CN100431157C - 一种氧化物铁电存储单元及制备方法 - Google Patents
一种氧化物铁电存储单元及制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN100431157C CN100431157C CNB2006100123702A CN200610012370A CN100431157C CN 100431157 C CN100431157 C CN 100431157C CN B2006100123702 A CNB2006100123702 A CN B2006100123702A CN 200610012370 A CN200610012370 A CN 200610012370A CN 100431157 C CN100431157 C CN 100431157C
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- film
- oxide
- preparation
- memory cell
- ferroelectric
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 229910020647 Co-O Inorganic materials 0.000 claims abstract description 51
- 229910020704 Co—O Inorganic materials 0.000 claims abstract description 51
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims abstract description 38
- 229910003310 Ni-Al Inorganic materials 0.000 claims abstract description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 31
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 25
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 25
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 60
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 14
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 12
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 10
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 10
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 7
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 claims description 7
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 5
- 229910018553 Ni—O Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910004121 SrRuO Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 4
- 239000003595 mist Substances 0.000 claims description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 3
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910018663 Mn O Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910003176 Mn-O Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910009203 Y-Ba-Cu-O Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 claims description 2
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 claims description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 238000011160 research Methods 0.000 abstract description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 abstract description 3
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 abstract description 2
- 229910002056 binary alloy Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 18
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 3
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 2
- 101100373011 Drosophila melanogaster wapl gene Proteins 0.000 description 1
- 229910052774 Proactinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000002173 high-resolution transmission electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 210000004483 pasc Anatomy 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
本发明提供一种氧化物铁电存储单元,用成本低、抗氧化性强、无氧通道的金属间化合物材料作为导电氧扩散阻挡层以替代Ir(Pt)阻挡层,通过选择磁控溅射工艺参数实现阻挡层及相关氧化物电极的制备。这种氧化物铁电存储单元,由硅衬底、导电阻挡层、氧化物下电极、氧化物铁电薄膜、氧化物上电极组成,其特征在于:导电阻挡层材料是采用磁控溅射法在硅衬底基体上覆盖非晶态Ni-Al二元合金薄膜材料制成,对La-Sr-Co-O/Pb(ZrxTi1-x)O3/La-Sr-Co-O铁电电容器进行极化强度、疲劳等铁电性能研究,得到了非常理想的物理性能。
Description
技术领域
本发明涉及到氧化物铁电存储单元及制备方法,特别是用于制备导电氧扩散阻挡层的方法,属于半导体器件或其部件的制造或处理方法技术领域。
背景技术
由于铁电材料和高K氧化物薄膜材料在微电子行业具有广泛的应用前景,在过去几年里,铁电材料和高K氧化物薄膜材料的应用和研究取得了巨大的进展。铁电存储器的核心是铁电电容器,人们希望能够把铁电电容器与现代硅晶体管技术结合起来构造硅基高密度铁电存储器。在把铁电电容器生长在半导体硅衬底上的过程中,最基本问题就是各种材料必须承受住高的生长温度和强氧化气氛。因此成功选择铁电存储器单元和硅衬底之间的导电阻挡层是制备硅基高密度铁电存储器的关键。理想的阻挡层应当满足以下条件:第一,不能与硅反应,并与硅形成欧姆接触;第二,能阻挡材料之间的互扩散;第三,能阻挡硅的氧化;第四,完成铁电存储器与半导体硅的集成后,阻挡层仍能保持小的电阻率。Yang和Summerfelt发现Ir或Pt/TiN能起很好的阻挡层作用Appl.Phys.Lett.71,356(1997);Appl.PhyS.Lett.,24,4004(2001)」。现在商业铁电存储器也多采用与Ir、Pt有关的阻挡层材料来实现铁电薄膜与硅衬底的集成,但是含Ir或Pt的导电阻挡层材料存在造价高、难以离子刻蚀等缺点。
发明内容
本发明的目的是提供一种氧化物铁电存储单元,用成本低、抗氧化性强、无氧通道的金属间化合物材料作为导电氧扩散阻挡层以替代Ir(Pt)阻挡层,通过选择磁控溅射工艺参数实现阻挡层及相关氧化物电极的制备。
本发明的技术方案是这样实现的:这种氧化物铁电存储单元,由硅衬底、导电阻挡层、氧化物下电极、氧化物铁电薄膜、氧化物上电极组成.其特征在于:导电阻挡层材料是采用磁控溅射法在硅衬底基体上覆盖非晶态Ni-Al二元合金薄膜材料制成。
所述的氧化物铁电存储单元.直接生长在硅衬底上的非晶态Ni-Al薄膜作为导电氧扩散阻挡层,第一层氧化物La-Sr-Co-O薄膜作为铁电电容器的下电极,氧化物铁电薄膜作为铁电电容器的介电材料;第二层氧化物La-Sr-Co-O薄膜作为铁电电容器的上电极。
所述的氧化物铁电存储单元,所述的硅衬底为抛光的单晶硅或表面生长有多晶硅的单晶硅。
所述的氧化物铁电存储单元,所述的La-Sr-Co-O氧化物电极材料可以用钙钛矿结构的La-Ni-O或SrRuO3导电薄膜材料,或超导材料Y-Ba-Cu-O,或巨磁阻材料La-Ca-Mn-O等薄膜替代。
所述的氧化物铁电存储单元,所述的氧化物铁电薄膜材料,是Pb(Zr′XTi1-X)O3或SrBi2Ta2O9。
所述的氧化物铁电存储单元的制备方法,Ni-Al薄膜作为导电氧扩散阻挡层的制备方法包括如下步骤:
A、把抛光的单晶硅衬底依次用HF、丙酮、酒精、去离子水超声处理后,放置到磁控溅射真空室的样品台上;
