CN100399533C - 基板处理*** - Google Patents

Abstract

在本发明的基板处理***中，具有能收纳基板的多个第1单元、和在与第1单元之间进行基板的输送的第2单元。第1单元和第2单元，俯视观察时并列设置，在多个上述第1单元的至少某一个中包括进行基板的处理的处理单元。多个第1单元沿水平方向并列，上述第1单元能在水平方向上移动，以便上述多个第1单元中的沿水平方向相邻的至少2个第1单元能相对于上述第2单元交接基板。根据本发明，在具备多个单元的基板处理***中，能灵活地应对多种基板处理方法，降低基板间的处理时间差和基板的输送等待时间。

Description

基板处理***

技术领域

本发明涉及对基板进行处理的基板处理***。

背景技术

在现有技术中，例如对半导体晶片等基板的处理，大多要经过多道工序，该处理使用多个处理单元连续进行。因而，基板的处理通常是在集中搭载了多个处理单元的基板处理***中进行的。

例如，进行光刻工序的基板处理***包括：进行基板的输入输出的装载/卸载部、和进行基板的处理的处理站。在处理站的中央部设置有中央输送装置，在中央输送装置的周围圆周状地配置有多个处理单元组(日本专利第2919925号公报)。处理单元组通过多层地层叠不同种类或相同种类的处理单元而构成。由中央输送装置将从装载/卸载部依次输入的多个基板依次输送到多个处理单元组的规定的处理单元，连续进行跨多道工序的基板处理。多道工序处理完毕后的基板返回到装载/卸载部。根据这种基板处理***，能通过改变由中央输送装置输送基板的处理单元的种类和顺序，而灵活应对多种基板处理方法。

然而，根据上述基板处理***，由于是用一个中央输送装置来进行多个基板的输送，所以有在输送一个基板期间，不能进行其他基板的输送的情况。为此，难以始终在理想的时机从处理单元输出基板，一部分基板在处理单元内滞留的时间变长，会有在基板相互间产生处理时间差的情况。例如热处理时间差对基板的处理结果有很大的影响，有可能导致品质的离散。此外，若基板的输送等待时间变长，则相应地整个基板处理时间变长，有可能导致生产能力的降低。

而且，在以往的基板处理***中，大型的中央输送装置配置在处理部的中央，在它的周围配置各处理单元组，以便确保输送臂的运转空间。为此，在处理站中需要有较大的空间，从而使基板处理***整体大型化。

发明内容

本发明正是鉴于上述问题点而提出来的，其目的在于实现，在不使用以往那样的中央输送装置的情况下，灵活应对多种基板处理方法，而且降低基板间的处理时间差和基板的输送等待时间，进而使基板处理***小型化。

本发明的基板处理***具有能收纳基板的多个第1单元、和在与接近的上述第1单元之间进行基板的输送的第2单元，上述第1单元和上述第2单元，俯视观察时并列设置。而且，在多个上述第1单元的至少某一个中包括进行基板的处理的处理单元，多个上述第1单元沿上下方向并列。而且，上述第1单元能在上下方向上移动，以便上述多个第1单元中的上下相邻的至少2个第1单元能相对于上述第2单元交接基板。

根据本发明，第1单元可在上下方向上移动，以便能在沿上下方向并列的至少2个第1单元与第2单元之间交接基板，所以在第1单元和第2单元之间形成多条基板输送路径。因此，即使不使用以往那样的中央输送装置，也可在多种组合的单元之间输送基板，而灵活应对多种基板处理方法。此外，由于没有以往那样的中央输送装置，所以可降低基板的处理时间差和基板的输送等待时间。此外，由于没有中央输送装置，相应地可使基板处理***小型化。

根据本发明的另一方面，基板处理***具有能收纳基板的多个第1单元、和在与接近的上述第1单元之间进行基板的输送的第2单元。而且，上述第1单元和上述第2单元，俯视观察时并列设置。另外，在多个上述第1单元的至少某一个中包括进行基板的处理的处理单元。多个上述第1单元沿水平方向并列，进而上述第1单元能在水平方向上移动，以便多个上述第1单元中的沿水平方向相邻的至少2个第1单元能相对于上述第2单元交接基板。

在这种情况下，在第1单元和第2单元之间也形成多条基板输送路径。因而，即使不使用以往那样的中央输送装置，也可在多种组合的单元之间输送基板，而灵活应对多种基板处理方法。进而能降低基板相互间的处理时间差，而降低品质的离散。此外，可降低基板的输送等待时间而提高生产能力。由于没有中央输送装置，相应地可实现基板处理***的小型化。

此外，根据本发明的另一方面，本发明是进行基板的处理的基板处理***，具有能收纳基板的第1单元和第2单元，上述第1单元和第2单元的至少某一者装备有多个，在上述第1单元和第2单元的至少某一者中，包括进行基板的处理的处理单元。而且，上述第1单元和第2单元的至少某一者，具备在上述第1单元和上述第2单元之间进行基板输送的输送装置，上述第1单元和第2单元的至少某一者移动，而能够借助上述输送装置进行基板的输送。

此外，根据本发明的另一方面，本发明的基板处理***具有处理站，能收纳基板的多个第1单元、多个第2单元以及多个第3单元按照该顺序排列地装备在所述处理站中。而且上述第1单元、第2单元以及第3单元分别装备有多个，在各第1单元、第2单元以及第3单元的至少某一者中，包括进行基板的处理的处理单元。上述各第1单元能上下移动，上述各第2单元能水平移动，上述各第3单元能上下移动。另外，上述第1单元、第2单元以及第3单元的至少某一者移动，而能够在至少某一第1单元和至少某一第2单元之间、以及至少某一第2单元和至少某一第3单元之间交接基板。根据该方案，在处理站中并列设置着第1～第3单元，第1单元和第3单元上下移动，第2单元水平移动，而能够在这些单元之间进行基板的输送。因而，即使不用以往那样的中央输送装置，也可灵活地应对基板的多种处理方法。

