DE961733C - Verfahren zum Herstellen elektrisch unsymmetrisch leitender Elemente mit einem Halbleiter wie Selen - Google Patents
Verfahren zum Herstellen elektrisch unsymmetrisch leitender Elemente mit einem Halbleiter wie SelenInfo
- Publication number
- DE961733C DE961733C DEA10696D DEA0010696D DE961733C DE 961733 C DE961733 C DE 961733C DE A10696 D DEA10696 D DE A10696D DE A0010696 D DEA0010696 D DE A0010696D DE 961733 C DE961733 C DE 961733C
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- semiconductor
- counter electrode
- counter
- selenium
- conductive elements
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 9
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 title claims description 4
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 title claims description 4
- 239000011669 selenium Substances 0.000 title claims description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 8
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 2
- 229910000634 wood's metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 240000003085 Quassia amara Species 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/06—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
- H01L21/12—Application of an electrode to the exposed surface of the selenium or tellurium after the selenium or tellurium has been applied to the foundation plate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
- Verfahren zum Herstellen elektrisch unsymmetrisch leitender Elemente mit einem Halbleiter wie Selen Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen von elektrisch unsymmetrisch leitenden Elementen mit einem Halbleiter wie Selen, bei denen der Halbleiter an seiner Oberfläche eine Sperrschicht aufweist, und einer aus leicht schmelzbarem Metall bestehenden Gegenelektrode, die mit dem Halbleiter fest verbunden ist. Es ist bereits bekannt, derartige Elemente nach dem Aufbringen der Gegenelektrode in ihrer Gesamtheit bis über den Schmelzpunkt der Gegenelektrode zu erhitzen. Dies geschieht zu dem Zweck, die Halbleitersubstanz in die für Gleichrichterzwecke geeignete Modifikation zu überführen.
- Das erfindungsgemäße Verfahren unterscheidet sich von den bisher bekannten dadurch, daß die Erhitzung der Gegenelektrode nach ihrer Aufbringung auf mindestens ihre unter der Umwandlungstemperatur des Halbleiters gelegene Schmelztemperatur mittels einer nur der Gegenelektrode zugewandten Wärmequelle durchgeführt wird. Dadurch bleibt der Halbleiter im Gegensatz zu den bekannten Verfahren in seinem Inneren unverändert, und lediglich an der Oberfläche ändert sich die Konzentration der Störstellen durch die beim Schmelzen der Gegenelektrode auftretende Wärme. Überraschenderweise zeigt es sich, daß der innere Widerstand eines gemäß der Erfindung hergestellten Elementes in der Flußrichtung eine erhebliche Abnahme erfährt.
- Die nachträgliche Erhitzung der Gegenelektrode kann auf verschiedenartige Weise vorgenommen werden, zweckmäßigerweise jedoch mittels Wärmestrahlung, weil auf diese Weise am einfachsten eine Erhitzung nur der dem Wärmestrahler zugewandten Gegenelektrode durchführbar ist.
- Von besonderem Vorteil ist es, wenn die Erhitzung der Gegenelektrode in einem Ofen vorgenommen wird.
- Für die Gegenelektrode wird mit Vorteil. ein leicht schmelzendes Metall, wie z. B. Wood-Metalllegierung, gewählt, und durch Aufspritzen, Aufdampfen oder auch Aufschmelzen auf den Halbleiter aufgebracht.
- Ein weiterer überraschender Vorzug einer derartigen Nachbehandlung besteht darin, daß zu Kurzschlüssen führende Löcher in dem Halbleiter unschädlich gemacht werden, so daß auch zunächst unbrauchbare Elemente ordnungsgemäß arbeiten. Die Erklärung für diese Wirkung der nachträglichen Erhitzung der Gegenelektrode kann noch nicht eindeutig gegeben werden. Möglicherweise zieht sich das schmelzende Metall unter der Wir= kung der Oberflächenspannung zusammen, so daß die die Löcher im Halbleiter ausfüllenden Metallbrücken aus denselben herausgezogen werden, oder aber es entsteht an diesen Stellen eine nichtleitende Metallverbindung.
Claims (4)
- PATENTANSPRÜCHE: i. Verfahren zum Herstellen elektrisch unsymmetrisch leitender Elemente mit einem Halbleiter wie Selen, einer auf seiner Oberfläche befindlichen Sperrschicht und einer aus leicht schmelzendem Metall bestehenden, fest mit dem Halbleiter verbundenen Gegenelektrode, bei dem die Gegenelektrode nach ihrer Aufbringung auf mindestens ihre unter der Umwandlungstemperatur des Halbleiters gelegene Schmelztemperatur gebracht wird, dadurch gekennzeichnet, daß die Erhitzung mittels einer nur der Gegenelektrode zugewandten Wärmequelle durchgeführt wird.
- 2. Verfahren nach Anspruch I, dadurch gekennzeichnet, daß die Erhitzung der Gegenelektrode mittels Wärmestrahlung erfolgt.
- 3. Verfahren nach Anspruch i oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Erhitzung der Gegenelektrode in einem Ofen vorgenommen wird.
