TWI606538B - 基板處理裝置及基板處理系統 - Google Patents

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TWI606538B
TWI606538B TW102129349A TW102129349A TWI606538B TW I606538 B TWI606538 B TW I606538B TW 102129349 A TW102129349 A TW 102129349A TW 102129349 A TW102129349 A TW 102129349A TW I606538 B TWI606538 B TW I606538B
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田口隆志
桑原丈二
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斯克林半導體科技有限公司
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    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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Description

基板處理裝置及基板處理系統
本發明係關於一種基板處理裝置及基板處理系統。
為了對半導體基板、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板等各種基板實施各種處理,而使用基板處理裝置。
日本專利特開2003-324139號公報中揭示之基板處理裝置係以與作為外部裝置之曝光裝置鄰接之方式配置。於基板處理裝置中,對曝光處理前之基板實施包含成膜處理之複數個處理,且對曝光處理後之基板實施包含顯影處理之複數個處理。
於曝光裝置中,例如對基板實施電子束之直寫曝光處理。於該情形時,1片基板之曝光處理所需之時間較長。在與如此之曝光裝置一併地使用如上所述之基板處理裝置情形時,基板處理裝置及曝光裝置之整體之處理速度被曝光裝置中之處理速度限速。藉此,基板處理裝置及曝光裝置之整體產出量低下。
本發明之目的係提供一種可使包含曝光處理之一系列之基板處理中之產出量提昇之基板處理裝置及基板處理系統。
(1)依據本發明之一態樣之基板處理裝置係以與複數個曝光裝置 鄰接之方式設置之基板處理裝置,且複數個曝光裝置係以沿一方向排列之方式配置,基板處理裝置係包含對基板進行處理之處理部、及用以於處理部與複數個曝光裝置之間搬送基板之曝光搬送部,曝光搬送部包括:第1搬送路徑,其以沿複數個曝光裝置一方向地延伸之方式設置;及第1搬送機構,其係構成為以對複數個曝光裝置可進行基板之交接,並且對處理部可進行基板之交接之方式,於第1搬送路徑上搬送基板。
於該基板處理裝置,在處理部中對基板進行處理,且經由曝光搬送部,於處理部與複數個曝光裝置之間搬送基板。複數個曝光裝置係以沿一方向排列之方式配置。於曝光搬送部中,第1搬送路徑沿上述一方向延伸,且於該第1搬送路徑上,第1搬送機構搬送基板。
於該情形時,可自處理部將曝光處理前之基板依次搬送至複數個曝光裝置。又,可自複數個曝光裝置將曝光處理後之基板依次搬送至處理部。因而,可於複數個曝光裝置中,並行且連續地進行基板之曝光處理。藉此,即便各曝光裝置中之曝光處理之時間變長,亦可於基板處理裝置及複數個曝光裝置中有效地處理複數個基板。故而,可使包含曝光處理之一系列基板處理中之產出量提昇。
(2)處理部可包含對基板進行處理之處理區域、及設置於處理區域與曝光搬送部之間之搬送區域,且搬送區域可包含於處理區域與曝光搬送部之間搬送基板之第2搬送機構。
於該情形時,可有效地進行處理部與曝光搬送部之間之基板交接。
(3)第1搬送路徑可設置於複數個曝光裝置之上方。於該情形時,可減小曝光搬送部之佔有面積。
(4)曝光搬送部可包含:第1交接部,其設置於第1搬送路徑之一端部,且用以對處理部進行基板之交接;及複數個第2交接部,其等 係以沿著第1搬送路徑之方式設置,且用以對複數個曝光裝置進行基板之交接;第1搬送機構可包含構成為可沿一方向移動且於第1交接部與複數個第2交接部之間可搬送基板之移動部。
於該情形時,曝光處理前之基板藉由移動部而自第1交接部依次搬送至複數個第2交接部,且曝光處理後之基板藉由移動部而自複數個第2交接部依次搬送至第1交接部。藉此,可於處理部與複數個曝光裝置之間順利地搬送基板。故而,可使含有曝光處理之一系列之基板處理中之產出量提昇。
(5)第1交接部可包含用以調整基板之朝向之朝向調整部。於該情形時,第1搬送機構可以固定之朝向搬送各基板。藉此,可以合理之朝向將各基板搬入至曝光裝置。其結果,可於曝光裝置中,對基板合理地進行曝光處理。
(6)複數個曝光裝置可以沿一方向形成複數行之方式配置,且第1搬送路徑可以沿複數行分別延伸之方式設置複數個,第1搬送機構可以於複數個第1搬送路徑上分別搬送基板之方式設置複數個。
於該情形時,可於複數個第1搬送路徑上並行地搬送基板,從而可於形成複數行之複數個曝光裝置中並行地進行基板之曝光處理。藉此,可使包含曝光處理之一系列之基板處理中之產出量進而提昇。
(7)依據本發明之另一態樣之基板處理系統係包含依據本發明之一態樣之複數個基板處理裝置、及用以於複數個基板處理裝置之間搬送基板之裝置間搬送部。
該基板處理系統係包含依據本發明之一態樣之複數個基板處理裝置,因此,可使包含曝光處理之一系列之基板處理中之產出量提昇。又,由於藉由裝置間搬送部而於複數個基板處理裝置之間搬送基板,因此,可於複數個基板處理裝置之間相互地補充地處理基板。故而,可使基板之處理效率進而提昇。
(8)裝置間搬送部可構成為於複數個基板處理裝置之曝光搬送部及複數個基板處理裝置之處理部之間搬送基板。
