CN100594562C - 透明导电体 - Google Patents

透明导电体 Download PDF

Info

Publication number
CN100594562C
CN100594562C CN200610066500A CN200610066500A CN100594562C CN 100594562 C CN100594562 C CN 100594562C CN 200610066500 A CN200610066500 A CN 200610066500A CN 200610066500 A CN200610066500 A CN 200610066500A CN 100594562 C CN100594562 C CN 100594562C
Authority
CN
China
Prior art keywords
transparent conductive
conductive body
mentioned
conductive layer
electroconductive particle
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN200610066500A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1841573A (zh
Inventor
安田德行
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TDK Corp filed Critical TDK Corp
Publication of CN1841573A publication Critical patent/CN1841573A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100594562C publication Critical patent/CN100594562C/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
    • H01B5/14—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/04—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of carbon-silicon compounds, carbon or silicon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/06—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances
    • H01B1/08—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/06—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances
    • H01B1/12—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances organic substances
    • H01B1/124—Intrinsically conductive polymers
    • H01B1/127—Intrinsically conductive polymers comprising five-membered aromatic rings in the main chain, e.g. polypyrroles, polythiophenes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/14—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material
    • H01B1/16—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material the conductive material comprising metals or alloys
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
    • Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
    • Y10T428/264—Up to 3 mils
    • Y10T428/265—1 mil or less
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31507—Of polycarbonate
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31511—Of epoxy ether
    • Y10T428/31515—As intermediate layer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31652—Of asbestos
    • Y10T428/31663—As siloxane, silicone or silane
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31786—Of polyester [e.g., alkyd, etc.]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31855—Of addition polymer from unsaturated monomers
    • Y10T428/31935—Ester, halide or nitrile of addition polymer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31855—Of addition polymer from unsaturated monomers
    • Y10T428/31938—Polymer of monoethylenically unsaturated hydrocarbon

Abstract

本发明提供一种透明导电体，其包括基体、以及含有导电性粒子和导电性高分子的导电层。优选为，所述导电性高分子包含选自聚乙炔、聚吡咯、聚噻吩、聚苯乙炔、聚亚苯基、聚硅烷、聚芴和聚苯胺的至少1种化合物的透明导电体。