附图说明

图1是表示本发明的基板处理***的概略构成的俯视图。

图2是表示图1的基板处理***的概略构成的侧视图。

图3是表示图1的基板处理***的概略构成的后视图。

图4是表示加热/冷却单元的概略构成的纵剖视图。

图5是表示加热/冷却单元的概略构成的横剖视图。

图6是表示第1以及第3区块的热处理单元的移动机构的说明图。

图7是表示第2区块的液体处理单元的移动机构的说明图。

图8是表示热处理单元的可动范围的说明图。

图9是表示热处理单元的可动范围的说明图。

图10A、图10B、图10C分别是各液体处理单元的可动范围的说明图。

图11是表示第1～第3区块的单元的移动方向的说明图。

图12是表示装备了独立移动的热处理单元的基板处理***的概略构成的侧视图。

图13是表示装备了独立移动的热处理单元的基板处理***的概略构成的俯视图。

图14是表示液体处理单元的其他可动范围的说明图。

图15是说明具有N个液体处理单元的情况下、液体处理单元的可动范围的说明图。

图16是表示热处理单元的其他可动范围的说明图。

图17是说明具有N个热处理单元的情况下、热处理单元的可动范围的说明图。

图18是表示在上下方向上也可移动的第2区块的液体处理单元的移动机构的说明图。

图19是装备了能上下移动的第2区块的液体处理单元的基板处理***的侧视图。

图20是在第2区块装备了输送装置的基板处理***的俯视图。

图21是表示装备了隔板的基板处理***的构成的俯视图。

图22表示的是表示其他输送线路的、图1的基板处理***的概略构成的侧视图。

具体实施方式

下面，对本发明的优选实施方式进行说明。图1是表示本实施方式的基板处理***1的概略构成的俯视图。

基板处理***1具有将下述部分一体连接的构成：载盒站2，如图1所示，作为将例如25张晶片W以盒单位从外部相对于基板处理***1输入输出、或是相对于盒C输入输出晶片W的输入部或装载/卸载部；处理站3，与该载盒站2邻接地设置，具备进行光刻工序中的各种处理的多个单元；接口部4，与该处理站3邻接地设置，在其与曝光装置(未图示)之间进行晶片W的交接。载盒站2、处理站3以及接口部4，向着Y方向(图1的左右方向)串联连接。

在载盒站2上设置有能向着X方向(图1的上下方向)载置多个盒C的载盒台10。盒C能沿着上下方向排列并收纳多个晶片W。在载盒站2的处理站3侧设置有晶片输送体11，在盒C和处理站3之间输送晶片W。晶片输送体11，例如在沿着X方向形成的输送道12上移动自如。晶片输送体11例如具有保持晶片W的保持部11a，该保持部11a在上下方向上移动自如且在水平方向上伸缩自如。由此，晶片输送体11能够相对于沿X方向排列的各盒C和后述处理站3的第1区块B1的单元进行访问，而输送晶片W。

与载盒站2相邻接的处理站3，例如装备有具有多个单元的3个区块B1、B2、B3。例如，在处理站3内，从载盒站2侧向着接口部4侧依次并列设置第1区块B1、第2区块B2以及第3区块B3。

在第1区块B1内，例如配置有沿着X方向并列设置的2个单元组G1、G2。

如图2所示，第一1单元组G1内层叠有例如多个作为第1单元(或第2单元)的热处理单元。例如，在第1单元组G1内，从下面起依次重叠例如进行晶片W的加热处理和冷却处理的加热/冷却单元20、21、22、23、24和进行晶片W的粘着处理和冷却处理的粘着/冷却单元25，而层叠成6层。例如，在上下方向上相邻的2个单元，即加热/冷却单元20以及21、加热/冷却单元22以及23、加热/冷却单元24以及粘着/冷却单元25各成一组而被一体化。

在第2单元组G2内，例如与第1单元组G1同样，如图3所示，从下面起依次重叠作为第1单元(或第2单元)的加热/冷却单元30、31、32、33、34和粘着/冷却单元35，而层叠成6层。

在此，对第1单元组G1的加热/冷却单元20的构成进行说明。如图4所示，加热/冷却单元20在壳体40内具备：进行晶片W的加热处理的加热部41、和进行晶片W的冷却处理的冷却部42。加热部41和冷却部42沿着X方向并列设置，例如，如图1所示，将冷却部42配置在处理站3的内侧(X方向正方向侧)，将加热部41配置在处理站3的外侧(X方向负方向侧)。

如图4所示，加热部41包括：盖体50，位于上侧，上下移动自如；热板收纳部51，位于下侧，与盖体50成为一体而形成处理室S。盖体50形成为下面开口的大致圆筒状，在盖体50的中央部形成有排气部50a。

在热板收纳部51的中央设置有载置并加热晶片W的加热板52。加热板52呈有厚度的大致圆盘形状。在加热板52的内部内置有通过供电而发热的加热器53。借助该加热器53的热量，可对加热板52上的晶片W进行加热。加热板52由环状的支承环54支承，经由该支承环54而被固定在热板收纳部51上。

在支承环54的上表面上，形成有向处理室S内喷出例如非活性气体的吹出口54a。

在加热板52的中央部附近，形成有在厚度方向上贯通的贯通孔55。在贯通孔55内，配置有通过压力缸等升降驱动机构56进行升降的第1升降销57，第1升降销57能突出到加热板52的上方。

在与加热部41相邻接的冷却部42内，例如设置有载置并冷却晶片W的冷却板60。冷却板60，例如如图5所示，呈大致方形的平板形状，加热部41侧的端面弯曲成圆弧状。在冷却板60的内部，例如内置有珀耳帖元件等冷却部件(未图示)，从而可将冷却板60调整到规定的设定温度。

如图4所示，冷却板60被安装在向着加热部41侧延伸的轨道61上。冷却板60可借助驱动部62在轨道61上移动。冷却板60可在加热板52的上方和冷却部42之间往复移动。

在冷却板60上，例如如图5所示，形成有沿着X方向的2条槽缝63。通过该槽缝63，防止移动到加热部41侧的冷却板60和第1升降销57的干涉，第1升降销57可突出到该冷却板60的上方。由此，可以将冷却板60上的晶片W交接到第1升降销57上，并从第1升降销57将晶片W载置到加热板52上。此外，还可以将加热板52上的晶片W交接到第1升降销57上，并从第1升降销57将晶片W载置到冷却板60上。

如图4所示，在冷却板60的槽缝63中设置有第2升降销64。第2升降销64通过升降驱动部65升降，可突出到冷却板60的上方。通过该第2升降销64，可使冷却板60的晶片W上浮，并交接到后述的输送装置80上。

例如，如图5所示，在隔着冷却板60的、壳体40的Y方向上的两侧面上，形成有用来输入输出晶片W的输送口70。

隔着冷却板60，在加热板52的相反侧设置有输送装置80，该输送装置80在冷却板60和后述的第2区块B2内的单元之间输送晶片W。输送装置80配置在例如比中央靠Y方向正方向侧处，即偏靠第2区块B2的位置上。输送装置80是例如多关节型的输送自动机。例如，输送装置80包括：在水平方向上伸缩自如的2条臂80a、和安装该臂80a的旋转驱动轴80b。输送装置80通过2条臂80a把持晶片W，通过旋转驱动轴80b使晶片W朝向输送目的地的方向，并通过臂80a使晶片W在水平方向上进退，由此可将晶片W输送到规定的输送目的地。通过该输送装置80，能够在加热/冷却单元20和接近该加热/冷却单元20的第2区块B2的液体处理单元之间交接晶片W。

第1单元组G1的其他加热/冷却单元21、22、23、24，例如具有与上述加热/冷却单元20同样的构成。粘着/冷却单元25，例如具有与上述加热/冷却单元20大致相同的构成。例如，粘着/冷却单元25备有供给口，来替代盖体50的排气口50a，该供给口将用于提高抗蚀剂液的紧贴性的紧贴强化剂，如HMDS的蒸气供给到处理室S内。此外，粘着/冷却单元25备有排气口，来替代支承环54的吹出口54a，该排气口排出处理室S内的气氛气体。其他部分与加热/冷却单元20同样，粘着/冷却单元25装备有加热板52、冷却板60和输送装置80等。另外，对于第1单元组G1的热处理单元的构成部件，采用与上述的加热/冷却单元20同样的名称和附图标记。