於該情形時,可於複數個基板處理裝置之間,適當地變更基板之搬送路徑。藉此,可使基板之處理效率提昇。
(9)各基板處理裝置可包含用以自外部搬入基板及將基板搬出至外部之搬入搬出區域,且裝置間搬送部可構成為可於複數個基板處理裝置之搬入搬出區域之間搬送基板。
於該情形時,可於複數個基板處理裝置之間,適當地變更基板之搬送路徑。藉此,可使基板之處理效率提昇。
根據本發明,可使包含曝光處理之一系列之基板處理中之產出量提昇。
11‧‧‧裝載區塊
12‧‧‧第1處理區塊
13‧‧‧第2處理區塊
14‧‧‧背面洗淨處理區塊
15‧‧‧傳遞區塊
15A‧‧‧搬送路徑
21~24‧‧‧塗佈處理室
31~34‧‧‧顯影處理室
50‧‧‧流體箱部
51‧‧‧轉夾頭
52‧‧‧連接軸
53‧‧‧馬達
54‧‧‧凹口檢測部
54a‧‧‧投光部
54b‧‧‧受光部
60‧‧‧流體箱部
100‧‧‧處理部
111‧‧‧載體載置部
112‧‧‧搬送部
113‧‧‧載體
113b‧‧‧被握持部
114‧‧‧控制部
115‧‧‧搬送機構
116‧‧‧機械手
121‧‧‧塗佈處理部
122、132、163‧‧‧搬送部
123、133‧‧‧熱處理部
125‧‧‧上段搬送室
126‧‧‧下段搬送室
127、128、137、138‧‧‧搬送機構
129‧‧‧塗佈處理單元
131‧‧‧顯影處理部
135‧‧‧上段搬送室
136‧‧‧下段搬送室
137、141、142、146‧‧‧搬送機構
139‧‧‧顯影處理單元
161‧‧‧背面洗淨處理部
200‧‧‧曝光搬送部
200a‧‧‧殼體
201‧‧‧水平搬送區域
202‧‧‧垂直搬送區域
203a、203b‧‧‧搬送機構
204‧‧‧搬送機構
211‧‧‧導軌
212、213‧‧‧移動旋轉部
301、303‧‧‧上段熱處理部
302、304‧‧‧下段熱處理部
311、312、313‧‧‧導軌
314‧‧‧移動構件
315‧‧‧旋轉構件
401‧‧‧架
410‧‧‧搬送機構
411‧‧‧握持部
412‧‧‧臂機構
413‧‧‧移動機構
500、500A、500B、500C‧‧‧基板處理裝置
AL1、AL2‧‧‧對準機
BC‧‧‧背面洗淨處理單元
CB‧‧‧載體緩衝部
CP‧‧‧冷卻單元
EXP‧‧‧曝光裝置
EXPa‧‧‧開口
H1、H2、H3、H11、H12‧‧‧機械手
NT‧‧‧凹口
PAHP‧‧‧密接強化處理單元
PASS1、PASS2、PASS3、PASS4、PASS5、PASS6、PASS7、PASS8、PASS9、PASS11、PASS12、PASS20、PASS32‧‧‧基板載置部
PB‧‧‧處理區塊
P-BF1‧‧‧載置兼緩衝部
P-CP‧‧‧載置兼冷卻部
PHP‧‧‧熱處理單元
W‧‧‧基板
圖1係本發明之第1實施形態之基板處理裝置之示意性平面圖。
圖2係曝光搬送部之示意性側視圖。
圖3係曝光搬送部之示意性側視圖。
圖4(a)係表示對準機之構成之示意性側視圖,且圖4(b)係示意性平面圖。
圖5係表示處理部之構成之示意性平面圖。
圖6係主要表示圖5之塗佈處理部、顯影處理部及背面洗淨處理部之處理部之示意性側視圖。
圖7係主要表示圖5之熱處理部之處理部之示意性側視圖。
圖8係主要表示圖4之搬送部之側視圖。
圖9係本發明之第2實施形態之基板處理系統之示意性平面圖。
圖10係本發明之第3實施形態之基板處理系統之示意性平面圖。
圖11係表示載體緩衝部及搬送部之構成之示意性側視圖。
以下,使用圖式,對本發明之實施形態之基板處理裝置及基板處理系統進行說明。再者,以下之說明中,所謂基板係指半導體基板、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、光罩用玻璃基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、及光罩用基板等。
(1)第1實施形態 (1-1)基板處理裝置之構成
圖1係本發明之第1實施形態之基板處理裝置之示意性平面圖。於圖1及圖2以下之圖中,視需要而標註表示相互地正交之X方向、Y方向及Z方向之箭頭,以明確位置關係。X方向及Y方向係於水平面內相互地正交,且Z方向係相當於鉛垂方向。
如圖1所示,基板處理裝置500係包括處理部100及曝光搬送部200。處理部100包含裝載區塊11、處理區塊PB及傳遞區塊15。處理部100之詳細情況隨後記述。於處理部100之傳遞區塊15以相鄰之方式配置有曝光搬送部200。
(1-2)曝光搬送部之構成
圖2及圖3係曝光搬送部200之示意性側視圖。如圖1~圖3所示,曝光搬送部200係於殼體200a內包括水平搬送區域201、及複數個垂直搬送區域202。水平搬送區域201係設置為於殼體200a內之上部沿X方向延伸。於水平搬送區域201之下方,以沿X方向排列成2行之方式配置有複數個(本例為10台)之曝光裝置EXP。各曝光裝置EXP係於基板上進行電子束之直寫曝光處理。
於殼體200a內之兩側部,以分別與複數個曝光裝置EXP相鄰之方式,沿X方向設置有2行之複數個垂直搬送區域202。各垂直搬送區域202係對應於相鄰之曝光裝置EXP。以下,將設置於殼體200a內之一側(圖1中為上側)之複數個垂直搬送區域202之各者稱為一側垂直搬送區域202,將設置於曝光搬送部200內之另一側(圖1中為下側)之複數 個垂直搬送區域202之各者稱為另一側垂直搬送區域202。
如圖1所示,於水平搬送區域201,設置有基板載置部PASS11、PASS12、對準機AL1、AL2及搬送機構203a、203b。基板載置部PASS11、PASS12係設置為與處理部100之傳遞區塊15相鄰且在水平搬送區域201之一端部排列於Y方向。於基板載置部PASS11之下方設置有對準機AL1,且於基板載置部PASS12之下方設置有對準機AL2。對準機AL1、AL2係調整曝光處理前之基板之朝向。此處,所謂基板之朝向係指以Z方向之軸為中心之旋轉方向上基板之朝向。對準機AL1、AL2之詳細情況隨後記述。
