块400：作为下滤波器的第三滤波器410和第四滤波器420形成在第二衬底430和第二封装衬底440之间，从而提供双频段功能。为此，第二滤波器模块400采用第三滤波器410和第四滤波器420以对相似频带滤波。也就是说，第三滤波器410对第三频带中的频率滤波，第四滤波器420对第四频带中的频率滤波。例如，第三滤波器410对GSM 1800频段中的频率滤波，第四滤波器420对GSM 1900频段中的频率滤波。
由FBAR来实现第三滤波器410和第四滤波器420。通过SOC技术由第二滤波器模块400来实现第三滤波器410和第四滤波器420。以相似于形成第一滤波器310和第二滤波器320的方法来制造第三滤波器410和第四滤波器420，在此不对其进行描述。然而，第三金属461、第四金属462、第三穿孔(piercing)电极471、第四穿孔电极472、第三耦合电极481、第四耦合电极482、第三焊块电极491、以及第四焊块电极492充当第四晶片442提供的多个焊块200_3、200_4等、第三滤波器410和第四滤波器420之间的电路径。
通过SIP技术将第一滤波器模块300和第二滤波器模块400彼此粘附。SIP技术用于执行将多个芯片作为一个封装的表面贴装，这样缩短了设计周期，并适用于装置的小型化。
提供第一至第n焊块200_1至200_n以将第一至第四滤波器310、320、410、420与外部电源连接，并且可用球形焊块(ball bump)类型来实现第一至第n焊块200_1至200_n。将引线键合到第一至第n焊块200_1至200_n。将第一至第n焊块200_1至200_n提供在第二晶片342和第四晶片442的上表面，如图2所示。
图4A至4C是解释根据本发明示例性实施例的制造图2中所示的第一滤波器模块的处理的垂直纵向截面图。
首先，如图4A所示，对第一频带中的频率滤波的第一滤波器310沉积在第一衬底330上。在此情况下，第一滤波器310具有形成在第一衬底330上的第一腔体311。第二滤波器320离开第一滤波器310预定距离，并沉积在第一衬底330上。第二滤波器320具有下电极312。第一密封部分351、第二密封部分352、第一金属361以及第二金属362粘附到第一衬底330的两侧。
接下来，如图4B所示，第二晶片342沉积在第一晶片341上，第一和第二焊块200_1和200_2电连接到提供在第二晶片342的上表面上的第一滤波器310和第二滤波器320。第一密封部分351、第二密封部分352、第一金属361和第二金属362粘附到第一晶片341的底部表面。第一穿孔电极371、第二穿孔电极372、第一耦合电极381、第二耦合电极382、第一焊块电极391、以及第二焊块电极392形成在第一晶片341和第二晶片342上。
参照图4C，如图4A所示的在第一衬底330的底部表面上提供的第一密封部分351、第二密封部分352、第一金属361以及第二金属362分别连接到如图4B所示的在第一晶片341的底部表面上提供的第一密封部分351、第二密封部分352、第一金属361以及第二金属362，这样来制造第一滤波器模块300。
图5A至5C是解释根据本发明示例性实施例的制造图2中所示的第二滤波器模块的处理的垂直纵向截面图。
首先，如图5A所示，对第三频带中的频率滤波的第三滤波器410沉积在第二衬底430上。在此情况下，第三滤波器410具有形成在第二衬底430上的第三腔体411。第四滤波器420离开第三滤波器410预定距离，并沉积在第二衬底430上。第四滤波器420具有第四腔体412。第三密封部分451、第四密封部分452、第三金属461以及第四金属462粘附到第二衬底430的两侧。
接下来，如图5B所示，第四晶片442沉积在第三晶片441上，第三和第n焊块200_3和200_n电连接到提供在第四晶片442的上表面上的第三滤波器410和第四滤波器420。第三密封部分451、第四密封部分452、第三金属461和第四金属462粘附到第三晶片441的底部表面。第三穿孔电极471、第四穿孔电极472、第三耦合电极481、第四耦合电极482、第三焊块电极491、以及第四焊块电极492形成在第三晶片441和第四晶片442上。
参照图5C，如图5A所示的在第二衬底430的底部表面上提供的第三密封部分451、第四密封部分452、第三金属461以及第四金属462分别连接到如图5B所示的在第三晶片441的底部表面上提供的第三密封部分451、第四密封部分452、第三金属461以及第四金属462，这样来制造第二滤波器模块400。
