CH420069A - Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen von Halbleitermaterial - Google Patents
Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen von HalbleitermaterialInfo
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DES83049A DE1188043B (de) | 1962-12-24 | 1962-12-24 | Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen von Halbleitermaterial |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CH420069A true CH420069A (de) | 1966-09-15 |
Family
ID=7510769
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CH1043163A CH420069A (de) | 1962-12-24 | 1963-08-23 | Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen von Halbleitermaterial |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
BE (1) | BE641733A (de) |
CH (1) | CH420069A (de) |
DE (1) | DE1188043B (de) |
GB (1) | GB1029805A (de) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1802524B1 (de) * | 1968-10-11 | 1970-06-04 | Siemens Ag | Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines kristallinen Stabes,insbesondere Halbleiterstabes |
DE3107260A1 (de) * | 1981-02-26 | 1982-09-09 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren und vorrichtung zum abscheiden von halbleitermaterial, insbesondere silicium |
-
1962
- 1962-12-24 DE DES83049A patent/DE1188043B/de active Pending
-
1963
- 1963-08-23 CH CH1043163A patent/CH420069A/de unknown
- 1963-11-21 GB GB4610363A patent/GB1029805A/en not_active Expired
- 1963-12-24 BE BE641733A patent/BE641733A/xx unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
BE641733A (de) | 1964-06-24 |
GB1029805A (en) | 1966-05-18 |
DE1188043B (de) | 1965-03-04 |
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