B、应用分子泵和真空泵将真空室的真空度抽至(1-5)×10-4Pa;
C、应用流量计向真空室中通入高纯氩气,保持真空室的高纯氩动态平衡的气压为0.8-20Pa;
D、Ni-Al靶与衬底间距为25-65mm,溅射功率为1-50W,沉积时间为10min,得到的Ni-Al非晶薄膜厚度20-60nm。
所述的氧化物铁电存储单元的制备方法,氧化物铁电存储单元的制备包括如下步骤:
A、铁电电容器的下电极的制备:Ni-Al薄膜制备完毕后,不打开真空室,将真空室的真空度抽至(1-5)×10-4Pa后,向真空室中充入高纯氩气;氧气为3∶1的混合气体,保持真空室的沉积气压为0.8-20Pa;La-Sr-Co-O靶与衬底间距为20-60mm,转动样品台,溅射功率为10-100W,沉积时间为30min,得到厚度为20-100nm的La-Sr-Co-O薄膜;
B、在流动氧的管式退火炉中对La-Sr-Co-O薄膜进行450-650℃的高温退火;
C、氧化物铁电薄膜的制备:应用溶胶-凝胶法,在高温退火后的La-Sr-Co-O薄膜的上面甩涂Pb(ZrXTi1-X)O3薄膜,于100-400℃烘干,重复甩涂至所需厚度,最后,在流动氧的管式退火炉中对Pb(ZrXTi1-X)O3薄膜进行450-650℃的高温退火;
D、铁电电容器的上电极的制备:重复步骤A制备La-Sr-Co-O薄膜。
所述的氧化物铁电存储单元的制备方法,步骤A、B中所述的磁控溅射及高温退火处理直接应用高温的磁控溅射法实现La-Sr-Co-O薄膜的制备,背底真空度为(1-5)×10-4Pa,沉积气压为0.8-20Pa,溅射功率为10-100W,靶-衬底间距为25~65m,沉积温度为450-650℃,沉积完毕后,通入(0.1-1)×105Pa的氧气,将基片的温度降至室温。
所述的氧化物铁电存储单元的制备方法,铁电电容器的上、下电极La-Sr-Co-O氧化物薄膜的制备采用脉冲激光沉积或化学方法实现。
所述的氧化物铁电存储单元的制备方法,氧化物铁电存储单元的制备包括如下步骤:直接在非晶态Ni-Al薄膜上生长氧化物铁电薄膜以及金属上电极Pt。
本发明采用磁控溅射法在半导体硅衬底上制备非晶态Ni-Al薄膜氧扩散导电阻挡层,进一步在其上构架La-Sr-Co-O/Pb(ZrXTi1-X)O3/La-Sr-Co-O铁电电容器。Ni-Al材料具有强的高温抗氧化性;非晶的Ni-Al薄膜不存在氧扩散通道,可以有效避免La-Sr-Co-O/Pb(ZrXTi1-X)O3/La-Sr-Co-O生长过程中氧向硅衬底的扩散;Ni-Al材料不与硅以及La-Sr-Co-O等氧化物反应的特点,决定了非晶态Ni-Al薄膜可以充当氧化物薄膜与硅衬底集成的氧扩散导电阻挡层。
附图说明
图1是La-Sr-Co-O/Pb(ZrXTi1-X)O3/La-Sr-Co-O铁电电容器的电滞回线
图2是La-Sr-Co-O/Pb(ZrXTi1-X)O3/La-Sr-Co-O铁电电容器的保持性能
图3是La-Sr-Co-O/Pb(ZrXTi1-X)O3/La-Sr-Co-O铁电电容器的疲劳性能
具体实施方式
实施例1:
1、非晶态Ni-Al薄膜扩散阻挡层的制备
1-1、把抛光的(001)单晶硅衬底或多晶硅/单晶硅衬底用10%的HF、丙酮、酒精、去离子水超声处理清洗后,放置到可以实现磁控溅射的真空室的样品台上;
1-2、将真空室的真空度抽至2×10-4Pa,然后通入高纯氩气.沉积气压为8Pa;
1-3、应用射频磁控溅法进行Ni-Al薄膜的制备:Ni-Al靶(北京泰科诺有限公司)与衬底间距为40mm,溅射功率为15W,沉积时间为10min,得到的Ni-Al非晶薄膜厚度40nm;
2、La-Sr-Co-O/Pb(ZrXTi1-X)O3/La-Sr-Co-O氧化物铁电存储单元的制备
2-1、在实施例1制备的Ni-Al非晶薄膜基础上,不打开真空室,将真空室的真空度抽至2×10-4Pa,然后通入高纯氩气和氧气的混合气体(Ar∶O2=3∶1),控制沉积气压为5Pa;La-Sr-Co-O靶(北京泰科诺有限公司)与衬底间距为40mm,转动样品台,溅射功率为80W,沉积时间为30min,得到厚度为100nm的La-Sr-Co-O薄膜;
2-2、在流动氧的管式退火炉中对La-Sr-Co-O薄膜进行550℃的高温退火处理,得到结晶的La-Sr-Co-O薄膜;
2-3、应用Pb(Zr0.4Ti0.6)O3溶胶-凝胶前驱体,在La-Sr-Co-O薄膜的上面旋涂Pb(Zr0.4Ti0.6)O3薄膜,甩胶速度为3000rpm,烘烤温度为200℃,在550℃的高温氧气退火炉中退火,得到结晶的Pb(Zr0.4Ti0.6)O3薄膜;
2-4、将Pb(Zr0.4Ti0.6)O3薄膜放入磁控溅射真空室中,将真空室的真空度抽至2×10-4Pa,然后通入高纯氩气和氧气的混合气体(Ar∶O2=3∶1),沉积气压为5Pa;La-Sr-Co-O靶(北京泰科诺有限公司)与衬底间距为40mm,溅射功率为80W,沉积时间为30min,在Pb(Zr0.4Ti0.6)O3薄膜上面,制备厚度为100nm的La-Sr-Co-O薄膜;
2-5、在流动氧的管式退火炉中对La-Sr-Co-O薄膜进行550℃的高温退火.得到结晶的La-Sr-Co-O薄膜;