以與複數個一側垂直搬送區域202相鄰之方式設置搬送機構203a,且以與複數個另一側垂直搬送區域202相鄰之方式設置搬送機構203b。搬送機構203a、203b之各者包括導軌211、移動旋轉部212及機械手H1、H2。導軌211係以於X方向上直線狀延伸之方式設置。移動旋轉部212係構成為可沿各導軌211在X方向上移動且可圍繞上下方向(Z方向)之軸進行旋轉。於移動旋轉部212,上下地安裝有用以保持基板之機械手H1、H2。機械手H1、H2係構成為可相對移動旋轉部212在水平方向上進退。各導軌211係藉由未圖示之升降機構而上下方向地升降。藉此,將移動旋轉部212及機械手H1、H2一體地沿上下方向升降。
於各垂直搬送區域202,設置有基板載置部PASS20及搬送機構204。如圖2及圖3所示,各基板載置部PASS20設置於較水平搬送區域201之底面高之位置。各搬送機構204具有移動旋轉部213及機械手H3。移動旋轉部213係構成為可上下方向地移動且可圍繞上下方向(Z方向)之軸旋轉。機械手H3係構成為可相對移動旋轉部212在水平方向上進退。於各曝光裝置EXP之外側之面之下部設置有開口EXPa。各搬送機構204係構成為可穿過開口EXPa,於基板載置部PASS20與曝光 裝置EXP之間搬送基板。
於水平搬送區域201中,搬送機構203a構成為可於基板載置部PASS11、對準機AL1、及複數個一側垂直搬送區域202之基板載置部PASS20之間搬送基板。搬送機構203b係構成為可於基板載置部PASS12、對準機AL2、及複數個另一側垂直搬送區域202之基板載置部PASS20之間搬送基板。
(1-3)曝光搬送部之動作
一面參照圖1~圖3,一面對曝光搬送部200之動作進行說明。自處理部100(圖1)之傳遞區塊15,將抗蝕膜之形成後且曝光處理前之基板搬送至曝光搬送部200之對準機AL1、AL2。於對準機AL1、AL2之各者中,如下所述,調整基板之朝向。
搬送機構203a係使用機械手H1、H2之一者,自對準機AL1將曝光處理前之基板依次搬送至複數個一側垂直搬送區域202之基板載置部PASS20。搬送機構203b係使用機械手H1、H2之一者,自對準機AL2將曝光處理前之基板依次搬送至複數個另一側垂直搬送區域202之基板載置部PASS20。
於複數個一側垂直搬送區域202及複數個另一側垂直搬送區域202之各者,搬送機構204將曝光處理前之基板自基板載置部PASS20搬送至曝光裝置EXP。於曝光裝置EXP,進行基板之曝光處理後,搬送機構204將曝光處理後之基板自曝光裝置EXP搬送至基板載置部PASS20。
搬送機構203a係使用機械手H1、H2之另一者,自複數個一側垂直搬送區域202之基板載置部PASS20,將曝光處理後之基板依次搬送至基板載置部PASS11。搬送機構203b係使用機械手H1、H2之另一者,自複數個另一側垂直搬送區域202之基板載置部PASS20將曝光處理後之基板依次搬送至基板載置部PASS12。
搬送機構203a係連續地進行將基板載置於基板載置部PASS11,以及自對準機AL1接收基板。例如,於由機械手H2保持曝光處理後之基板之狀態下,使移動旋轉部212移動至與基板載置部PASS11及對準機AL1接近之位置。繼而,將由機械手H2保持之曝光處理後之基板載置於基板載置部PASS11,且藉由機械手H1而自對準機AL1接收曝光處理前之基板。
又,搬送機構203a係連續地自基板載置部PASS20接收基板,以及將基板載置於基板載置部PASS20。例如,於由機械手H1保持著曝光處理前之基板之狀態下,使移動旋轉部212移動至與載置有曝光處理後之基板之基板載置部PASS20接近之位置。繼而,藉由機械手H2而自基板載置部PASS20接收曝光處理後之基板,且將由機械手H1保持之曝光處理前之基板載置於該基板載置部PASS20。於無論何者之一側垂直搬送區域202中,基板載置部PASS20中均未載置有基板載置之情形時,搬送機構203a在將基板載置於任一基板載置部PASS20之前待機。
同樣地,搬送機構203b連續地將曝光處理後之基板載置於基板載置部PASS12,以及自對準機AL2接收曝光處理前之基板,且連續地自基板載置部PASS20接收曝光處理後之基板,以及將曝光處理前之基板載置於基板載置部PASS20。
藉由搬送機構203a、203b重複進行上述動作,而於複數個一側垂直搬送區域202及複數個另一側垂直搬送區域202之各者,依次地進行曝光處理前之基板與曝光處理後之基板之交換。藉此,於複數個曝光裝置EXP中,可連續且並行地進行基板之曝光處理。
再者,例如於1批次之基板之處理開始時,在將基板搬入至所有之曝光裝置EXP之前,搬送機構203a、203b僅進行曝光處理前之基板之搬送。此後,於各曝光裝置EXP中,每當曝光處理結束時,搬送機 構203a、203b如上所述地依次進行曝光處理後之基板與曝光處理前之基板之交換。
(1-4)對準機之構成
圖4係表示對準機AL1之構成之示意性側視圖及示意性平面圖。圖3之對準機AL2具有與圖4之對準機AL1相同之構成。
如圖4(a)所示,對準機AL1包含旋轉夾頭51、連接軸52、馬達53及凹口檢測部54。旋轉夾頭51係經由連接軸52連接於馬達53。旋轉夾頭51係真空吸附基板W之背面,水平地保持基板W。此處,所謂基板W之背面係指與形成有抗蝕膜之基板W之面為相反側之面。藉由馬達53而使旋轉夾頭51旋轉,藉此,使由旋轉夾頭51保持之基板W圍繞上下方向(Z方向)之軸進行旋轉。
凹口檢測部54包含以於上下方向相互地隔開之方式配置之投光部54a及受光部54b。由旋轉夾頭51保持之基板W之周緣部係配置於凹口檢測部54之投光部54a與受光部54b之間。於該狀態下,基板W進行旋轉。
