CH191661A - Elektrodensystem unsymmetrischer Leitfähigkeit. - Google Patents
Elektrodensystem unsymmetrischer Leitfähigkeit.Info
- Publication number
- CH191661A CH191661A CH191661DA CH191661A CH 191661 A CH191661 A CH 191661A CH 191661D A CH191661D A CH 191661DA CH 191661 A CH191661 A CH 191661A
- Authority
- CH
- Switzerland
- Prior art keywords
- selenium
- electrode system
- layer
- carbon
- dependent
- Prior art date
Links
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 33
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 33
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 22
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 18
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 13
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 4
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 4
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims 5
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 39
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 8
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 239000012876 carrier material Substances 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 239000003610 charcoal Substances 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 2
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 2
- 229910000634 wood's metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical group [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- SJPVUFMOBDBTHQ-UHFFFAOYSA-N barium(2+);dioxido(dioxo)tungsten Chemical compound [Ba+2].[O-][W]([O-])(=O)=O SJPVUFMOBDBTHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003518 caustics Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L chromic acid Substances O[Cr](O)(=O)=O KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 239000003245 coal Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005536 corrosion prevention Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-b]pyrazine-5,7-dione Chemical compound C1=CN=C2C(=O)OC(=O)C2=N1 AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000743 fusible alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052943 magnesium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019341 magnesium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000010446 mirabilite Substances 0.000 description 1
- LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L nickel sulfate Chemical compound [Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- RSIJVJUOQBWMIM-UHFFFAOYSA-L sodium sulfate decahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.O.O.O.O.O.[Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O RSIJVJUOQBWMIM-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/06—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
- H01L21/08—Preparation of the foundation plate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02425—Conductive materials, e.g. metallic silicides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02439—Materials
- H01L21/02441—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02444—Carbon, e.g. diamond-like carbon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02439—Materials
- H01L21/02491—Conductive materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02494—Structure
- H01L21/02496—Layer structure
- H01L21/02505—Layer structure consisting of more than two layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02623—Liquid deposition
- H01L21/02625—Liquid deposition using melted materials
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Secondary Cells (AREA)
- Electrolytic Production Of Metals (AREA)
- Prevention Of Electric Corrosion (AREA)
- Cell Electrode Carriers And Collectors (AREA)
Description
Elektrodensystem unsymmetrischer Leitfähigkeit. Die Erfindung bezieht sich .auf ein Elek- trodensystem unsymmetrischer Leitfähigkeit, bei dem als Material für eine der Elek troden Selen verwendet ist., welche Elektrode auf einer Seite durch eine Sperrschicht be grenzt ist. In einem derartigen Elektrodensystem be steht die Selenelektrode regelmässig aus einer Selenschicht von sehr geringer Dicke, die zum Beispiel zwischen einigen Hundertstel und einigen Zehnteln eines Millimeters schwankt. Es wurde bereits vorgeschlagen, das Selen auf einen zum Beispiel aus einem Metall der Eisengruppe oder aus Platin bestehenden Träger aufzubringen. Das Trägermaterial hat jedoch beson deren Anforderungen zu genügen, um seine Aufgabe in einwandfreier Weise erfüllen zu können. Es soll ein gutes Anhaften des in flüssigem Zustand aufgebrachten :Selens ge währleisten. Dadurch soll erreicht werden, dass sich das flüssige Selen