Description

透明导电体
技术领域
本发明涉及透明导电体。
背景技术
透明电极被使用于LCD以及PDP、有机EL、触摸屏等中，且作为这样的透明电极目前使用的是透明导电体。透明导电体是由基体和导电层形成的，这些透明导电体是在基体上形成了溅射膜(导电层)的物质，或是形成了由导电性粒子和粘结剂构成的导电层的物质。但是，在高湿度环境下或有机溶剂、有机气体等的化学物质气氛(以下也称为“高湿度环境下等”)中使用这些透明导电体时，会存在，慢慢地吸收水分或化学物质，透明导电体自身的电阻值上升，且该电阻值随时间的变化也变大的趋势。
因此，将这种透明导电体用于例如触摸屏等中、置于上述环境中时，触摸屏等的工作有可能慢慢变得不稳定。
于是，人们希望有抑制电阻值的上升和随时间的变化的透明导电体。例如，有人提出，作为固着导电性粒子的树脂，使用可以使吸湿性小的苯氧基树脂、或苯氧基树脂与环氧树脂的混合树脂，或者聚偏氟乙烯光透过性导电材料(参照例如日本特开平08-78164号公报、日本特开平11-273874号公报)。
但是，在上述日本特开平08-78164号公报、日本特开平11-273874号公报中记载的使用了可以减小吸湿性的树脂的透明导电体，也存在，在特别的高湿度环境下等中长期使用时电阻值上升的情况。
发明内容
本发明是鉴于上述情况而做出的，目的在于，提供即使在高湿度环境下等中也可以充分抑制透明导电体中的电阻值的上升和随时间的变化的透明导电体。
本发明者们为了解决上述课题进行了专心研究，并认为：透明导电体中产生的电阻值上升和随时间变化可能是由于导电性粒子之间的接合点被切断而引起的。因此，本发明者们认为：如果在导电层中包含、即使在导电性粒子之间的接合点被切断的情况下也可以电补偿的物质，可能可以抑制透明导电体的电阻值的上升和随时间的变化。于是，本发明者们基于该推测进行了进一步的反复专心的研究，其结果是发现由以下的发明能够解决上述课题，完成了本发明。
即，本发明提供的透明导电体具备基体、和含有导电性粒子以及导电性高分子的导电层，导电层设置在基体的一面上。此外，在本发明中，导电性高分子是指通过π键具有导电性的高分子。在这里，本发明中的透明导电体包括膜状和板状的透明导电体，膜状透明导电体是指厚度在50nm～1mm的范围内的透明导电体，板状透明导电体是指厚度超过1mm的透明导电体。
根据该透明导电体，由于通过在导电层上含有导电性高分子，可以使存在于导电性粒子周围的导电性高分子与该导电性粒子接触，所以，可以进行透明导电体的电补偿。即，上述透明导电体，即使在导电层中由于水分或溶剂、有机气体等的化学物质的扩散而产生导电层的膨胀，导电性粒子之间的接合点被切断的情况下，也可以通过导电性高分子导电。因此，根据本发明的透明导体，即使在高湿环境下等，也可以充分抑制透明导电体中的电阻值的上升及随时间的变化。
此外，由此，即使在透明导电体的导电层上产生裂缝，上述透明导电体也可以充分抑制电阻值的上升及随时间的变化。
而且，本发明的透明导电体相比于使用绝缘性的粘结剂的现有的透明导电体，在导电性粒子之间存在导电性方面优异的导电性高分子。所以，由于导电性高分子进行电补偿，上述透明导电体可以降低初期的电阻值。
在上述透明导电体中，导电性高分子优选包含选自聚乙炔、聚吡咯、聚噻吩、聚苯乙炔(poly(phenylene vinylene))、聚亚苯基、聚硅烷、聚芴和聚苯胺的至少一种化合物。
当上述透明导电体的导电层中含有的导电性高分子是上述化合物时，上述透明导电体可以使电补偿更可靠。因此，此时，即使在高湿环境下等，也可以充分抑制透明导电体中的电阻值的上升及随时间的变化。此外，上述导电性高分子缺少与粘结剂的化学反应性，可以提高导电层的耐久性。
在上述透明导电体中，导电性高分子优选包含聚噻吩。此时，可以形成光线透过率和导电性优异的导电层。
在上述透明导电体中，优选导电性高分子为胶体状。使用聚噻吩作为导电性高分子时，在上述透明导电体中，由于聚噻吩作为胶体存在并与导电性粒子接触，所以，可以使其与多个其它导电性粒子接触。所以，可以使透明导电体的电补偿更可靠。
此外，由于一个粒子形成许多导电路径，所以即使在导电层上发生裂缝或变形、而使一对导电性粒子间的导电路径失去的情况下，上述透明导电体也可以通过其它的导电路径确保导电性粒子间的导电路径。所以，根据本发明的透明导电体可以进一步抑制上述透明导电体的电阻值。此外，由于形成了许多导电路径，所以，还有降低透明导电体的电阻的效果。
在上述透明导电体中，聚噻吩优选为以下述通式(1)表示的化合物。
Figure C20061006650000071
[式(1)中，R1和R2分别独立地表示氢原子、可以具有取代基的碳原子数1～10的烃基、可以具有取代基的芳基、或者、R1和R2共同构成4～20元环的碳原子或杂原子。而前述烃基可以是链状也可以是环状。此外，在前述环中除了R1和R2之外也可以含有其它杂原子，前述环也可以是芳香环。n表示正整数。]
上述聚噻吩是以上述通式(1)表示的化合物时，可以制成透明性优异的透明导电体，也可以进一步降低该透明导电体的电阻率。
根据本发明可以提供即使在高湿度环境下也可以充分抑制透明导电体中的电阻值的上升及随时间的变化的透明导电体。
附图说明
图1是表示本发明的透明导电体的第1实施方式的截面示意图。
图2是表示本发明的透明导电体的第2实施方式的截面示意图。
具体实施方式
以下，根据必要参照附图详细说明本发明的优选实施方式。此外，在附图中，对于相同要素标注相同符号，省略重复说明。此外，附图的尺寸比例不限于图示的比例。
[第1实施方式]
首先，说明本发明的透明导电体的第1实施方式。
图1是表示本发明的透明导电体的第1实施方式的截面示意图。如图1所示，本实施方式的透明导电体10由基体14和导电层15被层叠而成。该导电层15具有导电性粒子11和导电性高分子12。导电性粒子11被填充于导电层15中，且接触导电性高分子。
透明导电体10中，导电性粒子11之间优选为互相接触，且在与透明导电体10的导电层15的基体14相反侧的表面10a上露出一部分导电性粒子11。由此，上述透明导电体10可以显示导电性。
下面，说明上述透明导电体10的导电层15和基体14。
<导电层>
导电层15含有导电性粒子11和导电性高分子12。下面说明导电性粒子11和导电性高分子12。
(导电性粒子)
导电性粒子11由透明导电性氧化物构成。透明导电性氧化物材料只要具有透明性和导电性就没有特别限定，作为该透明导电性氧化物材料可以举出，例如，氧化铟，或在氧化铟中掺杂有选自锡、锌、碲、银、镓、锆、铪或镁的至少1种以上的元素的物质，氧化锡，或在氧化锡中掺杂有选自锑、锌或氟的至少1种以上的元素的物质，氧化锌，或在氧化锌中掺杂有选自铝、镓、铟、硼、氟或锰的至少1种以上的元素的物质等。
此外，上述导电性粒子11的平均粒径优选为10nm～80nm。平均粒径不到10nm时，与平均粒径为10nm以上的情况相比，透明导电体10的导电性有容易变动的趋势。即，本实施方式相关的透明导电体10是通过在导电性粒子11中产生氧缺陷表现导电性，而导电性粒子11的粒径不到10nm时，与粒径处于上述范围的情况相比，会有例如，外部的氧浓度较高时氧缺陷减少，导电性发生变动的可能。另一方面，平均粒径超过80nm时，与粒径处于上述范围的情况相比，有例如，在可见光的波长范围内，与平均粒径在80nm以下的情况相比光散射增大，在可见光的波长范围内透明导电体2a的透射比降低，雾度值增加的趋势。
进一步，透明导电层15中的导电性粒子11的填充率优选为10体积％～70体积％。填充率不到10体积％时，与填充率为上述范围的情况相比较，透明导电体10的电阻值有升高的趋势，填充率超过70体积％时，与填充率为上述范围的情况相比较，形成导电层15的膜的机械强度有降低的趋势。
这样，当导电性粒子11的平均粒径和填充率处于上述范围内时，上述透明导电体10可以进一步提高透明度，而且可以降低初期的电阻值。
