DE1086822B - Fotoelement mit Vorderwandeffekt - Google Patents
Fotoelement mit VorderwandeffektInfo
- Publication number
- DE1086822B DE1086822B DEF9612A DEF0009612A DE1086822B DE 1086822 B DE1086822 B DE 1086822B DE F9612 A DEF9612 A DE F9612A DE F0009612 A DEF0009612 A DE F0009612A DE 1086822 B DE1086822 B DE 1086822B
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- intermediate layer
- photo element
- selenium
- photo
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000000694 effects Effects 0.000 title claims description 6
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 13
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 2
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052976 metal sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 2
- XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N telluride(2-) Chemical compound [Te-2] XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 2
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 150000003498 tellurium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L29/167—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table further characterised by the doping material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/06—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
- Fotoelement mit Vorderwandeffekt Es sind Fotoelemente mit zwei Selenschichten bekannt, bei denen die auf der Grundplatte aufgebrachte Se-Schicht in beliebiger Weise z. B. aufgestrichen ist, während die darüberliegende dünne, vom Licht getroffene Schicht aufgestäubt oder aufgedampft ist. Der wesentliche Fortschritt derartiger Fotoelemente gegenüber den älteren mit nur einer Se-Schicht besteht darin, daß die zweite dünne Se-Schicht sich in einem Zustand besonderer Reinheit und Feinkörnigkeit befindet, wodurch die Elektronenabgabe und damit die Stromausbeute vergrößert wird.
- Bei dem oben beschriebenen bekannten Fotoelement nimmt an der Stromausbeute im wesentlichen nur die dem Licht ausgesetzte Schicht teil, während die Barunterliegende Schicht nur einen schlechten Leiter gegenüber der Grundplatte bildet und als Trägerplatte für die Elektronen abgebende Schicht dient.
- Es ist ferner eine Fotozelle bekannt, bei der zur Erhöhung des Sperrwiderstandes eine Zwischensperrschicht aus Kunstharz vorgesehen ist.
- Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist ein Fotoelement mit Vorderwandeffekt, enthaltend eine metallische Grundplatte, eine lichtempfindliche Schicht aus Selen oder einem Chalkogenid, eine Stromabnahmeelektrode sowie eine Zwischenschicht zwischen der Grundplatte und der lichtempfindlichen Schicht, das dadurch gekennzeichnet ist, daß für die Zwischenschicht ein Halbleiter gewählt ist, der aus einem Kunststoff oder einer Metallverbindung besteht, die den Ohmschen Bahnwiderstand erhöhen und zu den angrenzenden Schichten keine Sperrwirkung ergeben. Diese Zwischenschicht kann aus einem Metalloxyd, Metallsulfid oder -tellurid bestehen, während die die Elektronen abgebende obere dünne Halbleiterschicht vorzugsweise aus Selen oder aus anderen zur Elektronenabgabe befähigten Stoffen, wie Chalkogeniden, gebildet wird, die mit einer lichtdurchlässigen leitfähigen Deckelektrode bedeckt sind.
- Als Kunststoff für die Zwischenschicht kann man beispielsweise ein mit eingelagertem Grafit versehenes Polystyrol verwenden. Als Chalkogenide, aus denen die lichtempfindliche Schicht gebildet wird, empfehlen sich in erster Linie die Sauerstoff-, Schwefel-, Selen-oder Tellurverbindungen gewisser Schwermetalle, wie z. B. Blei oder Quecksilber, oder auch von anderen Metallen, z. B. Zink oder Zinn.
- Der Vorteil der erfindungsgemäßen Anordnung besteht darin, daß durch Anwendung von Stoffen beliebiger Leitfähigkeit als Zwischenschicht der Bahnwiderstand solcher Elemente, d. h. der Widerstand quer zu den Flächen der einzelnen Schichten, weitgehend heraufgesetzt werden kann, wodurch sich die Stromausbeute oder die Spannung der Fotoelemente dem jeweiligen Verwendungszweck anpassen läßt. Der Bahnwiderstand bleibt bei diesen neuen Elementen konstant und insbesondere praktisch unabhängig von der Stromrichtung. Dies ist eindeutig bei Verwendung von Kunststoffen mit eingelagerten Leitern der Fall. Ferner ergibt sich ein wesentlicher Fortschritt in bezug auf die Fabrikation dadurch, daß die umständliche Behandlung der Selenschicht sich nur auf die wenige i. dicke, Elektronen abgebende Selenschicht erstreckt und das z. Z. kaum mehr erhältliche Selen der Zwischenschicht gespart wird.
- Die Zwischenschicht kann aufgestrichen oder aufgegossen werden. Auf dieser Schicht befindet sich dann die lichtempfindliche Schicht, die beispielsweise aus zu etwa 99°/n reinem Selen besteht, das in einer Dicke von etwa 10-1 bis 10-B mm aufgebracht ist, und zwar vorzugsweise durch Aufdampfen, Aufstäuben oder ein analoges Verfahren. Die Deckschicht besteht in an sich bekannter Weise aus einem dünnen, lichtdurchlässigen Metallüberzug.
Claims (4)
- PATENTANSPRÜCHE: 1. Fotoelement mit Vorderwandeffekt, enthaltend eine metallische Grundplatte, eine lichtempfindliche Schicht aus Selen oder einem Chalkogenid, eine Stromabnahmeelektrode sowie eine Zwischenschicht zwischen der Grundplatte und der lichtempfindlichen Schicht, dadurch gekennzeichnet, daß für die Zwischenschicht ein Halbleiter gewählt ist, der aus einem Kunststoff oder einer Metallverbindung besteht, die den Ohmschen Bahnwiderstand erhöhen und zu den angrenzenden Schichten keine Sperrwirkung ergeben.