如圖4(b)所示,於基板W之周緣部之一部分,形成有用以檢測基板W之朝向之凹口(缺口)NT。於凹口NT以外之基板W之周緣部之部分位於凹口檢測部54之投光部54a與受光部54b之間之情形時,自投光部54a投射之光被基板W之周緣部遮擋,而無法由受光部54b接收。另一方面,於凹口NT位於投光部54a與受光部54b之間之情形時,自投光部54a投射之光由受光部54b進行接收。藉此,可檢測基板W之凹口NT。
於對準機AL1、AL2之各者中,以凹口NT位於相對基板W之中心預定之方向之方式,調整基板W之朝向。此後,由搬送機構203a、203b將基板W保持著自對準機AL1、AL2中取出。於該情形時,由搬送機構203a搬送之所有之基板W之朝向變得相同,該等基板W經由一 側垂直搬送區域202以相同之朝向被搬入至曝光裝置EXP。又,由搬送機構203b搬送之所有之基板W之朝向變得相同,該等基板W經由另一側垂直搬送區域202以相同之朝向被搬入至曝光裝置EXP。藉此,於各曝光裝置EXP中,可於基板W之朝向合理之狀態下對基板W進行曝光處理。
(1-5)處理部之構成
圖5係表示處理部100之構成之示意性平面圖。如圖5所示,處理部100係包含裝載區塊11、第1處理區塊12、第2處理區塊13、背面洗淨處理區塊14、及傳遞區塊15。處理區塊PB包含第1及第2處理區塊12、13及背面洗淨處理區塊14。
裝載區塊11係包括複數個載體載置部111及搬送部112。於各載體載置部111,載置多段地收納複數個基板W之載體113。
於搬送部112設置有控制部114及搬送機構115。控制部114係控制基板處理裝置500之各種構成要素。搬送機構115具有用以保持基板W之機械手116。搬送機構115係一面利用機械手116保持基板W一面搬送該基板W。
第1處理區塊12係包括塗佈處理部121、搬送部122、及熱處理部123。塗佈處理部121及熱處理部123係以夾隔搬送部122而對向之方式設置。於搬送部122與裝載區塊11之間,設置有載置基板W之基板載置部PASS1及下述之基板載置部PASS2~PASS4(參照圖8)。於搬送部122設置有搬送基板W之搬送機構127及下述之搬送機構128(參照圖8)。
第2處理區塊13係包括顯影處理部131、搬送部132、及熱處理部133。顯影處理部131及熱處理部133係以夾隔搬送部132而對向之方式設置。於搬送部132與搬送部122之間,設置有載置基板W之基板載置部PASS5及下述之基板載置部PASS6~PASS8(參照圖8)。於搬送部132 設置有搬送基板W之搬送機構137及下述之搬送機構138(參照圖8)。
背面洗淨處理區塊14係包括背面洗淨處理部161及搬送部163。於搬送部163設置有搬送機構141、142。於搬送部163與搬送部132之間,設置有載置兼緩衝部P-BF1及下述之載置兼緩衝部P-BF2(參照圖8)。載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2係複數個基板W收容。
又,於搬送機構141、142之間,以鄰接於傳遞區塊15之方式,設置基板載置部PASS9及下述之載置兼冷卻部P-CP(參照圖8)。載置兼冷卻部P-CP具備冷卻基板W之功能。於載置兼冷卻部P-CP中,將基板W冷卻至適於曝光處理之溫度。
於傳遞區塊15設置有搬送機構146。搬送機構146係將曝光處理前之基板W搬送至曝光搬送部200之對準機AL1、AL2,且自曝光搬送部200之基板載置部PASS11、PASS12接收曝光處理後之基板W。
(1-6)塗佈處理部及顯影處理部之構成
圖6係主要表示圖5之塗佈處理部121、顯影處理部131、及背面洗淨處理部161之處理部100之示意性側視圖。
如圖6所示,於塗佈處理部121分層地設置塗佈處理室21、22、23、24。於塗佈處理室21~24之各者設置有塗佈處理單元129。於顯影處理部131分層地設置顯影處理室31、32、33、34。於顯影處理室31~34之各者設置有顯影處理單元139。
於塗佈處理室22、24之塗佈處理單元129中,將基底膜用之處理液塗佈於基板W。藉此,於基板W上形成基底膜。於塗佈處理室21、23之塗佈處理單元129中,將抗蝕膜用之處理液塗佈於基板W。藉此,於基板W上形成抗蝕膜。本實施形態係藉由於基板W上形成基底膜之後形成抗蝕膜,而使抗蝕膜對於基板W之密接性提昇。又,於搬入至基板處理裝置100前,於基板W上形成其他膜之情形時,可防止抗蝕膜受到其他膜影響。於顯影處理單元139中,對基板W供給顯影 液。藉此,進行基板W之顯影處理。
於背面洗淨處理部161設置有複數個(本例為4個)背面洗淨處理單元BC。於背面洗淨處理單元BC中,使用刷等,進行曝光處理前之基板W之背面之洗淨處理。
如圖5及圖6所示,於塗佈處理部121中,以與顯影處理部131相鄰之方式設置流體箱部50。同樣地,於顯影處理部131中,以與背面洗淨處理區塊14相鄰之方式設置流體箱部60。於流體箱部50及流體箱部60內,收納有對塗佈處理單元129及顯影處理單元139供給藥液、以及與來自塗佈處理單元129及顯影處理單元139之廢液及排氣等相關之導管、接頭、閥、流量計、調節器、泵、溫度調節器等流體關聯機器。
(1-7)熱處理部之構成
圖7係主要表示圖5之熱處理部123、133之處理部100之示意性側視圖。
如圖7所示,熱處理部123係包括設置於上方之上段熱處理部301、及設置於下方之下段熱處理部302。於上段熱處理部301及下段熱處理部302,設置複數個熱處理單元PHP、複數個密接強化處理單元PAHP、及複數個冷卻單元CP。
於熱處理單元PHP中,進行基板W之加熱處理及冷卻處理。以下,將熱處理單元PHP中之加熱處理及冷卻處理簡稱為熱處理。於密接強化處理單元PAHP中,進行用以使基板W與基底膜之密接性提昇之密接強化處理。具體而言,於密接強化處理單元PAHP中,對基板W塗佈HMDS(Hexamethyldisilazane)(六甲基二矽氮烷)等密接強化劑,並且對基板W進行加熱處理。於冷卻單元CP中,進行基板W之冷卻處理。