标号300a、300b、300c、400a、400b和400c是耦合部件，每一个形成在第一衬底330的底部表面和第二衬底430的底部表面上，以将第一滤波器模块300连接到第二滤波器模块400，并且可用金属制成。耦合部件300a、300b、300c、400a、400b和400c优选地在第一滤波器模块300和第二滤波器模块400完成之后形成，但本发明不限于此。
如果制成第二滤波器模块400，如图6所示，则在第一至第n焊块200_1、200_2、……、200_n形成在第二晶片342的上端和第四晶片442的上端之后，通过引线键合将第一至第n焊块200_1、200_2、……、200_n连接到第一至第四滤波器310、320、410和420。例如，经由第一焊块100_1以及第一封装衬底340将功率传递到第一滤波器310。当封装第一滤波器模块300和第二滤波器模块400时，按照第一衬底330的底部表面与第二衬底430的底部表面面对的方式来连接第一衬底330和第二衬底430。这样，完全地制造支持GSM标准的滤波器模块。
同时，本发明可不仅应用于使用GSM的移动通信装置的接收机，还可应用于使用通用移动通信***(UMTS)的移动通信装置的接收机。UMTS用于通过GSM和宽带码分多址(WCDMA)发送和接收数据，并可发送和接收具有高性能的声音信号和运动图像信号。
在本发明示例性实施例中，分别使用适用于GSM 850、GSM 900、GSM1800和GSM 1900的第一至第四滤波器310、320、410和420来提供四频段功能。然而，这是示例性的，本发明还可应用作为对GSM 850、GSM 900、GSM 1800和GSM 1900中的两个频段或三个频段滤波的双频段和三频段。
通过以上描述，根据多带滤波器模块及其制造方法，滤波器模块使用至少两个滤波器，从而执行多带滤波。在此情况下，由于通过SIP技术封装至少两个滤波器，因此与现有技术相比，减少了用于该处理的晶片的数量，减小了尺寸，并节约了制造成本。
由于连接每一滤波器与外部电极的焊块分布在滤波器模块的上表面和下表面上，因此减少了焊块的数量，从而减少了耦合现象，并因此增加了产出。
此外，由于在滤波器模块的上和下表面上提供每一焊块，因此可方便地执行处理。
由于通过SOC技术和SIP技术来制造四频段滤波器模块，因此缩短的处理时间，并且容易对设备小型化。
具体地说，对相似频带滤波的至少两个滤波器通过SOC技术而集成，从而改善了滤波器模块的性能，并简化了处理。
前述实施例和优点仅时示例性的，而不应理解为限制本发明。该教导可容易地应用于其它类型的设备。此外，本发明的示例性实施例的描述期望示出权利要求的范围，而并非对其进行限制，许多替换、修改和改变对于本领域技术人员是明显的。

Claims (22)

1、一种多带滤波器模块，包括：
第一衬底，具有沉积在第一衬底的上表面上的至少一个上滤波器；
第一封装衬底，对沉积在第一衬底上的所述至少一个上滤波器进行封装；
第二衬底，具有沉积在第二衬底的上表面上的至少一个下滤波器；以及
第二封装衬底，对沉积在第二衬底上的所述至少一个下滤波器进行封装；
其中，第一衬底的下表面连接到第二衬底的下表面，以彼此面对。
2、如权利要求1所述的多带滤波器模块，其中，第一封装衬底包括：
第一晶片，通过在第一衬底的两侧上提供的第一和第二密封部分连接到第一衬底；以及
第二晶片，沉积在第一晶片上，并包括电连接到所述至少一个上滤波器并形成在第二晶片的上表面上的多个焊块。
3、如权利要求1所述的多带滤波器模块，其中，第二封装衬底包括：
第三晶片，通过在第二衬底的两侧上提供的第三和第四密封部分连接到第二衬底；以及
第四晶片，沉积在第三晶片上，并包括电连接到所述至少一个下滤波器并形成在第四晶片的上表面上的多个焊块。
4、如权利要求1所述的多带滤波器模块，其中，所述至少一个上滤波器包括下述滤波器中的至少一个：
第一滤波器，沉积在第一衬底的第一区域上，以对第一频带中的频率进行滤波；以及
第二滤波器，沉积在第一衬底的第二区域上，离开第一滤波器预定距离，以对第二频带中的频率进行滤波。
5、如权利要求4所述的多带滤波器模块，其中，所述至少一个下滤波器包括下述滤波器中的至少一个：
第三滤波器，沉积在第二衬底上，沉积在第二衬底上，以对第三频带中的频率进行滤波；以及
第四滤波器，沉积在第二衬底上，离开第三滤波器预定距离，以对第四频带中的频率进行滤波。
6、如权利要求5所述的多带滤波器模块，其中，第一、第二第三和第四滤波器中的每一个包括：频带滤波器，对来自其它滤波器的不同频带进行滤波；以及