如上所述，如图6所示，第1单元组G1内的热处理单元的加热/冷却单元20以及加热/冷却单元21、加热/冷却单元22以及加热/冷却单元23、加热/冷却单元24以及粘着/冷却单元25，分别成组，而被一体化。这些热处理单元，每组都由保持部件90保持，安装在沿上下方向延伸的导向件91上。热处理单元每组成一体，例如能通过驱动机构92沿着导向件91在上下方向上移动。另外，对于热处理单元的可动范围在后面进行说明。此外，第1单元组G1的热处理单元的可动范围可设定为，后述第2区块B2的各液体处理单元能相对于上下方向的多个热处理单元输送晶片W。

第2单元组G2的加热/冷却单元30～34和粘着/冷却单元35，具有与上述第1单元组G1的热处理单元相同的构成。而且，这些第2单元组G2的各热处理单元具有与第1单元组G1同样的图6中所示移动机构，每两个相邻的单元由保持部件90保持，能借助驱动机构92沿着导向件91上下移动到规定的高度。另外，对于第2单元组G2的热处理单元的构成部件，采用与上述加热/冷却单元20同样的名称和附图标记。

第1单元组G1和第2单元组G2的热处理单元例如如图1所示配置成，相互的冷却板60在处理站3的中央附近接近并对置。

如图2所示，在处理站3的第2区块B2内，配置有沿着上下方向层叠的例如3个单元层H1、H2、H3。各单元层H1～H3内设置有多个作为进行晶片W的液体处理的第2单元(或第1单元)的液体处理单元。

例如，在最下层的第1单元层H1中，如图7所示向着X方向的水平方向并列设置有向晶片W供给显影液并进行显影处理的显影处理单元100、101、102。在中层的第2单元层H2中，向着X方向的水平方向并列设置有例如在抗蚀剂膜的上层形成反射防止膜的顶部涂敷单元110、111、112。在最上层的第3单元层H3中，向着X方向的水平方向并列设置有例如在晶片W上涂敷抗蚀剂液的抗蚀剂涂敷单元120、在抗蚀剂膜的下层形成反射防止膜的底部涂敷单元121、抗蚀剂涂敷单元122。在第2区块B2的各液体处理单元中设置有收纳晶片W、防止液体飞溅的罩P。

第1单元层H1的显影处理单元100～102，例如如图1以及图7所示，收纳在一个壳体130内。壳体130例如被载置在向着X方向形成于基台131上的轨道132上。壳体130例如借助驱动机构133而在轨道132上移动自如。由此，如图1所示，第1单元层H1的各显影处理单元100～102相对于邻接的第1区块B1和第3区块B3的热处理单元，可在X方向的水平方向上移动。在壳体130的Y方向的两侧，如图7所示，例如在各显影处理单元100～102上形成有晶片W的输送口134。通过该输送134，利用热处理单元的输送装置80对晶片W进行输送。显影处理单元100～102的可动范围例如可被设定为，第1以及第3区块B1、B3的各热处理单元能相对于多个显影处理单元输送晶片W。

如图7所示，第2单元层H2和第3单元层H3也具有与第1单元层H1相同的构成，第2单元层H2和第3单元层H3各自的多个液体处理单元，被收纳在壳体130内，能够借助驱动机构133向着X方向在轨道132上水平移动。另外，后面对液体处理单元的可动范围进行说明。

在处理站3的第3区块B3内设置有沿着X方向并列设置的2个单元组I1、I2。在各单元组I1、I2中例如层叠有作为第3单元的多个热处理单元。

例如，在第1单元组I1中，如图2所示，从下面依次重叠加热/冷却单元140、141、142、143、144、145，而层叠成6层。例如，在第2单元组I2中，如图3所示，从下面依次重叠加热/冷却单元150、151、152、153、154、155，而层叠成6层。

第1单元组I1和第2单元组I2的各加热/冷却单元140～145、150～155，具有与上述第1区块B1的加热/冷却单元20同样的构成，包括加热板52、冷却板60以及其他的作为输送装置的输送装置80。通过该输送装置80，第1单元组I1和第2单元组I2的各加热/冷却单元，可在与第2区块B2的液体处理单元之间输送晶片W。另外，第1单元组I1和第2单元组I2的各加热/冷却单元的构成部件，采用与上述加热/冷却单元20同样的名称和附图标记。

第1单元组I1和第2单元组I2的加热/冷却单元，例如如图1所示，被配置成相互的冷却板60接近并对置。

第1单元组I1和第2单元组I2的加热/冷却单元，例如如图2以及图3所示，上下邻接的2个单元彼此各成一组，而被一体化。

此外，第1单元组I1和第2单元组I2的加热/冷却单元，如图6所示，具有与第1区块B1的热处理单元同样的移动机构，每两个相邻的单元被保持在保持部件90上，通过驱动机构92，可沿着导向件91上下移动到规定的高度。另外，该热处理单元的可动范围在后面说明。

第1以及第2单元组I1、I2的热处理单元的可动范围可设定成，第2区块B2的各液体处理单元能相对于上下方向的多个热处理单元输送晶片W。

在此，对第1区块B1的热处理单元的可动范围进行说明。在本实施方式中，如图2以及图3所示，形成3组热处理单元，这各组热处理单元与第2区块B2的各单元层H1～H3大致对应。各组的热处理单元一体地上下移动，各组的上下2个热处理单元，至少能相对于其对应的单元层的液体处理单元交接晶片W。例如如图8所示，可使一个热处理单元K的输送口70的位置移动到，处于能在与单元层Hx的液体处理单元L之间交接晶片W的状态下的、另一个热处理单元K的输出口70的位置上。在本实施方式中，热处理单元在更大范围内上下移动，如图9所示，各组热处理单元K移动到与对应的单元层Hx邻接的单元层Hy，相对于该单元层Hy的液体处理单元，也可交接晶片W。

例如，图2所示的第1单元组G1的下层加热/冷却单元20、21，能从第1单元层H1上下移动到第2单元层H2，而相对于第1单元层H1和第2单元层H2的液体处理单元交接晶片W。中层的加热/冷却单元22、23，能从第2单元层H2上下移动到第1单元层H1或第3单元层H3，相对于全部单元层的液体处理单元交接晶片W。此外，上层的加热/冷却单元24和粘着/冷却单元25，能从第3单元层H3上下移动到第2单元层H2，相对于第3单元层H3和第2单元层H2的液体处理单元交接晶片W。由此，各组的热处理单元，能至少在上下2个单元层范围内输送晶片W。