熱處理部133係包括設置於上方之上段熱處理部303、及設置於 下方之下段熱處理部304。於上段熱處理部303及下段熱處理部304,設置有冷卻單元CP及複數個熱處理單元PHP。於上段熱處理部303及下段熱處理部304中,以與背面洗淨處理區塊14相鄰之方式設置之熱處理單元PHP構成為可自背面洗淨處理區塊14搬入基板W。
(1-8)搬送部之構成
圖8係主要表示圖5之搬送部122、132、163之側視圖。如圖8所示,搬送部122係包括上段搬送室125及下段搬送室126。搬送部132係包括上段搬送室135及下段搬送室136。於上段搬送室125設置有搬送機構127,且於下段搬送室126設置有搬送機構128。又,於上段搬送室135設置有搬送機構137,且於下段搬送室136設置有搬送機構138。
於搬送部112與上段搬送室125之間,設置有基板載置部PASS1、PASS2,且於搬送部112與下段搬送室126之間設置有基板載置部PASS3、PASS4。於上段搬送室125與上段搬送室135之間,設置有基板載置部PASS5、PASS6,且於下段搬送室126與下段搬送室136之間,設置有基板載置部PASS7、PASS8。
於上段搬送室135與搬送部163之間設置有載置兼緩衝部P-BF1,且於下段搬送室136與搬送部163之間設置有載置兼緩衝部P-BF2。於搬送部163中,以與傳遞區塊15鄰接之方式,設置有基板載置部PASS9及複數個載置兼冷卻部P-CP。
搬送機構127、128、137、138之各者係包括導軌311、312、313、移動構件314、旋轉構件315、及機械手H11、H12。導軌311、312係分別設置為沿上下方向延伸。導軌313係以於導軌311與導軌312之間沿水平方向(X方向)延伸之方式設置,且可上下活動地安裝於導軌311、312。移動構件314係可沿水平方向(X方向)地安裝於導軌313。於移動構件314之上表面,可旋轉地設置有旋轉構件315。於旋轉構件315安裝有用以保持基板W之機械手H11及機械手H12。機械手 H11、H12構成為可沿水平方向進退。
因如此之構成,移動構件314便可於X方向及Z方向上移動,且旋轉構件315可圍繞Z方向之軸旋轉。又,可使用機械手H11、H12,進行基板W之接收及載置。
搬送機構127係構成為可於基板載置部PASS1、PASS2、PASS5、PASS6、塗佈處理室21、22(圖6)及上段熱處理部301(圖7)之間搬送基板W。搬送機構128係構成為可於基板載置部PASS3、PASS4、PASS7、PASS8、塗佈處理室23、24(圖6)及下段熱處理部302(圖7)之間搬送基板W。
搬送機構137係構成為可於基板載置部PASS5、PASS6、載置兼緩衝部P-BF1、顯影處理室31、32(圖6)及上段熱處理部303(圖7)之間搬送基板W。搬送機構138係構成為可於基板載置部PASS7、PASS8、載置兼緩衝部P-BF2、顯影處理室33、34(圖6)及下段熱處理部304(圖7)之間搬送基板W。
(1-9)處理部之動作
一面參照圖5~圖8,一面說明處理部100之動作。於裝載區塊11之載體載置部111(圖5),載置收容有未處理之基板W之載體113。搬送機構115係將未處理之基板W自載體113搬送至基板載置部PASS1、PASS3(圖8)。又,搬送機構115係將載置於基板載置部PASS2、PASS4(圖8)之處理過之基板W搬送至載體113。
於第1處理區塊12中,搬送機構127(圖8)將載置於基板載置部PASS1(圖8)之基板W依序地搬送至密接強化處理單元PAHP(圖7)、冷卻單元CP(圖7)、塗佈處理室22(圖6)、熱處理單元PHP(圖7)、冷卻單元CP(圖7)、塗佈處理室21(圖6)、熱處理單元PHP(圖7)、及基板載置部PASS5(圖8)。
於該情形時,在密接強化處理單元PAHP中,對基板W實施密接 強化處理之後,在冷卻單元CP中,將基板W冷卻至適於形成基底膜之溫度。繼而,在塗佈處理室22中,藉由塗佈處理單元129(圖6)而於基板W上形成基底膜。繼而,在熱處理單元PHP中,實施基板W之熱處理之後,在冷卻單元CP中,將基板W冷卻至適於形成抗蝕膜之溫度。繼之,在塗佈處理室21中,藉由塗佈處理單元129(圖6),而於基板W上形成抗蝕膜。此後,在熱處理單元PHP中,實施基板W之熱處理,且將該基板W載置於基板載置部PASS5。
又,搬送機構127係將載置於基板載置部PASS6(圖8)之顯影處理後之基板W搬送至基板載置部PASS2(圖8)。
搬送機構128(圖8)係將載置於基板載置部PASS3(圖8)之基板W依序地搬送至密接強化處理單元PAHP(圖7)、冷卻單元CP(圖7)、塗佈處理室24(圖6)、熱處理單元PHP(圖7)、冷卻單元CP(圖7)、塗佈處理室23(圖6)、熱處理單元PHP(圖7)、及基板載置部PASS7(圖8)。又,搬送機構128(圖8)係將載置於基板載置部PASS8(圖8)之顯影處理後之基板W搬送至基板載置部PASS4(圖8)。塗佈處理室23、24(圖6)及下段熱處理部302(圖7)中之基板W之處理之順序及內容係與上述塗佈處理室21、22(圖6)及上段熱處理部301(圖7)中之基板W之處理之順序及內容相同。
於第2處理區塊13中,搬送機構137(圖8)將載置於基板載置部PASS5(圖8)之抗蝕膜形成後之基板W搬送至載置兼緩衝部P-BF1(圖8)。又,搬送機構137(圖8)係自與背面洗淨處理區塊14鄰接之熱處理單元PHP(圖7)取出曝光處理後且熱處理後之基板W,且將該基板W依序地搬送至冷卻單元CP(圖7)、顯影處理室31、32(圖6)、熱處理單元PHP(圖7)、及基板載置部PASS6(圖8)。