nicht zu einem Tropfen zusammenzieht, sondern gut aus breitet. Das Anhaftun,gsvermögen soll derart sein, dass :das Selen besonders auch bei der Temperatur, auf die es zur Überführung in die leitende kristallinische Modifikation er hitzt wird, fest haftet, so,dass ein gutleiten der Kontakt gewährleistet bleibt. Ein gutes Anhaften der Selenelektrode an der Unterlage wird erfindungsgemäss da durch erzielt, dass als Material für letztere Kohle verwendet wird, worunter hier Koh lenstoff in irgend einer leitenden Form ver standen sein ,soll. Die Kohle befindet sich auf der der Sperrschicht gegenüberliegenden Seite der Selenelektrode. Die Kohlenunterlage kann insbesondere als Zwischenschicht zwischen. ,dem .Selen und einem Metallträger ausgebildet sein. Der Vorteil der Erfindung kann alsdann darin erblickt werden, dass :die Kohlenzwischen- schicht der Bildung von chemischen Verbin dungen zwischen :Selen und Trägermetall im Wege ist. Solche Verbindungen könnten näm- lieh eine Sperrseliicht bilden, welche die G leichrichterwirkung des Systems beein trächtigen würde, da auf der andern Seite des Selens bereits eine Sperrschicht mit an diese grenzender gutleitender Elektrode vor handen ist. Im System wären also zwei Gleichrichter vorhanden, deren Wirkungen sich teilweise aufheben würden. Als Unterlagenmaterial eignet sich ins besondere Graphit im engeren Sinn, sei es natürliches oder künstliches. Es wurde bereits vorgeschlagen, in Sperr schichtphotozellen Kohle oder Graphit zu verwenden; diese Stoffe befanden sich je doch auf der von der Selenelektrode abge wandten Seite der Sperrschicht. Die oben erwähnte unerwünschte zweite Sperrschicht kann sich unter Umständen auch dann auf der Oberfläche des Metall trägers bilden, wenn: die Kohlenzwischen- schicht derart aufgebracht wird, da.ss sich kleine Öffnungen in der Kohlenschicht be finden; dies kann insbesondere dann statt finden, wenn die Dicke der Kohlezwischen- schicht sehr klein ist. Eine solche Sperr schicht könnte sich an der Luft oder durch Einwirkung von Selendämpfen bei der Her stellung des Elektrodensystems bilden. Jede solche Möglichkeit kann dadurch vermieden werden,,dass der Metallträger mit einem kor rosionsverhütenden Überzug versehen wird. Diese Massnahme macht es möglich, als Trä germaterial für -die Kohleschicht Metalle zu wählen, welche die günstigst möglichen Ei genschaften in bezug auf Elektrizitäts- und Wärmeleitfähigkeit besitzen, da die Anfor derung .der Korrosionsverhütung beim Trä germaterial nicht mehr gestellt zu werden braucht. Zweckmässig wird zu diesem Zweck Kupfer verwendet. Zum Aufbau von Hochspannungsgleich- riehtern mit niedriger gleichzurichtender Stromstärke ist es günstig Gleiehrichter- elernente mit Aluminium als Trägermaterial zu verwenden. Bei der grossen Anzahl der in Reihe zu schaltenden Elemente, die je einen Träger enthalten, ist nämlich die Ge- wiehtsersparnis von Bedeutung. F\ür den korrosionsverhütenden Überzug kann Nickel oder Chrom verwendet werden. Bekanntlich ist Chrom ein Metall, das im allgemeinen sehr schwer Verbindungen mit andern Stoffen eingeht. Ausserdem hat es die vorteilhafte Eigenschaft, dass die Kohle schicht hinreichend fest auf ihm angebracht werden kann. Dies kann noch verbessert wer den, wenn man den Träger vor dem Auf bringen der Chromschicht, zum Beispiel mit tels eines Sandstrahls aufrauht. Zwar wird das Nickel selbst stärker als Chrom von Selendämpfen angegriffen, aber es hat sich in der Praxis gezeigt, dass bei Anordnung einer Nickelschicht auf Kupfer oder auf Aluminium auch unter einer sehr dünnen Kohlenschicht unter Einwirkung von Selendämpfen kein merklicher Übergangs- widerstand gebildet wird, während bei Ver wendung der obenerwähnten Metalle ohne Schutzschicht dieser Nachteil in hohem Masse auftritt. Die schützenden Eigenschaften des Nickels vor Lufteinwirkung sind an sich, wohl bekannt. Das Nickel ist dem Chrom darin überlegen, dass die Kohleschicht daran noch viel stärker haftet. Die Herstellung eines Elektrodensystems gemäss der Erfindung wird nachstehend bei spielsweise anhand der Fig. 1 näher er läutert. Als Metallträger wird eine zum Beispiel durch Sandstrahlen aufgerauhte Messing platte 1 verwendet, .auf die auf verschiedene Weise die Kohleschicht 2 aufgebracht wer den kann. So kann zum Beispiel die auf- gerauhte Platte mit pulverförmiger Kohle trocken eingerieben werden, bis eine mehr oder weniger zusammenhängende Kohle schicht mit einer Dicke von etwa 0,1 mm gebildet ist. Die Kohle kann auch aus einer Kohlensuspension in Bindemitteln (zum Bei spiel aus einer unter dem Namen "Graphit- schmiere" bekannten