2-6、应用光刻、Pt沉积以及化学反应刻蚀技术,制备出含非晶态Ni-Al薄膜阻挡层的La-Sr-Co-O/Pb(ZrXTi1-X)O3/La-Sr-Co-O硅基铁电电容器。
实施例2:
实施例1中2-1、2-2、2-4、2-5中的La-Sr-Co-O薄膜可以用La-Ni-O或SrRuO3薄膜替代;其制备方法可以用磁控溅射方法以外的其它方法如:脉冲激光沉积和化学方法如:化学气相沉积来实现(J.Appl.Phys.82,1293(1997));
实施例3:
实施例1中2-1、2-2、2-4、2-5中的La-Sr-Co-_制备薄膜450-650℃的高温退火处理可以直接应用高温的磁控溅射法实现:背底真空为(1-5)×10-4Pa,沉积气压为0.8-20Pa,溅射功率为10-100W,靶-衬底间距为25-65mm,沉积温度为450-650℃,沉积完毕后,通入(0.1-1)×105Pa的氧气,通过控温程序将基片的温度降至室温。
实施例1中所提到的Ni-Al、La-Sr-Co-O以及La-Ni-O和SrRuO3薄膜不仅适用于平面结构也可以为大马士革结构的电容器;
上述实施例中所使用的磁控溅射***是由沈阳科学仪器中心生产的多靶***。
上述实施例中La-Sr-Co-O/Pb(ZrXTi1-X)O3/La-Sr-Co-O/非晶态Ni-Al/Si异质结的X射线衍射测量没有发现杂相存在,对异质结界面进行透射电子显微镜以及高分辨透射电子显微镜的研究发现异质结界面清晰、不同材料之间不存在互扩散、相互反应;附图1、2、3显示对La-Sr-Co-O/Pb(ZrXTi1-X)O3/La-Sr-Co-O铁电电容器进行极化强度、疲劳等铁电性能研究,得到了非常理想的物理性能。铁电性能和结构性能的测量都表明非晶态Ni-Al薄膜可以用作导电阻挡层,实现硅基铁电电容器与硅衬底的集成。实验结果充分表明了用非晶态Ni-Al薄膜取代造价高、难以离子刻蚀的含Ir(或Pt)的阻挡层材料,构架高密度硅基铁电存储器件的可行性。
本发明列举的实施例旨在更进一步地阐明非晶态Ni-Al薄膜阻挡层和这种氧化物铁电存储单元的制备方法,而不对本发明的范围构成任何限制,本发明实施例或经由本发明权利要求书所述均可得到这种氧化物铁电存储单元材料及其硅基铁电电容器。
Claims (8)
1、一种氧化物铁电存储单元,由硅衬底、导电阻挡层、氧化物下电极、氧化物铁电薄膜、氧化物上电极组成,其特征在于:导电阻挡层材料是采用磁控溅射法在抛光的单晶硅衬底基体上覆盖非晶态Ni-Al二元合金薄膜材料制成。
2、根据权利要求1所述的氧化物铁电存储单元,其特征在于:直接生长在单晶硅衬底上的非晶态Ni-Al薄膜作为导电氧扩散阻挡层,第一层氧化物La-Sr-Co-O薄膜作为铁电电容器的下电极,氧化物铁电薄膜作为铁电电容器的介电材料;第二层氧化物La-Sr-Co-O薄膜作为铁电电容器的上电极。
3、根据权利要求2所述的氧化物铁电存储单元,其特征在于:所述的La-Sr-Co-O氧化物电极材料可以用钙钛矿结构的La-Ni-O或SrRuO3导电薄膜材料,或超导材料Y-Ba-Cu-O,或巨磁阻材料La-Ca-Mn-O等薄膜替代。
4、根据权利要求1所述的氧化物铁电存储单元,其特征在于:所述的氧化物铁电薄膜材料,是Pb(ZrXTi1-X)O3或SrBi2Ta2O9。
5、根据权利要求1-4任一项权利要求所述的氧化物铁电存储单元的制备方法,其特征在于:Ni-Al薄膜作为导电氧扩散阻挡层的制备方法包括如下步骤:
A、把抛光的单晶硅衬底依次用HF、丙酮、酒精、去离子水超声处理后,放置到磁控溅射真空室的样品台上;
B、应用分子泵和真空泵将真空室的真空度抽至(1-5)×10-4Pa;
C、应用流量计向真空室中通入高纯氩气,保持真空室的高纯氩动态平衡的气压为0.8-20Pa;
D、Ni-Al靶与衬底间距为25-65mm,溅射功率为1-50W,沉积时间为10min,得到的Ni-Al非晶薄膜厚度20-60nm。
6、根据权利要求5所述的氧化物铁电存储单元的制备方法,其特征在于:氧化物铁电存储单元的制备包括如下步骤:
A、铁电电容器的下电极的制备:Ni-Al薄膜制备完毕后,不打开真空室,将真空室的真空度抽至(1-5)×10-4Pa后,向真空室中充入高纯氩气∶氧气为3∶1的混合气体,保持真空室的沉积气压为0.8-20Pa;La-Sr-Co-O靶与衬底间距为20-60mm, 转动样品台,溅射功率为10-100W,沉积时间为30min,得到厚度为20-100nm的La-Sr-Co-O薄膜;
B、在流动氧的管式退火炉中对La-Sr-Co-O薄膜进行450-650℃的高温退火;
C、氧化物铁电薄膜的制备:应用溶胶-凝胶法,在高温退火后的La-Sr-Co-O薄膜的上面甩涂Pb(ZrXTi1-X)O3薄膜,于100-400℃烘干,重复甩涂至所需厚度,最后,在流动氧的管式退火炉中对Pb(ZrXTi1-X)O3薄膜进行450-650℃的高温退火;
D、铁电电容器的上电极的制备:重复步骤A制备La-Sr-Co-O薄膜。
7、根据权利要求6所述的氧化物铁电存储单元的制备方法,其特征在于:铁电电容器的上、下电极La-Sr-Co-O氧化物薄膜的制备采用脉冲激光沉积或化学方法实现。