另外，第1区块B1的第2单元组G2的各组热处理单元的可动范围，与第1单元组G1的热处理单元同样，可至少在上下2个单元层范围内输送晶片W。

下面，对第2区块B2的液体处理单元的可动范围进行说明。各单元层的液体处理单元可水平移动，以便各单元层的在X方向上相邻的至少2个液体处理单元，能相对于第1区块B1的共用的热处理单元交接晶片W。例如，能使一个液体处理单元的输送口位置移动到，处于能与某热处理单元之间交接晶片W的状态下的、相邻液体处理单元的输出口位置上。

例如，如图10A所示，当壳体130位于处理站3的X方向上的中央时，例如X方向正方向端的液体处理单元Lx，位于第2单元组G2的热处理单元Kx的正面，相互的输送口70、134相对置，能在液体处理单元Lx和热处理单元Kx之间交接晶片W。此外，此时X方向负方向端的液体处理单元Ly处于第1单元组G1的热处理单元Ky的正面，相互的输送口70、134相互对置，能在液体处理单元Ly和热处理单元Ky之间交接晶片W(图10A)。

然后，通过壳体130向X方向正方向侧的移动，中央的液体处理单元Lz可移动到第2单元组G2的热处理单元Kx的正面，相互的输送口70、134相对置，能在液体处理单元Lz和热处理单元Kx之间交接晶片W(图10B)。通过壳体130向X方向负方向侧的移动，液体处理单元Lz，例如可移动到第1单元组G1的热处理单元Ky的正面，相互的输送口70、134相对置，能在液体处理单元Lz和热处理单元Ky之间交接晶片W(图10C)。由此，通过壳体130的移动，2个液体处理单元Lx、Lz可相对于热处理单元Kx交接晶片W，2个液体处理单元Ly、Lz可相对于热处理单元Ky交接晶片W。

第3区块B3的热处理单元与上述第1区块B1的热处理单元同样，各组的热处理单元至少能在上下2个单元层范围内移动，而相对于该上下2个单元层的液体处理单元交接晶片W。

如上所述，在处理站3内，如图11所示，第1区块B1的热处理单元、第3区块B3的热处理单元可上下移动。此外，第2区块B2的液体处理单元，能以各层H1～H3的壳体130单位在X方向上水平移动。第1区块B1和第3区块B 3的热处理单元内设置有输送装置80，该输送装置80用于在与第2区块B2的液体处理单元之间输送晶片W。由此，相邻区块的单元彼此相对移动，在其可动范围内，能在第1区块B1和第2区块B2之间、第2区块B2和第3区块B 3之间的任意单元间进行晶片W的输送。

如图2所示，在处理站3的底部设置有电装/化学室160，其中收纳有供给到第2区块B2的各液体处理单元的各种处理液的供给源、和各区块B1～B3的各单元的电源等。

在接口部4的处理站3侧，例如如图1所示，设置有晶片输送体170。在接口部4的Y方向正方向侧，沿X方向并列设置有：仅选择性地对晶片W的缘部进行曝光的周边曝光单元171、172、和用于与曝光装置(未图示)之间进行晶片W的交接的交接盒173。交接盒173设置在周边曝光单元171、172之间。

晶片输送体170，例如在向着X方向延伸的输送道174上移动自如。晶片输送体170具有保持晶片W的保持部170a，保持部170a在上下方向上移动自如，而且在水平方向上伸缩自如。晶片输送体170可相对于处理站3的第3区块B3的热处理单元和周边曝光单元171、172以及交接盒173进行访问，而输送晶片W。

接下来，对如上所述构成的基板处理***1中所进行的晶片W的处理过程进行说明。

首先，盒C的未处理的晶片W，如图1所示，由晶片输送体11依次输入处理站3的第1区块B1内。例如，晶片W被输入到第1单元组G1的粘着/冷却单元25或者是第2单元组G2的粘着/冷却单元35。另外，也可以设计成，晶片W被输送到在其输送时刻空着的粘着/冷却单元内。

例如，输入到粘着/冷却单元25内的晶片W，首先在冷却板60上调整为规定的温度，再从冷却板60输送到加热板52。晶片W在加热板52上被加热到规定的温度，并在晶片W上涂敷HMDS的蒸气。然后，使晶片W返回到冷却板60，通过输送装置80输送到位于第2区块B2的上层的第3单元层H3的例如抗蚀剂涂敷单元120(图2的箭头所示)。另外，晶片W也可以输送到该第3单元层H3的抗蚀剂涂敷单元122。此外，也可以设计成，晶片W被输送到在其输送时刻空着的抗蚀剂涂敷单元。

在输送时作为输送目的地的例如抗蚀剂涂敷单元120和粘着/冷却单元25的位置错开的情况下，如图2所示，粘着/冷却单元25在上下方向上移动，或是如图1所示，抗蚀剂涂敷单元120在水平方向上移动，从而粘着/冷却单元25和抗蚀剂涂敷单元120相对移动，以便进入能由输送装置80进行晶片W输送的范围内。另外，这些单元间的相对移动，既可以是仅一方的单元移动，也可以是两方的单元都移动。

将晶片W输送到第2单元组G2的粘着/冷却单元35中的情况也同样，在粘着处理结束后，将晶片W输送到第2区块B2的抗蚀剂涂敷单元120或是122。

例如，在输送到抗蚀剂涂敷单元120的晶片W上，涂敷抗蚀剂液。然后，如图2所示，晶片W从抗蚀剂涂敷单元120被输送到位于第1区块B1的第1单元组G1上层侧的例如加热/冷却单元24。另外，晶片W也可以被输送到其他能将晶片W输送到进行下一处理的顶部涂敷单元内的加热/冷却单元，例如，位于第1单元组G1中层的加热/冷却单元23或者第2单元组G2的加热/冷却单元33、34等。此外，也可以设计成，晶片W被输送到在其输送时刻空着的第1区块B1的加热/冷却单元。

例如，通过加热/冷却单元24的输送装置80，进行晶片W从抗蚀剂涂敷单元120向加热/冷却单元24的输送。此外，当输送目的地的加热/冷却单元24和抗蚀剂涂敷单元120的位置错开的情况下，加热/冷却单元24和抗蚀剂涂敷单元120相对移动，在加热/冷却单元24和抗蚀剂涂敷单元120相互接近后，通过输送装置80来输送晶片W。

例如，输送到加热/冷却单元24的晶片W，从冷却板60输送到加热板52，被预烘干。在预烘干结束后，晶片W返回到冷却板60。此后，通过输送装置80将晶片W输送到位于第2区块B2中层的第2单元层H2的例如顶部涂敷单元110。另外，还可以将晶片W输送到第2单元层H2的其他顶部涂敷单元111、112。此外，还可以设计成，将晶片W输送到在其输送时刻空着的第2区块B2的顶部涂敷单元。

输送时，加热/冷却单元24，例如从第1单元层H1的高度下降到第2单元层H2的高度。此外，在第2单元层H2中，输送目的地的例如顶部涂敷单元110，被水平移动到加热/冷却单元24的正面，此后通过输送装置80输送晶片W。