- 4. Verfahren nach Anspruch i oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß die Gegenelektrode aus einem leicht schmelzbaren Metall, wie z. B. einer Wood-Metallegierung, besteht und durch Aufspritzen, Aufdampfen oder auch Aufschmelzen auf den Halbleiter aufgebracht wird. In Betracht gezogene Druckschriften: Britische Patentschriften Nr. 464 268, 471390, 472 961; USA.-Patentschrift Nr. 2 124 3o6; österreichische Patentschrift Nr: 131 78o; Buch von B. Lange, »Photoelemente und ihre Anwendung«, I. Teil, 1936, Abschnitt »Halbleiterphotozelle«, S. io ff.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DEA10696D DE961733C (de) | 1939-01-17 | 1939-01-18 | Verfahren zum Herstellen elektrisch unsymmetrisch leitender Elemente mit einem Halbleiter wie Selen |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DEA0010696 | 1939-01-17 | ||
DEA10696D DE961733C (de) | 1939-01-17 | 1939-01-18 | Verfahren zum Herstellen elektrisch unsymmetrisch leitender Elemente mit einem Halbleiter wie Selen |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE961733C true DE961733C (de) | 1957-04-11 |
Family
ID=25963090
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEA10696D Expired DE961733C (de) | 1939-01-17 | 1939-01-18 | Verfahren zum Herstellen elektrisch unsymmetrisch leitender Elemente mit einem Halbleiter wie Selen |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE961733C (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1133831B (de) * | 1960-11-05 | 1962-07-26 | Licentia Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Selentrocken-gleichrichtern |
DE1135105B (de) * | 1958-01-27 | 1962-08-23 | Int Standard Electric Corp | Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern mit zwei Selenschichten |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AT131780B (de) * | 1930-08-07 | 1933-02-10 | Erwin Falkenthal | Lichtelektrische Zelle und Verfahren zur Herstellung derselben. |
GB464268A (en) * | 1935-11-22 | 1937-04-14 | Philips Nv | Improvements in electrode systems with unsymmetrical conductivity such as dry rectifier, or light-sensitive, cells |
GB471390A (en) * | 1935-06-07 | 1937-09-03 | Philips Nv | Improvements in or relating to electrode systems of unsymmetrical conductivity |
GB472961A (en) * | 1936-03-30 | 1937-09-30 | Henriette Rupp | Improvements in the manufacture of dry rectifiers, photo-electric cells, elements for thermo-electric couples and the like |
US2124306A (en) * | 1934-08-08 | 1938-07-19 | Int Standard Electric Corp | Electrical device |
-
1939
- 1939-01-18 DE DEA10696D patent/DE961733C/de not_active Expired
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AT131780B (de) * | 1930-08-07 | 1933-02-10 | Erwin Falkenthal | Lichtelektrische Zelle und Verfahren zur Herstellung derselben. |
US2124306A (en) * | 1934-08-08 | 1938-07-19 | Int Standard Electric Corp | Electrical device |
GB471390A (en) * | 1935-06-07 | 1937-09-03 | Philips Nv | Improvements in or relating to electrode systems of unsymmetrical conductivity |
GB464268A (en) * | 1935-11-22 | 1937-04-14 | Philips Nv | Improvements in electrode systems with unsymmetrical conductivity such as dry rectifier, or light-sensitive, cells |
GB472961A (en) * | 1936-03-30 | 1937-09-30 | Henriette Rupp | Improvements in the manufacture of dry rectifiers, photo-electric cells, elements for thermo-electric couples and the like |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1135105B (de) * | 1958-01-27 | 1962-08-23 | Int Standard Electric Corp | Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern mit zwei Selenschichten |
DE1133831B (de) * | 1960-11-05 | 1962-07-26 | Licentia Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Selentrocken-gleichrichtern |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2215526B2 (de) | Verfahren zum Herstellen eines sperrfreien Metallanschlußkontaktes an p- oder n-leitende Halbleiterkörper | |
DE2013205A1 (de) | ||
DE961733C (de) | Verfahren zum Herstellen elektrisch unsymmetrisch leitender Elemente mit einem Halbleiter wie Selen | |
DE2822843A1 (de) | Verfahren zum biegen einer glasplatte | |
AT150373B (de) | Verfahren zur Verbindung metallischer Körper mit Körpern aus nichtleitendem Stoff, z. B. keramischen Körpern, mit Hilfe von Elektroden. | |
DE263950C (de) | ||
DE1079744B (de) | Verfahren zur Herstellung von Selen-Trockengleichrichtern | |
CH656953A5 (de) | Vorrichtung zur zuendung von sprengkoerpern. | |
DE971583C (de) | Trockengleichrichter | |
DE509826C (de) | Verfahren zur Herstellung von elektrischen Ventilen | |
DE833228C (de) | Verfahren zur Herstellung eines Selengleichrichters | |
DE812806C (de) | Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern | |
DE525664C (de) | Verfahren zur Herstellung elektrischer Gleichrichterventile | |
DE893325C (de) | Verfahren zur Herstellung der Zuenderkoepfchen elektrischer Gluehdrahtzuender | |
DE958583C (de) | Verfahren zur Herstellung der Halbleiterschicht bei Trockengleichrichter, insbesondere bei Selengleichrichter | |
DE971615C (de) | Verfahren zur Herstellung von Selen-Trockengleichrichtern | |
DE450218C (de) | Verfahren zum Aufbringen eines UEberzugs auf Kupfer- oder Messinggegenstaende | |
DE501228C (de) | Verfahren zur Herstellung von Gleichrichterelementen zu Trockengleichrichtern mit Selenschicht | |
DE812805C (de) | Verfahren zur Herstellung von Selen-Trockengleichrichtern | |
DE949704C (de) | Verfahren zur Verbindung von Metallteilen mit Teilen aus Isolierstoffen, z. B. Keramik, durch elektrothermisches Stauchen der Metallteile | |
DE878533C (de) | Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichterventilscheiben | |
DE517975C (de) | Verfahren zur Vervollkommnung des Vakuums von Vakuumroehren mit einer Mehrzahl von Metallelektroden durch Anbringung eines Fangstoffes | |
DE903640C (de) | Zuendkerze | |
DE677656C (de) | Elektrisch beheizte Platte | |
DE764267C (de) | Verfahren zur Herstellung von bandfoermig angeordneten elektrischen Widerstandsschichten |