其中，与第三或第四滤波器的频带相比，第二滤波器的频带更相似于第一滤波器的频带，与第一或第二滤波器相比，第三滤波器的频带更相似于第四滤波器的频带。
7、如权利要求5所述的多带滤波器模块，其中，第一、第二第三和第四滤波器中的每一个分别包括：
第一、第二、第三和第四腔体，其中，第一和第二腔体分别形成在第一衬底的第一和第二预定区域，第三和第四腔体分别形成在第二衬底的第三和第四预定区域；
第一、第二、第三和第四下电极，其中，第一和第二下电极位于第一衬底上，以分别覆盖第一和第二腔体，第三和第四下电极位于第二衬底上，以分别覆盖第三和第四腔体；
第一、第二、第三和第四压电层，分别位于第一、第二第三和第四下电极上：以及
第一、第二、第三和第四上电极，分别位于第一、第二第三和第一压电层上。
8、如权利要求7所述的多带滤波器模块，其中，第一腔体连接到第三腔体，第二腔体连接到第四腔体。
9、如权利要求1所述的多带滤波器模块，其中，所述至少一个上滤波器或所述至少一个下滤波器包括：全球移动通信***(GSM)850频带滤波器、GSM 900频带滤波器、GSM 1800频带滤波器以及GSM 1900频带滤波器中的一个，以执行多带滤波。
10、如权利要求1所述的多带滤波器模块，其中，通过在作为第一衬底或第二衬底的相同衬底上集成至少两个不同频带滤波器来形成所述至少一个上滤波器或所述至少一个下滤波器。
11、如权利要求10所述的多带滤波器模块，其中，从GSM 850频带滤波器、GSM 900频带滤波器、GSM 1800频带滤波器以及GSM 1900频带滤波器中选择所述至少两个不同的频带滤波器。
12、如权利要求1所述的多带滤波器模块，其中，所述至少一个上滤波器或所述至少一个下滤波器是薄膜体声波共振器(FBAR)。
13、如权利要求12所述的多带滤波器模块，其中，所述至少一个上滤波器包括：
腔体，形成在第一衬底的预定区域；
下电极，位于第一衬底上以覆盖腔体；
压电层，位于下电极上；以及
上电极，位于压电层上。
14、如权利要求13所述的多带滤波器模块，其中，所述至少一个下滤波器包括：
腔体，形成在第二衬底的预定区域；
下电极，位于第二衬底上以覆盖腔体；
压电层，位于下电极上；以及
上电极，位于压电层上。
15、如权利要求14所述的多带滤波器模块，其中，形成在第一衬底的预定区域上的腔体连接到形成早第二衬底的预定区域上的腔体。
16、一种制造多带滤波器模块的方法，该方法包括：
(a)将至少一个上滤波器沉积在第一衬底的上表面上；
(b)对沉积在第一衬底上的所述至少一个上滤波器进行封装；
(c)将至少一个下滤波器沉积在第二衬底的上表面上；
(d)对沉积在第二衬底上的所述至少一个下滤波器进行封装；以及
(e)将第一衬底的下表面连接到第二衬底的下表面以彼此面对。
17、如权利要求16所述的方法，其中，在操作(a)中，所述至少一个上滤波器中的每一个沉积在第一衬底的不同区域，所述至少一个上滤波器彼此离开预定距离，并且操作(b)包括：
(b1)提供第一晶片，并在第一晶片上沉积第二晶片，所述第二晶片包括形成在第二晶片的上表面上并且电连接到所述至少一个上滤波器的多个焊块，以及
(b2)通过在第一衬底的两侧提供的第一和第二密封部分将第一晶片连接到第一衬底。
18、如权利要求17所述的方法，其中，在操作(c)中，所述至少一个下滤波器中的每一个沉积在第二衬底的不同区域上，所述至少一个下滤波器彼此离开预定距离，并且步骤(d)包括：
(d1)提供第三晶片，并在第三晶片上沉积第四晶片，所述第四晶片包括形成在第四晶片的上表面上并且电连接到所述至少一个下滤波器的多个焊块，以及
(d2)通过在第二衬底的两侧提供的第三和第四密封部分将第二衬底连接到第三晶片。
19，如权利要求16所述的方法，其中，所述至少一个上滤波器或所述至少一个下滤波器是薄膜体声波共振器(FBAR)。
20、如权利要求16所述的方法，其中，所述至少一个上滤波器或所述至少一个下滤波器包括：全球移动通信***(GSM)850频带滤波器、GSM 900频带滤波器、GSM 1800频带滤波器以及GSM 1900频带滤波器中的一个，以执行多带滤波。
21、如权利要求16所述的方法，其中，通过在作为第一衬底或第二衬底的同一衬底上集成至少两个不同频带滤波器来形成所述至少一个上滤波器或所述至少一个下滤波器。
22、如权利要求21所述的方法，其中，从GSM 850频带滤波器、GSM900频带滤波器、GSM 1800频带滤波器以及GSM 1900频带滤波器中选择所述至少两个不同的频带滤波器。
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