此外，导电性粒子11的比表面积优选为10m2/g～50m2/g。比表面积不到10m2/g时，与比表面积在上述范围时相比，可见光的光散射有增大的趋势，比表面积超过50m2/g时，与比表面积在上述范围时比较，透明导电体2a的稳定性有降低的趋势。此外，这里所说的比表面积是指使用比表面积测定装置(型号：NOVA2000，カンタクロ一厶社制)将试样在300℃下真空干燥30分钟后测定的值。
(导电性高分子)
导电性高分子12优选包含选自聚乙炔、聚吡咯、聚噻吩、聚苯乙炔(poly(phenylene vinylene))、聚亚苯基、聚硅烷、聚芴和聚苯胺的至少1种化合物。
导电性高分子是上述化合物时，可以使电补偿更可靠。因此，此时，即使在高湿环境下等也可以充分抑制透明导电体中的电阻值的上升及随时间的变化。此外，上述导电性高分子缺少与粘结剂的化学反应性，可以提高导电层的耐久性。
其中，导电性高分子更优选包含聚噻吩。此时，可以形成光线透过率和导电性优异的导电层。
在上述透明导电体中优选导电性粒子凝聚。使用聚噻吩作为导电性高分子时，由于在上述透明导电体中导电性粒子凝聚，可以在导电性粒子的周围使多个其它导电性粒子接触，所以，可以使透明导电体的电补偿更可靠。即，上述透明导电体，即使在导电层上发生裂缝等，而使一对导电性粒子间的接触失败时，也可以通过其它的导电性粒子导电。所以，根据本发明的透明导电体，可以进一步抑制上述透明导电体的电阻值上升。
并且，通过使导电性粒子凝聚，由于相邻的导电性粒子间的距离变小，上述透明导电体，在光透过透明导电体时，即使在一个导电性粒子中发生光散射的情况下，也可以通过相邻的导电性粒子减小光散射的范围。由此，可以减小雾度值，提高透明导电体的透明度。
在上述聚噻吩中，优选含有以下述通式(1)表示的化合物。
Figure C20061006650000101
[式(1)中，R1和R2分别独立地表示，氢原子、可以具有取代基的碳原子数1～10的烃基、可以具有取代基的芳基、或者、R1和R2共同构成4～20元环的碳原子或杂原子。前述烃基可以是链状也可以是环状。此外，在前述环中可以含有R1和R2以外的其它杂原子，前述环也可以是芳香环。n表示正整数。]
上述聚噻吩是以上述通式(1)表示的化合物时，可以制成透明性优异的透明导电体，也可以进一步降低该透明导电体的电阻率。
在这里，上述式(1)中，n优选为50～1000。n的值不到50时，相比于n的值在上述范围时，有缺乏形状保持性的趋势；n的值超过1000时，相比于n的值在上述范围时，由于胶体的形状变得过大，有光线透过性下降的趋势。此外，作为上述可以具有取代基的碳原子数1～10的烃基的取代基，虽然没有特别限定，但可以举出以下述化学式(2a)、(2b)表示的基团。
-GOO-     (2a)
-SO3 -     (2b)
而且，作为上述可以具有取代基的芳基的取代基，虽然没有特别限定，但可以举出碳原子数4～22的链状烃基等。此外，作为上述芳基，可以举出例如，苯基、甲苯基、二甲苯基、联苯基、萘基、蒽基、菲基等。
其中，聚噻吩更优选是以下述通式(3)～(5)表示的化合物。
Figure C20061006650000111
Figure C20061006650000112
Figure C20061006650000113
[式(3)～(5)中，p、q、r分别独立地表示正整数。]
这里，式(3)中，p优选为50～1000。若p的值不到50，相比于p的值在上述范围时，有缺乏形状保持性的趋势；若p的值超过1000，则与p的值在上述范围时比较，由于胶体的形状变得过大，有光线透过性下降的趋势。此外，式(4)中，q优选为50～1000。若q的值不到50，则与q的值在上述范围时比较，有缺乏形状保持性的趋势；若q的值超过1000，则与q的值在上述范围时比较，由于胶体的形状变得过大，有光线透过性下降的趋势。此外，式(5)中，r优选为50～1000。若r的值不到50，则与r的值在上述范围时比较，有缺乏形状保持性的趋势；若r的值超过1000，则与r的值在上述范围时比较，由于胶体的形状变得过大，有光线透过性下降的趋势。
当上述聚噻吩是以上述通式(3)～(5)表示的化合物时，可以制成透明性优异的透明导电体，可以进一步降低该透明导电体的电阻率。
其中，更优选是以上述通式(3)表示的导电性高分子。此外，上述通式(3)表示的导电性高分子相当于聚阳离子，作为对离子的阴离子的种类没有特别限定。在该阴离子中，优选使用以下述通式(6)表示的聚阴离子(聚苯乙烯磺酸)。
Figure C20061006650000121
[式(6)中，s表示正整数。]
此时，可以制成透明性更优异的透明导电体，也可以进一步降低该透明导电体的电阻率。
这里，上述式(6)中，s优选为10～100。若s的值不到10，则与s的值在上述范围时比较，有缺乏形状保持性的趋势；若s的值超过100，则与s的值在上述范围时比较，由于胶体的形状变得过大，有光线透过性下降的趋势。
本实施方式中所用的导电性高分子12的配合量，相对于导电性粒子和导电性高分子的合计100质量份，优选为2质量份～10质量份。若配合量不到2质量份，则与配合量在上述范围时相比较，有导电层的电阻值变高的趋势；若配合量超过10质量部，则与配合量在上述范围时相比较，有光线透过率下降的趋势。
此外，导电性高分子的胶体形状优选为直径在5nm～50nm。若胶体的大小在5nm以下，则与胶体形状在上述范围时相比较，有导电层的机械强度下降的趋势；若胶体形状超过50nm，则与胶体形状在上述范围时相比较，有光线透过率下降的趋势。
上述导电层15的厚度优选为50nm～5μm。若厚度不到50nm，则与厚度处于上述范围时相比较，有耐磨损性下降的趋势；若厚度超过5μm，则与厚度处于上述范围时相比较，由于导电层15的表面粗糙度和折射率的影响等而发生闪光等，有可见度降低的趋势。
这样，本实施方式相关的透明导电体10，由于具备含有上述导电性粒子11和上述导电性高分子12的导电层15，所以，可以使存在于导电性粒子周围的导电性高分子12与该导电性粒子11接触。即，可以进行透明导电体10的电补偿。因此，上述透明导电体10，即使在导电层15中由于水分或溶剂、有机气体等的化学物质的扩散而发生导电层15的膨胀，导电性粒子11之间的接合点被切断的情况，也可以通过导电性高分子12进行导电。所以，根据本发明的透明导电体10，即使在高湿度环境下等也可以充分抑制透明导电体中的电阻值的上升以及随时间的变化。
此外，由此，即使在透明导电体10的导电层15上产生裂缝时，也可以充分抑制电阻值的上升及随时间的变化。
而且，上述透明导电体10，相比于使用绝缘性的粘结剂13a的现有的透明导电体，在导电性粒子11之间存在导电性方面优异的导电性高分子12。所以，上述透明导电体10，由于导电性高分子12进行电补偿，可以降低初期的电阻值。
(任意成分)
本实施方式相关的透明导电体10的导电层15中也可以包含粘结剂。导电层15含有粘结剂时可以提高导电层15的机械强度。
作为该粘结剂可以举出丙烯酸树脂、环氧树脂等。
其中，作为粘结剂优选使用丙烯酸树脂。此时，与使用其它粘结剂的情况相比较，可以降低导电层的折射率。即，包括含有丙烯酸树脂的导电层的透明导电体可以提高透明性。此外，丙烯酸树脂在对于酸·碱的耐化学药品性方面优异，同时在耐刮性(表面硬度)方面也优异。因此，包括含有丙烯酸树脂的导电层的透明导电体，可以更好地适用于可能被含有有机溶剂、表面活性剂等的擦拭剂擦拭，以及可能与相对的导电面发生接触、摩擦的触摸屏。
此外，上述导电层15含有粘结剂时优选还含有交联剂。在导电层15中含有交联剂时，由于可以使粘结剂之间发生交联，所以可以使导电层15的结构更紧密。因此，此时，可以阻碍外部的水分浸入到导电层15内。
而且，在上述导电层中也可以含有硅烷耦合剂、硅氨烷化合物、钛酸盐耦合剂、铝酸盐耦合剂、或者膦酸盐耦合剂等的表面处理剂。其中，优选硅烷耦合剂、或硅氨烷化合物。
包括含有上述表面处理剂的导电层的透明导电体，由于表面处理剂与导电性粒子表面的羟基结合，可以使该导电性粒子的表面具有疏水性，所以，可以抑制由于吸收水分而使透明导电体膨胀的现象的发生。因此，此时，即使在高湿度环境下等中长期使用透明导电体的情况下，也可以充分地抑制透明导电体的电阻值的上升。此外，上述表面处理剂可以单独使用1种，也可以混合2种以上使用。