在输送到例如顶部涂敷单元110的晶片W上涂敷反射防止液，形成反射防止膜。此后，将晶片W从顶部涂敷单元110输送到位于第3的区块B3的第1单元组I1的例如中层的加热/冷却单元142。另外，晶片W也可被输送到其他能相对于顶部涂敷单元110进行访问的加热/冷却单元，例如位于第1单元组I1中层的加热/冷却单元143或者是第2单元组I2的加热/冷却单元152、153等。此外，也可以设计成，晶片W被输送到在其输送时刻空着的第3区块B3的加热/冷却单元。

通过加热/冷却单元142的输送装置80，进行晶片W从顶部涂敷单元110向加热/冷却单元142的输送。此外，当输送目的地的例如加热/冷却单元142和顶部涂敷单元110的位置错开的情况下，加热/冷却单元142和顶部涂敷单元110相对移动，使得加热/冷却单元142和顶部涂敷单元110相互接近，通过输送装置80输送晶片W。

例如，输送到加热/冷却单元142的晶片W，从冷却板60输送到加热板52而被加热。加热结束后的晶片W返回到冷却板60，此后通过接口部4的晶片输送体170输送到例如周边曝光单元171。在周边曝光单元171中，晶片W的外周被曝光。此后，通过晶片输送体170将晶片W输送到交接盒173，输送到接近接口部4的曝光装置(未图示)，并进行曝光。

曝光处理结束后的晶片W，返回到交接盒173，通过晶片输送体170，被输送到位于第3区块B3的第1单元组I1下层侧的例如加热/冷却单元140。另外，晶片W也可以被输送到其他能将晶片W输送到进行下一处理的显影处理单元中的加热/冷却单元141、150、151等。此外，还可以设计成，晶片W被输送到在其输送时刻空着的第3区块B3的加热/冷却单元。

输送到例如加热/冷却单元140的晶片W，从冷却板60被输送到加热板52，施行后曝光烘干。后曝光烘干结束后的晶片W返回到冷却板60，通过输送装置80输送到第2区块B2的第1单元层H1的例如显影处理单元100。另外，还可以将晶片W输送到第1单元层H1的其他显影处理单元101、102。此外，还可以设计成，将晶片W输送到在其输送时刻空着的第2区块B2的显影处理单元。

在输送时输送目的地的例如加热/冷却单元140和显影处理单元100的位置错开的情况下，加热/冷却单元140和显影处理单元100，在上下方向和水平方向上相对移动，加热/冷却单元140和显影处理单元100相互接近，通过输送装置80输送晶片W。

输送到例如显影处理单元100的晶片W被显影。显影处理后的晶片W，被输送到位于第1区块B1的第1单元组G1下层侧的例如加热/冷却单元20。另外，晶片W也可被输送到其他能相对于显影处理单元100进行访问的单元，例如位于第1单元组G1下层侧的加热/冷却单元21或者位于第2单元组G2下层侧的加热/冷却单元30、31等。此外，还可以设计成，将晶片W输送到在其输送时刻空着的第1区块B1的加热/冷却单元。

通过加热/冷却单元20的输送装置80，进行晶片W从显影处理单元100向加热/冷却单元20的输送。此外，在输送目的地的加热/冷却单元20和显影处理单元100的位置错开的情况下，加热/冷却单元20和显影处理单元100相对移动，加热/冷却单元20和显影处理单元100相互接近，通过输送装置80输送晶片W。

输送到例如加热/冷却单元20的晶片W，从冷却板60被输送到加热板52，施行后烘干。后烘干结束后的晶片W返回到冷却板60，通过载盒站2的晶片输送体11返回到盒C。于是，一系列的光刻工序结束。

根据以上的实施方式，处理站3的第1区块B1和第3区块B3的各组的2个热处理单元，为了能够相对于共用的液体处理单元交接晶片W，而能够上下移动。此外，第2区块B2的相邻的2个液体处理单元，为了能够相对于共用的热处理单元交接晶片W，而能够水平移动。通过这样设计，第1区块B1和第2区块B2的单元彼此、及第2区块B2和第3区块B3的单元彼此相对移动，能在相邻区块彼此的多种组合的单元之间输送晶片W。因而，在处理站3内，形成通过多种组合的单元的、晶片W的输送路径。结果，在基板处理***1中可实现晶片W的多种输送流程，从而可灵活地与晶片W的多种处理方法对应。此外，由于没有了以往那样的中央输送装置，并能在单元间灵活且顺利地进行输送，所以可减少晶片W间的处理时间差和晶片W的输送等待时间差，实现晶片处理的品质均匀化和生产能力的提高。进而，无需用来设置中央输送装置的较大空间，相应地可使基板处理***1小型化。

由于在第1区块B1和第3区块B 3的热处理单元中设置了输送装置80，所以可按照第1区块B1、第2区块B2、第3区块B3以及接口部4的顺序，直线输送载盒站2的晶片W。此外，能够在使晶片W在第1区块B1和第2区块B2之间以及第2区块B2和第3区块B3之间往复后，将晶片W输送到接口部4。在从接口部4返回到载盒站2时也同样，可按照第3区块B3、第2区块B2、第1区块B1、载盒站2的顺序输送晶片W。而且能够使晶片W在第3区块B3和第2区块B2之间以及第2区块B2和第1区块B1之间往复之后，输送到载盒站2。

在上述实施方式中，在第2区块B2中，沿水平方向排列地配置多个液体处理单元，且使得该多个液体处理单元能在水平方向上移动，因此，第1以及第3区块B1、B3的各热处理单元，可相对于第2区块B2的水平方向上的多个液体处理单元输送晶片W。而且，第2区块B2的各液体处理单元，可相对于第1以及第3区块B1、B3的水平方向上的多组热处理单元输送晶片W。

此外，第1以及第3区块B1、B3的多个热处理单元上下层叠并且可上下移动，因此，第2区块B2的各液体处理单元，可相对于第1以及第3区块B1、B3的上下方向上的多个热处理单元输送晶片W。而且，第1以及第3区块B1、B3的各热处理单元，可相对于第2区块B2的上下方向上的多层液体处理单元输送晶片W。

在上述实施方式中，第1区块B1和第3区块B3的各组热处理单元能在上下2个单元层范围内上下移动，但是，各组双方的热处理单元只要能够相对于最少一个单元层的液体处理单元交接晶片W即可。此外，也可以设计成，各组的热处理单元能在全部单元层H1～H3范围内上下移动，而相对于全部单元层H1～H3的液体处理单元交接晶片W。在这种情况下，例如也可采用如下方式：与第2区块B2相比，扩大第1区块B1和第3区块B3在上下方向上的宽度，使得最下层组的热处理单元能相对于最上层的单元层H3的液体处理单元交接晶片W，最上层组的热处理单元可相对于最下层的单元层H1的液体处理单元交接晶片W。

