CN100477275C - 体接触soi晶体管及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提出了一种用于制备具有减小的体电阻的体接触SOI晶体管的方法。在晶片制备过程期间，半导体晶片被放置到离子注入装置中，并且定位于相对于离子注入装置的粒子束路径(31-34)的第一位置，以得到在粒子束路径与晶体管栅极(29)边缘之间基本上非正交的扭转方位。在定位于第一位置之后，将一种离子注入到第一注入区。然后旋转该晶片至第二基本上非正交的扭转方位，在那里进行另一次离子注入。这一过程以相同方式继续下去，使得进行其它基本上非正交扭转与离子注入，直到生成了所希望数目的注入区。环型注入或袋型注入是适用本技术的注入类型的一个例子。

Description

体接触SOI晶体管及其制备方法
技术领域
本发明一般涉及半导体制备，尤其涉及半导体制备期间的离子注入过程。
背景技术
绝缘体上硅(SOI)结构与常规的体基底(bulk substrate)相比有其优点，诸如消除了闩锁(latch-up)，减小了短沟道效应，改善了抗辐射能力(radiation hardness)，以及动态耦合等等。因为有这些优点，所以半导体器件制备商通常在SOI结构上形成金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFETs)。
在典型的MOSFET中，通过在半导体材料层中注入N型或P型杂质而在有源半导体区中形成源极与漏极。在源极与漏极之间是沟道区(或体区)，其上是栅电极。可惜，形成在SOI结构上的MOSFETs常常遭受到浮动体效应(Floating Body Effect，FBE)，其导致发展出体接触构建技术(tied-body construction techniques)，特别是在制备部分耗尽(partially-depleted)SOI器件中，诸如图1所示的t型或“槌头(hammerhead)”栅电极。
图1示意了现有技术的典型t型栅晶体管100的顶视图。这种t型栅晶体管也称为“槌头”晶体管，因为在栅极9与区域4中接触5之间的多晶硅部分10的块体形状(shape of the block)像槌头。晶体管100形成在具有第一区2和第二区4的有源区中，第一区2具有第一宽度而第二区4具有第二宽度。接触3位于区域2中，而接触5则形成在区域4中。t型栅晶体管100的另一视图显示在图2中。
图2示意了t型晶体管100在图1的线A处的剖视图，而图3则示意了晶体管100的一部分的更详细平面图。线A是正好在栅极9侧壁之内的剖面。此剖面导致在所显示的栅极9边缘之下的源极/漏极(S/D)延伸区8与环型注入(halo implants)6。由图2可以看出，晶体管100利用了部分耗尽SOI制备技术。图2中未示意于图1的组件包括隔离结构18、绝缘体层11、基底12、介电层17、在栅极9之下的源/漏极延伸区8、以及在栅极9之下的环型注入6。
虽然诸如t型晶体管100的体接触晶体管通过将晶体管主体连接到接触而避免FBE问题，但是CMOS按比例缩小由于某些导电结构的横截面尺寸伴随而来的减小及其它因素而导致电阻增大。在t型晶体管100中，体电阻有几个组成：a)接触5电阻，b)沿着晶体管100宽度在栅极结构9下方的电阻，以及c)在槌头10下方从晶体管S/D注入沿着体接触注入边界的夹断电阻(pinch off resistance)。
在以上所提及的三个电阻组成中，接触电阻一般是总电阻的最小部分。沿着栅极结构9宽度的电阻被环型注入6也称为袋型注入(pocketimplants)略微降低，所述环型注入6通常接收比完全注入(well implant)剂量水平大约大一个数量级的掺杂剂剂量水平。完全注入剂量在目前制备技术中有向下趋势，其导致多晶硅槌头10下方的电阻增大，而使得这一电阻组成已在体电阻中占支配地位。