Kohlensuspension in Wasser) auf den Träger aufgebracht werden, worauf das Ganze zur Verdampfung des Dispersionsmittels erhitzt wird. Andere Dis- persionsmittel als Wasser können ebenfalls, bei normalem oder herabgesetztem Druck verdampft., oder, gegebenenfalls, durch Er hitzen in geeigneter Umgebung verkohlt werden. Es wird :dann auf die durch die Kohle schicht \3 gebildete Unterlage, die zum Bei spiel eine Dicke von 0,1 mm aufweisen kann, eine Selenschicht 3 in flüssigem Zu stand aufgebracht, .die zu einer Dicke von etwa 0,1 mm ausgewalzt oder gebügelt wird. L rn das Selen halbleitend zu machen, wird der Träger nebst dem auf ihm befindlichen Selen in einen Ofen eingebracht und wäh rend einiger Zeit (gewöhnlich 2 bis 24 Stun den) auf eine Temperatur von etwa 200' C erhitzt. Das Selen ist jetzt halbleitend ge worden, da eine Modifikationsänderung statt gefunden hat; das amorphe Selen ist nämlich in die leitende kristallinische Modifikation übergegangen. Es wird dann auf das Selen 3 ,eine zum Beispiel aus einem Kunstharz, wie Poly- styren, bestehende Sperrschicht 4 aufge bracht, zum Beispiel aus einer Lösung in Benzen, der je nach der zu sperrenden Span nung eine Stärke von 0,1 bis 10,u gegeben werden kann, worauf !die Elektrode 5 zum Beispiel durch Aufspritzen aufgebracht wird. Zur Herstellung der Elektrode 5 wird zweck mässigerweise eine leichtschmelzbare Legie rung, zum Beispiel Woods Metall verwen det. Ein weiteres Beispiel, das anhand der Fig. ? beschrieben wird, ist folgendes: Pulverförmige Kohle wird zu einer festen Platte 6 von genügender Dicke gepresst, um als selbständiger Träger .dienen zu können. Um das Anlöten eines Stromzuführungs- dra.htes :8 mit Hilfe des Lötmaterials 9 zu ermöglichen, wird auf eine :Seite :der Platte 6 eine Kupferschicht 7 elektrolytisch aufge bracht. Auf den unmittelbar als Unterlage für das Selen dienenden Träger 6 wird die Selenschicht 10 in flüssigem Zustand aufge bracht und flach ausgebügelt. Dem Selen können zur Erhöhung seiner Leitfähigkeit isolierende Zusätze in feinzerteiltem Zustand, zum Beispiel Bariumwolframat (BaW04), zugesetzt sein. Das Selen wird dann da- durch in die leitende kristallinische Modi- fikation übergeführt, dass es während einiger Stunden in einem Ofen auf eine jedenfalls unter dem Schmelzpunkt des Selens liegende Temperatur, zum Beispiel von etwa 200' C, erhitzt wird. Während dieser Erhitzung verdampft .das Selen oberflächlich, so dass ein Häutchen 1l des isolierenden Stoffes entsteht. Auf dieses Häutchen 1l, das also die Sperrschicht bildet, wird die Gegenelektrode 12 aus einem Me tall, zum Beispiel Kadmium, in flüssigem Zustand in der gewünschten Stärke, zum Beispiel von 1 mm, aufgebracht. In Fig. 3- ist ein Ausführungsbeispiel eines El.ektrodensystems nach .der Erfindung in stark vergrössertem Massstabe dargestellt, bei dem der Metallträger für das Selen mit einer gegen Korrosion schützenden Beklei dung versehen ist. Der Metallträger 13 aus Aluminium weist eine Nickelschicht 14 und eine Chrom schicht 15 auf. Die Chromschicht .dient als Schutzbekleidung gegen Korrosion. Um aber eine Chromschicht aufzubringen ist es er wünscht, das zu bekleidende Metall erst zu vernickeln. Dieser Vorgang findet in einem Bad statt, das aus Nickelsulphat, Borsäure, Ammoniak, Bittersalz und Glaubersalz, im destillierten Wasser gelöst, besteht. Der zu bekleidende Träger wird erst in einer kau stischen Lösung entfettet. Die Stromdichte beim Galvanisieren beträgt anfangs 4, später 1,5 Amp/d#m2. Die so gebildete Nickelschicht hat eine Dicke von etwa 10,u. Die darauf niedergeschlagene Chromschicht 15 hat eine Dicke von etwa 4, u und ist in einem Bad von in destilliertem Wasser gelöster Chrom säure und chemisch reiner Schwefelsäure mit einer Stromdichte von 20 Amp/dm2 (Zeit- dauer etwa 20 Sekunden) gebildet. Auf der Chromschicht ist beispielsweise wie oben dargelegt, eine Kohleschicht 16 an gebracht, die als Unterlage für das Selen dient, das in einer Schicht 17 bis zu einer Stärke von etwa 0,1 mm in flüssigem Zu stand aufgebracht wird. Auf dem Selen be findet sich eine Sperrschicht<B>18</B> aus Poly- steren, das aus einer Lösung in Benzen auf gebracht werden kann. Die Gegenelektrode 1,9 -besteht aus Woodmetall, das in Form eines geschmolzenen Tropfens, in den der Zu führungsleiter 20 gesteckt ist, auf,die Sperr schicht aufgebracht ist. Im Rahmen der Erfindung sind auch noch andere Ausführungsformen möglich; beispielsweise kann man anstatt des Chroms oder des Nickels auch andere korrosionsver hütende Bekleidungen für den Metallträger der Kohleschicht verwenden, zum Beispiel Gold oder Platin.