8、根据权利要求6所述的氧化物铁电存储单元的制备方法,其特征在于:氧化物铁电存储单元的制备包括如下步骤:直接在非晶态Ni-Al薄膜上生长氧化物铁电薄膜以及金属上电极Pt。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CNB2006100123702A CN100431157C (zh) | 2006-01-24 | 2006-01-24 | 一种氧化物铁电存储单元及制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CNB2006100123702A CN100431157C (zh) | 2006-01-24 | 2006-01-24 | 一种氧化物铁电存储单元及制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1835241A CN1835241A (zh) | 2006-09-20 |
CN100431157C true CN100431157C (zh) | 2008-11-05 |
Family
ID=37002921
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB2006100123702A Expired - Fee Related CN100431157C (zh) | 2006-01-24 | 2006-01-24 | 一种氧化物铁电存储单元及制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN100431157C (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102097367B (zh) * | 2010-12-21 | 2013-07-17 | 河北大学 | 一种Cu与铁性氧化物功能薄膜集成的方法 |
CN103219225A (zh) * | 2013-03-29 | 2013-07-24 | 河北大学 | 用于硅基铁电电容器集成的一种阻挡层材料及集成方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6194754B1 (en) * | 1999-03-05 | 2001-02-27 | Telcordia Technologies, Inc. | Amorphous barrier layer in a ferroelectric memory cell |
CN1362749A (zh) * | 2001-12-07 | 2002-08-07 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 镍酸镧导电金属氧化物薄膜材料的制备方法 |
CN1396630A (zh) * | 2001-07-11 | 2003-02-12 | 云南大学 | 在非晶体材料上磁控溅射锗晶体薄膜的方法 |
CN1399005A (zh) * | 2002-08-29 | 2003-02-26 | 上海交通大学 | 极小热滞形状记忆合金薄膜的制备方法 |
CN1402337A (zh) * | 2001-08-13 | 2003-03-12 | 夏普公司 | 铁电存储器晶体管的制造方法 |
-
2006
- 2006-01-24 CN CNB2006100123702A patent/CN100431157C/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6194754B1 (en) * | 1999-03-05 | 2001-02-27 | Telcordia Technologies, Inc. | Amorphous barrier layer in a ferroelectric memory cell |
CN1396630A (zh) * | 2001-07-11 | 2003-02-12 | 云南大学 | 在非晶体材料上磁控溅射锗晶体薄膜的方法 |
CN1402337A (zh) * | 2001-08-13 | 2003-03-12 | 夏普公司 | 铁电存储器晶体管的制造方法 |
CN1362749A (zh) * | 2001-12-07 | 2002-08-07 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 镍酸镧导电金属氧化物薄膜材料的制备方法 |
CN1399005A (zh) * | 2002-08-29 | 2003-02-26 | 上海交通大学 | 极小热滞形状记忆合金薄膜的制备方法 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
铁电薄膜及铁电存储器研究. 武德起,刘保亭,闫正,闫常瑜,赵庆勋.河北大学学报(自然科学版),第25卷第2期. 2005 |