此外，作为交联剂，优选分子内具有多个乙烯基的交联剂。由于交联剂的乙烯基结合，该交联剂可以形成相当于乙烯基数目的个数的交联点。从这样的观点出发，优选乙烯基的数目很多，具体优选为2～100。此外，若上述乙烯基的数目超过100，则与乙烯基的数目处于上述范围的情况相比，有由于抑制***而降低交联密度的趋势。
此外，导电层也可以根据需要进一步含有添加剂。作为添加剂，除了上述的表面处理剂、交联剂以外，可以举出光聚合引发剂、阻燃剂、紫外线吸收剂、染色剂、增塑剂等。
<基体>
下面说明基体。基体14只要由对后述的高能射线和可见光透明的材料构成，就没有特别限定。即，基体14可以是公知的透明薄膜，例如，可以举出，聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)等的聚酯薄膜，聚乙烯和聚丙烯等的聚烯烃薄膜，聚碳酸酯薄膜，丙烯酸薄膜，降冰片烯薄膜(JSR(株)制，ア一トン等)等。除了树脂薄膜以外，作为基体14也可以使用玻璃。此外，上述基体14优选只由树脂构成。此时，与基体14含有树脂、及树脂以外的物质的情况相比，透明导电体10成为透明性、弯曲性优异的透明电导体。因此，将该透明导电体10用于例如触摸屏时特别有效。
<制造方法>
下面，对于作为导电性粒子11使用在氧化铟中掺杂锡的物质(以下，称为“ITO”)的情况，就本发明相关的透明导电体10的制造方法进行说明。
首先，在未图示的基板上载置导电性粒子11和导电性高分子12，形成含有导电性粒子11和导电性高分子12的导电层。下面，说明导电性粒子11。
首先，通过使用碱对氯化铟和氯化锡进行中和处理，使其共沉淀(沉淀工序)。此时的副产物盐通过倾析法和离心分离法除去。对所得共沉淀物进行干燥，对所得干燥物进行气氛烧结以及粉碎的处理。这样，制造了导电性粒子11。从氧缺陷的控制的角度出发，优选在氮气氛或者氦、氩、氙等的稀有气体气氛中进行上述烧结的处理。
混合这样得到的导电性粒子11和导电性高分子12，将其作为混合液。此外，当混合液的粘度高而加工困难时，或者，导电性高分子12为固体时等情况下，通过使导电性粒子11和导电性高分子12分散于液体中，制成混合液。作为分散上述导电性粒子11和导电性高分子12的液体，可以举出，己烷等的饱和烃类，甲苯、二甲苯等的芳香族烃，甲醇、乙醇、丙醇、丁醇等醇类，丙酮、甲基乙基酮、异丁基甲基酮、二异丁基酮等的酮类，醋酸乙酯、醋酸丁酯等的酯类，四氢呋喃、二恶烷、二***等的醚类，N，N-二甲基乙酰胺、N，N-二甲基甲酰胺、N-甲基吡咯烷酮等的酰胺类。此时，也可以将导电性高分子12溶解在上述液体中使用。此外，在该混合液中也可以含有上述的丙烯酸树脂(粘结剂)等的任意成分。
通过将这样得到的混合液涂布于上述基板上，制成导电层15。作为基板，例如，除了玻璃以外，还可以使用聚酯、聚乙烯、聚丙烯等的薄膜或各种塑料基板等。另外，使用上述液体时，优选涂布后实施干燥工序。此外，上述涂布方法，可以用逆转辊涂布法，同向辊涂布法，刮板涂布法，刮刀涂布法，挤出涂布法，喷嘴涂布法，帘流涂布法，凹板辊(gravure roll)涂布法，刮条涂布法，浸渍涂布法，单面给胶涂布(kiss coat)法，旋涂法，挤压辊式涂布法，喷涂法等方法涂布。
然后，在上述导电层15上粘贴基体14。另外，在该基体14上，也可以在与导电层15的粘结面上预先设置固定层。如果在基体14上预先设置固定层，则可以通过固定层使导电层15更牢固地粘合在基体14上。作为上述固定层优选使用聚氨酯。
接着，加热固化构成上述导电层15的混合液。此外，当上述导电层15含有光固化性的粘结剂时，也可以从基体14向导电层15照射高能射线使其固化。另外，上述的高能射线，例如除了紫外线以外，也可以是电子束，γ射线，X射线等。
然后，通过从基板上剥离上述导电层15和基体14，导电层15形成在基体14的一面上，得到如图1所示的透明导电体10。
该透明导电体10，除了触摸屏以外，也可以应用于光透过开关等的面板开关，而且除了面板开关以外，也可以适用于噪音应对部件及发热体，EL用电极，背景光用电极，LCD，PDP等的用途中。
[第2实施方式]
下面，说明本发明的透明导电体的第2实施方式。并且，对于与第1实施方式相同或同等的构成要素标注相同符号，省略重复说明。
图2为表示本发明的透明导电体的第2实施方式的断面示意图。如图2所示，本实施方式的透明导电体20与上述第1实施方式的透明导电体10的不同之处在于，在基体14与导电层15之间还包括粘结剂层13。
在本实施方式的透明导电体20中，由于在基体14和导电层15之间层叠有粘结剂层13，所以，在长期使用透明导电体20时，即使基体14形变或弯折，上述粘结剂层13也能发挥缓冲其力的功能，可以抑制导电层15和基体14同样地发生形变或弯折。因此，即使是长期使用上述透明导电体20的情况下，该透明导电体20也可以充分抑制裂缝进入导电层15中。
<粘结剂层>
下面说明粘结剂层13。
上述粘结剂层13由粘结剂13a构成。作为该粘结剂13a没有特别限定，但具体可以使用丙烯酸树脂、环氧树脂等。此外，除了这些以外，也可以使用固化了光固化性化合物、热固化性化合物的物质。作为该光固化性化合物，只要是由光进行固化的有机化合物即可，作为热固化性化合物，只要是由热进行固化的有机化合物即可。这里，在上述有机化合物中含有作为上述粘结剂13a的原料的物质，具体来说，含有可以形成粘结剂13a的单体、二聚物、三聚物、低聚物等。
其中，作为粘结剂13a优选使用丙烯酸树脂。此时，与使用其它粘结剂13a的情况相比较，可以降低粘结剂层13的折射率。即，包括含有丙烯酸树脂的粘结剂层13的透明导电体20，不仅可以发挥上述的缓冲功能，而且可以是透明性充分优良的透明导电体。此外，丙烯酸树脂在对于酸·碱的耐化学药品性方面优异，同时在耐刮性(表面硬度)方面也优异。因此，包括含有丙烯酸树脂的粘结剂层13的透明导电体20，可以更好地适用于可能被含有有机溶剂、表面活性剂等的擦拭剂擦拭，以及可能与相对的导电面发生接触、摩擦的触摸屏。
此外，上述粘结剂13a优选由光固化性化合物形成。此时，由于可以控制固化反应，而且固化所需要时间短，具有工序管理简便的优点。
作为上述光固化性化合物，可以优选使用含有乙烯基和环氧基、或含有它们的衍生物的单体等。它们可以单独使用1种，也可以混合2种以上使用。
此外，虽然为了使粘结剂层13发挥上述的缓冲功能，构成粘结剂层13的粘结剂13a优选为柔软的物质，但是，粘结剂13a柔软时的透明导电体有难以长期维持粘结剂层13的形态的趋势。此时，优选在粘结剂层13中还含有填充剂。这样的话，即使在粘结剂层13中使用柔软的粘结剂13a的情况下，也可以保持粘结剂层13的形态。
作为上述填充剂没有特别限定，可以使用芳族聚酰胺、聚苯乙烯珠、丙烯酸珠那样的有机填充剂，二氧化硅、玻璃、二氧化铝、氧化锆、二氧化钛、ITO、氧化锡、氧化锌等那样的无机填充剂等。
其中，优选使用二氧化硅、玻璃、ITO、氧化锡、氧化锌等的无机填充剂。如果使用上述无机填充剂，本实施方式的透明导电体具有可以得到高透明性的优点。
此外，在上述无机填充剂中，更优选使用ITO、氧化锡、氧化锌。此时，由于该无机填充剂自身显示导电性，可以使所得到的透明导电体的电补偿更可靠。即，即使在导电层中产生裂缝等、导电性粒子间的接触失败的情况下，也可以通过上述无机填充剂导电。因此，可以抑制上述透明导电体的电阻值上升。此外，为了提高导电性，上述导电性无机填充剂也可以掺杂一种或多种元素。
此外，在上述粘结剂层13中优选还含有交联剂。在粘结剂层中含有交联剂时，由于在透明导电体中可以使粘结剂13a之间发生交联，所以，可以使粘结剂层的结构更紧密。因此，此时，可以阻碍外部的水分浸入到粘结剂层内。
此外，粘结剂层13也可以根据必要进一步含有添加剂。作为添加剂，除了上述的填充剂、交联剂以外，还可以举出光聚合引发剂、阻燃剂、紫外线吸收剂、染色剂、增塑剂等。