Claims (1)
- PATENTANSPRUCH: Elektrodensystem unsymmetrischer Leit fähigkeit, bei dem als Material für eine der Elektroden Selen verwendet und diese Elek trode auf der einen Seite durch eine Sperr schicht begrenzt ist, dadurch gekennzeichnet, dass das Selen auf der andern Seite mit einer Unterlage aus Kohle innig verbunden ist. UNTERANSPRÜCHE: 1. Elektrodensystem nach Patentanspruch, dadurch gekennzeichnet,' dass die Unter lage aus Graphit besteht.2. Elektrodensystem nach Patentanspruch, :dadurch gekennzeichnet, dass die aus Kohle bestehende Unterlage ihrerseits auf einen Träger aus Metall aufgebracht ist. 3. Elektrodensystem nach Patentanspruch und Unteranspruch 2, dadurch gekenn zeichnet, dass der Metallträger mit einem korrosionsverhütenden Überzug versehen ist. 4. Elektro.densystem nach Patentanspruch und Unteransprüchen 2 und. 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Metallträger aus Kupfer besteht.5. Elektrodensystem nach Patentanspruch und Unteransprüchen 2 und 3, zum Auf bau von Gleichrichter für höhere .Span nungen aus mehreren Gleichrichterel.e- menten in Reihe, :dadurch ,gekennzeichnet, dass der Metallträger aus Aluminium be steht. ; 6. Elektrodensystem nach Patentanspruch und Unteransprüchen 2 und. 3, dadurch gekennzeichnet, dass der korrosionsver hütende Überzug .eine Chromschicht um fasst.7. Elektrodensystem nach Patentanspruch und Unteransprüchen 2 und 8, dadurch gekennzeichnet, @dass der korrosionsver hütende Überzug eine Nickelschicht um fasst.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE471390X | 1935-06-07 | ||
DE2109879X | 1935-12-19 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CH191661A true CH191661A (de) | 1937-06-30 |
Family
ID=32031404
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CH191661D CH191661A (de) | 1935-06-07 | 1936-05-26 | Elektrodensystem unsymmetrischer Leitfähigkeit. |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US2109879A (de) |
AT (1) | AT149626B (de) |
BE (1) | BE415725A (de) |
CH (1) | CH191661A (de) |
DK (1) | DK54032C (de) |
FR (1) | FR807072A (de) |
GB (1) | GB471390A (de) |
NL (1) | NL45637C (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE972120C (de) * | 1950-09-24 | 1959-05-27 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung eines Selengleichrichters der Freiflaechenbauart |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE961733C (de) * | 1939-01-17 | 1957-04-11 | Aeg | Verfahren zum Herstellen elektrisch unsymmetrisch leitender Elemente mit einem Halbleiter wie Selen |
BE511647A (de) * | 1939-01-22 | |||
US2524270A (en) * | 1945-09-27 | 1950-10-03 | Sylvania Electric Prod | Selenium rectifier |
US2629672A (en) * | 1949-07-07 | 1953-02-24 | Bell Telephone Labor Inc | Method of making semiconductive translating devices |
DE1086822B (de) * | 1952-07-31 | 1960-08-11 | Anna Luise Falkenthal Geb Broe | Fotoelement mit Vorderwandeffekt |
US3013328A (en) * | 1954-10-22 | 1961-12-19 | Gen Electric | Method of forming a conductive film |
US2875103A (en) * | 1956-06-07 | 1959-02-24 | Westinghouse Brake And Sigual | Method of manufacturing selenium rectifiers |
US3226610A (en) * | 1962-03-01 | 1965-12-28 | Jr George G Harman | Constant-current semiconductor device |
-
0
- NL NL45637D patent/NL45637C/xx active
- BE BE415725D patent/BE415725A/xx unknown
-
1936
- 1936-05-26 CH CH191661D patent/CH191661A/de unknown