- 2. Fotoelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Zwischenschicht aus einem Metalloxyd, -sulfid oder -tellurid besteht.
- 3. Fotoelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die lichtempfindliche Schicht aus Selen großer Reinheit besteht und in einer durch Aufstäuben oder Aufdampfen gebildeten Schicht von einer Dicke von etwa 10-1 bis 10-6 mm hergestellt ist.
- 4. Verfahren zum Herstellen von Fotoelementen nach Anspruch 1 oder folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß die Zwischenschicht durch ein mechanisches Aufbringungsverfahren oder auf chemischem Wege hergestellt wird. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Patentschriften Nr. 757 222, 820 318; österreichische Patentschriften Nr. 141431, 149 626; französische Patentschrift Nr. 862 788; USA.-Patentschrift Nr. 2 066 611.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DEF9612A DE1086822B (de) | 1952-07-31 | 1952-07-31 | Fotoelement mit Vorderwandeffekt |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DEF9612A DE1086822B (de) | 1952-07-31 | 1952-07-31 | Fotoelement mit Vorderwandeffekt |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1086822B true DE1086822B (de) | 1960-08-11 |
Family
ID=7086197
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEF9612A Pending DE1086822B (de) | 1952-07-31 | 1952-07-31 | Fotoelement mit Vorderwandeffekt |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE1086822B (de) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AT141431B (de) * | 1933-09-25 | 1935-04-25 | Philips Nv | Photoelektrische Vorrichtung. |
US2066611A (en) * | 1932-12-10 | 1937-01-05 | G M Lab Inc | Selenium cell |
AT149626B (de) * | 1935-06-07 | 1937-05-10 | Philips Nv | Elektrodensystem unsymmetrischer Leitfähigkeit. |
FR862788A (fr) * | 1939-01-09 | 1941-03-14 | Philips Nv | Systèmes d'électrodes à couche d'arrêt et procédé de fabrication de ces systèmes d'électrodes |
DE820318C (de) * | 1948-10-02 | 1951-11-08 | Siemens & Halske A G | Selenkoerper, insbesondere fuer Trockengleichrichter, Fotoelemente und lichtempfindliche Widerstandszellen |
DE757222C (de) * | 1939-02-04 | 1954-02-08 | Elektrowerk G M B H | Selentrockengleichrichter mit Schwermetall-Traegerelektrode |
-
1952
- 1952-07-31 DE DEF9612A patent/DE1086822B/de active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2066611A (en) * | 1932-12-10 | 1937-01-05 | G M Lab Inc | Selenium cell |
AT141431B (de) * | 1933-09-25 | 1935-04-25 | Philips Nv | Photoelektrische Vorrichtung. |
AT149626B (de) * | 1935-06-07 | 1937-05-10 | Philips Nv | Elektrodensystem unsymmetrischer Leitfähigkeit. |
FR862788A (fr) * | 1939-01-09 | 1941-03-14 | Philips Nv | Systèmes d'électrodes à couche d'arrêt et procédé de fabrication de ces systèmes d'électrodes |
DE757222C (de) * | 1939-02-04 | 1954-02-08 | Elektrowerk G M B H | Selentrockengleichrichter mit Schwermetall-Traegerelektrode |
DE820318C (de) * | 1948-10-02 | 1951-11-08 | Siemens & Halske A G | Selenkoerper, insbesondere fuer Trockengleichrichter, Fotoelemente und lichtempfindliche Widerstandszellen |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0721667B1 (de) | Solarzelle mit einer chalkopyritabsorberschicht | |
DE1954967A1 (de) | Durch Filmauftrag hergestellte Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung | |
DE1544183A1 (de) | Zuechtung von duennen Halbleiterschichten | |
DE2429507A1 (de) | N-leitende amorphe halbleitermaterialien, verfahren zu deren herstellung und vorrichtungen, die solche enthalten | |
DE3347489C2 (de) | ||
DE1808928A1 (de) | Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE2616148B2 (de) | ElektrophotographJsches Aufzeichnungsmaterial | |
DE2952585A1 (de) | Elektrolumineszenz-darstellungsvorrichtung | |
DE2649935A1 (de) | Referenzdiode | |
DE2042883A1 (de) | Halbleiterbauelement mit heterogenem Übergang und Verfahren zu seiner Herstel lung | |
DE2016211C3 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung | |
DE1086822B (de) | Fotoelement mit Vorderwandeffekt | |
CH641586A5 (en) | Liquid-crystal display panel in a matrix arrangement | |
DE102014225862A1 (de) | Verfahren zur Bildung einer Dünnschicht mit Gradient mittels Spraypyrolyse | |
DE2119610A1 (de) | Dünnfilm-Leistungs-Feldeffekttransistor | |
DE1464880B2 (de) | Elektronische Schaltanordnung unter Verwendung von sperrschichtfreien Halbleiter-Schaltelementen | |
DE19611996C1 (de) | Solarzelle mit einer Chalkopyritabsorberschicht und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE861450C (de) | Photoelektrische Widerstandszelle | |
AT153457B (de) | Verfahren zur Herstellung elektrischer Sperrschicht-Photozellen. | |
DE1060053B (de) | Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern mit einem mehrschichtigen Halbleiter mit verschiedenem Gehalt an Halogen und elektropositiven Zusaetzen in den einzelnen Schichten | |
CH196791A (de) | Verfahren zur Herstellung elektrischer Sperrschicht-Photozellen. | |
DE2011851C3 (de) | Elektrische Speichermatrix in Kompaktbauweise. | |
DE971697C (de) | Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern | |
DE1927955C3 (de) | Verfahren zur Herstellung der Elektrodenkontakte bei einem Silizium-Feldeffekttransistor | |
DE2624394C3 (de) | Photoleitende Ladungsspeicherplatte |