在本实施方式相关的透明导电体20中，导电性粒子11的填充率优选为10体积％～70体积％。填充率不到10体积％时，与填充率在上述范围时相比，透明导电体20的电阻值有升高的趋势，填充度超过70体积％时，与填充率在上述范围时相比，形成导电层15的膜的机械强度有降低的趋势。
此外，上述导电层15的厚度优选为50nm～5μm。若厚度不到50nm，则与厚度处于上述范围时相比，有耐磨损性下降的趋势；若厚度超过5μm，则与厚度处于上述范围时相比，由于导电层15的表面粗糙度和折射率的影响等发生闪光等，有可见度降低的趋势。
并且，上述粘结剂层13的厚度优选为500nm～10μm。若厚度不到500nm，则与厚度处于上述范围时相比，有耐磨损性下降的趋势；若厚度超过10μm，则与厚度处于上述范围时相比，有导电层15的光线透过率降低的趋势。
<制造方法>
下面，说明本实施方式相关的透明导电体20的制造方法。
首先，在未图示的基板上载置导电性粒子11和导电性高分子12的混合物。此时，优选在基板上预先设置用于在基板上固定导电性粒子11的固定层。如果预先设置固定层，则可以将导电性粒子11牢固地固定在基板上。可以容易地进行上述导电性粒子11的载置。作为上述固定层，优选使用例如聚氨酯等。
此外，为了将导电性粒子固定在基板上，优选将导电性粒子11朝向基板一侧压缩而形成压缩层。此时不形成固定层，而能够将导电性粒子11粘着于基板上，是有用的。此压缩可以通过纸页压榨器(sheetpress)、辊式压制机(roll press)等进行。此外，此时也优选在基板上预先设置固定层。此时，可以将导电性粒子11更牢固地固定。作为上述基板，除了玻璃以外，还可以使用例如，聚酯，聚乙烯，聚丙烯等的薄膜和各种塑料基板等。
这样形成压缩层(导电层15)后形成粘结剂层13。粘结剂13a使用可由后述的高能射线固化的粘结剂。此外，粘结剂13a的粘度高而加工困难时，或者，粘结剂13a为固体时等情况下，通过将粘结剂13a分散于液体中，制成分散液。作为分散上述粘结剂13a的液体，可以举出己烷等的饱和烃类，甲苯、二甲苯等的芳香族烃，甲醇、乙醇、丙醇、丁醇等的醇类，丙酮、甲基乙基酮、异丁基甲基酮、二异丁基酮等的酮类，醋酸乙酯、醋酸丁酯等的酯类，四氢呋喃、二恶烷、二***等的醚类，N，N-二甲基乙酰胺、N，N-二甲基甲酰胺、N-甲基吡咯烷酮等的酰胺类。此时，也可以将粘结剂13a溶解在上述液体中使用。此外，在该粘结剂13a中也可以添加填充剂或交联剂。
上述粘结剂13a或粘结剂13a的分散液被涂布于上述压缩层的一面上。这样，粘结剂13a的一部分就浸透压缩层。另外，使用上述液体时，优选涂布后实施干燥工序。此外，上述涂布方法，可以用例如，逆转辊涂布，同向辊涂布法，刮板涂布法，刮刀涂布法，挤出涂布法，喷嘴涂布法，帘流涂布法，凹板辊(gravure roll)涂布法，刮条涂布法，浸渍涂布法，单面给胶涂布(kiss coat)法，旋涂法，挤压辊式涂布法，喷涂法等方法涂布。
然后，在上述粘结剂层13上粘贴基体14。另外，在该基体14上，也可以在与粘结剂层13的粘接面上预先设置固定层。如果在基体14上预先设置固定层，则可以通过固定层使粘结剂层13更牢固地固着在基体14上。作为上述固定层优选使用聚氨酯等。
然后，从在上述粘结剂层上设置的基体11上照射高能射线，使上述粘结剂13a和浸透于压缩层的粘结剂13a的一部分固化。此外，作为上述粘结剂13a和浸透于压缩层的粘结剂13a的一部分使用热固化性树脂时，通过加热使其固化。此外，上述的高能射线，例如，除了紫外线以外，也可以是电子束，γ射线，X射线等。
然后通过从基板上剥离上述导电层15和基体14，在基体14的一面上形成压缩层(导电层15)以及粘结剂层13，得到如图2所示的透明导电体20。
该透明导电体20，除了触摸屏以外，也可以应用于光透过开关等的面板开关，而且除了面板开关以外，也可以适用于噪音应对部件及发热体，EL用电极，背景光用电极，LCD，PDP等的用途中。
以下，通过实施例更具体地说明本发明，但本发明并不限于这些实施例。
(导电性粒子的制造)
将溶解19.9g四水合氯化铟(关东化学社制)和2.6g四氯化锡(关东化学社制)于980g水中得到的水溶液，以及，用水稀释10倍氨水(关东化学社制)得到的溶液，边调制边混合，生成白色的沉淀物(共沉淀物)。
用离心分离机将含有生成的沉淀物的液体固液分离，得到固形物。将其进一步投入到1000g水中，用均化器分散，用离心分离机进行固液分离。反复进行5次分散和固液分离后，干燥固形物，在氮气氛中、在600℃下加热1小时，得到了ITO粉(导电性粒子)。由该ITO粉和水制备混合水。此时混合水中含有的导电性粒子的含有率为1质量％。然后，用pH计测定了该混合水的pH，该混合水的pH为3.0，氯元素在检出界限以下。
(实施例1)
将上述ITO粉(导电性粒子，平均粒径30nm)10质量份和デナトロン4001(导电性高分子，固形物浓度：1.5wt％，Nagase ChemteXCorporation制，商品名)33质量份混合，调制了混合液。在预实施有中介涂层(anchor coat)(松下电工株式会社制：商品名フレツセラN)的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜A(基板，帝人株式会社制100μm厚)上用刮条涂布法涂布该混合液，使得干燥后的膜厚为10μm。
然后在该涂布面上重叠PET薄膜B，从PET薄膜B的重叠面的相反侧的上方，对于PET薄膜B的面以9.8MPa的压力压缩涂布的混合液。然后，去掉PET薄膜B将其作为压缩层(导电层)。
然后，将丙烯酸聚合物(粘结剂13a，平均分子量约10万，每1分子含有平均25个基团的丙烯酰基以及平均25个基团得三乙氧基硅烷)50质量份、2-羟基-3-苯氧基丙基丙烯酸酯(粘结剂13a，新中村化学工业株式会社制，商品名：702A)30质量份、二季戊四醇六丙烯酸酯(粘结剂13a，新中村化学工业株式会社制，商品名：A-DPH)5质量份、聚氨酯改性丙烯酸酯(粘结剂13a，新中村化学工业株式会社制，商品名：UA-100H)15质量份、以及光聚合引发剂(Ciba SpecialtyChemicals Co.Ltd.制，商品名：IRGACURE819)5质量份分散于甲基乙基酮(MEK)50质量份中，将其作为分散液，用刮条涂布法在压缩层上涂布该分散液。
使MEK挥发后，将50mm方形的玻璃制基体粘合于上述分散液的涂布面上，通过以卤化金属灯为光源以累计照度量1000mJ/cm2进行照射，使粘结剂13a固化，制成粘结剂层。
然后，通过剥离PET薄膜A，得到包括含有ITO粉和导电性高分子的导电层、以及粘结剂层的透明导电体A。
(实施例2)
除了将实施例1中使用的デナトロン4001改变为66质量份以外，与实施例1同样地进行，得到了透明导电体B。
(比较例1)
除了不使用デナトロン4001以外，与实施例1同样地进行，得到了透明导电体C。
[评价方法]
(透明导电膜的电阻评价)
对于通过上方法得到的透明导电体A～C进行了如下的电阻评价。即，对于如上所得的透明导电膜的预先设定的测定点，用四端四探针式表面电阻测定器(三菱化学社制MCP-T600)测定了电阻值，将该电阻值作为初期电阻值。然后，将此透明导电膜在60℃95％RH环境下放置1000小时，将其取出后，使该透明导电膜降至室温，再次测定加湿前预先设定的测定点上的电阻值，将其作为加湿后的电阻值。然后，根据下式：
变化率＝加湿后电阻值/初期电阻值
算出了变化率。结果如表1所示。
(表1)
  初期电阻值(Ω/□)   加湿后电阻值(Ω/□)   电阻值的变化率
  实施例1   246   258   1.05
  实施例2   205   209   1.02
  比较例1   584   672   1.15
表1表明，实施例1以及2相比于比较例1电阻值的变化小，可知，可以充分抑制电阻值的上升。此外，在实施例1和2中可以知道，特别可以减小电阻值的变化。由以上结果可以确认，根据本发明的透明导电材料，即使在高湿环境下也能充分抑制电阻值的上升和随时间的变化。