於該情形時,在冷卻單元CP中,將基板W冷卻至適於顯影處理之溫度之後,在顯影處理室31或顯影處理室32中,藉由顯影處理單元 139來進行基板W之顯影處理。此後,在熱處理單元PHP中,實施基板W之熱處理,且將該基板W載置於基板載置部PASS6。
搬送機構138(圖8)係將載置於基板載置部PASS7(圖8)之抗蝕膜形成後之基板W搬送至載置兼緩衝部P-BF2(圖8)。又,搬送機構138(圖8)係自與背面洗淨處理區塊14鄰接之熱處理單元PHP(圖7)取出曝光處理後且熱處理後之基板W,且將該基板W依序地搬送至冷卻單元CP(圖7)、顯影處理室33、34(圖6)、熱處理單元PHP(圖7)、及基板載置部PASS8(圖8)。顯影處理室33、34及下段熱處理部304中之基板W之處理之順序及內容係與上述顯影處理室31、32及上段熱處理部303中之基板W之處理之順序及內容相同。
於背面洗淨處理區塊14中,搬送機構141(圖5)將載置於載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2(圖8)之基板W依序地搬送至背面洗淨處理部161之背面洗淨處理單元BC(圖6)及載置兼冷卻部P-CP(圖8)。於該情形時,在背面洗淨處理單元BC中,實施基板W之背面之洗淨處理之後,在載置兼冷卻部P-CP中,將基板W冷卻至適於曝光裝置EXP(圖1~圖3)中之曝光處理之溫度。
搬送機構142(圖5)係將載置於基板載置部PASS9(圖8)之曝光處理後之基板W搬送至上段熱處理部303之熱處理單元PHP(圖7)及下段熱處理部304之熱處理單元PHP(圖7)。於該等熱處理單元PHP中,實施曝光後烘烤(PEB,Post Exposure Bake)處理。
於傳遞區塊15中,搬送機構146(圖5)將載置於載置兼冷卻部P-CP(圖8)之曝光處理前之基板W搬送至曝光搬送部200之對準機AL1、AL2(圖5)。又,搬送機構146(圖5)將載置於基板載置部PASS11、PASS12(圖5)之曝光處理後之基板W搬送至基板載置部PASS9(圖5)。
再者,於曝光搬送部200無法接收基板W之情形時,將曝光處理前之基板W暫時地收容於載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2。又,於第2處 理區塊13之顯影處理單元139(圖6)無法接收曝光處理後之基板W情形時,將曝光處理後之基板W暫時地收容於載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2。
在本實施形態中,可並行地實施設於上段之塗佈處理室21、22、顯影處理室31、32及上段熱處理部301、303中之基板W之處理、與設於下段之塗佈處理室23、24、顯影處理室33、34及下段熱處理部302、304中之基板W之處理。藉此,無需使佔據面積增加,便可使產出量提昇。
(1-10)效果
於本實施形態之基板處理裝置500中,經由曝光搬送部200,在處理部100與複數個曝光裝置EXP之間搬送基板W。於曝光搬送部200中,以沿複數個曝光裝置EXP延伸之方式設置有水平搬送區域201,且於水平搬送區域201中利用搬送機構203a、203b搬送基板W。
於該情形時,可將曝光處理前之基板W依次地自處理部100搬送至複數個曝光裝置EXP。又,可將曝光處理後之基板W依次地自複數個曝光裝置EXP搬送至處理部100。因而,可於複數個曝光裝置EXP中並行地實施基板W之曝光處理。藉此,即便各曝光裝置EXP中之曝光處理之時間較長,亦可於基板處理裝置500及複數個曝光裝置EXP中,有效地處理複數個基板W。故而,可使包含曝光處理之一系列之基板處理中之產出量提昇。
又,本實施形態係經由傳遞區塊15,於處理區塊PB與曝光搬送部200之間搬送基板W。藉此,可有效地實施處理部100與曝光搬送部200之間之基板W之交接。
又,本實施形態係以可於基板載置部PASS11、對準機AL1、及複數個一側垂直搬送區域202之基板載置部PASS20之間搬送基板W之方式構成搬送機構203a,且以可於基板載置部PASS12、對準機AL2、 及複數個另一側垂直搬送區域202之基板載置部PASS20之間搬送基板W之方式構成搬送機構203b。藉此,可於處理部100與複數個曝光裝置EXP之間順利地搬送基板W。
又,本實施形態係將複數個曝光裝置EXP沿X方向配置2行,且於處理部100與一行之曝光裝置EXP之間利用搬送機構203a搬送基板W,而於處理部100與另一行之曝光裝置EXP之間利用搬送機構203b搬送基板W。藉此,可並行地實施處理部100與一行之曝光裝置EXP之間之基板W之搬送、及處理部100與另一行之曝光裝置EXP之間之基板W之搬送。又,可於2行之曝光裝置EXP中並行地實施基板W之曝光處理。藉此,可使包含曝光處理之一系列之基板處理中之產出量進而提昇。
(2)第2實施形態
以下,對本發明之第2實施形態之基板處理系統進行說明。
圖9係本發明之第2實施形態之基板處理系統之示意性平面圖。如圖9所示,第2實施形態之基板處理系統1000係包含並列地配置之複數個(本例為3個)之基板處理裝置500。以下,將圖9之3個基板處理裝置500稱作基板處理裝置500A、500B、500C。
基板處理裝置500A、500B、500C之各者包括處理部100及曝光搬送部200。各曝光搬送部200之構成係與上述第1實施形態中之曝光搬送部200之構成(參照圖1~圖3)相同。各處理部100包含裝載區塊11、處理區塊PB、及傳遞區塊15。裝載區塊11及處理區塊PB之構成係與上述第1實施形態中之裝載區塊11及處理區塊PB之構成(參照圖5~圖8)相同。
本實施形態係將基板處理裝置500A、500B、500C之傳遞區塊15相互地連接。藉此,在基板處理裝置500A、500B、500C之曝光搬送部200及基板處理裝置500A、500B、500C之處理區塊PB之間,以沿Y 方向延伸之方式設置搬送路徑15A。