在上述实施方式中，第2区块B2的各单元层的相邻2个液体处理单元水平移动，以便能够相对于第1区块B1和第3区块B3的共用热处理单元交接晶片W，但是也可以设计成，各单元层内的全部液体处理单元都能相对于共用的热处理单元交接晶片W。在这种情况下，例如也可采用如下方式：与第1区块B1以及第3区块B3相比，扩大第2区块B2在X方向的水平方向上的宽度，以便壳体130能在更宽的范围内水平移动。而且，还可以设计成：X方向正方向端的液体处理单元可相对于第1单元组G1的热处理单元交接晶片W，X方向负方向端的液体处理单元可相对于第2单元组G2的热处理单元交接晶片W。通过这样设计，增加了所能输送的单元的组合，可形成更多的晶片W输送路径。

在上述实施方式中，第1以及第3区块的B1、B3的热处理单元分别成组地上下移动，但是，也可以如图12所示，各热处理单元分别上下移动。在这种情况下，各热处理单元移动的自由度得以增加，所以晶片W的输送时机和输送路径的自由度也增大。结果可降低晶片W的输送等待时间和晶片间处理时间的离散。

此外，第2区块B2的各层液体处理单元，在各壳体130中成一体地水平移动，但是，也可以如图13所示设计成，各液体处理单元分别独立地水平移动。在这种情况下，例如对应各液体处理单元都设置壳体130。由于这种情况下也可使各液体处理单元的移动的自由度增加，所以晶片W的输送时机和输送路径的自由度也增大，从而能以更为合适的时机输送晶片W。

在上述实施方式中，第2区块B2的各液体处理单元水平移动相当于一个单元的程度，但是，只要是沿水平方向相邻的至少2个液体处理单元可相对于共用的热处理单元交接晶片W的范围，则也可以如图14所示设计成，通过壳体130的移动，各液体处理单元Lx、Ly、Lz在一个单元的量以内的范围内水平移动。

另外，也可以设计成各液体处理单元水平移动一个单元的量以上。例如，在如图15所示相同的液体处理单元L沿水平方向排列有N个(N为2以上的自然数)的情况下，可以设计成，液体处理单元L一体地水平移动N-1个单元的量。例如，在液体处理单元为3的情况下，液体处理单元可水平移动2个单元的量。通过这样设计，全部液体处理单元L可相对于共用的热处理单元Kx、Ky交接晶片W。例如，X方向负方向端的液体处理单元可相对于第2单元组G2的热处理单元Kx交接晶片W，X方向正方向端的液体处理单元可相对于第1单元组G1的热处理单元Ky交接晶片W。

此外，上述第1以及第3区块B1、B3的各热处理单元，上下移动大约一个单元的量，但是只要是沿上下方向相邻的至少2个热处理单元可相对于共用的液体处理单元交接晶片W的范围，则也可以如图16所示，各处理单元K在一个单元的量以内的范围内上下移动。另外，也可以设计成，各热处理单元上下移动一个单元的量以上。

在上述实施方式中，2个热处理单元一体地上下移动，但是，如图17所示，在2个以上的N个相同热处理单元K一体地上下移动的情况下，也可以设计成，该一体的热处理单元K能够上下移动N-1个单元的量。这样，全部热处理单元K都能相对于共用的液体处理单元L交接晶片W。

上述实施方式中所述的第2区块B2的液体处理单元，可水平移动，但也可设计成还能上下移动。在这种情况下，例如，如图18所示，各单元层H1～H3的壳体130的基台131由保持部件200保持，并被安装在沿上下方向延伸的导向件201上。壳体130的基台131，通过驱动机构202，可沿着导向件201上下移动。由此，各单元层H1～H3的液体处理单元可分别上下移动。在第1区块B1和第2区块B2之间输送晶片W或者是在第2区块B2和第3区块B3之间输送晶片W时，根据需要，如图19所示使第2区块B2内的液体处理单元上下移动。这样，例如，第1以及第3区块B1、B3的更多的热处理单元，可相对于第2区块B2的液体处理单元进行访问，从而可形成更多的晶片W的输送路径。

在上述实施方式中，输送装置80设置在第1区块B1和第3区块B3的热处理单元中，但是，如图20所示，也可将输送装置80设置在第2区块B2的液体处理单元中。这种情况下，在第1区块B1和第3区块B3侧也可不设置输送装置80。在这种情况下，通过第2区块B2的输送装置80，可以在第1区块B1和第2区块B2之间以及第2区块B2和第3区块B3之间进行晶片W的输送。

另外，输送装置80也可以设置在第1区块B1和第3区块B3的热处理单元与第2区块B2的液体处理单元两者之中。在将输送装置80设置在第2区块B2的液体处理单元中的情况下，可以不在全部的液体处理单元中设置输送装置80，而仅在特定的液体处理单元中设置输送装置80。此外，关于上述实施方式中所述的第1区块B1和第3区块B3的单元，也同样可以不在全部单元中设置输送装置80，而将输送装置80仅设置在特定的单元中。

此外，也可以设计成：使热处理单元的冷却板60具有输送功能，冷却板60旋转，并相对于第2区块B2的液体处理单元进退，从而可直接对液体处理单元进行访问。

如图21所示，可以在处理站3的相邻各区块之间设置隔板220。在这种情况下，隔板220具有空冷式或水冷式的隔热构造。这样，第1以及第3的区块B1、B3的热处理单元的热量不会对第2区块B2的液体处理单元造成不良的影响。另外，在隔板220上形成有未图示的晶片输送口。也可以在晶片输送口上设置活门。

以上参考附图对本发明的优选实施方式进行了说明，但是本发明并不仅限定于这些例子。如果是本领域普通技术人员的话，在权利要求所记载的思想范畴内，显然可得到各种变形例或修改例，这些变形和修改当然也属于本发明的技术范围。

晶片W的输送路径，并不限定于上述实施方式的情况。例如在不在抗蚀剂膜的上层形成反射防止膜、而仅形成抗蚀剂膜的情况下，也可以如下输送：晶片W在抗蚀剂涂敷单元120中被涂敷了抗蚀剂之后，被输送到第3区块B3侧的加热/冷却单元，此后，与上述实施方式同样地被输送到接口部4侧。

此外，在抗蚀剂膜的下层形成反射防止膜的情况下，晶片W从载盒站2被输送到第1区块B1的加热/冷却单元，再从该加热/冷却单元输送到第2区块B2的底部涂敷单元121。在底部涂敷单元121中涂敷了反射防止膜的晶片W，被输送到例如第1区块B1的加热/冷却单元，然后与上述实施方式同样地，再被输送到第2区块B2的抗蚀剂涂敷单元中。结束了抗蚀剂涂敷处理的晶片W，既可以经由第1或第3区块B1、B3的加热/冷却单元而被送到第2区块B2的例如顶部涂敷单元110，也可以输送到第3区块B3的加热/冷却单元，然后被送到接口部4。这样，可根据晶片W处理方法来任意选择晶片W的输送路径。

此外，也可以由载盒站2的晶片输送体11进行晶片W在第1区块B1内的单元间的输送。例如可采用如下方式：由晶片输送体11将未处理的晶片W输送到第1区块B1的加热/冷却单元中，然后，由晶片输送体11将该加热/冷却单元的晶片W输送到粘着/冷却单元中。此外，也可以由接口部4的晶片输送体170进行晶片W在第3区块B3内的单元间的输送。