此外，耗尽现象会使电阻问题恶化，诸如当源极/漏极延伸耗尽区在槌头10下方产生“夹断”，如图3所示。图3是图1的t型晶体管100靠近槌头10的一部分的放大图。由图3可见，靠近S/D延伸区的槌头10的耗尽区13已在槌头10下方的沟道中产生夹断区14，这导致电阻增大。这一现象在图4中从另一角度予以示意。
图4示意了t型晶体管100的一部分沿图1中线B所示位置的剖视图。由重叠的耗尽区13所产生的夹断区14清楚可见。栅极宽度7由出现在槌头10剖面中的虚线所示。应注意，两耗尽区并不需如所示的那样重叠，以因夹断而导致电阻增大。
因此，能克服这些问题与限制的方法将是有用的。
发明内容
本发明提供一种体接触SOI晶体管的制造方法，以解决上述背景技术中的问题与缺失。
本发明提供一种用于生产晶体管的离子注入方法，其中，具有减小的体电阻的t型晶体管。该方法包括将包含栅极边缘的半导体晶片放置到离子注入装置内的步骤。然后，为了获得在粒子束路径(beam path)与栅极边缘之间非正交的扭转方位(non-orthogonal twist orientation)，将该半导体晶片定位于相对离子注入装置的粒子束路径的第一位置。在定位于第一位置之后，至少一种离子注入到该晶片的第一注入区。然后旋转该晶片至第二非正交的扭转方位，在那里进行另一次离子注入。以相同方式继续这一过程，使得进行另外的非正交扭转与离子注入，直到生成所期望数目的注入区。
本方法通过防止耗尽区引起的电阻增大而克服了先前注入方法的限制，该耗尽区与体接触SOI晶体管中接触和栅沟道之间的区域中的S/D延伸区重迭相关。本方法因此降低了晶体管中总的体电阻，这提高了器件的整体性能特征。此外，本发明适于将先进的亚微米集成电路半导体器件整合到现有的生产线，而不需额外的资本支出。
附图说明
通过参考附图，可更好地了解本发明且其众多特征与优点对于本领域技术人员而言将会显而易见。应了解，为简单及清楚的目的，图中所示的元件不一定是按比例绘制的。例如，为了清楚，某些元件的尺寸相对于其它元件被夸大了。在参考附图考虑了以下说明与权利要求后，本发明的其它优点、特征和特性，以及结构的相关元件的方法、操作和功能，以及部分的组合和制备的经济，都将变得显而易见，所有附图形成本说明书的一部分，其中相同的参考数字代表不同图中对应的部分，以及其中：
图1是现有技术的t型栅晶体管的顶视图；
图2为现有技术，是t型晶体管沿图1中线A所示范围的剖视图；
图3是图1的现有技术t型晶体管的一部分的放大顶视图；
图4示意了现有技术t型晶体管沿图1中线B所示位置的剖视图；
图5是t型晶体管的一部分的顶视图，显示了根据本发明的一个实施例在制备过程中所产生的源极/漏极延伸区注入；
图6示意了根据本发明的至少一个实施例在晶体管器件中产生环型区的顶视图；
图7示意了根据本发明至少一个实施例所制备的t型晶体管器件的一部分的剖视图；以及
图8示意了根据本发明至少一个实施例所制备的t型晶体管器件的一部分的剖视图。
具体实施方式
本发明提供一种离子注入方法用于生产晶体管，诸如具有减小的体电阻的t型晶体管。该方法包括将包含栅极边缘的半导体晶片放置到离子注入装置内的步骤。然后，为了获得在粒子束路径(beam path)与栅极边缘之间基本上非正交的扭转方位(substantially non-orthogonal twistorientation)，将该半导体晶片定位于相对离子注入装置的粒子束路径的第一位置。在定位于第一位置之后，至少一种离子，例如n型或p型掺杂剂，被注入到该晶片的第一注入区。然后旋转该晶片至第二基本上非正交的扭转方位，在那里进行另一次离子注入。以相同方式继续这一过程，使得进行另外的基本上非正交扭转与离子注入，直到生成所期望数目的注入区。
本方法通过防止耗尽区引起的电阻增大而克服了先前注入方法的限制，该耗尽区与体接触SOI晶体管中接触和栅沟道之间的区域中的S/D延伸区重叠相关。本方法因此降低了晶体管中总的体电阻，这提高了器件的整体性能特征。此外，本发明适于将先进的亚微米集成电路半导体器件整合到现有的生产线，而不需额外的资本支出。
