CH408875A - Verfahren zur Herstellung eines Bandes aus reinstem Halbleitermaterial, insbesondere Silizium, mit dendritisch gewachsener Kristallstruktur - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines Bandes aus reinstem Halbleitermaterial, insbesondere Silizium, mit dendritisch gewachsener Kristallstruktur

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CH408875A
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CH842561A
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Berger Guenther
Wolfgang Dr Keller
Konrad Dr Reuschel
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Siemens Ag
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/14—Heating of the melt or the crystallised materials

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CH842561A 1960-09-29 1961-07-18 Verfahren zur Herstellung eines Bandes aus reinstem Halbleitermaterial, insbesondere Silizium, mit dendritisch gewachsener Kristallstruktur CH408875A (de)

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