Claims (7)

1.一种透明导电体，
具备：
基体；和
含有导电性粒子、导电性高分子和粘结剂树脂的导电层；
设置于所述基体和所述导电层之间且含有所述粘结剂树脂的粘结剂层，
所述导电性粒子的平均粒径为10nm～80nm、比表面积为10～50m2/g，
所述导电性高分子是胶体状粒子、其直径为5nm～50nm，
所述导电层中的所述导电性粒子的填充率为10～70体积％，
相对于所述导电性粒子和所述导电性高分子的合计100质量份，所述导电性高分子的配合量为2质量份～10质量份，
所述导电层是压缩层、其厚度为50nm～5μm，
所述粘结剂树脂是热固化性化合物或光固化性化合物，
所述导电层所含有的所述粘结剂树脂是从所述粘结剂层向所述导电层浸透的所述粘结剂树脂固化而成的。
2.如权利要求1所述的透明导电体，
所述导电性高分子包含选自聚乙炔、聚吡咯、聚噻吩、聚苯乙炔、聚亚苯基、聚硅烷、聚芴和聚苯胺的至少1种化合物。
3.如权利要求1所述的透明导电体，
所述导电性高分子包含聚噻吩。
4.如权利要求3所述的透明导电体，
所述聚噻吩是以下述通式(1)表示的化合物，
Figure C2006100665000003C1
式(1)中，R1和R2分别独立地表示氢原子、可以具有取代基的碳原子数1～10的烃基、可以具有取代基的芳基、或者、R1和R2表示共同构成4～20元环的碳原子或杂原子；而所述烃基可以是链状也可以是环状；此外，在所述4～20元环中除了R1和R2以外，也可以含有其它杂原子，所述4～20元环也可以是芳香环；n表示50～1000的正整数。
5.如权利要求4所述的透明导电体，
所述聚噻吩是以下述通式(3)～(5)中的任一通式表示的化合物，
Figure C2006100665000003C2
所述通式(3)～(5)中，p表示50～1000的正整数、q表示50～1000的正整数、r表示50～1000的正整数。
6.如权利要求5所述的透明导电体，
所述聚噻吩是以所述通式(3)表示的化合物，
所述导电层还含有以下述通式(6)表示的聚苯乙烯磺酸，
Figure C2006100665000004C1
所述通式(6)中，s表示10～100的正整数。
7.如权利要求1所述的透明导电体，
所述透明导电体是触摸屏用透明导电体。
CN200610066500A 2005-03-31 2006-03-31 透明导电体 Expired - Fee Related CN100594562C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005105252A JP2006286418A (ja) 2005-03-31 2005-03-31 透明導電体
JP2005105252 2005-03-31

