CH414570A - Verfahren zur Gewinnung von reinstem Halbleitermaterial, insbesondere Silizium - Google Patents
Verfahren zur Gewinnung von reinstem Halbleitermaterial, insbesondere SiliziumInfo
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DES67223A DE1185150B (de) | 1960-02-23 | 1960-02-23 | Verfahren zur Gewinnung von reinstem Halbleitermaterial, insbesondere Silicium |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CH414570A true CH414570A (de) | 1966-06-15 |
Family
ID=7499394
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CH1344360A CH414570A (de) | 1960-02-23 | 1960-11-29 | Verfahren zur Gewinnung von reinstem Halbleitermaterial, insbesondere Silizium |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3142584A (de) |
CH (1) | CH414570A (de) |
DE (1) | DE1185150B (de) |
GB (1) | GB949084A (de) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61101410A (ja) * | 1984-10-24 | 1986-05-20 | Hiroshi Ishizuka | 多結晶珪素の製造法及びそのための装置 |
JP5604803B2 (ja) * | 2008-03-28 | 2014-10-15 | 三菱マテリアル株式会社 | 多結晶シリコン製造装置におけるポリマー不活性化方法 |
JP5552284B2 (ja) * | 2009-09-14 | 2014-07-16 | 信越化学工業株式会社 | 多結晶シリコン製造システム、多結晶シリコン製造装置および多結晶シリコンの製造方法 |
US9315895B2 (en) | 2010-05-10 | 2016-04-19 | Mitsubishi Materials Corporation | Apparatus for producing polycrystalline silicon |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2120559A (en) * | 1937-04-20 | 1938-06-14 | Philadelphia And Reading Coal | Absorption refrigeration |
US2946668A (en) * | 1954-05-28 | 1960-07-26 | Metal Chlorides Corp | Continuous high-temperature reaction apparatus |
BE554836A (de) * | 1956-02-11 | |||
DE1061593B (de) * | 1956-06-25 | 1959-07-16 | Siemens Ag | Vorrichtung zur Gewinnung reinsten Halbleitermaterials fuer elektrotechnische Zwecke |
US3011877A (en) * | 1956-06-25 | 1961-12-05 | Siemens Ag | Production of high-purity semiconductor materials for electrical purposes |
US2909411A (en) * | 1957-01-15 | 1959-10-20 | Du Pont | Production of silicon |
US2912311A (en) * | 1957-11-20 | 1959-11-10 | Allied Chem | Apparatus for production of high purity elemental silicon |
US3030189A (en) * | 1958-05-19 | 1962-04-17 | Siemens Ag | Methods of producing substances of highest purity, particularly electric semiconductors |
DE1155759B (de) * | 1959-06-11 | 1963-10-17 | Siemens Ag | Vorrichtung zur Gewinnung reinsten kristallinen Halbleitermaterials fuer elektrotechnische Zwecke |
-
1960
- 1960-02-23 DE DES67223A patent/DE1185150B/de active Pending
- 1960-11-29 CH CH1344360A patent/CH414570A/de unknown
-
1961
- 1961-02-17 US US90102A patent/US3142584A/en not_active Expired - Lifetime
- 1961-02-23 GB GB6763/61A patent/GB949084A/en not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB949084A (en) | 1964-02-12 |
US3142584A (en) | 1964-07-28 |
DE1185150B (de) | 1965-01-14 |
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