参考示意于图5到图8的特定实施例可最好地了解本发明。不过，应注意，所描述的实施例并不是用来限定本发明可应用的器件类型或流程类型。利用离子注入掺杂剂的各种器件与制备过程在本领域中已为人所知，许多将得益于在此所公开的具有成本效益的过程，在该过程中，接触(诸如图5中的接触)与栅沟道之间的路径中的电阻被抑制或减小，而该电阻是由于与S/D扩散区有关的耗尽区的重叠所产生的。
图5显示半导体晶片上t型晶体管的一部分200的顶视图，其具有栅极部分29与槌头部分20，以及源极/漏极部分22与24。在图5中还示意了与图1中区域4类似的有源区24之上的掩模层21。一般根据本领域中熟知的技术来完成S/D延伸区28的注入，剂量范围在1012cm-2到1016cm-2之间。典型的S/D延伸区剂量范围是在1014cm-2到1015cm-2的量级。如图5所示，源极/漏极延伸区28延伸至槌头20的边缘。在图5所示的S/D延伸区28注入之后，进行环型注入，如图6所示，图7与图8进一步示意了其结果。
图6示意了在部分200中生成环型区26的顶视图。在一个实施例中，将半导体晶片相对于由箭头标号31所示的离子束路径定位于第一位置。该定向的目的是要得到在离子束路径31与栅极结构29边缘之间基本上非正交的扭转方位。在此所用的词语“扭转”或“扭转方位”可认为类似于飞行器的水平偏航轴线(horizontal yaw axis)，其可用位于重心的线在水平情况下悬挂模型飞行器来演示。飞行器前端的向左运动或向右运动是沿着水平偏航轴线而进行的。
在扭转定向于第一位置之后，将n型或p型掺杂剂注入到晶片的晶体管部分200的第一注入区。这一注入导致生成了环型或袋型注入区26的初始部分，该初始部分位于S/D延伸区之外晶体管器件部分200的槌头20之下的有源区内。然后旋转部分200至图6中标号为32、33和34的箭头所示的粒子束路径，在每一个非正交的扭转方位进行各自的环型注入。以此方式，可得到槌头20下环型区26的区域之间的重叠。例如，第二注入区可重叠第一注入区；第三注入区可重叠第四注入区，等等。在完成袋型注入、延伸区注入、以及深源极注入(deep sourceimplantation)之后或者当不再有需要时，可去除光刻胶块体(photoresistblock)21。
在一个实施例中，在环型区26注入期间所使用的离子种类为n型掺杂剂，诸如位于周期表的族15(VA)中的元素，例如磷(P)。在另一个实施例中，所注入的离子种类为p型掺杂剂，例如在周期表的族13(IIIA)中的元素，诸如硼(B)。这些袋型注入是在中等的粒子束电流与粒子束能量下进行的。例如，对于硼(B)，粒子束能量范围在7keV至15keV之间，而用于砷(As)的粒子束能量范围则在40keV至90keV之间。环型或袋型注入的剂量范围可在1013cm-2到1015cm-2之间，1013cm-2则为典型的施用剂量。
基本上非正交的扭转方位可以是相对于栅极29边缘的45度，如图6所示。在一个实施例中，基本上非正交扭转方位的范围可在30度至60度之间。在另一个实施例中，基本上非正交扭转方位的范围可在15度至75度之间。基本上非正交扭转方位的选定是依据所希望得到的结果，这涉及到要考虑特征的几何，而该几何需要诸如环型注入区26的注入。
图7显示根据本发明一个实施例的t型晶体管器件的部分200的剖视图。图7的剖视图类似于沿图1中线A所示区域剖开所得到的视图。显示于图7中的实施例是使用部分耗尽SOI制备技术的SOI晶体管的实施例。图7中未示意于图6的组件包括隔离结构38、绝缘体层31、基底32、以及有源区22与24。示意的粒子束路径只是用来参考，尽管掩蔽层21已被去除。
如图7所示，环型区26在栅极结构29的槌头20的一部分之下延伸。这有抑制S/D耗尽区53的耗尽以及压制夹断的效果，如图8所示。