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1841573A CN1841573A (zh) 2006-10-04
CN100594562C true CN100594562C (zh) 2010-03-17

Family

ID=37030542

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200610066500A Expired - Fee Related CN100594562C (zh) 2005-03-31 2006-03-31 透明导电体

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7482056B2 (zh)
JP (1) JP2006286418A (zh)
KR (1) KR100794158B1 (zh)
CN (1) CN100594562C (zh)
TW (1) TW200644725A (zh)

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4479609B2 (ja) * 2005-06-30 2010-06-09 Ｔｄｋ株式会社 透明導電体及び透明導電材料
JP2009537061A (ja) * 2006-05-12 2009-10-22 エルジー・ケム・リミテッド 高電子伝導性高分子及びこれを用いた高用量／高出力電気エネルギー貯蔵素子
JP5213433B2 (ja) * 2006-12-21 2013-06-19 富士フイルム株式会社 導電膜およびその製造方法
CN100519634C (zh) * 2007-03-12 2009-07-29 中国科学院长春应用化学研究所 一种共轭聚合物与纳米粒子的复合薄膜及制备方法
US7744782B2 (en) * 2007-08-30 2010-06-29 Tdk Corporation Transparent conductor
CN101816046A (zh) 2007-10-05 2010-08-25 信越聚合物株式会社 导电性高分子溶液、导电性涂膜以及输入设备
JP2009135044A (ja) * 2007-11-30 2009-06-18 Tdk Corp 透明導電材料及び透明導電体
JP5173512B2 (ja) * 2008-03-25 2013-04-03 財団法人神奈川科学技術アカデミー 導電体およびその製造方法
TW201013708A (en) * 2008-09-30 2010-04-01 Efun Technology Co Ltd Transparent conductive film and the application thereof
JP5469849B2 (ja) * 2008-10-31 2014-04-16 富士フイルム株式会社 タッチパネル用導電膜、導電膜形成用感光材料、導電性材料及び導電膜
JP2012023020A (ja) 2010-06-17 2012-02-02 Ricoh Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子、その製造方法及び発光装置
KR101489161B1 (ko) * 2010-07-30 2015-02-06 주식회사 잉크테크 투명 도전막의 제조방법 및 이에 의해 제조된 투명 도전막
KR101156782B1 (ko) * 2010-08-03 2012-06-18 삼성전기주식회사 터치패널
JP5737010B2 (ja) * 2011-06-30 2015-06-17 王子ホールディングス株式会社 導電性積層体およびそれを用いたタッチパネル
CN103732709A (zh) * 2011-08-12 2014-04-16 3M创新有限公司 光学透明的导电粘合剂及由其制得的制品
CN102650763B (zh) * 2011-08-26 2015-01-07 北京京东方光电科技有限公司 一种液晶显示屏及其制造方法与显示器
US9227224B2 (en) * 2011-09-15 2016-01-05 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Method of forming macro-structured high surface area transparent conductive oxide electrodes
JP5978577B2 (ja) * 2011-09-16 2016-08-24 株式会社リコー 多層配線基板
CN103666363B (zh) * 2012-09-10 2015-07-08 珠海方正科技高密电子有限公司 一种含有导电高分子的导电胶及其制备方法
JP2014153784A (ja) * 2013-02-05 2014-08-25 Oji Holdings Corp 導電性シートおよびそれを用いたタッチパネル
JP6060733B2 (ja) * 2013-02-28 2017-01-18 三菱マテリアル株式会社 Ｉｔｏ導電膜形成用塗料
CN103194138A (zh) * 2013-03-28 2013-07-10 京东方科技集团股份有限公司 一种透明导电溶液及其制作方法、彩膜基板及制作方法
JP5719864B2 (ja) * 2013-04-09 2015-05-20 長岡産業株式会社 透明導電性フィルム
JP6171609B2 (ja) * 2013-06-19 2017-08-02 東ソー株式会社 透明導電膜用塗工液及びこれを用いた透明導電膜
CN103345963B (zh) * 2013-06-28 2015-07-15 重庆墨希科技有限公司 一种石墨烯复合材料透明电极及其制备方法和应用
JP6060845B2 (ja) * 2013-07-31 2017-01-18 王子ホールディングス株式会社 導電性シートの製造方法、導電性シート、および、タッチパネル
CN107210091B (zh) * 2015-01-27 2019-09-17 日东电工株式会社 透明导电性膜
CN108774430A (zh) 2018-06-21 2018-11-09 京东方科技集团股份有限公司 导电组合物及其制备方法、导电墨水和柔性显示装置
CN111040531A (zh) * 2019-12-02 2020-04-21 安徽科创美涂料科技股份有限公司 建筑外墙用光致变色真石漆涂料