铁电薄膜及铁电存储器研究. 武德起,刘保亭,闫正,闫常瑜,赵庆勋.河北大学学报(自然科学版),第25卷第2期. 2005 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1835241A (zh) | 2006-09-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Liu et al. | Low-temperature integration of lead-based ferroelectric capacitors on Si with diffusion barrier layer | |
CN108441831A (zh) | 一种钇掺杂二氧化铪铁电薄膜的制备方法 | |
CN111676456B (zh) | 一种自组装Ba(Hf,Ti)O3:HfO2纳米复合无铅外延单层薄膜及其制备方法 | |
US20040110309A1 (en) | Low voltage drive ferroelectric capacitor and method of manufacturing same | |
CN109082642A (zh) | 一种具有高储能密度与优良热稳定性的无铅外延多层薄膜及其制备方法 | |
CN1851039A (zh) | 一种锆钛酸铅铁电薄膜材料的制备方法 | |
Wang et al. | Preparation of highly (1 0 0)-oriented LaNiO3 nanocrystalline films by metalorganic chemical liquid deposition | |
Wang et al. | Effect of oxygen partial pressure on crystal quality and electrical properties of RF sputtered PZT thin films under the fixed Ar flow and sputtering pressure | |
CN102925866B (zh) | 一种单一相Mg2Si半导体薄膜的制备工艺 | |
CN100431157C (zh) | 一种氧化物铁电存储单元及制备方法 | |
CN101892522B (zh) | 利用氧等离子体辅助脉冲激光沉积法制备钛铌镁酸铅薄膜 | |
CN111525024B (zh) | 铁酸铋膜材料、低温在硅基底上集成制备铁酸铋膜的方法及应用 | |
CN110643948A (zh) | 一种钛酸锶/钌酸锶铁电超晶格薄膜材料及其制备方法 | |
Lee et al. | Characteristics of thin film supercapacitor with ruthenium oxide electrode and Ta 2 O 5+ x solid oxide thin film electrolyte | |
CN1932080A (zh) | 一种钛酸锶钡薄膜材料的制备方法 | |
CN103219225A (zh) | 用于硅基铁电电容器集成的一种阻挡层材料及集成方法 | |
KR20150042011A (ko) | 나노선들을 포함하는 박막전극의 제조방법, 나노선 박막전극 및 이를 포함하는 박막전지 | |
CN112670086A (zh) | 一种硅集成具有高储能密度的薄膜电容器及其制备方法 | |
US20240102170A1 (en) | High-Crystallinity Barium Titanate Film Structure, Method of Preparation and Application Thereof | |
CN102097367B (zh) | 一种Cu与铁性氧化物功能薄膜集成的方法 | |
CN110364357A (zh) | 一种高储能密度电容器及其制备方法 | |
CN105932154B (zh) | 具有稳定阈值电阻转变特性的材料以及动态随机存储器件 | |
KR100567394B1 (ko) | 박막형 슈퍼 캐패시터 | |
Jeung et al. | Er0. 4Bi1. 6O3 thin films in situ crystallized at low temperature onto the Gd0. 1Ce0. 9O1. 95 bulk electrolytes via Facing-Target Sputtering | |
CN115959905B (zh) | 一种钛锆酸铅与氧化镁垂直自组装纳米复合介电储能薄膜及其制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
C17 | Cessation of patent right | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20081105 Termination date: 20120124 |