图8示意了根据本发明一个实施例制备的t型晶体管器件的一部分的剖视图。图8的剖视图类似于沿图1中线B所示区域剖开所得到的视图。S/D耗尽区53被拉回，使得在槌头20下沟道40内的耗尽夹断情况不会出现。这导致总的体电阻减小，因为当实施在此所说明的制备技术时，由生成夹断区(14，图4)的现有技术制备方法所显示的电阻增大并未出现。
在此所描述的方法与设备在实施上是弹性的。虽然本发明是用某些特定实施例加以说明的，但是对本领域的技术人员而言显而易见的是，本发明并不受限于这几个实施例。例如，本发明可用来产生未明确示意的其它特征。此外，本发明可应用于其它器件技术，以实现器件制备期间在注入过程中的电阻减小特征。另外，目前可得到可能适于用来应用在此所说明方法的不同类型的离子注入装置。还应注意，尽管在此已详细显示并说明了本发明的一个实施例及其某些变体，但是本领域的技术人员可轻易地构建结合本发明内容的许多其它不同实施例。例如，本发明的特定新颖实施例可由下列项目(items)所识别：
项目1.一种方法，包括将包含栅极边缘的半导体晶片放置到离子注入装置中；使该半导体晶片定位于相对于该离子注入装置的粒子束路径的第一位置，以得到该粒子束路径与该栅极边缘之间基本上非正交的扭转方位；以及当该半导体晶片在该第一位置时，将至少一种离子注入到该半导体晶片的第一注入区。
项目2.如项目1的方法，进一步包括将该半导体晶片旋转至第二基本上非正交的扭转方位；以及当该半导体晶片在该第二位置时，将至少一种离子注入到该半导体晶片的第二注入区。
项目3.如项目2的方法，其中该第一注入区与第二注入区位于晶体管器件的槌头部分之下，以及其中该第二注入区和该第一注入区重叠。
项目4.如项目1、10及17的方法，其中该基本上非正交的扭转方位为45度。
项目5.如项目1、10及17的方法，其中该基本上非正交的扭转方位在30度至60度之间。
项目6.如项目1、10及17的方法，其中该基本上非正交的扭转方位在15度至75度之间。
项目7.如项目1的方法，其中该种离子为n型掺杂剂。
项目8.如项目1的方法，其中该种离子为p型掺杂剂。
项目9.一种方法，包括形成具有栅极部分与槌头部分的晶体管器件，该栅极部分包括第一栅极边缘与第二栅极边缘，其中该第一栅极边缘与第二栅极边缘之间的距离为该栅极的宽度；以及在形成该晶体管器件之后注入掺杂剂，在该槌头部分下方形成连续掺杂区，该连续掺杂区从槌头部分下最接近第一栅极边缘的第一点延伸至槌头部分下最接近第二边缘的第二位置。
项目10.如项目9的方法，其中该注入步骤进一步包括旋转该晶体管器件至第一基本上非正交的扭转方位；将至少一种离子注入到该晶体管器件的第一注入区；旋转该晶体管器件至第二基本上非正交的扭转方位；以及将至少一种离子注入到该晶体管器件的第二注入区。
项目11.如项目10的方法，其中该基本上非正交的扭转方位为45度。
项目12.如项目10的方法，其中该基本上非正交的扭转方位在30度至60度之间。
项目13.如项目10的方法，其中该基本上非正交的扭转方位在15度至75度之间。
项目14.如项目9的方法，其中该掺杂剂为n型掺杂剂。
项目15.如项目9的方法，其中该掺杂剂为p型掺杂剂。
项目16.一种半导体器件，包含具有栅极部分与槌头部分的晶体管器件，该栅极部分包含第一栅极边缘与第二栅极边缘，其中该第一栅极边缘与第二栅极边缘之间的距离为该栅极的宽度；连续掺杂区，该连续掺杂区从槌头部分下最接近第一栅极边缘的第一点延伸至槌头部分下最接近第二边缘的第二位置；在该槌头部分下方形成连续掺杂区的掺杂剂，该连续掺杂区从槌头部分下最接近第一栅极边缘的第一点延伸至槌头部分下最接近第二栅极边缘的第二位置。
项目17.如项目16的器件，其中在槌头部分下方的掺杂剂包含至少一种离子，该至少一种离子是当该晶体管定位于至少一个基本上非正交扭转方位时注入的。
项目18.如项目17的器件，其中该基本上非正交的扭转方位为45度。
项目19.如项目17的器件，其中该基本上非正交的扭转方位在30度至60度之间。