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63269415A (ja) * 1987-04-28 1988-11-07 Showa Denko Kk 透明複合導電体の製造方法
JPH02123623A (ja) * 1988-11-01 1990-05-11 Miura Insatsu Kk 透明電極の製造方法
JP3560651B2 (ja) 1994-08-31 2004-09-02 住友金属鉱山株式会社 導電ペーストと透光性導電膜およびそれらを用いた分散型エレクトロルミネッセンス素子
DE19524132A1 (de) * 1995-07-03 1997-01-09 Bayer Ag Kratzfeste leitfähige Beschichtungen
JPH11273874A (ja) 1998-01-20 1999-10-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光透過性導電材料、これを用いた分散型エレクトロルミネッセンス素子及びパネルスイッチ
JP2000052522A (ja) * 1998-06-05 2000-02-22 Teijin Ltd 帯電防止性ポリエステルフィルム
EP0962486B1 (en) * 1998-06-05 2003-12-17 Teijin Limited Antistatic polyester film and process for producing the same
JP2003521110A (ja) 2000-01-24 2003-07-08 アメスベリー グループ， インコーポレイテッド Ｅｍｉシールディングガスケットを生産する方法
US6709808B2 (en) * 2001-05-14 2004-03-23 Eastman Kodak Company Imaging materials comprising electrically conductive polymer particle layers
JP4002435B2 (ja) * 2001-12-27 2007-10-31 触媒化成工業株式会社 透明導電性被膜形成用塗布液、透明導電性被膜付基材および表示装置
JP4514392B2 (ja) * 2002-02-26 2010-07-28 日東電工株式会社 偏光板用保護フィルムの製造方法
JP2004185914A (ja) * 2002-12-02 2004-07-02 Morimura Chemicals Ltd 透明導電膜、透明導電膜形成用複合シート及び表面に透明導電膜を有する透明プラスチック部材
JP4394890B2 (ja) * 2003-03-10 2010-01-06 株式会社Ｋｒｉ 導電性組成物、導電膜、樹脂複合材料

Also Published As

Publication number Publication date
KR20060105651A (ko) 2006-10-11
KR100794158B1 (ko) 2008-01-14
US7482056B2 (en) 2009-01-27
JP2006286418A (ja) 2006-10-19
CN1841573A (zh) 2006-10-04
US20060222855A1 (en) 2006-10-05
TW200644725A (en) 2006-12-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100594562C (zh) 透明导电体
CN100527471C (zh) 透明导电体
CN100454442C (zh) 透明导电材料和透明导电体
CN104115235B (zh) 导电膜组合物、使用它制造的导电膜和包含该导电膜组合物的光学显示设备
US8298676B2 (en) Electroconductive material and method of producing the same
EP2693510A2 (en) Substrate for organic electrode device
CN101299352A (zh) 透明导电材料和透明导电体
KR20100036913A (ko) 터치 패널 입력 장치를 위한 투명 전도성 적층 구조체
US20190366380A1 (en) Methods for producing transparent conductive film and transparent conductive pattern
CN100551193C (zh) 透明导电体
KR101780528B1 (ko) 투명 도전체, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 광학표시장치
US20080116425A1 (en) Transparent conductive film and method of manufacturing the same
KR102000956B1 (ko) 도전 필름의 제조 방법 및 도전 필름
CN105810757A (zh) 一种用于智能调光膜的透明导电薄膜电极及其制备方法
KR101976760B1 (ko) 나노와이어 기반 투명 전도성 필름 및 그 제조 방법
CN107849371A (zh) 透明导电涂层
CN105807451A (zh) 一种基于石墨烯/有机物复合透明导电薄膜的智能调光膜
CN100410341C (zh) 透明被膜形成用涂布液、带有该被膜的基材及液晶显示盒
JP4239660B2 (ja) エレクトロクロミック素子
JP2006156249A (ja) 透明導電体
JP4590978B2 (ja) 透明導電材料及び透明導電体
US7744782B2 (en) Transparent conductor
CN113764137A (zh) 纳米银线导电膜的制备方法、纳米银线导电膜及其应用
JP4177323B2 (ja) 透明導電体
JP2003172957A (ja) 多孔質フィルム及びその製造方法、多孔質フィルムを用いた電気化学表示装置及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20100317

Termination date: 20120331