於搬送路徑15A中,在相鄰之基板處理裝置500A、500B之間設置基板載置部PASS31,且在相鄰之基板處理裝置500B、500C之間設置基板載置部PASS32。
經由基板載置部PASS31,進行基板處理裝置500A之搬送機構146與基板處理裝置500B之搬送機構146之間之基板W之交接。又,經由基板載置部PASS32,進行基板處理裝置500B之搬送機構146與基板處理裝置500C之搬送機構146之間之基板W之交接。
於該基板處理系統1000中,可經由搬送路徑15A,在基板處理裝置500A、500B、500C之間搬送基板W。藉此,可於各種狀況下,適當地變更基板W之搬送路徑。
例如,於基板處理裝置500A之曝光搬送部200產生異常之情形時,或與基板處理裝置500A對應之曝光裝置EXP中產生異常之情形時,將由基板處理裝置500A之處理區塊PB處理之曝光處理前之基板W經由搬送路徑15A,搬送至基板處理裝置500B、500C之任一者之曝光搬送部200。該基板W於與基板處理裝置500B、500C之任一者對應之曝光裝置EXP中實施曝光處理之後,經由搬送路徑15A,返回至基板處理裝置500A之處理區塊PB,進行曝光處理後之處理。
或者,於基板處理裝置500A之裝載區塊11或處理區塊PB中產生異常之情形時,將由基板處理裝置500B、500C之處理區塊PB處理之一部分之基板W經由搬送路徑15A,搬送至基板處理裝置500A之曝光搬送部200。該基板W於與基板處理裝置500A對應之曝光裝置EXP中進行曝光處理之後,經由搬送路徑15A返回至基板處理裝置500B、500C之處理區塊PB,實施曝光處理後之處理。
可以此方式,於基板處理裝置500A、500B、500C之間相互補充地處理基板W。藉此,於基板處理裝置500A、500B、500C之任一者 中產生異常之情形時,無需完全地停止該任一者之基板處理裝置之動作,便可在正常之部分中使動作繼續。藉此,可提昇基板W之處理效率。
(3)第3實施形態
以下,對於本發明之第3實施形態之基板處理系統,說明與上述第2實施形態之基板處理系統1000不同之方面。
圖10係本發明之第3實施形態之基板處理系統之示意性平面圖。於圖10之基板處理系統1000中,基板處理裝置500A、500B、500C之各者包含以與各處理部100之裝載區塊11鄰接之方式配置之載體緩衝部CB。又,以與基板處理裝置500A、500B、500C之載體緩衝部CB鄰接在Y方向上延伸之方式設置搬送部11A。搬送部11A係構成為包含例如帶式輸送機,且在複數個載體緩衝部CB之間搬送載體113(圖1)。
圖11係表示載體緩衝部CB及搬送部11A之構成之示意性側視圖。如圖11所示,載體緩衝部CB係包括複數個架401及搬送機構410。複數個架401係設置於複數個載體載置部111之上方。搬送機構410係包含握持部411、臂機構412、及移動機構413。握持部411及臂機構412藉由移動機構413而一體地在Z方向及Y方向上移動。搬送機構410係利用握持部411握持載體113,在複數個架401、複數個載體載置部111及搬送部11A之間搬送載體113。又,利用未圖示之外部搬送裝置,而將載體113自特定之架401搬送至外部,並且將載體113自外部搬送至特定之架401。藉此,可將收納有未處理之基板W之載體113自外部搬送至載體載置部111,且可將收納有處理後之基板W之載體113自載體載置部111搬送至外部。本例係於載體113之上部設置有可由握持部411握持之被握持部113b。
於搬送部11A之上部設置有可沿Y方向移動之輸送帶BC。藉由載體緩衝部CB之搬送裝置410,而將載體113載置於輸送帶BC上。輸送 帶BC係藉由未圖示之驅動機構而在Y方向上移動。藉此,在複數個載體緩衝部CB之間搬送載置於輸送帶BC上之載體113。
於該基板處理系統1000中,可經由搬送路徑15A及搬送部11A,在基板處理裝置500A、500B、500C之間搬送基板W。藉此,可於各種狀況下,適當地變更基板W之搬送路徑。
例如,將收納有未處理之基板W之載體113自外部搬入至基板處理裝置500A之載體緩衝部CB。自該載體113取出之基板W係於基板處理裝置500A之處理部100中經處理後,搬送至基板處理裝置500A之曝光搬送部200。此時,若處理部100中產生異常,則無法將曝光處理後之基板W自曝光搬送部200返回至處理部100。
於該情形時,將曝光處理後之基板W自基板處理裝置500A之曝光搬送部200經由搬送路徑15A搬送至基板處理裝置500B、500C之一處理部100。又,將收容有該等基板W之載體113自基板處理裝置500A之載體緩衝部CB經由搬送部11A搬送至基板處理裝置500B、500C之上述一載體緩衝部CB。此後,於基板處理裝置500B、500C之上述一處理部100中,對基板W實施曝光處理後之處理。處理後之基板W係收納於自基板處理裝置500A之載體緩衝部CB搬送之載體113中。
如此般,於基板處理裝置500A、500B、500C之任一者中,無法使曝光處理後之基板W返回至處理部100之情形時,可經由其他基板處理裝置,使該等基板W返回至處理前所收納之載體113。藉此,可容易地進行複數個基板W之管理。
(4)其他實施形態
(4-1)
上述實施形態係將複數個曝光裝置EXP配置2行,但不僅限於此,亦可相應於曝光裝置EXP之數量及處理速度等,將複數個曝光裝置EXP配置1行,或將複數個曝光裝置EXP配置3行以上。
(4-2)
上述實施形態係於複數個曝光裝置EXP之上方設置水平搬送區域201,但水平搬送區域201之配置不僅限於此。例如,亦可於複數個曝光裝置EXP之側方設置水平搬送區域201。
(4-3)
上述實施形態係以自水平搬送區域201經由垂直搬送區域202將基板W搬送至各曝光裝置EXP之方式構成曝光搬送部200,但不僅限於此,亦可以自水平搬送區域201藉由搬送機構203a、203b而直接將基板W搬送至各曝光裝置EXP之方式構成曝光搬送部200。