在上述实施方式中所述的处理站3内，仅设置有进行晶片W的处理的处理单元，但根据需要，也可以设置不进行晶片W的处理的、例如进行晶片W的交接的交接单元或进行对位的校准单元。

虽然上述实施方式中所述的处理站3包括3个区块B1～B3，但是其数量可以任意选择。第1以及第3区块B1、B3的区块组的数量也可任意选择。而且第2区块B2的单元层的数量也可任意选择。

在第1区块B1和第3区块B 3的各单元组中，层叠了6个热处理单元，但是其数量及种类可任意选择。此外，第2区块B2的各单元层中，3个液体处理单元并列，但是其数量和种类也可任意选择。

在上述实施方式中，第1以及第3区块B1、B3的热处理单元上下移动，第2区块B2的液体处理单元水平移动，由此实现了第1以及第3区块B1、B3的热处理单元和第2区块B2的液体处理单元间的相对移动，但是，也可以通过其他移动来实现相对移动。例如，也可以设计成，第1以及第3区块B1、B3的热处理单元水平移动。此外，也可以设计成，例如规定区块的单元相对于移动目的地在倾斜方向上直线移动。

在上述实施方式中，对1张晶片W的处理过程进行了说明，但是在基板处理***1中，可同期连续进行多张晶片的处理。此时，在第2区块B2的单元层H1～H3中，即使在一个液体处理单元中正在进行晶片W的处理，壳体130也可以移动而相对于其他的液体处理单元输入输出晶片W。此外，在第1区块B1和第2区块B2中，在两个一组的热处理单元中的一个热处理单元中进行晶片W的处理时，一组热处理单元整体也可以移动，从而相对于另一热处理单元进行晶片W的输送。

晶片W的输送路径并不限定于上述实施方式的情况。晶片W的输送路径，可根据晶片W的处理方法来任意选择。也可以借助载盒站2的晶片输送体11进行第1区块B1内的单元间的晶片W输送。例如可以设计成：由晶片输送体11将未处理的晶片W输送到第1区块B1的加热/冷却单元，此后，由晶片输送体11将该加热/冷却单元的晶片W输送到粘着/冷却单元。此外，也可以通过接口部4的晶片输送体170进行第3区块B3内的单元间的晶片W输送。

而且，可采用图22所示的输送路径。即，在输送到例如抗蚀剂涂敷单元120中的晶片W上，涂敷抗蚀剂液。此后，如图22所示，将晶片W从抗蚀剂涂敷单元120输送到位于第3区块B3的第1单元组I1的例如上层的加热/冷却单元144中。另外，也可以将晶片W输送到其他能相对于抗蚀剂涂敷单元120进行访问的加热/冷却单元，例如第1单元组I1的加热/冷却单元143、145或第2单元组I2的加热/冷却单元153～155等。此外，也可以设计成，将晶片W输送到在其输送时刻空着的第3区块B3的加热/冷却单元。

通过加热/冷却单元144的输送装置80，进行从抗蚀剂涂敷单元120向加热/冷却单元144的晶片W输送。此外，在输送目的地的例如加热/冷却单元144和抗蚀剂涂敷单元120的位置错开的情况下，加热/冷却单元144和抗蚀剂涂敷单元120相对移动，加热/冷却单元144和抗蚀剂涂敷单元120相互接近，通过输送装置80输送晶片W。

例如，输送到加热/冷却单元144的晶片W，被从冷却板60输送到加热板52，进行预烘干。预烘干结束后的晶片W返回到冷却板60，此后，通过接口部4的晶片输送体170输送到例如周边曝光单元171。在周边曝光单元171中晶片W的外周部被曝光。此后，晶片W由晶片输送体170输送到交接盒173，再被输送到与接口部4接近的曝光装置(未图示)，进行曝光。

曝光处理结束后的晶片W返回到交接盒173，由晶片输送体170输送到位于第3区块B3的第1区块组I1下层侧的例如加热/冷却单元140。另外，晶片W，也可以被输送到能将晶片W输送到进行下一处理的显影处理单元的、第3区块B3的其他加热/冷却单元141、150、151等中。此外，也可以设计成，将晶片W输送到在其输送时刻空着的第3区块B 3的加热/冷却单元中。

进而，也可以设计成，处理站3的第1区块B1和第3区块B3的热处理单元能在上下方向上移动，而第2区块B2的液体处理单元能在水平方向上移动。此外，也可以设计成，在第1区块B1和第3区块B3的热处理单元中设置输送装置80，使第1区块B1和第2区块B2单元彼此以及第2区块B2和第3区块B3的单元彼此相对移动，而能在第1区块B1和第2区块B2之间以及第2区块B2和第3区块B3之间输送晶片W。由此，能在第1区块B1和第2区块B2的许多种组合的单元间，进行晶片W的输送。此外，能在第2区块B2和第3区块B3的许多种组合的单元间进行晶片W的输送。结果，在处理站3内形成晶片W的许多条输送路径，从而可灵活地应对晶片W的多种处理方法。此外，由于不必使用以往那样的中央输送装置，便能在单元间灵活且顺利地进行输送，所以可减少晶片W间的处理时间差和晶片W的输送等待时间差，实现晶片处理的品质均匀化和生产能力的提高。进而，无需用来设置中央输送装置的大空间，相应地能使基板处理***1小型化。

此外，由于第1以及第3区块B1、B3的单元上下移动，夹在其间的第2区块B2的单元水平移动，所以在上下方向上移动的多个单元和在水平方向上移动的多个单元在输送路径上交替配置。由此，在处理站3中，移动多个单元所需的空间较小，相应地可使处理站3紧凑化。

根据上述例子，晶片W从载盒站2输送到第1区块B1的热处理单元，再从第1区块B1的热处理单元输送到第2区块B2的液体处理单元，此后，输送到第3区块B3的热处理单元，再输送到接口部4。此外，在曝光处理结束后，从接口部4输送到第3区块B3的热处理单元，从第3区块B3的热处理单元输送到第2区块B2的液体处理单元，此后输送到第1区块B1的热处理单元，再返回到载盒站2。这样，晶片W被直线输送，所以可降低晶片W的总移动距离，实现生产能力的提高。

进而，也可以设计成，曝光处理结束后的晶片W返回到交接盒173，由晶片输送体170输送到第3区块B3的例如加热/冷却单元140中。在加热/冷却单元140中，晶片W被进行后曝光烘干。后曝光烘干结束后的晶片W，由输送装置80输送到第2区块B2的例如显影处理单元100，并被显影。显影处理结束后的晶片W，被输送到第1区块B1的例如加热/冷却单元20。输送到加热/冷却单元20的晶片W，从冷却板60被输送到加热板52，实施后烘干。后烘干结束后的晶片W返回到冷却板60，借助于载盒站2的晶片输送体11返回到盒C。于是一系列的光刻工序结束。