项目20.如项目17的器件，其中该基本上非正交的扭转方位在15度至75度之间。
项目21.如项目16的器件，其中该掺杂剂为n型掺杂剂。
项目22.如项目16的器件，其中该掺杂剂为p型掺杂剂。
以上已通过特定实施例描述了本发明的益处、其它优点、以及问题的解决方案。然而，不应将所述的益处、其它优点、问题的解决方案、以及可导致任一益处、优点、或解决方案出现或者变得更明显的任何要素解释为任一权利要求或所有权利要求的关键的、必要的、或本质的特征或要素。因此，本发明并不意在限定为在此所提出的特定形式，相反地，本发明意在涵盖可合理包括于本发明的精神与范围之内的替代、修改与等效。

Claims (10)

1.一种制造体接触SOI晶体管的方法，包括：
形成T型体接触晶体管的栅极部分，具有附着的槌头部分，所述槌头部分包含多晶硅块体，所述多晶硅块体被成形而使得在平面图中与所述栅极部分结合其类似在半导体晶片上的槌头，所述栅极部分具有栅极边缘；
将所述半导体晶片放置到离子注入装置中；
将所述半导体晶片定位于相对于所述离子注入装置的粒子束路径的第一位置，以得到所述粒子束路径与所述栅极边缘之间非正交的扭转方位；
当所述半导体晶片在所述第一位置时，将至少一种离子注入到所述半导体晶片的第一注入区；
将所述半导体晶片旋转至第二非正交的扭转方位；以及
当所述半导体晶片在所述第二位置时，将至少一种离子注入到所述半导体晶片的第二注入区，其中：
所述第一注入区与第二注入区位于所述晶体管器件的槌头部分之下，以及其中所述第二注入区重叠所述第一注入区。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述非正交的扭转方位为45度。
3.如权利要求1所述的方法，其中所述非正交的扭转方位在30度与60度之间。
4.如权利要求1所述的方法，其中所述非正交的扭转方位在15度与75度之间。
5.一种制造体接触SOI晶体管的方法，包括：
形成T型体接触晶体管器件，具有栅极部分与槌头部分，所述槌头部分包含多晶硅块体，所述多晶硅块体被成形而使得在平面图中与所述栅极部分结合其类似槌头，所述栅极部分包含第一栅极边缘与第二栅极边缘，其中所述第一栅极边缘与第二栅极边缘之间的距离为所述栅极的宽度；以及
在形成所述晶体管器件之后在所述槌头部分下方以非正交的扭转方位注入掺杂剂，以形成连续掺杂区，所述连续掺杂区从槌头部分下最接近第一栅极边缘的第一点延伸至槌头部分下最接近第二边缘的第二位置，其中在所述槌头部分下的所述连续掺杂区包含第一注入区以及与所述第一注入区重叠的第二注入区。
6.如权利要求5所述的方法，其中所述注入步骤进一步包括：
将所述晶体管器件旋转至第一非正交的扭转方位；
将至少一种离子注入到所述晶体管器件的所述第一注入区中；
将所述晶体管器件旋转至第二非正交的扭转方位；以及
将至少一种离子注入到所述晶体管器件的所述第二注入区中。
7.如权利要求5或6所述的方法，其中所述非正交的扭转方位为45度。
8.如权利要求5或6所述的方法，其中所述非正交的扭转方位在30度与60度之间。
9.如权利要求5或6所述的方法，其中所述非正交的扭转方位在15度与75度之间。
10.一种半导体器件，包含：
具有栅极部分与槌头部分的T型体接触晶体管器件，所述槌头部分包含多晶硅块体，所述多晶硅块体被成形而使得在平面图中与所述栅极部分结合其类似槌头，所述栅极部分包含第一栅极边缘与第二栅极边缘，其中所述第一栅极边缘与第二栅极边缘之间的距离为所述栅极的宽度；
连续掺杂区，从槌头部分下最接近第一栅极边缘的第一点延伸至槌头部分下最接近第二边缘的第二位置；
在所述槌头部分下方形成连续掺杂区的环型注入掺杂剂，从槌头部分下最接近第一栅极边缘的第一点延伸至槌头部分下最接近第二栅极边缘的第二位置，其中在所述槌头部分下的所述连续掺杂区包含第一注入区以及与所述第一注入区重叠的第二注入区。
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