- 1936-05-30 DK DK54032D patent/DK54032C/da active
- 1936-05-30 AT AT149626D patent/AT149626B/de active
- 1936-06-05 FR FR807072D patent/FR807072A/fr not_active Expired
- 1936-06-06 GB GB15916/36A patent/GB471390A/en not_active Expired
- 1936-12-30 US US118206A patent/US2109879A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE972120C (de) * | 1950-09-24 | 1959-05-27 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung eines Selengleichrichters der Freiflaechenbauart |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
BE415725A (de) | 1900-01-01 |
US2109879A (en) | 1938-03-01 |
AT149626B (de) | 1937-05-10 |
DK54032C (da) | 1937-12-20 |
FR807072A (fr) | 1937-01-04 |
NL45637C (de) | 1900-01-01 |
GB471390A (en) | 1937-09-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CH629543A5 (de) | Verfahren zur herstellung einer selektiven solarabsorberschicht auf einem grundkoerper aus aluminium. | |
DE60131338T2 (de) | Oberflächenbehandelte kupferfolie und ihre herstellung und kupferkaschiertes laminat daraus | |
DE2657979A1 (de) | Elektrode fuer elektrochemische verfahren und verfahren zu deren herstellung | |
US3749603A (en) | Alkali metal/sulfur battery having a cathodic current collector coated with molybdenum disulfide | |
CH191661A (de) | Elektrodensystem unsymmetrischer Leitfähigkeit. | |
DE69933533T2 (de) | Kupferfolie mit einer glänzenden Oberfläche mit hoher Oxidationsbeständigkeit und Verfahren zur Herstellung | |
DE3231054C2 (de) | ||
DE2944788C2 (de) | Sonnenwärmeabsorber und galvanisches Verfahren zu seiner Herstellung | |
CN104313656A (zh) | 镍-钨-碳化硅-氧化铝复合电镀液及其制备方法和应用 | |
DE1800049A1 (de) | Nickel- oder Kupferfolie mit elektrolytisch aufgebrachter nickelhaltiger Haftschicht,insbesondere fuer duroplastische Traeger von gedruckten Schaltungen | |
DE1960047A1 (de) | Verfahren zur elektrolytischen Abscheidung einer Goldlegierung und waessriges Abscheidungsbad zur Ausfuehrung des Verfahrens | |
DE69804267T2 (de) | Schutzbeschichtung für Metallteile mit einem guten Widerstand gegen Korrosion in einer salzhaltigen Atmosphäre und Metallteile mit einer solchen Schutzbeschichtung | |
EP3159433A1 (de) | Elektrode für die alkalische wasserelektrolyse | |
DE2334164A1 (de) | Sonnenbatterieelement und verfahren zu seiner herstellung | |
DE2618638C3 (de) | Galvanisches Bad und Verfahren zur Abscheidung von Überzügen aus Zinn-enthaltenden Legierungen | |
DE2628350A1 (de) | Verfahren zur metallophobierung von gegenstaenden, insbesondere von isolierstoffen fuer gedruckte schaltungen | |
CH638569A5 (en) | Method of preparing selective absorber layers of high absorption capacity and low emission, in particular for solar collectors | |
DE2261249C3 (de) | Mehrschichtiges Trägermaterial für gedruckte Schaltungen mit einer Widerstandsschicht | |
CH656401A5 (de) | Verfahren zur stromlosen abscheidung von metallen. | |
AT142548B (de) | Verfahren zum verzinnen elektrischer Leiter. | |
DE19523635C2 (de) | Stromkollektor für eine Hochtemperaturbrennstoffzelle mit vermindertem Oberflächenwiderstand, sowie Verfahren zur Herstellung eines solchen und dessen Verwendung | |
DE1922140B2 (de) | Verfahren zur herstellung eines selengleichrichters | |
DE1224938B (de) | Korrosions- und anlaufbestaendiger UEberzug aus einer Zinnlegierung | |
AT154538B (de) | Elektrodensystem. | |
DE700539C (de) | Elektrischer Leiter aus Kupfer oder Aluminium fuer gummiisolierte Adern |