(4-4)
上述實施形態係採用藉由電子束而對基板W進行直寫曝光處理之曝光裝置EXP,但不僅限於此,亦可採用藉由光微影法等其他方法來對基板W進行曝光處理之曝光裝置。
(5)技術方案之各構成要素與實施形態之各要素之對應
以下,對技術方案之各構成要素與實施形態之各要素之對應之例進行說明,但本發明並非由下述例限定。
上述實施形態係基板處理裝置500、500A、500B、500C為基板處理裝置之例,曝光裝置EXP為曝光裝置之例,處理部100為處理部之例,曝光搬送部200為曝光搬送部之例,X方向為一方向之例,水平搬送區域201為第1搬送路徑之例,搬送機構203a、203b為第1搬送機構之例,處理區塊PB為處理區域之例,傳遞區塊15為搬送區域之例,搬送機構146為第2搬送機構之例。又,基板載置部PASS11、PASS12及對準機AL1、AL2為第1交接部之例,基板載置部PASS20為第2交接部之例,移動旋轉部213為移動部之例,對準機AL1、AL2為朝向調整部之例,基板處理系統1000為基板處理系統之例,搬送路徑15A或搬送部11A為裝置間搬送部之例,載體緩衝部CB為搬入搬出區 域之例。
作為技術方案之各構成要素,亦可使用具備技術方案中揭示之構成或功能之其他各種要素。
[產業上之可利用性]
本發明可有效地利用於各種基板之處理。
11‧‧‧裝載區塊
15‧‧‧傳遞區塊
100‧‧‧處理部
200‧‧‧曝光搬送部
201‧‧‧水平搬送區域
202‧‧‧垂直搬送區域
203a、203b‧‧‧搬送機構
204‧‧‧搬送機構
211‧‧‧導軌
212‧‧‧移動旋轉部
500‧‧‧基板處理裝置
AL1、AL2‧‧‧對準機
EXP‧‧‧曝光裝置
H1、H2‧‧‧機械手
PASS11、PASS12、PASS20‧‧‧基板載置部
PB‧‧‧處理區塊

Claims (9)

  1. 一種基板處理裝置,其係以與複數個曝光裝置鄰接之方式設置之基板處理裝置,且上述複數個曝光裝置係以沿一方向排列之方式配置,基板處理裝置包含:處理部,其對基板進行處理;及曝光搬送部,其係用以於上述處理部與上述複數個曝光裝置之間搬送基板;上述曝光搬送部包括:第1搬送路徑,其以沿上述複數個曝光裝置在上述一方向上延伸之方式設置於上述複數個曝光裝置之正上方;第1搬送機構,其構成為以可對上述複數個曝光裝置進行基板之交接,並且可對上述處理部進行基板之交接之方式,於上述第1搬送路徑上搬送基板;第1交接部,其設置於上述第1搬送路徑之一端部,且用以對上述處理部進行基板之交接;複數個第2交接部,其等係沿著上述第1搬送路徑而設,且用以對上述複數個曝光裝置進行基板之交接;及複數個第2搬送機構,其等係以在上述複數個第2交接部與上述複數個曝光裝置之間搬送各基板之方式,設為可於上下方向上移動;上述第1搬送機構包含構成為可沿上述一方向移動且可於上述第1交接部與上述複數個第2交接部之間搬送基板之移動部。
  2. 如請求項1之基板處理裝置,其中上述處理部包含:處理區域,其對基板進行處理;及 搬送區域,其設置於上述處理區域與上述曝光搬送部之間;上述搬送區域包含於上述處理區域與上述曝光搬送部之間搬送基板之第3搬送機構。
  3. 如請求項1或2之基板處理裝置,其中上述曝光搬送部係包含以於上述一方向上與上述複數個第2交接部相鄰之方式分別設置之複數個上下搬送區域,上述複數個第2搬送機構係分別設為在上述複數個上下搬送區域中可於上下方向上移動。
  4. 如請求項3之基板處理裝置,其中上述移動部包含保持基板之第1保持部,上述第2搬送機構包含保持基板之第2保持部,上述移動部係使上述第1保持部於與上述第1方向交叉之第2方向上進退,藉此於各第2交接部上載置基板,且自各第2交接部接收基板,上述第2搬送機構係使上述第2保持部於上述第1方向上進退,藉此於各第2交接部上載置基板,且自各第2交接部接收基板。
  5. 一種基板處理裝置,其係以與複數個曝光裝置鄰接之方式設置之基板處理裝置,且上述複數個曝光裝置係以沿一方向排列之方式配置,基板處理裝置包含:處理部,其對基板進行處理;及曝光搬送部,其係用以於上述處理部與上述複數個曝光裝置之間搬送基板;上述曝光搬送部包括:第1搬送路徑,其以沿上述複數個曝光裝置在上述一方向上延伸之方式設置; 第1搬送機構,其構成為以可對上述複數個曝光裝置進行基板之交接,並且可對上述處理部進行基板之交接之方式,於上述第1搬送路徑上搬送基板;第1交接部,其設置於上述第1搬送路徑之一端部,且用以對上述處理部進行基板之交接;及複數個第2交接部,其等係沿著上述第1搬送路徑而設,且用以對上述複數個曝光裝置進行基板之交接;上述第1搬送機構包含構成為可沿上述一方向移動且可於上述第1交接部與上述複數個第2交接部之間搬送基板之移動部,且上述第1交接部包含用以調整基板之朝向之朝向調整部。
  6. 如請求項1或2之基板處理裝置,其中上述複數個曝光裝置係以沿上述一方向形成複數行之方式配置,且上述第1搬送路徑係以沿上述複數行分別延伸之方式設置複數個,上述第1搬送機構係以於上述複數個第1搬送路徑上分別搬送基板之方式設置複數個。
  7. 一種基板處理系統,其包含:如請求項1或2之複數個基板處理裝置、及用以於上述複數個基板處理裝置之間搬送基板之裝置間搬送部。
  8. 如請求項7之基板處理系統,其中上述裝置間搬送部係構成為可於上述複數個基板處理裝置之上述曝光搬送部及上述複數個基板處理裝置之上述處理部之間搬送基板。
  9. 如請求項7之基板處理系統,其中各基板處理裝置係包含用以自外部搬入基板及將基板搬出至外部之搬入搬出區域,且上述裝置間搬送部係構成為可於上述複數個基板處理裝置之 上述搬入搬出區域之間搬送基板。
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