根据该例，使从载盒站2输送到第1区块B1的晶片W在第1区块B1和第2区块B2之间往复，此后输送到第3区块B3，再输送到接口部4。这样，通过根据需要使晶片W在第1区块B1和第2区块B2之间往复，不仅能将输送维持在晶片W输送距离较短的直线上，还可进行工序数多的晶片处理。另外，晶片W的往复次数，可根据晶片W的处理方法任意选择。

既可以使晶片W在第1区块B1和第2区块B2之间往复，根据需要也可以使晶片W在第2区块B2和第3区块B3之间往复。例如，在上述实施方式中，将在抗蚀剂涂敷单元120中结束了抗蚀剂涂敷的晶片W经由第1区块B1的热处理单元而输送到顶部涂敷单元110中，但是，也可经由第3区块B3的热处理单元而输送到顶部涂敷单元110。

此外，也可使晶片W在第1区块B1和第2区块B2之间以及第2区块B2和第3区块B3之间往复。例如，在抗蚀剂膜的下层和上层形成反射防止膜的情况下，晶片W从载盒站2被输送到第1区块B1的加热/冷却单元，从该加热/冷却单元输送到第2区块B2的底部涂敷单元121。在该底部涂敷单元121中涂敷了反射防止膜的晶片W，输送到例如第1区块B1的加热/冷却单元，此后输送到例如第2区块B2的抗蚀剂涂敷单元120。然后，在抗蚀剂涂敷单元120中涂敷了抗蚀剂的晶片W，经由第3区块B3的加热/冷却单元而被输送到第2区块B2的例如顶部涂敷单元110。此后，晶片W与上述实施方式同样地被输送到例如第3区块B3的加热/冷却单元142。

在将晶片W从载盒站2输送到接口部4时，可以使晶片W往复，在将晶片W从接口部4输送到载盒站2时，根据需要也可以使晶片W在第3区块B3和第2区块B2之间以及第2区块B2和第1区块B1之间往复。

在上述实施方式中，多个单元配置在处理站3的各区块中，但是，本发明的多个单元的配置并不限定于上述情况。在上述实施方式中，本发明应用于进行光刻工序的基板处理***1，但也可以应用于其他处理，如进行下述处理的基板处理***：进行晶片W的清洗处理的清洗处理、在晶片W上成膜的成膜处理、蚀刻晶片W的蚀刻处理、对晶片W上的膜厚、线厚、微粒或缺陷等进行检查的检查处理等。即，本发明中的单元还可以是清洗单元、成膜单元、蚀刻单元、检查单元等。本发明也可用于晶片W以外的FPD(平板显示器)、光掩模的掩模版等其他基板的处理***。

本发明在基板处理***中，对于灵活应对多种处理方法、降低基板间的处理时间差和基板的输送等待时间、进而实现空间节省来说是有用的。

Claims (13)

1.一种进行基板的处理的基板处理***，其特征在于，

具有能收纳基板的多个第1单元、和第2单元，在上述第2单元与接近上述第2单元的上述第1单元之间进行基板的输送，

上述第1单元和上述第2单元，俯视观察时并列设置，

在多个上述第1单元的至少某一个中包括进行基板的处理的处理单元，

多个上述第1单元沿上下方向并列，

上述第1单元能在上下方向上移动，以便上述多个第1单元中的上下相邻的至少2个第1单元能相对于上述第2单元交接基板。

2.如权利要求1所述的基板处理***，其特征在于，

还具有能收纳基板的第3单元，

上述各第1单元能上下移动，

上述各第2单元能水平移动，

上述各第3单元能上下移动，

上述第1单元、第2单元以及第3单元的至少某一者移动，而能够在至少某一第1单元和至少某一第2单元之间、以及至少某一第2单元和至少某一第3单元之间交接基板。

3.一种进行基板的处理的基板处理***，其特征在于，

具有能收纳基板的多个第1单元、和第2单元，在上述第2单元与接近上述第2单元的上述第1单元之间进行基板的输送，

上述第1单元和上述第2单元，俯视观察时并列设置，

在多个上述第1单元的至少某一个中包括进行基板的处理的处理单元，

多个上述第1单元沿水平方向并列，

上述第1单元能在水平方向上移动，以便多个上述第1单元中的沿水平方向相邻的至少2个第1单元能相对于上述第2单元交接基板。

4.如权利要求3所述的基板处理***，其特征在于，上述多个第1单元中的沿水平方向相邻的至少2个第1单元，能够一体地在水平方向上移动。

5.如权利要求4所述的基板处理***，其特征在于，在N个第1单元一体化了的情况下，该一体化了的第1单元能够在水平方向上移动相当于N-1个单元的空间，其中N为2以上的自然数。

6.如权利要求3所述的基板处理***，其特征在于，上述多个第1单元能够相互独立地在水平方向上移动。

7.如权利要求3所述的基板处理***，其特征在于，上述第1单元能够在水平方向上移动相当于至少一个单元的空间。

8.如权利要求3所述的基板处理***，其特征在于，上述第1单元能够沿水平方向在相当于一个单元的空间以内移动。

9.如权利要求3所述的基板处理***，其特征在于，上述第1单元能够在水平方向上移动，以便至少与其中一个第1单元相邻的其他第1单元的基板输送口能够移动到该其中一个第1单元的基板输送口的位置上，该其中一个第1单元处在能够在该第1单元与上述第2单元之间输送基板的状态下。

10.如权利要求3所述的基板处理***，其特征在于，上述第2单元装备有多个，而且沿水平方向并列，

上述第1单元能够在水平方向上移动，以便能够在各第1单元与沿水平方向相邻的至少2个第2单元之间交接基板。

11.如权利要求3所述的基板处理***，其特征在于，在上述第1单元中包括进行基板的液体处理的液体处理单元，

在上述第2单元中包括进行基板的热处理的热处理单元。

12.一种进行基板的处理的基板处理***，其特征在于，

具有能收纳基板的第1单元和第2单元，

上述第1单元和第2单元的至少某一者装备有多个，

上述第1单元和第2单元均包括进行基板的处理的处理单元，

上述第1单元和第2单元的至少某一者，具备在上述第1单元和上述第2单元之间进行基板输送的输送装置，

上述第1单元和第2单元的至少某一者移动，而能够借助上述输送装置进行基板的输送。

13.如权利要求12所述的基板处理***，其特征在于，具有能收纳基板的多个或一个第3单元，

在上述第3单元与上述第2单元之间进行基板的输送，

在上述第2单元具备上述输送装置的情况下，上述第2单元和上述第3单元的至少某一者移动，而能够借助上述输送装置在上述第2单元和上述第3单元之间进行基板的输送，

在上述第2单元不具备上述输送装置的情况下，第3单元具备在上述第2单元和上述第3单元之间进行基板的输送的其他输送装置，上述第2单元和上述第3单元的至少某一者移动，而能够借助上述其他输送装置在上述第2单元和上述第3单元之间进行基板的输送。

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